JPH09129152A - 高周波イオン源 - Google Patents

高周波イオン源

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JPH09129152A
JPH09129152A JP7303924A JP30392495A JPH09129152A JP H09129152 A JPH09129152 A JP H09129152A JP 7303924 A JP7303924 A JP 7303924A JP 30392495 A JP30392495 A JP 30392495A JP H09129152 A JPH09129152 A JP H09129152A
Authority
JP
Japan
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plasma
plasma chamber
electrode
chamber container
frequency
Prior art date
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Application number
JP7303924A
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English (en)
Inventor
Yasunori Ando
靖典 安東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマ室を必要以上に大きくすることな
く、プラズマの均一性ひいてはそこから引き出すイオン
ビームの均一性を向上させることができる高周波イオン
源を提供する。 【解決手段】 この高周波イオン源2aは、円筒状のプ
ラズマ室容器4内に、それと同電位であって円筒状の補
助電極40を、プラズマ室容器4とほぼ同軸状に設けて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばイオンド
ーピング装置(非質量分離型のイオン注入装置)等に用
いられるものであって、高周波電極を用いたいわゆる容
量結合型の高周波イオン源に関し、より具体的には、そ
のイオンビームの均一性を向上させる手段に関する。
【0002】
【従来の技術】図5は、従来の高周波イオン源の一例を
その電源と共に示す断面図である。
【0003】この高周波イオン源2は、ガスが導入され
それを高周波放電によって電離させてプラズマ14を生
成するプラズマ室10と、このプラズマ室10の出口付
近に設けられていてプラズマ14から電界の作用でイオ
ンビーム28を引き出す引出し電極系20とを備えてい
る。
【0004】プラズマ室10は、筒状(例えば円筒状)
のプラズマ室容器4と、その背面部を絶縁碍子8を介し
て蓋をする板状の高周波電極6とで構成されている。ガ
スは、この例では引出し電極系20を通して下流側から
導入されるが、プラズマ室10に直接導入される場合も
ある。
【0005】この例ではプラズマ室容器4が一方の高周
波電極を兼ねており、このプラズマ室容器4と高周波電
極6との間に整合回路18を介して高周波電源16か
ら、例えば13.56MHzの周波数の高周波電力が供
給される。
【0006】引出し電極系20は、1枚以上、通常は複
数枚の電極で構成されている。具体的にはこの例では、
最プラズマ側から下流側に向けて配置された第1電極2
1、第2電極22、第3電極23および第4電極24で
構成されている。26は絶縁碍子である。各電極21〜
24は、この例では複数の孔を有する多孔電極である
が、複数のスリットを有する場合もある。
【0007】第1電極21は、引き出すイオンビーム2
8のエネルギーを決める電極であり、加速電源31から
接地電位を基準にして正の高電圧が印加される。第2電
極22は、第1電極21との間に電位差を生じさせそれ
による電界によってプラズマ14からイオンビーム28
を引き出す電極であり、引出し電源32から第1電極2
1の電位を基準にして負の電圧が印加される。第3電極
23は、下流側からの電子の逆流を抑制する電極であ
り、抑制電源33から接地電位を基準にして負の電圧が
印加される。第4電極24は接地されている。
【0008】プラズマ室容器4の外周および高周波電極
6の上面には、この例では、プラズマ室10内にプラズ
マ閉じ込め用の磁場を発生させる複数の永久磁石12が
配置されている。
【0009】上記高周波イオン源2の動作を説明する
と、プラズマ室容器4即ちプラズマ室10内に所望のガ
スを導入し、高周波電極6とプラズマ室容器4間に高周
波電源16から高周波電力を供給すると、高周波電極6
とプラズマ室容器4間で高周波放電が生じてそれによっ
てガスが電離されてプラズマ14が作られ、このプラズ
マ14から引出し電極系20によってイオンビーム28
が引き出される。
【0010】引き出されたイオンビーム28は、例え
ば、質量分離を行うことなくそのまま基板(図示省略)
に照射されて、イオン注入(イオンドーピング)等に供
される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上記高周波イオン源2
から引き出されるイオンビーム28の均一性(即ちイオ
ン電流密度分布の均一性)は、主として、プラズマ室
10内に生成されるプラズマ14の均一性、引出し電
極系20の各電極に設けられた孔の配置および各孔か
ら出るイオンビームの集束・発散状態によって決まる。
【0012】ここではプラズマ14の均一性に注目する
と、プラズマ14の拡散に伴うプラズマ室内壁での損失
がプラズマ14の均一性に大きく影響することを考慮す
ると、必要なイオンビーム28の大きさよりもプラズマ
室10をかなり大きくすることによって、プラズマ14
の均一性を改善することは可能である。
【0013】しかし、基板処理等に必要なイオンビーム
28は、近年は非常に大面積化しており、プラズマ室1
0を更に大きくすることは、次の点で好ましくない。
【0014】プラズマ室10への投入高周波電力が大
幅に上昇し、高周波電源16が大型化する。 プラズマ室10への投入高周波電力の増大に伴って、
引出し電極系20を構成する電極等の温度上昇が大きく
なり、その冷却能力の向上を必要とする。 プラズマ室10の大型化に伴って高周波イオン源2全
体の重量が増大し、メンテナンス時の作業性が低下す
る。 コストアップになる。
【0015】そこでこの発明は、プラズマ室を必要以上
に大きくすることなく、プラズマの均一性ひいてはそこ
から引き出すイオンビームの均一性を向上させることが
できる高周波イオン源を提供することを主たる目的とす
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の高周波イオン源は、前記プラズマ室容器
内に、それと同電位であって筒状の補助電極をプラズマ
室容器とほぼ同軸状に設けたことを特徴とする。
【0017】上記構成によれば、補助電極によってプラ
ズマ室容器内の空間が複数に分割され、それに伴って、
高周波放電によってプラズマを生成する空間も複数に分
割される。その結果、従来構造でプラズマの損失を生じ
ていたプラズマ室容器内周辺部においてプラズマを積極
的に生成することができ、その結果、プラズマ室を必要
以上に大きくすることなく、プラズマの均一性ひいては
そこから引き出すイオンビームの均一性を向上させるこ
とができる。
【0018】
【発明の実施の形態】図1は、この発明に係る高周波イ
オン源の一例をその電源と共に示す断面図である。図5
の従来例と同一または相当する部分には同一符号を付
し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明す
る。
【0019】この高周波イオン源2aにおいては、前述
したプラズマ室容器4内に、筒状の補助電極40をプラ
ズマ室容器4とほぼ同軸状に設けている。ほぼ同軸状と
言うのは、補助電極40の中心軸とプラズマ室容器4の
中心軸とがほぼ一致していることであり、そのようにす
れば、この補助電極40を用いてプラズマ室容器4内に
プラズマ14を片寄らずに生成することができる。ま
た、プラズマ室容器4内に補助電極40をほぼ同軸状に
設けることによって、補助電極40の壁面は高周波電極
6に対してほぼ垂直に位置するようになる。
【0020】この補助電極40は、この例では複数の支
持金具42によって、プラズマ室容器4に固定され、か
つプラズマ室容器4と同電位になるように電気的に接続
されている。各支持金具42は、それによってプラズマ
室容器4内の高周波電界をできるだけ乱さないようにす
るために、板状のものよりも棒状のものにする方が、か
つできるだけ細いものにする方が好ましい。この実施例
では、3本の棒状の支持金具42を用いている。この支
持金具42のプラズマ室容器4への固定は、例えば、環
状の取付けフランジを用いてその内側に各支持金具42
を固定しておき、そのような取付けフランジをプラズマ
室容器4とその上の絶縁碍子8との間に挟むことによっ
て行っても良い。
【0021】補助電極40は、プラズマ室容器4内にお
いてできるだけ均一に高周波電界を生じさせるために、
その平面形状をプラズマ室容器4と同形状にするのが好
ましい。例えば、プラズマ室容器4が円筒状の場合は補
助電極40も円筒状に、プラズマ室容器4が角筒状の場
合は補助電極40も角筒状にするのが好ましい。
【0022】また、補助電極40は、それと高周波電極
6との間で効果的に高周波電界を生じさせるために、図
示例のようにプラズマ室容器4内の上部寄りに設けるの
が好ましい。
【0023】この高周波イオン源2aにおいては、プラ
ズマ室容器4内における、高周波放電によってプラズマ
14を生成する空間が、補助電極40によって複数に
(この例では補助電極40の内外の二つに)分割され
る。その結果、従来構造でプラズマ14の損失を生じて
いたプラズマ室容器4内周辺部においてプラズマ14を
積極的に生成することができ、プラズマ14の均一性ひ
いてはイオンビーム28の均一性を向上させることがで
きる。
【0024】これを図2を参照してより詳しく説明する
と、従来の高周波イオン源2では補助電極40がないの
でプラズマ室容器4内の周辺部上部から中央部に向けて
なだらかに広がっていた等電位面Eは、この高周波イオ
ン源2aでは、プラズマ室容器4と同電位の補助電極4
0が存在するため、図示例のように補助電極40の部分
でくびれた形状になる。その結果、プラズマ室容器4内
の周辺部に、即ちこの例では補助電極40の外壁とプラ
ズマ室容器4の内壁との間に、電界が集中すると共に等
電位面Eがふくらんでいて電子の走行距離を適当にかせ
ぐことができ、従って比較的高密度のプラズマ14を生
成することができるプラズマ生成空間Aが形成されるの
で、従来の高周波イオン源2においてプラズマ14の損
失を生じていたプラズマ室容器4内周辺部においてプラ
ズマ14を積極的に生成することができる。その結果、
プラズマ室10を必要以上に大きくすることなく、プラ
ズマ14の均一性ひいてはそこから引き出すイオンビー
ム28の均一性を向上させることができる。
【0025】更には、イオンビーム28の均一性を向上
させることができる結果、イオンビーム28の有効利用
を図ることができる(即ちイオンビーム28の利用効率
が向上する)と共に、それを例えば基板処理に用いる場
合、処理基板の特性の均一化を図ることができる。ま
た、プラズマ室10を必要以上に大きくせずに済む結
果、高周波イオン源2aの小型化、それ用の電源の低容
量化、更にはそれらの低コスト化を図ることができる。
【0026】より具体的な実施例を説明すると、図1に
示すような構造の高周波イオン源2aにおいて、内径7
00mmφ、深さ約200mmの円筒状のプラズマ室1
0内に、外径600mmφ、長さ80mmのモリブデン
製の円筒状の補助電極40を取り付けた。補助電極40
の支持は、3本の丸棒状の支持金具42で行った。そし
て、イオン源ガスに水素ガスを用い、イオンビーム28
を50keVのエネルギーで引き出した場合のイオンビ
ーム28の均一性(即ちビーム中心から半径方向のイオ
ン電流密度分布)の測定結果の一例を図3に示す。同図
中の従来例は、補助電極40を設けない以外は上記実施
例と同条件下の測定結果を示す。
【0027】この図3から、実施例では、従来例に比べ
て、イオンビーム28の周辺部での均一性が著しく向上
していることが分かる。また、実施例では、従来例に比
べて、イオンビーム28全体のイオン電流密度も若干増
大していることが分かる。これは、プラズマ室容器4内
のプラズマ生成空間を複数に分割したことによって、プ
ラズマ14の全体的な密度も若干増大したためであると
考えられる。また、プラズマ室容器4内に補助電極40
を設けることによって、その分、プラズマ14の損失を
生じさせる壁面が増えることになるが、それよりも、図
2に示したようなプラズマ生成空間Aを形成してそこで
プラズマ14を積極的に生成する効果の方が大きいこと
が、この図2の結果からも分かる。
【0028】なお、上記補助電極40の直径や長さは、
使用するガスの種類やプラズマ室容器4の大きさ等に応
じて決めれば良い。
【0029】また、プラズマ室容器4内には、図1の例
のような1個の補助電極40ではなく、使用するガスの
種類やプラズマ室容器4の大きさ等に応じて、互いに大
きさの異なる複数の補助電極40をプラズマ室容器4に
対してほぼ同軸状に設けても良い。その場合、各補助電
極40の長さを同じにするか、内側のものを短くする
か、あるいは逆に内側のものを長くするか等は、使用す
るガスの種類やプラズマ室容器4の大きさ等に応じて決
めれば良い。図4は、互いに直径および長さの異なる円
筒状の二つの補助電極40を設ける場合の例を示す。
【0030】複数の補助電極40を設ければ、プラズマ
室容器4内の、高周波放電によってプラズマ14を生成
する空間をより多数に分割することができるので、プラ
ズマ14の均一性ひいてはイオンビーム28の均一性を
より向上させたり、より大口径のプラズマ室容器4を用
いてより大面積のイオンビーム28を均一性良く引き出
すことが可能になる。
【0031】
【発明の効果】この発明は上記のとおり構成されている
ので、次のような効果を奏する。
【0032】請求項1の発明によれば、プラズマ室容器
内の、高周波放電によってプラズマを生成する空間が、
補助電極によって複数に分割されるので、従来構造でプ
ラズマの損失を生じていたプラズマ室容器内周辺部にお
いてプラズマを積極的に生成することができ、その結
果、プラズマ室を必要以上に大きくすることなく、プラ
ズマの均一性ひいてはそこから引き出すイオンビームの
均一性を向上させることができる。
【0033】更には、イオンビームの均一性を向上させ
ることができる結果、イオンビームの有効利用を図るこ
とができると共に、それを例えば基板処理に用いる場
合、処理基板の特性の均一化を図ることができる。ま
た、プラズマ室を必要以上に大きくせずに済む結果、当
該高周波イオン源の小型化、それ用の電源の低容量化、
更にはそれらの低コスト化を図ることができる。
【0034】請求項2の発明によれば、プラズマ室容器
内の、高周波放電によってプラズマを生成する空間をよ
り多数に分割することができるので、プラズマの均一性
ひいてはイオンビームの均一性をより向上させたり、よ
り大口径のプラズマ室容器を用いてより大面積のイオン
ビームを均一性良く引き出すことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る高周波イオン源の一例をその電
源と共に示す断面図である。
【図2】図1の高周波イオン源のプラズマ室容器内にお
ける等電位面の分布を示す概略図である。
【図3】イオンビーム中のイオン電流密度分布の測定結
果の一例を示す図である。
【図4】補助電極が二つの場合の例を拡大して示す断面
図である。
【図5】従来の高周波イオン源の一例をその電源と共に
示す断面図である。
【符号の説明】
2a 高周波イオン源 4 プラズマ室容器 6 高周波電極 10 プラズマ室 14 プラズマ 16 高周波電源 20 引出し電極系 28 イオンビーム 40 補助電極 42 支持金具

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガスが導入される筒状のプラズマ室容器
    と、その背面部を絶縁碍子を介して蓋をする高周波電極
    とを備え、両者間に高周波電力を供給して高周波放電に
    よって前記ガスを電離させてプラズマ室容器内にプラズ
    マを生成し、このプラズマから引出し電極系によってイ
    オンビームを引き出す構成の高周波イオン源において、
    前記プラズマ室容器内に、それと同電位であって筒状の
    補助電極をプラズマ室容器とほぼ同軸状に設けたことを
    特徴とする高周波イオン源。
  2. 【請求項2】 互いに大きさの異なる複数の前記補助電
    極を前記プラズマ室容器に対してほぼ同軸状に設けてい
    る請求項1記載の高周波イオン源。
JP7303924A 1995-10-27 1995-10-27 高周波イオン源 Pending JPH09129152A (ja)

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JP7303924A JPH09129152A (ja) 1995-10-27 1995-10-27 高周波イオン源

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2387266A (en) * 2001-11-16 2003-10-08 Nissin Electric Co Ltd Ion source with additional positive electrode
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