JPH09134510A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH09134510A JPH09134510A JP7311604A JP31160495A JPH09134510A JP H09134510 A JPH09134510 A JP H09134510A JP 7311604 A JP7311604 A JP 7311604A JP 31160495 A JP31160495 A JP 31160495A JP H09134510 A JPH09134510 A JP H09134510A
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反強磁性交換結合膜を用いた磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおいて、ＮｉＦｅならびにＮｉＭｎの配向
度を制御することにより、交換結合磁界を向上させ、バ
ルクハウゼンノイズを抑制して再生性能を向上させる。 【解決手段】 磁気抵抗効果素子として強磁性体層と反
強磁性体層とから構成される磁気抵抗効果ヘッドにおい
て、面心立方晶（ｆｃｃ）の強磁性体層の直上にｆｃｃ
構造を有する反強磁性体層が積層され、更に面心正方晶
（ｆｃｔ）の反強磁性体層が積層された構造を特徴と
し、ｆｃｃ構造を有する反強磁性体層は、強磁性体層と
反強磁性体層の界面近傍に形成され、強磁性体層と反強
磁性体層の界面はエピタキシャル成長によって連続性を
保持しており、強磁性体層はＮｉＦｅ系合金であり、反
強磁性体層はＮｉＭｎ合金であることを特徴としてい
る。
磁気ヘッドにおいて、ＮｉＦｅならびにＮｉＭｎの配向
度を制御することにより、交換結合磁界を向上させ、バ
ルクハウゼンノイズを抑制して再生性能を向上させる。 【解決手段】 磁気抵抗効果素子として強磁性体層と反
強磁性体層とから構成される磁気抵抗効果ヘッドにおい
て、面心立方晶（ｆｃｃ）の強磁性体層の直上にｆｃｃ
構造を有する反強磁性体層が積層され、更に面心正方晶
（ｆｃｔ）の反強磁性体層が積層された構造を特徴と
し、ｆｃｃ構造を有する反強磁性体層は、強磁性体層と
反強磁性体層の界面近傍に形成され、強磁性体層と反強
磁性体層の界面はエピタキシャル成長によって連続性を
保持しており、強磁性体層はＮｉＦｅ系合金であり、反
強磁性体層はＮｉＭｎ合金であることを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等に使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッ
ド）に係わり、特にその検出部を構成する反強磁性交換
結合膜によるバルクハウゼンノイズの抑制効果を向上さ
せた磁気抵抗効果層（ＭＲ層）とその製造方法に関わ
る。
等に使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッ
ド）に係わり、特にその検出部を構成する反強磁性交換
結合膜によるバルクハウゼンノイズの抑制効果を向上さ
せた磁気抵抗効果層（ＭＲ層）とその製造方法に関わ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録技術の進歩は著しい。例
えば家庭用ＶＴＲの分野では小型、軽量化のために、ま
た磁気ディスク装置の分野では小型、大容量化のニーズ
に対応できるように高記録密度化技術が検討されてい
る。磁気ヘッドとしてはこの高記録密度化に対して、磁
気抵抗効果素子を検出素子としたＭＲヘッドの実用化が
進められている。高記録密度化に対する磁気ディスク装
置用磁気ヘッドの技術的なエポックを挙げると、単結晶
フェライトを適用した記録・再生動作を単一ヘッドで行
うリング型磁気ヘッド、磁気ギャップ部に高飽和磁束密
度の磁性膜を設けたメタルインギャップ型磁気ヘッド、
フォトリソグラフィー技術を応用した誘導型薄膜ヘッ
ド、更に記録動作を誘導型薄膜磁気ヘッドで行い、再生
動作をＭＲヘッドで行う記録再生分離型磁気ヘッド等が
ある。将来的には、高記録密度化に好適と考えられる記
録再生分離型磁気ヘッドに進展しつつある。
えば家庭用ＶＴＲの分野では小型、軽量化のために、ま
た磁気ディスク装置の分野では小型、大容量化のニーズ
に対応できるように高記録密度化技術が検討されてい
る。磁気ヘッドとしてはこの高記録密度化に対して、磁
気抵抗効果素子を検出素子としたＭＲヘッドの実用化が
進められている。高記録密度化に対する磁気ディスク装
置用磁気ヘッドの技術的なエポックを挙げると、単結晶
フェライトを適用した記録・再生動作を単一ヘッドで行
うリング型磁気ヘッド、磁気ギャップ部に高飽和磁束密
度の磁性膜を設けたメタルインギャップ型磁気ヘッド、
フォトリソグラフィー技術を応用した誘導型薄膜ヘッ
ド、更に記録動作を誘導型薄膜磁気ヘッドで行い、再生
動作をＭＲヘッドで行う記録再生分離型磁気ヘッド等が
ある。将来的には、高記録密度化に好適と考えられる記
録再生分離型磁気ヘッドに進展しつつある。
【０００３】さて、磁気ディスク装置を小型化するため
には、まず磁気記録媒体である磁気ディスクの外径を小
さくする方法が効果的であるが、磁気ディスクと磁気ヘ
ッドの相対速度が低下してしまうため、電磁誘導現象を
利用している従来のりング型フェライト磁気ヘッド、あ
るいは誘導型薄膜磁気へッドでは、充分な出力を得るこ
とが困難になるという問題を有している。しかしなが
ら、ＭＲヘッドでは信号磁界の大きさまたは方向の少な
くとも一方を検出することにしているため、出力は磁気
ヘッドと磁気ディスクとの相対速度に無関係に一定であ
るという特徴を有している。このため、今後の磁気ディ
スク装置の小型化要請に対して、ＭＲヘッドの性能向上
は必須課題であると言える。
には、まず磁気記録媒体である磁気ディスクの外径を小
さくする方法が効果的であるが、磁気ディスクと磁気ヘ
ッドの相対速度が低下してしまうため、電磁誘導現象を
利用している従来のりング型フェライト磁気ヘッド、あ
るいは誘導型薄膜磁気へッドでは、充分な出力を得るこ
とが困難になるという問題を有している。しかしなが
ら、ＭＲヘッドでは信号磁界の大きさまたは方向の少な
くとも一方を検出することにしているため、出力は磁気
ヘッドと磁気ディスクとの相対速度に無関係に一定であ
るという特徴を有している。このため、今後の磁気ディ
スク装置の小型化要請に対して、ＭＲヘッドの性能向上
は必須課題であると言える。
【０００４】図１２は記録再生分離型磁気ヘッドの概略
構成を示したものである。この図は磁気ヘッドの中心線
に沿って切断した後の左側半分を磁気記録媒体側から見
た斜視図である。基板２０上には、絶縁層を介して下部
シールド１およびミッドシールド５の間に挟まれて磁気
抵抗効果素子（ＭＲ素子）３が配置された再生専用のＭ
Ｒヘッドが形成されている。更に、その上層に上部磁極
７とミッドシールド５によって閉磁路が構成され、書き
込み用のコイル６が設けられた記録専用ヘッドとしての
誘導型薄膜磁気ヘッドがＭＲヘッド上に搭載される。両
ヘッドはミッドシールド５により互いに磁気的に干渉さ
れない構造を採用している。
構成を示したものである。この図は磁気ヘッドの中心線
に沿って切断した後の左側半分を磁気記録媒体側から見
た斜視図である。基板２０上には、絶縁層を介して下部
シールド１およびミッドシールド５の間に挟まれて磁気
抵抗効果素子（ＭＲ素子）３が配置された再生専用のＭ
Ｒヘッドが形成されている。更に、その上層に上部磁極
７とミッドシールド５によって閉磁路が構成され、書き
込み用のコイル６が設けられた記録専用ヘッドとしての
誘導型薄膜磁気ヘッドがＭＲヘッド上に搭載される。両
ヘッドはミッドシールド５により互いに磁気的に干渉さ
れない構造を採用している。
【０００５】磁気記録媒体面側から見たＭＲヘッドの検
出部を図１３に示す。ＭＲ素子は、磁気抵抗効果を呈す
るＮｉＦｅ等の強磁性体層（ＭＲ層）３，非磁性で比較
的高低抗性を有するＴａ等による磁気分離層９および軟
磁性材からなるソフトバイアス膜（ＳＡＬ膜）８の多層
体構成である。ＳＡＬ膜８はＭＲ層３に横バイアス磁界
を与え、再生動作を線形領域内で行わせる目的で設けら
れるものである。更に、ＭＲ層３に直接接してＮｉＭｎ
等による反強磁性体層３０が積層される。この反強磁性
体層３０はＭＲ層３に対して反強磁性交換結合作用を生
じ、バルクハウゼンノイズの抑制効果がある。反強磁性
体層３０には電極３２が配置され、外部磁界としての信
号磁界がＭＲ素子部に印加されると、ＭＲ層３の電気抵
抗が低下することになる。このため、電極３２から導入
されている一定電流による電圧降下分が減少し、この変
化分を信号磁界に対応する電気信号として検出するもの
である。
出部を図１３に示す。ＭＲ素子は、磁気抵抗効果を呈す
るＮｉＦｅ等の強磁性体層（ＭＲ層）３，非磁性で比較
的高低抗性を有するＴａ等による磁気分離層９および軟
磁性材からなるソフトバイアス膜（ＳＡＬ膜）８の多層
体構成である。ＳＡＬ膜８はＭＲ層３に横バイアス磁界
を与え、再生動作を線形領域内で行わせる目的で設けら
れるものである。更に、ＭＲ層３に直接接してＮｉＭｎ
等による反強磁性体層３０が積層される。この反強磁性
体層３０はＭＲ層３に対して反強磁性交換結合作用を生
じ、バルクハウゼンノイズの抑制効果がある。反強磁性
体層３０には電極３２が配置され、外部磁界としての信
号磁界がＭＲ素子部に印加されると、ＭＲ層３の電気抵
抗が低下することになる。このため、電極３２から導入
されている一定電流による電圧降下分が減少し、この変
化分を信号磁界に対応する電気信号として検出するもの
である。
【０００６】ＭＲヘッドにおいて常に問題になること
は、バルクハウゼンノイズの発生によりＳ／Ｎ比が低下
することである。ＭＲヘッドの感磁部即ち検出部には通
常、磁気抵抗効果を呈する強磁性体としてパーマロイ
（ＮｉＦｅ）膜が使用されるが、ＮｉＦｅ膜等の磁性体
の磁区構造は、磁気エネルギーが最小となる還流型の多
磁区状態をとる。このため、磁気記録媒体からの信号磁
界によって磁区は回転を始め磁壁移動が進むが、ＮｉＦ
ｅ膜中の不純物や欠陥によって磁壁移動が阻害され、磁
気抵抗応答曲線が不連続となり、履歴を示すようにな
る。これに伴い再生出力波形が歪み、ノイズの発生原因
となる。これがバルクハウゼンノイズの発生メカニズム
である。
は、バルクハウゼンノイズの発生によりＳ／Ｎ比が低下
することである。ＭＲヘッドの感磁部即ち検出部には通
常、磁気抵抗効果を呈する強磁性体としてパーマロイ
（ＮｉＦｅ）膜が使用されるが、ＮｉＦｅ膜等の磁性体
の磁区構造は、磁気エネルギーが最小となる還流型の多
磁区状態をとる。このため、磁気記録媒体からの信号磁
界によって磁区は回転を始め磁壁移動が進むが、ＮｉＦ
ｅ膜中の不純物や欠陥によって磁壁移動が阻害され、磁
気抵抗応答曲線が不連続となり、履歴を示すようにな
る。これに伴い再生出力波形が歪み、ノイズの発生原因
となる。これがバルクハウゼンノイズの発生メカニズム
である。
【０００７】このバルクハウゼンノイズ抑制のために
は、ＭＲ素子の長手方向に強い磁気異方性を誘起させ、
ＭＲ素子を単磁区化することが有効である。Ｈｅｍｐｓ
ｔｅａｄらは、ＮｉＦｅ膜上に反強磁性体のγ型ＦｅＭ
ｎ膜をスパッタし、両者の界面で強磁性体と反強磁性体
のスピンを交換相互作用により磁気的に結合させ、Ｎｉ
Ｆｅ膜中のスピンの向きをＦｅＭｎのスピンの向きに揃
える方法を報告している（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａ
ｇｎ.，ＭＡＧ−１４，５２１（１９７８））。しか
し、ＦｅＭｎ膜の欠点は非常に錆やすい上に、ＮｉＦｅ
／ＦｅＭｎ膜間の交換結合磁界（Ｈｕａ）が消失するブ
ロッキング温度（TB）が１５０℃以下と比較的低いた
め、使用条件および環境に制限を受けることである。
は、ＭＲ素子の長手方向に強い磁気異方性を誘起させ、
ＭＲ素子を単磁区化することが有効である。Ｈｅｍｐｓ
ｔｅａｄらは、ＮｉＦｅ膜上に反強磁性体のγ型ＦｅＭ
ｎ膜をスパッタし、両者の界面で強磁性体と反強磁性体
のスピンを交換相互作用により磁気的に結合させ、Ｎｉ
Ｆｅ膜中のスピンの向きをＦｅＭｎのスピンの向きに揃
える方法を報告している（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａ
ｇｎ.，ＭＡＧ−１４，５２１（１９７８））。しか
し、ＦｅＭｎ膜の欠点は非常に錆やすい上に、ＮｉＦｅ
／ＦｅＭｎ膜間の交換結合磁界（Ｈｕａ）が消失するブ
ロッキング温度（TB）が１５０℃以下と比較的低いた
め、使用条件および環境に制限を受けることである。
【０００８】Ｔｓａｎｎ．Ｌｉｎらは、ＦｅＭｎ膜の代
替材としてＮｉＭｎ膜を検討した結果を報告している
（Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，６５，（９），１１
８３（１９９４））。TBは４００℃以上、Ｈｕａは１０
０ Oe以上の特性を示しており、また耐食性はＦｅＭｎ
膜よりも良好であることが示されている。しかし、Ｆｅ
Ｍｎ膜は製膜時においても２０〜３０ OeのＨｕａが発
生するが、ＮｉＭｎ膜は製膜時において数 Oeであり、
ＮｉＦｅ膜との結合は非常に小さい。一方、ＮｉＭｎ膜
のＨｕａを発現させてかつ増加させるためには、２４０
〜２５０℃以上の温度で数時間以上の熱処理が必要であ
ることが報告されている。一方、バルク状態のＮｉＭｎ
の結晶構造は面心正方晶（ｆｃｔ）であることが知られ
ている（Ｊ．Ｓ．Ｋａｓｐｅｒ，ｅｔ ａｌ．：Ｊ.Ｐ
ｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄｓ Ｐｅｒｇａｍｏｎ
Ｐｒｅｓｓ．，１１，２３１（１９５９））。したがっ
て、反強磁性を示すものは結晶構造がｆｃｔ構造である
と考えると、薄膜のＮｉＭｎであってもＨｕａを発現さ
せるためには、ｆｃｔの結晶構造をとることが推定され
る。
替材としてＮｉＭｎ膜を検討した結果を報告している
（Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，６５，（９），１１
８３（１９９４））。TBは４００℃以上、Ｈｕａは１０
０ Oe以上の特性を示しており、また耐食性はＦｅＭｎ
膜よりも良好であることが示されている。しかし、Ｆｅ
Ｍｎ膜は製膜時においても２０〜３０ OeのＨｕａが発
生するが、ＮｉＭｎ膜は製膜時において数 Oeであり、
ＮｉＦｅ膜との結合は非常に小さい。一方、ＮｉＭｎ膜
のＨｕａを発現させてかつ増加させるためには、２４０
〜２５０℃以上の温度で数時間以上の熱処理が必要であ
ることが報告されている。一方、バルク状態のＮｉＭｎ
の結晶構造は面心正方晶（ｆｃｔ）であることが知られ
ている（Ｊ．Ｓ．Ｋａｓｐｅｒ，ｅｔ ａｌ．：Ｊ.Ｐ
ｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄｓ Ｐｅｒｇａｍｏｎ
Ｐｒｅｓｓ．，１１，２３１（１９５９））。したがっ
て、反強磁性を示すものは結晶構造がｆｃｔ構造である
と考えると、薄膜のＮｉＭｎであってもＨｕａを発現さ
せるためには、ｆｃｔの結晶構造をとることが推定され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、熱処理を十分
に施しても大きなＨｕａが得られる場合と得られない場
合が観測された。図７にその一例を示すが、ＮｉＦｅの
下地膜としてＴａ膜を形成した場合とＴａ膜無しの場合
では、Ｈｕａは約半分（１１２→６０ Oe）に低下する
ことが確認された。この時のサンプルは、測定前に約２
９０℃で約６hr（雰囲気は窒素中）熱処理を実施したも
のである。この低下原因を検討した結果、ＮｉＦｅ膜の
下地無しに比較して、Ｔａを下地膜に用いた場合は、ｆ
ｃｃ構造をとるＮｉＦｅ膜の（１１１）面の配向度が飛
躍的に増加することが明らかになった。
に施しても大きなＨｕａが得られる場合と得られない場
合が観測された。図７にその一例を示すが、ＮｉＦｅの
下地膜としてＴａ膜を形成した場合とＴａ膜無しの場合
では、Ｈｕａは約半分（１１２→６０ Oe）に低下する
ことが確認された。この時のサンプルは、測定前に約２
９０℃で約６hr（雰囲気は窒素中）熱処理を実施したも
のである。この低下原因を検討した結果、ＮｉＦｅ膜の
下地無しに比較して、Ｔａを下地膜に用いた場合は、ｆ
ｃｃ構造をとるＮｉＦｅ膜の（１１１）面の配向度が飛
躍的に増加することが明らかになった。
【００１０】図８には２θ／θ法により求めたＸ線回折
強度のプロフィールを示すが、膜構成としてＳｉ／Ｓｉ
０2／ＮｉＦｅの積層体とＳｉ／Ｓｉ０2／Ｔａ／ＮｉＦ
ｅの積層体のＸ線回折強度を比較すると、Ｔａを下地膜
とした後者の方が約３０倍大きい結果が得られた。これ
は、ＮｉＦｅ膜とＮｉＭｎ膜の界面における整合性が深
く関連しているものと考えられる。すなわち、ＮｉＭｎ
膜がＮｉＦｅ膜上にエピタキシャル成長することにより
ＮｉＦｅ膜とＮｉＭｎ膜の結合性が強くなるためと考え
られる。したがって、ＮｉＦｅ膜に直接接している反強
磁性体であるＮｉＭｎ膜の結晶構造は、ＮｉＦｅと同じ
ｆｃｃ構造となることが予想され、また両者の格子定数
差もより小さくなることが考えられる。
強度のプロフィールを示すが、膜構成としてＳｉ／Ｓｉ
０2／ＮｉＦｅの積層体とＳｉ／Ｓｉ０2／Ｔａ／ＮｉＦ
ｅの積層体のＸ線回折強度を比較すると、Ｔａを下地膜
とした後者の方が約３０倍大きい結果が得られた。これ
は、ＮｉＦｅ膜とＮｉＭｎ膜の界面における整合性が深
く関連しているものと考えられる。すなわち、ＮｉＭｎ
膜がＮｉＦｅ膜上にエピタキシャル成長することにより
ＮｉＦｅ膜とＮｉＭｎ膜の結合性が強くなるためと考え
られる。したがって、ＮｉＦｅ膜に直接接している反強
磁性体であるＮｉＭｎ膜の結晶構造は、ＮｉＦｅと同じ
ｆｃｃ構造となることが予想され、また両者の格子定数
差もより小さくなることが考えられる。
【００１１】ところで、ＮｉＦｅ膜の(１１１)面配向度
を更に増大化した場合、エピタキシャル成長がより促進
されてＨｕａを増すことができることが予想されたた
め、Ｈｕａの限界値について検討した。なお、配向度向
上の方法の一つとして、基板上のＳｉ０2膜を除去し、
Ｓｉ基板にＴａあるいはＮｉＦｅ膜を直接製膜する方法
により増大可能であることは既に明らかになっている。
Ｓｉ基板上に直接ＴａあるいはＮｉＦｅ膜を製膜し、前
述と同様にＸ線回折強度を測定した結果を図８に示す。
同図には前述したようにＳｉ０2下地膜有りと比較して
示してある。測定結果を検討してみると、ＮｉＦｅ単層
の回折強度は、Ｓｉ／Ｓｉ０2／Ｔａ／ＮｉＦｅの回折
強度と同程度に増加し、更にＮｉＦｅの下地にＴａを積
層したＳｉ／Ｔａ／ＮｉＦｅの回折強度は、Ｓｉ／Ｓｉ
０2／Ｔａ／ＮｉＦｅの回折強度の２倍以上の大きな値
を示すことが分かった。そこで、このＳｉ０2膜の有無
による各積層構造のサンプルを熱処理し、各々のＨｕａ
を測定した結果を図１４に示す。その結果、Ｓｉ０2膜
有りのＨｕａが１００ Oe以上を示すのに対し、ＮｉＦ
ｅ(１１１)面配向度向上が著しいＳｉ０2膜無しのＨｕ
ａは、約１８ Oe程度と非常に小さな値しか得られなか
った。
を更に増大化した場合、エピタキシャル成長がより促進
されてＨｕａを増すことができることが予想されたた
め、Ｈｕａの限界値について検討した。なお、配向度向
上の方法の一つとして、基板上のＳｉ０2膜を除去し、
Ｓｉ基板にＴａあるいはＮｉＦｅ膜を直接製膜する方法
により増大可能であることは既に明らかになっている。
Ｓｉ基板上に直接ＴａあるいはＮｉＦｅ膜を製膜し、前
述と同様にＸ線回折強度を測定した結果を図８に示す。
同図には前述したようにＳｉ０2下地膜有りと比較して
示してある。測定結果を検討してみると、ＮｉＦｅ単層
の回折強度は、Ｓｉ／Ｓｉ０2／Ｔａ／ＮｉＦｅの回折
強度と同程度に増加し、更にＮｉＦｅの下地にＴａを積
層したＳｉ／Ｔａ／ＮｉＦｅの回折強度は、Ｓｉ／Ｓｉ
０2／Ｔａ／ＮｉＦｅの回折強度の２倍以上の大きな値
を示すことが分かった。そこで、このＳｉ０2膜の有無
による各積層構造のサンプルを熱処理し、各々のＨｕａ
を測定した結果を図１４に示す。その結果、Ｓｉ０2膜
有りのＨｕａが１００ Oe以上を示すのに対し、ＮｉＦ
ｅ(１１１)面配向度向上が著しいＳｉ０2膜無しのＨｕ
ａは、約１８ Oe程度と非常に小さな値しか得られなか
った。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述したよう
に各種サンプルのＨｕａについて発生と原因のメカニズ
ムを解明した結果、ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ間のＨｕａを向
上させ、安定したＨｕａを得る構成および製造方法に想
到するに至った。従来の欠点を解決するための手段につ
いて以下詳述する。ＭＲ層と反強磁性体層から構成され
た検出部を有するＭＲヘッドにおいて、面心立方晶（ｆ
ｃｃ）のＭＲ層と直接接してｆｃｃ構造を有する反強磁
性体層を積層して、更にｆｃｃ構造の反強磁性体層の上
方には面心正方晶（ｆｃｔ）構造を有する反強磁性体層
を形成するようにしたものである。また、ｆｃｃ構造を
有する反強磁性体層は、ＭＲ層と反強磁性体層の界面近
傍に形成され、ＭＲ層と反強磁性体層の界面はエピタキ
シャル成長によって連続性を保持させている。ＭＲ層と
してはＮｉＦｅ系合金であり、一方反強磁性体層はＮｉ
Ｍｎ合金であることを特徴としている。
に各種サンプルのＨｕａについて発生と原因のメカニズ
ムを解明した結果、ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ間のＨｕａを向
上させ、安定したＨｕａを得る構成および製造方法に想
到するに至った。従来の欠点を解決するための手段につ
いて以下詳述する。ＭＲ層と反強磁性体層から構成され
た検出部を有するＭＲヘッドにおいて、面心立方晶（ｆ
ｃｃ）のＭＲ層と直接接してｆｃｃ構造を有する反強磁
性体層を積層して、更にｆｃｃ構造の反強磁性体層の上
方には面心正方晶（ｆｃｔ）構造を有する反強磁性体層
を形成するようにしたものである。また、ｆｃｃ構造を
有する反強磁性体層は、ＭＲ層と反強磁性体層の界面近
傍に形成され、ＭＲ層と反強磁性体層の界面はエピタキ
シャル成長によって連続性を保持させている。ＭＲ層と
してはＮｉＦｅ系合金であり、一方反強磁性体層はＮｉ
Ｍｎ合金であることを特徴としている。
【００１３】前述した従来例の課題にて挙げた種々の矛
盾点は、以下に述べるメカニズムの説明から明解にな
る。Ｈｕａ向上のためには少なくとも２個の条件が必要
である。すなわち、ｆｃｔ結晶構造を有する反強磁性
体が存在すること、ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ界面は整合性
向上のためにエピタキシャル成長が必要であり、界面近
傍の一部の反強磁性体はｆｃｃ結晶構造が結晶上好まし
い。したがって、上記とを両立させるためには、Ｎ
ｉＭｎ膜が２層構造となることが必要となる。この層構
造の概念図を図１に示す。ＮｉＦｅによるＭＲ層とＮｉ
Ｍｎによる反強磁性体層におけるエピタキシャル成長
は、電子顕微鏡（以下、ＴＥＭと略記）観察により明ら
かになった。その結果を図２に示す。
盾点は、以下に述べるメカニズムの説明から明解にな
る。Ｈｕａ向上のためには少なくとも２個の条件が必要
である。すなわち、ｆｃｔ結晶構造を有する反強磁性
体が存在すること、ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ界面は整合性
向上のためにエピタキシャル成長が必要であり、界面近
傍の一部の反強磁性体はｆｃｃ結晶構造が結晶上好まし
い。したがって、上記とを両立させるためには、Ｎ
ｉＭｎ膜が２層構造となることが必要となる。この層構
造の概念図を図１に示す。ＮｉＦｅによるＭＲ層とＮｉ
Ｍｎによる反強磁性体層におけるエピタキシャル成長
は、電子顕微鏡（以下、ＴＥＭと略記）観察により明ら
かになった。その結果を図２に示す。
【００１４】一方、ＮｉＭｎによる反強磁性体層のうち
ｆｃｃからｆｃｔに結晶構造変化させる一般的な方法は
熱処理である。製膜時においてＨｕａが発現しない理由
は、ＮｉＭｎ層の全てがＮｉＦｅ層と同じｆｃｃ構造で
ある。この様子をＴＥＭで観察した結果が図３である。
図３に示す写真を注意深く観察すれば、熱処理前にはＮ
ｉＦｅ／ＮｉＭｎ界面は不明瞭で同質と考えられるが、
熱処理後は両者の界面が明瞭に分離できる。したがっ
て、結晶構造が変化したことが理解できる。ＮｉＭｎ層
の結晶構造は、製膜時に当初ｆｃｃ構造であったが、熱
処理の効果によりＭＲ層との接合面の反対側がｆｃｔ構
造に変わった結果、本来の反強磁性を示すものとなっ
た。以上のことから明らかな如く、ＮｉＭｎ層内の結晶
構造は、ｆｃｃからｆｃｔに連続的に変化すると共に、
明瞭な境界相を有していない。
ｆｃｃからｆｃｔに結晶構造変化させる一般的な方法は
熱処理である。製膜時においてＨｕａが発現しない理由
は、ＮｉＭｎ層の全てがＮｉＦｅ層と同じｆｃｃ構造で
ある。この様子をＴＥＭで観察した結果が図３である。
図３に示す写真を注意深く観察すれば、熱処理前にはＮ
ｉＦｅ／ＮｉＭｎ界面は不明瞭で同質と考えられるが、
熱処理後は両者の界面が明瞭に分離できる。したがっ
て、結晶構造が変化したことが理解できる。ＮｉＭｎ層
の結晶構造は、製膜時に当初ｆｃｃ構造であったが、熱
処理の効果によりＭＲ層との接合面の反対側がｆｃｔ構
造に変わった結果、本来の反強磁性を示すものとなっ
た。以上のことから明らかな如く、ＮｉＭｎ層内の結晶
構造は、ｆｃｃからｆｃｔに連続的に変化すると共に、
明瞭な境界相を有していない。
【００１５】次に、ＮｉＦｅ(１１１)面配向度をより大
きくした場合のＨｕａの低下原因は、製膜時と同様な現
象が起き、熱処理後においてもＮｉＭｎの結晶構造がｆ
ｃｃのまま維持固定された結果と考えられる。熱処理前
後のＴＥＭ像を図３に示したが、図４に示すようにＳｉ
０2膜無しのＴＥＭ像はＮｉＦｅから発生した柱状晶
が、ＮｉＭｎ層の保護膜のＭｏまで貫通している様子が
明瞭に観察できる。したがって、ＮｉＦｅ(１１１)面配
向度が大き過ぎたため、熱処理を施したにも拘わらずｆ
ｃｃからｆｃｔに結晶構造変化すべき層の部分の変化が
阻害されたものと考えることができる。以上のことか
ら、ＮｉＦｅ(１１１)面配向度は、ＮｉＦｅ層とＮｉＭ
ｎ層がその界面でエピタキシヤル成長が達成できる大き
さで、なおかつＮｉＭｎ層のｆｃｃからｆｃｔへの結晶
構造変化を阻害しない大きさの範囲である必要がある。
すなわち、Ｓｉ／Ｓｉ０2／Ｔａ／ＮｉＦｅで得られた
Ｘ線回折強度程度の大きさに制御することが重要であ
る。
きくした場合のＨｕａの低下原因は、製膜時と同様な現
象が起き、熱処理後においてもＮｉＭｎの結晶構造がｆ
ｃｃのまま維持固定された結果と考えられる。熱処理前
後のＴＥＭ像を図３に示したが、図４に示すようにＳｉ
０2膜無しのＴＥＭ像はＮｉＦｅから発生した柱状晶
が、ＮｉＭｎ層の保護膜のＭｏまで貫通している様子が
明瞭に観察できる。したがって、ＮｉＦｅ(１１１)面配
向度が大き過ぎたため、熱処理を施したにも拘わらずｆ
ｃｃからｆｃｔに結晶構造変化すべき層の部分の変化が
阻害されたものと考えることができる。以上のことか
ら、ＮｉＦｅ(１１１)面配向度は、ＮｉＦｅ層とＮｉＭ
ｎ層がその界面でエピタキシヤル成長が達成できる大き
さで、なおかつＮｉＭｎ層のｆｃｃからｆｃｔへの結晶
構造変化を阻害しない大きさの範囲である必要がある。
すなわち、Ｓｉ／Ｓｉ０2／Ｔａ／ＮｉＦｅで得られた
Ｘ線回折強度程度の大きさに制御することが重要であ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】製膜にはＲＦマグネトロンスパッ
タ装置を用い、ターゲットは直径６インチとした。製膜
時のＡｒガス圧力は０.２〜０.５Ｐａ、製膜前の到達真
空度は２×１０ー5Ｐａ以下を目標とした。基板温度は室
温である。また、ＭＲ層としてのＮｉＦｅ層に一軸磁気
異方性を付与するため、約７０ Oe の外部磁場を印加し
ながら製膜した。基板材は、直径３インチの酸化膜付き
Ｓｉウェハーを用いた。基坂上にＴａ(２０ｎｍ)／Ｎｉ
Ｆｅ(３０ｎｍ)／ＮｉＭｎ(５０ｎｍ)／Ｍｏ(１０ｎｍ)
を連続して同一チャンバ内で製膜を行った。各々の投入
電力密度は１.６／２.２／１.１／２.２ｗ／ｃｍ2であ
る。評価に用いた試料の層構成を図５および６に示す。
最上層にあるＭｏ層は保護層である。配向度の測定には
２θ／θ法（理学電機製）を適用し、広角ゴニオメー
タ、管球；Ｃｕ、管電圧；５０ｋＶ、管電流；４０ｍＡ
の条件で、またＨｕａは振動型磁力計（ＶＳＭ）で評価
した。
タ装置を用い、ターゲットは直径６インチとした。製膜
時のＡｒガス圧力は０.２〜０.５Ｐａ、製膜前の到達真
空度は２×１０ー5Ｐａ以下を目標とした。基板温度は室
温である。また、ＭＲ層としてのＮｉＦｅ層に一軸磁気
異方性を付与するため、約７０ Oe の外部磁場を印加し
ながら製膜した。基板材は、直径３インチの酸化膜付き
Ｓｉウェハーを用いた。基坂上にＴａ(２０ｎｍ)／Ｎｉ
Ｆｅ(３０ｎｍ)／ＮｉＭｎ(５０ｎｍ)／Ｍｏ(１０ｎｍ)
を連続して同一チャンバ内で製膜を行った。各々の投入
電力密度は１.６／２.２／１.１／２.２ｗ／ｃｍ2であ
る。評価に用いた試料の層構成を図５および６に示す。
最上層にあるＭｏ層は保護層である。配向度の測定には
２θ／θ法（理学電機製）を適用し、広角ゴニオメー
タ、管球；Ｃｕ、管電圧；５０ｋＶ、管電流；４０ｍＡ
の条件で、またＨｕａは振動型磁力計（ＶＳＭ）で評価
した。
【００１７】図７にＮｉＦｅの下地膜としてＴａ膜が有
る場合と無い場合のＨｕａの関係を示すが、Ｔａ膜有り
の方が約２倍強いＨｕａを示していることが分かる。図
８に２θ／θ法により求めた各積層構造のＸ線回折強度
の比較を示す。まず、Ｓｉ／Ｓｉ０2／ＮｉＦｅの稲層
体とＳｉ／Ｓｉ０2／Ｔａ／ＮｉＦｅの積層体のＸ線回
折強度を比較すると、Ｔａ膜を下地とした後者の方が約
３０倍大きいことが分かる。ＮｉＦｅの界面におけるエ
ピタキシャル成長について検討すると、下地膜との整合
性が必須の条件になるが、本発明ではＮｉＦｅ膜の(１
１１)面配向度の向上がその整合性を高める重要な要因
と考えられる。
る場合と無い場合のＨｕａの関係を示すが、Ｔａ膜有り
の方が約２倍強いＨｕａを示していることが分かる。図
８に２θ／θ法により求めた各積層構造のＸ線回折強度
の比較を示す。まず、Ｓｉ／Ｓｉ０2／ＮｉＦｅの稲層
体とＳｉ／Ｓｉ０2／Ｔａ／ＮｉＦｅの積層体のＸ線回
折強度を比較すると、Ｔａ膜を下地とした後者の方が約
３０倍大きいことが分かる。ＮｉＦｅの界面におけるエ
ピタキシャル成長について検討すると、下地膜との整合
性が必須の条件になるが、本発明ではＮｉＦｅ膜の(１
１１)面配向度の向上がその整合性を高める重要な要因
と考えられる。
【００１８】また、エピタキシャル成長を助長させるた
めには、界面の清浄化も同様重要な要因である。したが
って、ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ界面の清浄化がこれに該当す
る。このため、ＮｉＭｎの製膜前にＮｉＦｅ表面をエッ
チングした場合のエッチング時間とその効果を、Ｈｕａ
について図９に示す。当然ながら、エッチング時間の増
加に伴いＨｕａは大きくなることが分かった。エッチン
グ処理によりＮｉＦｅの膜厚は減少するが、その減少分
を補い所定厚にするため、各エッチング時間ごとに製膜
時の膜厚を制御した。この結果から、ＮｉＦｅ／ＮｉＭ
ｎの界面をより清浄化することによりエピタキシャル成
長を助長することは明らかである。
めには、界面の清浄化も同様重要な要因である。したが
って、ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ界面の清浄化がこれに該当す
る。このため、ＮｉＭｎの製膜前にＮｉＦｅ表面をエッ
チングした場合のエッチング時間とその効果を、Ｈｕａ
について図９に示す。当然ながら、エッチング時間の増
加に伴いＨｕａは大きくなることが分かった。エッチン
グ処理によりＮｉＦｅの膜厚は減少するが、その減少分
を補い所定厚にするため、各エッチング時間ごとに製膜
時の膜厚を制御した。この結果から、ＮｉＦｅ／ＮｉＭ
ｎの界面をより清浄化することによりエピタキシャル成
長を助長することは明らかである。
【００１９】一方、スパッタリング法では基板にバイア
ス電圧を印加しながら製膜すると、膜質が向上する。ま
た、ＮｉＦｅ製膜時の基板バイアス電圧と(１１１)面回
折強度の関係を図１０に示す。基板バイアス電圧を上昇
させるに伴いＸ線回折強度は増加しており、配向度は向
上する。その時のＨｕａの値を測定した結果、図１１に
示すように基板バイアス電圧をマイナス側に高めるに従
ってＨｕａも増加傾向があり、一４０Ｖ以上でその効果
が顕著になる。
ス電圧を印加しながら製膜すると、膜質が向上する。ま
た、ＮｉＦｅ製膜時の基板バイアス電圧と(１１１)面回
折強度の関係を図１０に示す。基板バイアス電圧を上昇
させるに伴いＸ線回折強度は増加しており、配向度は向
上する。その時のＨｕａの値を測定した結果、図１１に
示すように基板バイアス電圧をマイナス側に高めるに従
ってＨｕａも増加傾向があり、一４０Ｖ以上でその効果
が顕著になる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の実施により反強磁性交換結合膜
を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの特性を従来に比べ
て格段の向上を図ることができる。更に詳しく述べるな
らば、交換結合磁界を向上できる強磁性体層と直接接す
る反強磁性体層の層構造の解明により、磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの固有の課題であったバルクハウゼンノイズ
を抑制でき、Ｓ／Ｎを高く再生性能に優れたＭＲヘッド
を容易に製造することが可能である。
を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの特性を従来に比べ
て格段の向上を図ることができる。更に詳しく述べるな
らば、交換結合磁界を向上できる強磁性体層と直接接す
る反強磁性体層の層構造の解明により、磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの固有の課題であったバルクハウゼンノイズ
を抑制でき、Ｓ／Ｎを高く再生性能に優れたＭＲヘッド
を容易に製造することが可能である。
【図１】本発明による検出部断面構成
【図２】ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ界面におけるエピタキシャ
ル成長を示す暗視の電子顕微鏡写真像
ル成長を示す暗視の電子顕微鏡写真像
【図３】熱処理前後のＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ界面における
明視の電子顕微鏡写真像の比較
明視の電子顕微鏡写真像の比較
【図４】基板／Ｔａ／ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎ／Ｍｏ積層膜
の明視の電子顕微鏡写真像（Ｓｉ０2なし）
の明視の電子顕微鏡写真像（Ｓｉ０2なし）
【図５】実施例による積層構成（Ｓｉ０2有り）
【図６】実施例による積層構成（Ｓｉ０2なし）
【図７】Ｔａ膜有無の積層膜のＨｕａの比較
【図８】Ｓｉ０2膜有無の単層および２層膜の製膜時に
おけるＸ線回析パターン
おけるＸ線回析パターン
【図９】ＮｉＦｅ膜エッチング時間とＨｕａの関係
【図１０】ＤＣバイアス電圧と（１１１）面回折強度の
関係
関係
【図１１】ＤＣバイアス電圧印加時のＨｕａ依存性
【図１２】従来のＭＲヘッドの概略構成を示す斜視図
【図１３】従来のＭＲヘッドの検出部の断面図
【図１４】Ｓｉ０2膜有無の積層膜の熱処理後のＨｕａ
の比較
の比較
１ 下部シールド、３ ＭＲ層、５ ミッドシールド、
６ コイル、７ 上部磁極、８ ＭＲ素子、９ 磁気分
離層、１２ 上部絶縁層、１８ 記録用ギャップ、２０
基板、２１ 絶縁層、２３ 下部絶縁層、２５ 絶縁
膜、３０ 反強磁性体層、３２ 電極
６ コイル、７ 上部磁極、８ ＭＲ素子、９ 磁気分
離層、１２ 上部絶縁層、１８ 記録用ギャップ、２０
基板、２１ 絶縁層、２３ 下部絶縁層、２５ 絶縁
膜、３０ 反強磁性体層、３２ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 伸 埼玉県熊谷市三ケ尻5200番地日立金属株式 会社磁性材料研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果を呈する強磁性体層（ＭＲ
層）とこれに直接接する反強磁性体層によって検出部が
構成され、前記検出部には電極が設けられると共に絶縁
層を介してシールド間に挟まれて配置される磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、前記検出部の能動領域ではＭ
Ｒ層は面心立方晶（ｆｃｃ）構造であり、直接接する前
記反強磁性体層はｆｃｃ構造から面心正方晶（ｆｃｔ）
構造に連続的に変化することを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＭＲヘッドにおいて、
前記強磁性体層の内ｆｃｃ構造を有する反強磁性体層は
ＭＲ層と反強磁性体層の境界界面近隣に形成することを
特徴とするＭＲヘッド。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のＭＲヘッドに
おいて、ＭＲ層と反強磁性体層の界面はエピタキシャル
成長によって連続性を保持していることを特徴とするＭ
Ｒヘッド。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のＭＲヘ
ッドにおいて、ＭＲ層はＮｉＦｅ系合金であり、反強磁
性体層はＮｉＭｎ合金であることを特徴とするＭＲヘッ
ド。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のＭＲヘ
ッドにおいて、ＭＲ層の（１１１）面配向度を強め、エ
ピタキシャル成長が可能で且つｆｃｃからｆｃｔ構造に
結晶構造変化を阻害しない範囲に制御できる非磁性で絶
縁性のある層をＭＲ層の下地膜として配することを特徴
とするＭＲヘッド。 - 【請求項６】 請求項５に記載のＭＲへッドにおいて、
ＭＲ膜の下地膜はＴａ、Ｔａ／Ｓｉ０2またはＴａ／Ａ
１2０3のいずれかによって構成されることを特徴とする
ＭＲヘッド。 - 【請求項７】 磁気抵抗効果を呈する強磁性体層（ＭＲ
層）とこれに直接接する反強磁性体層によって検出部が
構成され、この検出部には電極が設けられると共に絶縁
層を介してシールド間に配置される磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、ＭＲ層を一４０Ｖ以上の直流バイアス
電圧を印加して製膜する工程、ＭＲ層をエッチング処理
により表面を清浄化する工程、更に反強磁性体層を製膜
する工程とを含むことを特徴とするＭＲヘッドの製造方
法。 - 【請求項８】 請求項７に記載のＭＲヘッドの製造方法
において、ＭＲ層をエッチング処理により表面清浄化処
理した後、ＭＲ層が所定の厚さになる製膜工程を含むこ
とを特徴とするＭＲヘッドの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311604A JPH09134510A (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US08/744,661 US5910868A (en) | 1995-06-11 | 1996-11-06 | Magnetoresistive sensor |
| US09/026,528 US5866212A (en) | 1995-06-11 | 1998-02-20 | Method of producing magnetoresistive sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311604A JPH09134510A (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09134510A true JPH09134510A (ja) | 1997-05-20 |
Family
ID=18019256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7311604A Pending JPH09134510A (ja) | 1995-06-11 | 1995-11-06 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5910868A (ja) |
| JP (1) | JPH09134510A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7119998B2 (en) | 2000-07-11 | 2006-10-10 | Alps Electric Co., Ltd. | Exchange coupling film and magnetoresistive element using the same |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19825391A1 (de) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh | Magnetischer Speicher |
| JP2001093120A (ja) | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US6430013B1 (en) | 1999-12-06 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive structure having improved thermal stability via magnetic barrier layer within a free layer |
| US6519117B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-02-11 | International Business Machines Corporation | Dual AP pinned GMR head with offset layer |
| JP3756758B2 (ja) * | 2000-07-11 | 2006-03-15 | アルプス電気株式会社 | 交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド |
| US6560078B1 (en) | 2000-07-13 | 2003-05-06 | International Business Machines Corporation | Bilayer seed layer for spin valves |
| JP3756757B2 (ja) | 2000-12-01 | 2006-03-15 | アルプス電気株式会社 | 交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド |
| US7289303B1 (en) | 2001-04-05 | 2007-10-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Spin valve sensors having synthetic antiferromagnet for longitudinal bias |
| US6728078B2 (en) | 2001-06-20 | 2004-04-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High resistance dual antiparallel (AP) pinned spin valve sensor |
| US20030235016A1 (en) * | 2002-06-19 | 2003-12-25 | International Business Machines Corporation | Stabilization structures for CPP sensor |
| US7616403B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-11-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Winged design for reducing corner stray magnetic fields |
| US7764469B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-07-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Notched shield and pole structure with slanted wing for perpendicular recording |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5315468A (en) * | 1992-07-28 | 1994-05-24 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having antiferromagnetic layer for exchange bias |
-
1995
- 1995-11-06 JP JP7311604A patent/JPH09134510A/ja active Pending
-
1996
- 1996-11-06 US US08/744,661 patent/US5910868A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-20 US US09/026,528 patent/US5866212A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7119998B2 (en) | 2000-07-11 | 2006-10-10 | Alps Electric Co., Ltd. | Exchange coupling film and magnetoresistive element using the same |
| US7142399B2 (en) * | 2000-07-11 | 2006-11-28 | Alps Electric Co., Ltd. | Exchange coupling film and magnetoresistive element using the same |
| US7218487B2 (en) | 2000-07-11 | 2007-05-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Exchange coupling film and magnetoresistive element using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5910868A (en) | 1999-06-08 |
| US5866212A (en) | 1999-02-02 |
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