JPH09162479A - 遠紫外レーザ装置とその制御方法 - Google Patents
遠紫外レーザ装置とその制御方法Info
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- JPH09162479A JPH09162479A JP31675295A JP31675295A JPH09162479A JP H09162479 A JPH09162479 A JP H09162479A JP 31675295 A JP31675295 A JP 31675295A JP 31675295 A JP31675295 A JP 31675295A JP H09162479 A JPH09162479 A JP H09162479A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＫＴＰ結晶の動作温度最適化制御でＵＶレー
ザを高効率で安定して発振させる。 【解決手段】 ＫＴＰ結晶４のグリーンレーザ部と、Ｋ
ＴＰ結晶４に指定の温度を印加するペルチェ素子３と、
グリーンレーザ部のレーザ光により励起され、ＵＶレー
ザを発するＵＶレーザ装置において、ＵＶレーザの出力
強度を検出する光検出素子７と、光検出素子７の出力を
印加した温度と対応させて記憶する記憶手段と、記憶手
段に記憶されている連続して印加した２種の温度に対す
るそれぞれのレーザの出力強度を比較し、極性を判定す
る比較手段と、比較手段の結果に基づきペルチェ素子３
に印加する温度を決定する演算手段とを具備したＵＶレ
ーザ装置。また、連続して印加した２種の温度のうち、
高い温度での出力強度が低い温度でのそれより大きい場
合、ＫＴＰ結晶４に印加する温度を高くし、逆の場合は
低くすることにより遠紫外レーザの発振を制御する制御
方法。
ザを高効率で安定して発振させる。 【解決手段】 ＫＴＰ結晶４のグリーンレーザ部と、Ｋ
ＴＰ結晶４に指定の温度を印加するペルチェ素子３と、
グリーンレーザ部のレーザ光により励起され、ＵＶレー
ザを発するＵＶレーザ装置において、ＵＶレーザの出力
強度を検出する光検出素子７と、光検出素子７の出力を
印加した温度と対応させて記憶する記憶手段と、記憶手
段に記憶されている連続して印加した２種の温度に対す
るそれぞれのレーザの出力強度を比較し、極性を判定す
る比較手段と、比較手段の結果に基づきペルチェ素子３
に印加する温度を決定する演算手段とを具備したＵＶレ
ーザ装置。また、連続して印加した２種の温度のうち、
高い温度での出力強度が低い温度でのそれより大きい場
合、ＫＴＰ結晶４に印加する温度を高くし、逆の場合は
低くすることにより遠紫外レーザの発振を制御する制御
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、遠紫外レーザに関
し、更に詳しくは遠紫外レーザ装置の構成とその発振出
力の制御方法に関する。
し、更に詳しくは遠紫外レーザ装置の構成とその発振出
力の制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レーザ光を利用した技術の進歩は
著しいものがあり、これに伴いレーザ光源の短波長化、
即ち遠紫外レーザ（以下、「ＵＶレーザ」と記す）が求
められると共に、その高出力化、高効率化、高安定性が
要求されてきている。
著しいものがあり、これに伴いレーザ光源の短波長化、
即ち遠紫外レーザ（以下、「ＵＶレーザ」と記す）が求
められると共に、その高出力化、高効率化、高安定性が
要求されてきている。
【０００３】従来より、このレーザの短波長化は、長波
長のレーザ光を非線形光学結晶で構成された波長変換素
子に入射し、高調波発生の現象を利用して行ってきた。
しかしながら、従来の短波長化の方法のＫＴＰ結晶でグ
リーンレーザを発振し、これに基づきＵＶレーザを発生
する構成の装置では、ＫＴＰ結晶の最適な動作温度が動
作環境温度、湿度、結晶変質等によって変動し、高出力
で安定したＵＶレーザ出力を得ることが困難であり、従
来よりＫＴＰ結晶の最適動作温度を制御することが行わ
れてきたが、種々課題を有していた。
長のレーザ光を非線形光学結晶で構成された波長変換素
子に入射し、高調波発生の現象を利用して行ってきた。
しかしながら、従来の短波長化の方法のＫＴＰ結晶でグ
リーンレーザを発振し、これに基づきＵＶレーザを発生
する構成の装置では、ＫＴＰ結晶の最適な動作温度が動
作環境温度、湿度、結晶変質等によって変動し、高出力
で安定したＵＶレーザ出力を得ることが困難であり、従
来よりＫＴＰ結晶の最適動作温度を制御することが行わ
れてきたが、種々課題を有していた。
【０００４】つぎに、図４および図５を参照して、ＫＴ
Ｐ結晶を用いた従来のＵＶレーザの発振出力の制御構成
と制御方法の一例について説明する。図４はＫＴＰ結晶
の温度とＵＶレーザ出力の関係を示す図であり、図５は
従来のＵＶレーザの出力制御のブロック図である。
Ｐ結晶を用いた従来のＵＶレーザの発振出力の制御構成
と制御方法の一例について説明する。図４はＫＴＰ結晶
の温度とＵＶレーザ出力の関係を示す図であり、図５は
従来のＵＶレーザの出力制御のブロック図である。
【０００５】まず、図４はＫＴＰ結晶４の温度とＵＶレ
ーザ出力との関係を示し、曲線ａが表すように、ＫＴＰ
結晶４の温度が４２．８度でＵＶレーザ出力は最大とな
る。しかし、上述したようにこの最適な動作温度は動作
環境温度、湿度、結晶変質等によって変動するものであ
って、常に最適な動作温度を監視し、その温度に合わせ
込むことが必要となっている。尚、ＵＶレーザ出力は基
準化された無次元の値として表示されている。
ーザ出力との関係を示し、曲線ａが表すように、ＫＴＰ
結晶４の温度が４２．８度でＵＶレーザ出力は最大とな
る。しかし、上述したようにこの最適な動作温度は動作
環境温度、湿度、結晶変質等によって変動するものであ
って、常に最適な動作温度を監視し、その温度に合わせ
込むことが必要となっている。尚、ＵＶレーザ出力は基
準化された無次元の値として表示されている。
【０００６】従来のＵＶレーザの制御構成は図５に示す
ように、差動増幅器１、ペルチェ素子３の駆動回路２、
ＫＴＰ結晶４、サーミスタ５、ＵＶレーザ発振器６、オ
ートパワーコントロール（ＡＰＣ）１３、および基準温
度設定部１４等を具備して構成されている。
ように、差動増幅器１、ペルチェ素子３の駆動回路２、
ＫＴＰ結晶４、サーミスタ５、ＵＶレーザ発振器６、オ
ートパワーコントロール（ＡＰＣ）１３、および基準温
度設定部１４等を具備して構成されている。
【０００７】ＫＴＰ結晶４の温度は、差動増幅器１から
の制御電圧を駆動回路２に入力し、実際に温度を定める
ペルチェ素子３を駆動してＫＴＰ結晶４を加熱し、或い
は吸熱して制御される。ＫＴＰ結晶４の温度はサーミス
タ５で検出されて差動増幅器１の一端に入力され、ま
た、他の入力端にはＫＴＰ結晶４を目的の温度にする基
準電圧が基準温度設定部１４より入力されて、ＫＴＰ結
晶４を目的の温度に制御する。
の制御電圧を駆動回路２に入力し、実際に温度を定める
ペルチェ素子３を駆動してＫＴＰ結晶４を加熱し、或い
は吸熱して制御される。ＫＴＰ結晶４の温度はサーミス
タ５で検出されて差動増幅器１の一端に入力され、ま
た、他の入力端にはＫＴＰ結晶４を目的の温度にする基
準電圧が基準温度設定部１４より入力されて、ＫＴＰ結
晶４を目的の温度に制御する。
【０００８】この手順によりＫＴＰ結晶４を最適の動作
温度にすることができるが、前述したようにこの最適動
作温度は動作環境温度、湿度、結晶変質等によって変動
するものであって、常に制御動作をさせておくことが必
要となる。
温度にすることができるが、前述したようにこの最適動
作温度は動作環境温度、湿度、結晶変質等によって変動
するものであって、常に制御動作をさせておくことが必
要となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明はＫＴ
Ｐ結晶の最適動作温度の動作環境温度、湿度、結晶変質
による変動に自動的に追随して、常にＫＴＰ結晶を最適
動作温度に設定してＵＶレーザの出力パワーの安定化を
図ると共に、制御構成を簡潔にして小型、安価なＵＶレ
ーザ装置を提供しようとするものである。
Ｐ結晶の最適動作温度の動作環境温度、湿度、結晶変質
による変動に自動的に追随して、常にＫＴＰ結晶を最適
動作温度に設定してＵＶレーザの出力パワーの安定化を
図ると共に、制御構成を簡潔にして小型、安価なＵＶレ
ーザ装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題に鑑
みなされたものであって、少なくとも、ＫＴＰ結晶を含
んでなる緑色レーザ発振部と、ＫＴＰ結晶に指定の温度
を印加するペルチェ素子と、緑色レーザ発振部から出力
される緑色レーザ光により励起され、遠紫外レーザ光を
発する遠紫外レーザ発振部とからなる遠紫外レーザ装置
において、遠紫外レーザ光の出力強度を検出する光検出
素子と、遠紫外レーザ光の出力強度に応じた光検出素子
の出力を、印加した温度と対応させて記憶する記憶手段
と、記憶手段に記憶されている、連続して印加した２種
の温度に対するそれぞれのレーザの出力強度を比較し、
極性を判定する比較手段と、比較手段の結果に基づきペ
ルチェ素子に印加する温度を決定する演算手段とを具備
した遠紫外レーザ装置を構成する。
みなされたものであって、少なくとも、ＫＴＰ結晶を含
んでなる緑色レーザ発振部と、ＫＴＰ結晶に指定の温度
を印加するペルチェ素子と、緑色レーザ発振部から出力
される緑色レーザ光により励起され、遠紫外レーザ光を
発する遠紫外レーザ発振部とからなる遠紫外レーザ装置
において、遠紫外レーザ光の出力強度を検出する光検出
素子と、遠紫外レーザ光の出力強度に応じた光検出素子
の出力を、印加した温度と対応させて記憶する記憶手段
と、記憶手段に記憶されている、連続して印加した２種
の温度に対するそれぞれのレーザの出力強度を比較し、
極性を判定する比較手段と、比較手段の結果に基づきペ
ルチェ素子に印加する温度を決定する演算手段とを具備
した遠紫外レーザ装置を構成する。
【００１１】また、前記遠紫外レーザ装置において、前
記比較手段による極性判定の結果に基づき、連続して印
加した２種の温度のうち、高い温度での出力強度が低い
温度での出力強度よりも大きい場合、ＫＴＰ結晶に印加
する温度を高くし、一方、高い温度での出力強度が低い
温度での出力強度よりも小さい場合、ＫＴＰ結晶に印加
する温度を低くすることにより遠紫外レーザの発振を制
御する制御方法を用いて上記課題を解決する。
記比較手段による極性判定の結果に基づき、連続して印
加した２種の温度のうち、高い温度での出力強度が低い
温度での出力強度よりも大きい場合、ＫＴＰ結晶に印加
する温度を高くし、一方、高い温度での出力強度が低い
温度での出力強度よりも小さい場合、ＫＴＰ結晶に印加
する温度を低くすることにより遠紫外レーザの発振を制
御する制御方法を用いて上記課題を解決する。
【００１２】ＫＴＰ結晶の最適動作温度の動作環境温
度、湿度、結晶変質による変動に自動的に追随し、ＡＧ
Ｃ、ＡＰＣ等を除去した小型、安価な構成で、安定した
ＵＶレーザが得られる。
度、湿度、結晶変質による変動に自動的に追随し、ＡＧ
Ｃ、ＡＰＣ等を除去した小型、安価な構成で、安定した
ＵＶレーザが得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図１な
いし図３を参照して説明する。図１は本発明によるＵＶ
レーザの出力制御のブロック図であり、図２はこのＵＶ
レーザの出力制御方法を説明するための図であり、図３
はこのＵＶレーザの出力制御のフローチャートである。
いし図３を参照して説明する。図１は本発明によるＵＶ
レーザの出力制御のブロック図であり、図２はこのＵＶ
レーザの出力制御方法を説明するための図であり、図３
はこのＵＶレーザの出力制御のフローチャートである。
【００１４】本発明の実施の形態構成は図１に示すよう
に、差動増幅器１、ペルチェ素子３を駆動する駆動回路
２、ＫＴＰ結晶４、サーミスタ５、ＵＶレーザ発振器
６、光検出素子７、サンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ）
９、アナログ−デジタル変換器（Ａ／Ｄ）１０、中央演
算装置（ＣＰＵ）１１、デジタル−アナログ変換器（Ｄ
／Ａ）１２を具備して構成されている。
に、差動増幅器１、ペルチェ素子３を駆動する駆動回路
２、ＫＴＰ結晶４、サーミスタ５、ＵＶレーザ発振器
６、光検出素子７、サンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ）
９、アナログ−デジタル変換器（Ａ／Ｄ）１０、中央演
算装置（ＣＰＵ）１１、デジタル−アナログ変換器（Ｄ
／Ａ）１２を具備して構成されている。
【００１５】ＫＴＰ結晶４の温度は、差動増幅器１から
の制御電圧を駆動回路２に入力し、実際に温度を定める
ペルチェ素子３を駆動してＫＴＰ結晶４を加熱し、或い
は吸熱して制御される。ＫＴＰ結晶４の温度はサーミス
タ５で検出されて差動増幅器１の一端に入力され、ま
た、他の入力端にはＫＴＰ結晶４を目的の温度にする基
準電圧が入力されて、ＫＴＰ結晶４を目的の温度に制御
する。
の制御電圧を駆動回路２に入力し、実際に温度を定める
ペルチェ素子３を駆動してＫＴＰ結晶４を加熱し、或い
は吸熱して制御される。ＫＴＰ結晶４の温度はサーミス
タ５で検出されて差動増幅器１の一端に入力され、ま
た、他の入力端にはＫＴＰ結晶４を目的の温度にする基
準電圧が入力されて、ＫＴＰ結晶４を目的の温度に制御
する。
【００１６】ここで前記基準電圧の与え方について説明
すると、まず、ＫＴＰ結晶４のＳＨＧ効果によるグリー
ンレーザ光は、ＵＶレーザ発振器６に入力されＵＶレー
ザが発せられる。ＵＶレーザの一部は光検出素子７に導
かれてその出力強度が検出され、Ｓ／Ｈ９でサンプリン
グされた後、次段のＡ／Ｄ１０でデジタル値に変換され
てＣＰＵ１１に入力される。これらデータとそのときの
設定温度とからＣＰＵ１１はＫＴＰ結晶４に加える温度
を算出し、その温度に対応した電圧を出力し、次段のＤ
／Ａ１２でアナログ量に変換して基準電圧とする。ここ
で従来はＡＧＣで光検出素子７の検出信号を調整してい
たが、本実施形態では、詳しくは後段で説明する本発明
の特徴から、このＡＧＣを省くことができる。
すると、まず、ＫＴＰ結晶４のＳＨＧ効果によるグリー
ンレーザ光は、ＵＶレーザ発振器６に入力されＵＶレー
ザが発せられる。ＵＶレーザの一部は光検出素子７に導
かれてその出力強度が検出され、Ｓ／Ｈ９でサンプリン
グされた後、次段のＡ／Ｄ１０でデジタル値に変換され
てＣＰＵ１１に入力される。これらデータとそのときの
設定温度とからＣＰＵ１１はＫＴＰ結晶４に加える温度
を算出し、その温度に対応した電圧を出力し、次段のＤ
／Ａ１２でアナログ量に変換して基準電圧とする。ここ
で従来はＡＧＣで光検出素子７の検出信号を調整してい
たが、本実施形態では、詳しくは後段で説明する本発明
の特徴から、このＡＧＣを省くことができる。
【００１７】つぎに、図２を参照して本発明によるＵＶ
レーザの出力制御の方法について説明する。図２の曲線
ａは図４に示したＫＴＰ結晶４の温度とＵＶレーザ出力
との関係と同じものである。
レーザの出力制御の方法について説明する。図２の曲線
ａは図４に示したＫＴＰ結晶４の温度とＵＶレーザ出力
との関係と同じものである。
【００１８】まず予め、ＣＰＵ１１でＫＴＰ結晶４が温
度Ｔになるように基準電圧を出力する。ＫＴＰ結晶４の
温度がＴのときのＵＶレーザ出力ＵＶ（Ｔ）を光検出器
７で測定しＣＰＵ１１に記憶する。つぎに、僅かな温度
ΔＴだけ高い温度Ｔ＋ΔＴでのＵＶレーザ出力ＵＶ（Ｔ
＋ΔＴ）を光検出器７で測定し、その差ΔＵＶ＝ＵＶ
（Ｔ＋ΔＴ）−ＵＶ（Ｔ）をＣＰＵ１１で算出する。こ
のΔＵＶの値が正であれば動作温度Ｔは最適動作温度Ｔ
0 よりも低いと判断し、動作温度Ｔに一定温度を加え、
逆にΔＵＶの値が負であれば動作温度Ｔは最適動作温度
Ｔ0 よりも高いと判断し、動作温度Ｔから一定温度を減
じて、再度この測定を行う。このプロセスを繰り返すこ
とにより、ΔＵＶ＝０に追い込むことができ、動作温度
Ｔは最適動作温度Ｔ0 とは一致し、ＫＴＰ結晶４は最適
の温度で動作される。
度Ｔになるように基準電圧を出力する。ＫＴＰ結晶４の
温度がＴのときのＵＶレーザ出力ＵＶ（Ｔ）を光検出器
７で測定しＣＰＵ１１に記憶する。つぎに、僅かな温度
ΔＴだけ高い温度Ｔ＋ΔＴでのＵＶレーザ出力ＵＶ（Ｔ
＋ΔＴ）を光検出器７で測定し、その差ΔＵＶ＝ＵＶ
（Ｔ＋ΔＴ）−ＵＶ（Ｔ）をＣＰＵ１１で算出する。こ
のΔＵＶの値が正であれば動作温度Ｔは最適動作温度Ｔ
0 よりも低いと判断し、動作温度Ｔに一定温度を加え、
逆にΔＵＶの値が負であれば動作温度Ｔは最適動作温度
Ｔ0 よりも高いと判断し、動作温度Ｔから一定温度を減
じて、再度この測定を行う。このプロセスを繰り返すこ
とにより、ΔＵＶ＝０に追い込むことができ、動作温度
Ｔは最適動作温度Ｔ0 とは一致し、ＫＴＰ結晶４は最適
の温度で動作される。
【００１９】この手順によりＫＴＰ結晶４を最適の動作
温度にすることができるが、前述したようにこの最適動
作温度は動作環境温度、湿度、結晶変質等によって変動
するものであって、常に制御動作をさせておくことが必
要であることは従来例と同じである。
温度にすることができるが、前述したようにこの最適動
作温度は動作環境温度、湿度、結晶変質等によって変動
するものであって、常に制御動作をさせておくことが必
要であることは従来例と同じである。
【００２０】上述した制御の流れを図３のフローチャー
トを参照して説明すると、初期のＫＴＰ結晶４の温度Ｔ
を設定する（符号２１）。ＵＶレーザの発振が安定した
後（符号２２）、このときのＵＶレーザ出力ＵＶ（Ｔ）
を測定し記憶する（符号２３）。つぎに、ＫＴＰ結晶４
の温度をＴ＋ΔＴに設定し（符号２４）、このときのＵ
Ｖレーザ出力ＵＶ（Ｔ＋ΔＴ）を測定し記憶する（符号
２５）。つぎにＣＰＵ１１でＵＶ（Ｔ＋ΔＴ）とＵＶ
（Ｔ）の大きさを比較する。即ちΔＵＶ＝ＵＶ（Ｔ＋Δ
Ｔ）−ＵＶ（Ｔ）を演算し（符号２６）、ΔＵＶの正、
負、零を判別し（符号２７）、零であればＴ＝Ｔ0 であ
ると判断し、現在の温度をＴの儘にし（符号２８）、符
号２３に戻り制御を繰り返す。また、正であればＴ＜Ｔ
0 であると判断し、現在の温度Ｔに一定温度を増加して
設定し（符号２９）、一方、負であればＴ＞Ｔ0 である
として、現在の温度Ｔから一定温度を減じて設定し（符
号３０）、符号２３に戻して制御を繰り返す。この方法
により制御温度を最適動作温度Ｔ0 に一致させてＫＴＰ
結晶４を動作させ、最適の状態でＵＶレーザを発振させ
ることができる。
トを参照して説明すると、初期のＫＴＰ結晶４の温度Ｔ
を設定する（符号２１）。ＵＶレーザの発振が安定した
後（符号２２）、このときのＵＶレーザ出力ＵＶ（Ｔ）
を測定し記憶する（符号２３）。つぎに、ＫＴＰ結晶４
の温度をＴ＋ΔＴに設定し（符号２４）、このときのＵ
Ｖレーザ出力ＵＶ（Ｔ＋ΔＴ）を測定し記憶する（符号
２５）。つぎにＣＰＵ１１でＵＶ（Ｔ＋ΔＴ）とＵＶ
（Ｔ）の大きさを比較する。即ちΔＵＶ＝ＵＶ（Ｔ＋Δ
Ｔ）−ＵＶ（Ｔ）を演算し（符号２６）、ΔＵＶの正、
負、零を判別し（符号２７）、零であればＴ＝Ｔ0 であ
ると判断し、現在の温度をＴの儘にし（符号２８）、符
号２３に戻り制御を繰り返す。また、正であればＴ＜Ｔ
0 であると判断し、現在の温度Ｔに一定温度を増加して
設定し（符号２９）、一方、負であればＴ＞Ｔ0 である
として、現在の温度Ｔから一定温度を減じて設定し（符
号３０）、符号２３に戻して制御を繰り返す。この方法
により制御温度を最適動作温度Ｔ0 に一致させてＫＴＰ
結晶４を動作させ、最適の状態でＵＶレーザを発振させ
ることができる。
【００２１】尚、本発明によれば加える温度変化は僅か
な量であり、応答速度が速くなると共に、ＵＶレーザの
出力変動も僅かで済む。また、上述したように応答速度
が速くなることに加えて、直前の僅かに離れた温度差で
の出力レベルを比較し、その極性に基づいて制御を行う
ため、他の要因による検出出力のレベル変動の影響を受
けることが少なくなる。
な量であり、応答速度が速くなると共に、ＵＶレーザの
出力変動も僅かで済む。また、上述したように応答速度
が速くなることに加えて、直前の僅かに離れた温度差で
の出力レベルを比較し、その極性に基づいて制御を行う
ため、他の要因による検出出力のレベル変動の影響を受
けることが少なくなる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したような構成と方法でＫＴＰ
結晶の温度制御をすることにより、動作環境温度や湿度
の変動、結晶変質により不安定であったＵＶレーザの出
力を高効率で安定したものにすることが可能になった。
結晶の温度制御をすることにより、動作環境温度や湿度
の変動、結晶変質により不安定であったＵＶレーザの出
力を高効率で安定したものにすることが可能になった。
【００２３】また、エラー信号検出部におけるＡＧＣ等
の回路が不要となり、簡潔にして小型、安価なＵＶレー
ザを構成することができる。
の回路が不要となり、簡潔にして小型、安価なＵＶレー
ザを構成することができる。
【図１】 本発明によるＵＶレーザの出力制御のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】 本発明によるＵＶレーザの出力制御方法を説
明するための図である。
明するための図である。
【図３】 本発明によるＵＶレーザの出力制御のフロー
チャートである。
チャートである。
【図４】 ＫＰＴ結晶の温度とＵＶレーザ出力の関係を
示す図である。
示す図である。
【図５】 従来のＵＶレーザの出力制御のブロック図で
ある。
ある。
１ 差動増幅器 ２ 駆動回路 ３ ペルチェ素子 ４ ＫＴＰ結晶 ５ サーミスタ ６ ＵＶレーザ発振器 ７ 光検出素子 ９ Ｓ／Ｈ １０ Ａ／Ｄ １１ ＣＰＵ １２ Ｄ／Ａ １３ ＡＰＣ １４ 基準温度設定部
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも、 ＫＴＰ結晶を含んでなる緑色レーザ発振部と、 前記ＫＴＰ結晶に指定の温度を印加するペルチェ素子
と、 前記緑色レーザ発振部から出力される緑色レーザ光によ
り励起され、遠紫外レーザ光を発する遠紫外レーザ発振
部とからなる遠紫外レーザ装置において、 前記遠紫外レーザ光の出力強度を検出する光検出素子
と、 前記遠紫外レーザ光の出力強度に応じた前記光検出素子
の出力を、印加した温度と対応させて記憶する記憶手段
と、 前記記憶手段に記憶されている、連続して印加した２種
の温度に対するそれぞれのレーザの出力強度を比較し、
極性を判定する比較手段と、 前記比較手段の結果に基づきペルチェ素子に印加する温
度を決定する演算手段とを具備してなることを特徴とす
る遠紫外レーザ装置。 - 【請求項２】 前記比較手段による極性判定の結果に基
づき、 連続して印加した２種の温度のうち、高い温度での出力
強度が低い温度での出力強度よりも大きい場合、ＫＴＰ
結晶に印加する温度を高くし、 一方、高い温度での出力強度が低い温度での出力強度よ
りも小さい場合、ＫＴＰ結晶に印加する温度を低くする
ことにより遠紫外レーザの発振を制御することを特徴と
する請求項１に記載の遠紫外レーザ装置の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31675295A JPH09162479A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 遠紫外レーザ装置とその制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31675295A JPH09162479A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 遠紫外レーザ装置とその制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162479A true JPH09162479A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18080530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31675295A Abandoned JPH09162479A (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | 遠紫外レーザ装置とその制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162479A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012140864A1 (en) | 2011-04-11 | 2012-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser apparatus and photoacoustic apparatus |
| CN104248453A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 佳能株式会社 | 被检体信息获取装置和激光装置 |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP31675295A patent/JPH09162479A/ja not_active Abandoned
Cited By (4)
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