JPH09124774A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
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- JPH09124774A JPH09124774A JP24405295A JP24405295A JPH09124774A JP H09124774 A JPH09124774 A JP H09124774A JP 24405295 A JP24405295 A JP 24405295A JP 24405295 A JP24405295 A JP 24405295A JP H09124774 A JPH09124774 A JP H09124774A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形用金型の摩耗を減少し、半導体製品の熱
放散性を大幅に改善する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、
硬化促進剤、窒化アルミニウム及びシリカを必須成分と
し、全組成物中に窒化アルミニウム及びシリカを８０〜
９６重量％含み、かつ窒化アルミニウム及びシリカの合
計１００重量％中に、（ａ）平均粒径が１０〜３０μ
ｍ、最大粒径が２００μｍ以下の窒化アルミニウムを３
０〜９５重量％、（ｂ）平均粒径０．１〜１．０μｍ、
最大粒径５μｍ以下の球状微粒シリカを２〜１０重量
％、（ｃ）平均粒径１０〜３０μｍ、最大粒径７４μｍ
以下の球状シリカを３〜６８重量％含有する半導体封止
用樹脂組成物。
放散性を大幅に改善する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、
硬化促進剤、窒化アルミニウム及びシリカを必須成分と
し、全組成物中に窒化アルミニウム及びシリカを８０〜
９６重量％含み、かつ窒化アルミニウム及びシリカの合
計１００重量％中に、（ａ）平均粒径が１０〜３０μ
ｍ、最大粒径が２００μｍ以下の窒化アルミニウムを３
０〜９５重量％、（ｂ）平均粒径０．１〜１．０μｍ、
最大粒径５μｍ以下の球状微粒シリカを２〜１０重量
％、（ｃ）平均粒径１０〜３０μｍ、最大粒径７４μｍ
以下の球状シリカを３〜６８重量％含有する半導体封止
用樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、熱伝導性に優れた
高信頼性の半導体封止用樹脂組成物に関するものであ
る。
高信頼性の半導体封止用樹脂組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導
体素子の封止方法としてエポキシ樹脂組成物のトランス
ファー成形による方法が、低コスト大量生産に適した方
法として採用され今日に至っている。一方、半導体パッ
ケージは特にＬＳＩで高集積化多ピン化、高速化が進み
素子の発熱量が増大してきている。この素子の発熱は高
速化の妨げとなるため、従来リードフレームを銅にし、
更に銅の放熱板をパッケージに付けたり、Ｓｉチップを
搭載しているダイパッドを厚くしパッケージ下面より放
熱させたりしてきたが、構造が複雑になったりコストア
ップの問題があった。また封止樹脂組成物の充填材とし
て熱伝導性に優れた結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素の
いずれかを主成分として用い、パッケージの熱放散性を
向上させてきたが、熱放散性に限界があったり金型摩耗
の問題があった。
体素子の封止方法としてエポキシ樹脂組成物のトランス
ファー成形による方法が、低コスト大量生産に適した方
法として採用され今日に至っている。一方、半導体パッ
ケージは特にＬＳＩで高集積化多ピン化、高速化が進み
素子の発熱量が増大してきている。この素子の発熱は高
速化の妨げとなるため、従来リードフレームを銅にし、
更に銅の放熱板をパッケージに付けたり、Ｓｉチップを
搭載しているダイパッドを厚くしパッケージ下面より放
熱させたりしてきたが、構造が複雑になったりコストア
ップの問題があった。また封止樹脂組成物の充填材とし
て熱伝導性に優れた結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素の
いずれかを主成分として用い、パッケージの熱放散性を
向上させてきたが、熱放散性に限界があったり金型摩耗
の問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる半導体
製品の熱放散性を飛躍的に改善するための半導体封止用
樹脂組成物を提供するものである。
製品の熱放散性を飛躍的に改善するための半導体封止用
樹脂組成物を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、窒化アルミニ
ウム及びシリカを必須成分とし、全組成物中に窒化アル
ミニウム及びシリカを８０〜９６重量％含み、かつ窒化
アルミニウム及びシリカの合計１００重量％中に、
（ａ）平均粒径が１０〜３０μｍ、最大粒径が２００μ
ｍ以下の窒化アルミニウムを３０〜９５重量％、（ｂ）
平均粒径０．１〜１．０μｍ、最大粒径５μｍ以下の球
状微粒シリカを２〜１０重量％、（ｃ）平均粒径１０〜
３０μｍ、最大粒径７４μｍ以下の球状シリカを３〜６
８重量％含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組
成物である。
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、窒化アルミニ
ウム及びシリカを必須成分とし、全組成物中に窒化アル
ミニウム及びシリカを８０〜９６重量％含み、かつ窒化
アルミニウム及びシリカの合計１００重量％中に、
（ａ）平均粒径が１０〜３０μｍ、最大粒径が２００μ
ｍ以下の窒化アルミニウムを３０〜９５重量％、（ｂ）
平均粒径０．１〜１．０μｍ、最大粒径５μｍ以下の球
状微粒シリカを２〜１０重量％、（ｃ）平均粒径１０〜
３０μｍ、最大粒径７４μｍ以下の球状シリカを３〜６
８重量％含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組
成物である。
【０００５】
【発明の実施の態様】本発明に用いられるエポキシ樹脂
は、２個以上のエポキシ基を含むものならば特には限定
しない。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ、三
官能エポキシ、ビフェニル型エポキシ、ビスフェノール
型エポキシ、臭素化エポキシ等が挙げられる。これらの
エポキシ樹脂は、単独でも混合して用いてもよい。フェ
ノール樹脂硬化剤は、２個以上の水酸基を含むものなら
ば特には限定しない。例えば、フェノールノボラック
型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル
型、ジシクロペンタジエン型及びこれらの変性樹脂が挙
げられる。これらのフェノール樹脂は、単独でも混合し
て用いてもよい。又これらの硬化剤の配合量としてはエ
ポキシ樹脂のエポキシ基数とフェノール樹脂硬化剤の水
酸基数を合わせるように配合することが好ましい。硬化
促進剤としては、イミダゾール、有機ホスフィン、３級
アミン、１，８−ジアザビシクロウンデセンが挙げられ
るが特に限定するものではない。これらは、単独でも混
合して用いてもよい。
は、２個以上のエポキシ基を含むものならば特には限定
しない。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ、三
官能エポキシ、ビフェニル型エポキシ、ビスフェノール
型エポキシ、臭素化エポキシ等が挙げられる。これらの
エポキシ樹脂は、単独でも混合して用いてもよい。フェ
ノール樹脂硬化剤は、２個以上の水酸基を含むものなら
ば特には限定しない。例えば、フェノールノボラック
型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル
型、ジシクロペンタジエン型及びこれらの変性樹脂が挙
げられる。これらのフェノール樹脂は、単独でも混合し
て用いてもよい。又これらの硬化剤の配合量としてはエ
ポキシ樹脂のエポキシ基数とフェノール樹脂硬化剤の水
酸基数を合わせるように配合することが好ましい。硬化
促進剤としては、イミダゾール、有機ホスフィン、３級
アミン、１，８−ジアザビシクロウンデセンが挙げられ
るが特に限定するものではない。これらは、単独でも混
合して用いてもよい。
【０００６】本発明の特徴は、窒化アルミニウム（以下
ＡＬＮという）をＳｉ、Ｏ、Ｐ、Ｎ、Ａｌの群から選ば
れる２種以上の元素からなる無機質で被覆された（ａ）
の特性を有するＡＬＮ、（ｂ）の特性を有する球状微粒
シリカ及び（ｃ）の特性を有する球状シリカを最適配合
することであり、これにより金型摩耗の少ない高信頼
性、高熱伝導性樹脂組成物を得ることができる。ＡＬＮ
及びシリカは、全組成物中に８０〜９６重量％含み、か
つＡＬＮ及びシリカの合計１００重量％中に、（ａ）平
均粒径が１０〜３０μｍ、最大粒径が２００μｍ以下の
ＡＬＮを３０〜９５重量％、（ｂ）平均粒径０．１〜
１．０μｍ、最大粒径５μｍ以下の球状微粒シリカを２
〜１０重量％、（ｃ）平均粒径１０〜３０μｍ、最大粒
径７４μｍ以下の球状シリカを３〜６８重量％含むもの
である。
ＡＬＮという）をＳｉ、Ｏ、Ｐ、Ｎ、Ａｌの群から選ば
れる２種以上の元素からなる無機質で被覆された（ａ）
の特性を有するＡＬＮ、（ｂ）の特性を有する球状微粒
シリカ及び（ｃ）の特性を有する球状シリカを最適配合
することであり、これにより金型摩耗の少ない高信頼
性、高熱伝導性樹脂組成物を得ることができる。ＡＬＮ
及びシリカは、全組成物中に８０〜９６重量％含み、か
つＡＬＮ及びシリカの合計１００重量％中に、（ａ）平
均粒径が１０〜３０μｍ、最大粒径が２００μｍ以下の
ＡＬＮを３０〜９５重量％、（ｂ）平均粒径０．１〜
１．０μｍ、最大粒径５μｍ以下の球状微粒シリカを２
〜１０重量％、（ｃ）平均粒径１０〜３０μｍ、最大粒
径７４μｍ以下の球状シリカを３〜６８重量％含むもの
である。
【０００７】ＡＬＮのみでは成形時の流動性、充填性、
バリに問題があるが、本発明の配合割合とすることによ
り流動性、充填性、バリに優れ、かつ高熱伝導性に優れ
た樹脂組成物が得られる。ＡＬＮは平均粒径が１０〜３
０μｍ、最大粒径が２００μｍ以下である。平均粒径が
１０〜３０μｍのいずれかを外れると流動性とバリが悪
くなる。最大粒径が２００μｍを越えるとゲート詰まり
による未充填が発生する。ＡＬＮ及びシリカの合計１０
０重量％中に、ＡＬＮは３０〜９５重量％含むが３０重
量％未満だと十分な熱伝導性が得られず、９６重量％を
越えると流動性が劣り未充填が発生し、またバリ悪くな
る。球状微粒シリカはバリ止めと流動性向上に必須であ
り、平均粒径０．１〜１．０μｍ、最大粒径５μｍ以下
である。平均粒径０．１〜１．０μｍでないと流動性と
バリに効果がない。最大粒径５μｍを越えると流動性と
バリに効果がない。更に、ＡＬＮ及びシリカの合計１０
０重量％中に、２〜１０重量％含むが、２重量％未満又
は１０重量％を越えると優れた流動性が得られない。球
状シリカは流動性の確保に必須であり、平均粒径１０〜
３０μｍ、最大粒径７４μｍ以下である。平均粒径１０
〜３０μｍのいずれかを外れると流動性の向上がない。
最大粒径７４μｍを越えると充填性が低下し好ましくな
い。ＡＬＮ及びシリカの合計１００重量％中に、３〜６
８重量％含むが３重量％未満又は６８重量％を越える
と、熱伝導性と流動性のバランスが取れない。ＡＬＮと
シリカとの配合比は重要であり本発明の範囲で適正な成
形性と十分な熱伝導性が得られる。 粒度、平均粒径
は、レーザーを用いた粒度測定器（堀場製作所ＬＡ−５
００）を用いて測定した。またＡＬＮがＳｉ、Ｏ、Ｐ、
Ｎ、Ａｌの群から選ばれる２種以上の元素からなる無機
質で被覆され、かつ被覆ＡＬＮの重量変化率が１２５
℃、相対湿度１００％、５００時間のプレッシャークッ
カー処理後に５重量％以下である必要がある。５重量％
以下でないとＡＬＮの加水分解が大きくなり成形品に膨
れが発生する。ＡＬＮ自体の耐加水分解性を押さえるこ
とにより半導体素子の耐湿信頼性を保証できる。この無
機質被覆ＡＬＮは、ダウケミカル、東洋アルミニウム
(株)が生産しており市場より容易に入手できる。
バリに問題があるが、本発明の配合割合とすることによ
り流動性、充填性、バリに優れ、かつ高熱伝導性に優れ
た樹脂組成物が得られる。ＡＬＮは平均粒径が１０〜３
０μｍ、最大粒径が２００μｍ以下である。平均粒径が
１０〜３０μｍのいずれかを外れると流動性とバリが悪
くなる。最大粒径が２００μｍを越えるとゲート詰まり
による未充填が発生する。ＡＬＮ及びシリカの合計１０
０重量％中に、ＡＬＮは３０〜９５重量％含むが３０重
量％未満だと十分な熱伝導性が得られず、９６重量％を
越えると流動性が劣り未充填が発生し、またバリ悪くな
る。球状微粒シリカはバリ止めと流動性向上に必須であ
り、平均粒径０．１〜１．０μｍ、最大粒径５μｍ以下
である。平均粒径０．１〜１．０μｍでないと流動性と
バリに効果がない。最大粒径５μｍを越えると流動性と
バリに効果がない。更に、ＡＬＮ及びシリカの合計１０
０重量％中に、２〜１０重量％含むが、２重量％未満又
は１０重量％を越えると優れた流動性が得られない。球
状シリカは流動性の確保に必須であり、平均粒径１０〜
３０μｍ、最大粒径７４μｍ以下である。平均粒径１０
〜３０μｍのいずれかを外れると流動性の向上がない。
最大粒径７４μｍを越えると充填性が低下し好ましくな
い。ＡＬＮ及びシリカの合計１００重量％中に、３〜６
８重量％含むが３重量％未満又は６８重量％を越える
と、熱伝導性と流動性のバランスが取れない。ＡＬＮと
シリカとの配合比は重要であり本発明の範囲で適正な成
形性と十分な熱伝導性が得られる。 粒度、平均粒径
は、レーザーを用いた粒度測定器（堀場製作所ＬＡ−５
００）を用いて測定した。またＡＬＮがＳｉ、Ｏ、Ｐ、
Ｎ、Ａｌの群から選ばれる２種以上の元素からなる無機
質で被覆され、かつ被覆ＡＬＮの重量変化率が１２５
℃、相対湿度１００％、５００時間のプレッシャークッ
カー処理後に５重量％以下である必要がある。５重量％
以下でないとＡＬＮの加水分解が大きくなり成形品に膨
れが発生する。ＡＬＮ自体の耐加水分解性を押さえるこ
とにより半導体素子の耐湿信頼性を保証できる。この無
機質被覆ＡＬＮは、ダウケミカル、東洋アルミニウム
(株)が生産しており市場より容易に入手できる。
【０００８】本発明の半導体封止用樹脂組成物の熱膨張
係数は、ガラス転移温度以下で２．０×１０-5１／℃以
下であることが必要である。２．０×１０-5１／℃を越
えると、特にＬＳＩの用途で耐温度サイクル性が悪化す
る。また樹脂組成物の熱伝導率は、１．２５Ｗ／ｍ℃以
上が必要である。これ未満だと特にＬＳＩの熱放散性が
悪くなる。本発明は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬
化剤、硬化促進剤、ＡＬＮ及びシリカを必須成分とする
が、これら以外に必要に応じてシランカップリング剤等
のフィラー表面処理剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化
アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等
の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤及び
シリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤その他種々の
添加剤を適宜配合しても差し支えない。又、本発明の半
導体封止用樹脂組成物を成形材料として製造するには、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、Ａ
ＬＮ及びシリカ、その他の添加剤をミキサー等によって
充分に均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等
で溶融混練し、冷却粉砕して封止材料とすることができ
る。
係数は、ガラス転移温度以下で２．０×１０-5１／℃以
下であることが必要である。２．０×１０-5１／℃を越
えると、特にＬＳＩの用途で耐温度サイクル性が悪化す
る。また樹脂組成物の熱伝導率は、１．２５Ｗ／ｍ℃以
上が必要である。これ未満だと特にＬＳＩの熱放散性が
悪くなる。本発明は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬
化剤、硬化促進剤、ＡＬＮ及びシリカを必須成分とする
が、これら以外に必要に応じてシランカップリング剤等
のフィラー表面処理剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化
アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等
の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤及び
シリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤その他種々の
添加剤を適宜配合しても差し支えない。又、本発明の半
導体封止用樹脂組成物を成形材料として製造するには、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、Ａ
ＬＮ及びシリカ、その他の添加剤をミキサー等によって
充分に均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等
で溶融混練し、冷却粉砕して封止材料とすることができ
る。
【０００９】以下本発明を実施例で示す。配合割合は重
量部で示す。 実施例１ ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェル(株)・製、ＹＸ４０００Ｈ、エポキシ 当量１９０、融点１７０℃） ９０重量部 臭素化エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業(株)・製、エピクロン１５２、エ ポキシ当量３６０、軟化点６５℃） ８重量部 フェノールノボラック樹脂（住友デュレズ(株)・製、水酸基当量１０５、軟化 点７０℃） ５２重量部 表面被覆ＡＬＮ（ダウケミカル・製、ＸＵ、平均粒径２５μｍ、最大粒径１３ ０μｍ） ７５０重量部 球状微粒シリカ（平均粒径０．５μｍ、最大粒径３μｍ） ２０重量部 球状シリカ（平均粒径２３μｍ、最大粒径７４μｍ）２００重量部 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー(株)） ６重量部 ２−メチルイミダゾール（四国化成(株)・製） １重量部 三酸化アンチモン ８重量部 ヘキストワックスＥ ３重量部 カーボンブラック ２重量部 を常温で充分に混合し、次に８０〜１１０℃で２軸熱ロ
ールを用いて混練し冷却後粉砕して半導体封止用樹脂組
成物を得た。
量部で示す。 実施例１ ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェル(株)・製、ＹＸ４０００Ｈ、エポキシ 当量１９０、融点１７０℃） ９０重量部 臭素化エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業(株)・製、エピクロン１５２、エ ポキシ当量３６０、軟化点６５℃） ８重量部 フェノールノボラック樹脂（住友デュレズ(株)・製、水酸基当量１０５、軟化 点７０℃） ５２重量部 表面被覆ＡＬＮ（ダウケミカル・製、ＸＵ、平均粒径２５μｍ、最大粒径１３ ０μｍ） ７５０重量部 球状微粒シリカ（平均粒径０．５μｍ、最大粒径３μｍ） ２０重量部 球状シリカ（平均粒径２３μｍ、最大粒径７４μｍ）２００重量部 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー(株)） ６重量部 ２−メチルイミダゾール（四国化成(株)・製） １重量部 三酸化アンチモン ８重量部 ヘキストワックスＥ ３重量部 カーボンブラック ２重量部 を常温で充分に混合し、次に８０〜１１０℃で２軸熱ロ
ールを用いて混練し冷却後粉砕して半導体封止用樹脂組
成物を得た。
【００１０】得られた半導体封止用樹脂組成物をトラン
スファー成形機を用いて温度１７５℃、注入圧１２０Ｋ
ｇ／ｃｍ2で成形しテストピースを得、以下の項目につ
いて評価した。 評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＩＩ−Ｉ−６６に準じた金型を
用い、１７５℃、注入圧７０Ｋｇ／ｃｍ2で測定。単位
はｃｍ。 ゲルタイム：１７５℃の熱板で測定。 単位は秒。 熱伝導率：５０φ×５０ｍｍの成形品をプローブ型熱伝
導率測定機（昭和電工(株)・製）を用いて常温で測定。
単位はＷ／ｍ℃。 充填性：パッケージサイズ２８×２８×１．４ｍｍ、チ
ップサイズ１４×１４×０．３ｍｍの薄型ＱＦＰへの充
填性をボイド発生率、ダイパッドシフト不良率、ワイヤ
ー流れ不良率で評価した。 金型摩耗度：ＳＥＭＩ法に基づき５００ｇの半導体封止
用樹脂組成物を１７５℃でアルミオリフィスを通過させ
た時のアルミオリフィスの重量減少率（％）で評価し
た。 耐湿信頼性：模擬素子を用いた３００ミルのＳＯＰで８
５℃、８５％ＲＨ、７２時間吸湿後、２６０℃の半田処
理を１０秒間行った後１２５℃、相対湿度１００％のプ
レッシャークッカー処理５００時間で評価した。以上の
評価結果を表１に示す。熱膨張係数は、１５×４×４ｍ
ｍのテストピースを１７５℃で成形し、１７５℃、８時
間のポストキュア処理した後、ＴＭＡ（セイコー電子
(株)・製）にて６０℃における値とした。単位は×１０
-5１／℃。
スファー成形機を用いて温度１７５℃、注入圧１２０Ｋ
ｇ／ｃｍ2で成形しテストピースを得、以下の項目につ
いて評価した。 評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＩＩ−Ｉ−６６に準じた金型を
用い、１７５℃、注入圧７０Ｋｇ／ｃｍ2で測定。単位
はｃｍ。 ゲルタイム：１７５℃の熱板で測定。 単位は秒。 熱伝導率：５０φ×５０ｍｍの成形品をプローブ型熱伝
導率測定機（昭和電工(株)・製）を用いて常温で測定。
単位はＷ／ｍ℃。 充填性：パッケージサイズ２８×２８×１．４ｍｍ、チ
ップサイズ１４×１４×０．３ｍｍの薄型ＱＦＰへの充
填性をボイド発生率、ダイパッドシフト不良率、ワイヤ
ー流れ不良率で評価した。 金型摩耗度：ＳＥＭＩ法に基づき５００ｇの半導体封止
用樹脂組成物を１７５℃でアルミオリフィスを通過させ
た時のアルミオリフィスの重量減少率（％）で評価し
た。 耐湿信頼性：模擬素子を用いた３００ミルのＳＯＰで８
５℃、８５％ＲＨ、７２時間吸湿後、２６０℃の半田処
理を１０秒間行った後１２５℃、相対湿度１００％のプ
レッシャークッカー処理５００時間で評価した。以上の
評価結果を表１に示す。熱膨張係数は、１５×４×４ｍ
ｍのテストピースを１７５℃で成形し、１７５℃、８時
間のポストキュア処理した後、ＴＭＡ（セイコー電子
(株)・製）にて６０℃における値とした。単位は×１０
-5１／℃。
【００１１】実施例２〜４ 表１に示した配合で実施例１と同様にして半導体封止用
樹脂組成物を得た。実施例３に用いるクレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂は、エポキシ当量２００、軟化点６
５℃のオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂であ
る。実施例２〜４、比較例３に用いるフェノールアラル
キル樹脂は、三井東圧化学(株)・製、ＸＬ−２２５−３
Ｌである。以上の評価結果を表１に示す。 比較例１〜５ 表２に示した配合で実施例１と同様にして半導体封止用
樹脂組成物を得た。比較例５に用いるＡＬＮ（表面被覆
なし）は、ダウケミカル・製で平均粒径２５μｍ、最大
粒径１３０μｍである。以上の評価結果を表２に示す。
樹脂組成物を得た。実施例３に用いるクレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂は、エポキシ当量２００、軟化点６
５℃のオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂であ
る。実施例２〜４、比較例３に用いるフェノールアラル
キル樹脂は、三井東圧化学(株)・製、ＸＬ−２２５−３
Ｌである。以上の評価結果を表１に示す。 比較例１〜５ 表２に示した配合で実施例１と同様にして半導体封止用
樹脂組成物を得た。比較例５に用いるＡＬＮ（表面被覆
なし）は、ダウケミカル・製で平均粒径２５μｍ、最大
粒径１３０μｍである。以上の評価結果を表２に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】
【発明の効果】本発明の樹脂組成物を用いることによ
り、成形用金型の摩耗を減少でき、半導体製品の熱放散
性を大幅に改善できる。
り、成形用金型の摩耗を減少でき、半導体製品の熱放散
性を大幅に改善できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (3)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、
硬化促進剤、窒化アルミニウム及びシリカを必須成分と
し、全組成物中に窒化アルミニウム及びシリカを８０〜
９６重量％含み、かつ窒化アルミニウム及びシリカの合
計１００重量％中に、（ａ）平均粒径が１０〜３０μ
ｍ、最大粒径が２００μｍ以下の窒化アルミニウムを３
０〜９５重量％、（ｂ）平均粒径０．１〜１．０μｍ、
最大粒径５μｍ以下の球状微粒シリカを２〜１０重量
％、（ｃ）平均粒径１０〜３０μｍ、最大粒径７４μｍ
以下の球状シリカを３〜６８重量％含有することを特徴
とする半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項２】 窒化アルミニウムがＳｉ、Ｏ、Ｐ、Ｎ、
Ａｌの群から選ばれる２種以上の元素からなる無機質に
より被覆され、かつ該被覆窒化アルミニウムが１２５
℃、相対湿度１００％、５００時間のプレッシャークッ
カー処理後の重量変化率が５重量％以下である請求項１
記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物
の熱膨張係数及び熱伝導率が、ガラス転移温度以下で各
々２．０×１０-5１／℃以下、１．２５Ｗ／ｍ℃以上で
ある半導体封止用樹脂組成物。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24405295A JP3209664B2 (ja) | 1995-08-31 | 1995-09-22 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22322395 | 1995-08-31 | ||
| JP7-223223 | 1995-08-31 | ||
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09124774A true JPH09124774A (ja) | 1997-05-13 |
| JP3209664B2 JP3209664B2 (ja) | 2001-09-17 |
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ID=26525340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24405295A Expired - Fee Related JP3209664B2 (ja) | 1995-08-31 | 1995-09-22 | 半導体封止用樹脂組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3209664B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000038720A (ko) * | 1998-12-08 | 2000-07-05 | 유현식 | 반도체 소자 밀봉용 고열전도성 에폭시수지 조성물 |
| SG141222A1 (en) * | 2003-12-04 | 2008-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Semiconductor devices containing epoxy moulding compositions and the compositions per se |
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| JP2016104862A (ja) * | 2015-12-04 | 2016-06-09 | 日立化成株式会社 | 樹脂組成物、樹脂シート、金属箔付き樹脂シート、樹脂硬化物シート、構造体、および動力用又は光源用半導体デバイス |
| JP2020111748A (ja) * | 2019-01-15 | 2020-07-27 | 京セラ株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP24405295A patent/JP3209664B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000038720A (ko) * | 1998-12-08 | 2000-07-05 | 유현식 | 반도체 소자 밀봉용 고열전도성 에폭시수지 조성물 |
| SG141222A1 (en) * | 2003-12-04 | 2008-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Semiconductor devices containing epoxy moulding compositions and the compositions per se |
| JP2011236376A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 高熱伝導性複合粒子及びそれを用いた放熱材料 |
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