JP2002208752A - 光送信器 - Google Patents
光送信器Info
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- JP2002208752A JP2002208752A JP2001340529A JP2001340529A JP2002208752A JP 2002208752 A JP2002208752 A JP 2002208752A JP 2001340529 A JP2001340529 A JP 2001340529A JP 2001340529 A JP2001340529 A JP 2001340529A JP 2002208752 A JP2002208752 A JP 2002208752A
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- Japan
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- peltier cooler
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 消光信号が解除された直後であっても、レー
ザダイオードの温度を一定に保つことのできる光送信器
を提供する。 【解決手段】 レーザダイオードの出力光を検知してサ
ーミスタが出力する検知温度信号を入力とし、予め設定
されたサーミスタ検知温度信号の基準値との差異に応じ
て、前記ペルチェクーラを制御するペルチェクーラ制御
信号を出力するペルチェクーラ信号演算回路を備え、前
記ペルチェクーラ信号演算回路に別途前記レーザダイオ
ードを消光するため消光信号入力端子が設けられてお
り、該消光信号入力端子に消光信号が入力された場合
に、前記ペルチェクーラ信号演算回路は前記サーミスタ
検知温度信号の基準値と外部より設定された前記レーザ
ダイオードの発光しているときと消光しているときの温
度差情報との差異に応じて、前記ペルチェクーラを制御
する信号を出力する。
ザダイオードの温度を一定に保つことのできる光送信器
を提供する。 【解決手段】 レーザダイオードの出力光を検知してサ
ーミスタが出力する検知温度信号を入力とし、予め設定
されたサーミスタ検知温度信号の基準値との差異に応じ
て、前記ペルチェクーラを制御するペルチェクーラ制御
信号を出力するペルチェクーラ信号演算回路を備え、前
記ペルチェクーラ信号演算回路に別途前記レーザダイオ
ードを消光するため消光信号入力端子が設けられてお
り、該消光信号入力端子に消光信号が入力された場合
に、前記ペルチェクーラ信号演算回路は前記サーミスタ
検知温度信号の基準値と外部より設定された前記レーザ
ダイオードの発光しているときと消光しているときの温
度差情報との差異に応じて、前記ペルチェクーラを制御
する信号を出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ファイバを使
用する光通信用の光送信器に関し、より詳しくは、光出
力波長を一定に保つための制御回路を備えた光送信器に
関するものである。
用する光通信用の光送信器に関し、より詳しくは、光出
力波長を一定に保つための制御回路を備えた光送信器に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の光送信器の構成を示すブロ
ック図である。図３において、１ａはデータ信号を外部
から入力するデータ正相入力端子、１ｂはデータ信号を
外部から入力するデータ負相入力端子、２は前記データ
正相入力端子１ａ及びデータ負相入力端子１ｂからのデ
ータ信号に応じてレーザダイオード４ａを駆動する差動
増幅器、３は前記差動増幅器２に電流を供給する変調電
流生成トランジスタ、４ａは前記差動増幅器２の出力信
号に応じた光信号を出力するレーザダイオード、４ｂは
前記レーザダイオード４ａの出力する光量に応じた電流
を出力するモニタフォトダイオード、４ｃは前記レーザ
ダイオード４ａの温度を検知するサーミスタ、４ｄは前
記レーザダイオード４ａを冷却または加熱するペルチェ
クーラであり、４はこれら４ａ〜４ｄによって構成され
たレーザダイオードモジュールである。
ック図である。図３において、１ａはデータ信号を外部
から入力するデータ正相入力端子、１ｂはデータ信号を
外部から入力するデータ負相入力端子、２は前記データ
正相入力端子１ａ及びデータ負相入力端子１ｂからのデ
ータ信号に応じてレーザダイオード４ａを駆動する差動
増幅器、３は前記差動増幅器２に電流を供給する変調電
流生成トランジスタ、４ａは前記差動増幅器２の出力信
号に応じた光信号を出力するレーザダイオード、４ｂは
前記レーザダイオード４ａの出力する光量に応じた電流
を出力するモニタフォトダイオード、４ｃは前記レーザ
ダイオード４ａの温度を検知するサーミスタ、４ｄは前
記レーザダイオード４ａを冷却または加熱するペルチェ
クーラであり、４はこれら４ａ〜４ｄによって構成され
たレーザダイオードモジュールである。
【０００３】また、５はレーザダイオードのバイアス電
流を制御するＡＰＣ（Automatic Power Control)ブロッ
クであって、５ａは前記モニタフォトダイオード４ｂの
出力信号を平滑化する平滑化コンデンサ、５ｂは前記モ
ニタフォトダイオード４ｂの出力信号を電流電圧変換す
る電流電圧変換抵抗器、５ｃ及び５ｄは前記電流電圧変
換抵抗器５ｂの出力信号の基準となる信号を生成するＡ
ＰＣ基準電圧生成抵抗器、５ｅは前記電流電圧変換抵抗
器５ｂの出力信号と前記ＡＰＣ基準電圧生成抵抗器５ｃ
及び５ｄの出力信号の差分となる電圧を増幅するＡＰＣ
誤差増幅器、５ｆは前記ＡＰＣ誤差増幅器５ｅの出力信
号を電圧電流変換するバイアス電流生成トランジスタで
ある。
流を制御するＡＰＣ（Automatic Power Control)ブロッ
クであって、５ａは前記モニタフォトダイオード４ｂの
出力信号を平滑化する平滑化コンデンサ、５ｂは前記モ
ニタフォトダイオード４ｂの出力信号を電流電圧変換す
る電流電圧変換抵抗器、５ｃ及び５ｄは前記電流電圧変
換抵抗器５ｂの出力信号の基準となる信号を生成するＡ
ＰＣ基準電圧生成抵抗器、５ｅは前記電流電圧変換抵抗
器５ｂの出力信号と前記ＡＰＣ基準電圧生成抵抗器５ｃ
及び５ｄの出力信号の差分となる電圧を増幅するＡＰＣ
誤差増幅器、５ｆは前記ＡＰＣ誤差増幅器５ｅの出力信
号を電圧電流変換するバイアス電流生成トランジスタで
ある。
【０００４】また、６はレーザダイオードの温度補償を
行う変調電流生成ブロックであって、６ａは前記変調電
流生成トランジスタ３に目的の電流を生成させるための
信号を出力する変調電流生成抵抗器である。７は前記ペ
ルチェクーラ４ｄを電流制御するＡＴＣ(Automatic Tem
perature Control)ブロックであって、７ａ及び７ｂは
前記サーミスタ４ｃの基準である信号を生成するＡＴＣ
基準電圧生成抵抗器、７ｃは前記サーミスタ４ｃの出力
信号と前記ＡＴＣ基準電圧生成抵抗器７ａ及び７ｂの出
力信号の差分となる電圧を増幅するＡＴＣ誤差増幅器、
７ｄは前記ＡＴＣ誤差増幅器７ｃの出力信号を入力とし
前記ペルチェクーラ４ｄに電流を供給するペルチェクー
ラ電流生成トランジスタである。１３は消光信号を外部
から入力する消光信号入力端子である。なお、Ｉopはレ
ーザダイオードを動作する動作電流、Ｉbはレーザダイ
オードのバイアス電流、Ｉmodは前記変調電流生成トラ
ンジスタ３により生成された変調電流、Ｉmonは前記モ
ニタフォトダイオードにより出力されるモニタ電流であ
る。
行う変調電流生成ブロックであって、６ａは前記変調電
流生成トランジスタ３に目的の電流を生成させるための
信号を出力する変調電流生成抵抗器である。７は前記ペ
ルチェクーラ４ｄを電流制御するＡＴＣ(Automatic Tem
perature Control)ブロックであって、７ａ及び７ｂは
前記サーミスタ４ｃの基準である信号を生成するＡＴＣ
基準電圧生成抵抗器、７ｃは前記サーミスタ４ｃの出力
信号と前記ＡＴＣ基準電圧生成抵抗器７ａ及び７ｂの出
力信号の差分となる電圧を増幅するＡＴＣ誤差増幅器、
７ｄは前記ＡＴＣ誤差増幅器７ｃの出力信号を入力とし
前記ペルチェクーラ４ｄに電流を供給するペルチェクー
ラ電流生成トランジスタである。１３は消光信号を外部
から入力する消光信号入力端子である。なお、Ｉopはレ
ーザダイオードを動作する動作電流、Ｉbはレーザダイ
オードのバイアス電流、Ｉmodは前記変調電流生成トラ
ンジスタ３により生成された変調電流、Ｉmonは前記モ
ニタフォトダイオードにより出力されるモニタ電流であ
る。
【０００５】次に動作について説明する。外部からの差
動データがデータ正相入力端子１ａ及びデータ負相入力
端子１ｂを介して、通常トランジスタの差動対で構成さ
れる差動増幅器２に入力される。差動増幅器２はレーザ
ダイオード４ａをパルス駆動し、レーザダイオード４ａ
からパルス光を出力させる。
動データがデータ正相入力端子１ａ及びデータ負相入力
端子１ｂを介して、通常トランジスタの差動対で構成さ
れる差動増幅器２に入力される。差動増幅器２はレーザ
ダイオード４ａをパルス駆動し、レーザダイオード４ａ
からパルス光を出力させる。
【０００６】ここで、レーザダイオード４ａは一般に図
４に示す光電変換効率特性を持つ。図４において、Ｉth
1は閾値電流、ａ1は微分効率特性（傾き）であり、図に
示す状態は、最適な動作電流を得るための光電変換効率
特性を表わしている。ＰoutPk・Pkは最大光出力、ＰoutA
veは平均光出力、Ｉb1は最適なバイアス電流、Ｉmod1は
最適な変調電流、Ｉopは最適な動作電流を示す。また、
この閾値電流Ｉth1以下ではほとんどレーザダイオード
は発光せずに閾値電流Ｉth1以上から傾きａ1をもった電
流−光変換を行っている。しかし、閾値電流Ｉth1及び
傾きａ1は温度変動するため、光出力パワーを良好に保
つには常にその温度での閾値電流Ｉth1及び傾きａ1に応
じたバイアス電流Ｉb及び変調電流Ｉmodをレーザダイオ
ード４ａに流さなければならない。そのためバイアス電
流Ｉbを最適に保つために、次に述べるＡＰＣ機能を持
たせる。
４に示す光電変換効率特性を持つ。図４において、Ｉth
1は閾値電流、ａ1は微分効率特性（傾き）であり、図に
示す状態は、最適な動作電流を得るための光電変換効率
特性を表わしている。ＰoutPk・Pkは最大光出力、ＰoutA
veは平均光出力、Ｉb1は最適なバイアス電流、Ｉmod1は
最適な変調電流、Ｉopは最適な動作電流を示す。また、
この閾値電流Ｉth1以下ではほとんどレーザダイオード
は発光せずに閾値電流Ｉth1以上から傾きａ1をもった電
流−光変換を行っている。しかし、閾値電流Ｉth1及び
傾きａ1は温度変動するため、光出力パワーを良好に保
つには常にその温度での閾値電流Ｉth1及び傾きａ1に応
じたバイアス電流Ｉb及び変調電流Ｉmodをレーザダイオ
ード４ａに流さなければならない。そのためバイアス電
流Ｉbを最適に保つために、次に述べるＡＰＣ機能を持
たせる。
【０００７】まず、モニタフォトダイオード４ｂはレー
ザダイオードモジュール４内にてレーザダイオード４ａ
の背面光を受光し、受光量に応じた電流Ｉmonを出力す
る。次に、モニタフォトダイオード４ｂの出力電流は平
滑化コンデンサ５ａにて平滑化される。ここで平滑化さ
れ電流電圧変換抵抗器５ｂにて電流電圧変換された電圧
信号が、ＡＰＣ基準電圧生成抵抗器５ｃ及び５ｄにより
生成された電圧信号と同じになるように、ＡＰＣ誤差増
幅器５ｅから電圧信号が出力され、バイアス電流生成ト
ランジスタ５ｆにより電圧電流変換されたバイアス電流
Ｉbがレーザダイオード４ａに出力される。以上の動作
によりレーザダイオード４ａの光出力の平均値が一定と
なる様にバイアス電流Ｉbが最適に保たれる。
ザダイオードモジュール４内にてレーザダイオード４ａ
の背面光を受光し、受光量に応じた電流Ｉmonを出力す
る。次に、モニタフォトダイオード４ｂの出力電流は平
滑化コンデンサ５ａにて平滑化される。ここで平滑化さ
れ電流電圧変換抵抗器５ｂにて電流電圧変換された電圧
信号が、ＡＰＣ基準電圧生成抵抗器５ｃ及び５ｄにより
生成された電圧信号と同じになるように、ＡＰＣ誤差増
幅器５ｅから電圧信号が出力され、バイアス電流生成ト
ランジスタ５ｆにより電圧電流変換されたバイアス電流
Ｉbがレーザダイオード４ａに出力される。以上の動作
によりレーザダイオード４ａの光出力の平均値が一定と
なる様にバイアス電流Ｉbが最適に保たれる。
【０００８】また、変調電流Ｉmodについては、使用温
度範囲で光出力パルスの消光比を基準値に保つために、
レーザダイオード４ａの温度に追随して出力が変動する
サーミスタ４ｃの出力を使用して、変調電流生成抵抗器
６ａにより変調電流生成トランジスタ３の入力を変化さ
せることによって変調電流Ｉmodの温度補償を行う。レ
ーザダイオード４ａの光出力波長は、一般にその温度が
変動するのに伴って変動するが、光送信器の用途によっ
て光出力波長が周囲温度の変動に対して一定になること
が望ましい場合は、次に述べるＡＴＣ機能を持たせる。
度範囲で光出力パルスの消光比を基準値に保つために、
レーザダイオード４ａの温度に追随して出力が変動する
サーミスタ４ｃの出力を使用して、変調電流生成抵抗器
６ａにより変調電流生成トランジスタ３の入力を変化さ
せることによって変調電流Ｉmodの温度補償を行う。レ
ーザダイオード４ａの光出力波長は、一般にその温度が
変動するのに伴って変動するが、光送信器の用途によっ
て光出力波長が周囲温度の変動に対して一定になること
が望ましい場合は、次に述べるＡＴＣ機能を持たせる。
【０００９】これはレーザダイオード４ａの温度に追随
して出力が変動するサーミスタ４ｃの出力信号が、ＡＴ
Ｃ基準電圧生成抵抗器７ａ及び７ｂにより生成された電
圧信号と同じになるように、ＡＴＣ誤差増幅器７ｃから
ペルチェクーラ電流Ｉpcが出力される。このペルチェク
ーラ電流Ｉpcにより前記ペルチェクーラが冷却または過
熱動作し、レーザダイオード４ａの温度が一定に保た
れ、光出力波長が周囲温度の変動に対して一定となる。
また、消光信号入力端子１３から入力される消光信号に
より、バイアス電流Ｉb及び変調電流Ｉmodが遮断され、
レーザダイオード４ａの光出力が停止される。
して出力が変動するサーミスタ４ｃの出力信号が、ＡＴ
Ｃ基準電圧生成抵抗器７ａ及び７ｂにより生成された電
圧信号と同じになるように、ＡＴＣ誤差増幅器７ｃから
ペルチェクーラ電流Ｉpcが出力される。このペルチェク
ーラ電流Ｉpcにより前記ペルチェクーラが冷却または過
熱動作し、レーザダイオード４ａの温度が一定に保た
れ、光出力波長が周囲温度の変動に対して一定となる。
また、消光信号入力端子１３から入力される消光信号に
より、バイアス電流Ｉb及び変調電流Ｉmodが遮断され、
レーザダイオード４ａの光出力が停止される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来技術
では、レーザダイオード４ａの温度を一定に保つ温度制
御回路は一般に、目的の温度に安定するまでに時間を要
する。一方、レーザダイオード４ａからの光出力を一定
に保つ光出力制御回路は一般に、目的の光出力に安定す
るまでそれほど時間を要しない。
では、レーザダイオード４ａの温度を一定に保つ温度制
御回路は一般に、目的の温度に安定するまでに時間を要
する。一方、レーザダイオード４ａからの光出力を一定
に保つ光出力制御回路は一般に、目的の光出力に安定す
るまでそれほど時間を要しない。
【００１１】次に、消光信号が入力された場合とされな
い場合により、バイアス電流Ｉb及び変調電流Ｉmodが遮
断または通電され、レーザダイオード４ａの発熱が変動
する。これらの回路特性から、例えばレーザダイオード
４ａが目的の温度に保たれ、かつ消光信号が入力されて
いる状態から、消光信号が解除された直後の場合を考え
ると、レーザダイオード４ａにバイアス電流Ｉb及び変
調電流Ｉmodが流れることによりレーザダイオード４ａ
が発熱するが、応答の遅い温度制御回路（ＡＴＣブロッ
ク７）はその発熱に追従できず、結果的に消光信号が解
除された直後においてレーザダイオード４ａは目的の温
度から外れてしまう。従来技術ではこのような事象によ
り、レーザダイオード４ａが目的の温度から外れてしま
い、光出力波長が一定しないという問題があった。
い場合により、バイアス電流Ｉb及び変調電流Ｉmodが遮
断または通電され、レーザダイオード４ａの発熱が変動
する。これらの回路特性から、例えばレーザダイオード
４ａが目的の温度に保たれ、かつ消光信号が入力されて
いる状態から、消光信号が解除された直後の場合を考え
ると、レーザダイオード４ａにバイアス電流Ｉb及び変
調電流Ｉmodが流れることによりレーザダイオード４ａ
が発熱するが、応答の遅い温度制御回路（ＡＴＣブロッ
ク７）はその発熱に追従できず、結果的に消光信号が解
除された直後においてレーザダイオード４ａは目的の温
度から外れてしまう。従来技術ではこのような事象によ
り、レーザダイオード４ａが目的の温度から外れてしま
い、光出力波長が一定しないという問題があった。
【００１２】また、従来の構造では、モジュールのケー
ス等、形状の違いによって熱容量が変わるために、各々
に対応した回路構成を組まなければならないという問題
があった。さらに、モニタフォトダイオードには電流値
にばらつきがあるため、光出力が安定しないという問題
もあった。
ス等、形状の違いによって熱容量が変わるために、各々
に対応した回路構成を組まなければならないという問題
があった。さらに、モニタフォトダイオードには電流値
にばらつきがあるため、光出力が安定しないという問題
もあった。
【００１３】本発明はこのような従来の問題を解決する
ものであり、消光信号が解除された直後であってもレー
ザダイオードの温度を一定に保つことのできる光送信器
を実現することを目的とするものである。
ものであり、消光信号が解除された直後であってもレー
ザダイオードの温度を一定に保つことのできる光送信器
を実現することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光送信器
は、外部からの入力データ信号に応じて駆動する差動増
幅器と、前記差動増幅器の出力信号に応じて光信号を出
力するレーザダイオードと、前記レーザダイオードの出
力光量に応じた出力信号を出力するモニタフォトダイオ
ードと、前記レーザダイオードの検知温度信号を出力す
るサーミスタと、前記レーザダイオードを冷却または加
熱するペルチェクーラと、前記モニタフォトダイオード
により出力された出力信号と基準信号との差に基づいて
前記レーザダイオードのバイアス電流を制御する自動光
出力制御手段と、前記サーミスタの検知温度信号に基づ
き前記レーザダイオードの温度補償を行う変調電流生成
手段と、前記ペルチェクーラを制御するペルチェクーラ
制御手段と、前記サーミスタからの検知温度信号と、外
部から与えられるサーミスタ検知温度信号の基準値との
偏差に基づいて、前記ペルチェクーラ制御手段にペルチ
ェクーラ制御信号を出力するペルチェクーラ制御用演算
回路とを備え、前記ペルチェクーラ制御用演算回路は、
消光信号が入力された場合には、前記サーミスタ検知温
度信号の基準値に対し、外部から与えられる前記レーザ
ダイオードの発光しているときと消光しているときの温
度差情報を差し引いた値に応じた前記ペルチェクーラ制
御信号を出力することを特徴とするものである。
は、外部からの入力データ信号に応じて駆動する差動増
幅器と、前記差動増幅器の出力信号に応じて光信号を出
力するレーザダイオードと、前記レーザダイオードの出
力光量に応じた出力信号を出力するモニタフォトダイオ
ードと、前記レーザダイオードの検知温度信号を出力す
るサーミスタと、前記レーザダイオードを冷却または加
熱するペルチェクーラと、前記モニタフォトダイオード
により出力された出力信号と基準信号との差に基づいて
前記レーザダイオードのバイアス電流を制御する自動光
出力制御手段と、前記サーミスタの検知温度信号に基づ
き前記レーザダイオードの温度補償を行う変調電流生成
手段と、前記ペルチェクーラを制御するペルチェクーラ
制御手段と、前記サーミスタからの検知温度信号と、外
部から与えられるサーミスタ検知温度信号の基準値との
偏差に基づいて、前記ペルチェクーラ制御手段にペルチ
ェクーラ制御信号を出力するペルチェクーラ制御用演算
回路とを備え、前記ペルチェクーラ制御用演算回路は、
消光信号が入力された場合には、前記サーミスタ検知温
度信号の基準値に対し、外部から与えられる前記レーザ
ダイオードの発光しているときと消光しているときの温
度差情報を差し引いた値に応じた前記ペルチェクーラ制
御信号を出力することを特徴とするものである。
【００１５】また、前記ペルチェクーラ制御用演算回路
は、上記偏差を比例・積分・微分処理するＰＩＤ制御方
式により演算処理を行っており、比例項、積分項、及び
微分項の定数が外部から可変設定されることを特徴とす
るものである。
は、上記偏差を比例・積分・微分処理するＰＩＤ制御方
式により演算処理を行っており、比例項、積分項、及び
微分項の定数が外部から可変設定されることを特徴とす
るものである。
【００１６】また、前記自動光出力制御手段は、前記レ
ーザダイオードのバイアス電流を制御するバイアス電流
制御手段と、前記モニタフォトダイオードの出力光信号
を外部から与えられるゲイン情報に基づき増幅した出力
光増幅信号を出力するモニタフォトダイオード用増幅器
と、前記の出力光増幅信号と外部から与えられる出力光
増幅信号の基準値との偏差に基づいて前記バイアス電流
制御手段にバイアス電流制御信号を出力するバイアス電
流制御用演算回路とを備えたことを特徴とするものであ
る。
ーザダイオードのバイアス電流を制御するバイアス電流
制御手段と、前記モニタフォトダイオードの出力光信号
を外部から与えられるゲイン情報に基づき増幅した出力
光増幅信号を出力するモニタフォトダイオード用増幅器
と、前記の出力光増幅信号と外部から与えられる出力光
増幅信号の基準値との偏差に基づいて前記バイアス電流
制御手段にバイアス電流制御信号を出力するバイアス電
流制御用演算回路とを備えたことを特徴とするものであ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明に
係る実施の形態１の構成を示すブロック図である。図１
において、図３と同一符号は同一部分を示し、その説明
は省略する。新たな符号として、８はサーミスタ４ｃの
出力信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータ、
９は前記Ａ／Ｄコンバータ８の基準値となる目的温度情
報を格納する目的温度設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、１０は前
記目的温度設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ９に書込むデータを入
力する目的温度書込み入力端子、１４はレーザダイオー
ド４ａが発光している時と消光しているときの温度差に
相当する温度差情報（レーザダイオード４ａの自己発熱
温度）を格納する温度差設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、１５は
前記温度差設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ１４に書込むデータを
入力する温度差書込み入力端子、１１は前記Ａ／Ｄコン
バータ８の出力信号と前記目的温度設定用ＥＥＰ−ＲＯ
Ｍ９から読み取った目的温度情報信号とを同一とさせる
信号を出力するペルチェクーラ制御用演算回路、１２は
前記ペルチェクーラ制御用演算回路１１の出力信号をア
ナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータである。
係る実施の形態１の構成を示すブロック図である。図１
において、図３と同一符号は同一部分を示し、その説明
は省略する。新たな符号として、８はサーミスタ４ｃの
出力信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータ、
９は前記Ａ／Ｄコンバータ８の基準値となる目的温度情
報を格納する目的温度設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、１０は前
記目的温度設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ９に書込むデータを入
力する目的温度書込み入力端子、１４はレーザダイオー
ド４ａが発光している時と消光しているときの温度差に
相当する温度差情報（レーザダイオード４ａの自己発熱
温度）を格納する温度差設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、１５は
前記温度差設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ１４に書込むデータを
入力する温度差書込み入力端子、１１は前記Ａ／Ｄコン
バータ８の出力信号と前記目的温度設定用ＥＥＰ−ＲＯ
Ｍ９から読み取った目的温度情報信号とを同一とさせる
信号を出力するペルチェクーラ制御用演算回路、１２は
前記ペルチェクーラ制御用演算回路１１の出力信号をア
ナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータである。
【００１８】前記ペルチェクーラ制御用演算回路１１の
演算処理には、一般に入力データを比例・積分・微分処
理するＰＩＤ制御演算という方式を用いる。具体的に
は、ペルチェクーラ制御用演算回路１１に入力されるサ
ーミスタ４ｃの出力情報と目的温度書込み入力端子１０
から入力され、ＥＥＰ−ＲＯＭ９に格納されていた基準
値となる目的温度情報との偏差、または、消光信号入力
端子１３から消光信号が入力された場合は、目的温度設
定用ＥＥＰ−ＲＯＭ９に格納されていた基準値となる目
的温度情報と、温度差書込み入力端子１５から入力さ
れ、ＥＥＰ−ＲＯＭ１４に格納されていた温度差情報と
の偏差をｅとしたときのペルチェクーラ制御電流演算回
路１１の出力信号ｙは次式により算出される。 ｙ＝Ｋp［ｅ＋（１／Ｔi）∫ｅｄｔ＋Ｔd（ｄｅ／ｄ
ｔ）］ 上記演算式において、Ｋp，１／Ｔi，Ｔdはそれぞれ固
定された定数である。
演算処理には、一般に入力データを比例・積分・微分処
理するＰＩＤ制御演算という方式を用いる。具体的に
は、ペルチェクーラ制御用演算回路１１に入力されるサ
ーミスタ４ｃの出力情報と目的温度書込み入力端子１０
から入力され、ＥＥＰ−ＲＯＭ９に格納されていた基準
値となる目的温度情報との偏差、または、消光信号入力
端子１３から消光信号が入力された場合は、目的温度設
定用ＥＥＰ−ＲＯＭ９に格納されていた基準値となる目
的温度情報と、温度差書込み入力端子１５から入力さ
れ、ＥＥＰ−ＲＯＭ１４に格納されていた温度差情報と
の偏差をｅとしたときのペルチェクーラ制御電流演算回
路１１の出力信号ｙは次式により算出される。 ｙ＝Ｋp［ｅ＋（１／Ｔi）∫ｅｄｔ＋Ｔd（ｄｅ／ｄ
ｔ）］ 上記演算式において、Ｋp，１／Ｔi，Ｔdはそれぞれ固
定された定数である。
【００１９】次に動作について説明する。従来の技術で
は、図３に示すようにレーザダイオード４ａの温度に追
随して出力が変動するサーミスタ４ｃの出力信号が、Ａ
ＴＣ基準電圧生成抵抗器７ａ及び７ｂにより生成された
電圧信号と同じになるように、ＡＴＣ誤差増幅器７ｃか
らペルチェクーラ電流Ｉpcが出力され、この動作により
レーザダイオード４ａの温度が一定に保たれ、光出力波
長が周囲温度の変動に対して一定となっていた。
は、図３に示すようにレーザダイオード４ａの温度に追
随して出力が変動するサーミスタ４ｃの出力信号が、Ａ
ＴＣ基準電圧生成抵抗器７ａ及び７ｂにより生成された
電圧信号と同じになるように、ＡＴＣ誤差増幅器７ｃか
らペルチェクーラ電流Ｉpcが出力され、この動作により
レーザダイオード４ａの温度が一定に保たれ、光出力波
長が周囲温度の変動に対して一定となっていた。
【００２０】この発明に係る実施の形態１では、レーザ
ダイオード４ａの温度に追随して出力が変動するサーミ
スタ４ｃの出力をＡ／Ｄコンバータ８によりデジタル化
したデジタルデータと、目的温度書込み入力端子１０か
ら入力された目的温度設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ９内の基準
値となる目的温度情報のデジタルデータとをペルチェク
ーラ制御用演算回路１１により比較し、この偏差に応じ
たデジタルデータをＤ／Ａコンバータ１２に出力する。
そして、アナログ電圧に変換された信号はペルチェクー
ラ電流生成トランジスタ７ｄのベース電極に入力され、
トランジスタ７ｄが導通してペルチェクーラ４ｄのペル
チェクーラ電流Ｉpcが生成される。この一連の動作によ
り、レーザダイオード４ａの温度が一定に保たれ、光出
力波長が周囲温度の変動にも対応することができる。
ダイオード４ａの温度に追随して出力が変動するサーミ
スタ４ｃの出力をＡ／Ｄコンバータ８によりデジタル化
したデジタルデータと、目的温度書込み入力端子１０か
ら入力された目的温度設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ９内の基準
値となる目的温度情報のデジタルデータとをペルチェク
ーラ制御用演算回路１１により比較し、この偏差に応じ
たデジタルデータをＤ／Ａコンバータ１２に出力する。
そして、アナログ電圧に変換された信号はペルチェクー
ラ電流生成トランジスタ７ｄのベース電極に入力され、
トランジスタ７ｄが導通してペルチェクーラ４ｄのペル
チェクーラ電流Ｉpcが生成される。この一連の動作によ
り、レーザダイオード４ａの温度が一定に保たれ、光出
力波長が周囲温度の変動にも対応することができる。
【００２１】また、消光信号入力端子１３から消光信号
がペルチェクーラ制御用演算回路１１に入力された場合
に、ペルチェクーラ制御用演算回路１１は、目的温度設
定用ＥＥＰ−ＲＯＭ９に格納された目的温度情報から、
温度差書込み入力端子１５より入力された温度差設定用
ＥＥＰ−ＲＯＭ１４内のレーザダイオード４ａが発光し
ているときと消光しているときの温度差（自己発熱温
度）情報を差し引いた温度情報を得て、この温度情報に
基づいてＰＩＤ制御演算を行う。この演算結果はＤ／Ａ
コンバータ１２を介してトランジスタ７ｄのベース電極
に入力され、これによりトランジスタ７ｄを導通させ
る。その後は、通常のレーザーダイオード４ａの発光時
と同様にして、レーザダイオード４ａの温度が一定に保
たれる。
がペルチェクーラ制御用演算回路１１に入力された場合
に、ペルチェクーラ制御用演算回路１１は、目的温度設
定用ＥＥＰ−ＲＯＭ９に格納された目的温度情報から、
温度差書込み入力端子１５より入力された温度差設定用
ＥＥＰ−ＲＯＭ１４内のレーザダイオード４ａが発光し
ているときと消光しているときの温度差（自己発熱温
度）情報を差し引いた温度情報を得て、この温度情報に
基づいてＰＩＤ制御演算を行う。この演算結果はＤ／Ａ
コンバータ１２を介してトランジスタ７ｄのベース電極
に入力され、これによりトランジスタ７ｄを導通させ
る。その後は、通常のレーザーダイオード４ａの発光時
と同様にして、レーザダイオード４ａの温度が一定に保
たれる。
【００２２】したがって、レーザダイオード４ａが発光
しているときと消光しているときの温度差情報をペルチ
ェクーラ制御用演算回路１１に与えたことにより、従来
のようにレーザダイオード４ａの発光時と消光時とでペ
ルチェクーラ４ｄによる冷却量を変化させる必要がなく
なり、冷却量を制御する温度制御回路（ＡＴＣブロック
７）における制御ループの遅れによりレーザダイオード
４ａの温度が目標温度から外れるといった問題は生じな
い。
しているときと消光しているときの温度差情報をペルチ
ェクーラ制御用演算回路１１に与えたことにより、従来
のようにレーザダイオード４ａの発光時と消光時とでペ
ルチェクーラ４ｄによる冷却量を変化させる必要がなく
なり、冷却量を制御する温度制御回路（ＡＴＣブロック
７）における制御ループの遅れによりレーザダイオード
４ａの温度が目標温度から外れるといった問題は生じな
い。
【００２３】以上のように、本実施の形態１に係る光送
信器によれば、消光信号入力時にレーザダイオード４ａ
の温度を基準値から温度差情報を差し引いた値に保つこ
とができ、レーザダイオード４ａが発光している間のみ
ならず、消光信号が解除された直後もレーザダイオード
４ａの温度を一定に保つことができる。
信器によれば、消光信号入力時にレーザダイオード４ａ
の温度を基準値から温度差情報を差し引いた値に保つこ
とができ、レーザダイオード４ａが発光している間のみ
ならず、消光信号が解除された直後もレーザダイオード
４ａの温度を一定に保つことができる。
【００２４】実施の形態２．この発明に係る実施の形態
２は、前述の図１において、温度差設定用ＥＥＰ−ＲＯ
Ｍ１４を前記ペルチェクーラ制御用演算回路１１でのＰ
ＩＤ制御処理に必要な比例定数を格納するＰＩＤ制御処
理用ＥＥＰ−ＲＯＭとし、温度差書込み入力端子１５を
前記ＰＩＤ制御処理用ＥＥＰ−ＲＯＭに書込むデータを
入力するＰＩＤ書込み入力端子としたものである。上述
のごとく、この発明に係る実施の形態１の構成におい
て、ペルチェクーラ制御用演算回路１１では、一般に入
力データを比例・積分・微分処理するＰＩＤ制御演算を
用いるが、この発明に係る実施の形態２における自動光
出力制御手段７では、ＰＩＤ制御処理用ＥＥＰ−ＲＯＭ
１４にＰＩＤ制御処理に用いる定数Ｋ p，１／Ｔi，Ｔd
を格納し、前記ＰＩＤ書込み入力端子１５より自由に比
例定数を設定する方法を用いることにより、モジュール
のケース等、形状によって変わる熱容量に対しても回路
構成を変更することなく、ペルチェクーラ制御用演算回
路１１のデータ処理が行え、レーザダイオード４ａの温
度を一定に保つことができる。
２は、前述の図１において、温度差設定用ＥＥＰ−ＲＯ
Ｍ１４を前記ペルチェクーラ制御用演算回路１１でのＰ
ＩＤ制御処理に必要な比例定数を格納するＰＩＤ制御処
理用ＥＥＰ−ＲＯＭとし、温度差書込み入力端子１５を
前記ＰＩＤ制御処理用ＥＥＰ−ＲＯＭに書込むデータを
入力するＰＩＤ書込み入力端子としたものである。上述
のごとく、この発明に係る実施の形態１の構成におい
て、ペルチェクーラ制御用演算回路１１では、一般に入
力データを比例・積分・微分処理するＰＩＤ制御演算を
用いるが、この発明に係る実施の形態２における自動光
出力制御手段７では、ＰＩＤ制御処理用ＥＥＰ−ＲＯＭ
１４にＰＩＤ制御処理に用いる定数Ｋ p，１／Ｔi，Ｔd
を格納し、前記ＰＩＤ書込み入力端子１５より自由に比
例定数を設定する方法を用いることにより、モジュール
のケース等、形状によって変わる熱容量に対しても回路
構成を変更することなく、ペルチェクーラ制御用演算回
路１１のデータ処理が行え、レーザダイオード４ａの温
度を一定に保つことができる。
【００２５】実施の形態３．図２はこの発明に係る実施
の形態３の構成を示すブロック図である。図２におい
て、図３と同一符号は同一部分を示し、その説明は省略
する。新たな符号として１６は図３に示す従来例におけ
る電流電圧変換抵抗器５ｂの出力信号を増幅するモニタ
フォトダイオード用増幅器、１７は前記モニタフォトダ
イオード用増幅器１６の目的となるゲイン情報を格納す
る増幅器設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、１８は前記増幅器設定
用ＥＥＰ−ＲＯＭ１７に書込むデータを入力する増幅器
書込み入力端子、１９は前記モニタフォトダイオード用
増幅器の出力光増幅信号をデジタル信号に変換するＡ／
Ｄコンバータ、２０は前記Ａ／Ｄコンバータ１９の基準
となる信号を格納する目的光出力設定用ＥＥＰ−ＲＯ
Ｍ、２１は前記目的光出力設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ２０に
書込むデータを入力する目的光出力書込み入力端子、２
２は前記Ａ／Ｄコンバータ１９の出力信号と前記目的光
出力設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ２０から読み取った信号とを
同一とさせる信号を出力するバイアス電流制御用演算回
路、２３は前記バイアス電流制御用演算回路２２の出力
信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータであ
る。
の形態３の構成を示すブロック図である。図２におい
て、図３と同一符号は同一部分を示し、その説明は省略
する。新たな符号として１６は図３に示す従来例におけ
る電流電圧変換抵抗器５ｂの出力信号を増幅するモニタ
フォトダイオード用増幅器、１７は前記モニタフォトダ
イオード用増幅器１６の目的となるゲイン情報を格納す
る増幅器設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、１８は前記増幅器設定
用ＥＥＰ−ＲＯＭ１７に書込むデータを入力する増幅器
書込み入力端子、１９は前記モニタフォトダイオード用
増幅器の出力光増幅信号をデジタル信号に変換するＡ／
Ｄコンバータ、２０は前記Ａ／Ｄコンバータ１９の基準
となる信号を格納する目的光出力設定用ＥＥＰ−ＲＯ
Ｍ、２１は前記目的光出力設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ２０に
書込むデータを入力する目的光出力書込み入力端子、２
２は前記Ａ／Ｄコンバータ１９の出力信号と前記目的光
出力設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ２０から読み取った信号とを
同一とさせる信号を出力するバイアス電流制御用演算回
路、２３は前記バイアス電流制御用演算回路２２の出力
信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータであ
る。
【００２６】次に動作について説明する。従来の技術で
は、図３に示すようにＡＰＣ基準電圧生成抵抗器５ｃ及
び５ｄによる基準電圧と電流電圧変換抵抗器５ｂの出力
電圧を、ＡＰＣ誤差増幅器５ｅによりアナログ電圧にて
比較していた。この発明に係る実施の形態３では、電流
電圧変換抵抗器５ｂの出力電圧をモニタフォトダイオー
ド用増幅器１６で増幅し、その増幅した信号をＡ／Ｄコ
ンバータ１９によりデジタル化したデジタルデータと、
データ書込み入力端子１８から入力された目的光出力設
定用ＥＥＰ−ＲＯＭ１７内の基準値となるデジタルデー
タとを演算器２２により比較し、この差異に応じたデジ
タルデータをＤ／Ａコンバータ２３に出力する。そし
て、アナログ電圧に変換された信号はバイアス電流生成
トランジスタ５ｆに入力され、レーザダイオード４ａの
バイアス電流が生成される。この一連の動作により、レ
ーザダイオード４ａの背面光は一定値に保たれ、その結
果、レーザダイオード４ａから出力される光出力パワー
を一定に保つことができる。
は、図３に示すようにＡＰＣ基準電圧生成抵抗器５ｃ及
び５ｄによる基準電圧と電流電圧変換抵抗器５ｂの出力
電圧を、ＡＰＣ誤差増幅器５ｅによりアナログ電圧にて
比較していた。この発明に係る実施の形態３では、電流
電圧変換抵抗器５ｂの出力電圧をモニタフォトダイオー
ド用増幅器１６で増幅し、その増幅した信号をＡ／Ｄコ
ンバータ１９によりデジタル化したデジタルデータと、
データ書込み入力端子１８から入力された目的光出力設
定用ＥＥＰ−ＲＯＭ１７内の基準値となるデジタルデー
タとを演算器２２により比較し、この差異に応じたデジ
タルデータをＤ／Ａコンバータ２３に出力する。そし
て、アナログ電圧に変換された信号はバイアス電流生成
トランジスタ５ｆに入力され、レーザダイオード４ａの
バイアス電流が生成される。この一連の動作により、レ
ーザダイオード４ａの背面光は一定値に保たれ、その結
果、レーザダイオード４ａから出力される光出力パワー
を一定に保つことができる。
【００２７】また、モニタフォトダイオード用増幅器１
６のゲイン情報はモニタフォトダイオード用増幅器設定
用ＥＥＰ−ＲＯＭ１７により、増幅器書込み入力端子１
８を介して設定できる。これにより一般にばらつきの大
きいモニタフォトダイオード４ｂの出力電流に対して
も、回路構成を変更することなく対応することができ
る。
６のゲイン情報はモニタフォトダイオード用増幅器設定
用ＥＥＰ−ＲＯＭ１７により、増幅器書込み入力端子１
８を介して設定できる。これにより一般にばらつきの大
きいモニタフォトダイオード４ｂの出力電流に対して
も、回路構成を変更することなく対応することができ
る。
【００２８】
【発明の効果】レーザダイオードが発光しているときと
消光しているときの温度差情報をペルチェクーラ制御用
演算回路に与えたことにより、消光信号入力時にレーザ
ダイオード４ａの温度を基準値から温度差情報を差し引
いた値に保つことができ、レーザダイオード４ａが発光
している間のみならず、消光信号が解除された直後もレ
ーザダイオード４ａの温度を一定に保つことができる。
消光しているときの温度差情報をペルチェクーラ制御用
演算回路に与えたことにより、消光信号入力時にレーザ
ダイオード４ａの温度を基準値から温度差情報を差し引
いた値に保つことができ、レーザダイオード４ａが発光
している間のみならず、消光信号が解除された直後もレ
ーザダイオード４ａの温度を一定に保つことができる。
【００２９】ペルチェクーラ制御用演算回路でのＰＩＤ
制御処理に必要な比例項、積分項、及び微分項の定数を
可変設定可能としたことにより、モジュールのケース
等、形状によって変わる熱容量に対応できる。
制御処理に必要な比例項、積分項、及び微分項の定数を
可変設定可能としたことにより、モジュールのケース
等、形状によって変わる熱容量に対応できる。
【００３０】自動光出力制御手段における、モニタフォ
トダイオード用増幅器のゲイン情報を外部より設定可能
としたことにより、モニタフォトダイオード電流値のば
らつきに対応できる。
トダイオード用増幅器のゲイン情報を外部より設定可能
としたことにより、モニタフォトダイオード電流値のば
らつきに対応できる。
【図１】 この発明による光送信器の実施の形態１また
は２を示すブロック図である。
は２を示すブロック図である。
【図２】 この発明による光送信器の実施の形態３を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図３】 従来の光送信器を示すブロック図である。
【図４】 レーザダイオードの光電変換効率図である。
１ａ データ正相入力端子、１ｂ データ負相入力端
子、２ 差動増幅器、３変調電流生成トランジスタ、４
レーザダイオードモジュール、４ａ レーザダイオー
ド、４ｂ モニタフォトダイオード、４ｃ サーミス
タ、４ｄ ペルチェクーラ、５ ＡＰＣブロック、５ａ
平滑化コンデンサ、５ｂ 電流電圧変換抵抗器、５ｃ
ＡＰＣ基準電圧生成抵抗器、５ｄ ＡＰＣ基準電圧生
成抵抗器、５ｅ ＡＰＣ誤差増幅器、５ｆ バイアス電
流生成トランジスタ、６ 変調電流生成ブロック、６ａ
変調電流生成抵抗器、７ ＡＴＣブロック、７ａ Ａ
ＴＣ基準電圧生成抵抗器、７ｂ ＡＴＣ基準電圧生成抵
抗器、７ｃ ＡＴＣ誤差増幅器、７ｄ ペルチェクーラ
電流生成トランジスタ、８ Ａ／Ｄコンバータ、９目的
温度設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、１０ 目的温度書込み入力
端子、１１ ペルチェクーラ制御用演算回路、１２、
Ｄ／Ａコンバータ、１３ 消光信号入力端子、１４ Ｅ
ＥＰ−ＲＯＭ、１５ 書込み入力端子、１６ モニタフ
ォトダイオード用増幅器、１７ 増幅器設定用ＥＥＰ−
ＲＯＭ、１８ 増幅器書込み入力端子、１９ Ａ／Ｄコ
ンバータ、２０ 目的光出力設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、２
１ 目的光出力書込み入力端子、２２ バイアス電流制
御用演算回路、２３ Ｄ／Ａコンバータ。
子、２ 差動増幅器、３変調電流生成トランジスタ、４
レーザダイオードモジュール、４ａ レーザダイオー
ド、４ｂ モニタフォトダイオード、４ｃ サーミス
タ、４ｄ ペルチェクーラ、５ ＡＰＣブロック、５ａ
平滑化コンデンサ、５ｂ 電流電圧変換抵抗器、５ｃ
ＡＰＣ基準電圧生成抵抗器、５ｄ ＡＰＣ基準電圧生
成抵抗器、５ｅ ＡＰＣ誤差増幅器、５ｆ バイアス電
流生成トランジスタ、６ 変調電流生成ブロック、６ａ
変調電流生成抵抗器、７ ＡＴＣブロック、７ａ Ａ
ＴＣ基準電圧生成抵抗器、７ｂ ＡＴＣ基準電圧生成抵
抗器、７ｃ ＡＴＣ誤差増幅器、７ｄ ペルチェクーラ
電流生成トランジスタ、８ Ａ／Ｄコンバータ、９目的
温度設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、１０ 目的温度書込み入力
端子、１１ ペルチェクーラ制御用演算回路、１２、
Ｄ／Ａコンバータ、１３ 消光信号入力端子、１４ Ｅ
ＥＰ−ＲＯＭ、１５ 書込み入力端子、１６ モニタフ
ォトダイオード用増幅器、１７ 増幅器設定用ＥＥＰ−
ＲＯＭ、１８ 増幅器書込み入力端子、１９ Ａ／Ｄコ
ンバータ、２０ 目的光出力設定用ＥＥＰ−ＲＯＭ、２
１ 目的光出力書込み入力端子、２２ バイアス電流制
御用演算回路、２３ Ｄ／Ａコンバータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/26 10/28
Claims (3)
- 【請求項１】 外部からの入力データ信号に応じて駆動
する差動増幅器と、 前記差動増幅器の出力信号に応じて光信号を出力するレ
ーザダイオードと、 前記レーザダイオードの出力光量に応じた出力信号を出
力するモニタフォトダイオードと、 前記レーザダイオードの検知温度信号を出力するサーミ
スタと、 前記レーザダイオードを冷却または加熱するペルチェク
ーラと、 前記モニタフォトダイオードにより出力された出力信号
と基準信号との差に基づいて前記レーザダイオードのバ
イアス電流を制御する自動光出力制御手段と、 前記サーミスタの検知温度信号に基づき前記レーザダイ
オードの温度補償を行う変調電流生成手段と、 前記ペルチェクーラを制御するペルチェクーラ制御手段
と、 前記サーミスタからの検知温度信号と、外部から与えら
れるサーミスタ検知温度信号の基準値との偏差に基づい
て、前記ペルチェクーラ制御手段にペルチェクーラ制御
信号を出力するペルチェクーラ制御用演算回路とを備
え、 前記ペルチェクーラ制御用演算回路は、消光信号が入力
された場合には、前記サーミスタ検知温度信号の基準値
に対し、外部から与えられる前記レーザダイオードの発
光しているときと消光しているときの温度差情報を差し
引いた値に応じた前記ペルチェクーラ制御信号を出力す
ることを特徴とする光送信器。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光送信器において、 前記ペルチェクーラ制御用演算回路は、上記偏差を比例
・積分・微分処理するＰＩＤ制御方式により演算処理を
行っており、 ＰＩＤ制御演算の比例項、積分項、及び微分項の定数が
外部から可変設定されることを特徴とする光送信器。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の光送信器にお
いて、 前記自動光出力制御手段は、 前記レーザダイオードのバイアス電流を制御するバイア
ス電流制御手段と、 前記モニタフォトダイオードの出力光信号を外部から与
えられるゲイン情報に基づき増幅した出力光増幅信号を
出力するモニタフォトダイオード用増幅器と、 前記の出力光増幅信号と外部から与えられる出力光増幅
信号の基準値との偏差に基づいて前記バイアス電流制御
手段にバイアス電流制御信号を出力するバイアス電流制
御用演算回路とを備えたことを特徴とする光送信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001340529A JP3488451B2 (ja) | 2000-11-07 | 2001-11-06 | 光送信器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-339080 | 2000-11-07 | ||
| JP2000339080 | 2000-11-07 | ||
| JP2001340529A JP3488451B2 (ja) | 2000-11-07 | 2001-11-06 | 光送信器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208752A true JP2002208752A (ja) | 2002-07-26 |
| JP3488451B2 JP3488451B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=26603528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001340529A Expired - Fee Related JP3488451B2 (ja) | 2000-11-07 | 2001-11-06 | 光送信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3488451B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007523494A (ja) * | 2004-02-21 | 2007-08-16 | フィニサー コーポレイション | 低密度波長分割多重化システムのための温度制御 |
| JP2008027977A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動装置 |
| JP2011029378A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器、安定化光源およびレーザダイオードの制御方法 |
| JP2016111054A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオードの温度制御回路、光送信器およびレーザダイオードの温度制御方法 |
| CN108604933A (zh) * | 2016-07-21 | 2018-09-28 | 华为技术有限公司 | 一种波长漂移的控制方法及系统 |
-
2001
- 2001-11-06 JP JP2001340529A patent/JP3488451B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007523494A (ja) * | 2004-02-21 | 2007-08-16 | フィニサー コーポレイション | 低密度波長分割多重化システムのための温度制御 |
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| JP2011029378A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器、安定化光源およびレーザダイオードの制御方法 |
| JP2016111054A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオードの温度制御回路、光送信器およびレーザダイオードの温度制御方法 |
| CN108604933A (zh) * | 2016-07-21 | 2018-09-28 | 华为技术有限公司 | 一种波长漂移的控制方法及系统 |
| CN108604933B (zh) * | 2016-07-21 | 2020-04-21 | 华为技术有限公司 | 一种波长漂移的控制方法及系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3488451B2 (ja) | 2004-01-19 |
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