JPH09152624A - 液晶表示装置およびその製法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製法Info
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- JPH09152624A JPH09152624A JP31243295A JP31243295A JPH09152624A JP H09152624 A JPH09152624 A JP H09152624A JP 31243295 A JP31243295 A JP 31243295A JP 31243295 A JP31243295 A JP 31243295A JP H09152624 A JPH09152624 A JP H09152624A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ系合金膜をフッ酸を含まない燐酸系のエ
ッチング液でエッチングし、ゲート電極を形成できる液
晶表示装置およびその製法を提供する。 【解決手段】 透明絶縁性基板１上にゲート配線、ソー
ス配線、およびスイッチング素子とが設けられており、
前記スイッチング素子が前記ゲート配線と前記ソース配
線の交差部に形成されてなるアレイ基板と、前記アレイ
基板の一部分に向かいあって配設される対向基板と、前
記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟持される液
晶とからなり、前記ゲート配線としてＡｌを含む合金に
よるＡｌ系合金膜３を形成し、当該Ａｌ系合金膜の下層
にダミー膜として下層膜２を設けてなることを特徴とす
る液晶表示装置。
ッチング液でエッチングし、ゲート電極を形成できる液
晶表示装置およびその製法を提供する。 【解決手段】 透明絶縁性基板１上にゲート配線、ソー
ス配線、およびスイッチング素子とが設けられており、
前記スイッチング素子が前記ゲート配線と前記ソース配
線の交差部に形成されてなるアレイ基板と、前記アレイ
基板の一部分に向かいあって配設される対向基板と、前
記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟持される液
晶とからなり、前記ゲート配線としてＡｌを含む合金に
よるＡｌ系合金膜３を形成し、当該Ａｌ系合金膜の下層
にダミー膜として下層膜２を設けてなることを特徴とす
る液晶表示装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置および
その製法に関する。さらに詳しくは、Ａｌ系合金膜をフ
ッ酸を含まない燐酸系のエッチング液でエッチングし、
ゲート配線を形成することの可能な液晶表示装置および
その製法に関する。
その製法に関する。さらに詳しくは、Ａｌ系合金膜をフ
ッ酸を含まない燐酸系のエッチング液でエッチングし、
ゲート配線を形成することの可能な液晶表示装置および
その製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜トランジスタからなる液晶表
示装置は急激に需要が伸び、大型化、高精細化が進んで
いる。これに伴い、画面の輝度差を低減するためにゲー
ト配線の低抵抗化が重要となり、安価なＡｌまたはＡｌ
を主成分とする合金を使用することが多くなっている。
このばあい、純Ａｌはヒロックによる信頼性の低下など
の問題がある。ここでヒロックとは、熱などにより突起
状に成長した結晶粒である。前記ヒロックは、純Ａｌに
おいてよく見られる現象である。このヒロックをさける
ため、純ＡｌのかわりにＳｉやＣｕなどの添加物を使用
したＡｌ系合金が一般的に用いられる。
示装置は急激に需要が伸び、大型化、高精細化が進んで
いる。これに伴い、画面の輝度差を低減するためにゲー
ト配線の低抵抗化が重要となり、安価なＡｌまたはＡｌ
を主成分とする合金を使用することが多くなっている。
このばあい、純Ａｌはヒロックによる信頼性の低下など
の問題がある。ここでヒロックとは、熱などにより突起
状に成長した結晶粒である。前記ヒロックは、純Ａｌに
おいてよく見られる現象である。このヒロックをさける
ため、純ＡｌのかわりにＳｉやＣｕなどの添加物を使用
したＡｌ系合金が一般的に用いられる。
【０００３】一方、これらの純ＡｌやＡｌ系合金をエッ
チングする際は、燐酸系のウエットエッチング液を用い
るのが一般的である。しかしながら、燐酸系のウエット
エッチング液は、純Ａｌのエッチングに対しては問題が
ないが、ＳｉやＣｕなどを添加したＡｌ系合金のエッチ
ングに対しては、添加物の残渣が残るという問題を有し
ている。かかる問題に対し、ＳｉやＣｕなどを添加した
Ａｌ系合金のエッチングにおいて、残渣を生じさせない
ウエットエッチング液としては、燐酸にフッ酸を加えた
ウエットエッチング液があるが、前記燐酸にフッ酸を加
えたウエットエッチング液は基板のガラスをも浸食する
ため好ましくない。このように、全ての問題を解決でき
る合金またはウエットエッチング液がえられないので、
たとえば、フッ酸を含まない燐酸系のエッチング液で、
残渣を生じずにＳｉやＣｕなどを添加したＡｌ系合金の
エッチングを行うことは、薄膜トランジスタ液晶表示装
置を製造する上で最も重要な技術課題である。
チングする際は、燐酸系のウエットエッチング液を用い
るのが一般的である。しかしながら、燐酸系のウエット
エッチング液は、純Ａｌのエッチングに対しては問題が
ないが、ＳｉやＣｕなどを添加したＡｌ系合金のエッチ
ングに対しては、添加物の残渣が残るという問題を有し
ている。かかる問題に対し、ＳｉやＣｕなどを添加した
Ａｌ系合金のエッチングにおいて、残渣を生じさせない
ウエットエッチング液としては、燐酸にフッ酸を加えた
ウエットエッチング液があるが、前記燐酸にフッ酸を加
えたウエットエッチング液は基板のガラスをも浸食する
ため好ましくない。このように、全ての問題を解決でき
る合金またはウエットエッチング液がえられないので、
たとえば、フッ酸を含まない燐酸系のエッチング液で、
残渣を生じずにＳｉやＣｕなどを添加したＡｌ系合金の
エッチングを行うことは、薄膜トランジスタ液晶表示装
置を製造する上で最も重要な技術課題である。
【０００４】つぎに従来の液晶表示装置のゲート電極に
ついて図５を用いて示す。図５において、１１は透明絶
縁性基板であり、１３はＡｌ−Ｓｉ系合金膜であり、１
４はレジストパターンであり、１７は純Ａｌ膜である。
前述の問題点を解決する方法としては、特開昭６１−１
２１４５５号公報および特開平６−１８１２０８号公報
記載の方法が提案されている。特開昭６１−１２１４５
５号公報には、Ａｌ−Ｃｕ合金膜の下層にＣｕ含有率の
少ない第２のＡｌ−Ｃｕ合金膜を設けることにより、残
渣を除去する方法が記載されている。特開平６−１８１
２０８号公報には、Ａｌ−Ｓｉ合金膜１３の下層の膜に
純Ａｌ膜１７を設け（図５（ａ）参照）、レジストパタ
ーン１４を形成し（図５（ｂ）参照）、Ａｌ−Ｓｉ合金
膜１３および純Ａｌ膜１７のエッチングを行う（図５
（ｃ）参照）ことにより、残渣のない液晶表示装置（図
５（ｄ）参照）をうる方法が記載されている。いずれも
Ａｌ系合金膜の下層の膜は添加物が少ないか、または添
加物が含まれないためエッチング残渣が生じず、Ａｌ系
合金膜の上層の膜は添加物を比較的多く含むため、ヒロ
ックを抑制できるというものである。これらの方法は残
渣の生じないエッチング方法として有効であるが、なお
２つの問題を有している。その一方は、配線の側面にお
いて添加物濃度の低いＡｌ膜がむきだしとなることであ
る。このため、横方向に成長するサイドヒロックに関し
ては抑制することができない。また他方は、下層の膜の
ヒロック成長を抑えるために、上層の膜を一定以上の膜
厚にする必要があることである。このため、上層の膜の
成膜時の条件制御が難しくなり、さらに上層と下層とを
あわせた膜厚が大きくなるため、上層の膜のさらに上に
設ける膜のカバレージも難しくなる。かかる問題のため
前述の方法で形成するゲート配線は信頼性および安定性
に欠けるものであった。
ついて図５を用いて示す。図５において、１１は透明絶
縁性基板であり、１３はＡｌ−Ｓｉ系合金膜であり、１
４はレジストパターンであり、１７は純Ａｌ膜である。
前述の問題点を解決する方法としては、特開昭６１−１
２１４５５号公報および特開平６−１８１２０８号公報
記載の方法が提案されている。特開昭６１−１２１４５
５号公報には、Ａｌ−Ｃｕ合金膜の下層にＣｕ含有率の
少ない第２のＡｌ−Ｃｕ合金膜を設けることにより、残
渣を除去する方法が記載されている。特開平６−１８１
２０８号公報には、Ａｌ−Ｓｉ合金膜１３の下層の膜に
純Ａｌ膜１７を設け（図５（ａ）参照）、レジストパタ
ーン１４を形成し（図５（ｂ）参照）、Ａｌ−Ｓｉ合金
膜１３および純Ａｌ膜１７のエッチングを行う（図５
（ｃ）参照）ことにより、残渣のない液晶表示装置（図
５（ｄ）参照）をうる方法が記載されている。いずれも
Ａｌ系合金膜の下層の膜は添加物が少ないか、または添
加物が含まれないためエッチング残渣が生じず、Ａｌ系
合金膜の上層の膜は添加物を比較的多く含むため、ヒロ
ックを抑制できるというものである。これらの方法は残
渣の生じないエッチング方法として有効であるが、なお
２つの問題を有している。その一方は、配線の側面にお
いて添加物濃度の低いＡｌ膜がむきだしとなることであ
る。このため、横方向に成長するサイドヒロックに関し
ては抑制することができない。また他方は、下層の膜の
ヒロック成長を抑えるために、上層の膜を一定以上の膜
厚にする必要があることである。このため、上層の膜の
成膜時の条件制御が難しくなり、さらに上層と下層とを
あわせた膜厚が大きくなるため、上層の膜のさらに上に
設ける膜のカバレージも難しくなる。かかる問題のため
前述の方法で形成するゲート配線は信頼性および安定性
に欠けるものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題を
解決し、Ａｌ系合金膜をフッ酸を含まない燐酸系のエッ
チング液でエッチングし、ゲート電極を形成できる液晶
表示装置およびその製法を提供することを目的とする。
解決し、Ａｌ系合金膜をフッ酸を含まない燐酸系のエッ
チング液でエッチングし、ゲート電極を形成できる液晶
表示装置およびその製法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、透明絶縁性基板上にゲート配線、ソース配線、およ
び当該２つの配線の交差部に形成されるスイッチング素
子とを設けてなるアレイ基板と、前記アレイ基板の一部
分に向かいあって配設される対向基板と、前記アレイ基
板と前記対向基板とのあいだに挟持される液晶とからな
り、前記ゲート配線としてＡｌを含む合金によるＡｌ系
合金膜を形成し、当該Ａｌ系合金膜の下層にダミー膜と
して下層膜を設けてなることを特徴とする。
は、透明絶縁性基板上にゲート配線、ソース配線、およ
び当該２つの配線の交差部に形成されるスイッチング素
子とを設けてなるアレイ基板と、前記アレイ基板の一部
分に向かいあって配設される対向基板と、前記アレイ基
板と前記対向基板とのあいだに挟持される液晶とからな
り、前記ゲート配線としてＡｌを含む合金によるＡｌ系
合金膜を形成し、当該Ａｌ系合金膜の下層にダミー膜と
して下層膜を設けてなることを特徴とする。
【０００７】前記下層膜が以下の（１）〜（４）のうち
のいずれかひとつからなることが、透明絶縁性基板との
密着性、パターン形成後の耐食性などの点から好まし
い。
のいずれかひとつからなることが、透明絶縁性基板との
密着性、パターン形成後の耐食性などの点から好まし
い。
【０００８】（１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本発明の液晶表示装置は、透明絶縁性基板上にゲート配
線、ソース配線、および当該２つの配線の交差部に形成
されるスイッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、
前記アレイ基板の一部分に向かいあって配設される対向
基板と、前記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟
持される液晶とからなり、前記ゲート配線としてＡｌを
含む合金によるＡｌ系合金膜を形成し、当該Ａｌ系合金
膜の下層にダミー膜として下層膜を成膜したのち、該下
層膜のエッチングを行い、さらに前記Ａｌ系合金膜の上
層に保護膜を成膜したのち、当該保護膜をエッチングし
て形成されることを特徴とする。
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本発明の液晶表示装置は、透明絶縁性基板上にゲート配
線、ソース配線、および当該２つの配線の交差部に形成
されるスイッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、
前記アレイ基板の一部分に向かいあって配設される対向
基板と、前記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟
持される液晶とからなり、前記ゲート配線としてＡｌを
含む合金によるＡｌ系合金膜を形成し、当該Ａｌ系合金
膜の下層にダミー膜として下層膜を成膜したのち、該下
層膜のエッチングを行い、さらに前記Ａｌ系合金膜の上
層に保護膜を成膜したのち、当該保護膜をエッチングし
て形成されることを特徴とする。
【０００９】前記下層膜が以下の（１）〜（４）のうち
のいずれかひとつからなることが、透明絶縁性基板との
密着性、パターン形成後の耐食性などの点から好まし
い。
のいずれかひとつからなることが、透明絶縁性基板との
密着性、パターン形成後の耐食性などの点から好まし
い。
【００１０】（１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本発明の液晶表示装置は、透明絶縁性基板上にゲート配
線、ソース配線、および当該２つの配線の交差部に形成
されるスイッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、
前記アレイ基板の一部分に向かいあって配設される対向
基板と、前記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟
持される液晶とからなり、前記ゲート配線としてＡｌを
含む合金によるＡｌ系合金膜を形成し、当該Ａｌ系合金
膜の下層にダミー膜として下層膜を成膜したのち、該下
層膜のエッチングを途中まで行い、さらに前記Ａｌ系合
金膜の上層に保護膜を成膜したのち、前記エッチングを
途中まで行った下層膜と前記保護膜とをエッチングして
形成されることを特徴とする。
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本発明の液晶表示装置は、透明絶縁性基板上にゲート配
線、ソース配線、および当該２つの配線の交差部に形成
されるスイッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、
前記アレイ基板の一部分に向かいあって配設される対向
基板と、前記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟
持される液晶とからなり、前記ゲート配線としてＡｌを
含む合金によるＡｌ系合金膜を形成し、当該Ａｌ系合金
膜の下層にダミー膜として下層膜を成膜したのち、該下
層膜のエッチングを途中まで行い、さらに前記Ａｌ系合
金膜の上層に保護膜を成膜したのち、前記エッチングを
途中まで行った下層膜と前記保護膜とをエッチングして
形成されることを特徴とする。
【００１１】前記下層膜が以下の（１）〜（４）のうち
のいずれかひとつからなることが、透明絶縁性基板との
密着性、パターン形成後の耐食性などの点から好まし
い。
のいずれかひとつからなることが、透明絶縁性基板との
密着性、パターン形成後の耐食性などの点から好まし
い。
【００１２】（１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本発明の液晶表示装置の製法は、透明絶縁性基板上にゲ
ート配線、ソース配線、および当該２つの配線の交差部
に形成されるスイッチング素子とを設けてなるアレイ基
板と、前記アレイ基板の一部分に向かいあって配設され
る対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板とのあい
だに挟持される液晶とからなる液晶表示装置の製法であ
って、前記ゲート配線としてのＡｌ系合金膜と該Ａｌ系
合金膜の下層に設けるダミー膜としての下層膜とを連続
して成膜する工程と、該２つの膜を同一のレジストパタ
ーンを用いて、連続してエッチングする工程とからなる
ことを特徴とする。
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本発明の液晶表示装置の製法は、透明絶縁性基板上にゲ
ート配線、ソース配線、および当該２つの配線の交差部
に形成されるスイッチング素子とを設けてなるアレイ基
板と、前記アレイ基板の一部分に向かいあって配設され
る対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板とのあい
だに挟持される液晶とからなる液晶表示装置の製法であ
って、前記ゲート配線としてのＡｌ系合金膜と該Ａｌ系
合金膜の下層に設けるダミー膜としての下層膜とを連続
して成膜する工程と、該２つの膜を同一のレジストパタ
ーンを用いて、連続してエッチングする工程とからなる
ことを特徴とする。
【００１３】本発明の液晶表示装置の製法は、透明絶縁
性基板上にゲート配線、ソース配線、および当該２つの
配線の交差部に形成されるスイッチング素子とを設けて
なるアレイ基板と、前記アレイ基板の一部分に向かいあ
って配設される対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板とのあいだに挟持される液晶とからなる液晶表示装
置の製法であって、前記ゲート配線としてのＡｌ系合金
膜と該Ａｌ系合金膜の下層に設けるダミー膜としての下
層膜とを連続して成膜する工程と、レジストパターンを
用いて、前記Ａｌ系合金膜をエッチングする工程と、前
記レジストパターンを除去する工程と、前記Ａｌ系合金
膜のパターンを用いて、前記下層膜をエッチングする工
程とからなることを特徴とする。
性基板上にゲート配線、ソース配線、および当該２つの
配線の交差部に形成されるスイッチング素子とを設けて
なるアレイ基板と、前記アレイ基板の一部分に向かいあ
って配設される対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板とのあいだに挟持される液晶とからなる液晶表示装
置の製法であって、前記ゲート配線としてのＡｌ系合金
膜と該Ａｌ系合金膜の下層に設けるダミー膜としての下
層膜とを連続して成膜する工程と、レジストパターンを
用いて、前記Ａｌ系合金膜をエッチングする工程と、前
記レジストパターンを除去する工程と、前記Ａｌ系合金
膜のパターンを用いて、前記下層膜をエッチングする工
程とからなることを特徴とする。
【００１４】本発明の液晶表示装置の製法は、透明絶縁
性基板上にゲート配線、ソース配線、および当該２つの
配線の交差部に形成されるスイッチング素子とを設けて
なるアレイ基板と、前記アレイ基板の一部分に向かいあ
って配設される対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板とのあいだに挟持される液晶とからなる液晶表示装
置の製法であって、前記ゲート配線としてのＡｌ系合金
膜と該Ａｌ系合金膜の下層に設けるダミー膜としての下
層膜とを連続して成膜する工程と、前記下層膜のエッチ
ングを行う工程と、前記Ａｌ系合金膜の上層に保護膜を
成膜する工程と、当該保護膜をエッチングする工程とか
らなることを特徴とする。
性基板上にゲート配線、ソース配線、および当該２つの
配線の交差部に形成されるスイッチング素子とを設けて
なるアレイ基板と、前記アレイ基板の一部分に向かいあ
って配設される対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板とのあいだに挟持される液晶とからなる液晶表示装
置の製法であって、前記ゲート配線としてのＡｌ系合金
膜と該Ａｌ系合金膜の下層に設けるダミー膜としての下
層膜とを連続して成膜する工程と、前記下層膜のエッチ
ングを行う工程と、前記Ａｌ系合金膜の上層に保護膜を
成膜する工程と、当該保護膜をエッチングする工程とか
らなることを特徴とする。
【００１５】本発明の液晶表示装置の製法は、透明絶縁
性基板上にゲート配線、ソース配線、および当該２つの
配線の交差部に形成されるスイッチング素子とを設けて
なるアレイ基板と、前記アレイ基板の一部分に向かいあ
って配設される対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板とのあいだに挟持される液晶とからなる液晶表示装
置の製法であって、前記ゲート配線としてのＡｌ系合金
膜と該Ａｌ系合金膜の下層に設けるダミー膜としての下
層膜とを連続して成膜する工程と、前記下層膜のエッチ
ングを途中まで行う工程と、前記Ａｌ系合金膜の上層に
保護膜を成膜する工程と、前記途中までエッチングを行
った下層膜と前記保護膜とを同時にまたは連続してエッ
チングする工程とからなることを特徴とする。
性基板上にゲート配線、ソース配線、および当該２つの
配線の交差部に形成されるスイッチング素子とを設けて
なるアレイ基板と、前記アレイ基板の一部分に向かいあ
って配設される対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板とのあいだに挟持される液晶とからなる液晶表示装
置の製法であって、前記ゲート配線としてのＡｌ系合金
膜と該Ａｌ系合金膜の下層に設けるダミー膜としての下
層膜とを連続して成膜する工程と、前記下層膜のエッチ
ングを途中まで行う工程と、前記Ａｌ系合金膜の上層に
保護膜を成膜する工程と、前記途中までエッチングを行
った下層膜と前記保護膜とを同時にまたは連続してエッ
チングする工程とからなることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】つぎに図面を参照しながら本発明
の液晶表示装置およびその製法を説明する。図１、図
２、図３および図４は本発明の液晶表示装置の製法の工
程断面説明図である。図１〜４において、同一要素につ
いては同一符号を用いて示す。
の液晶表示装置およびその製法を説明する。図１、図
２、図３および図４は本発明の液晶表示装置の製法の工
程断面説明図である。図１〜４において、同一要素につ
いては同一符号を用いて示す。
【００１７】実施例１ 図１において、１は透明絶縁性基板であり、２はダミー
膜としての下層膜であり、３はＡｌ系合金膜であり、４
はレジストパターンである。本発明の液晶表示装置の製
法は、図１（ａ）に示されるように、ガラスなどからな
る透明絶縁性基板１の表面に、たとえばスパッタ法、蒸
着法またはＣＶＤ（chemical vapor deposition ）法な
どにより下層膜（ダミー膜）２を形成し、さらにＡｌ系
合金膜３を順次形成する。前記下層膜２の膜厚は、成膜
装置が均一に膜を形成できる限界以内であればとくに限
定されるものではないが、現状の成膜装置によると膜厚
は３００Å以上であればよい。また、前記下層膜２の材
料に求められる性質としては、まずＡｌ系合金膜の添加
物が拡散しにくいこと、さらにヒロックや、のちの熱処
理による粒成長性がないことなどがあげられ、たとえ
ば、以下の（１）〜（４）のうちのいずれかひとつから
なる。
膜としての下層膜であり、３はＡｌ系合金膜であり、４
はレジストパターンである。本発明の液晶表示装置の製
法は、図１（ａ）に示されるように、ガラスなどからな
る透明絶縁性基板１の表面に、たとえばスパッタ法、蒸
着法またはＣＶＤ（chemical vapor deposition ）法な
どにより下層膜（ダミー膜）２を形成し、さらにＡｌ系
合金膜３を順次形成する。前記下層膜２の膜厚は、成膜
装置が均一に膜を形成できる限界以内であればとくに限
定されるものではないが、現状の成膜装置によると膜厚
は３００Å以上であればよい。また、前記下層膜２の材
料に求められる性質としては、まずＡｌ系合金膜の添加
物が拡散しにくいこと、さらにヒロックや、のちの熱処
理による粒成長性がないことなどがあげられ、たとえ
ば、以下の（１）〜（４）のうちのいずれかひとつから
なる。
【００１８】（１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本実施例においては、後述するようにウェットエッチン
グ法により下層膜２をエッチングするので、下層膜とし
ては金属または合金がしばしば用いられるが、しかし限
定されるものではない。
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本実施例においては、後述するようにウェットエッチン
グ法により下層膜２をエッチングするので、下層膜とし
ては金属または合金がしばしば用いられるが、しかし限
定されるものではない。
【００１９】本実施例においては、たとえばスパッタ法
により形成された膜厚５００ÅのＣｒ膜を、下層膜２と
して使用する。前記Ａｌ系合金膜３の膜厚は、成膜装置
の制御可能な範囲で小さくすることができる。また、前
記Ａｌ系合金膜３の材料に求められる性質としては、ヒ
ロックが発生しにくいことがあげられる。一般的には、
Ａｌ−Ｓｉ系合金膜またはＡｌ−Ｃｕ系合金膜が使用さ
れる。ここでは、たとえばＳｉを１重量％含む、膜厚１
０００ÅのＡｌ−Ｓｉ合金膜を、スパッタ法により形成
したものを、Ａｌ系合金膜３として使用する。
により形成された膜厚５００ÅのＣｒ膜を、下層膜２と
して使用する。前記Ａｌ系合金膜３の膜厚は、成膜装置
の制御可能な範囲で小さくすることができる。また、前
記Ａｌ系合金膜３の材料に求められる性質としては、ヒ
ロックが発生しにくいことがあげられる。一般的には、
Ａｌ−Ｓｉ系合金膜またはＡｌ−Ｃｕ系合金膜が使用さ
れる。ここでは、たとえばＳｉを１重量％含む、膜厚１
０００ÅのＡｌ−Ｓｉ合金膜を、スパッタ法により形成
したものを、Ａｌ系合金膜３として使用する。
【００２０】つぎに、図１（ｂ）に示されるように、前
記Ａｌ系合金膜３に対して、通常のレジスト塗布および
露光方法で所望の形状にレジストを形成する写真製版技
術（以下、単に「写真製版技術」という）によりパター
ニングを行い、前記Ａｌ系合金膜３上にレジストパター
ン４を形成する。図１（ｃ）に示されるように、前記レ
ジストパターン４をマスクとして、たとえば燐酸：硝
酸：酢酸：水＝１５：１：３：１からなるエッチング液
により前記Ａｌ系合金膜３をエッチングする。この際、
前記下層膜２上にはＡｌ系合金膜３の添加物の残渣が残
る。しかし、続いて前記下層膜２をエッチングすること
により、Ａｌ系合金膜３の添加物の残渣は完全にとりさ
られる。このとき、Ａｌ系合金膜３に対するエッチング
と同様に下層膜２はウエットエッチング法によってエッ
チングされる。ウエットエッチング法は等方的にエッチ
ングが進行するため、レジストパターン４の下部に位置
するＡｌ系合金膜３の端縁およびレジストパターン４の
下部に位置する下層膜２の端縁がエッチングされて、Ａ
ｌ系合金膜３および下層膜２の両端縁はレジストパター
ン４の端縁より数μｍ程度内側に入り込んだ状態となる
（図１（ｃ）参照）。最後に、前記レジストパターン４
を除去することで、図１（ｄ）に示されるような、Ａｌ
系合金膜によるゲート配線が形成される。このあと、通
常の液晶表示装置の製法により、透明絶縁性基板１上に
ソース配線、表示電極、薄膜トランジスタおよびドレイ
ン配線などを形成し、アレイ基板を形成し、さらに前記
アレイ基板の一部分に対向して透明絶縁性基板などから
なる対向基板を配設し、前記アレイ基板と前記対向基板
のあいだに液晶を挟持し、液晶表示装置を完成させる。
記Ａｌ系合金膜３に対して、通常のレジスト塗布および
露光方法で所望の形状にレジストを形成する写真製版技
術（以下、単に「写真製版技術」という）によりパター
ニングを行い、前記Ａｌ系合金膜３上にレジストパター
ン４を形成する。図１（ｃ）に示されるように、前記レ
ジストパターン４をマスクとして、たとえば燐酸：硝
酸：酢酸：水＝１５：１：３：１からなるエッチング液
により前記Ａｌ系合金膜３をエッチングする。この際、
前記下層膜２上にはＡｌ系合金膜３の添加物の残渣が残
る。しかし、続いて前記下層膜２をエッチングすること
により、Ａｌ系合金膜３の添加物の残渣は完全にとりさ
られる。このとき、Ａｌ系合金膜３に対するエッチング
と同様に下層膜２はウエットエッチング法によってエッ
チングされる。ウエットエッチング法は等方的にエッチ
ングが進行するため、レジストパターン４の下部に位置
するＡｌ系合金膜３の端縁およびレジストパターン４の
下部に位置する下層膜２の端縁がエッチングされて、Ａ
ｌ系合金膜３および下層膜２の両端縁はレジストパター
ン４の端縁より数μｍ程度内側に入り込んだ状態となる
（図１（ｃ）参照）。最後に、前記レジストパターン４
を除去することで、図１（ｄ）に示されるような、Ａｌ
系合金膜によるゲート配線が形成される。このあと、通
常の液晶表示装置の製法により、透明絶縁性基板１上に
ソース配線、表示電極、薄膜トランジスタおよびドレイ
ン配線などを形成し、アレイ基板を形成し、さらに前記
アレイ基板の一部分に対向して透明絶縁性基板などから
なる対向基板を配設し、前記アレイ基板と前記対向基板
のあいだに液晶を挟持し、液晶表示装置を完成させる。
【００２１】実施例２ 前述の実施例１においては、絶縁性基板１の表面に下層
膜（ダミー膜）２、Ａｌ系合金膜３およびレジストパタ
ーン４を順次形成し、レジストパターン４をマスクとし
てＡｌ系合金膜３および下層膜２のエッチングを順次行
い、最後にレジストパターン４の除去を行っている。本
実施例においては、レジストパターンの代りにＡｌ系合
金膜をマスクとして、異方性の高いドライエッチング法
で下層膜をエッチングしている。レジストパターン４を
マスクとして、異方性の高いドライエッチング法で下層
膜２をエッチングすると、レジストパターン４が形成さ
れた部分はエッチングされないので、実施例１のばあい
とは異なってレジストパターン４の下部の残渣（図２
（ｃ）において５ａで示す残渣）が除去できないという
問題が生じる。前記レジストパターン４の下部の残渣と
は、Ａｌ系合金膜３をウエットエッチングする際、エッ
チングがレジストパターン４が形成された部分にまでお
よび、レジストパターン４の下部に位置するＡｌ系合金
膜３の一部分が除去されたために残った残渣である。
膜（ダミー膜）２、Ａｌ系合金膜３およびレジストパタ
ーン４を順次形成し、レジストパターン４をマスクとし
てＡｌ系合金膜３および下層膜２のエッチングを順次行
い、最後にレジストパターン４の除去を行っている。本
実施例においては、レジストパターンの代りにＡｌ系合
金膜をマスクとして、異方性の高いドライエッチング法
で下層膜をエッチングしている。レジストパターン４を
マスクとして、異方性の高いドライエッチング法で下層
膜２をエッチングすると、レジストパターン４が形成さ
れた部分はエッチングされないので、実施例１のばあい
とは異なってレジストパターン４の下部の残渣（図２
（ｃ）において５ａで示す残渣）が除去できないという
問題が生じる。前記レジストパターン４の下部の残渣と
は、Ａｌ系合金膜３をウエットエッチングする際、エッ
チングがレジストパターン４が形成された部分にまでお
よび、レジストパターン４の下部に位置するＡｌ系合金
膜３の一部分が除去されたために残った残渣である。
【００２２】前述の問題を解決するために、さきにレジ
ストパターン４を除去してから、Ａｌ系合金膜３をマス
クとして、下層膜２をドライエッチング法でエッチング
する方法が考えられる。図２において、１は透明絶縁性
基板であり、２はダミー膜としての下層膜であり、３は
Ａｌ系合金膜であり、４はレジストパターンであり、５
および５ａは添加物の残渣である。また、前記下層膜２
の材料に求められる性質としては、まずＡｌ系合金膜の
添加物が拡散しにくいこと、さらにヒロックや、のちの
熱処理による粒成長性がないことなどがあげられ、たと
えば、以下の（１）〜（４）のうちのいずれかひとつか
らなる。
ストパターン４を除去してから、Ａｌ系合金膜３をマス
クとして、下層膜２をドライエッチング法でエッチング
する方法が考えられる。図２において、１は透明絶縁性
基板であり、２はダミー膜としての下層膜であり、３は
Ａｌ系合金膜であり、４はレジストパターンであり、５
および５ａは添加物の残渣である。また、前記下層膜２
の材料に求められる性質としては、まずＡｌ系合金膜の
添加物が拡散しにくいこと、さらにヒロックや、のちの
熱処理による粒成長性がないことなどがあげられ、たと
えば、以下の（１）〜（４）のうちのいずれかひとつか
らなる。
【００２３】（１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本実施例においては、後述するようにドライエッチング
法により下層膜２をエッチングするので、下層膜として
は窒化物がしばしば用いられるが、しかし限定されるも
のではない。
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本実施例においては、後述するようにドライエッチング
法により下層膜２をエッチングするので、下層膜として
は窒化物がしばしば用いられるが、しかし限定されるも
のではない。
【００２４】本実施例においては、絶縁性基板１の表面
に下層膜２、Ａｌ系合金膜３およびレジストパターン４
を順次形成し（図２（ａ）および図２（ｂ）参照）、レ
ジストパターン４をマスクとしＡｌ系合金膜３をエッチ
ングしたのち（図２（ｃ）参照）、レジストパターン４
の除去を行い（図２（ｄ）参照）、最後にＡｌ系合金膜
３をマスクとして下層膜２のエッチングを行い、下層膜
２上のすべての添加物の残渣を除去している（図２
（ｅ）参照）。
に下層膜２、Ａｌ系合金膜３およびレジストパターン４
を順次形成し（図２（ａ）および図２（ｂ）参照）、レ
ジストパターン４をマスクとしＡｌ系合金膜３をエッチ
ングしたのち（図２（ｃ）参照）、レジストパターン４
の除去を行い（図２（ｄ）参照）、最後にＡｌ系合金膜
３をマスクとして下層膜２のエッチングを行い、下層膜
２上のすべての添加物の残渣を除去している（図２
（ｅ）参照）。
【００２５】実施例３ 前述の実施例１および実施例２においては、下層膜２上
の残渣の除去が可能であることが示されている。しか
し、ゲート配線として使用されているＡｌ系合金膜は、
一般に、腐食防止のためにその表面を耐食性金属で覆う
必要がある。
の残渣の除去が可能であることが示されている。しか
し、ゲート配線として使用されているＡｌ系合金膜は、
一般に、腐食防止のためにその表面を耐食性金属で覆う
必要がある。
【００２６】本実施例は、実施例１および実施例２と同
様に下層膜２上の残渣を除去できるとともに、Ａｌ系合
金膜の腐食防止のための保護膜を形成した例である。
様に下層膜２上の残渣を除去できるとともに、Ａｌ系合
金膜の腐食防止のための保護膜を形成した例である。
【００２７】図３において、１は透明絶縁性基板であ
り、２はダミー膜としての下層膜であり、３はＡｌ系合
金膜であり、４はレジストパターンであり、５は添加物
の残渣であり、６は耐食性金属からなる保護膜である。
まず、下層膜（ダミー膜）２の材料にのちに形成される
保護膜６と同じ材料を用いて、本発明の液晶表示装置の
ゲート配線はつぎに示す方法で形成される。図３（ａ）
に示されるように、Ａｌ系合金膜３および下層膜２を成
膜する。つぎに、写真製版技術によりレジストパターン
４を形成し（図３（ｂ）参照）、Ａｌ系合金膜３をエッ
チング（図３（ｃ）参照）したのち、下層膜２をエッチ
ングし（図３（ｄ）参照）、レジストパターン４を除去
している（図３（ｅ）参照）。このとき、Ａｌ系合金膜
３および下層膜２のエッチングはウェットエッチング法
によって行われる。続いて保護膜６を、透明絶縁性基板
１およびＡｌ系合金膜３を覆うように成膜し（図３
（ｆ）参照）、最後にエッチングによりＡｌ系合金膜３
の表面を覆うように保護膜６を形成して（図３（ｄ）参
照）ゲート配線を形成する。このとき、保護膜６のエッ
チングは、ウェットエッチング法によって行われる。
り、２はダミー膜としての下層膜であり、３はＡｌ系合
金膜であり、４はレジストパターンであり、５は添加物
の残渣であり、６は耐食性金属からなる保護膜である。
まず、下層膜（ダミー膜）２の材料にのちに形成される
保護膜６と同じ材料を用いて、本発明の液晶表示装置の
ゲート配線はつぎに示す方法で形成される。図３（ａ）
に示されるように、Ａｌ系合金膜３および下層膜２を成
膜する。つぎに、写真製版技術によりレジストパターン
４を形成し（図３（ｂ）参照）、Ａｌ系合金膜３をエッ
チング（図３（ｃ）参照）したのち、下層膜２をエッチ
ングし（図３（ｄ）参照）、レジストパターン４を除去
している（図３（ｅ）参照）。このとき、Ａｌ系合金膜
３および下層膜２のエッチングはウェットエッチング法
によって行われる。続いて保護膜６を、透明絶縁性基板
１およびＡｌ系合金膜３を覆うように成膜し（図３
（ｆ）参照）、最後にエッチングによりＡｌ系合金膜３
の表面を覆うように保護膜６を形成して（図３（ｄ）参
照）ゲート配線を形成する。このとき、保護膜６のエッ
チングは、ウェットエッチング法によって行われる。
【００２８】前記保護膜６および前記下層膜２は、たと
えば、以下の（１）〜（４）のうちのいずれかひとつか
らなる。
えば、以下の（１）〜（４）のうちのいずれかひとつか
らなる。
【００２９】（１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 実施例４ 前述の実施例３においては、下層膜２をウェットエッチ
ング法によりエッチングし、下層膜２上の残渣の除去を
行っている。しかし、一般に、下層膜２のエッチングを
ウエットエッチングで行うばあい、ウエットエッチング
は、下層膜２の表面に対して平行な方向にも垂直な方向
にもエッチングが進行するため、同時にＡｌ系合金膜３
の側面にもエッチングが施されてしまい、Ａｌ系合金膜
３の側面に凹部が形成されてしまうという問題が一般的
に生じる。
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 実施例４ 前述の実施例３においては、下層膜２をウェットエッチ
ング法によりエッチングし、下層膜２上の残渣の除去を
行っている。しかし、一般に、下層膜２のエッチングを
ウエットエッチングで行うばあい、ウエットエッチング
は、下層膜２の表面に対して平行な方向にも垂直な方向
にもエッチングが進行するため、同時にＡｌ系合金膜３
の側面にもエッチングが施されてしまい、Ａｌ系合金膜
３の側面に凹部が形成されてしまうという問題が一般的
に生じる。
【００３０】本実施例は、実施例３と同様に下層膜２上
の残渣を除去でき、さらに、Ａｌ系合金膜の腐食防止が
できるとともに、下層膜２のエッチングを添加物の残渣
が取除かれた時点で終了させ、Ａｌ系合金膜３の側面に
形成される凹部の大きさを極力小さくする例である。
の残渣を除去でき、さらに、Ａｌ系合金膜の腐食防止が
できるとともに、下層膜２のエッチングを添加物の残渣
が取除かれた時点で終了させ、Ａｌ系合金膜３の側面に
形成される凹部の大きさを極力小さくする例である。
【００３１】図４において、１は透明絶縁性基板であ
り、２はダミー膜としての下層膜であり、３はＡｌ系合
金膜であり、４はレジストパターンであり、５は添加物
の残渣であり、６は耐食性金属からなる保護膜である。
まず、下層膜（ダミー膜）２の材料にのちに形成される
保護膜６と同じ材料を用いて、本発明の液晶表示装置の
ゲート配線はつぎに示す方法で形成される。図４（ａ）
に示されるように、Ａｌ系合金膜３および下層膜２を成
膜する。つぎに、写真製版技術によりレジストパターン
４を形成し（図４（ｂ）参照）、Ａｌ系合金膜３をエッ
チング（図４（ｃ）参照）したのち、下層膜２をエッチ
ングし（図４（ｄ）参照）、レジストパターン４を除去
している（図４（ｅ）参照）。このとき、Ａｌ系合金膜
３および下層膜２のエッチングはウェットエッチング法
によって行われる。さらに、下層膜２のエッチングは下
層膜２上の残渣が除去できた時点で終了させる。続いて
保護膜６を、下層膜２およびＡｌ系合金膜３を覆うよう
に成膜し（図４（ｆ）参照）、最後にエッチングにより
Ａｌ系合金膜３の表面を覆うように保護膜６および下層
膜２を形成して（図４（ｄ）参照）ゲート配線を形成す
る。このとき、保護膜６および下層膜２のエッチング
は、保護膜６および下層膜２が同一の材料であるため同
時に行われる。
り、２はダミー膜としての下層膜であり、３はＡｌ系合
金膜であり、４はレジストパターンであり、５は添加物
の残渣であり、６は耐食性金属からなる保護膜である。
まず、下層膜（ダミー膜）２の材料にのちに形成される
保護膜６と同じ材料を用いて、本発明の液晶表示装置の
ゲート配線はつぎに示す方法で形成される。図４（ａ）
に示されるように、Ａｌ系合金膜３および下層膜２を成
膜する。つぎに、写真製版技術によりレジストパターン
４を形成し（図４（ｂ）参照）、Ａｌ系合金膜３をエッ
チング（図４（ｃ）参照）したのち、下層膜２をエッチ
ングし（図４（ｄ）参照）、レジストパターン４を除去
している（図４（ｅ）参照）。このとき、Ａｌ系合金膜
３および下層膜２のエッチングはウェットエッチング法
によって行われる。さらに、下層膜２のエッチングは下
層膜２上の残渣が除去できた時点で終了させる。続いて
保護膜６を、下層膜２およびＡｌ系合金膜３を覆うよう
に成膜し（図４（ｆ）参照）、最後にエッチングにより
Ａｌ系合金膜３の表面を覆うように保護膜６および下層
膜２を形成して（図４（ｄ）参照）ゲート配線を形成す
る。このとき、保護膜６および下層膜２のエッチング
は、保護膜６および下層膜２が同一の材料であるため同
時に行われる。
【００３２】前記保護膜６および前記下層膜２は、たと
えば、以下の（１）〜（４）のうちのいずれかひとつか
らなる。
えば、以下の（１）〜（４）のうちのいずれかひとつか
らなる。
【００３３】（１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｕ
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本実施例においては、下層膜２のエッチングを、添加物
の残渣が取除かれた時点で終了させるため、Ａｌ系合金
膜３の側面に形成される凹部の大きさを極力小さくする
ことができ、Ａｌ系合金膜３の腐食防止のための保護膜
６をＡｌ系合金膜３の表面により密着させることができ
る。
およびＮｉのうちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 本実施例においては、下層膜２のエッチングを、添加物
の残渣が取除かれた時点で終了させるため、Ａｌ系合金
膜３の側面に形成される凹部の大きさを極力小さくする
ことができ、Ａｌ系合金膜３の腐食防止のための保護膜
６をＡｌ系合金膜３の表面により密着させることができ
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、Ａｌ系合金膜からなる
ゲート配線の下に、Ａｌ系合金膜と異なる材料からなる
下層膜を設ける構造により、添加物の残渣やサイドヒロ
ックが全くない、信頼性の高いゲート配線を形成するこ
とができる。
ゲート配線の下に、Ａｌ系合金膜と異なる材料からなる
下層膜を設ける構造により、添加物の残渣やサイドヒロ
ックが全くない、信頼性の高いゲート配線を形成するこ
とができる。
【図１】本発明の液晶表示装置の製法の一実施例を示す
工程断面説明図である。
工程断面説明図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の製法の他の実施例を示
す工程断面説明図である。
す工程断面説明図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の製法の他の実施例を示
す工程断面説明図である。
す工程断面説明図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の製法の他の実施例を示
す工程断面説明図である。
す工程断面説明図である。
【図５】従来の液晶表示装置の製法を示す工程断面説明
図である。
図である。
１ 透明絶縁性基板 ２ 下層膜 ３ Ａｌ系合金膜
Claims (10)
- 【請求項１】 透明絶縁性基板上にゲート配線、ソース
配線、およびスイッチング素子とが設けられており、前
記スイッチング素子が前記ゲート配線と前記ソース配線
の交差部に形成されてなるアレイ基板と、前記アレイ基
板の一部分に向かいあって配設される対向基板と、前記
アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟持される液晶
とからなる液晶表示装置であって、前記ゲート配線とし
てＡｌを含む合金によるＡｌ系合金膜を形成し、当該Ａ
ｌ系合金膜の下層にダミー膜として下層膜を設けてなる
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記下層膜が以下の（１）〜（４）のう
ちのいずれかひとつからなる請求項１記載の液晶表示装
置。 （１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉの
うちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 - 【請求項３】 透明絶縁性基板上にゲート配線、ソース
配線、および当該２つの配線の交差部に形成されるスイ
ッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、前記アレイ
基板の一部分に向かいあって配設される対向基板と、前
記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟持される液
晶とからなる液晶表示装置であって、前記ゲート配線と
してＡｌを含む合金によるＡｌ系合金膜を形成し、当該
Ａｌ系合金膜の下層にダミー膜として下層膜を成膜した
のち、該下層膜のエッチングを行い、さらに前記Ａｌ系
合金膜の上層に保護膜を成膜したのち、当該保護膜をエ
ッチングして形成されることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項４】 前記下層膜が以下の（１）〜（４）のう
ちのいずれかひとつからなる請求項３記載の液晶表示装
置。 （１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉの
うちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 - 【請求項５】 透明絶縁性基板上にゲート配線、ソース
配線、および当該２つの配線の交差部に形成されるスイ
ッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、前記アレイ
基板の一部分に向かいあって配設される対向基板と、前
記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟持される液
晶とからなる液晶表示装置であって、前記ゲート配線と
してＡｌを含む合金によるＡｌ系合金膜を形成し、当該
Ａｌ系合金膜の下層にダミー膜として下層膜を成膜した
のち、該下層膜のエッチングを途中まで行い、さらに前
記Ａｌ系合金膜の上層に保護膜を成膜したのち、前記エ
ッチングを途中まで行った下層膜と前記保護膜とをエッ
チングして形成されることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記下層膜が以下の（１）〜（４）のう
ちのいずれかひとつからなる請求項５記載の液晶表示装
置。 （１）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉの
うちのいずれかひとつ （２）Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、ＣｕおよびＮｉを
それぞれ含む合金のうちのいずれかひとつ （３）ＳｉＮ、ＳｉＯ2 およびＴａＯ2 のいずれかひと
つ （４）レジン系有機物の絶縁物 - 【請求項７】 透明絶縁性基板上にゲート配線、ソース
配線、および当該２つの配線の交差部に形成されるスイ
ッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、前記アレイ
基板の一部分に向かいあって配設される対向基板と、前
記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟持される液
晶とからなる液晶表示装置の製法であって、前記ゲート
配線としてのＡｌ系合金膜と該Ａｌ系合金膜の下層に設
けるダミー膜としての下層膜とを連続して成膜する工程
と、該２つの膜を同一のレジストパターンを用いて、連
続してエッチングする工程とからなることを特徴とする
液晶表示装置の製法。 - 【請求項８】 透明絶縁性基板上にゲート配線、ソース
配線、および当該２つの配線の交差部に形成されるスイ
ッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、前記アレイ
基板の一部分に向かいあって配設される対向基板と、前
記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟持される液
晶とからなる液晶表示装置の製法であって、前記ゲート
配線としてのＡｌ系合金膜と該Ａｌ系合金膜の下層に設
けるダミー膜としての下層膜とを連続して成膜する工程
と、レジストパターンを用いて、前記Ａｌ系合金膜をエ
ッチングする工程と、前記レジストパターンを除去する
工程、前記Ａｌ系合金膜のパターンを用いて、前記下層
膜をエッチングする工程とからなることを特徴とする液
晶表示装置の製法。 - 【請求項９】 透明絶縁性基板上にゲート配線、ソース
配線、および当該２つの配線の交差部に形成されるスイ
ッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、前記アレイ
基板の一部分に向かいあって配設される対向基板と、前
記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟持される液
晶とからなる液晶表示装置の製法であって、前記ゲート
配線としてのＡｌ系合金膜と該Ａｌ系合金膜の下層に設
けるダミー膜としての下層膜とを連続して成膜する工程
と、前記下層膜のエッチングを行う工程と、前記Ａｌ系
合金膜の上層に保護膜を成膜する工程と、当該保護膜を
エッチングする工程とからなることを特徴とする液晶表
示装置の製法。 - 【請求項１０】 透明絶縁性基板上にゲート配線、ソー
ス配線、および当該２つの配線の交差部に形成されるス
イッチング素子とを設けてなるアレイ基板と、前記アレ
イ基板の一部分に向かいあって配設される対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板とのあいだに挟持される
液晶とからなる液晶表示装置の製法であって、前記ゲー
ト配線としてのＡｌ系合金膜と該Ａｌ系合金膜の下層に
設けるダミー膜としての下層膜とを連続して成膜する工
程と、前記下層膜のエッチングを途中まで行う工程と、
前記Ａｌ系合金膜の上層に保護膜を成膜する工程と、前
記途中までエッチングを行った下層膜と前記保護膜とを
同時にまたは連続してエッチングする工程とからなるこ
とを特徴とする液晶表示装置の製法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31243295A JP3208646B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 液晶表示装置およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31243295A JP3208646B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 液晶表示装置およびその製法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09152624A true JPH09152624A (ja) | 1997-06-10 |
| JP3208646B2 JP3208646B2 (ja) | 2001-09-17 |
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| JP31243295A Expired - Fee Related JP3208646B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 液晶表示装置およびその製法 |
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| JP (1) | JP3208646B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2012086758A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-06-05 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP31243295A patent/JP3208646B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2012086758A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-06-05 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
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| Publication number | Publication date |
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