JPH0912402A - エチレン生合成阻害剤を含む切り花の鮮度保持剤組成物 - Google Patents
エチレン生合成阻害剤を含む切り花の鮮度保持剤組成物Info
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- JPH0912402A JPH0912402A JP7159413A JP15941395A JPH0912402A JP H0912402 A JPH0912402 A JP H0912402A JP 7159413 A JP7159413 A JP 7159413A JP 15941395 A JP15941395 A JP 15941395A JP H0912402 A JPH0912402 A JP H0912402A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 切り花に対して優れた効果を有する鮮度保持
剤を提供する。 【構成】 一般式（Ｉ） （Ｉ） 〔式中、Ｒ1はＣ３〜４の低級アルキル基を表すか、ハ
ロゲン原子、Ｃ1-4アルキル基、ヒドロキシル基、アル
コキシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル
基、ニトロ基、アミノ基またはベンジルオキシ基により
置換されてもよいフェニル基を表すか、あるいはピリジ
ル基を表すか、もしくはＲ1はカルボキシル基またはア
ルコキシカルボニル基により置換されてもよいチエニル
基を表し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれに水素原子、Ｃ1-4
アルキル基、アルコキサリル基、アルコキシアルキル基
等を表す。〕で示されるスルホニルセミカルバジド誘導
体またはその塩と、少なくとも１種のエチレン生合成阻
害剤またはその塩とを有効成分とする切り花の鮮度保持
剤組成物。
剤を提供する。 【構成】 一般式（Ｉ） （Ｉ） 〔式中、Ｒ1はＣ３〜４の低級アルキル基を表すか、ハ
ロゲン原子、Ｃ1-4アルキル基、ヒドロキシル基、アル
コキシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル
基、ニトロ基、アミノ基またはベンジルオキシ基により
置換されてもよいフェニル基を表すか、あるいはピリジ
ル基を表すか、もしくはＲ1はカルボキシル基またはア
ルコキシカルボニル基により置換されてもよいチエニル
基を表し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれに水素原子、Ｃ1-4
アルキル基、アルコキサリル基、アルコキシアルキル基
等を表す。〕で示されるスルホニルセミカルバジド誘導
体またはその塩と、少なくとも１種のエチレン生合成阻
害剤またはその塩とを有効成分とする切り花の鮮度保持
剤組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも２成分の混
合により相乗的に増強された作用を有する切り花の鮮度
保持剤組成物に関する。
合により相乗的に増強された作用を有する切り花の鮮度
保持剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】切り花の鮮度が低下する原因としては、
生け水中の茎の腐敗や導管の閉塞、栄養分の枯渇、内因
性のエチレンの増加などがあげらる。茎の腐敗や導管の
閉塞に対しては、8ーヒドロキシキノリンなどの殺菌剤や
水中汚物を沈澱させるための硫酸アルミニウム、水揚げ
を良くするための各種界面活性剤が用いられており、栄
養分の枯渇に対しては、ショ糖などの糖類が用いられて
いる。しかし、その効果には、ばらつきがあり明確では
ない。一方、内因性のエチレンの増加に対しては、1978
年にオランダのVeenらにより発見されたSTS（Ag(S2O3)2
3-）〔プランタ（Planta）140， 93〜96, 1978年〕がエ
チレンの作用を抑制し、カーネーション、宿根カスミソ
ウ等のエチレンが花の萎凋の主要因となる切り花に対し
ては明確な効果を示す。
生け水中の茎の腐敗や導管の閉塞、栄養分の枯渇、内因
性のエチレンの増加などがあげらる。茎の腐敗や導管の
閉塞に対しては、8ーヒドロキシキノリンなどの殺菌剤や
水中汚物を沈澱させるための硫酸アルミニウム、水揚げ
を良くするための各種界面活性剤が用いられており、栄
養分の枯渇に対しては、ショ糖などの糖類が用いられて
いる。しかし、その効果には、ばらつきがあり明確では
ない。一方、内因性のエチレンの増加に対しては、1978
年にオランダのVeenらにより発見されたSTS（Ag(S2O3)2
3-）〔プランタ（Planta）140， 93〜96, 1978年〕がエ
チレンの作用を抑制し、カーネーション、宿根カスミソ
ウ等のエチレンが花の萎凋の主要因となる切り花に対し
ては明確な効果を示す。
【０００３】現在では、生産者は、多くの切り花に対し
てSTSを使用している。しかし、STSはその有効成分とし
て、重金属である銀を含んでいるため、環境汚染が懸念
されており、重金属を含まない安全な鮮度保持剤の実用
化が望まれている。
てSTSを使用している。しかし、STSはその有効成分とし
て、重金属である銀を含んでいるため、環境汚染が懸念
されており、重金属を含まない安全な鮮度保持剤の実用
化が望まれている。
【０００４】一般式（Ｉ）
【化２】 （Ｉ） 〔式中、Ｒ1は炭素原子数３〜４の直鎖状または分岐鎖
状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、Ｃ1-4ア
ルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アミノ基
またはベンジルオキシ基により置換されてもよいフェニ
ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは
Ｒ1はカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基に
より置換されてもよいチエニル基を表し、Ｒ2およびＲ3
はそれぞれに水素原子、Ｃ1-4アルキル基、アルコキサ
リル基、アルコキシアルキル基、または式−Ｃ（＝Ｘ）
−Ｘ−Ｒ4（ただし、Ｘは酸素原子または硫黄原子を、
Ｒ4はＣ1-4アルキル基を表す）で示されるアルコキシカ
ルボニル基またはアルキルチオ−チオカルボニル基を表
すか、あるいはＲ2およびＲ3はＲ2とＲ3が結合している
窒素原子と共に共同して炭素数４〜５の複素環、例えば
モルホリノ基またはピペリジノ基を形成してもよく、も
しくはＲ2およびＲ3が結合している窒素原子と共に式−
Ｎ＝ＣＲ5（Ｒ6）（ただし、Ｒ5とＲ6はそれぞれにＣ
1-4アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示さ
れるスルホニルセミカルバジド誘導体またはその塩は、
本発明者らにより切り花の鮮度保持剤として有効である
ことが発見されている（ＷＯ ９５０５３６２）。一
方、アミノオキシ酢酸（AOAと略す）〔ホートサイエン
ス（Hortscience）15， 805〜806, 1980年〕、L-α-（2
-アミノエトキシビニル）グリシン（AVGと略す）〔ジャ
ーナル・オブ・ジ・アメリカン・ソサイアティ・フォー
・ホーティカルチュラル・サイエンス（Journal of the
American Society forHorticultural Science）102，
517〜520, 1977年〕、2-アミノイソ酪酸（AIBと略す）
〔サイエンティア・ホーティカルチュレ（Scientia Hor
ticulturae）44，127〜134, 1990年〕も、エチレンの生
合成を阻害することにより、切り花の鮮度保持効果を示
すことが知られている。しかしながら、一般式（Ｉ）で
示されるスルホニルセミカルバジド誘導体とこれらのエ
チレン生合成阻害剤との混合時の効果については検討さ
れていなかった。
状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、Ｃ1-4ア
ルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アミノ基
またはベンジルオキシ基により置換されてもよいフェニ
ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは
Ｒ1はカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基に
より置換されてもよいチエニル基を表し、Ｒ2およびＲ3
はそれぞれに水素原子、Ｃ1-4アルキル基、アルコキサ
リル基、アルコキシアルキル基、または式−Ｃ（＝Ｘ）
−Ｘ−Ｒ4（ただし、Ｘは酸素原子または硫黄原子を、
Ｒ4はＣ1-4アルキル基を表す）で示されるアルコキシカ
ルボニル基またはアルキルチオ−チオカルボニル基を表
すか、あるいはＲ2およびＲ3はＲ2とＲ3が結合している
窒素原子と共に共同して炭素数４〜５の複素環、例えば
モルホリノ基またはピペリジノ基を形成してもよく、も
しくはＲ2およびＲ3が結合している窒素原子と共に式−
Ｎ＝ＣＲ5（Ｒ6）（ただし、Ｒ5とＲ6はそれぞれにＣ
1-4アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示さ
れるスルホニルセミカルバジド誘導体またはその塩は、
本発明者らにより切り花の鮮度保持剤として有効である
ことが発見されている（ＷＯ ９５０５３６２）。一
方、アミノオキシ酢酸（AOAと略す）〔ホートサイエン
ス（Hortscience）15， 805〜806, 1980年〕、L-α-（2
-アミノエトキシビニル）グリシン（AVGと略す）〔ジャ
ーナル・オブ・ジ・アメリカン・ソサイアティ・フォー
・ホーティカルチュラル・サイエンス（Journal of the
American Society forHorticultural Science）102，
517〜520, 1977年〕、2-アミノイソ酪酸（AIBと略す）
〔サイエンティア・ホーティカルチュレ（Scientia Hor
ticulturae）44，127〜134, 1990年〕も、エチレンの生
合成を阻害することにより、切り花の鮮度保持効果を示
すことが知られている。しかしながら、一般式（Ｉ）で
示されるスルホニルセミカルバジド誘導体とこれらのエ
チレン生合成阻害剤との混合時の効果については検討さ
れていなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、切り
花に対して優れた効果を有する鮮度保持剤を提供するこ
とにある。
花に対して優れた効果を有する鮮度保持剤を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成すべく鋭意検討した結果、一般式（Ｉ）で示さ
れるスルホニルセミカルバジド誘導体またはその塩と、
エチレンの生合成阻害剤またはその塩とを混合すること
により、それぞれの単独処理に比べて鮮度保持効果が相
乗的に増強されることを見出し本発明に至った。
的を達成すべく鋭意検討した結果、一般式（Ｉ）で示さ
れるスルホニルセミカルバジド誘導体またはその塩と、
エチレンの生合成阻害剤またはその塩とを混合すること
により、それぞれの単独処理に比べて鮮度保持効果が相
乗的に増強されることを見出し本発明に至った。
【０００７】即ち本発明は、一般式（Ｉ）で示されるス
ルホニルセミカルバジド誘導体またはその塩と、エチレ
ンの生合成阻害剤またはその塩とを有効成分として含有
する切り花の鮮度保持剤組成物に関する。エチレン生合
成阻害剤としては、例えば、AOA、AVG、AIBなどが挙げ
られるが、特にこれらに限定されない。
ルホニルセミカルバジド誘導体またはその塩と、エチレ
ンの生合成阻害剤またはその塩とを有効成分として含有
する切り花の鮮度保持剤組成物に関する。エチレン生合
成阻害剤としては、例えば、AOA、AVG、AIBなどが挙げ
られるが、特にこれらに限定されない。
【０００８】これらの有効成分は、各種濃度の水溶液と
して用いられ、その濃度は対象とする切り花の種類によ
り最適値が異なるため、特に限定されない。一般式
（Ｉ）で示されるスルホニルセミカルバジド誘導体また
はその塩は、その中でも好ましくは１，１−ジメチル−
４−（フェニルスルホニル）セミカルバジドは、1×10
-4〜0.1重量％の範囲で、エチレン生合成阻害剤又はそ
の塩、1×10-4〜1.0重量％の範囲で用いられる。組成物
中の混合割合としてはスルホニルセミカルバジド誘導
体：エチレン生合成阻害剤または塩＝１：０．５〜５０
０、好ましくはスルホニルセミカルバジド誘導体：エチ
レン生合成阻害剤または塩＝１：１０〜５０（但し、単
位は重量％とする。）である。
して用いられ、その濃度は対象とする切り花の種類によ
り最適値が異なるため、特に限定されない。一般式
（Ｉ）で示されるスルホニルセミカルバジド誘導体また
はその塩は、その中でも好ましくは１，１−ジメチル−
４−（フェニルスルホニル）セミカルバジドは、1×10
-4〜0.1重量％の範囲で、エチレン生合成阻害剤又はそ
の塩、1×10-4〜1.0重量％の範囲で用いられる。組成物
中の混合割合としてはスルホニルセミカルバジド誘導
体：エチレン生合成阻害剤または塩＝１：０．５〜５０
０、好ましくはスルホニルセミカルバジド誘導体：エチ
レン生合成阻害剤または塩＝１：１０〜５０（但し、単
位は重量％とする。）である。
【０００９】本発明の鮮度保持剤組成物の使用法として
は、前処理、後処理あるいは植物体への散布などがあげ
られる。前処理の方法としては、切り花の切り口を薬液
に、好ましくは1〜24時間浸せきすれば良い。後処理の
方法としては、切り花を薬液の入った花瓶などに生けて
おけば良い。散布処理の方法としては、スプレーなど
で、切り花全体に薬液を散布すれば良い。
は、前処理、後処理あるいは植物体への散布などがあげ
られる。前処理の方法としては、切り花の切り口を薬液
に、好ましくは1〜24時間浸せきすれば良い。後処理の
方法としては、切り花を薬液の入った花瓶などに生けて
おけば良い。散布処理の方法としては、スプレーなど
で、切り花全体に薬液を散布すれば良い。
【００１０】本発明の鮮度保持剤組成物は、添加剤（殺
菌剤、界面活性剤など）や、市販されている他の鮮度保
持剤と混合して用いても良く、本発明品を用いた後に添
加剤や市販されている他の鮮度保持剤を用いても良い。
菌剤、界面活性剤など）や、市販されている他の鮮度保
持剤と混合して用いても良く、本発明品を用いた後に添
加剤や市販されている他の鮮度保持剤を用いても良い。
【００１１】本発明の鮮度保持剤を適用できる花として
は、カーネーション、デルフィニウム、スイートピー、
宿根カスミソウ、ユリ、フリージア、チューリップ、洋
ラン等の切り花、あるいは鉢物などがあげられる。
は、カーネーション、デルフィニウム、スイートピー、
宿根カスミソウ、ユリ、フリージア、チューリップ、洋
ラン等の切り花、あるいは鉢物などがあげられる。
【００１２】
試験例１ カーネーション切り花の鮮度保持効果 神奈川県秦野市の農家において栽培されたカーネーショ
ン（品種；フランシスコ）を10 cmの長さに切り、50 ml
の薬液の入った管ビン（φ3×12 cm）に、切り花を１本
ずつ入れ、その後25℃の恒温室にて切り花の状態を観察
した。各試験区とも１０反復とした。結果を表１に示
す。花の萎凋が見られるまでの日数を花持ち日数として
表し、さらに対照区と比較したときの花持ち延長日数と
それぞれ単独処理の花持ち延長日数を相加した日数も併
せて示した。また、花持ち延長日数および相加日数は以
下のように定義する。 花持ち延長日数＝各処理群の花持ち日数−対照区の花持
ち日数 相加日数＝各濃度のスルホニルセミカルバジド誘導体処
理群の花持ち延長日数＋各エチレン生合成阻害剤処理群
の花持ち延長日数
ン（品種；フランシスコ）を10 cmの長さに切り、50 ml
の薬液の入った管ビン（φ3×12 cm）に、切り花を１本
ずつ入れ、その後25℃の恒温室にて切り花の状態を観察
した。各試験区とも１０反復とした。結果を表１に示
す。花の萎凋が見られるまでの日数を花持ち日数として
表し、さらに対照区と比較したときの花持ち延長日数と
それぞれ単独処理の花持ち延長日数を相加した日数も併
せて示した。また、花持ち延長日数および相加日数は以
下のように定義する。 花持ち延長日数＝各処理群の花持ち日数−対照区の花持
ち日数 相加日数＝各濃度のスルホニルセミカルバジド誘導体処
理群の花持ち延長日数＋各エチレン生合成阻害剤処理群
の花持ち延長日数
【００１３】 表1 処理 花持ち日数 花持ち延長 相加 (日) 日数(日) 日数(日) 対照区 7.8 − − 1 ppm 1,1-ジメチル-4-（フェニル 9.4 1.6 − スルホニル）セミカルバジド 10 ppm AOA 8.2 0.4 − 10 ppm AVG 8.6 0.8 − 50 ppm AIB 7.9 0.1 − 1 ppm 1,1-ジメチル-4-（フェニル 11.5 3.7 2.0 スルホニル）セミカルバジド ＋ 10 ppm AOA 1 ppm 1,1-ジメチル-4-（フェニル 11.7 3.9 2.4 スルホニル）セミカルバジド ＋ 10 ppm AVG 1 ppm 1,1-ジメチル-4-（フェニル 11.4 3.6 1.7 スルホニル）セミカルバジド ＋ 50 ppm AIB
【００１４】表１から明らかなように、1,1-ジメチル-4
-（フェニルスルホニル）セミカルバジドとAOA、または
1,1-ジメチル-4-（フェニルスルホニル）セミカルバジ
ドとAVG、または1,1-ジメチル-4-（フェニルスルホニ
ル）セミカルバジドとAIBとを混合したときの効果は、
それぞれの単独使用の花持ち延長日数の相加以上の効果
を示した。
-（フェニルスルホニル）セミカルバジドとAOA、または
1,1-ジメチル-4-（フェニルスルホニル）セミカルバジ
ドとAVG、または1,1-ジメチル-4-（フェニルスルホニ
ル）セミカルバジドとAIBとを混合したときの効果は、
それぞれの単独使用の花持ち延長日数の相加以上の効果
を示した。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、切り花の鮮度を良好な
状態で長期に保つ鮮度保持剤を提供することができる。
状態で長期に保つ鮮度保持剤を提供することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年９月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】これらの有効成分は、各種濃度の水溶液と
して用いられ、その濃度は対象とする切り花の種類によ
り最適値が異なるため、特に限定されない。一般式
（Ｉ）で示されるスルホニルセミカルバジド誘導体また
はその塩は、その中でも好ましくは１，１−ジメチル−
４−（フェニルスルホニル）セミカルバジドは、1×10
-4〜0.1重量％の範囲で、エチレン生合成阻害剤又はそ
の塩は、1×10-4〜1.0重量％の範囲で用いられる。組成
物中の混合割合としてはスルホニルセミカルバジド誘導
体：エチレン生合成阻害剤またはその塩＝１：０．５〜
５００、好ましくはスルホニルセミカルバジド誘導体：
エチレン生合成阻害剤またはその塩＝１：１０〜５０
（但し、単位は重量％とする。）である。
して用いられ、その濃度は対象とする切り花の種類によ
り最適値が異なるため、特に限定されない。一般式
（Ｉ）で示されるスルホニルセミカルバジド誘導体また
はその塩は、その中でも好ましくは１，１−ジメチル−
４−（フェニルスルホニル）セミカルバジドは、1×10
-4〜0.1重量％の範囲で、エチレン生合成阻害剤又はそ
の塩は、1×10-4〜1.0重量％の範囲で用いられる。組成
物中の混合割合としてはスルホニルセミカルバジド誘導
体：エチレン生合成阻害剤またはその塩＝１：０．５〜
５００、好ましくはスルホニルセミカルバジド誘導体：
エチレン生合成阻害剤またはその塩＝１：１０〜５０
（但し、単位は重量％とする。）である。
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （Ｉ） 〔式中、Ｒ1は炭素原子数３〜４の直鎖状または分岐鎖
状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、Ｃ1-4ア
ルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アミノ基
またはベンジルオキシ基により置換されてもよいフェニ
ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは
Ｒ1はカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基に
より置換されてもよいチエニル基を表し、Ｒ2およびＲ3
はそれぞれに水素原子、Ｃ1-4アルキル基、アルコキサ
リル基、アルコキシアルキル基、または式−Ｃ（＝Ｘ）
−Ｘ−Ｒ4（ただし、Ｘは酸素原子または硫黄原子を、
Ｒ4はＣ1-4アルキル基を表す）で示されるアルコキシカ
ルボニル基またはアルキルチオ−チオカルボニル基を表
すか、あるいはＲ2およびＲ3はＲ2とＲ3が結合している
窒素原子と共に共同して炭素数４〜５の複素環、例えば
モルホリノ基またはピペリジノ基を形成してもよく、も
しくはＲ2およびＲ3が結合している窒素原子と共に式−
Ｎ＝ＣＲ5（Ｒ6）（ただし、Ｒ5とＲ6はそれぞれにＣ
1-4アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示さ
れるスルホニルセミカルバジド誘導体またはその塩と、
少なくとも１種のエチレン生合成阻害剤またはその塩と
を有効成分とする切り花の鮮度保持剤組成物。 - 【請求項２】スルホニルセミカルバジド誘導体が１，１
−ジメチル−４−（フェニルスルホニル）セミカルバジ
ドである請求項１記載の切り花の鮮度保持剤組成物 - 【請求項３】 エチレン生合成阻害剤が、アミノオキシ
酢酸またはその塩、L-α-（2-アミノエトキシビニル）
グリシンまたはその塩、2-アミノイソ酪酸またはその塩
の中から選択されるところの請求項１記載の組成物。 - 【請求項４】 エチレン生合成阻害剤が、アミノオキシ
酢酸またはその塩、L-α-（2-アミノエトキシビニル）
グリシンまたはその塩、2-アミノイソ酪酸またはその塩
の中から選択されるところの請求項２記載の組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15941395A JP3155907B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | エチレン生合成阻害剤を含む切り花の鮮度保持剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15941395A JP3155907B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | エチレン生合成阻害剤を含む切り花の鮮度保持剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0912402A true JPH0912402A (ja) | 1997-01-14 |
| JP3155907B2 JP3155907B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=15693214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15941395A Expired - Fee Related JP3155907B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | エチレン生合成阻害剤を含む切り花の鮮度保持剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3155907B2 (ja) |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP15941395A patent/JP3155907B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3155907B2 (ja) | 2001-04-16 |
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