JPH09227239A

JPH09227239A - 窒化アルミニウム配線基板の製造方法および窒化アルミニウム配線基板用焼成炉

Info

Publication number: JPH09227239A
Application number: JP8036783A
Authority: JP
Inventors: Yasuaki Yasumoto; 恭章安本; Hironori Asai; 博紀浅井
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1996-02-23
Filing date: 1996-02-23
Publication date: 1997-09-02

Abstract

(57)【要約】【課題】ＡｌＮ配線基板の製造方法において、表面導
体層上に残留する焼結助剤量を大幅にかつ再現性よく低
減する。【解決手段】焼結助剤２を含む窒化アルミニウム原料
３からなり、少なくとも表面に導体層形成用ペーストの
塗布もしくは充填層を有する窒化アルミニウム成形体６
を、非酸化性雰囲気とされた焼成炉中で焼成するにあた
って、Ｃ、Ｈ、ＣｌおよびＦから選ばれる少なくとも 1
種を含む還元性ガスを、窒素ガス等のキャリアガスに添
加し、窒化アルミニウム成形体の表面近傍に焼成炉外か
ら供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、同時焼成法を適用
した窒化アルミニウム配線基板の製造方法、および窒化
アルミニウム配線基板用焼成炉に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子の高周波化、高出力化
等に伴って、セラミックス基板の需要は年々増加してい
る。特に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板は、熱伝導
率が高く放熱性に優れ、またＳｉに近い線熱膨張係数を
有すること等から、増大傾向にある半導体素子からの放
熱量に対応し得る基板として注目されている。このよう
なＡｌＮ基板を半導体パッケージや回路基板等として使
用する場合には、同時焼成により単層もしくは多層構造
のＡｌＮ基板と配線層（導体層）とを一括して作製する
ことが一般的である。

【０００３】一般的な同時焼成によるＡｌＮ配線基板の
製造方法について説明する。まず、Ｙ₂Ｏ₃やＣａＯ等
の焼結助剤成分を含むＡｌＮ原料を用いてグリーンシー
トを作製し、このＡｌＮグリーンシートに所望の配線パ
ターンに応じて導体層形成用ペーストを印刷もしくは充
填（スルーホールへの充填）する。このようなグリーン
シートを単層で、もしくは複数積層してＡｌＮ成形体を
作製する。

【０００４】次に、ＡｌＮ成形体に脱脂処理を施した
後、さらに所定の温度で焼成することによって、ＡｌＮ
基材と導体層とを同時に焼結させてＡｌＮ配線基板を得
る。この際、ＡｌＮ基材の焼結は2073〜 2173K程度の高
温において、液相の生成、結晶粒の成長、液相の排出等
に基いて行われる。

【０００５】すなわち、焼結助剤成分を含むＡｌＮ原料
は、温度の上昇と共に液相を生成し、この液相の生成に
基いてＡｌＮ結晶粒の成長が起こり、さらに液相の排出
によりＡｌＮ結晶粒の緻密化が進行する。液相成分は、
通常、Ｙ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃やＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃、あ
るいはＹ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ等の多元系融液か
ら構成される。これら液相成分は焼結時にＡｌＮ結晶粒
の緻密化に伴って、焼結雰囲気中の炭素と反応して蒸気
圧の高いＹＣ、ＣａＣ、ＣΟ等に分解され、ＡｌＮセラ
ミックスの外部に移動（排出）することが知られている
（日本電子材料工業会編集、日本工業出版『電子回路用
高機能セラミック基板』p65,1994等参照）。このような
焼結助剤に基く液相成分の外部への移動（排出）は、Ａ
ｌＮの焼結終了に必須となる。

【０００６】ここで、焼結助剤成分の外部への排出駆動
力となる炭素は、従来、主として焼結容器やヒータ等の
固体炭素源から供給されていたため、焼結雰囲気中の炭
素はその濃度や形態が焼結温度、時間、固体炭素供給源
の表面状態等に左右され、その結果として、ＡｌＮ基材
中の焼結助剤量や分布は、焼結装置、焼結容器、焼結温
度、焼結時問等により決定され、その制御性は必ずしも
良好であるとは言えなかった。

【０００７】特に、導体層との同時焼成を行うＡｌＮ配
線基板においては、焼成工程時にＡｌＮ基材から移動し
た液相成分が導体層部分に集まりやすいという傾向があ
り、その結果焼成後の表面導体層上に多くの液相成分
（焼結助剤成分）が残留しやすく、表面導体層のコンタ
クト抵抗を増加させたり、またその上にめっき膜やスパ
ッタ膜等を形成した際に付着強度を低下させる等の問題
を招いていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のＡｌＮ配線基板の製造方法では、焼結助剤成分（液相
成分）の外部への排出駆動力となる炭素を焼結容器やヒ
ータ等の固体炭素源から供給していたため、焼結雰囲気
中の炭素濃度や存在形態を十分に制御することができ
ず、これによって特に表面導体層上に焼結助剤成分が残
留しやすいという問題があった。

【０００９】表面導体層上に残留した焼結助剤成分は、
そのコンタクト抵抗を増加させたり、またその上に形成
しためっき膜やスパッタ膜等の付着強度の低下要因とな
ることから、従来のＡｌＮ配線基板の製造方法では表面
導体層上の焼結助剤量を低減することが課題とされてい
た。なお、アルミナ配線基板等の場合には、表面導体層
上に液相成分がしみ出しても、液相がガラス成分である
ために容易にエッチング除去することができるが、Ａｌ
Ｎ基板の場合には xＡｌ₂Ｏ₃・ yＹ₂Ｏ₃等からなる
焼結助剤成分を有効に除去し得るエッチャントがなく、
現状ではエッチングにより焼結助剤成分だけを除去する
ことはできない。

【００１０】本発明は、このような課題に対処するため
になされたもので、表面導体層上に残留する焼結助剤量
を大幅にかつ再現性よく低減することを可能にした窒化
アルミニウム配線基板の製造方法、および窒化アルミニ
ウム配線基板用焼成炉を提供することを目的としてい
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の窒化アルミニウ
ム配線基板の製造方法は、少なくとも表面に導体層形成
用ペーストの塗布もしくは充填層を有し、焼結助剤を含
む窒化アルミニウム原料からなる窒化アルミニウム成形
体を、非酸化性雰囲気とされた焼成炉中で焼成する工程
を有する窒化アルミニウム配線基板の製造方法におい
て、Ｃ、Ｈ、ＣｌおよびＦから選ばれる少なくとも 1種
を含む還元性ガスを、前記窒化アルミニウム成形体の表
面近傍に前記焼成炉外から供給しつつ、前記窒化アルミ
ニウム成形体の焼成を行うことを特徴としている。

【００１２】また、本発明の窒化アルミニウム配線基板
用焼成炉は、加熱機構を有する焼成炉本体と、前記焼成
炉本体内に外部から非酸化性ガスを供給する焼成雰囲気
供給系と、前記焼成雰囲気系に接続され、Ｃ、Ｈ、Ｃｌ
およびＦから選ばれる少なくとも 1種を含む還元性ガス
を前記非酸化性ガスに添加する還元性ガス添加部と、窒
化アルミニウム配線基板用成形体が配置され、前記還元
性ガスが添加された非酸化性ガスを前記窒化アルミニウ
ム配線基板用成形体の表面近傍に供給し得るように形成
されたガス通路を有する焼成容器とを具備することを特
徴としている。本発明においては、窒化アルミニウム成
形体の表面近傍に焼成炉外からＣ、Ｈ、ＣｌおよびＦか
ら選ばれる少なくとも 1種を含む還元性ガスを供給しつ
つ、窒化アルミニウム成形体の焼成を行う。このよう
に、窒化アルミニウム基材の内部から移動してきた焼結
助剤成分の還元・分解を、固体に比べて還元・分解能や
制御性等に優れる還元性ガスにより実施することによっ
て、表面導体層の表面に残留する焼結助剤量を大幅に低
減することが可能となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。

【００１４】図１は、本発明の一実施形態による窒化ア
ルミニウム配線基板の製造工程を示す図である。同図に
したがって、この実施形態の窒化アルミニウム配線基板
の製造方法について説明する。

【００１５】まず、ＡｌＮ粉末１に適当量の焼結助剤粉
末２を添加し、これを混合、解砕（図１-101）してＡｌ
Ｎ焼結体原料３を調製する。ここで、焼結助剤粉末２と
しては、ＡｌＮの焼結に一般的に用いられている、希土
類元素やアルカリ土類金属元素の酸化物、さらには希土
類元素やアルカリ土類金属元素のフッ化物や硼化物等を
用いることができる。これらは焼成時に酸化物となる炭
酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩等として添加することもでき
る。

【００１６】これら希土類元素化合物やアルカリ土類金
属化合物からなる焼結助剤は、酸化物換算でＡｌＮ粉末
１に対して 1〜10重量% の範囲で添加することが好まし
い。焼結助剤粉末２の配合量が上記した下限値未満であ
ると焼結が不十分となるおそれがあり、一方上限値を超
えると焼結体表面に多くの析出物が現れたり、また焼結
時間が短い場合には熱伝導率が低下するおそれがある。

【００１７】次に、上記したＡｌＮ焼結体原料３に適当
量の有機バインダ４および有機溶媒５を加え、例えばボ
ールミルで混合してスラリー化する（図１-102）。有機
バインダ４としては、例えばアクリル系樹脂、メタクリ
ル系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）系樹脂等が
好ましく用いられる。これら有機バインダ４を分散させ
る有機溶媒５としては、例えばn-ブタノール等のアルコ
ール系、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン
等が使用される。有機バインダ４の添加量は、使用する
ＡｌＮ粉末１の粒度等によっても異なるが、ＡｌＮ焼結
体原料３に対して 5〜25重量% の範囲とすることが好ま
しい。そして、このような混合物スラリーをドクターブ
レード法等でシート状に成形する（図１-103）。

【００１８】次いで、ＡｌＮグリーンシートに必要に応
じてスルーホールを形成した後、導体層形成用ペースト
を所望の配線形状に充填および塗布して、導体層形成用
ペーストの充填・塗布層を形成する。これを 1層または
複数層積層して（図１-104）、ＡｌＮ成形体（ＡｌＮ配
線基板用成形体）６を作製する。導体層を形成する金属
としては、ＡｌＮと熱膨張率等が近似するＷやＭｏ等の
高融点金属を主成分とする材料を用いることが好まし
い。また、ＷやＭｏ等の金属材料以外に、少量のＡｌＮ
等を含有する配線層形成用ペーストであってもよい。

【００１９】次に、上記ＡｌＮ成形体６に脱脂処理を施
す（図１-105）。この脱脂処理は酸素含有雰囲気中で行
うことが好ましく、また脱脂温度は 800〜 1300K程度と
することが好ましい。脱脂温度が800K未満であると、有
機バインダ成分を十分に除去することができないおそれ
があり、また 1300Kを超えるとＡｌＮと雰囲気ガスとの
反応が起こる危険性が生じる。

【００２０】この後、上記脱脂処理により得られたＡｌ
Ｎ脱脂体７を窒素雰囲気やアルゴン雰囲気等の非酸化性
雰囲気中で焼成して（図１-106）、ＡｌＮ基材と配線金
属とを同時に焼結させる。この焼成は、Ｃ、Ｈ、Ｃｌお
よびＦから選ばれる少なくとも 1種を含む還元性ガス
を、ＡｌＮ脱脂体７の表面近傍に焼成炉外から供給しつ
つ実施する。

【００２１】ここで、従来法における表面導体層上の焼
結助剤成分の残留は、焼結助剤成分の排出駆動力となる
炭素を、その供給量等の制御性に欠ける焼結容器等の固
体炭素源から供給していたために生じていたものであ
る。すなわち、従来法における炭素量は、焼結に固有な
温度、圧力等に依存して決定される副次的な条件であ
り、焼結助剤成分の還元・分解を目的としたものではな
いため、後工程で問題となる導体層表面への焼結助剤成
分の付着（残留）を防止する効果は少ない。

【００２２】これに対して、本発明においては焼結助剤
成分の還元・分解を、固体に比べて還元・分解能や制御
性等に優れる還元作用を有するガス、すなわちＣ、Ｈ、
ＣｌおよびＦから選ばれる少なくとも 1種を含む還元性
ガスにより実施するため、表面導体層の表面に残留する
焼結助剤成分量を大幅に低減することが可能となる。す
なわち、本発明は表面導体層上への焼結助剤成分の残留
防止効果およびその制御性を十分に有するものである。

【００２３】還元作用を有するＣ、Ｈ、ＣｌおよびＦか
ら選ばれる少なくとも 1種を含むガスは、例えば窒素ガ
スやアルゴンガス等の焼成雰囲気ガス（非酸化性ガス）
をキャリアガスとし、このキャリアガスに添加した状態
でＡｌＮ脱脂体７の表面近傍に焼成炉外から供給する。

【００２４】還元性ガスを構成する元素のうち、Ｃ（炭
素）は従来技術で述べたように、Ｙ₂Ｏ₃やＣａＯ等の
焼結助剤成分をＹＣ、ＣａＣ、ＣΟ等に分解してＡｌＮ
基材の外部に排出する機能を有するものである。また、
Ｈ（水素）は還元雰囲気の保持に効果を発揮し、少ない
Ｃ量で焼結助剤成分の還元・分解を促進する。Ｃｌ（塩
素）およびＦ（フッ素）は、ＣやＨより低温で焼結助剤
成分の分解・除去を可能にすると共に、炭素の還元作用
をも有することから、炭素分の残留も抑制するものであ
る。

【００２５】Ｃを含むガスの形態としては、ＣΟ等の無
機炭素化合物ガスや、メタン、プロパン、アセチレン等
の有機化合物ガスが挙げられる。このようなＣ含有ガス
のキャリアガスに対する添加濃度は、いずれも0.05〜50
体積% の範囲とすることが好ましい。Ｃ含有ガスの添加
濃度が0.05体積% 未満では、焼結助剤成分の還元・分解
を良好に継続することが困難となり、一方50体積% を超
えると導体金属が炭化して導体層の抵抗値が上昇するお
それがある。Ｃ含有ガスによる焼結助剤成分の還元・分
解効果は、添加濃度が 2体積% 以上あたりからより良好
となるため、キャリアガスに対して 2体積% 以上添加す
ることがより好ましい。

【００２６】Ηを含むガスとしては、水素ガスやアンモ
ニア（ＮＨ₃）ガス等が利用され、これらはキャリアガ
スに対して0.01〜40体積% の範囲で添加することが好ま
しい。Ｈ含有ガスの添加濃度が0.01体積% 未満では、焼
結助剤成分の還元・分解に対して十分な効果を発揮しな
いおそれがあり、一方40体積% を超えるとＡｌΝ表面を
還元して金属Ａｌ成分が析出するおそれがある。Ｈ含有
ガスによる焼結助剤成分の還元・分解効果は、添加濃度
が 0.5体積% 以上あたりからより良好となるため、キャ
リアガスに対して 0.5体積% 以上添加することがより好
ましい。

【００２７】Ｃｌを含むガスとしては、塩素ガスや塩化
水素ガス等が好ましく用いられ、これらはキャリアガス
に対して0.05〜45体積% の範囲で添加することが好まし
い。Ｃｌ含有ガスの添加濃度が0.05体積% 未満では、焼
結助剤成分の酸化・還元・分解に対して効果的に寄与せ
ず、一方45体積% を超えると導体金属の腐食を招くおそ
れがある。

【００２８】Ｆを含むガスとしては、六フッ化硫黄（Ｓ
Ｆ₆）ガス等が好ましく用いられ、これはキャリアガス
に対して 0.5〜90体積% の範囲で添加することが好まし
い。Ｆ含有ガスの添加濃度が 0.5体積% 未満では、焼結
助剤成分の酸化・還元・分解に対して効果的に寄与せ
ず、一方90体積% を超えるとＡｌＮのフッ化物（ＡｌＦ
等）が生成するおそれがある。

【００２９】上述したような還元性ガスを添加したキャ
リアガスを用いて、ＡｌＮ脱脂体７を焼成する場合、例
えば図２に示すような焼成炉を用いることが望ましい。
なお、図２に示す焼成炉は、本発明の窒化アルミニウム
配線基板用焼成炉の一実施形態を示すものである。

【００３０】図２に示す窒化アルミニウム配線基板用焼
成炉１０は、炭素ヒータ１１が設置された焼成炉本体
（炉体）１２を有している。焼成炉本体１２には、外部
から窒素ガスやアルゴンガス等の焼成雰囲気ガス（図
中、矢印Ａ）を供給する焼成雰囲気供給配管１３が接続
されており、この焼成雰囲気供給配管１３の途中に、
Ｃ、Ｈ、ＣｌおよびＦから選ばれる少なくとも 1種を含
む還元性ガス（図中、矢印Ｂ）を焼成雰囲気ガスＡに添
加する還元性ガス添加部１４が設けられている。還元性
ガス添加部１４は、還元性ガスＢの添加時期や添加量を
調節可能に構成されている。なお、焼成炉本体１２はレ
ーザー等を使用した特殊な構造のものであってもよい。

【００３１】焼成を行うＡｌＮ脱脂体７は、焼成容器１
５内に収容された状態で、焼成炉１０内に配置される。
焼成容器１５は、還元性ガスＢが添加された焼成雰囲気
ガスＡ′をＡｌＮ脱脂体７の表面近傍に供給し得るよう
に形成されたガス通路１５ａを有しており、このような
焼成容器１５に焼成雰囲気供給配管１３は接続されてい
る。

【００３２】ここで、焼結容器１３は同一材料であるＡ
ｌＮで形成したものが好適であるが、ＡｌＮの焼結温度
で使用できると共に、上述した還元性ガスの使用が可能
な材料で作製したものであればよく、ＡｌＮのほかにＣ
やＢＮ等で作製したものが挙げられる。また、強制冷却
構造とすればアルミナ等を使用することもできる。

【００３３】なお、焼成炉本体１２の後段には、排気ポ
ンプ１６が接続されており、さらに排気ポンプ１６は必
要に応じてガス吸着装置１７に接続されている。

【００３４】上述したような焼成炉１０を用いて、Ａｌ
Ｎ脱脂体７の焼成を行う。この焼成にあたって、還元性
ガスＢは焼成当初から焼成雰囲気ガスＡに添加して供給
してもよいが、所定の焼結温度に昇温するまでは焼成雰
囲気ガスＡのみを供給し、焼結温度に到達した時点から
還元性ガスＢを添加した焼成雰囲気ガスＡ′を供給する
ことが好ましい。焼結温度は1850〜 2200K程度の一般的
なＡｌＮの焼成条件が適用される。また、焼成雰囲気ガ
スＡに対する還元性ガスＢの添加量は前述した通りであ
る。

【００３５】このように、還元性ガスＢを添加した焼成
雰囲気ガスＡ′をＡｌＮ脱脂体７の表面近傍に供給しつ
つ焼成を実施することによって、ＡｌＮ結晶粒の緻密化
の進行に伴って表面方向に移動する焼結助剤成分（液相
成分）を、効率よくかつ確実に還元・分解して除去する
ことができる。焼結助剤成分は特に導体層部分に集まり
やすいという傾向を有しているが、表面導体層の表面に
おいて焼結助剤成分を効率よく還元・分解することがで
きるため、表面導体層上に残留する焼結助剤量を大幅に
低減することが可能となる。すなわち、表面導体層上の
残留焼結助剤量が極めて少ないＡｌＮ配線基板８を再現
性よく得ることができる。

【００３６】このようにして得られるＡｌＮ配線基板８
は、各種半導体素子のパッケージ用基体や実装用基板等
として好適である。すなわち、半導体パッケージ等とし
てＡｌＮ配線基板８を利用する場合、端子用導体や電極
パッド等として表面導体層、あるいは表面配線層として
の表面導体層上には、めっき膜やスパッタ膜等を形成す
ることが必須となる。この際、表面導体層上の焼結助剤
成分が多量に残留していると、めっき膜やスパッタ膜等
の付着強度が低下したり、またコンタクト抵抗が増大す
るため、半導体パッケージの特性低下を引き起こすこと
になるが、表面導体層上の残留焼結助剤量が極めて少な
いＡｌＮ配線基板８を利用することによって、良好な特
性を有する半導体パッケージ等を得ることが可能とな
る。

【００３７】

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。

【００３８】実施例１まず、ＡｌＮ粉末に焼結助剤として 1重量% のＹ₂Ｏ₃
粉末を配合し、分散媒としてトルエンやブタノール等を
加えてボールミルで混合、解砕した。次いで、この混合
物に対して有機バインダとしてＰＶＡ系樹脂を10重量%
加え、ボールミルでさらに混合してスラリー化した。そ
して、このＡｌＮスラリーを用いて、ドクターブレード
装置で複数のＡｌＮグリーンシート（厚さ=300μm)を成
形した。上記した各ＡｌＮグリーンシートにスルーホー
ルを形成した後、導体層形成用ペーストとしてのＷペー
ストを厚さ 5μm で印刷すると共に、スルーホール内に
もＷペーストを充填した。次いで、これらＡｌＮグリー
ンシートを 5枚積層し、得られたＡｌＮ積層成形体に対
して、酸素を100ppm含む雰囲気中で 1163K×30分の条件
で脱脂処理を施した。

【００３９】得られたＡｌＮ脱脂体をＡｌＮ製の焼成容
器内に収容し、このた状態で図２に示した焼成炉１０内
に配置した。焼成容器１５は図２に示したように、ガス
通路１５ａを有するものである。そして、ＣＯガスを10
体積% 添加したＮ₂ガスを200kPaの圧力で焼成炉１０内
に供給しつつ、 2123K× 3時間の条件で焼成して、Ａｌ
Ｎ基材と導体層としてＷとを同時に焼結させることによ
って、目的とするＡｌＮ配線基板を得た。なお、ＣＯガ
スの添加時期は焼成時間と一致させた。

【００４０】このようにして得たＡｌＮ配線基板の導体
層表面をＸＰＳにて観察し、表面導体層上の焼結助剤成
分の有無を調べたところ、焼結助剤成分は観察されなか
った。また、この表面導体層上にＮｉ 3μm 、Ａｕ 1μ
m のプロセス条件でめっきを行ったところ、それぞれ良
好なめっき膜が得られた。

【００４１】実施例２〜８表１に示すＡｌＮ成形体条件、脱脂条件および焼成条件
をそれぞれ採用し、実施例１と同様に図２に示した焼成
炉１０を用いて、ＡｌＮ基材とＷとの同時焼成を行っ
た。このようにして得た各ＡｌＮ配線基板の表面導体層
上の焼結助剤成分の有無、およびめっきの良否を実施例
１と同様にして評価した。それらの結果を表１に併せて
示す。

【００４２】比較例１〜２表１に示すＡｌＮ成形体条件、脱脂条件および焼成条件
（焼成雰囲気はＮ₂単独）をそれぞれ採用して、ＡｌＮ
基材とＷとの同時焼成を行った。このようにして得た各
ＡｌＮ配線基板の表面導体層上の焼結助剤成分の有無、
およびめっきの良否を実施例１と同様にして評価した。
それらの結果を表１に併せて示す。

【００４３】

【表１】表１から明らかなように、実施例１〜８によるＡｌＮ配
線基板は、いずれも表面導体層上に焼結助剤成分が残留
しておらず、それぞれ良好なめっき膜が得られているの
に対して、比較例１〜２によるＡｌＮ配線基板では表面
導体層上に焼結助剤成分が残留していたため、所定のめ
っき厚を達成することができなかった。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化アル
ミニウム配線基板の製造方法によれば、表面導体層上に
残留する焼結助剤量を大幅にかつ再現性よく低減するこ
とが可能となるため、焼結以降の例えばパッケージプロ
セス等に好適な窒化アルミニウム配線基板を提供するこ
とができる。また、本発明の窒化アルミニウム配線基板
用焼成炉によれば、そのような窒化アルミニウム配線基
板を再現性よく作製することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による窒化アルミニウム
配線基板の製造工程を示す図である。

【図２】本発明の一実施形態で使用した窒化アルミニ
ウム配線基板用焼成炉の構成を模式的に示す図である。

【符号の説明】

３………ＡｌＮ焼結体原料６………ＡｌＮ成形体８………ＡｌＮ配線基板１０……窒化アルミニウム配線基板用焼成炉１２……焼成炉本体（炉体）１３……焼成雰囲気供給配管１４……還元性ガス添加部１５……焼成容器１５ａ…ガス通路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも表面に導体層形成用ペースト
の塗布もしくは充填層を有し、焼結助剤を含む窒化アル
ミニウム原料からなる窒化アルミニウム成形体を、非酸
化性雰囲気とされた焼成炉中で焼成する工程を有する窒
化アルミニウム配線基板の製造方法において、Ｃ、Ｈ、ＣｌおよびＦから選ばれる少なくとも 1種を含
む還元性ガスを、前記窒化アルミニウム成形体の表面近
傍に前記焼成炉外から供給しつつ、前記窒化アルミニウ
ム成形体の焼成を行うことを特徴とする窒化アルミニウ
ム配線基板の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の窒化アルミニウム配線基
板の製造方法において、前記還元性ガスは、無機炭素化合物、有機炭素化合物、
水素、アンモニア、塩素、塩素化合物およびフッ素化合
物から選ばれる少なくとも 1種を原料とすることを特徴
とする窒化アルミニウム配線基板の製造方法。
【請求項３】加熱機構を有する焼成炉本体と、前記焼成炉本体内に外部から非酸化性ガスを供給する焼
成雰囲気供給系と、前記焼成雰囲気系に接続され、Ｃ、Ｈ、ＣｌおよびＦか
ら選ばれる少なくとも1種を含む還元性ガスを前記非酸
化性ガスに添加する還元性ガス添加部と、窒化アルミニウム配線基板用成形体が配置され、前記還
元性ガスが添加された非酸化性ガスを前記窒化アルミニ
ウム配線基板用成形体の表面近傍に供給し得るように形
成されたガス通路を有する焼成容器とを具備することを
特徴とする窒化アルミニウム配線基板用焼成炉。