JPH09169573A - 窒化アルミニウム配線基板の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム配線基板の製造方法Info
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- JPH09169573A JPH09169573A JP7331764A JP33176495A JPH09169573A JP H09169573 A JPH09169573 A JP H09169573A JP 7331764 A JP7331764 A JP 7331764A JP 33176495 A JP33176495 A JP 33176495A JP H09169573 A JPH09169573 A JP H09169573A
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- aluminum nitride
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同時焼成でＡｌＮ配線基板を製造する際の脱
脂工程において、配線金属層の低抵抗化を実現するため
に炭素量を十分に低減した上で、ＡｌＮ基材の熱伝導率
の低下要因となるＡｌＮと脱脂雰囲気との反応を防止す
る。 【解決手段】 焼結助剤粉末２を含むＡｌＮ焼結体原料
３に、有機バインダ４を添加、混合(102) し、この混合
物を所望形状に成形してＡｌＮグリーンシート６を作製
する(103) 。このＡｌＮグリーンシート６に、配線層形
成用ペーストを塗布し、これを 1層または複数層積層し
てＡｌＮ成形体７を作製する(104) 。このＡｌＮ成形体
７を、ＣＯとＣＯ2 との混合ガス、ＮＯとＮＯ2 との混
合ガス、およびＨ2 とＣＯ2 との混合ガスから選ばれる
1種の酸素含有雰囲気中で脱脂処理し(105) 、得られた
ＡｌＮ脱脂体を焼成して、ＡｌＮ基材と配線金属とを同
時に焼結させる。
脂工程において、配線金属層の低抵抗化を実現するため
に炭素量を十分に低減した上で、ＡｌＮ基材の熱伝導率
の低下要因となるＡｌＮと脱脂雰囲気との反応を防止す
る。 【解決手段】 焼結助剤粉末２を含むＡｌＮ焼結体原料
３に、有機バインダ４を添加、混合(102) し、この混合
物を所望形状に成形してＡｌＮグリーンシート６を作製
する(103) 。このＡｌＮグリーンシート６に、配線層形
成用ペーストを塗布し、これを 1層または複数層積層し
てＡｌＮ成形体７を作製する(104) 。このＡｌＮ成形体
７を、ＣＯとＣＯ2 との混合ガス、ＮＯとＮＯ2 との混
合ガス、およびＨ2 とＣＯ2 との混合ガスから選ばれる
1種の酸素含有雰囲気中で脱脂処理し(105) 、得られた
ＡｌＮ脱脂体を焼成して、ＡｌＮ基材と配線金属とを同
時に焼結させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同時焼成法を適用
した窒化アルミニウム配線基板の製造方法に関する。
した窒化アルミニウム配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の
パッケージングには、プラスチックパッケージ、メタル
パッケージ、セラミックスパッケージが使用されてい
る。このような半導体用パッケージに対する要望は、半
導体素子の高集積化、高速化、多ピン化、大チップ化等
に伴って、半導体素子の機械的応力等からの保護を主体
とすることから、電気的特性の向上や熱的な保護に移行
してきている。
パッケージングには、プラスチックパッケージ、メタル
パッケージ、セラミックスパッケージが使用されてい
る。このような半導体用パッケージに対する要望は、半
導体素子の高集積化、高速化、多ピン化、大チップ化等
に伴って、半導体素子の機械的応力等からの保護を主体
とすることから、電気的特性の向上や熱的な保護に移行
してきている。
【０００３】上述したような半導体用パッケージのう
ち、セラミックスパッケージは放熱性、電気的特性、信
頼性等をはじめとして総合的に優れていることから、高
性能化された半導体素子のパッケージ材料として多用さ
れつつある。このようなセラミックスパッケージには、
主としてアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）が用いられてきたが、
近年の半導体素子からの発熱量の増大に伴って、放熱性
が特に重要視されるようになってきたため、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、炭化ケ
イ素（ＳｉＣ）等の高放熱性セラミックス材料が使用さ
れるようになってきている。これら高放熱性セラミック
ス材料の中でも、特にＡｌＮは熱伝導率に優れているこ
とから注目されている。
ち、セラミックスパッケージは放熱性、電気的特性、信
頼性等をはじめとして総合的に優れていることから、高
性能化された半導体素子のパッケージ材料として多用さ
れつつある。このようなセラミックスパッケージには、
主としてアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）が用いられてきたが、
近年の半導体素子からの発熱量の増大に伴って、放熱性
が特に重要視されるようになってきたため、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、炭化ケ
イ素（ＳｉＣ）等の高放熱性セラミックス材料が使用さ
れるようになってきている。これら高放熱性セラミック
ス材料の中でも、特にＡｌＮは熱伝導率に優れているこ
とから注目されている。
【０００４】高放熱性セラミックス材料を半導体パッケ
ージや回路基板等として使用する場合には、同時焼成法
によりセラミックス基板と配線金属層とを一括して形成
することが行われている。一般的なセラミックス同時焼
成基板の製造方法について説明すると、まずセラミック
ス粉末に適量の焼結助剤および有機バインダを添加、混
合してスラリー化し、このセラミックススラリーを用い
てドクターブレード法等でセラミックスグリーンシート
を作製する。
ージや回路基板等として使用する場合には、同時焼成法
によりセラミックス基板と配線金属層とを一括して形成
することが行われている。一般的なセラミックス同時焼
成基板の製造方法について説明すると、まずセラミック
ス粉末に適量の焼結助剤および有機バインダを添加、混
合してスラリー化し、このセラミックススラリーを用い
てドクターブレード法等でセラミックスグリーンシート
を作製する。
【０００５】次に、セラミックスグリーンシート上に配
線金属を含む配線層形成用ペーストを所望の配線形状に
塗布し、これを 1層または所望の形状となるように複数
層積層して、セラミックス成形体を作製する。ここで、
配線金属としては一般的にＷやＭｏ等の高融点金属が用
いられている。
線金属を含む配線層形成用ペーストを所望の配線形状に
塗布し、これを 1層または所望の形状となるように複数
層積層して、セラミックス成形体を作製する。ここで、
配線金属としては一般的にＷやＭｏ等の高融点金属が用
いられている。
【０００６】次いで、セラミックス成形体に脱脂処理を
施し、有機バインダ成分を除去する。この脱脂工程にお
いては、Ｗ等の配線金属の炭化による配線抵抗の上昇を
防止するために、効率よくかつ十分に有機バインダ成分
を除去しなければならない。そこで、通常は酸素含有雰
囲気中で脱脂を行っている。脱脂工程に用いられる酸素
含有雰囲気は、酸素分圧の制御が非常に重要であり、ま
ずセラミックス基材や配線金属の酸化を防止した上で、
炭素の除去効率を上げる必要がある。このようなことか
ら、脱脂工程の酸素含有雰囲気の作製には酸素分圧の制
御が容易なＨ2とＨ2 Ｏとの混合ガスが一般に用いられ
ている。
施し、有機バインダ成分を除去する。この脱脂工程にお
いては、Ｗ等の配線金属の炭化による配線抵抗の上昇を
防止するために、効率よくかつ十分に有機バインダ成分
を除去しなければならない。そこで、通常は酸素含有雰
囲気中で脱脂を行っている。脱脂工程に用いられる酸素
含有雰囲気は、酸素分圧の制御が非常に重要であり、ま
ずセラミックス基材や配線金属の酸化を防止した上で、
炭素の除去効率を上げる必要がある。このようなことか
ら、脱脂工程の酸素含有雰囲気の作製には酸素分圧の制
御が容易なＨ2とＨ2 Ｏとの混合ガスが一般に用いられ
ている。
【０００７】上述したＨ2 とＨ2 Ｏとの混合ガスにおけ
る酸素分圧（Ｐ（Ｏ2 ））は、「Ｈ2 ＋ 1/2Ｏ2 ＝Ｈ2
Ｏ」の化学反応式から
る酸素分圧（Ｐ（Ｏ2 ））は、「Ｈ2 ＋ 1/2Ｏ2 ＝Ｈ2
Ｏ」の化学反応式から
【化１】 で表され、この化学平衡（Ｋ：平衡定数）の関係式か
ら、以下のように表される。
ら、以下のように表される。
【０００８】
【化２】 この場合、平衡定数は計算により求まる。従って、混合
ガスの酸素分圧は、Ｈ2 ＯとＨ2 の混合比を変えること
で制御することができる。
ガスの酸素分圧は、Ｈ2 ＯとＨ2 の混合比を変えること
で制御することができる。
【０００９】上述した混合ガスにより得られる酸素は、
成形体中の有機バインダ成分、特に炭素と反応して炭化
水素（ＣＯ2 ，ＣＯ）となって揮散する。このようにし
て、セラミックス成形体中の有機バインダ成分（炭素
分）が除去される。
成形体中の有機バインダ成分、特に炭素と反応して炭化
水素（ＣＯ2 ，ＣＯ）となって揮散する。このようにし
て、セラミックス成形体中の有機バインダ成分（炭素
分）が除去される。
【００１０】この後、脱脂処理を施したセラミックス成
形体（セラミックス脱脂体）を所定の温度で焼成し、セ
ラミックス基材と配線金属とを同時に焼結させることに
よって、同時焼成セラミックス配線基板が得られる。
形体（セラミックス脱脂体）を所定の温度で焼成し、セ
ラミックス基材と配線金属とを同時に焼結させることに
よって、同時焼成セラミックス配線基板が得られる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな製造方法による同時焼成セラミックス配線基板にお
いて、高放熱性セラミックス材料としてＡｌＮを用いた
場合には、以下に示すような問題が生じている。すなわ
ち、ＡｌＮは酸素よりＨ2 Ｏに対してより活性であるた
め、Ｗ等の配線金属を酸化させない程度の酸素分圧を生
成するのに必要な量程度のＨ2 Ｏ雰囲気であっても、Ａ
ｌＮとＨ2 Ｏとの反応が進み、ＡｌＮ＋Ｈ2 Ｏ→ＡｌＯ
Ｎ＋Ｈ2 の反応に基いてＡｌＮが酸化し、得られるＡｌ
Ｎ焼結体の熱伝導率が低下してしまうという問題があ
る。
うな製造方法による同時焼成セラミックス配線基板にお
いて、高放熱性セラミックス材料としてＡｌＮを用いた
場合には、以下に示すような問題が生じている。すなわ
ち、ＡｌＮは酸素よりＨ2 Ｏに対してより活性であるた
め、Ｗ等の配線金属を酸化させない程度の酸素分圧を生
成するのに必要な量程度のＨ2 Ｏ雰囲気であっても、Ａ
ｌＮとＨ2 Ｏとの反応が進み、ＡｌＮ＋Ｈ2 Ｏ→ＡｌＯ
Ｎ＋Ｈ2 の反応に基いてＡｌＮが酸化し、得られるＡｌ
Ｎ焼結体の熱伝導率が低下してしまうという問題があ
る。
【００１２】一方、ＡｌＮの酸化による熱伝導率の低下
を抑制し得るように、脱脂雰囲気としての混合ガス中の
Ｈ2 Ｏ量を低減すると、これは直接酸素分圧の低下に繋
がるため、ＡｌＮ脱脂体中に炭素が多量に残存し、この
残存した炭素によりＷ等の配線金属の炭化が起こって、
配線抵抗の上昇を招くことになる。
を抑制し得るように、脱脂雰囲気としての混合ガス中の
Ｈ2 Ｏ量を低減すると、これは直接酸素分圧の低下に繋
がるため、ＡｌＮ脱脂体中に炭素が多量に残存し、この
残存した炭素によりＷ等の配線金属の炭化が起こって、
配線抵抗の上昇を招くことになる。
【００１３】図２は、Ｈ2 とＨ2 Ｏとの混合ガス中で脱
脂したＡｌＮ脱脂体中のカーボン濃度とそれを焼成(207
3K×2h）して得たＡｌＮ焼結体の熱伝導率およびＡｌＮ
焼結体中のＷ配線層の配線抵抗との関係を示す図であ
る。図２から明らかなように、Ｈ2 とＨ2 Ｏとの混合ガ
ス中で脱脂を行った場合、配線抵抗の上昇を防止するた
めにＡｌＮ脱脂体中のカーボン濃度を少なくすると、す
なわち酸素分圧を上げるためにＨ2 Ｏ量を増加させる
と、ＡｌＮ焼結体の熱伝導率が低下し、一方ＡｌＮ焼結
体の熱伝導率の低下を防止するためにＨ2 Ｏ量を減らす
と、すなわち酸素分圧を下げると、ＡｌＮ脱脂体中のカ
ーボン濃度を増加して、配線抵抗が上昇してしまう。
脂したＡｌＮ脱脂体中のカーボン濃度とそれを焼成(207
3K×2h）して得たＡｌＮ焼結体の熱伝導率およびＡｌＮ
焼結体中のＷ配線層の配線抵抗との関係を示す図であ
る。図２から明らかなように、Ｈ2 とＨ2 Ｏとの混合ガ
ス中で脱脂を行った場合、配線抵抗の上昇を防止するた
めにＡｌＮ脱脂体中のカーボン濃度を少なくすると、す
なわち酸素分圧を上げるためにＨ2 Ｏ量を増加させる
と、ＡｌＮ焼結体の熱伝導率が低下し、一方ＡｌＮ焼結
体の熱伝導率の低下を防止するためにＨ2 Ｏ量を減らす
と、すなわち酸素分圧を下げると、ＡｌＮ脱脂体中のカ
ーボン濃度を増加して、配線抵抗が上昇してしまう。
【００１４】このようなことから、同時焼成によるＡｌ
Ｎ配線基板の製造工程における脱脂工程では、配線金属
層の低抵抗化を実現するために、炭素量を十分に低減す
ることを可能にした上で、ＡｌＮ基材（焼結体）の熱伝
導率の低下要因となるＡｌＮと脱脂雰囲気との反応（酸
化等）を防止することが課題とされている。
Ｎ配線基板の製造工程における脱脂工程では、配線金属
層の低抵抗化を実現するために、炭素量を十分に低減す
ることを可能にした上で、ＡｌＮ基材（焼結体）の熱伝
導率の低下要因となるＡｌＮと脱脂雰囲気との反応（酸
化等）を防止することが課題とされている。
【００１５】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、窒化アルミニウム基材に良好な熱伝
導率を付与することができ、かつ低抵抗の配線金属層が
得られる同時焼成による窒化アルミニウム配線基板の製
造方法を提供することを目的としている。
になされたもので、窒化アルミニウム基材に良好な熱伝
導率を付与することができ、かつ低抵抗の配線金属層が
得られる同時焼成による窒化アルミニウム配線基板の製
造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した目
的を達成するために検討を進めた結果、ＣＯ、ＣＯ2、
ＮＯ、ＮＯ2 等は脱脂温度におけるＡｌＮとの反応活性
がＨ2 Ｏより低く、酸素含有雰囲気が得られるＣＯとＣ
Ｏ2 との混合ガス、ＮＯとＮＯ2 との混合ガス、Ｈ2 と
ＣＯ2 との混合ガスを脱脂雰囲気として用いることによ
って、脱脂雰囲気とＡｌＮ基材との反応による熱伝導率
の低下を防止した上で、低抵抗の配線金属層が得られる
よう十分に炭素分を除去できることを見出した。
的を達成するために検討を進めた結果、ＣＯ、ＣＯ2、
ＮＯ、ＮＯ2 等は脱脂温度におけるＡｌＮとの反応活性
がＨ2 Ｏより低く、酸素含有雰囲気が得られるＣＯとＣ
Ｏ2 との混合ガス、ＮＯとＮＯ2 との混合ガス、Ｈ2 と
ＣＯ2 との混合ガスを脱脂雰囲気として用いることによ
って、脱脂雰囲気とＡｌＮ基材との反応による熱伝導率
の低下を防止した上で、低抵抗の配線金属層が得られる
よう十分に炭素分を除去できることを見出した。
【００１７】本発明は上記したような知見に基いてなさ
れたもので、本発明の窒化アルミニウム配線基板の製造
方法は、焼結助剤を含む窒化アルミニウム原料に有機バ
インダを添加、混合し、この混合物を所望形状に成形し
て窒化アルミニウムグリーンシートを作製する工程と、
前記窒化アルミニウムグリーンシートに、配線金属を含
有する配線層形成用ペーストを所望形状に塗布し、これ
を 1層または複数層積層して窒化アルミニウム成形体を
作製する工程と、前記窒化アルミニウム成形体を脱脂処
理する工程と、得られた窒化アルミニウム脱脂体を焼成
して、窒化アルミニウム基材と前記配線金属とを同時に
焼結させる工程とを有する窒化アルミニウム配線基板の
製造方法において、前記窒化アルミニウム成形体の処理
工程を、ＣＯとＣＯ2 との混合ガス、ＮＯとＮＯ2 との
混合ガス、およびＨ2 とＣＯ2 との混合ガスから選ばれ
る 1種の酸素含有雰囲気中で行うことを特徴としてい
る。
れたもので、本発明の窒化アルミニウム配線基板の製造
方法は、焼結助剤を含む窒化アルミニウム原料に有機バ
インダを添加、混合し、この混合物を所望形状に成形し
て窒化アルミニウムグリーンシートを作製する工程と、
前記窒化アルミニウムグリーンシートに、配線金属を含
有する配線層形成用ペーストを所望形状に塗布し、これ
を 1層または複数層積層して窒化アルミニウム成形体を
作製する工程と、前記窒化アルミニウム成形体を脱脂処
理する工程と、得られた窒化アルミニウム脱脂体を焼成
して、窒化アルミニウム基材と前記配線金属とを同時に
焼結させる工程とを有する窒化アルミニウム配線基板の
製造方法において、前記窒化アルミニウム成形体の処理
工程を、ＣＯとＣＯ2 との混合ガス、ＮＯとＮＯ2 との
混合ガス、およびＨ2 とＣＯ2 との混合ガスから選ばれ
る 1種の酸素含有雰囲気中で行うことを特徴としてい
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００１９】図１は、本発明の一実施形態による窒化ア
ルミニウム配線基板の製造工程を示す図である。同図に
したがって、この実施形態の窒化アルミニウム配線基板
の製造工程について説明する。
ルミニウム配線基板の製造工程を示す図である。同図に
したがって、この実施形態の窒化アルミニウム配線基板
の製造工程について説明する。
【００２０】まず、ＡｌＮ粉末１に適当量の焼結助剤粉
末２を添加し、これを混合、解砕（図１-101）してＡｌ
Ｎ焼結体原料３を調製する。ここで、出発原料となるＡ
ｌＮ粉末１としては、不純物酸素量が 0.5〜 2.0モル%
の範囲のものを用いることが好ましい。ＡｌＮ粉末１中
の不純物酸素量が 0.5モル% 未満では、焼結前の混合や
成形等の取扱い段階でＡｌＮが変質したり、また十分に
焼結が進まないおそれがあり、一方 2.0モル% を超える
と最終的なＡｌＮ基材（焼結体）の熱伝導率が低下する
おそれがある。
末２を添加し、これを混合、解砕（図１-101）してＡｌ
Ｎ焼結体原料３を調製する。ここで、出発原料となるＡ
ｌＮ粉末１としては、不純物酸素量が 0.5〜 2.0モル%
の範囲のものを用いることが好ましい。ＡｌＮ粉末１中
の不純物酸素量が 0.5モル% 未満では、焼結前の混合や
成形等の取扱い段階でＡｌＮが変質したり、また十分に
焼結が進まないおそれがあり、一方 2.0モル% を超える
と最終的なＡｌＮ基材（焼結体）の熱伝導率が低下する
おそれがある。
【００２１】また、焼結助剤粉末２としては、ＡｌＮの
焼結に一般的に用いられている、希土類元素やアルカリ
土類金属元素の酸化物、さらには希土類元素やアルカリ
土類金属元素のフッ化物や硼化物等を用いることができ
る。これらは焼成時に酸化物となる炭酸塩、シュウ酸
塩、硝酸塩等として添加することもできる。これら希土
類元素化合物やアルカリ土類金属化合物は、酸化物換算
でＡｌＮ粉末１に対して1〜10重量% の範囲で添加する
ことが好ましい。焼結助剤粉末２の配合量が上記した下
限値未満であると焼結が不十分となるおそれがあり、−
方上限値を超えると焼結体表面に多くの析出物が現れた
り、また焼結時間が短い場合には熱伝導率が低下するお
それがある。
焼結に一般的に用いられている、希土類元素やアルカリ
土類金属元素の酸化物、さらには希土類元素やアルカリ
土類金属元素のフッ化物や硼化物等を用いることができ
る。これらは焼成時に酸化物となる炭酸塩、シュウ酸
塩、硝酸塩等として添加することもできる。これら希土
類元素化合物やアルカリ土類金属化合物は、酸化物換算
でＡｌＮ粉末１に対して1〜10重量% の範囲で添加する
ことが好ましい。焼結助剤粉末２の配合量が上記した下
限値未満であると焼結が不十分となるおそれがあり、−
方上限値を超えると焼結体表面に多くの析出物が現れた
り、また焼結時間が短い場合には熱伝導率が低下するお
それがある。
【００２２】次に、上記したＡｌＮ焼結体原料３に適当
量の有機バインダ４および有機溶媒５を加え、例えばボ
ールミルで混合してスラリー化する（図１-102）。有機
バインダ４としては、例えばアクリル系樹脂、メタクリ
ル系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）系樹脂等が
好ましく用いられる。これら有機バインダ４を分散させ
る有機溶媒５としては、例えばn-ブタノール等のアルコ
ール系、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン
等が使用される。有機バインダ４の添加量は、使用する
ＡｌＮ粉末１の粒度等によっても異なるが、ＡｌＮ焼結
体原料３に対して 5〜25重量% の範囲とすることが好ま
しい。そして、このような混合物スラリーをドクターブ
レード法等でシート状に成形して（図１-103）、ＡｌＮ
グリーンシート６を作製する。
量の有機バインダ４および有機溶媒５を加え、例えばボ
ールミルで混合してスラリー化する（図１-102）。有機
バインダ４としては、例えばアクリル系樹脂、メタクリ
ル系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）系樹脂等が
好ましく用いられる。これら有機バインダ４を分散させ
る有機溶媒５としては、例えばn-ブタノール等のアルコ
ール系、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン
等が使用される。有機バインダ４の添加量は、使用する
ＡｌＮ粉末１の粒度等によっても異なるが、ＡｌＮ焼結
体原料３に対して 5〜25重量% の範囲とすることが好ま
しい。そして、このような混合物スラリーをドクターブ
レード法等でシート状に成形して（図１-103）、ＡｌＮ
グリーンシート６を作製する。
【００２３】次いで、上記ＡｌＮグリーンシート６に配
線金属を含有する配線層形成用ペーストを所望の配線形
状に塗布し、これを 1層または複数層積層して（図１-1
04）、ＡｌＮ成形体（ＡｌＮ配線基板用成形体）７を作
製する。配線層を形成する配線金属としてはＡｌＮと熱
膨張率等が近似するＷやＭｏを主成分とする金属材料を
用いることが好ましい。また、ＷやＭｏ等の金属材料以
外に、少量のＡｌＮ等を含有する配線層形成用ペースト
であってもよい。
線金属を含有する配線層形成用ペーストを所望の配線形
状に塗布し、これを 1層または複数層積層して（図１-1
04）、ＡｌＮ成形体（ＡｌＮ配線基板用成形体）７を作
製する。配線層を形成する配線金属としてはＡｌＮと熱
膨張率等が近似するＷやＭｏを主成分とする金属材料を
用いることが好ましい。また、ＷやＭｏ等の金属材料以
外に、少量のＡｌＮ等を含有する配線層形成用ペースト
であってもよい。
【００２４】次に、上記ＡｌＮ成形体７に脱脂処理を施
す（図１-105）。この脱脂処理は酸素含有雰囲気中で行
われ、この酸素含有雰囲気としては、 (1)ＣＯとＣＯ2
との混合ガス、 (2)ＮＯとＮＯ2 との混合ガス、 (3)Ｈ
2 とＣＯ2 との混合ガスのいずれか 1種の混合ガス雰囲
気が用いられる。
す（図１-105）。この脱脂処理は酸素含有雰囲気中で行
われ、この酸素含有雰囲気としては、 (1)ＣＯとＣＯ2
との混合ガス、 (2)ＮＯとＮＯ2 との混合ガス、 (3)Ｈ
2 とＣＯ2 との混合ガスのいずれか 1種の混合ガス雰囲
気が用いられる。
【００２５】ここで、ＣＯとＣＯ2 との混合ガスを脱脂
雰囲気として用いる場合、酸素分圧（Ｐ（Ｏ2 ））は、
「ＣＯ＋ 1/2Ｏ2 ＝ＣＯ2 」の化学反応式および化学平
衡の関係式から以下のように表される（Ｋ：平衡定
数）。
雰囲気として用いる場合、酸素分圧（Ｐ（Ｏ2 ））は、
「ＣＯ＋ 1/2Ｏ2 ＝ＣＯ2 」の化学反応式および化学平
衡の関係式から以下のように表される（Ｋ：平衡定
数）。
【００２６】
【化３】 同様に、ＮＯとＮＯ2 との混合ガスを脱脂雰囲気として
用いる場合の酸素分圧（Ｐ（Ｏ2 ））は、「ＮＯ＋ 1/2
Ｏ2 ＝ＮＯ2 」の化学反応式および化学平衡の関係式か
ら
用いる場合の酸素分圧（Ｐ（Ｏ2 ））は、「ＮＯ＋ 1/2
Ｏ2 ＝ＮＯ2 」の化学反応式および化学平衡の関係式か
ら
【化４】 で表される。
【００２７】また、Ｈ2 とＣＯ2 との混合ガスを脱脂雰
囲気として用いる場合は、 ＣＯ2 ＋Ｈ2 ＝ＣＯ＋Ｈ2 Ｏ ……(2) の関係により、平衡定数ＫA は
囲気として用いる場合は、 ＣＯ2 ＋Ｈ2 ＝ＣＯ＋Ｈ2 Ｏ ……(2) の関係により、平衡定数ＫA は
【化５】 で表され、「Ｐ（ＣＯ2 ）・Ｐ（Ｈ2 ）」はＣＯ／ＣＯ
2 、Ｈ2 ／Ｈ2 Ｏの平衡状態から熱力学的に計算でき
る。 (1)式で「ＣＯ2 ／ＣＯ」の比により酸素分圧を求
めることができ、 (2)式により「Ｐ（ＣＯ2 ）／Ｐ（Ｈ
2 ）」は、「ＣＯ2 ／ＣＯ＝Ｘ」を用いて次のように求
められる。
2 、Ｈ2 ／Ｈ2 Ｏの平衡状態から熱力学的に計算でき
る。 (1)式で「ＣＯ2 ／ＣＯ」の比により酸素分圧を求
めることができ、 (2)式により「Ｐ（ＣＯ2 ）／Ｐ（Ｈ
2 ）」は、「ＣＯ2 ／ＣＯ＝Ｘ」を用いて次のように求
められる。
【００２８】
【化６】 換言すると、Ｐ（ＣＯ2 ）／Ｐ（Ｈ2 ）が変化すると、
(3)式によりＸ＝ＣＯ2 ／ＣＯが変化する。すなわち、
酸素分圧を制御することができる。
(3)式によりＸ＝ＣＯ2 ／ＣＯが変化する。すなわち、
酸素分圧を制御することができる。
【００２９】ここで、表１に (1)の混合ガス（ＣＯ／Ｃ
Ｏ2 比（モル比）=1/100）を用いた場合の各温度におけ
る酸素分圧を示す。表１から明らかなように、 (1)の混
合ガスを用いることで、ＡｌＮ成形体７の脱脂に必要な
酸素分圧を得ることができる。また、 (2)および (3)の
混合ガスについても同様である。
Ｏ2 比（モル比）=1/100）を用いた場合の各温度におけ
る酸素分圧を示す。表１から明らかなように、 (1)の混
合ガスを用いることで、ＡｌＮ成形体７の脱脂に必要な
酸素分圧を得ることができる。また、 (2)および (3)の
混合ガスについても同様である。
【００３０】
【表１】 (1)および (2)の混合ガスを脱脂雰囲気として用いた場
合、脱脂雰囲気を構成する各成分は、上記したようにＣ
Ｏ、Ｏ2 、ＣＯ2 、またはＮＯ、Ｏ2 、ＮＯ2であり、
これらはいずれも従来の脱脂雰囲気中に含まれていたＨ
2 Ｏに比べてＡｌＮとの反応活性が低い。従って、各成
分量を考慮することなく、ＡｌＮ成形体７中に含まれる
有機バインダ量（炭素量）に応じて酸素分圧を設定する
ことができる。
合、脱脂雰囲気を構成する各成分は、上記したようにＣ
Ｏ、Ｏ2 、ＣＯ2 、またはＮＯ、Ｏ2 、ＮＯ2であり、
これらはいずれも従来の脱脂雰囲気中に含まれていたＨ
2 Ｏに比べてＡｌＮとの反応活性が低い。従って、各成
分量を考慮することなく、ＡｌＮ成形体７中に含まれる
有機バインダ量（炭素量）に応じて酸素分圧を設定する
ことができる。
【００３１】また、 (3)の混合ガスを脱脂雰囲気として
用いた場合には、中間生成物としてＨ2 Ｏが生成される
が、この量は極僅かであり、大半の成分はＨ2 Ｏに比べ
てＡｌＮとの反応活性が低いＨ2 、Ｏ2 、ＣＯ、ＣＯ2
であるため、各成分量を考慮することなく、ＡｌＮ成形
体７中に含まれる有機バインダ量（炭素量）に応じて酸
素分圧を設定することができる。
用いた場合には、中間生成物としてＨ2 Ｏが生成される
が、この量は極僅かであり、大半の成分はＨ2 Ｏに比べ
てＡｌＮとの反応活性が低いＨ2 、Ｏ2 、ＣＯ、ＣＯ2
であるため、各成分量を考慮することなく、ＡｌＮ成形
体７中に含まれる有機バインダ量（炭素量）に応じて酸
素分圧を設定することができる。
【００３２】上述したように、 (1)、 (2)、 (3)の混合
ガスを構成する各成分は、いずれもＡｌＮ基材の熱伝導
率を低下させるおそれがほとんどないため、各成分量を
考慮することなく、ＡｌＮ成形体７中に含まれる有機バ
インダ量に応じて酸素分圧を設定することができ、これ
によってＡｌＮ成形体７中の有機バインダ成分、すなわ
ち炭素を十分に除去することが可能となる。
ガスを構成する各成分は、いずれもＡｌＮ基材の熱伝導
率を低下させるおそれがほとんどないため、各成分量を
考慮することなく、ＡｌＮ成形体７中に含まれる有機バ
インダ量に応じて酸素分圧を設定することができ、これ
によってＡｌＮ成形体７中の有機バインダ成分、すなわ
ち炭素を十分に除去することが可能となる。
【００３３】また、ＡｌＮ成形体７の脱脂工程における
加熱温度は、 800〜 1300K程度とすることが好ましい。
脱脂温度が800K未満であると、脱脂雰囲気中の酸素分圧
が十分であっても有機バインダ成分を十分に除去できな
いおそれがあり、また 1300Kを超えるとＡｌＮと雰囲気
ガスとの反応が起こる危険性が生じる。また、上記温度
範囲における脱脂雰囲気中の具体的な酸素分圧は、Ａｌ
Ｎ成形体７中の有機バインダ量等に応じて適宜設定する
ものとするが、例えば 1×10-10 〜 1×10-6Pa程度とす
ることが好ましい。脱脂雰囲気中の酸素分圧が 1×10
-10 Pa未満であると、有機バインダ成分を十分に除去で
きないおそれがあり、また 1×10-6Paを超えるとＡｌＮ
基材や配線金属が酸化するおそれが生じる。
加熱温度は、 800〜 1300K程度とすることが好ましい。
脱脂温度が800K未満であると、脱脂雰囲気中の酸素分圧
が十分であっても有機バインダ成分を十分に除去できな
いおそれがあり、また 1300Kを超えるとＡｌＮと雰囲気
ガスとの反応が起こる危険性が生じる。また、上記温度
範囲における脱脂雰囲気中の具体的な酸素分圧は、Ａｌ
Ｎ成形体７中の有機バインダ量等に応じて適宜設定する
ものとするが、例えば 1×10-10 〜 1×10-6Pa程度とす
ることが好ましい。脱脂雰囲気中の酸素分圧が 1×10
-10 Pa未満であると、有機バインダ成分を十分に除去で
きないおそれがあり、また 1×10-6Paを超えるとＡｌＮ
基材や配線金属が酸化するおそれが生じる。
【００３４】上述したようにしてＡｌＮ成形体７の脱脂
を行った後、得られたＡｌＮ脱脂体を窒素雰囲気やアル
ゴン雰囲気等の非酸化性雰囲気中で焼成し（図１-10
6）、ＡｌＮ基材と配線金属とを同時に焼結させること
によって、配線金属層を表面や内部に有するＡｌＮ配線
基板が得られる。この焼成には1850〜 2200K程度の一般
的なＡｌＮの焼成条件が適用される。
を行った後、得られたＡｌＮ脱脂体を窒素雰囲気やアル
ゴン雰囲気等の非酸化性雰囲気中で焼成し（図１-10
6）、ＡｌＮ基材と配線金属とを同時に焼結させること
によって、配線金属層を表面や内部に有するＡｌＮ配線
基板が得られる。この焼成には1850〜 2200K程度の一般
的なＡｌＮの焼成条件が適用される。
【００３５】上述したＡｌＮ配線基板の製造工程によれ
ば、ＡｌＮ基材（焼結体）の熱伝導率の低下要因となる
ＡｌＮと脱脂雰囲気との反応を生じさせることなく、成
形体中の炭素量を十分に低減しているため、ＡｌＮ基材
が良好な熱伝導率を有すると共に、配線金属層の低抵抗
化を実現したＡｌＮ配線基板を再現性よく得ることがで
きる。
ば、ＡｌＮ基材（焼結体）の熱伝導率の低下要因となる
ＡｌＮと脱脂雰囲気との反応を生じさせることなく、成
形体中の炭素量を十分に低減しているため、ＡｌＮ基材
が良好な熱伝導率を有すると共に、配線金属層の低抵抗
化を実現したＡｌＮ配線基板を再現性よく得ることがで
きる。
【００３６】高集積化、高速動作化、多ピン化、大チッ
プ化等が進められている半導体素子等が搭載される配線
基板において、上述したＡｌＮ基材の高熱伝導率化およ
び配線金属層の低抵抗化を両立させることは重要であ
る。従って、本発明により得られるＡｌＮ配線基板は、
各種半導体素子のパッケージ用基体や実装用基板等とし
て好適である。
プ化等が進められている半導体素子等が搭載される配線
基板において、上述したＡｌＮ基材の高熱伝導率化およ
び配線金属層の低抵抗化を両立させることは重要であ
る。従って、本発明により得られるＡｌＮ配線基板は、
各種半導体素子のパッケージ用基体や実装用基板等とし
て好適である。
【００３７】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。
【００３８】実施例１ まず、不純物酸素量が 0.8モル% のＡｌＮ粉末に、焼結
助剤として 5重量% のＹ2 Ｏ3 粉末を配合し、分散媒と
してトルエンやブタノール等を加えてボールミルで混
合、解砕した。次いで、この混合物に対して有機バイン
ダとしてＰＶＡ系樹脂を10重量% 加え、ボールミルでさ
らに混合してスラリー化した。そして、このＡｌＮスラ
リーを用いて、ドクターブレード装置で複数のＡｌＮグ
リーンシートを成形した。
助剤として 5重量% のＹ2 Ｏ3 粉末を配合し、分散媒と
してトルエンやブタノール等を加えてボールミルで混
合、解砕した。次いで、この混合物に対して有機バイン
ダとしてＰＶＡ系樹脂を10重量% 加え、ボールミルでさ
らに混合してスラリー化した。そして、このＡｌＮスラ
リーを用いて、ドクターブレード装置で複数のＡｌＮグ
リーンシートを成形した。
【００３９】上記した各ＡｌＮグリーンシートにスルー
ホールを形成した後、配線層形成用ペーストとしてのＷ
ペーストを印刷すると共に、スルーホール内にもＷペー
ストを充填した。次いで、これらＡｌＮグリーンシート
を積層し、得られたＡｌＮ積層成形体に以下の条件で脱
脂処理を施した。まず、脱脂雰囲気にはＣＯとＣＯ2と
の混合ガスを用い、この混合ガスにおけるＣＯ2 比／Ｃ
Ｏ（モル比）は 100とした。また、脱脂時の最高温度は
1300Kとし、その温度で 1時間保持した。なお、上記温
度における混合ガス中の酸素分圧は約 1×10-7Paであ
る。
ホールを形成した後、配線層形成用ペーストとしてのＷ
ペーストを印刷すると共に、スルーホール内にもＷペー
ストを充填した。次いで、これらＡｌＮグリーンシート
を積層し、得られたＡｌＮ積層成形体に以下の条件で脱
脂処理を施した。まず、脱脂雰囲気にはＣＯとＣＯ2と
の混合ガスを用い、この混合ガスにおけるＣＯ2 比／Ｃ
Ｏ（モル比）は 100とした。また、脱脂時の最高温度は
1300Kとし、その温度で 1時間保持した。なお、上記温
度における混合ガス中の酸素分圧は約 1×10-7Paであ
る。
【００４０】上記脱脂処理後に残留炭素量を測定したと
ころ、ＡｌＮ脱脂体中の残留炭素量は0.15重量% であっ
た。このようなＡｌＮ脱脂体をＡｌＮ製の焼成治具内に
配置し、窒素中にて 2123Kで焼成して、基材のＡｌＮと
配線金属層としてＷとを同時に焼結させることによっ
て、目的とするＡｌＮ多層配線基板を得た。このように
して得たＡｌＮ多層配線基板を後述する特性評価に供し
た。
ころ、ＡｌＮ脱脂体中の残留炭素量は0.15重量% であっ
た。このようなＡｌＮ脱脂体をＡｌＮ製の焼成治具内に
配置し、窒素中にて 2123Kで焼成して、基材のＡｌＮと
配線金属層としてＷとを同時に焼結させることによっ
て、目的とするＡｌＮ多層配線基板を得た。このように
して得たＡｌＮ多層配線基板を後述する特性評価に供し
た。
【００４１】比較例１ 上記実施例１において、ＡｌＮ積層成形体の脱脂をＨ2
とＨ2 Ｏとの混合ガス（Ｈ2 ／Ｈ2 Ｏ比（モル比）=1/1
00）中で行う以外は、実施例１と同様にしてＡｌＮ多層
配線基板を作製し、後述する特性評価に供した。
とＨ2 Ｏとの混合ガス（Ｈ2 ／Ｈ2 Ｏ比（モル比）=1/1
00）中で行う以外は、実施例１と同様にしてＡｌＮ多層
配線基板を作製し、後述する特性評価に供した。
【００４２】実施例２ 不純物酸素量が 1.0モル% のＡｌＮ粉末に、焼結助剤と
して 3重量% のＥｒ2Ｏ3 粉末を配合し、分散媒として
トルエンやブタノール等を加えてボールミルで混合、解
砕した。次いで、この混合物に対して有機バインダとし
てアクリル系樹脂を15重量% 加え、ボールミルでさらに
混合してスラリー化した。このＡｌＮスラリーを用い
て、ドクターブレード装置で複数のＡｌＮグリーンシー
トを成形した。
して 3重量% のＥｒ2Ｏ3 粉末を配合し、分散媒として
トルエンやブタノール等を加えてボールミルで混合、解
砕した。次いで、この混合物に対して有機バインダとし
てアクリル系樹脂を15重量% 加え、ボールミルでさらに
混合してスラリー化した。このＡｌＮスラリーを用い
て、ドクターブレード装置で複数のＡｌＮグリーンシー
トを成形した。
【００４３】上記した各ＡｌＮグリーンシートにスルー
ホールを形成した後、Ｗペーストを印刷すると共に、ス
ルーホール内にもＷペーストを充填した。次いで、これ
らＡｌＮグリーンシートを積層し、得られたＡｌＮ積層
成形体に以下の条件で脱脂処理を施した。まず、脱脂雰
囲気にはＮＯとＮＯ2 との混合ガスを用い、この混合ガ
スにおけるＮＯ2 ／ＮＯ比（モル比）は40とした。ま
た、脱脂時の最高温度は 1200Kとし、その温度で 1時間
保持した。
ホールを形成した後、Ｗペーストを印刷すると共に、ス
ルーホール内にもＷペーストを充填した。次いで、これ
らＡｌＮグリーンシートを積層し、得られたＡｌＮ積層
成形体に以下の条件で脱脂処理を施した。まず、脱脂雰
囲気にはＮＯとＮＯ2 との混合ガスを用い、この混合ガ
スにおけるＮＯ2 ／ＮＯ比（モル比）は40とした。ま
た、脱脂時の最高温度は 1200Kとし、その温度で 1時間
保持した。
【００４４】上記脱脂処理後に残留炭素量を測定したと
ころ、ＡｌＮ脱脂体中の残留炭素量は0.05重量% であっ
た。このようなＡｌＮ脱脂体をＡｌＮ製の焼成治具内に
配置し、窒素中にて 2073Kで焼成して、基材のＡｌＮと
配線金属層としてＷとを同時に焼結させることによっ
て、目的とするＡｌＮ多層配線基板を得た。このように
して得たＡｌＮ多層配線基板を後述する特性評価に供し
た。
ころ、ＡｌＮ脱脂体中の残留炭素量は0.05重量% であっ
た。このようなＡｌＮ脱脂体をＡｌＮ製の焼成治具内に
配置し、窒素中にて 2073Kで焼成して、基材のＡｌＮと
配線金属層としてＷとを同時に焼結させることによっ
て、目的とするＡｌＮ多層配線基板を得た。このように
して得たＡｌＮ多層配線基板を後述する特性評価に供し
た。
【００４５】実施例３ 不純物酸素量が 1.0モル% のＡｌＮ粉末に、焼結助剤と
して 3重量% のＹ2 Ｏ3 粉末、 1重量% のＣａＯ粉末、
および 0.5重量% のＬａＢ6 粉末を配合し、分散媒とし
てトルエンやブタノール等を加えてボールミルで混合、
解砕した。次いで、この混合物に対して有機バインダと
してアクリル系樹脂を15重量% 加え、ボールミルでさら
に混合してスラリー化した。このＡｌＮスラリーを用い
て、ドクターブレード装置で複数のＡｌＮグリーンシー
トを成形した。
して 3重量% のＹ2 Ｏ3 粉末、 1重量% のＣａＯ粉末、
および 0.5重量% のＬａＢ6 粉末を配合し、分散媒とし
てトルエンやブタノール等を加えてボールミルで混合、
解砕した。次いで、この混合物に対して有機バインダと
してアクリル系樹脂を15重量% 加え、ボールミルでさら
に混合してスラリー化した。このＡｌＮスラリーを用い
て、ドクターブレード装置で複数のＡｌＮグリーンシー
トを成形した。
【００４６】上記した各ＡｌＮグリーンシートにスルー
ホールを形成した後、Ｗペーストを印刷すると共に、ス
ルーホール内にもＷペーストを充填した。次いで、これ
らＡｌＮグリーンシートを積層し、得られたＡｌＮ積層
成形体に以下の条件で脱脂処理を施した。まず、脱脂雰
囲気にはＨ2 とＣＯ2 との混合ガスを用い、この混合ガ
スにおけるＣＯ2 比／Ｈ2 （モル比）は50とした。ま
た、脱脂時の最高温度は 1200Kとし、その温度で 1時間
保持した。なお、上記温度における混合ガス中の酸素分
圧は約 1×10-5Paである。
ホールを形成した後、Ｗペーストを印刷すると共に、ス
ルーホール内にもＷペーストを充填した。次いで、これ
らＡｌＮグリーンシートを積層し、得られたＡｌＮ積層
成形体に以下の条件で脱脂処理を施した。まず、脱脂雰
囲気にはＨ2 とＣＯ2 との混合ガスを用い、この混合ガ
スにおけるＣＯ2 比／Ｈ2 （モル比）は50とした。ま
た、脱脂時の最高温度は 1200Kとし、その温度で 1時間
保持した。なお、上記温度における混合ガス中の酸素分
圧は約 1×10-5Paである。
【００４７】上記脱脂処理後に残留炭素量を測定したと
ころ、ＡｌＮ脱脂体中の残留炭素量は0.03重量% であっ
た。このようなＡｌＮ脱脂体をＡｌＮ製の焼成治具内に
配置し、窒素中にて 1923Kで焼成して、基材のＡｌＮと
配線金属層としてＷとを同時に焼結させることによっ
て、目的とするＡｌＮ多層配線基板を得た。このように
して得たＡｌＮ多層配線基板を後述する特性評価に供し
た。
ころ、ＡｌＮ脱脂体中の残留炭素量は0.03重量% であっ
た。このようなＡｌＮ脱脂体をＡｌＮ製の焼成治具内に
配置し、窒素中にて 1923Kで焼成して、基材のＡｌＮと
配線金属層としてＷとを同時に焼結させることによっ
て、目的とするＡｌＮ多層配線基板を得た。このように
して得たＡｌＮ多層配線基板を後述する特性評価に供し
た。
【００４８】上述した実施例１〜３および比較例１によ
る各ＡｌＮ多層配線基板を用いて、ＡｌＮ基材の焼結密
度と熱伝導率、およびＷ配線層の配線抵抗を測定した。
それらの結果を表２に示す。なお、Ｗ配線層の配線抵抗
は、比較例１によるＡｌＮ多層配線基板の配線抵抗を基
準とした相対値（電気抵抗率比）で示した。
る各ＡｌＮ多層配線基板を用いて、ＡｌＮ基材の焼結密
度と熱伝導率、およびＷ配線層の配線抵抗を測定した。
それらの結果を表２に示す。なお、Ｗ配線層の配線抵抗
は、比較例１によるＡｌＮ多層配線基板の配線抵抗を基
準とした相対値（電気抵抗率比）で示した。
【００４９】
【表２】 表２から明らかなように、各実施例によるＡｌＮ多層配
線基板は、いずれも低抵抗のＷ配線層を有する上に、Ａ
ｌＮ基材の熱伝導率も高く、配線抵抗および熱伝導率共
に良好であった。一方、比較例１によるＡｌＮ多層配線
基板は低抵抗のＷ配線層を有するものの、ＡｌＮ基材の
熱伝導率が低く、脱脂時にＨ2 ＯがＡｌＮと反応してＡ
ｌＮ基材を劣化させていることが分かる。なお、各実施
例によるＡｌＮ多層配線基板は、比較例１のＡｌＮ多層
配線基板よりＷ配線層の抵抗も低い。これは、比較例１
では脱脂雰囲気中に含まれるＨ2 ＯがＡｌＮのみならず
Ｗ配線層の特性をも劣化させているためである。
線基板は、いずれも低抵抗のＷ配線層を有する上に、Ａ
ｌＮ基材の熱伝導率も高く、配線抵抗および熱伝導率共
に良好であった。一方、比較例１によるＡｌＮ多層配線
基板は低抵抗のＷ配線層を有するものの、ＡｌＮ基材の
熱伝導率が低く、脱脂時にＨ2 ＯがＡｌＮと反応してＡ
ｌＮ基材を劣化させていることが分かる。なお、各実施
例によるＡｌＮ多層配線基板は、比較例１のＡｌＮ多層
配線基板よりＷ配線層の抵抗も低い。これは、比較例１
では脱脂雰囲気中に含まれるＨ2 ＯがＡｌＮのみならず
Ｗ配線層の特性をも劣化させているためである。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化アル
ミニウム配線基板の製造方法によれば、脱脂時に窒化ア
ルミニウム基材を劣化させることなく、炭素量を十分に
減少させることができるため、窒化アルミニウム基材に
良好な熱伝導率を付与した上で、低抵抗の配線金属層を
得ることが可能となる。
ミニウム配線基板の製造方法によれば、脱脂時に窒化ア
ルミニウム基材を劣化させることなく、炭素量を十分に
減少させることができるため、窒化アルミニウム基材に
良好な熱伝導率を付与した上で、低抵抗の配線金属層を
得ることが可能となる。
【図１】 本発明の一実施形態による窒化アルミニウム
配線基板の製造工程を示す図である。
配線基板の製造工程を示す図である。
【図２】 従来のＨ2 とＨ2 Ｏとの混合ガス雰囲気中で
脱脂した場合のＡｌＮ脱脂体中のカーボン濃度と得られ
たＡｌＮ焼結体の熱伝導率およびＡｌＮ焼結体中のＷ配
線層の配線抵抗との関係を示す図である。
脱脂した場合のＡｌＮ脱脂体中のカーボン濃度と得られ
たＡｌＮ焼結体の熱伝導率およびＡｌＮ焼結体中のＷ配
線層の配線抵抗との関係を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｃ０４Ｂ 35/58 １０４Ｕ 3/12 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ
Claims (1)
- 【請求項１】 焼結助剤を含む窒化アルミニウム原料に
有機バインダを添加、混合し、この混合物を所望形状に
成形して窒化アルミニウムグリーンシートを作製する工
程と、前記窒化アルミニウムグリーンシートに、配線金
属を含有する配線層形成用ペーストを所望形状に塗布
し、これを 1層または複数層積層して窒化アルミニウム
成形体を作製する工程と、前記窒化アルミニウム成形体
を脱脂処理する工程と、得られた窒化アルミニウム脱脂
体を焼成して、窒化アルミニウム基材と前記配線金属と
を同時に焼結させる工程とを有する窒化アルミニウム配
線基板の製造方法において、 前記窒化アルミニウム成形体の処理工程を、ＣＯとＣＯ
2 との混合ガス、ＮＯとＮＯ2 との混合ガス、およびＨ
2 とＣＯ2 との混合ガスから選ばれる 1種の酸素含有雰
囲気中で行うことを特徴とする窒化アルミニウム配線基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7331764A JPH09169573A (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 窒化アルミニウム配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7331764A JPH09169573A (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 窒化アルミニウム配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09169573A true JPH09169573A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18247365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7331764A Withdrawn JPH09169573A (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 窒化アルミニウム配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09169573A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117400398A (zh) * | 2023-10-31 | 2024-01-16 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种高性能电子陶瓷坯体的排胶方法 |
| CN117400398B (zh) * | 2023-10-31 | 2024-05-14 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种高性能电子陶瓷坯体的排胶方法 |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP7331764A patent/JPH09169573A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117400398A (zh) * | 2023-10-31 | 2024-01-16 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种高性能电子陶瓷坯体的排胶方法 |
| CN117400398B (zh) * | 2023-10-31 | 2024-05-14 | 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 | 一种高性能电子陶瓷坯体的排胶方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |