JPH09120022A

JPH09120022A - 光学装置

Info

Publication number: JPH09120022A
Application number: JP8120777A
Authority: JP
Inventors: Maki Yamashita; 牧山下; Naohisa Inoue; 直久井上; Masaharu Matano; 正治俣野; Kazuhiko Mori; 和彦森; Isao Taguchi; 功田口
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 1996-04-19
Filing date: 1996-04-19
Publication date: 1997-05-06

Abstract

(57)【要約】【目的】光源からの光を導光板に導入し，導光板に導
入された光を制御するタイプの光学装置において，集積
化を図る。【構成】電極（18，19，37，38）が形成された基台
（10）上に，発光素子（11）と基板（12）とが固定され
る。発光素子（11）の出射光は基板（12）の光導波層
（21）に導入される。発光素子（11）は電極（18，19）
に接続される。基台（10）上には受光素子（31，32，3
3，34）も設けられ，電極（37，38）に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】この発明は，光源からの光を導光板に導入
し，導光板に導入された光を制御するタイプの光学装置
に関する。

【０００２】

【背景技術】この種の光学装置では導光板の端面に接し
てまたは近接して光源を配置し，光源からの光を直接に
またはレンズ等の光学部品を介して導光板に導入する構
成が一般的である。このような構成では，光源と導光板
とを光学的に結合させるための位置決めおよびそれらの
固定が困難である。また，光源への配線，導光板の支持
等のための構造を別途に設ける必要がある。

【０００３】

【発明の開示】この発明は光源，その配線構造，導光
板，その支持構造等を集積化しうる構成を提供するもの
である。

【０００４】この発明による光学装置は，導体パターン
が表面に設けられた基台，上記基台に固定され，上記導
体パターンと電気的に接続された発光素子，および上記
基台に固定され，導光構造を有する導光板を備え，上記
発光素子が，その出射光が上記導光板に入射して上記導
光構造内を導光するように配置されているものである。

【０００５】光源としての発光素子および導光板がとも
に基台上に固定されている。この基台に導体パターンが
形成され，この導体パターンに発光素子が電気的に接続
されているので，導体パターンを通して発光素子が駆動
される。このようにして，一つの基台を用いて，発光素
子と導光板との位置合せおよび固定，発光素子への電力
の供給，ならびに導光板の支持を達成することができ
る。

【０００６】基台上に受光素子を設け，基台上の導体パ
ターンに受光素子を電気的に接続することにより一層の
集積化が可能となる。

【０００７】導光板の導光構造内に導入された光は光学
装置の用途に応じて種々の制御を受ける。たとえば光の
収束，偏向，拡散，外部への出射等である。一実施態様
では，上記導光板に，上記導光構造内を伝搬する光を外
部に出射させる凹凸構造が設けられる。

【０００８】導光板は，その表面に上記導光構造として
の光導波層が形成された基板も含む。

【０００９】

【実施例】

(1) 光ピックアップ・ヘッドの構成の概要図１は光ピックアップ・ヘッドの構成を示している。基
台10上に，半導体レーザ11および２つの基板12，13が配
置されかつ固定されている。半導体レーザ11は基台10上
に形成された電極18，19に与えられる駆動電流により駆
動される。

【００１０】基板12にはたとえばＳｉ結晶が用いられ，
この基板12上面の熱酸化またはＳｉＯ₂の蒸着もしくは
スパッタにより基板12上面にＳｉＯ₂バッファ層が形成
されたのち，たとえばコーニング７０５９などのガラス
をスパッタすることにより光導波層21が形成されてい
る。半導体レーザ11から出射したレーザ光はこの光導波
層21に入射しかつ伝播する。

【００１１】光導波層21上にはコリメーティング・レン
ズ22およびカップリング・レンズが形成されている。コ
リメーティング・レンズ22は半導体レーザ11から出射し
た広がりをもつレーザ・ビームを平行光に変換するもの
である。

【００１２】カップリング・レンズは，光導波層21を伝
播してきたレーザ光を斜め上方に３つに分離して出射さ
せるとともに，これらの光ビームを異なる３つの点に２
次元的に集光（フォーカシング）するものである。カッ
プリング・レンズは，コリメーティング・レンズ22によ
って平行光に変換されたレーザ光の伝播経路を横切って
一列に配列された３つのフレネル型グレーティング・レ
ンズ（フレネル・レンズ）41，42，43と，これらのグレ
ーティング・レンズ41〜43によって３つに分割されかつ
集束される光の伝播経路上に設けられたチャープ型（ch
irped ）グレーティング・カプラ51，52，53とから構成
されている。グレーティング・レンズ41〜43は，平行光
を光導波層21内で集束させるためのものである。グレー
ティング・カプラ51〜53は，光の進行方向に向って周期
（間隔）が小さくなる直線状のグレーティングからそれ
ぞれ構成されており，光導波層21内を伝播する光を出射
させるとともに一直線状に集光する機能をもつ。光導波
層21を伝播する光のうちの中央部の光はグレーティング
・レンズ41によって幅方向に集束されているから，グレ
ーティング・レンズ41の焦点とグレーティング・カプラ
51の焦点とが同一点Ｐ１にあれば，光導波層21から出射
した光は点Ｐ１で一点に集光する。同じように，各グレ
ーティング・カプラ52，53から出射した光はそれぞれ点
Ｐ２，Ｐ３に集光する。これらのレーザ・スポットＰ１
〜Ｐ３の径は１μｍ程度であり間隔は20μｍ程度であ
る。中央のレーザ・スポットＰ１は光ディスクの情報の
読取りおよびフォーカシング・エラー検出用であり，両
側のレーザ・スポットＰ２，Ｐ３はトラッキング・エラ
ー検出用である。これらのスポットＰ１〜Ｐ３は同一平
面上（光ディスクの情報記録面）に焦点を結んでおり，
かつほぼ一直線状に並んでいる。

【００１３】基板12としてＬｉＮｂＯ₃結晶が用いられ
た場合には，その上面にＴｉを熱拡散することにより光
導波層21が形成される。

【００１４】もう１つの基板13もまた，たとえばＳｉ結
晶により形成されている。この基板13には受光部30が形
成されている。受光部30は，光ディスクの情報記録面か
らの反射光を受光するためのものであり，上述のレーザ
・スポットＰ１〜Ｐ３の位置から斜め下方に反射してく
る光を受光できる位置に配置されている。

【００１５】受光部30は，５つの独立した受光素子31，
32，33，34，35からなる。中央の受光素子31は情報の読
取り用であり，スポットＰ１からの反射光を受光する。
その前後にある受光素子32，33はフォーカシング・エラ
ー検出用である。受光素子31の両側にある受光素子34，
35はトラッキング・エラー検出用であり，スポットＰ
２，Ｐ３からの反射光をそれぞれ受光する。これらの受
光素子31〜35は，たとえばＳｉ基板13に５つの独立した
ＰＮ接合（フォトダイオード）をつくることにより構成
されている。受光素子31〜35の出力信号は，基板13上に
形成された配線パターンにより電極36にそれぞれ導か
れ，さらにワイヤ・ボンディングにより基台10上の電極
37にそれぞれ導かれる。基台10上のもう１つの電極38は
受光素子31〜35の共通電極である。

【００１６】光ディスクに記録された情報は，反射光の
強度変化として現われる。スポットＰ１の反射光が受光
素子31により受光され，その出力信号が記録情報の読取
り信号となる。受光素子31〜33の和信号を読取り信号と
してもよい。

【００１７】図１においては，基板12と13とは接して設
けられているが，両基板12と13との間に適当な間隔をあ
けてこれらを位置決めしてもよい。

【００１８】また基板12と13とを一体にしてもよい。基
板12，13をともにＳｉで一体的に構成する場合には，こ
の基板上面全体に光導波層を形成し，この光導波層上に
直接にＣＶＤ法により５つの独立したアモルファス・シ
リコン（ａ−Ｓｉ）光起電力素子を形成し，これらによ
り受光部30を構成する。

【００１９】また，基板12と13をＬｉＮｂＯ₃で一体的
に構成する場合には，ＬｉＮｂＯ₃上面に同じようにａ
−Ｓｉによる受光部を形成することができる。

【００２０】光起電力素子としては，他にＣｄＴｅ，Ｃ
ｄＳなどを用いることが可能である。

【００２１】(2) 半導体レーザと光導波層との結合半導体レーザ11と基板12上の光導波層21とは，この実施
例ではバット・エッジ（butt edge ）結合法により結合
されている。図２に拡大して示されているように，基板
12の結合端面が光学研摩され，半導体レーザ11の活性層
12と光導波層21との高さをあわせてこれらの両層12，21
の端面が対面するようにして，半導体レーザ11が電極パ
ッド18上に固定される。半導体レーザ11から出射された
レーザ光は光導波層21内で広がる。半導体レーザ11の活
性層12内と光導波層21内の光の界分布はよく似た形をし
ているので高効率の結合が可能であるとともに，特別な
結合手段が不要であるという利点をもっている。基台10
は半導体レーザ11のヒートシンクにもなる。

【００２２】(3) コリメーティング・レンズ光導波層上に形成されるコリメーティング・レンズに
は，フレネル・レンズ，ブラッグ・グレーティング・レ
ンズ，ルネブルグ・レンズ，ジオデシック・レンズなど
がある。

【００２３】図３はフレネル・レンズ24を示すもので，
光導波層21上に光軸から離れるにしたがって幅が小さく
なる（チャープド，chirped ）凹凸（グレーティング）
24ａまたは屈折率分布が形成されている。

【００２４】たとえば凹凸24ａを形成する場合には，光
導波層21上にフォトレジストをスピンコートし，形成す
べき凹凸パターンと同形の露光パターンを用いて露光
後，現像することにより凸部となる部分のレジストを除
去する。そして，たとえばガラスをスパッタする。最後
にすべてのレジストを除去すれば光導波層21上にスパッ
タされたガラスによる凸部が残り，他の部分が凹部に相
当することになって結局凹凸24ａが形成される。

【００２５】屈折率分布を作成する場合には，上述のレ
ジスト・パターンを作成したのち，その上にたとえばＴ
ｉ膜を形成する。そしてリフトオフ法によりＴｉパター
ンを形成する。上述の凸部となる部分にのみＴｉ膜が残
ることになる。このＴｉを熱拡散させることにより，Ｔ
ｉがドープされた部分の屈折率が増大し，図３に示す凹
凸24ａのパターンと同じパターンの屈折率分布がつくら
れる。すなわち凸部に相当する部分の屈折率が増大す
る。

【００２６】ブラッグ・グレーティング・レンズ25は図
４に示されているように，光導波層21上に光軸からの距
離が大きくなるほど光軸とのなす角が大きくなる凹凸25
ａまたは屈折率分布を設けたものである。このレンズ25
は，フレネル・レンズ24と同じ方法により作製される。

【００２７】図５はルネブルグ・レンズ26を示すもので
ある。ルネブルグ・レンズ26は，光導波層21上に中央部
が最も厚く周囲にいくにつれて薄くなるなだらかな厚み
分布をもつ高屈折率薄膜を平面からみて円形に形成した
ものである。

【００２８】これはたとえば，光導波層21上方に円形開
口をもつマスクを配置し，ガラスなどをスパッタするこ
とにより作製される。円形開口を通って光導波層21に向
うスパッタされた物質は光導波層21に到達するまでに広
がるので，周囲にいくほど膜厚の薄い薄膜が形成され
る。

【００２９】図６はジオデシック・レンズ27を示してい
る。光導波層21を形成する前に基板12表面に曲面をもつ
くぼみを形成し，このくぼみにそって光導波層21を形成
する。

【００３０】(4) カップリング・レンズ図１に示されているカップリング・レンズは，上述した
ように３つのグレーティング・レンズ41〜43とグレーテ
ィング・カプラ51〜53とから構成されている。これらの
レンズ，カプラも上述したフレネル・レンズと同じよう
な方法により作製される。

【００３１】図７はカップリング・レンズの他の例を示
している。コリメーティング・レンズ22によって平行光
に変換された光の伝播経路上に，３つの２次元フォーカ
シング・グレーティング・カプラ61，62，63が設けられ
ている。２次元フォーカシング・グレーティング・カプ
ラは１つのレンズで光の出射機能と２次元集光機能とを
もつもので，進行方向に向うほど周期（間隔）が小さく
なる円弧状のグレーティング（凹凸）から構成されてい
る。このグレーティング・カプラもまた，上述したフレ
ネル・レンズと同じような方法により作製される。この
ような３つのグレーティング・カプラ61〜63を用いるこ
とにより，異なる位置に集光する３つのレーザ・スポッ
トＰ１〜Ｐ３を形成することができる。なお，図７にお
いてはグレーティング（凹凸）は，簡単のために幅をも
たない線で描写されている。

【００３２】(5) フォーカシング・エラーの検出光ディスクの情報記録面にはそのトラックにそってディ
ジタル情報を長さや位置によって表わすピット（くぼ
み）が形成されている。図８は，光ディスク81と光ピッ
クアップ・ヘッド９との位置関係，ならびにレーザ・ス
ポットＰ１を形成する光およびその反射光を示すもので
ある。図８(A) は光ディスク81の周方向（ピット82の長
手方向）と光軸方向がほぼ一致している場合において
（図10参照），光ディスク81をその周方向にそって切断
して示すものであり，図８(B) は光ディスク81の半径方
向と光軸方向とがほぼ一致している場合において（図11
参照），光ディスク81をその半径方向に切断して示すも
のである。いずれの場合においても，以下の議論は同じ
ようにあてはまる。また，図８(A) においては，より分
りやすくするために受光素子31〜33がやや突出して描か
れている。

【００３３】グレーティング・カプラ51から出射したレ
ーザ光（スポットＰ１を形成する光）は光ディスク81の
情報記録面（図８ではピット82を含む部分）で反射して
受光部30とくに受光素子31で受光される。図９は，光デ
ィスク81からの反射光が受光部30を照射するその範囲を
示している（受光素子34，35は省略されている）。

【００３４】図８とくに図８(A) において，実線で示さ
れた光ディスク81およびピット82は，光ディスク81と光
ピックアップ・ヘッド９との間の距離が最適であり，出
射光の光ディスク81上へのフォーカシングが正しく行な
われている様子を示すものである。このときの受光部30
における反射光の照射領域がＱ１で示されている。この
照射領域Ｑ１は中央の受光素子31上に位置しており，他
の受光素子32，33には反射光は受光されない。

【００３５】光ディスク81とピックアップ・ヘッド９と
の間の距離が相対的に大きくまたは小さくなって適切な
フォーカシングが行なわれない場合の光ディスク81の位
置が図８(A) に鎖線で示されている。光ディスク81とピ
ックアップ・ヘッド９との間の距離が相対的に小さくな
った場合（−Δｄの変位）には，反射光の照射領域（Ｑ
11で表わされている）は受光素子32側に寄る。受光素子
32は差動増幅器71の負側に，受光素子33は正側にそれぞ
れ接続されているから，この場合には差動増幅器71の出
力は負の値を示し，この値は変位量−Δｄの大きさを表
わしている。

【００３６】光ディスク81とピックアップ・ヘッド９と
の間の距離が相対的に大きくなった場合（＋Δｄの変
位）には，反射光の照射領域（Ｑ12で表わされている）
は受光素子33側に寄る。差動増幅器71の出力は正の値を
示し，かつこの値は変位量＋Δｄを表わす。

【００３７】このようにして，ピックアップ・ヘッド９
からの出射光ビームのフォーカシングが適切であるかど
うか，フォーカシング・エラーが生じている場合にはエ
ラーの方向と大きさが差動増幅器71の出力から検知され
る。フォーカシング・エラーが無い場合には差動増幅器
71の出力は零である。

【００３８】(6) トラッキング・エラーの検出図10および図11は，光ディスク81に形成されたピット82
と光ピックアップ・ヘッド９上のグレーティング・カプ
ラ51〜53および受光部30とを同一平面上に模式的に配置
して示したものであり，いわば光ディスク81をその面方
向に透視して光ピックアップ・ヘッド９をみた模式図で
ある。差動増幅器72は受光素子34，35との電気的接続関
係を明らかにする目的で図示されている。図10は，光デ
ィスクの周方向と光軸方向とがほぼ一致する構成の場
合，図11は光ディスクの半径方向と光軸方向とがほぼ一
致する構成の場合である。いずれの場合にも適切にフォ
ーカシングがなされているものとして描かれている。

【００３９】適切なトラッキング制御が行なわれている
場合には，中央のレーザ・スポットＰ１とピット82の幅
方向の中心とが一致している。他の２つのスポットＰ
２，Ｐ３はピット82の両側にずれている。スポットＰ
２，Ｐ３はピット82にかかっていてもよいし，かかって
いなくてもよいが，スポットＰ２のピット82からの変位
量とＰ３のピット82からの変位量とは等しい。スポット
Ｐ２，Ｐ３からの反射光を受光する受光素子34，35は差
動増幅器72に接続されている。

【００４０】レーザ・スポットＰ１が光ディスク81の情
報記録面に当たり，その反射光の強度がピット82の存在
によって変調される。これには，ピット82の幅よりもス
ポット・サイズの方がやや大きいのでピット82の底面で
反射する光とピット82以外の部分で反射する光とが存在
し，ピット82の深さが（１／４）λ（λはレーザ光の波
長）程度に設定されていることにより，上記の２種類の
反射光の間にπの位相差が生じて互いに打消し合い，光
強度が小さくなるという説明や，ピット82の縁部で光の
散乱が生じこれにより受光される反射光強度が小さくな
るという説明などがある。いずれにしても，ピット82の
存在によって受光素子31に受光される光強度は小さくな
る。他のスポットＰ２，Ｐ３の反射光を受光する受光素
子34，35についても同様のことがいえる。

【００４１】レーザ・スポットＰ１の中心とピット82の
幅方向の中心とが一致している場合には，スポットＰ２
のピット82に対する変位量とスポットＰ３のピット82に
対する変位量とは等しいので，受光素子34，35に受光さ
れる光強度は等しい。したがって，差動増幅器72の出力
電圧は零を示す。スポットＰ１がピット82から横方向に
ずれると，これにともなって他のスポットＰ２，Ｐ３の
うちの一方はピット82から遠ざかり，他方はピット82の
幅方向中心に近づく。したがって，受光素子34と35とに
受光される光量が異なり，差動増幅器72からは，ずれの
方向に応じて正または負の電圧が発生し，かつこの出力
電圧の大きさはずれの大きさを表わす。

【００４２】このようにして，差動増幅器72の出力によ
りビーム・スポットＰ１が光ディスク81のトラックに正
確に沿っているか，トラッキング・エラーが生じている
か，それは左，右のどちらにどの程度ずれたエラーかが
検出される。

【００４３】(7) フォーカシングおよびトラッキング駆
動機構図12から図14はフォーカシング駆動機構およびトラッキ
ング駆動機構を示している。この機構は，光ディスクの
周方向と光軸とがほぼ一致している構造のもの（図８
(A) ，図10）に適用され，光ディスクの径方向と光軸と
がほぼ一致している構造のもの（図８(B) ，図11）の場
合には，図12において光ピックアップ・ヘッド９が水平
面内で90°回転された位置に固定される。

【００４４】支持板100 の一端部に支持部材101 が立設
されている。この支持部材101 の両側下端部は切欠かれ
ている（符号102 ）。支持板100 の他端部上方には可動
部材103 が位置している。上下方向に弾性的に屈曲しう
る４つの板ばね121 ，122 の一端は支持部材101 の上端
両側および下部切欠き102 に固定されており，他端は可
動部材103 の上端および下端の両側にそれぞれ固定され
ている。したがって，可動部材103 はこれらの板ばね12
1 ，122 を介して上下方向に運動しうる状態で支持部材
101 に支持されている。

【００４５】光ピックアップ・ヘッド９を載置したステ
ージ110 は，上部の方形枠112 ，方形枠112 の両端から
下方にのびた両脚114 ，115 および方形枠112 の中央部
から下方にのびた中央脚113 から構成されている。方形
枠112 上に光ピックアップ・ヘッド９が載置固定されて
いる。横方向に弾性的に屈曲しうる４つの板ばね131の
一端は可動部材103 の両側上，下部に固定され，他端は
ステージ110 の中央脚113 の両側上，下部に固定されて
いる。ステージ110 は，これらの板ばね131 を介して横
方向（図10の左右方向と一致する）に，運動しうる状態
で支持されている。したがって，ステージ110 は，上下
方向（フォーカシング）および横方向（トラッキング）
に移動自在である。

【００４６】支持板100 ，支持部材101 ，可動部材103
およびステージ110 は非磁性材料，たとえばプラスチッ
クにより構成されている。

【００４７】支持部材101 および可動部材103 の内面に
はヨーク104 ，105 が固定されている。ヨーク104 は，
支持部材101 に固定された垂直部分 104ａと，これと間
隔をおいて位置するもう１つの垂直部分 104ｂと，これ
らの両部分 104ａ， 104ｂをそれらの下端で結合させる
水平部分とから構成されている。ヨーク105 もヨーク10
4 と全く同じ形状であり，一定の間隔をおいて離れた２
つの垂直部分 105ａ，105ｂを備えている。

【００４８】これらのヨーク104 ，105 の垂直部分 104
ａ， 105ａの内面には，この内面側をたとえばＳ極とす
る永久磁石106 がそれぞれ固定されている。そして，ヨ
ーク104 ，105 の他方の垂直部分 104ｂ， 105ｂと永久
磁石106 との間に，ステージ110 の脚114 ，115 がそれ
らに接しない状態でそれぞれ入り込んでいる。

【００４９】ステージ110 の両脚114 ，115 のまわりに
はフォーカシング駆動用コイル123が水平方向に巻回さ
れている。またこれらの脚114 ，115 の一部には，永久
磁石106 と対向する部分において上下方向に向う部分を
有するトラッキング駆動用コイル133 が巻回されてい
る。

【００５０】フォーカシング駆動機構は図13に最もよく
示されている。永久磁石106 から発生した磁束Ｈは鎖線
で示されているようにヨーク104 ，105 の垂直部分 104
ｂ，105ｂにそれぞれ向う。この磁界を横切って水平方
向に配設されたコイル123 に，たとえば図12において紙
面に向う方向に駆動電流が流されると，上方に向う力Ｆ
ｆが発生する。この力Ｆｆによってステージ110 は上方
に移動する。ステージ110 の移動量はコイル123 に流さ
れる電流の大きさによって調整することができる。した
がって，上述した差動増幅器71の出力信号に応じてこの
駆動電流の方向を切換えることにより，および電流の大
きさを調整するまたは電流をオン，オフすることによ
り，フォーカシング制御を行なうことができる。

【００５１】トラッキング駆動機構は図14に最もよく表
わされている。コイル133 の磁界Ｈを上下方向に横切っ
て配設された部分に，たとえば図14で紙面に向う方向に
（図12で下方に向って）駆動電流を流すと，図14におい
て上方に向う力（図12において横方向に向う力）Ｆｔが
発生し，ステージ110 は同方向に移動する。上述した差
動増幅器72の出力信号に応じてコイル133 に流す電流を
オン，オフしたり，電流の方向，必要ならばその大きさ
を調整することにより，トラッキング制御を行なうこと
ができる。

【００５２】電気光学効果を利用してフォーカシングお
よびトラッキングの制御を行なうこともできる。たとえ
ば，光導波路21（および基板12）を電気光学効果をもつ
材料（たとえばＬｉＮｂＯ₃）で形成するか，またはグ
レーティング・レンズ41〜43やグレーティング・カプラ
51〜53の場所に電気光学効果をもつ材料（たとえばＺｎ
ＯやＡｌＮ）の薄膜を形成し，これらのレンズおよびカ
プラの両側に電極を設ける。電極に印加する電圧を変え
ることにより，これらのレンズやカプラの焦点距離を調
整することができ，これによりフォーカシング制御やト
ラッキング制御が行なわれる。また，光導波路21を伝播
する光ビームを電気光学効果を利用して偏向させること
により，トラッキングの制御も可能である。光ビームの
偏向はたとえば光とＳＡＷ（弾性表面波）との相互作用
を利用して達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光ピックアップ・ヘッドを示す斜視図である。

【図２】半導体レーザと光導波層との光結合部分を示す
斜視図である。

【図３】フレネル型グレーティング・レンズを示す斜視
図である。

【図４】ブラッグ型グレーティング・レンズを示す斜視
図である。

【図５】ルネブルグ・レンズを示すもので，(A) は平面
図，(B) は断面図である。

【図６】ジオデシック・レンズを示すもので，(A) は平
面図，(B) は断面図である。

【図７】カップリング・レンズの他の実施例を示す斜視
図である。

【図８】光ディスクと光ピックアップ・ヘッドとの位置
関係を示す断面図であり，(A)は光ディスクの周方向と
光軸方向とがほぼ一致する構造におけるもの，(B) は光
ディスクの径方向と光軸方向とがほぼ一致する構造にお
けるものである。

【図９】受光部上におけるフォーカシング・エラーの検
出原理を示す図である。

【図１０】トラッキング・エラーの検出原理を示す図で
あり，光ディスクの周方向と光軸方向とがほぼ一致する
構造のものである。

【図１１】トラッキング・エラーの検出原理を示す図で
あり，光ディスクの径方向と光軸方向とがほぼ一致する
構造のものである。

【図１２】フォーカシングおよびトラッキング駆動機構
を示す斜視図である。

【図１３】フォーカシングおよびトラッキング駆動機構
を示すもので，図12のXIII−XIII線にそう断面図であ
る。

【図１４】フォーカシングおよびトラッキング駆動機構
を示すもので，光ピックアップ・ヘッドを除去して示す
平面図である。

【符号の説明】

９光ピックアップ・ヘッド 10 基台 11 半導体レーザ 12，13 基板 21 光導波層 22 コリメーティング・レンズ 30 受光部 31，32，33，34，35 受光素子 41，42，43 グレーティング・レンズ 51，52，53 グレーティング・カプラ 61，62，63 ２次元フォーカシング・グレーティング・
カプラ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者森和彦京都府京都市右京区花園土堂町10番地オムロン株式会社内 (72)発明者田口功京都府京都市右京区花園土堂町10番地オムロン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体パターンが表面に設けられた基台，
上記基台に固定され，上記導体パターンと電気的に接続
された発光素子，および上記基台に固定され，導光構造
を有する導光板を備え，上記発光素子は，その出射光が
上記導光板に入射して上記導光構造内を導光するように
配置されている，光学装置。
【請求項２】上記導光板は基板であって，この基板の
表面に上記導光構造としての光導波層が形成されてい
る，請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】上記導光板には，上記導光構造内を伝搬
する光を外部に出射させる凹凸構造が設けられている，
請求項１に記載の光学装置。
【請求項４】上記基台上に固定され，上記導体パター
ンと電気的に接続された受光素子をさらに備えた，請求
項３に記載の光学装置。