JP2000298865A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ３ビーム方式のビームスポットの位置調整が
簡単に出来るとともに、光ディスク面上で歪みのないビ
ームスポットを結んで、良好な再生信号等を得る。 【解決手段】 底板部１１ａを有するキャリッジ１１
と、入射面部２５ａと、該底板部１１ａに取付け可能な
取付面部２５ｅとを有する直方体状をしたビームスプリ
ッタ２５と、該入射面部２５ａに一体に貼り付けられた
矩形状をした回折格子２７とを備え、入射面部２５ａに
は、ビームスプリッタ２５の取付面部２５ｅに対して該
回折格子２７の格子ベクトルＬが予め所定の角度を持っ
て回折格子２７に貼り付けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ミニディスク等の
光ディスクを用いた光ディスク装置に好適な光ピックア
ップ装置に関し、特に光ピックアップ装置のビームスプ
リッタ及び回折格子の取付構造等に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光ピックアップ装置５０は、図９
乃至図１２に示すように、金属製のキャリッジ５１を備
え、このキャリッジ５１は、長方形をした底板部５１ａ
と、底板部５１ａの長手方向の両縁に沿って、それぞれ
対向立設された側壁部５１ｂとから構成されている。

【０００３】底板部５１ａは、ほぼ中央に形成された略
方形状をした第１の開口部５５と、第１の開口部５５に
隣接して形成されたＨ字形状をした第２の開口部５６
と、外方に形成された略矩形状をした第３の開口部５７
とを有している。第１の開口部５５に面する縁部の一部
には、対向立設された一対の第１の切り起こし片６８が
形成されている。第２の開口部５６に面する縁部の一部
には、一対の側壁部５１ｂに沿うように、対向立設され
た第２の切り起こし片６９が形成されている。第３の開
口部５７に面する側の縁部には、図示しない一対の第３
の切り起こし片が形成されている。さらに、第２の開口
部５６と第３の開口部５７間の底板部５１ａには、受け
部５１ｄがこの底板部５１ａを僅かに隆起させた状態で
形成されている。

【０００４】半導体レーザ２２は、底板部５１ａに設け
られた第３の切り起こし片間に配置され、受け部５１ｄ
方向にレーザ光が出射するように、接着剤にて取付け固
定されている。

【０００５】ビームスプリッタ７５は、三角柱をした２
つの光学ガラスを傾斜面を互いに貼り合わせて直方体に
形成したものであり、レーザ光が入射する入射面部７５
ａと、この貼り合わせた傾斜面を多層膜に形成した半透
過膜部７５ｂと、入斜面部７５ａから入射したレーザ光
が半透過膜部７５ｂを透過して出射する第１の出射面部
７５ｃと、第１の出射面部７５ｃから入射したレーザ光
を半透過膜部７５ｂで反射して出射する第２の出射面部
７５ｄとから構成されている。ビームスプリッタ７５に
おいて、入射面部７５ａは半導体レーザ２２のレーザ光
が出射側に対向配置されていて、他方、後述するビーム
スプリッタ７５の出射面部７５ｃは、コリメータレンズ
３０と対向配置されていて、出射面部７５ｄは後述する
受光レンズ３６と対向配置されている。

【０００６】回折格子７７は、入射した光を直進する方
向で光量が一番強く（零次光）、その両側に、位置及び
光量が対照的に現れる一次光を出射するものであり、半
導体レーザ２２とビームスプリッタ７５間の光路内で、
ビームスプリッタ７５の入射面部７５ａに対向して、底
板部５１ａの受け部５１ｄに取付け固定されている。そ
して、半導体レーザ２２から出射されたレーザ光は、こ
の回折格子７７によって光ディスク上にメインビーム１
つとサブビーム２つの少なくとも３つの光に分離された
ビームスポットを結ぶようになっている。この方式は３
ビーム方式といわれ、光ディスクのディスク半径方向に
所定のビームスポットを結ぶように、後述する対物レン
ズの動きを制御（いわゆるトラッキング誤差検出用の制
御）するのに用いられている。

【０００７】コリメータレンズ３０は、入射したレーザ
光を平行光に変換する光学レンズであり、ビームスプリ
ッタ７５の出射面部７５ｃと対向配置されて、キャリッ
ジ５１の第２の切り起こし片６９間に接着剤で取付け固
定されている。

【０００８】レンズアクチュエータは、対物レンズを有
していて、キャリッジ５１の底板部５１ａに取付けられ
たミラー３２の真上にこの対物レンズが位置するよう
に、底板部５１ａに一部取付け固定されている。この対
物レンズは、コイル部と磁石による磁気作用を受けて光
ディスクの回転に合わせて上下、左右方向に可動できる
ようになっている。そして、コリメータレンズ３０から
水平方向に出射したレーザ光の平行光は、ミラー３２を
用いて真上に反射し、この対物レンズの中央に出射する
ようになっている。

【０００９】受光レンズ３６は、入射したレーザ光を収
差なく集光させるもので、キャリッジ５１の底板部５１
ａに搭載され、ビームスプリッタ７５の出射面部７５ｄ
と対向配置されている。

【００１０】受光部３８は、フォトダイオード等の複数
の受光素子を有し、入射したレーザ光を電気信号に変換
して、再生信号を取り出すとともに、対物レンズ４６を
上下方向に動かすために光ディスク半径方向（トラッキ
ング方向）及び光ディスク接離方向（フォーカス方向）
の誤差検出信号を取り出すのに用いられている。

【００１１】次に、ビームスプリッタ７５及び回折格子
７７のキャリッジ５１への組み立てについて説明する。
ビームスプリッタ７５は、図９に示すように、キャリッ
ジ５１の底板部５１ａの第２の切り起こし部６９間に予
め取付け固定されたコリメータレンズ３０の方向に出射
面部７５ｃを向け、また、側壁部５１ｂ側の受光部３８
に出射面部７５ｄを向けて、図示しない紫外線硬化型の
接着剤等を介して底板部５１ａの受け部５１ｄ上に載置
される。回折格子７７は、図１０に示すように、ビーム
スプリッタ７５の入射面部７５ａに対向させて、図示し
ない紫外線硬化型の接着剤等を介して底板部５１ａの受
け部５１ｄ上に載置される。このとき、回折格子７７の
格子ベクトルＬは、鉛直方向を向くようになる。そし
て、他のすべての光学部品をキャリッジ５１に組み込ん
でから、半導体レーザ２２から出射されたレーザ光を回
折格子７７に入射させる。レーザ光は、メインビーム、
サブビームの３つのビームスポットに分かれ、これらビ
ームスポットが光ディスク上で所定の間隔に結ぶよう
に、回折格子７７は、その底板面を僅かに斜めにして受
け部５１ｄに対する位置決めを微調整し、その後紫外線
硬化型の接着剤に紫外線を照射して硬化させ、ビームス
プリッタ７５及び回折格子７７をキャリッジ５１の受け
部５１ｄにそれぞれ取付け固定する。

【００１２】次に、図１１に示すように、半導体レーザ
２２から出射されたレーザ光は、光軸Ｓから広がる発散
光であり、回折格子７７及びビームスプリッタ７５に入
射してから半透過膜部７５ｂを透過して、このビームス
プリッタ７５の出射面部７５ｃに至る。ここで、レーザ
光の光透過特性は次のように示される。その光透過特性
は、図１２に示すように、光軸Ｓからの距離を発光点を
基準にその広がりを＋φ、−φとして横軸にとり、半透
過膜部７５ｂでの透過率Ｔを縦軸にとったときに、この
透過率のピーク値をＴp0としたとき、光軸Ｓから＋φ、
−φの角度で広がった位置における透過率Ｔは、光軸Ｓ
から離れるにつれて徐々に小さくなっていく。これは、
半導体レーザ２２から出射されたレーザ光の断面の光強
度分布がガウス分布をしており、光軸Ｓから離れるにし
たがってその光強度が弱くなるからである。

【００１３】このようにして組み込みが完成した光ピッ
クアップ装置５０において、半導体レーザ２２から出た
レーザ光は、回折格子７７、ビームスプリッタ７５の入
斜面部７５ａ，半透過膜部７５ｂ、出射面部７５ｃを通
り、さらにコリメータレンズ３０にて平行光に変換さ
れ、ミラー３２を用いて直角に折れ曲がり、対物レンズ
に入射する。そして、この対物レンズから出射したレー
ザ光は、光ディスク面にて集光して、光ディスクに記録
された情報に応じて形成された複数のピット列（トラッ
ク列）上に照射する。さらに光ディスク面からこの記録
情報に応じた異なる光量の戻り光は、同じ光路を通っ
て、ビームスプリッタ７５の出射面部７５ｃに入り、こ
のビームスプリッタ７５の半透過膜部７５ｂで略直角に
反射して、出射面部７５ｄに至る。そして、この出射面
部７５ｄから受光レンズ３６に入射した戻り光は、受光
レンズ３６を用いて集光し、受光部３８に入射する。そ
して、受光部３８は、この戻り光の光量に応じて、必要
な電気信号に変換して、光ディスクの情報を読み取るこ
とができる。また、光ディスク面の記録情報に追従し
て、光ピックアップ装置５０のキャリッジ５１は、光デ
ィスク装置の各シャフト棒に移動可能に支持されて、こ
れらシャフト棒に沿って制御された動きをする。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】従来の光ピックアップ
装置５０では、３ビーム方式を利用しているので、光デ
ィスクに結ぶ１個のメインビームとそのメインビームの
両側に位置する各サブビームとが光ディスク面上の所定
箇所にビームスポットを結ぶ必要がある。そのためのビ
ームスポットの位置調整は、キャリッジ５１にコリメー
タレンズ３０、受光レンズ３６、ビームスプリッタ７５
の光学部品等をすべて搭載してから、実際に半導体レー
ザ２２からレーザ光を出射して行なわなけばならなかっ
た。キャリッジに回折格子７７を固着させる際には、キ
ャリッジ５１の底板部５１ａの受け部５１ｄ上で、回折
格子７７は、紫外線硬化型の接着剤を介して載置され、
レーザ光のサブビームが所定の位置に出射するように、
回折格子７７を受け部５１ｄに対して僅かに傾けて位置
調整してから治具等で保持し、上記接着剤に紫外線を照
射して硬化させることにより取付け固定しなければなら
なかった。この作業には、大きな手間がかかるという問
題があった。

【００１５】また、ビームスプリッタ７５の出射面部７
５ｃから出射したレーザ光は、光軸Ｓから離れるにつれ
て、その透過率が低くなる。したがって、対物レンズで
集光されたレーザ光は、対物レンズが中立位置から光デ
ィスクのディスク半径方向に動くと、レーザ光の透過率
の低い光量分布の範囲に移るため、光ディスク面に結ん
だビームスポット（メインビーム及びサブビームとも
に）が歪んだ形状となってしまう。そのため、光ディス
クの記録情報を含んだ戻り光が受光部３８で電気信号に
変換された時に、十分な信号再生が得られないおそれが
あった。

【００１６】本発明の目的は、以上の点に鑑みてなされ
たものであり、３ビーム方式のビームスポットの位置決
めが簡単に出来るとともに、光ディスク面上で歪みのな
いビームスポットを結んで、良好な再生信号等を得るこ
とにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題の少なくとも１
つを解決するための第１の解決手段として、キャリッジ
と、該キャリッジに取付けられたビームスプリッタとを
備え、該ビームスプリッタには、前記キャリッジへの取
付面部と、該取付面部に対して垂直に形成されレーザ光
が入射される入射面部とが形成されるとともに、前記入
斜面部には回折格子が形成されており、該回折格子の格
子ベクトルの方向が前記取付面部に対して予め決められ
た角度となっているものである。

【００１８】また、第２の解決手段として、回折格子に
入射したレーザ光は、光ディスク上にメインビーム及び
サブビームに分割されて照射し、光ディスクのトラック
ピッチをＴpとし、メインビームとサブビームとの距離
をＴmsとしたときに、斜め方向の角度（θ）が θ＝±tan-1（Ｔp／４Ｔms） で表されるものである。

【００１９】また、第３の解決手段として、ビームスプ
リッタは、内部に反射面部を有し、ビームスプリッタの
入射面部に入射したレーザ光が、該入射面部と入射する
レーザ光の光軸との交点を離れるにつれて、その光透過
率が高くなるように該反射面部を形成したものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態である光ピ
ックアップ装置１０は、図１乃至図８に示すように、金
属製のキャリッジ１１を備え、このキャリッジ１１は、
長方形をした底板部１１ａと、底板部１１ａの長手方向
の両縁に沿って、それぞれ対向立設された側壁部１１
ｂ，１１ｃとから構成されている。そして、側壁部１１
ｂの一端が底板部１１ａから長手方向に突出していて、
その先端には係合孔１２が形成されている。これら側壁
部１１ｂ，１１ｃと同じように立設された第２の側壁部
１３ｂ，１３ｃには、貫通した丸孔１４ａがそれぞれ形
成されていて、丸孔１４ａの内径を図示しない１つのシ
ャフト棒によって挿通される大きさにそれぞれ形成して
いる。

【００２１】底板部１１ａは、ほぼ中央に形成された略
方形状をした第１の開口部１５と、第１の開口部１５に
隣接して形成されたＨ字形状をした第２の開口部１６
と、外方に形成された略矩形状をした第３の開口部１７
とを有している。第１の開口部１５に面する縁部の一部
には、対向立設された一対の第１の切り起こし片１８が
形成されている。第２の開口部１６に面する縁部の一部
には、側壁部１１ｂ，１１ｃに沿うように、対向立設さ
れた一対の第２の切り起こし片１９が形成されている。
第３の開口部１７の対向する側の縁部には、対向立設さ
れた図示しない一対の第３の切り起こし片が形成されて
いる。さらに、第２の開口部１６と第３の開口部１７間
の底板部１１ａには、側壁部１１ｂ、１１ｃを繋ぐ方向
に、受け部１１ｄがこの底板部１１ａを僅かに隆起させ
た状態で形成されている。

【００２２】半導体レーザ２２は、金属製の略円柱状を
した基部２２ａ内に収納され、レーザ光を発生する発光
素子（図示せず）とから構成されている。この半導体レ
ーザ２２の基部２２ａの窓から出射したレーザ光は、発
光素子のレーザ接合面方向である幅（水平）方向よりも
上下（垂直）方向に大きく広がった楕円形状の広がりを
有している。このレーザ光は、一種の電磁波であり、電
場波と磁場波とが直交する一組の横波である。進行方向
をＺ軸にとると、電場がｘ、ｙ平面に平行な面内で、そ
の振動の大きさと方向を変化させながら伝搬していく波
である。また、このレーザ光は、発光素子のレーザ接合
面に平行な方向に直線偏光されている。そして、半導体
レーザ２２は、底板部１１ａの第３の切り起こし片間に
配置され、受け部１１ｄ方向にレーザ光が出射するよう
に接着剤にて取付け固定されている。

【００２３】ビームスプリッタ２５は、図３に示すよう
に、三角柱をした２つの光学ガラスを傾斜面を互いに貼
り合わせて直方体に形成したものであり、レーザ光が入
射する入射面部２５ａと、この貼り合わせた傾斜面を多
層膜に形成した半透過膜部２５ｂと、入射面部２５ａか
ら入射したレーザ光が半透過膜部２５ｂを透過して外部
に出射した第１の出射面部２５ｃと、第１の出射面部２
５ｃから内部に入射したレーザ光を半透過膜部２５ｂで
反射して外部に出射する第２の出射面部２５ｄと、底板
部であって、キャリッジ１１の底板部１１ａに取付けさ
れる取付面部２５ｅとから構成されている。そして、ビ
ームスプリッタ２５において、入射面部２５ａは、図１
及び図２に示すように、半導体レーザ２２の基部２２ａ
の窓と対向配置されていて、他方、ビームスプリッタ２
５の出射面部２５ｃは、コリメータレンズ３０と対向配
置されていて、その出射面部２５ｄは後述する受光レン
ズ３６と対向配置されている。このビームスプリッタ２
５は、半導体レーザ２２から出射されたレーザ光を半透
過膜部２５ｂで透過し、光ディスク１００（図５参照）
からの戻り光を同じ半透過膜部２５ｂで反射するように
なっている。

【００２４】回折格子２７は、図３及び図４に示すよう
に、光学ガラス等からなり、連続した矩形状のスリット
（溝）を形成したものであり、この回折格子２７を通過
した光は、直進する方向で光量が一番強く（零次光）、
その両側に、位置及び光量が対照的に現れる一次光とな
る。そして、図１及び図２に示すように、複合プリズム
ユニット２８は、上記ビームスプリッタ２５と上記回折
格子２７とからなり、回折格子２７を半導体レーザ２２
とビームスプリッタ２５間の光路内、すなわち回折格子
２７をビームスプリッタ２５の入射面部２５ａに、その
格子ベクトルが斜め方向を向くように貼り付けたもので
ある。そして、図５に示すように、半導体レーザ２２か
ら出射されたレーザ光は、複合プリズムユニット２８を
透過することにより、光ディスク１００上にメインビー
ムＢ0を１つと、サブビームＢ1を２つの少なくとも３つ
の光に分離されたビームスポットを結ぶようになってい
る。この方式は３ビーム方式といわれ、光ディスク１０
０のディスク半径方向に所定のビームスポットを結ぶよ
うに、後述するレンズアクチュエータ４４の対物レンズ
４６の動きを制御（いわゆるトラッキング誤差検出を制
御）するに用いられている。

【００２５】コリメータレンズ３０は、光学ガラス又は
樹脂からなり、入射したレーザ光を平行光に変換する光
学レンズである。そして、コリメータレンズ３０は、ビ
ームスプリッタ２５の出射面部２５ｃと対向配置され
て、キャリッジ１１の第２の切り起こし片１９間に接着
剤で取付け固定されている。

【００２６】ミラー３２は、光学ガラスまたは樹脂に金
属膜を蒸着した方形板からなり、第１の切り起こし片１
８間に配設され、接着剤で取付け固定されている。そし
て、キャリッジ１１の底板部１１ａと水平な方向から入
射したレーザ光を略直角の角度で全反射するようになっ
ている。

【００２７】レンズアクチュエータ４４は、樹脂製のア
クチュエータベース４５に図示しないレンズホルダを介
して一定の間隔をもって配された対物レンズ４６を備え
ている。この対物レンズ４６は、図示しないコイル部と
磁石による磁気作用を受けて光ディスク１００の回転に
合わせて上下、左右方向に可動できるようになってい
る。そして、ミラー３２及びレンズアクチュエータ４４
は、ミラー３２に水平方向から入射したレーザ光を真上
に反射して、レンズホルダーに保持された対物レンズ４
６の中央に出射するようにそれぞれキャリッジ１１の底
板部１１ａに取付けられている。

【００２８】受光レンズ３６は、光学ガラスまたは樹脂
からなるレンズを有し、入射したレーザ光を収差なく集
光させるものである。そして、受光レンズ３６は、キャ
リッジ１１の底板部１１ａに搭載され、ビームスプリッ
タ２５の出射面部２５ｄと対向配置されている。

【００２９】受光部３８は、フォトダイオード等の複数
の受光素子を有し、光信号として入射したレーザ光を電
気信号に変換して、再生信号を取り出すとともに、対物
レンズ４６が光ディスク半径方向（トラッキング方向）
及び光ディスク接離方向（フォーカス方向）の誤差検出
信号を取り出すのに用いられている。

【００３０】次に、ビームスプリッタ２５に回折格子２
７を一体に貼り付けた複合プリズムユニット２８の組み
立てについて説明する。図６に示すように、先ず、ビー
ムスプリッタ２５を構成する光学ガラス又は樹脂からな
る長い三角柱を２つ準備して、各三角柱の斜面部の少な
くともいずれか一方に半透過膜部２５ｂを真空蒸着等で
多層膜形成する。その後に、各斜面部を透明な接着剤等
を塗布して貼り合わせて、短冊状をしたビームスプリッ
タ２５の集合体２５ｍを作る。

【００３１】次に、回折格子２７を構成する光学ガラス
又は樹脂からなる長方形をした薄板に、イオンビーム等
のエッチング加工を行って、所定の角度をもって平凹状
をしたスリットを規則正しく形成して、回折格子２７の
集合体２７ｍを作る。ここで、回折格子２７の集合体２
７ｍの一辺を基準にして、所定の角度、即ち後述する傾
き角度（θ）となるように、集合体２７ｍの表面上に形
成される。次に、ビームスプリッタ２５の集合体２５ｍ
に回折格子２７の集合体２７ｍを貼り付けるには、この
集合体２７ｍの底面又は天面（図中、左側または右側の
側面）を取付け位置の基準面にして、回折格子２７の集
合体２７ｍの基準面とを調整して、紫外線硬化型の接着
剤等で貼付け固定する。最後に、回折格子２７の集合体
２７ｍと一体化したビームスプリッタ２５の集合体２５
ｍの基準面を基準にして、図中の破線で示す所定の大き
さにカッテングして、回折格子２７とビームスプリッタ
２５を一体化した複合プリズムユニット２８が完成され
る。ビームスプリッタ２５の取付面部２５ｅは、上記組
み立ての基準面に相当するので、後述する傾き角度
（θ）を決める回折格子２７の取付け角度（θ）を規定
することになる。

【００３２】次に、光ピックアップ装置１０の組み立て
について説明する。コリメータレンズ３０及びミラー３
２をキャリッジ１１に取付けるには、先ずキャリッジ１
１を逆さまにした状態で、図示しない治具に動かないよ
うに正確に位置決め固定する。

【００３３】次に、キャリッジ１１の第２の開口部１６
内へ上方（底板部１１ａ側）からコリメータレンズ３０
を挿入して、コリメータレンズ３０を第２の切り起こし
片１９間に挟持させる。第２の切り起こし片１９とコリ
メータレンズ３０との隙間に、紫外線硬化型の接着剤を
注入充填して、紫外線を照射して固着する。同様に、ミ
ラー３２においても、ミラー３２を第１の切り起こし片
１８に位置決めをなし、上述したコリメータレンズ３０
を接着したのと同じ方法で取付固定する。

【００３４】次に、キャリッジ１１を逆さまにした状態
から元の状態に戻した後、ビームスプリッタ２５、回折
格子２７、レンズアクチュエー４４、受光レンズ３６、
半導体レーザ２２をキャリッジ１１の底板部１１ａにそ
れぞれ取付ける。

【００３５】次に、図１及び図２に示すように、コリメ
ータレンズ３０をキャリッジ１１の底板部１１ａの第２
の切り起こし部１９間に紫外線硬化型の接着剤を用いて
取付け固定する。

【００３６】次に、キャリッジ１１への複合プリズムユ
ニット２８の取付けを説明する。なお、図４に示すよう
に、あらかじめ回折格子２７は、ビームスプリッタ２５
の入射面部２５ａに紫外線硬化型の接着剤等で貼付け固
定して、複合プリズムユニット２８を完成させている。
このとき、回折格子２７の格子ベクトルＬがビームスプ
リッタ２５の底板部２５ｅの面に対して所定の角度
（θ）傾いて取付けられている。図１及び図２に示すよ
うに、複合プリズムユニット２８は、コリメータレンズ
３０の方向にビームスプリッタ２５の出射面部２５ｃを
向けるとともに、側壁部１１ｂに出射面部２５ｄを向け
て、キャリッジ１１の底板部１１ａの受け部１１ｄ上
に、ビームスプリッタ２５の取付面部２５ｅを基準にし
て位置決めされ、図示しない接着剤等の取付手段をその
回りに塗布して取付け固定される。

【００３７】上記回折格子２７の格子ベクトルＬの角度
（θ）は、図５に示すように、光ディスク１００上に形
成されたトラックＴｒ方向におけるメインビームＢ0
と、このメインビームＢ0を基準としたサブビームＢ1の
傾き角度（θ）と一致する。すなわち、光ディスク１０
０のトラックピッチをＴpとして、光ディスク１００上
のメインビームＢ0とサブビームＢ1間のトラックＴｒ方
向の距離をＴmsとすると、傾き角度（θ）は、次式で表
すことができる。 傾き角度（θ）＝ ±ｔａｎ^-1（Ｔp／４Ｔms） また、２つのサブビームＢ1がトラック（いわゆるピッ
ト列）幅の縁部で反射して、それぞれの反射光が受光部
３８の各フォトダイオードに入射してトラッキング方向
（ディスク半径方向）に動く対物レンズ４６の駆動制御
用の信号に用いられるため、この傾き角度（θ）は正確
に調整されている。

【００３８】このように複合プリズムユニット２８は、
キャリッジ１１の受け部１１ｄに取付ける際に、ビーム
スプリッタ２５の取付面部２５ｅを受け部１１ｄに単に
載置して固着するだけでよく、プリズムの取付面部２５
ｅに垂直な方向に対して、回折格子２７の格子ベクトル
の方向が予め取付け角度θとなるように設定されている
ため、回折格子２７によるメインビームＢ0、サブビー
ムＢ1の傾き角度（θ）の位置調整を不要とする。な
お、上記複合プリズムユニット２８は、ビームスプリッ
タ２５に格子ベクトルが斜め方向を向くように回折格子
２７を一体に貼り付けたもので説明したが、この構成に
限定されるものではなく、ビームスプリッタ２５の入斜
面部２５ａに切り溝加工等を行なって直接回折格子２７
を形成したものであってもよい。

【００３９】このようにして組み込みを完成させた光ピ
ックアップ装置１０において、半導体レーザ２２から出
たレーザ光は、回折格子２７、及びビームスプリッタ２
５の入斜面部２５ａ，半透過膜部２５ｂ、出射面部２５
ｃを通り、さらにコリメータレンズ３０にて平行光に変
換され、ミラー３２を直角に折れ曲がり、対物レンズ４
６に入射する。回折格子では、メインビームＢ0とサブ
ビームＢ1に分離したレーザ光となる。そして、この対
物レンズ４６から出射したレーザ光は、図５に示すよう
に、記録情報として光ディスク１００に形成された平凹
状の複数のピット列上に集光されて、これらピットに応
じた反射光を発生させる。

【００４０】さらにこの光ディスク１００面からこの情
報に応じて反射した戻り光（反射光）は、途中まで同じ
光路を通って、ビームスプリッタ２５に入り、このビー
ムスプリッタ２５の半透過膜部２５ｂで反射して、出射
面部２５ｄに至り、この出射面部２５ｄから受光レンズ
３６を介して受光部３８に入射する。そして、この戻り
光の光量に応じて、必要な電気信号に変換して、光ディ
スクの情報を読み取ることができる。また、光ディスク
１００の回転に追従して、光ピックアップ装置１０のキ
ャリッジ１１は、係合孔１２、丸孔１４ａにディスク装
置の各シャフト棒に沿って移動可能に支持され、これら
シャフト棒に沿って制御された動きをする。

【００４１】次に、図７に示すように、半導体レーザ２
２から回折格子２７及びビームスプリッタ２５に入射し
たレーザ光は、光軸Ｓから広がる発散光であり、このビ
ームスプリッタ２５の半透過膜部２５ｂ上でのレーザ光
の光透過特性は次のように表される。その光透過特性
は、図８に示すように、光軸Ｓからの隔たりを＋φ、−
φとして横軸にとり、透過率Ｔを縦軸にとったもので、
光軸Ｓと半透過膜部２５ｂとの交点Ｓ0上での透過率の
値をＴp0としたとき、レーザ光の発光点から交点Ｓ0を
基準にして＋φ、−φの角度で離れるにつれて徐々に透
過率が大きくなっていくようになっている。これは、半
導体レーザ２２から出射されたレーザ光は、ガウス分布
をしているが、光軸Ｓから離れるにつれて、そのレーザ
光の透過率強度を大きくするように、半透過膜部２５ｂ
の多層膜を形成している。ビームスプリッタ２５の半透
過膜部２５ｂは、ＴｉＯ2とＳｉＯ2の薄膜を交互に繰り
返して成膜することにより、このような光透過特性を得
ることが出来る。さらに、ＳｉＯ2の代わりにＭｇＦ2を
用いたり、他にはＡｌ2Ｏ3とＳｉＯ2の交互の組み合わ
せによっても、このような特性を実現することが出来
る。

【００４２】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明の光ピッ
クアップ装置は、キャリッジと、キャリッジに取付けら
れたビームスプリッタとを備え、このビームスプリッタ
には、キャリッジへの取付面部と、取付面部に対して垂
直に形成されレーザ光が入射される入射面部とが形成さ
れるとともに、入射面部には回折格子が形成されてお
り、この回折格子の格子ベクトルの方向が取付面部に垂
直な方向に対して、予め決められた角度となっているこ
とにより、キャリッジに単に取付け固定するだけで容易
に所定の格子ベクトルの角度を得られるとともに、この
ビームスプリッタを傾けずにほぼ水平に載置して取付け
られるので、位置調整することなく、組み立てを簡単に
行うことが出来る。また、ビームスプリッタの傾きが生
じないので、経時変化が少なく、ビームスプリッタのキ
ャリッジに対する取付け精度を維持することが出来る。
また、ビームスプリッタの傾き角度（θ）が精度良く決
められるので、トラッキング方向の誤差検出が精度良く
検出できるので、対物レンズの駆動制御を正確に行うこ
とが出来る。

【００４３】また、半導体レーザから出射されたレーザ
光をビームスプリッタの入射面部に回折格子を介して入
射させて、この回折格子に入射したレーザ光は、光ディ
スク上にメインビーム及びサブビームに分割されて照射
し、光ディスクのトラックピッチをＴpとし、メインビ
ームとサブビームとの距離をＴmsとし、光ディスクのト
ラックピッチをＴpとしたときときに、予め決められた
角度θはθ＝±tan-1（Ｔp／４Ｔms）で表わされること
により、予め角度θを持った回折格子を一体に貼り付け
たビームスプリッタを一度に多量に製造することができ
るので、精度よく作れると共に、コストダウンを図るこ
とが出来る。

【００４４】また、ビームスプリッタは、内部に反射面
部を有し、ビームスプリッタの入射面部に入射したレー
ザ光が、該入射面部と入射するレーザ光の光軸との交点
から離れるにつれて、その光透過率が高くなるように該
反射面部を形成したことにより、半導体レーザの光量分
布特性による光ディスク上のビームスポットの歪みを抑
制し、良好な信号再生を行うことが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ピックアップ装置の斜視図である。

【図２】本発明の光ピックアップ装置の要部拡大斜視図
である。

【図３】本発明の光ピックアップ装置を構成するビーム
スプリッタ及び回折格子の斜視図である。

【図４】本発明の光ピックアップ装置を構成する回折格
子の取付けを説明するための図である。

【図５】本発明の光ピックアップ装置における光ディス
ク上のビームスポットを示す図である。

【図６】該回折格子及びビームスプリッタの組み立てを
説明するための図である。

【図７】該回折格子及びビームスプリッタへの光の進入
状態を示す図である。

【図８】本発明の光ピックアップ装置を構成するビーム
スプリッタにおける光透過特性図である。

【図９】従来の光ピックアップ装置を示す要部斜視図で
ある。

【図１０】従来の光ピックアップを構成する回折格子を
説明するための図である。

【図１１】従来の光ピックアップを構成する回折格子及
びビームスプリッタへの光の進入状態を示す図である。

【図１２】従来の光ピックアップ装置を構成するビーム
スプリッタにおける光透過特性図である。

【符号の説明】

１１ キャリッジ １１ａ 底板部 ２２ 半導体レーザ ２５ ビームスプリッタ ２５ａ 入射面部 ２５ｂ 反射面部 ２５ｅ 取付面部 ２７ 回折格子 Ｔms メインビームとサブビーム間の距離 Ｔp トラックピッチ Ｌ 格子ベクトル

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 キャリッジと、該キャリッジに取付けら
   れたビームスプリッタとを備え、該ビームスプリッタに
   は、前記キャリッジへの取付面部と、該取付面部に対し
   て垂直に形成されレーザ光が入射される入射面部とが形
   成されるとともに、前記入射面部には回折格子が形成さ
   れており、該回折格子の格子ベクトルの方向が前記取付
   面部に垂直な方向に対して予め決められた角度となって
   いることを特徴とする光ピックアップ装置。
2. 【請求項２】 前記回折格子に入射した前記レーザ光
   は、光ディスク上にメインビーム及びサブビームに分割
   されて照射し、前記光ディスクのトラックピッチをＴp
   とし、前記メインビームと前記サブビームとの距離をＴ
   msとし、前記光ディスクのトラックピッチをＴpとした
   ときに、前記予め決められた角度θは θ＝±tan-1（Ｔp／４Ｔms） で表わされることを特徴とする請求項１記載の光ピック
   アップ装置。
3. 【請求項３】 前記ビームスプリッタは、内部に反射面
   部を有し、前記ビームスプリッタの前記入射面部に入射
   した前記レーザ光が、該入射面部と入射する前記レーザ
   光の光軸との交点から離れるにつれて、その光透過率が
   高くなるように該反射面部を形成したことを特徴とする
   請求項１または２記載の光ピックアップ装置。