JPH09162110A - 露光装置 - Google Patents
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- JPH09162110A JPH09162110A JP7322920A JP32292095A JPH09162110A JP H09162110 A JPH09162110 A JP H09162110A JP 7322920 A JP7322920 A JP 7322920A JP 32292095 A JP32292095 A JP 32292095A JP H09162110 A JPH09162110 A JP H09162110A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光光源にパルス光を発生するＡｒＦ又はＫ
ｒＦエキシマレーザー光源等を使用しても、レンズの透
過率及び屈折率に対する影響を抑える。 【解決手段】 ２つの同じ波長のパルス光を同じ発振周
期Ｔで発振するパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 からのそれぞれの
レーザービームＢ１，Ｂ２をビームスプリッター１で２
分割した後、それぞれ１／２ずつのレーザービームＢ
１，Ｂ２から合成された２つのレーザービームＬＢ１，
ＬＢ２をそれぞれ露光装置本体部Ｌ1 ，Ｌ2に供給す
る。パルス発振制御回路１０により２つのパルス光源Ｅ
1 ，Ｅ2 のパルスの発振タイミングを互いにＴ／２だけ
ずらし、２つの露光装置本体部に供給するレーザービー
ムＬＢ１，ＬＢ２のパルス周波数を２倍にし、１パルス
光当たりの照射エネルギー密度を１／２にしてソラリゼ
ーション及びラジエーション・コンパクションによるレ
ンズの透過率及び屈折率の変化を抑える。
ｒＦエキシマレーザー光源等を使用しても、レンズの透
過率及び屈折率に対する影響を抑える。 【解決手段】 ２つの同じ波長のパルス光を同じ発振周
期Ｔで発振するパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 からのそれぞれの
レーザービームＢ１，Ｂ２をビームスプリッター１で２
分割した後、それぞれ１／２ずつのレーザービームＢ
１，Ｂ２から合成された２つのレーザービームＬＢ１，
ＬＢ２をそれぞれ露光装置本体部Ｌ1 ，Ｌ2に供給す
る。パルス発振制御回路１０により２つのパルス光源Ｅ
1 ，Ｅ2 のパルスの発振タイミングを互いにＴ／２だけ
ずらし、２つの露光装置本体部に供給するレーザービー
ムＬＢ１，ＬＢ２のパルス周波数を２倍にし、１パルス
光当たりの照射エネルギー密度を１／２にしてソラリゼ
ーション及びラジエーション・コンパクションによるレ
ンズの透過率及び屈折率の変化を抑える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で
使用される露光装置に関し、特に露光用の照明光として
ＫｒＦエキシマレーザー光又はＡｒＦエキシマレーザー
光等のパルス光を用いる場合に好適なものである。
子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で
使用される露光装置に関し、特に露光用の照明光として
ＫｒＦエキシマレーザー光又はＡｒＦエキシマレーザー
光等のパルス光を用いる場合に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば半導体素子等を製造するた
めのフォトリソグラフィ工程では、レチクル（又はフォ
トマスク等）のパターンをウエハ（又はガラスプレート
等）上に転写するための例えばステッパー等の投影露光
装置が使用されている。これらの投影露光装置では、ウ
エハ上にできるだけ高集積度のパターンを焼き付けるた
め、露光の解像力を上げる必要があり、露光用の照明光
として次々と短波長の光の使用が試みられてきている。
現在、露光用の照明光としては超高圧水銀ランプを光源
とする波長３６５ｎｍのｉ線が主に使用されているが、
最近ではそのｉ線より短い遠紫外域の波長２４８ｎｍの
ＫｒＦエキシマレーザー光が使用されつつあり、更に波
長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光等の使用も検
討されている。
めのフォトリソグラフィ工程では、レチクル（又はフォ
トマスク等）のパターンをウエハ（又はガラスプレート
等）上に転写するための例えばステッパー等の投影露光
装置が使用されている。これらの投影露光装置では、ウ
エハ上にできるだけ高集積度のパターンを焼き付けるた
め、露光の解像力を上げる必要があり、露光用の照明光
として次々と短波長の光の使用が試みられてきている。
現在、露光用の照明光としては超高圧水銀ランプを光源
とする波長３６５ｎｍのｉ線が主に使用されているが、
最近ではそのｉ線より短い遠紫外域の波長２４８ｎｍの
ＫｒＦエキシマレーザー光が使用されつつあり、更に波
長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光等の使用も検
討されている。
【０００３】また、紫外域等の短波長の照明光として
は、金属蒸気レーザー（銅蒸気レーザー光）やＹＡＧレ
ーザー光の高調波等も使用できる可能性があるが、これ
らのレーザー光及びエキシマレーザー光はパルス光であ
る。このような短波長の照明光を使用する投影露光装置
用の投影光学系等のレンズとしては短波長域の光を使用
した場合でも高い透過率であることが要求され、このよ
うな条件で使用されるレンズの硝材は、現在の処石英及
び蛍石に限られている。
は、金属蒸気レーザー（銅蒸気レーザー光）やＹＡＧレ
ーザー光の高調波等も使用できる可能性があるが、これ
らのレーザー光及びエキシマレーザー光はパルス光であ
る。このような短波長の照明光を使用する投影露光装置
用の投影光学系等のレンズとしては短波長域の光を使用
した場合でも高い透過率であることが要求され、このよ
うな条件で使用されるレンズの硝材は、現在の処石英及
び蛍石に限られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、露光用の照明
光としてエキシマレーザー光、特にＡｒＦエキシマレー
ザー光を使用する際には、エキシマレーザー光がパルス
光であるために従来の投影露光方式と同様のシステムで
は、極めて不都合な問題が発生する。即ち、エキシマレ
ーザー光源はその構造上、６００〜１０００Ｈｚの周波
数で数ｎsec の超短時間に急激に立上るパルスレーザー
光を断続的に発生する。従って、連続光と同程度の単位
時間当たりの露光エネルギーを得るためには、パルスレ
ーザー光の１パルス当たりのエネルギー量は極めて大き
なものとなる。このようなエネルギー量が大きく急激に
変化するパルスレーザー光を、投影露光装置の特に投影
光学系のレンズに断続的に照射し続けると、硝材として
石英を用いたレンズでも、照射されている部分のみ透過
率が低下するソラリゼーション（Solarization）という
現象が起こる。この透過率の低下の程度は、フルエンス
（Fluence ）、即ち１パルス光当たりの照射エネルギー
密度〔ｍＪ／（ｃｍ2 ・ｐｕｌｓｅ）〕の２乗に比例す
る。
光としてエキシマレーザー光、特にＡｒＦエキシマレー
ザー光を使用する際には、エキシマレーザー光がパルス
光であるために従来の投影露光方式と同様のシステムで
は、極めて不都合な問題が発生する。即ち、エキシマレ
ーザー光源はその構造上、６００〜１０００Ｈｚの周波
数で数ｎsec の超短時間に急激に立上るパルスレーザー
光を断続的に発生する。従って、連続光と同程度の単位
時間当たりの露光エネルギーを得るためには、パルスレ
ーザー光の１パルス当たりのエネルギー量は極めて大き
なものとなる。このようなエネルギー量が大きく急激に
変化するパルスレーザー光を、投影露光装置の特に投影
光学系のレンズに断続的に照射し続けると、硝材として
石英を用いたレンズでも、照射されている部分のみ透過
率が低下するソラリゼーション（Solarization）という
現象が起こる。この透過率の低下の程度は、フルエンス
（Fluence ）、即ち１パルス光当たりの照射エネルギー
密度〔ｍＪ／（ｃｍ2 ・ｐｕｌｓｅ）〕の２乗に比例す
る。
【０００５】また、石英は照射されている部分のみ、フ
ルエンスの２乗に比例して屈折率が上昇するラジエーシ
ョン・コンパクション（Radiation Compaction）という
現象が起こる。石英に関するラジエーション・コンパク
ションを計算した例によれば、ＫｒＦエキシマレーザー
光を使用し、フルエンスが１ｍＪ／（ｃｍ2 ・ｐｕｌｓ
ｅ）の場合、１０10ショット後の屈折率の上昇幅は５×
１０-7程度である。一方、ＡｒＦエキシマレーザー光を
使用した場合は、ＫｒＦエキシマレーザー光を使用した
場合に比較してラジエーション・コンパクションにより
石英の屈折率は２桁程度大きくなると考えられている。
ルエンスの２乗に比例して屈折率が上昇するラジエーシ
ョン・コンパクション（Radiation Compaction）という
現象が起こる。石英に関するラジエーション・コンパク
ションを計算した例によれば、ＫｒＦエキシマレーザー
光を使用し、フルエンスが１ｍＪ／（ｃｍ2 ・ｐｕｌｓ
ｅ）の場合、１０10ショット後の屈折率の上昇幅は５×
１０-7程度である。一方、ＡｒＦエキシマレーザー光を
使用した場合は、ＫｒＦエキシマレーザー光を使用した
場合に比較してラジエーション・コンパクションにより
石英の屈折率は２桁程度大きくなると考えられている。
【０００６】このようなラジエーション・コンパクショ
ンによる石英の屈折率の部分的な上昇は、特に投影光学
系のレンズの収差に極めて悪い影響を及ぼす。また、ソ
ラリゼーションによりレンズの透過率が部分的に低下す
ると、レーザー照射により吸収されたエネルギーは熱と
なり、レンズの温度分布が局所的に上昇することにより
レンズが熱変形し、収差に悪影響を及ぼすことになる。
また、温度上昇はレンズの屈折率の上昇をもたらし、そ
れもレンズの収差に悪影響を及ぼすことになる。
ンによる石英の屈折率の部分的な上昇は、特に投影光学
系のレンズの収差に極めて悪い影響を及ぼす。また、ソ
ラリゼーションによりレンズの透過率が部分的に低下す
ると、レーザー照射により吸収されたエネルギーは熱と
なり、レンズの温度分布が局所的に上昇することにより
レンズが熱変形し、収差に悪影響を及ぼすことになる。
また、温度上昇はレンズの屈折率の上昇をもたらし、そ
れもレンズの収差に悪影響を及ぼすことになる。
【０００７】そこで、ソラリゼーションやラジエーショ
ン・コンパクションの影響を抑えるための対策としてパ
ルスレーザー光のパルス周波数を多くして、１パルス当
たりのエネルギー量を抑える方法が考えられる。例え
ば、現在エキシマレーザーのパルス周波数は１ｋＨｚ程
度が限度であるといわれているが、仮にパルス周波数が
２倍になれば、同じスループット（単位時間当たりのウ
エハの処理枚数）にするための１パルス当たりのレーザ
ーエネルギー量を１／２にすることができる。これによ
り、フルエンスの値も１／２になる。ここで、フルエン
スの値をＦとし、単位時間当たりのパルス数（パルス周
波数）をＰとすると、ソラリゼーション及びラジエーシ
ョン・コンパクションは共にフルエンスＦの２乗とパル
ス数Ｐとの積に比例する。そこで、フルエンスＦの初期
値をＦ0 、パルス数Ｐの初期値をＰ 0 とすると、次式の
ように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパ
クションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に
１／２となる。
ン・コンパクションの影響を抑えるための対策としてパ
ルスレーザー光のパルス周波数を多くして、１パルス当
たりのエネルギー量を抑える方法が考えられる。例え
ば、現在エキシマレーザーのパルス周波数は１ｋＨｚ程
度が限度であるといわれているが、仮にパルス周波数が
２倍になれば、同じスループット（単位時間当たりのウ
エハの処理枚数）にするための１パルス当たりのレーザ
ーエネルギー量を１／２にすることができる。これによ
り、フルエンスの値も１／２になる。ここで、フルエン
スの値をＦとし、単位時間当たりのパルス数（パルス周
波数）をＰとすると、ソラリゼーション及びラジエーシ
ョン・コンパクションは共にフルエンスＦの２乗とパル
ス数Ｐとの積に比例する。そこで、フルエンスＦの初期
値をＦ0 、パルス数Ｐの初期値をＰ 0 とすると、次式の
ように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパ
クションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に
１／２となる。
【０００８】 Ｆ2 ・Ｐ＝（Ｆ0 ／２)2・（２Ｐ0 ）＝Ｆ0 2・Ｐ0 ／２ 即ち、同じスループットで考えると、パルス周波数に反
比例して、ソラリゼーション及びラジエーション・コン
パクションの影響が少なくなる。ところで、パルス発光
型のエキシマレーザーのレーザーガスとして使用される
フッ素ガス（Ｆ2 ）中には、空気中の酸素ガス（Ｏ2 ）
や窒素ガス（Ｎ2 ）、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、フッ化
水素（ＨＦ）、及び四フッ化珪素（ＳｉＦ4 ）等の不純
物が含まれており、放電によって更に、カーボン
（Ｃ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、及び各種のフッ素化合
物が生成する。これらの不純化合物はレーザーガスを劣
化させてレーザー出力を低下させると共に、レーザー光
を吸収し、更には透過窓の汚れの原因となる。そのた
め、汚れたレーザーガスを高速で排気する機構が設けら
れている。
比例して、ソラリゼーション及びラジエーション・コン
パクションの影響が少なくなる。ところで、パルス発光
型のエキシマレーザーのレーザーガスとして使用される
フッ素ガス（Ｆ2 ）中には、空気中の酸素ガス（Ｏ2 ）
や窒素ガス（Ｎ2 ）、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、フッ化
水素（ＨＦ）、及び四フッ化珪素（ＳｉＦ4 ）等の不純
物が含まれており、放電によって更に、カーボン
（Ｃ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、及び各種のフッ素化合
物が生成する。これらの不純化合物はレーザーガスを劣
化させてレーザー出力を低下させると共に、レーザー光
を吸収し、更には透過窓の汚れの原因となる。そのた
め、汚れたレーザーガスを高速で排気する機構が設けら
れている。
【０００９】従って、エキシマレーザー光源からのパル
ス光の周波数を２倍に上げるためには、２倍の高速性を
有するレーザーガスの排気機構が必要となり、パルス光
の周波数を更に上げたい場合には、それに対応して排気
機構を更に高速のものに切り換える必要がある。しか
し、現行の技術では排気機構の速度には一定の限界があ
り、パルス光の発振周波数を一定の限度までしか上げら
れないという不都合がある。
ス光の周波数を２倍に上げるためには、２倍の高速性を
有するレーザーガスの排気機構が必要となり、パルス光
の周波数を更に上げたい場合には、それに対応して排気
機構を更に高速のものに切り換える必要がある。しか
し、現行の技術では排気機構の速度には一定の限界があ
り、パルス光の発振周波数を一定の限度までしか上げら
れないという不都合がある。
【００１０】本発明は斯かる点に鑑み、露光用の照明光
としてＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレー
ザー光等のように、単独の光源ではパルス周波数を所定
の限度以上に上げるのが困難なパルス光を使用した場合
でも、装置内で使用されるレンズの透過率及び屈折率の
変化を抑えることができる露光装置を提供することを目
的とする。
としてＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレー
ザー光等のように、単独の光源ではパルス周波数を所定
の限度以上に上げるのが困難なパルス光を使用した場合
でも、装置内で使用されるレンズの透過率及び屈折率の
変化を抑えることができる露光装置を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による露光装置
は、露光用の照明光のもとでマスクパターン（３）を感
光性の基板（６）上に転写する露光装置において、露光
用の照明光（Ｂ１，Ｂ２）を互いに異なるタイミングで
それぞれパルス発光させる複数個のパルス光源（Ｅ1 ，
Ｅ2 ）と、この複数個のパルス光源からの照明光（Ｂ
１，Ｂ２）を合成する合成光学系（１Ａ）と、この合成
光学系により合成される照明光（ＬＢ１）を受けて、そ
のマスクパターンをその感光性の基板（６）上に転写す
る露光部（Ｌ 1 ）と、を有するものである。
は、露光用の照明光のもとでマスクパターン（３）を感
光性の基板（６）上に転写する露光装置において、露光
用の照明光（Ｂ１，Ｂ２）を互いに異なるタイミングで
それぞれパルス発光させる複数個のパルス光源（Ｅ1 ，
Ｅ2 ）と、この複数個のパルス光源からの照明光（Ｂ
１，Ｂ２）を合成する合成光学系（１Ａ）と、この合成
光学系により合成される照明光（ＬＢ１）を受けて、そ
のマスクパターンをその感光性の基板（６）上に転写す
る露光部（Ｌ 1 ）と、を有するものである。
【００１２】斯かる本発明の露光装置によれば、基板
（６）上には、異なるタイミングでパルス発光させた照
明光（Ｂ１，Ｂ２）が合成された照明光（ＬＢ１）が照
射される。従って、合成された照明光（ＬＢ１）のパル
ス周波数はパルス光源の数に比例して増加し、露光部
（Ｌ1 ）における必要な照射エネルギー量を一定とすれ
ば、１パルス光当たりの照射エネルギー量はパルス光源
の数に反比例して減少する。例えば、パルス光源とし
て、ＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレーザ
ー光等の短波長のパルス光を発生する光源が使用され
る。そして、パルス光のエネルギーが大きくなると、ソ
ラリゼーションやラジエーション・コンパクションによ
り露光部（Ｌ1 ）で使用されるレンズの透過率及び屈折
率が変化する。これらのソラリゼーション及びラジエー
ション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折
率の変化は、レンズを透過する照明光の照射エネルギー
密度、即ちフルエンスＦの２乗に比例し、パルス数（パ
ルス周波数）Ｐに比例する。従って、本発明によれば、
パルス数Ｐはパルス光源の数に比例して増加するが、フ
ルエンスＦはパルス光源の数に反比例して減少するた
め、パルス光源の数を例えばｎとした場合、フルエンス
Ｆの初期値をＦ0 、パルス数Ｐの初期値をＰ0 とする
と、レンズの透過率及び屈折率の変化は次式に示すよう
に１／ｎに減少する。
（６）上には、異なるタイミングでパルス発光させた照
明光（Ｂ１，Ｂ２）が合成された照明光（ＬＢ１）が照
射される。従って、合成された照明光（ＬＢ１）のパル
ス周波数はパルス光源の数に比例して増加し、露光部
（Ｌ1 ）における必要な照射エネルギー量を一定とすれ
ば、１パルス光当たりの照射エネルギー量はパルス光源
の数に反比例して減少する。例えば、パルス光源とし
て、ＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレーザ
ー光等の短波長のパルス光を発生する光源が使用され
る。そして、パルス光のエネルギーが大きくなると、ソ
ラリゼーションやラジエーション・コンパクションによ
り露光部（Ｌ1 ）で使用されるレンズの透過率及び屈折
率が変化する。これらのソラリゼーション及びラジエー
ション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折
率の変化は、レンズを透過する照明光の照射エネルギー
密度、即ちフルエンスＦの２乗に比例し、パルス数（パ
ルス周波数）Ｐに比例する。従って、本発明によれば、
パルス数Ｐはパルス光源の数に比例して増加するが、フ
ルエンスＦはパルス光源の数に反比例して減少するた
め、パルス光源の数を例えばｎとした場合、フルエンス
Ｆの初期値をＦ0 、パルス数Ｐの初期値をＰ0 とする
と、レンズの透過率及び屈折率の変化は次式に示すよう
に１／ｎに減少する。
【００１３】Ｆ2 ・Ｐ＝（Ｆ0 ／ｎ)2・（ｎＰ0 ）＝
（１／ｎ）Ｆ0 2・Ｐ0 従って、本発明によれば、ＫｒＦエキシマレーザー光や
ＡｒＦエキシマレーザー光等のパルス光を使用した場合
でも、露光部（Ｌ1 ）内で使用されるレンズの透過率及
び屈折率の変化を抑えることができる。この場合、その
複数個のパルス光源（Ｅ1 ，Ｅ2 ）から発光される各々
のパルス光（Ｂ１，Ｂ２）の発光タイミングを制御する
パルス発光制御系（１０）をさらに備えることが好まし
い。これにより、各々のパルス光（Ｂ１，Ｂ２）の発光
のタイミングを制御して、最終的に得られる照明光（Ｌ
Ｂ１）の各パルス光間の周期を均一化することができ
る。
（１／ｎ）Ｆ0 2・Ｐ0 従って、本発明によれば、ＫｒＦエキシマレーザー光や
ＡｒＦエキシマレーザー光等のパルス光を使用した場合
でも、露光部（Ｌ1 ）内で使用されるレンズの透過率及
び屈折率の変化を抑えることができる。この場合、その
複数個のパルス光源（Ｅ1 ，Ｅ2 ）から発光される各々
のパルス光（Ｂ１，Ｂ２）の発光タイミングを制御する
パルス発光制御系（１０）をさらに備えることが好まし
い。これにより、各々のパルス光（Ｂ１，Ｂ２）の発光
のタイミングを制御して、最終的に得られる照明光（Ｌ
Ｂ１）の各パルス光間の周期を均一化することができ
る。
【００１４】また、その露光部を第１の露光部（Ｌ1 ）
として、第２のマスクパターンを第２の感光性の基板上
に転写する第２の露光部（Ｌ2 ）をさらに配置し、その
合成光学系は、その複数個のパルス光源中の第１のパル
ス光源（Ｅ1 ）からの第１照明光（Ｂ１）と第２のパル
ス光源（Ｅ2 ）からの第２照明光（Ｂ２）とを受けて、
第１及び第２の合成光（ＬＢ１，ＬＢ２）をそれぞれ生
成するビームスプリッター（１Ａ）を有し、その第１の
合成光（ＬＢ１）をその第１の露光部（Ｌ1 ）へ導き、
その第２の合成光（ＬＢ２）をその第２の露光部
（Ｌ2 ）へ導くことが好ましい。これにより、ビームス
プリッター（１Ａ）で分割される２倍の周波数を有する
２つの合成光（ＬＢ１，ＬＢ２）を２つの露光部
（Ｌ1 ，Ｌ2 ）に無駄なく供給することができる。
として、第２のマスクパターンを第２の感光性の基板上
に転写する第２の露光部（Ｌ2 ）をさらに配置し、その
合成光学系は、その複数個のパルス光源中の第１のパル
ス光源（Ｅ1 ）からの第１照明光（Ｂ１）と第２のパル
ス光源（Ｅ2 ）からの第２照明光（Ｂ２）とを受けて、
第１及び第２の合成光（ＬＢ１，ＬＢ２）をそれぞれ生
成するビームスプリッター（１Ａ）を有し、その第１の
合成光（ＬＢ１）をその第１の露光部（Ｌ1 ）へ導き、
その第２の合成光（ＬＢ２）をその第２の露光部
（Ｌ2 ）へ導くことが好ましい。これにより、ビームス
プリッター（１Ａ）で分割される２倍の周波数を有する
２つの合成光（ＬＢ１，ＬＢ２）を２つの露光部
（Ｌ1 ，Ｌ2 ）に無駄なく供給することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明による露光装置の実
施の形態の一例につき図１及び図５を参照して説明す
る。本例は、レチクルのパターンを投影光学系を介して
ウエハ上の各ショット領域に一括露光するステッパー型
の投影露光装置に本発明を適用したものである。
施の形態の一例につき図１及び図５を参照して説明す
る。本例は、レチクルのパターンを投影光学系を介して
ウエハ上の各ショット領域に一括露光するステッパー型
の投影露光装置に本発明を適用したものである。
【００１６】図１は、本例の投影露光装置の概略構成を
示し、この図１に示すように、本例では露光用の光源と
してそれぞれパルス発振型の第１のパルス光源Ｅ1 及び
第２のパルス光源Ｅ2 よりなる２個の異なる光源を用い
ている。パルス光源Ｅ1 ，Ｅ 2 は同じ種類の光源であ
り、パルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 からは同じ波長でパルスの発
振周期が等しいレーザービームが射出される。パルス光
源Ｅ1 ，Ｅ2 としては、本例ではＡｒＦエキシマレーザ
ー光源を使用する。それ以外にパルス光源としては、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー光源等のエキシマレーザー光源、
銅蒸気レーザー光源、又はＹＡＧレーザーの高調波発生
装置等が使用できる。パルス光源Ｅ1 ，Ｅ 2 は共にパル
ス発振制御回路１０により発光のタイミングが制御され
ている。また、パルス発振制御回路１０は装置全体を統
括制御する中央制御系１１により制御されており、中央
制御系１１の指令に基づき２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2
のパルス発光のタイミングが重ならないように発光さ
れ、２個のパルス光の強度もほぼ同じになるようにウエ
ハ側での照度測定結果に基づいて制御される。
示し、この図１に示すように、本例では露光用の光源と
してそれぞれパルス発振型の第１のパルス光源Ｅ1 及び
第２のパルス光源Ｅ2 よりなる２個の異なる光源を用い
ている。パルス光源Ｅ1 ，Ｅ 2 は同じ種類の光源であ
り、パルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 からは同じ波長でパルスの発
振周期が等しいレーザービームが射出される。パルス光
源Ｅ1 ，Ｅ2 としては、本例ではＡｒＦエキシマレーザ
ー光源を使用する。それ以外にパルス光源としては、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー光源等のエキシマレーザー光源、
銅蒸気レーザー光源、又はＹＡＧレーザーの高調波発生
装置等が使用できる。パルス光源Ｅ1 ，Ｅ 2 は共にパル
ス発振制御回路１０により発光のタイミングが制御され
ている。また、パルス発振制御回路１０は装置全体を統
括制御する中央制御系１１により制御されており、中央
制御系１１の指令に基づき２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2
のパルス発光のタイミングが重ならないように発光さ
れ、２個のパルス光の強度もほぼ同じになるようにウエ
ハ側での照度測定結果に基づいて制御される。
【００１７】第１のパルス光源Ｅ1 及び第２のパルス光
源Ｅ2 からそれぞれパルス発光されたレーザービームＢ
１及びＢ２は、互いに直交する方向からビームスプリッ
ター１Ａに入射する。ビームスプリッター１Ａは、入射
するレーザービームのほぼ１／２を透過し、残りの１／
２を反射するハーフミラー面によりレーザービームＢ１
及びＢ２をそれぞれ２分割する。この結果、ビームスプ
リッター１Ａからは、それぞれ１／２のレーザービーム
Ｂ１及び１／２のレーザービームＢ２から合成された２
つのレーザービームＬＢ１，ＬＢ２が互いに直交する方
向に射出される。
源Ｅ2 からそれぞれパルス発光されたレーザービームＢ
１及びＢ２は、互いに直交する方向からビームスプリッ
ター１Ａに入射する。ビームスプリッター１Ａは、入射
するレーザービームのほぼ１／２を透過し、残りの１／
２を反射するハーフミラー面によりレーザービームＢ１
及びＢ２をそれぞれ２分割する。この結果、ビームスプ
リッター１Ａからは、それぞれ１／２のレーザービーム
Ｂ１及び１／２のレーザービームＢ２から合成された２
つのレーザービームＬＢ１，ＬＢ２が互いに直交する方
向に射出される。
【００１８】合成されて射出された一方のレーザービー
ムＬＢ１は、次にビームの断面形状を整形するためのビ
ーム整形光学系、レーザービームの透過率を複数段階で
切り換える減光部、レチクル上での照度分布を均一化す
るフライアイレンズ、視野絞り、リレーレンズ、及びコ
ンデンサーレンズ等を含む照明光学系２を介してレチク
ル３を照明する。露光用の照明光としてのパルス発光さ
れるレーザービームＬＢ１のもとで、レチクル３上のパ
ターンの投影光学系５を介した像がウエハ６上に投影露
光される。以下、投影光学系５の光軸ＡＸに平行にＺ軸
を取り、Ｚ軸に垂直な平面上で図１の紙面に平行にＸ
軸、図１の紙面に垂直にＹ軸を取り説明する。
ムＬＢ１は、次にビームの断面形状を整形するためのビ
ーム整形光学系、レーザービームの透過率を複数段階で
切り換える減光部、レチクル上での照度分布を均一化す
るフライアイレンズ、視野絞り、リレーレンズ、及びコ
ンデンサーレンズ等を含む照明光学系２を介してレチク
ル３を照明する。露光用の照明光としてのパルス発光さ
れるレーザービームＬＢ１のもとで、レチクル３上のパ
ターンの投影光学系５を介した像がウエハ６上に投影露
光される。以下、投影光学系５の光軸ＡＸに平行にＺ軸
を取り、Ｚ軸に垂直な平面上で図１の紙面に平行にＸ
軸、図１の紙面に垂直にＹ軸を取り説明する。
【００１９】レチクル３はレチクルステージ４上に保持
され、レチクルステージ４は投影光学系５の光軸ＡＸに
垂直な平面内でＸ方向、Ｙ方向、及び回転方向（θ方
向）にレチクル３の位置決めを行う。一方、ウエハ６は
不図示のウエハホルダを介してウエハステージ７上に載
置されている。ウエハステージ７は投影光学系５の光軸
ＡＸに垂直な平面内でＸ方向、Ｙ方向、及び回転方向
（θ方向）にウエハ６の位置決めを行うと共にウエハ６
の焦点方向（Ｚ方向）の位置決めも行う。その他、本例
の投影露光装置には不図示であるがウエハ６の焦点位置
を検出する焦点位置検出系、レチクル３とウエハ６との
位置合わせを行うための各種のアライメント系等が設置
されている。以下、それらの焦点位置検出系、アライメ
ント系等を含み、照明光学系２からウエハステージ７ま
での露光部をまとめて第１の露光装置本体部Ｌ1 として
説明する。
され、レチクルステージ４は投影光学系５の光軸ＡＸに
垂直な平面内でＸ方向、Ｙ方向、及び回転方向（θ方
向）にレチクル３の位置決めを行う。一方、ウエハ６は
不図示のウエハホルダを介してウエハステージ７上に載
置されている。ウエハステージ７は投影光学系５の光軸
ＡＸに垂直な平面内でＸ方向、Ｙ方向、及び回転方向
（θ方向）にウエハ６の位置決めを行うと共にウエハ６
の焦点方向（Ｚ方向）の位置決めも行う。その他、本例
の投影露光装置には不図示であるがウエハ６の焦点位置
を検出する焦点位置検出系、レチクル３とウエハ６との
位置合わせを行うための各種のアライメント系等が設置
されている。以下、それらの焦点位置検出系、アライメ
ント系等を含み、照明光学系２からウエハステージ７ま
での露光部をまとめて第１の露光装置本体部Ｌ1 として
説明する。
【００２０】本例には第１の露光装置本体部Ｌ1 と同様
の第２の露光装置本体部Ｌ2 が設置されており、ビーム
スプリッター１Ａで合成された他方のレーザービームＬ
Ｂ２が第２の露光装置本体部Ｌ2 に入射し、露光用の照
明光として使用される。次に、本例の投影露光装置の動
作について説明する。なお、以下の説明においてビーム
スプリッター及びミラーは、特に説明する場合を除き、
すべて入射するレーザービームの光路に対してほぼ傾斜
角度４５°の反射面を有するように配置されているもの
とする。
の第２の露光装置本体部Ｌ2 が設置されており、ビーム
スプリッター１Ａで合成された他方のレーザービームＬ
Ｂ２が第２の露光装置本体部Ｌ2 に入射し、露光用の照
明光として使用される。次に、本例の投影露光装置の動
作について説明する。なお、以下の説明においてビーム
スプリッター及びミラーは、特に説明する場合を除き、
すべて入射するレーザービームの光路に対してほぼ傾斜
角度４５°の反射面を有するように配置されているもの
とする。
【００２１】本例は、２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 を用
いて、パルス発振制御回路１０により、パルス光源Ｅ1
とパルス光源Ｅ2 とのパルス光の発振時期をずらし、ビ
ームスプリッター１Ａによりパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 から
それぞれ射出されるレーザービームＢ１，Ｂ２をそれぞ
れ２分割した後、分割された１／２ずつのレーザービー
ムＢ１，Ｂ２を合成して２つのレーザービームＬＢ１及
びＬＢ２を生成して、それぞれ第１の露光装置本体部Ｌ
1 及び第２の露光装置本体部Ｌ2 に供給するものであ
る。即ち、２個のパルス光源からのレーザービームを合
成し、単位時間当たりのパルス数Ｐを２倍にすることに
よりフルエンスＦの値を１／２にして、２台の露光装置
本体部Ｌ1 ，Ｌ2 に使用されているレンズ群、特に投影
光学系に使用されているレンズ群に対するソラリゼーシ
ョン及びラジエーション・コンパクションの影響を軽減
するものである。以下、図５を参照して詳しく説明す
る。
いて、パルス発振制御回路１０により、パルス光源Ｅ1
とパルス光源Ｅ2 とのパルス光の発振時期をずらし、ビ
ームスプリッター１Ａによりパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 から
それぞれ射出されるレーザービームＢ１，Ｂ２をそれぞ
れ２分割した後、分割された１／２ずつのレーザービー
ムＢ１，Ｂ２を合成して２つのレーザービームＬＢ１及
びＬＢ２を生成して、それぞれ第１の露光装置本体部Ｌ
1 及び第２の露光装置本体部Ｌ2 に供給するものであ
る。即ち、２個のパルス光源からのレーザービームを合
成し、単位時間当たりのパルス数Ｐを２倍にすることに
よりフルエンスＦの値を１／２にして、２台の露光装置
本体部Ｌ1 ，Ｌ2 に使用されているレンズ群、特に投影
光学系に使用されているレンズ群に対するソラリゼーシ
ョン及びラジエーション・コンパクションの影響を軽減
するものである。以下、図５を参照して詳しく説明す
る。
【００２２】図５は、本例のパルス発振のタイミングを
説明するためのタイミングチャートを示し、図５（ａ）
は第１のパルス光源Ｅ1 だけの場合のパルス発振のタイ
ミングを示し、図５（ｂ）は２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ
2 のパルス発振のタイミングを合成したものである。図
５（ｃ）については後述するが、図５（ａ）〜図５
（ｃ）の横軸は時間ｔを表し、時間軸から垂直方向に伸
びる直線がパルスレーザービームの発振のタイミングを
示す。また、各パルス発振がどの光源で生ずるのかを示
すため、その垂直方向に伸びる直線の下部に発光するパ
ルス光源の符号（Ｅ 1 又はＥ2 等）を表示している。
説明するためのタイミングチャートを示し、図５（ａ）
は第１のパルス光源Ｅ1 だけの場合のパルス発振のタイ
ミングを示し、図５（ｂ）は２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ
2 のパルス発振のタイミングを合成したものである。図
５（ｃ）については後述するが、図５（ａ）〜図５
（ｃ）の横軸は時間ｔを表し、時間軸から垂直方向に伸
びる直線がパルスレーザービームの発振のタイミングを
示す。また、各パルス発振がどの光源で生ずるのかを示
すため、その垂直方向に伸びる直線の下部に発光するパ
ルス光源の符号（Ｅ 1 又はＥ2 等）を表示している。
【００２３】図５（ｂ）に示すように、第１のパルス光
源Ｅ1 からは一定の周期Ｔでパルス光が発振されてい
る。同時に、第２のパルス光源Ｅ2 からも一定の周期Ｔ
でパルス光が発振されている。この場合、パルス光源Ｅ
1 のパルス発振のタイミングと、パルス光源Ｅ2 のパル
ス発振のタイミングとはＴ／２だけずれている。そのた
め、２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 からのパルス光を合成
した合成パルス光の発振周期はＴ／２となる。即ち、パ
ルス光源Ｅ1 及びパルス光源Ｅ2 のパルス光の発振周波
数が例えば共に、１ｋＨｚの場合、合成パルス光、即ち
露光装置本体部Ｌ 1 及びＬ2 にそれぞれ供給されるレー
ザービームＬＢ１及びＬＢ２のパルス周波数は共に２ｋ
Ｈｚとなる。
源Ｅ1 からは一定の周期Ｔでパルス光が発振されてい
る。同時に、第２のパルス光源Ｅ2 からも一定の周期Ｔ
でパルス光が発振されている。この場合、パルス光源Ｅ
1 のパルス発振のタイミングと、パルス光源Ｅ2 のパル
ス発振のタイミングとはＴ／２だけずれている。そのた
め、２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 からのパルス光を合成
した合成パルス光の発振周期はＴ／２となる。即ち、パ
ルス光源Ｅ1 及びパルス光源Ｅ2 のパルス光の発振周波
数が例えば共に、１ｋＨｚの場合、合成パルス光、即ち
露光装置本体部Ｌ 1 及びＬ2 にそれぞれ供給されるレー
ザービームＬＢ１及びＬＢ２のパルス周波数は共に２ｋ
Ｈｚとなる。
【００２４】なお、本例ではタイミングの説明を簡明に
するため、第１のパルス光源Ｅ1 からのパルス光の丁度
中間に第２のパルス光源Ｅ2 からのパルス光を配置して
２ｋＨｚとしたが、第２のパルス光の時間的な広がり
が、第１のパルス光の時間的な広がりと重ならないよう
に充分間隔をとるならば、丁度中間でなくとも、第２の
パルス光は第１のパルス光の間のどこに置いてもよい。
なお、以下の全ての実施の形態においても、同様に必ず
しもパルス光の間隔を等間隔とする必要はない。
するため、第１のパルス光源Ｅ1 からのパルス光の丁度
中間に第２のパルス光源Ｅ2 からのパルス光を配置して
２ｋＨｚとしたが、第２のパルス光の時間的な広がり
が、第１のパルス光の時間的な広がりと重ならないよう
に充分間隔をとるならば、丁度中間でなくとも、第２の
パルス光は第１のパルス光の間のどこに置いてもよい。
なお、以下の全ての実施の形態においても、同様に必ず
しもパルス光の間隔を等間隔とする必要はない。
【００２５】本例によれば、以上のように１個のパルス
光源のパルス光の発振周波数が１ｋＨｚであっても、２
台の露光装置本体部Ｌ1 ，Ｌ2 にはパルス光の周波数が
２ｋＨｚのパルスレーザービームを供給することが可能
である。露光装置本体部Ｌ1，Ｌ2 に単位時間当たりで
それぞれ１個のパルス光源を使用する場合と同じ照射エ
ネルギー量を供給するものとすると、単位時間当たりに
露光装置本体部Ｌ1 ，Ｌ2 に供給されるレーザービーム
のパルス数は２倍になるので、１つのパルスレーザービ
ームにおける照射エネルギー量は１／２でよいことにな
る。本例では、ビームスプリッター１によりパルス光源
Ｅ1 及びＥ2 からのレーザービームＢ１及びＢ２はそれ
ぞれ１／２に分割されており、露光装置本体部Ｌ1 及び
Ｌ2 にはパルス光源Ｅ1 の照射エネルギー量の１／２及
びパルス光源Ｅ2 からの照射エネルギー量の１／２のエ
ネルギー量がそれぞれ供給される。従って、パルス光源
Ｅ 1 及びＥ2 の出力は、１個のパルス光源から１台の露
光装置本体部にレーザービームを照射する場合と同じ出
力でよい。
光源のパルス光の発振周波数が１ｋＨｚであっても、２
台の露光装置本体部Ｌ1 ，Ｌ2 にはパルス光の周波数が
２ｋＨｚのパルスレーザービームを供給することが可能
である。露光装置本体部Ｌ1，Ｌ2 に単位時間当たりで
それぞれ１個のパルス光源を使用する場合と同じ照射エ
ネルギー量を供給するものとすると、単位時間当たりに
露光装置本体部Ｌ1 ，Ｌ2 に供給されるレーザービーム
のパルス数は２倍になるので、１つのパルスレーザービ
ームにおける照射エネルギー量は１／２でよいことにな
る。本例では、ビームスプリッター１によりパルス光源
Ｅ1 及びＥ2 からのレーザービームＢ１及びＢ２はそれ
ぞれ１／２に分割されており、露光装置本体部Ｌ1 及び
Ｌ2 にはパルス光源Ｅ1 の照射エネルギー量の１／２及
びパルス光源Ｅ2 からの照射エネルギー量の１／２のエ
ネルギー量がそれぞれ供給される。従って、パルス光源
Ｅ 1 及びＥ2 の出力は、１個のパルス光源から１台の露
光装置本体部にレーザービームを照射する場合と同じ出
力でよい。
【００２６】前述のように、ソラリゼーション及びラジ
エーション・コンパクションは共にフルエンスＦの２乗
と単位時間当たりのパルス数Ｐとの積に比例する。本例
によれば、単位時間当たりのパルス数Ｐは２倍となる
が、１パルス光当たりの照射エネルギー密度が１／２、
即ちフルエンスＦが１／２となるため、フルエンスの初
期値をＦ0 、パルス数の初期値をＰ0 とすると、次式の
ように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパ
クションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に
１／２となる。
エーション・コンパクションは共にフルエンスＦの２乗
と単位時間当たりのパルス数Ｐとの積に比例する。本例
によれば、単位時間当たりのパルス数Ｐは２倍となる
が、１パルス光当たりの照射エネルギー密度が１／２、
即ちフルエンスＦが１／２となるため、フルエンスの初
期値をＦ0 、パルス数の初期値をＰ0 とすると、次式の
ように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパ
クションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に
１／２となる。
【００２７】 Ｆ2 ・Ｐ＝（Ｆ0 ／２)2・（２Ｐ0 ）＝Ｆ0 2・Ｐ0 ／２ しかも本例では、第１の露光装置本体部Ｌ1 に供給され
たレーザービームＬＢ１と同様のもう１つのレーザービ
ームＬＢ２を別の第２の露光装置本体部Ｌ2 に供給する
ため、１台の露光装置本体部当たりのパルス光源の設備
費は、従来のように１台の露光装置本体部につき１個の
パルス光源を使用する場合と同額で済む利点がある。
たレーザービームＬＢ１と同様のもう１つのレーザービ
ームＬＢ２を別の第２の露光装置本体部Ｌ2 に供給する
ため、１台の露光装置本体部当たりのパルス光源の設備
費は、従来のように１台の露光装置本体部につき１個の
パルス光源を使用する場合と同額で済む利点がある。
【００２８】同様な考え方で、ｎ個（ｎは２以上の整
数）の同一周波数のパルス光源を用意して、それらのパ
ルス光源からのレーザービームのパルス発振のタイミン
グをそれぞれずらした合成レーザービームを用いれば、
１パルス光当たりの照射エネルギー密度、即ちフルエン
スＦが１／ｎになり、単位時間当たりのパルス数Ｐはｎ
倍になる。この場合、各パルス光源のパルス発振の周期
をＴとすれば、各パルス光源のパルス発振のタイミング
のずれがほぼＴ／ｎになるように、各パルス光源のパル
ス発振のタイミングが調整される。このようにｎ個のパ
ルス光源を組み合わせることにより、ソラリゼーション
及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透
過率及び屈折率の変化は共に、フルエンスＦの初期値を
Ｆ0 、パルス数Ｐの初期値をＰ0 とすると、次式のよう
に１／ｎに軽減することができる。
数）の同一周波数のパルス光源を用意して、それらのパ
ルス光源からのレーザービームのパルス発振のタイミン
グをそれぞれずらした合成レーザービームを用いれば、
１パルス光当たりの照射エネルギー密度、即ちフルエン
スＦが１／ｎになり、単位時間当たりのパルス数Ｐはｎ
倍になる。この場合、各パルス光源のパルス発振の周期
をＴとすれば、各パルス光源のパルス発振のタイミング
のずれがほぼＴ／ｎになるように、各パルス光源のパル
ス発振のタイミングが調整される。このようにｎ個のパ
ルス光源を組み合わせることにより、ソラリゼーション
及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透
過率及び屈折率の変化は共に、フルエンスＦの初期値を
Ｆ0 、パルス数Ｐの初期値をＰ0 とすると、次式のよう
に１／ｎに軽減することができる。
【００２９】 Ｆ2 ・Ｐ＝（Ｆ0 ／ｎ)2・（ｎＰ0 ）＝Ｆ0 2・Ｐ0 ／ｎ （１） 即ち、投影露光装置で使用されるレンズの寿命はｎ倍に
なると考えることもできる。以下、ｎの値を限定して具
体的に説明する。先ず、パルス光源の数ｎが４の場合の
例を図２を参照して説明する。これは、図１の機構を２
つ組み合わせることにより、即ち図１の露光装置本体部
Ｌ1 及びＬ2 の位置に新たなビームスプリッターを配置
することにより達成される。即ち、ビームスプリッター
は４個配置される。
なると考えることもできる。以下、ｎの値を限定して具
体的に説明する。先ず、パルス光源の数ｎが４の場合の
例を図２を参照して説明する。これは、図１の機構を２
つ組み合わせることにより、即ち図１の露光装置本体部
Ｌ1 及びＬ2 の位置に新たなビームスプリッターを配置
することにより達成される。即ち、ビームスプリッター
は４個配置される。
【００３０】図２は、本例の投影露光装置システムの概
略構成を示し、この図２において、４個のビームスプリ
ッター１Ａ〜１Ｄが点対称に放射状に設置されている。
これらのビームスプリッター１Ａ〜１Ｄはすべて、入射
するレーザービームのほぼ１／２を透過し、残りのレー
ザービームを反射する、所謂５０％透過、５０％反射型
のビームスプリッターである。第１及び第２のパルス光
源Ｅ1 ，Ｅ2 から射出されたレーザービームＢ１，Ｂ２
は、互いに直交する方向からビームスプリッター１Ａに
入射してそれぞれ１／２に分割され、１／２ずつのレー
ザービームＢ１，Ｂ２より合成された２つのレーザービ
ームＬＢ１及びＬＢ２がそれぞれビームスプリッター１
Ｃ及び１Ｄに入射する。一方、第３及び第４のパルス光
源Ｅ3，Ｅ4 から射出されたレーザービームＢ３，Ｂ４
は、互いに直交する方向からビームスプリッター１Ｂに
入射してそれぞれ１／２に分割され、１／２ずつのレー
ザービームＢ３，Ｂ４より合成された２つのレーザービ
ームＬＢ３及びＬＢ４がそれぞれビームスプリッター１
Ｄ及び１Ｃに入射する。
略構成を示し、この図２において、４個のビームスプリ
ッター１Ａ〜１Ｄが点対称に放射状に設置されている。
これらのビームスプリッター１Ａ〜１Ｄはすべて、入射
するレーザービームのほぼ１／２を透過し、残りのレー
ザービームを反射する、所謂５０％透過、５０％反射型
のビームスプリッターである。第１及び第２のパルス光
源Ｅ1 ，Ｅ2 から射出されたレーザービームＢ１，Ｂ２
は、互いに直交する方向からビームスプリッター１Ａに
入射してそれぞれ１／２に分割され、１／２ずつのレー
ザービームＢ１，Ｂ２より合成された２つのレーザービ
ームＬＢ１及びＬＢ２がそれぞれビームスプリッター１
Ｃ及び１Ｄに入射する。一方、第３及び第４のパルス光
源Ｅ3，Ｅ4 から射出されたレーザービームＢ３，Ｂ４
は、互いに直交する方向からビームスプリッター１Ｂに
入射してそれぞれ１／２に分割され、１／２ずつのレー
ザービームＢ３，Ｂ４より合成された２つのレーザービ
ームＬＢ３及びＬＢ４がそれぞれビームスプリッター１
Ｄ及び１Ｃに入射する。
【００３１】ビームスプリッター１Ｃには、レーザービ
ームＬＢ１及びＬＢ４が互いに直交する方向から入射
し、ビームスプリッター１Ｄには、レーザービームＬＢ
２及びＬＢ３が互いに直交する方向から入射する。ビー
ムスプリッター１Ｃに入射したレーザービームＬＢ１，
ＬＢ４は再び２分割され、１／２ずつのレーザービーム
ＬＢ１，ＬＢ４より合成されたレーザービームＬＢ５及
びＬＢ６がそれぞれ第１及び第２の露光装置本体部Ｌ1
及びＬ2 に供給される。レーザービームＬＢ１はレーザ
ービームＢ１及びＢ２を１／２ずつ含み、レーザービー
ムＬＢ４はレーザービームＢ３及びＢ４を１／２ずつ含
んでいる。従って、露光装置本体部Ｌ1 及びＬ2 には４
個のパルス光源Ｅ1 〜Ｅ4 から射出されるレーザービー
ムＢ１〜Ｂ４を各１／４ずつ含んだレーザービームＬＢ
５及びＬＢ６がそれぞれ供給される。
ームＬＢ１及びＬＢ４が互いに直交する方向から入射
し、ビームスプリッター１Ｄには、レーザービームＬＢ
２及びＬＢ３が互いに直交する方向から入射する。ビー
ムスプリッター１Ｃに入射したレーザービームＬＢ１，
ＬＢ４は再び２分割され、１／２ずつのレーザービーム
ＬＢ１，ＬＢ４より合成されたレーザービームＬＢ５及
びＬＢ６がそれぞれ第１及び第２の露光装置本体部Ｌ1
及びＬ2 に供給される。レーザービームＬＢ１はレーザ
ービームＢ１及びＢ２を１／２ずつ含み、レーザービー
ムＬＢ４はレーザービームＢ３及びＢ４を１／２ずつ含
んでいる。従って、露光装置本体部Ｌ1 及びＬ2 には４
個のパルス光源Ｅ1 〜Ｅ4 から射出されるレーザービー
ムＢ１〜Ｂ４を各１／４ずつ含んだレーザービームＬＢ
５及びＬＢ６がそれぞれ供給される。
【００３２】同様に、ビームスプリッター１Ｄに入射し
たレーザービームＬＢ２，ＬＢ３は再び２分割され、１
／２ずつのレーザービームＬＢ２，ＬＢ３より合成され
たレーザービームＬＢ７及びＬＢ８がそれぞれ第３及び
第４の露光装置本体部Ｌ3 及びＬ4 に供給される。レー
ザービームＬＢ２はレーザービームＢ１及びＢ２を１／
２ずつ含み、レーザービームＬＢ３はレーザービームＢ
３及びＢ４を１／２ずつ含んでいる。従って、露光装置
本体部Ｌ3 及びＬ4 には４個のパルス光源Ｅ1〜Ｅ4 か
ら射出されるレーザービームＢ１〜Ｂ４を各１／４ずつ
含んだレーザービームＬＢ７及びＬＢ８がそれぞれ供給
される。即ち、４台の露光装置本体部Ｌ 1 〜Ｌ4 には、
４個のパルス光源Ｅ1 〜Ｅ4 からのレーザービームをそ
れぞれ１／４ずつ含んだ合成パルスレーザービームが供
給される。
たレーザービームＬＢ２，ＬＢ３は再び２分割され、１
／２ずつのレーザービームＬＢ２，ＬＢ３より合成され
たレーザービームＬＢ７及びＬＢ８がそれぞれ第３及び
第４の露光装置本体部Ｌ3 及びＬ4 に供給される。レー
ザービームＬＢ２はレーザービームＢ１及びＢ２を１／
２ずつ含み、レーザービームＬＢ３はレーザービームＢ
３及びＢ４を１／２ずつ含んでいる。従って、露光装置
本体部Ｌ3 及びＬ4 には４個のパルス光源Ｅ1〜Ｅ4 か
ら射出されるレーザービームＢ１〜Ｂ４を各１／４ずつ
含んだレーザービームＬＢ７及びＬＢ８がそれぞれ供給
される。即ち、４台の露光装置本体部Ｌ 1 〜Ｌ4 には、
４個のパルス光源Ｅ1 〜Ｅ4 からのレーザービームをそ
れぞれ１／４ずつ含んだ合成パルスレーザービームが供
給される。
【００３３】４個のパルス光源Ｅ1 〜Ｅ4 からのパルス
光は、図５（ｃ）に示すように、パルス発振の周期をＴ
とすれば、パルス発振制御回路１０により発振のタイミ
ングがＴ／４ずつずれるように制御されるので、１個の
パルス光源からのパルス光の４倍の周波数のパルスレー
ザービームがそれぞれ４台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ 4
に供給される。従って、（１）式よりフルエンスＦの２
乗とパルス数Ｐとの積Ｆ2 ・Ｐは初期値の１／４となっ
て、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクシ
ョンの影響は１個のパルス光源を使用する場合と比べて
１／４となる。
光は、図５（ｃ）に示すように、パルス発振の周期をＴ
とすれば、パルス発振制御回路１０により発振のタイミ
ングがＴ／４ずつずれるように制御されるので、１個の
パルス光源からのパルス光の４倍の周波数のパルスレー
ザービームがそれぞれ４台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ 4
に供給される。従って、（１）式よりフルエンスＦの２
乗とパルス数Ｐとの積Ｆ2 ・Ｐは初期値の１／４となっ
て、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクシ
ョンの影響は１個のパルス光源を使用する場合と比べて
１／４となる。
【００３４】次に、パルス光源の数ｎが８の場合の例に
ついて図３を参照して説明する。図３は、本例の投影露
光装置システムの概略構成の斜視図を示し、この図３に
示すように、本例の場合は、図２の４台の露光装置本体
部Ｌ1 〜Ｌ4 の代わりに全反射型のミラー８Ａ〜８Ｄを
置き換えたものを下層に配置し、図２の露光装置本体部
Ｌ1 〜Ｌ4 の代わりに５０％透過、５０％反射型のビー
ムスプリッター１Ｋ〜１Ｎを置き換えたものを上層に立
体的に配置したような構成となっている。下層でのパル
ス光源Ｅ1 〜Ｅ4 からのレーザービームの光路及びビー
ムスプリッター１Ａ〜１Ｄにおけるレーザービームの分
割及び合成の過程は図２の例と同様につきその説明を省
略し、下層に新たに配置されたミラー８Ａ〜８Ｄ以降の
レーザービームの流れについて説明する。
ついて図３を参照して説明する。図３は、本例の投影露
光装置システムの概略構成の斜視図を示し、この図３に
示すように、本例の場合は、図２の４台の露光装置本体
部Ｌ1 〜Ｌ4 の代わりに全反射型のミラー８Ａ〜８Ｄを
置き換えたものを下層に配置し、図２の露光装置本体部
Ｌ1 〜Ｌ4 の代わりに５０％透過、５０％反射型のビー
ムスプリッター１Ｋ〜１Ｎを置き換えたものを上層に立
体的に配置したような構成となっている。下層でのパル
ス光源Ｅ1 〜Ｅ4 からのレーザービームの光路及びビー
ムスプリッター１Ａ〜１Ｄにおけるレーザービームの分
割及び合成の過程は図２の例と同様につきその説明を省
略し、下層に新たに配置されたミラー８Ａ〜８Ｄ以降の
レーザービームの流れについて説明する。
【００３５】図３に示すように、上層には、新たに第５
のパルス光源Ｅ5 〜第８のパルス光源Ｅ8 が設置されて
いる。第５及び第６のパルス光源Ｅ5 ，Ｅ6 から射出さ
れたレーザービームＢ５，Ｂ６は、互いに直交する方向
からビームスプリッター１Ｅに入射する。レーザービー
ムＢ５及びＢ６は、ビームスプリッター１Ｅによりそれ
ぞれ２分割され、１／２のレーザービームＢ５，Ｂ６か
ら合成された２つのレーザービームＬＢ９及びＬＢ１０
はそれぞれビームスプリッター１Ｇ及び１Ｊに入射す
る。同様に、第７及び第８のパルス光源Ｅ7 ，Ｅ8 から
射出されたレーザービームＢ７，Ｂ８は、互いに直交す
る方向からビームスプリッター１Ｆに入射する。レーザ
ービームＢ７，Ｂ８は、ビームスプリッター１Ｆにより
それぞれ２分割され、１／２のレーザービームＢ７，Ｂ
８から合成された２つのレーザービームＬＢ１１及びＬ
Ｂ１２はそれぞれビームスプリッター１Ｊ及び１Ｇに入
射する。
のパルス光源Ｅ5 〜第８のパルス光源Ｅ8 が設置されて
いる。第５及び第６のパルス光源Ｅ5 ，Ｅ6 から射出さ
れたレーザービームＢ５，Ｂ６は、互いに直交する方向
からビームスプリッター１Ｅに入射する。レーザービー
ムＢ５及びＢ６は、ビームスプリッター１Ｅによりそれ
ぞれ２分割され、１／２のレーザービームＢ５，Ｂ６か
ら合成された２つのレーザービームＬＢ９及びＬＢ１０
はそれぞれビームスプリッター１Ｇ及び１Ｊに入射す
る。同様に、第７及び第８のパルス光源Ｅ7 ，Ｅ8 から
射出されたレーザービームＢ７，Ｂ８は、互いに直交す
る方向からビームスプリッター１Ｆに入射する。レーザ
ービームＢ７，Ｂ８は、ビームスプリッター１Ｆにより
それぞれ２分割され、１／２のレーザービームＢ７，Ｂ
８から合成された２つのレーザービームＬＢ１１及びＬ
Ｂ１２はそれぞれビームスプリッター１Ｊ及び１Ｇに入
射する。
【００３６】ビームスプリッター１Ｇには、レーザービ
ームＬＢ９及びＬＢ１２が互いに直交する方向から入射
し、ビームスプリッター１Ｊには、レーザービームＬＢ
１０及びＬＢ１１が互いに直交する方向から入射する。
ビームスプリッター１Ｇに入射したレーザービームＬＢ
９，ＬＢ１２は再び２分割され、１／２ずつのレーザー
ビームＬＢ９，ＬＢ１２から合成されたレーザービーム
ＬＢ１３及びＬＢ１４はそれぞれビームスプリッター１
Ｍ及び１Ｎに入射する。一方、ビームスプリッター１Ｊ
に互いに直交する方向から入射したレーザービームＬＢ
１０，ＬＢ１１は再び２分割され、１／２ずつのレーザ
ービームＬＢ１０，ＬＢ１１から合成されたレーザービ
ームＬＢ１５及びＬＢ１６はそれぞれビームスプリッタ
ー１Ｋ及び１Ｌに入射する。
ームＬＢ９及びＬＢ１２が互いに直交する方向から入射
し、ビームスプリッター１Ｊには、レーザービームＬＢ
１０及びＬＢ１１が互いに直交する方向から入射する。
ビームスプリッター１Ｇに入射したレーザービームＬＢ
９，ＬＢ１２は再び２分割され、１／２ずつのレーザー
ビームＬＢ９，ＬＢ１２から合成されたレーザービーム
ＬＢ１３及びＬＢ１４はそれぞれビームスプリッター１
Ｍ及び１Ｎに入射する。一方、ビームスプリッター１Ｊ
に互いに直交する方向から入射したレーザービームＬＢ
１０，ＬＢ１１は再び２分割され、１／２ずつのレーザ
ービームＬＢ１０，ＬＢ１１から合成されたレーザービ
ームＬＢ１５及びＬＢ１６はそれぞれビームスプリッタ
ー１Ｋ及び１Ｌに入射する。
【００３７】下層に移り、ビームスプリッター１Ｃによ
り合成されたレーザービームＬＢ５はミラー８Ｃで真上
に反射され、ビームスプリッター１Ｍに入射する。ビー
ムスプリッター１Ｍには上層に配置されたビームスプリ
ッター１Ｇにより合成されたレーザービームＬＢ１３が
ＸＹ平面に平行に入射しており、ビームスプリッター１
Ｍに互いに直交する方向から入射したレーザービームＬ
Ｂ５及びＬＢ１３は再び２分割され、それぞれ１／２の
レーザービームＬＢ５，ＬＢ１３から合成されたレーザ
ービームＬＢ１７及びＬＢ１８はそれぞれ露光装置本体
部Ｌ1 及びＬ2に供給されている。
り合成されたレーザービームＬＢ５はミラー８Ｃで真上
に反射され、ビームスプリッター１Ｍに入射する。ビー
ムスプリッター１Ｍには上層に配置されたビームスプリ
ッター１Ｇにより合成されたレーザービームＬＢ１３が
ＸＹ平面に平行に入射しており、ビームスプリッター１
Ｍに互いに直交する方向から入射したレーザービームＬ
Ｂ５及びＬＢ１３は再び２分割され、それぞれ１／２の
レーザービームＬＢ５，ＬＢ１３から合成されたレーザ
ービームＬＢ１７及びＬＢ１８はそれぞれ露光装置本体
部Ｌ1 及びＬ2に供給されている。
【００３８】他のミラー８Ａ，８Ｂ，８Ｄについてもミ
ラー８Ｃの場合と同様である。ミラー８Ａ，８Ｂ，８Ｄ
にはそれぞれレーザービームＬＢ７，ＬＢ８，ＬＢ６が
入射し、それぞれ真上に反射されて、ビームスプリッタ
ー１Ｋ，１Ｌ，１Ｎに入射する。ビームスプリッター１
Ｋには、レーザービームＬＢ７及びＬＢ１５が入射し、
ビームスプリッター１Ｌには、レーザービームＬＢ８及
びＬＢ１６が入射する。また、ビームスプリッター１Ｎ
には、レーザービームＬＢ６及びＬＢ１４が入射する。
ビームスプリッター１Ｋ，１Ｌ，１Ｎに入射したそれぞ
れのレーザービームは、同様にそれぞれ２分割された
後、１／２ずつの入射レーザービームから合成された１
対ずつの新たなレーザービームＬＢ２３，ＬＢ２４，Ｌ
Ｂ１９，ＬＢ２０，ＬＢ２１，ＬＢ２２がそれぞれ対応
する露光装置本体部Ｌ7 ，Ｌ8 ，Ｌ 3 ，Ｌ4 ，Ｌ5 ，Ｌ
6 に供給される。
ラー８Ｃの場合と同様である。ミラー８Ａ，８Ｂ，８Ｄ
にはそれぞれレーザービームＬＢ７，ＬＢ８，ＬＢ６が
入射し、それぞれ真上に反射されて、ビームスプリッタ
ー１Ｋ，１Ｌ，１Ｎに入射する。ビームスプリッター１
Ｋには、レーザービームＬＢ７及びＬＢ１５が入射し、
ビームスプリッター１Ｌには、レーザービームＬＢ８及
びＬＢ１６が入射する。また、ビームスプリッター１Ｎ
には、レーザービームＬＢ６及びＬＢ１４が入射する。
ビームスプリッター１Ｋ，１Ｌ，１Ｎに入射したそれぞ
れのレーザービームは、同様にそれぞれ２分割された
後、１／２ずつの入射レーザービームから合成された１
対ずつの新たなレーザービームＬＢ２３，ＬＢ２４，Ｌ
Ｂ１９，ＬＢ２０，ＬＢ２１，ＬＢ２２がそれぞれ対応
する露光装置本体部Ｌ7 ，Ｌ8 ，Ｌ 3 ，Ｌ4 ，Ｌ5 ，Ｌ
6 に供給される。
【００３９】図３に示すように、ビームスプリッター１
Ｍに入射するレーザービームＬＢ５は図２の例で説明し
たように、第１のパルス光源Ｅ1 〜第４のパルス光源Ｅ
4 から射出されるレーザービームＢ１〜Ｂ４をそれぞれ
１／４ずつ含み、同様にビームスプリッター１Ｍに入射
するレーザービームＬＢ１３は第５のパルス光源Ｅ5〜
第８のパルス光源Ｅ8 から射出されるレーザービームＢ
５〜Ｂ８をそれぞれ１／４ずつ含んでいる。従って、露
光装置本体部Ｌ1 及びＬ2 には、それぞれ第１のパルス
光源Ｅ1 〜第８のパルス光源Ｅ8 から射出されるレーザ
ービームＢ１〜Ｂ８をそれぞれ１／８ずつ含んだレーザ
ービームＬＢ１７及び１８が供給される。他の６台の露
光装置本体部Ｌ3 〜Ｌ8 についても同様である。
Ｍに入射するレーザービームＬＢ５は図２の例で説明し
たように、第１のパルス光源Ｅ1 〜第４のパルス光源Ｅ
4 から射出されるレーザービームＢ１〜Ｂ４をそれぞれ
１／４ずつ含み、同様にビームスプリッター１Ｍに入射
するレーザービームＬＢ１３は第５のパルス光源Ｅ5〜
第８のパルス光源Ｅ8 から射出されるレーザービームＢ
５〜Ｂ８をそれぞれ１／４ずつ含んでいる。従って、露
光装置本体部Ｌ1 及びＬ2 には、それぞれ第１のパルス
光源Ｅ1 〜第８のパルス光源Ｅ8 から射出されるレーザ
ービームＢ１〜Ｂ８をそれぞれ１／８ずつ含んだレーザ
ービームＬＢ１７及び１８が供給される。他の６台の露
光装置本体部Ｌ3 〜Ｌ8 についても同様である。
【００４０】８個のパルス光源Ｅ1 〜Ｅ8 からのパルス
光は、パルス発振の周期をＴとすれば、パルス発振制御
回路により発振のタイミングがＴ／８ずつずれるように
制御される。これによって、１個のパルス光源からのパ
ルス光の８倍の周波数のパルスレーザービームをそれぞ
れ８台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ8 に供給することがで
きる。従って、（１）式よりフルエンスＦの２乗とパル
ス数Ｐとの積Ｆ2 ・Ｐは初期値の１／８となって、ソラ
リゼーション及びラジエーション・コンパクションの影
響は１／８となる。
光は、パルス発振の周期をＴとすれば、パルス発振制御
回路により発振のタイミングがＴ／８ずつずれるように
制御される。これによって、１個のパルス光源からのパ
ルス光の８倍の周波数のパルスレーザービームをそれぞ
れ８台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ8 に供給することがで
きる。従って、（１）式よりフルエンスＦの２乗とパル
ス数Ｐとの積Ｆ2 ・Ｐは初期値の１／８となって、ソラ
リゼーション及びラジエーション・コンパクションの影
響は１／８となる。
【００４１】更に、１６個のパルス光源を用いて、１６
台の露光装置本体部に１個のパルス光源から射出される
パルス光の１６倍の周波数のパルスレーザービームを供
給する例について図４を参照して簡単に説明する。図４
は、本例の概略構成を表す平面図を示し、１６個のパル
ス光源を用いる場合は、例えば図３に示すような光学系
（上層部分の光学系）を、鉛直方向（Ｚ方向）に４層重
ねたような構成となる。図４では、それぞれの層の光学
系を光学系Ｓ1 〜光学系Ｓ4 で示す。本例のレーザービ
ームの光路は少し複雑になるが、全反射型の６個のミラ
ー８Ｅ〜８Ｊ、及び５０％透過、５０％反射型の４個の
ビームスプリッター１Ｐ〜１Ｓを配置することによっ
て、先ず４台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ4 に１６倍の周
波数のレーザービームを供給することができる。図４で
は１層の構成のみ示しているが、同様の構成が４ヶ所あ
るので、合計１６台の露光装置本体部に１６個のパルス
光源からのレーザービームを均等に含む合成レーザービ
ームを供給することができる。以下、レーザービームの
光路について説明する。
台の露光装置本体部に１個のパルス光源から射出される
パルス光の１６倍の周波数のパルスレーザービームを供
給する例について図４を参照して簡単に説明する。図４
は、本例の概略構成を表す平面図を示し、１６個のパル
ス光源を用いる場合は、例えば図３に示すような光学系
（上層部分の光学系）を、鉛直方向（Ｚ方向）に４層重
ねたような構成となる。図４では、それぞれの層の光学
系を光学系Ｓ1 〜光学系Ｓ4 で示す。本例のレーザービ
ームの光路は少し複雑になるが、全反射型の６個のミラ
ー８Ｅ〜８Ｊ、及び５０％透過、５０％反射型の４個の
ビームスプリッター１Ｐ〜１Ｓを配置することによっ
て、先ず４台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ4 に１６倍の周
波数のレーザービームを供給することができる。図４で
は１層の構成のみ示しているが、同様の構成が４ヶ所あ
るので、合計１６台の露光装置本体部に１６個のパルス
光源からのレーザービームを均等に含む合成レーザービ
ームを供給することができる。以下、レーザービームの
光路について説明する。
【００４２】図４において、レーザービームＬＢ４１〜
４４を供給する光学系Ｓ1 〜Ｓ4 にはそれぞれ４個ずつ
のパルス光源が設置されており、レーザービームＬＢ４
１〜ＬＢ４４は、それぞれ４つの光源からのレーザービ
ームをそれぞれ１／４ずつ含有するレーザービームであ
る。光学系Ｓ1 からのレーザービームＬＢ４１はビーム
スプリッター１Ｐにより２分割される。ビームスプリッ
ター１Ｐには光学系Ｓ 2 から射出され、ミラー８Ｆで反
射されたレーザービームＬＢ４２が、レーザービームＬ
Ｂ４１と直交する方向から入射しており、同様にビーム
スプリッター１Ｐにより２分割される。それぞれ２分割
されたレーザービームＬＢ４１，４２から合成された２
つのレーザービームＬＢ２５及びＬＢ２６はビームスプ
リッター１Ｐから互いに直交する方向に射出される。一
方のレーザービームＬＢ２５は、次にビームスプリッタ
ー１Ｒに入射する。もう一方のレーザービームＬＢ２６
は、ミラー８Ｅで反射された後、ビームスプリッター１
Ｓに入射する。
４４を供給する光学系Ｓ1 〜Ｓ4 にはそれぞれ４個ずつ
のパルス光源が設置されており、レーザービームＬＢ４
１〜ＬＢ４４は、それぞれ４つの光源からのレーザービ
ームをそれぞれ１／４ずつ含有するレーザービームであ
る。光学系Ｓ1 からのレーザービームＬＢ４１はビーム
スプリッター１Ｐにより２分割される。ビームスプリッ
ター１Ｐには光学系Ｓ 2 から射出され、ミラー８Ｆで反
射されたレーザービームＬＢ４２が、レーザービームＬ
Ｂ４１と直交する方向から入射しており、同様にビーム
スプリッター１Ｐにより２分割される。それぞれ２分割
されたレーザービームＬＢ４１，４２から合成された２
つのレーザービームＬＢ２５及びＬＢ２６はビームスプ
リッター１Ｐから互いに直交する方向に射出される。一
方のレーザービームＬＢ２５は、次にビームスプリッタ
ー１Ｒに入射する。もう一方のレーザービームＬＢ２６
は、ミラー８Ｅで反射された後、ビームスプリッター１
Ｓに入射する。
【００４３】同様に、光学系Ｓ3 からのレーザービーム
ＬＢ４３は、ミラー８Ｇで反射され、ビームスプリッタ
ー１Ｑに入射し、２分割される。ビームスプリッター１
Ｑには光学系Ｓ4 から射出されたレーザービームＬＢ４
４が、レーザービームＬＢ４３と直交する方向から入射
しており、同様にビームスプリッター１Ｑにより２分割
される。それぞれ２分割されたレーザービームＬＢ４
３，４４から合成された２つのレーザービームＬＢ２７
及びＬＢ２８はビームスプリッター１Ｑから互いに直交
する方向に射出される。一方のレーザービームＬＢ２７
は、次にミラー８Ｉで反射され、ビームスプリッター１
Ｒに入射する。もう一方のレーザービームＬＢ２８は、
ミラー８Ｈ及びミラー８Ｊで反射された後、ビームスプ
リッター１Ｓに入射する。
ＬＢ４３は、ミラー８Ｇで反射され、ビームスプリッタ
ー１Ｑに入射し、２分割される。ビームスプリッター１
Ｑには光学系Ｓ4 から射出されたレーザービームＬＢ４
４が、レーザービームＬＢ４３と直交する方向から入射
しており、同様にビームスプリッター１Ｑにより２分割
される。それぞれ２分割されたレーザービームＬＢ４
３，４４から合成された２つのレーザービームＬＢ２７
及びＬＢ２８はビームスプリッター１Ｑから互いに直交
する方向に射出される。一方のレーザービームＬＢ２７
は、次にミラー８Ｉで反射され、ビームスプリッター１
Ｒに入射する。もう一方のレーザービームＬＢ２８は、
ミラー８Ｈ及びミラー８Ｊで反射された後、ビームスプ
リッター１Ｓに入射する。
【００４４】ビームスプリッター１Ｒに互いに直交する
方向から入射したレーザービームＬＢ２５，ＬＢ２７
は、それぞれ２分割された後、ビームスプリッター１Ｒ
を出たところでレーザービームＬＢ２５，ＬＢ２７をそ
れぞれ１／２ずつ含有する２つのレーザービームＬＢ２
９及びＬＢ３２として合成され、互いに直交する方向に
向かって射出されて、それぞれ第４及び第２の露光装置
本体部Ｌ4 ，Ｌ2 に供給される。一方、ビームスプリッ
ター１Ｓに互いに直交する方向から入射したレーザービ
ームＬＢ２６，ＬＢ２８は、それぞれ２分割された後、
ビームスプリッター１Ｓを出たところでレーザービーム
ＬＢ２６，ＬＢ２８をそれぞれ１／２ずつ含有する２つ
のレーザービームＬＢ３０及びＬＢ３１として合成さ
れ、互いに直交する方向に向かって射出されてそれぞれ
第１及び第３の露光装置本体部Ｌ1 ，Ｌ3 に供給され
る。４台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ4 には、光学系Ｓ1
〜Ｓ4 からのレーザービームＬＢ４１〜ＬＢ４４をそれ
ぞれ１／４ずつ含むレーザービームが供給される。レー
ザービームＬＢ４１〜ＬＢ４４は、それぞれ４個ずつの
パルス光源から射出されるレーザービームをそれぞれ１
／４ずつ含有しており、４台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ
4 には１６個のパルス光源から射出されるレーザービー
ムをそれぞれ１／１６ずつ含んだレーザービームが供給
される。これら１６個のパルス光源のパルスの発振時期
は、パルス光の発振周期をＴとした場合、Ｔ／１６ずつ
ずれるように設定されるため、各露光装置本体部Ｌ1 〜
Ｌ4 には各パルス光源のパルス光の１６倍の周波数のレ
ーザービームが供給されることになる。不図示の残りの
１２台の露光装置本体部についても同様である。
方向から入射したレーザービームＬＢ２５，ＬＢ２７
は、それぞれ２分割された後、ビームスプリッター１Ｒ
を出たところでレーザービームＬＢ２５，ＬＢ２７をそ
れぞれ１／２ずつ含有する２つのレーザービームＬＢ２
９及びＬＢ３２として合成され、互いに直交する方向に
向かって射出されて、それぞれ第４及び第２の露光装置
本体部Ｌ4 ，Ｌ2 に供給される。一方、ビームスプリッ
ター１Ｓに互いに直交する方向から入射したレーザービ
ームＬＢ２６，ＬＢ２８は、それぞれ２分割された後、
ビームスプリッター１Ｓを出たところでレーザービーム
ＬＢ２６，ＬＢ２８をそれぞれ１／２ずつ含有する２つ
のレーザービームＬＢ３０及びＬＢ３１として合成さ
れ、互いに直交する方向に向かって射出されてそれぞれ
第１及び第３の露光装置本体部Ｌ1 ，Ｌ3 に供給され
る。４台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ4 には、光学系Ｓ1
〜Ｓ4 からのレーザービームＬＢ４１〜ＬＢ４４をそれ
ぞれ１／４ずつ含むレーザービームが供給される。レー
ザービームＬＢ４１〜ＬＢ４４は、それぞれ４個ずつの
パルス光源から射出されるレーザービームをそれぞれ１
／４ずつ含有しており、４台の露光装置本体部Ｌ1 〜Ｌ
4 には１６個のパルス光源から射出されるレーザービー
ムをそれぞれ１／１６ずつ含んだレーザービームが供給
される。これら１６個のパルス光源のパルスの発振時期
は、パルス光の発振周期をＴとした場合、Ｔ／１６ずつ
ずれるように設定されるため、各露光装置本体部Ｌ1 〜
Ｌ4 には各パルス光源のパルス光の１６倍の周波数のレ
ーザービームが供給されることになる。不図示の残りの
１２台の露光装置本体部についても同様である。
【００４５】この図４の例によれば、（１）式よりソラ
リゼーション及びラジエーション・コンパクションの影
響は１／１６となる。なお、図４において、ＸＺ座標系
の代わりにＸＹ座標系を取り、４つの光学系Ｓ1 〜Ｓ4
の代わりに４個のパルス光源Ｅ1 〜Ｅ4 を配置したもの
を、本例の光学系Ｓ1 とみなしてもよく、このような配
置で光学系を構成した場合にはパルス光源をまとめて配
置することができ、装置全体のコンパクト化を計ること
ができる。
リゼーション及びラジエーション・コンパクションの影
響は１／１６となる。なお、図４において、ＸＺ座標系
の代わりにＸＹ座標系を取り、４つの光学系Ｓ1 〜Ｓ4
の代わりに４個のパルス光源Ｅ1 〜Ｅ4 を配置したもの
を、本例の光学系Ｓ1 とみなしてもよく、このような配
置で光学系を構成した場合にはパルス光源をまとめて配
置することができ、装置全体のコンパクト化を計ること
ができる。
【００４６】次に、本発明による露光装置の実施の形態
の他の例について図６を参照して説明する。本例は、２
個のパルス光源からのレーザービームを合成して、１台
の露光装置本体部に供給する例を示し、パルス光源及び
露光装置本体部等の構成は、図１の例と同様であり、図
６において図１と対応する部分には同一符号を付してそ
の詳細説明を省略する。
の他の例について図６を参照して説明する。本例は、２
個のパルス光源からのレーザービームを合成して、１台
の露光装置本体部に供給する例を示し、パルス光源及び
露光装置本体部等の構成は、図１の例と同様であり、図
６において図１と対応する部分には同一符号を付してそ
の詳細説明を省略する。
【００４７】図６は、本例の概略構成を示し、第１及び
第２のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 から射出されたそれぞれの
レーザービームＢ１，Ｂ２は、レーザービームＢ１，Ｂ
２の光路に対してほぼ４５°傾斜して配置され、ｓ偏光
の光を反射してｐ偏光の光を透過する偏向ビームスプリ
ッター２１に互いに直交する方向から入射する。レーザ
ービームＢ１，Ｂ２は共にｐ偏光に設定されており、共
に偏向ビームスプリッター２１を透過する。レーザービ
ームＢ２は、偏向ビームスプリッター２１を透過した
後、１／４波長板２２で円偏光に変換されてミラー２３
に垂直に入射する。そして、ミラー２３で垂直に反射さ
れて逆の円偏光となり、同じ光路を戻って再び１／４波
長板２２を通過してｓ偏光に変換されたレーザービーム
Ｂ２は偏向ビームスプリッター２１に再び入射し、そこ
で反射されて、偏向ビームスプリッター２１を透過した
レーザービームＢ１と合成され、レーザービームＢ３と
して露光装置本体部Ｌ1 に供給される。
第２のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 から射出されたそれぞれの
レーザービームＢ１，Ｂ２は、レーザービームＢ１，Ｂ
２の光路に対してほぼ４５°傾斜して配置され、ｓ偏光
の光を反射してｐ偏光の光を透過する偏向ビームスプリ
ッター２１に互いに直交する方向から入射する。レーザ
ービームＢ１，Ｂ２は共にｐ偏光に設定されており、共
に偏向ビームスプリッター２１を透過する。レーザービ
ームＢ２は、偏向ビームスプリッター２１を透過した
後、１／４波長板２２で円偏光に変換されてミラー２３
に垂直に入射する。そして、ミラー２３で垂直に反射さ
れて逆の円偏光となり、同じ光路を戻って再び１／４波
長板２２を通過してｓ偏光に変換されたレーザービーム
Ｂ２は偏向ビームスプリッター２１に再び入射し、そこ
で反射されて、偏向ビームスプリッター２１を透過した
レーザービームＢ１と合成され、レーザービームＢ３と
して露光装置本体部Ｌ1 に供給される。
【００４８】この場合、２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 の
パルス光は、図１の例と同様に、不図示のパルス発振制
御回路により制御されており、露光装置本体部Ｌ1 に
は、パルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 の発振パルス光の２倍の周波
数のパルスレーザービームＢ３が供給される。従って、
露光装置本体部Ｌ1 に供給されるレーザービームＢ３の
１パルス光当たりの照射エネルギー量を１／２にするこ
とができ、図１の例と同様に露光装置本体部Ｌ1 のレン
ズに対するソラリゼーション及びラジエーション・コン
パクションの影響も１／２にすることができる。従っ
て、レンズの寿命がその分延びることになる。また、本
例の場合は、２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 から射出され
るレーザーエネルギーがすべて１台の露光装置本体部Ｌ
1 だけに供給されるので、１個のパルス光源を使用する
場合と同じスループットでよければ、２個のパルス光源
Ｅ1 ，Ｅ2 の出力を１／２にすることができる。
パルス光は、図１の例と同様に、不図示のパルス発振制
御回路により制御されており、露光装置本体部Ｌ1 に
は、パルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 の発振パルス光の２倍の周波
数のパルスレーザービームＢ３が供給される。従って、
露光装置本体部Ｌ1 に供給されるレーザービームＢ３の
１パルス光当たりの照射エネルギー量を１／２にするこ
とができ、図１の例と同様に露光装置本体部Ｌ1 のレン
ズに対するソラリゼーション及びラジエーション・コン
パクションの影響も１／２にすることができる。従っ
て、レンズの寿命がその分延びることになる。また、本
例の場合は、２個のパルス光源Ｅ1 ，Ｅ2 から射出され
るレーザーエネルギーがすべて１台の露光装置本体部Ｌ
1 だけに供給されるので、１個のパルス光源を使用する
場合と同じスループットでよければ、２個のパルス光源
Ｅ1 ，Ｅ2 の出力を１／２にすることができる。
【００４９】なお、パルス光源の数は２個に限定される
ものではなく、３個以上のパルス光源を同様に組み合わ
せて１台の露光装置本体に供給するようにしてもよい。
例えば、図６において、偏光ビームスプリッター２１か
ら露光装置本体部Ｌ1 迄のレーザービームＢ３の光路中
に別の偏光ビームスプリッターを設け、レーザービーム
Ｂ３の光路に垂直方向に図６のパルス光源Ｅ2 、１／４
波長板２２、及びミラー２３と同様な構成を有する光学
系を配置すれば、３個のパルス光源から１台の露光装置
本体に３倍の周波数のパルスのレーザービームを供給す
ることができる。パルス光源が４個以上の場合も同様に
構成することができる。
ものではなく、３個以上のパルス光源を同様に組み合わ
せて１台の露光装置本体に供給するようにしてもよい。
例えば、図６において、偏光ビームスプリッター２１か
ら露光装置本体部Ｌ1 迄のレーザービームＢ３の光路中
に別の偏光ビームスプリッターを設け、レーザービーム
Ｂ３の光路に垂直方向に図６のパルス光源Ｅ2 、１／４
波長板２２、及びミラー２３と同様な構成を有する光学
系を配置すれば、３個のパルス光源から１台の露光装置
本体に３倍の周波数のパルスのレーザービームを供給す
ることができる。パルス光源が４個以上の場合も同様に
構成することができる。
【００５０】次に、本発明による露光装置の実施の形態
の更に別の例について、図７を参照して説明する。本例
は、照明光学系の瞳面内における照明光束の光量分布
を、照明光学系の光軸から所定量だけ偏心した複数の位
置で極大としてレチクルパターンに対して照明光束を所
定角度だけ傾斜させて照射する変形光源法を使用する場
合に本発明を適用したものである。この変形光源法は、
例えば周期性パターンに対して焦点深度を高めるために
有効な方法である。光源及び照明光学系を除く他の構成
は図１の例と同様であり、図７において図１と対応する
部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
の更に別の例について、図７を参照して説明する。本例
は、照明光学系の瞳面内における照明光束の光量分布
を、照明光学系の光軸から所定量だけ偏心した複数の位
置で極大としてレチクルパターンに対して照明光束を所
定角度だけ傾斜させて照射する変形光源法を使用する場
合に本発明を適用したものである。この変形光源法は、
例えば周期性パターンに対して焦点深度を高めるために
有効な方法である。光源及び照明光学系を除く他の構成
は図１の例と同様であり、図７において図１と対応する
部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
【００５１】図７（ａ）は、本例の露光装置の概略構成
を示し、図７（ｂ）は、図７（ａ）の照明光学系２Ａの
瞳面Ｐにおける照明光の分布状態を示す。なお、図７
（ａ）及び図７（ｂ）において、光源Ｅ2 ，Ｅ4 及び照
明光Ｂ２，Ｂ４は共にＹ方向に重なった状態で示されて
いる。図７（ａ）に示すように、パルス光源Ｅ1 〜Ｅ4
から射出されたレーザービームＢ１〜Ｂ４は照明光学系
２Ａによりレチクル３上に傾斜して照射される。そし
て、レーザービームＢ１〜Ｂ４による傾斜照明のもとで
レチクルパターンの像が投影光学系５を介してウエハ６
上に転写される。
を示し、図７（ｂ）は、図７（ａ）の照明光学系２Ａの
瞳面Ｐにおける照明光の分布状態を示す。なお、図７
（ａ）及び図７（ｂ）において、光源Ｅ2 ，Ｅ4 及び照
明光Ｂ２，Ｂ４は共にＹ方向に重なった状態で示されて
いる。図７（ａ）に示すように、パルス光源Ｅ1 〜Ｅ4
から射出されたレーザービームＢ１〜Ｂ４は照明光学系
２Ａによりレチクル３上に傾斜して照射される。そし
て、レーザービームＢ１〜Ｂ４による傾斜照明のもとで
レチクルパターンの像が投影光学系５を介してウエハ６
上に転写される。
【００５２】図７（ｂ）に示すように、レーザービーム
Ｂ１〜Ｂ４は照明光学系２Ａの瞳面Ｐ上の周辺部で照明
光学系２Ａの光軸ＡＸから等距離の位置に等角度間隔で
偏心した４個の光源像を形成し、所謂変形光源が形成さ
れている。この場合、レーザービームＢ１〜Ｂ４のパル
ス発振のタイミングはパルス発振制御回路１０により互
いに異なるように制御され、照明光学系２Ａが実質的に
合成光学系として作用する。従って、パルス数は各パル
ス光源Ｅ1 〜Ｅ4 の周波数の４倍となり、同じスループ
ットでよければ各レーザービームＢ１〜Ｂ４のレーザー
エネルギー量は１／４にできる。即ち、ソラリゼーショ
ン及びラジエーション・コンパクションの影響は１／４
に減少すると共に、変形照明により焦点深度を高めるこ
とができる。なお、図７（ａ）において、光源Ｅ1 〜Ｅ
4 からのレーザービームＢ１〜Ｂ４の代わりに、それぞ
れ図２の例と同様に合成されたパルス光を用いてもよ
い。
Ｂ１〜Ｂ４は照明光学系２Ａの瞳面Ｐ上の周辺部で照明
光学系２Ａの光軸ＡＸから等距離の位置に等角度間隔で
偏心した４個の光源像を形成し、所謂変形光源が形成さ
れている。この場合、レーザービームＢ１〜Ｂ４のパル
ス発振のタイミングはパルス発振制御回路１０により互
いに異なるように制御され、照明光学系２Ａが実質的に
合成光学系として作用する。従って、パルス数は各パル
ス光源Ｅ1 〜Ｅ4 の周波数の４倍となり、同じスループ
ットでよければ各レーザービームＢ１〜Ｂ４のレーザー
エネルギー量は１／４にできる。即ち、ソラリゼーショ
ン及びラジエーション・コンパクションの影響は１／４
に減少すると共に、変形照明により焦点深度を高めるこ
とができる。なお、図７（ａ）において、光源Ｅ1 〜Ｅ
4 からのレーザービームＢ１〜Ｂ４の代わりに、それぞ
れ図２の例と同様に合成されたパルス光を用いてもよ
い。
【００５３】なお、本発明はステッパー型の投影露光装
置に限らず、レチクル上のパターンの一部をウエハ上に
投射した状態でレチクルとウエハとを同期して走査する
ことによりレチクルのパターンをウエハ上の各ショット
領域に逐次転写露光するステップ・アンド・スキャン方
式等の走査露光型の露光装置にも同様に適用できる。こ
のように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
置に限らず、レチクル上のパターンの一部をウエハ上に
投射した状態でレチクルとウエハとを同期して走査する
ことによりレチクルのパターンをウエハ上の各ショット
領域に逐次転写露光するステップ・アンド・スキャン方
式等の走査露光型の露光装置にも同様に適用できる。こ
のように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【００５４】
【発明の効果】本発明の露光装置によれば、複数個のパ
ルス光源からの合成光が露光部に供給される。その合成
光の周波数は、それら複数個のパルス光源の数に比例し
て増加するため、１個のパルス光源を使用する場合と同
じスループットを達成する場合には露光部に供給される
合成光の１パルス光当たりの照射エネルギーの密度はそ
れら複数個のパルス光源の数に反比例して減少する。露
光部で使用されるレンズに対するソラリゼーション及び
ラジエーション・コンパクションの影響は１パルス光当
たりの照射エネルギーの密度に比例するため、照明光と
してＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレーザ
ー光等のパルス光を使用した場合でも、露光部内で使用
されるレンズの透過率及び屈折率の変化を抑えることが
でき、レンズの寿命を長くできる利点がある。
ルス光源からの合成光が露光部に供給される。その合成
光の周波数は、それら複数個のパルス光源の数に比例し
て増加するため、１個のパルス光源を使用する場合と同
じスループットを達成する場合には露光部に供給される
合成光の１パルス光当たりの照射エネルギーの密度はそ
れら複数個のパルス光源の数に反比例して減少する。露
光部で使用されるレンズに対するソラリゼーション及び
ラジエーション・コンパクションの影響は１パルス光当
たりの照射エネルギーの密度に比例するため、照明光と
してＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレーザ
ー光等のパルス光を使用した場合でも、露光部内で使用
されるレンズの透過率及び屈折率の変化を抑えることが
でき、レンズの寿命を長くできる利点がある。
【００５５】また、複数個のパルス光源から発光される
各々のパルス光の発光タイミングを制御するパルス発光
制御系をさらに備える場合には、各々のパルス光の発光
のタイミングを制御することができる。従って、露光部
に供給される照明光の照射エネルギー量を時間に対して
均一化できる利点がある。また、その露光部を第１の露
光部として、第２のマスクパターンを第２の感光性の基
板上に転写する第２の露光部をさらに配置し、合成光学
系が、複数個のパルス光源中の第１のパルス光源からの
第１照明光と第２のパルス光源からの第２照明光とを受
けて、第１及び第２の合成光をそれぞれ生成するビーム
スプリッターを有し、第１の合成光を第１の露光部へ導
き、第２の合成光を第２の露光部へ導く場合には、第２
の露光部にも第１の露光部に供給される第１の合成光と
同様に周波数が増加した第２の合成光が供給される。ま
た、第１のパルス光源からの第１照明光及び第２のパル
ス光源からの第２照明光を２つの露光部に無駄なく供給
することができ、１つの露光部当たりのパルス光源の設
備費を、１つの露光部（露光装置）に１個のパルス光源
を用いる従来の方法と同額にできる利点がある。
各々のパルス光の発光タイミングを制御するパルス発光
制御系をさらに備える場合には、各々のパルス光の発光
のタイミングを制御することができる。従って、露光部
に供給される照明光の照射エネルギー量を時間に対して
均一化できる利点がある。また、その露光部を第１の露
光部として、第２のマスクパターンを第２の感光性の基
板上に転写する第２の露光部をさらに配置し、合成光学
系が、複数個のパルス光源中の第１のパルス光源からの
第１照明光と第２のパルス光源からの第２照明光とを受
けて、第１及び第２の合成光をそれぞれ生成するビーム
スプリッターを有し、第１の合成光を第１の露光部へ導
き、第２の合成光を第２の露光部へ導く場合には、第２
の露光部にも第１の露光部に供給される第１の合成光と
同様に周波数が増加した第２の合成光が供給される。ま
た、第１のパルス光源からの第１照明光及び第２のパル
ス光源からの第２照明光を２つの露光部に無駄なく供給
することができ、１つの露光部当たりのパルス光源の設
備費を、１つの露光部（露光装置）に１個のパルス光源
を用いる従来の方法と同額にできる利点がある。
【図１】本発明による露光装置の実施の形態の一例を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図２】図１の変形例で、４個のパルス光源からの合成
光を４台の露光装置本体部に供給する例の説明に供する
構成図である。
光を４台の露光装置本体部に供給する例の説明に供する
構成図である。
【図３】図１の変形例で、８個のパルス光源からの合成
光を８台の露光装置本体部に供給する例の説明に供する
斜視図である。
光を８台の露光装置本体部に供給する例の説明に供する
斜視図である。
【図４】図１の変形例で、１６個のパルス光源からの合
成光を１６台の露光装置本体部に供給する例の要部の説
明に供する構成図である。
成光を１６台の露光装置本体部に供給する例の要部の説
明に供する構成図である。
【図５】本発明の実施の形態における各光源のパルス発
振のタイミングを示すタイミングチャートである。
振のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図６】本発明による露光装置の実施の形態の他の例を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図７】本発明による露光装置の実施の形態の更に別の
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
Ｅ1 〜Ｅ8 パルス光源 １Ａ〜１Ｇ，１Ｊ〜１Ｓ ビームスプリッター Ｂ１〜Ｂ８，ＬＢ１〜ＬＢ３２ レーザービーム ２ 照明光学系 ３ レチクル ５ 投影光学系 ６ ウエハ ７ ウエハステージ ８Ａ〜８Ｊ ミラー Ｌ1 〜Ｌ4 露光装置本体部 Ｓ1 〜Ｓ4 光学系 ＬＢ４１〜ＬＢ４４ レーザービーム
Claims (3)
- 【請求項１】 露光用の照明光のもとでマスクパターン
を感光性の基板上に転写する露光装置において、 複数の露光用の照明光を互いに異なるタイミングでそれ
ぞれパルス発光させる複数個のパルス光源と、 該複数個のパルス光源からの照明光を合成する合成光学
系と、 該合成光学系により合成される照明光を受けて、前記マ
スクパターンを前記感光性の基板上に転写する露光部
と、 を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の露光装置であって、 前記複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光
の発光タイミングを制御するパルス発光制御系をさらに
備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の露光装置であっ
て、 前記露光部を第１の露光部として、第２のマスクパター
ンを第２の感光性の基板上に転写する第２の露光部をさ
らに配置し、 前記合成光学系は、前記複数個のパルス光源中の第１の
パルス光源からの第１照明光と第２のパルス光源からの
第２照明光とを受けて、第１及び第２の合成光をそれぞ
れ生成するビームスプリッターを有し、 前記第１の合成光を前記第１の露光部へ導き、前記第２
の合成光を前記第２の露光部へ導くことを特徴とする露
光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32292095A JP3590822B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 露光方法及び装置 |
| US08/760,871 US5880817A (en) | 1995-12-12 | 1996-12-09 | Projection-exposure apparatus and method exhibiting reduced solarization and radiation compaction |
| EP96309014A EP0779558A2 (en) | 1995-12-12 | 1996-12-11 | Projection-exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32292095A JP3590822B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162110A true JPH09162110A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3590822B2 JP3590822B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=18149112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32292095A Expired - Fee Related JP3590822B2 (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 露光方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5880817A (ja) |
| EP (1) | EP0779558A2 (ja) |
| JP (1) | JP3590822B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007094470A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL123416A0 (en) * | 1998-02-23 | 1998-09-24 | Oramir Semiconductor Ltd | Multi laser surface treatment in ambient fast flowing photoreactive gases |
| US6947120B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US6947124B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| USRE42065E1 (en) | 1998-05-05 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| DE19903807A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
| US7109497B2 (en) | 1998-05-05 | 2006-09-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US7142285B2 (en) | 1998-05-05 | 2006-11-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
| US6229639B1 (en) * | 1998-07-09 | 2001-05-08 | Cymer, Inc. | Multiplexer for laser lithography |
| WO2002029492A1 (en) | 2000-10-03 | 2002-04-11 | Corning Incorporated | Photolithography methods and systems |
| US6753947B2 (en) * | 2001-05-10 | 2004-06-22 | Ultratech Stepper, Inc. | Lithography system and method for device manufacture |
| DE10221386A1 (de) * | 2002-05-14 | 2003-11-27 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsbelichtungssystem |
| US7432517B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| DE102006027787A1 (de) * | 2005-07-05 | 2007-01-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage und Betriebsmethode dieser |
| JP5211487B2 (ja) * | 2007-01-25 | 2013-06-12 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
| JP5283928B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
| DE102014203041A1 (de) * | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091744A (en) * | 1984-02-13 | 1992-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system |
| JPS6197831A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2569711B2 (ja) * | 1988-04-07 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | 露光制御装置及び該装置による露光方法 |
| JP3075381B2 (ja) * | 1992-02-17 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び転写方法 |
| JP3451604B2 (ja) * | 1994-06-17 | 2003-09-29 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
-
1995
- 1995-12-12 JP JP32292095A patent/JP3590822B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-09 US US08/760,871 patent/US5880817A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-11 EP EP96309014A patent/EP0779558A2/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007094470A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US7714982B2 (en) | 2006-02-16 | 2010-05-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5880817A (en) | 1999-03-09 |
| EP0779558A3 (ja) | 1997-10-08 |
| EP0779558A2 (en) | 1997-06-18 |
| JP3590822B2 (ja) | 2004-11-17 |
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