JPH09118565A - チタン酸バリウムストロンチウムの誘電定数の温度係数補償 - Google Patents
チタン酸バリウムストロンチウムの誘電定数の温度係数補償Info
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Abstract
電定数の温度係数補償を提供する。 【解決手段】 四面体青銅型ニオブ酸バリウムストロン
チウム(BSN)を添加することにより、チタン酸バリ
ウムストロンチウム(BST)の多結晶セラミックスの
誘電定数の温度係数が減少することがわかった。Ba.5
Sr.5TiO3 セラミックスの場合、BSNを10%添
加することにより、10MHzにおいてTCKは2.5
分の1まで減少し、誘電損の劣化は無視できる。BSN
を37.5%添加することにより、100分の1にまで
減少する。混合物の誘電定数は、200〜500の範囲
である。
Description
に、誘電定数の減少した温度係数を有する材料に係る。
積化を絶えず増大させようとする力が、そのようなデバ
イスの定量要素の寸法を減少させようとするかなりの努
力に拍車をかけてきた。将来の技術は現在用いられてい
るものより高い誘電定数を有する材料の使用を、必要と
するであろう。
1-x Srx TiO3 (BST)は、DRAMのような用
途に対して、最も可能性のある誘電体材料となり(ティ
ー・エイモリ)(T.Eimori)ら、IEDM93
631(1993)、広く研究されている。BSTペ
ロブスカイトの誘電定数は高いが、それらはまた温度依
存性が高い。これはBSTペロブスカイトの使用を基本
とするマイクロエレクトロニクスの熱的安定性を制限す
る要因である。
K)が減少した誘電材料を実現することが、本発明の目
的である。
少した温度係数(TCK)を有する新しい誘電材料に係
る。また本発明に含まれるのは、一対の電極間にそのよ
うな材料を置くことにより、誘電体材料の例で作られた
セラミック容量である。容量は構造中で単層又は複数の
層で良い。
BSTに少量の四面体青銅型ニオブ酸塩Ba1-x Srx
Nb2 O6 (BSN)を混合することにより、誘電定数
の温度係数(TCK)は減少し、誘電損の変化は無視で
きることがわかった。より多く混合すると、より大きな
補償が可能で、損失特性の低下も同時に得られる。測定
されるバルク誘電定数は減少するが、それらは250以
上を保ち、補償されていないBST薄膜で共通に観測さ
れる範囲内にある。
る特性の差により、薄膜BST−BSN誘電体は、同じ
全体的振舞いに従うと予測されるが、TCKの補償の詳
細な振舞いは、薄膜モーフォロジーの詳細に存在する。
リー点以上しかしその付近の温度で、高い誘電定数の材
料の誘電定数の負の温度係数TCKを補償するため、同
程度の誘電定数と正のTCKをもつ誘電体、すなわちそ
のキュリー点以下の温度における強誘電体と、熱力学的
に平衡な材料を見い出すことが、必要である。これは強
誘電体研究の古くからの問題である。(ティー・ネガス
(T.Negas)、ジー・イエガー(G.Yeage
r)、エス・ベル(S.Bell)及びエヌ・コーツ
(N.Coats)、アメリカン・セラミック・ソサイ
エティ・ブリテン(Am.Cer.Soc.Bul
l.)72 80(1993))
cを有する同程度の分散強誘電体が必要である。2つの
強誘電体の多相混合が起るという条件は、用いることの
できる相を制限する重大事である。それは、ペロブスカ
イトを基本とした強誘電体の結晶化学のためであり、相
混合より固溶度が、一般的な法則である。
cを有するBa1-x Srx TiO3ペロブスカイトは、
室温以上のTcを有する同じx値でBa1-x Srx Nb
2 O6 四面体青銅と勢力学的平衡になることが示され、
このことはBSNの混合により、BSTのTCKの補償
が可能であることを示唆している。
T)及びBa1-x Srx NbO6 (BSN)の混合物を
含む誘電体材料に係る。この場合、xは約0.1ないし
約0.9で、混合物中のBSNに対するBSTのモル比
は、約0.95:0.5ないし約0.5:0.5であ
る。好ましい実施例において、混合物中のBSNに対す
るBSTのモル比は、約0.9:1ないし約0.55:
0.45である。特に好ましい実施例において、xは約
0.25ないし約0.5で、混合物中のBSNに対する
BSTのモル比は、約0.9:1ないし約0.55:
0.45の範囲である。
くつかの具体例を参照することにより、更に理解ができ
る。それらの例は本発明の視野を示すためだけであり、
限定するためではない。
Srx Nb2 O6 (BSN)の混合物から成る誘電体材
料ここで、xは約0.1ないし約0.9で、混合物中の
BSNに対するBSTのモル比は、約0.95:0.0
5ないし約0.5:0.5である。
モル比が、約0.9:1ないし約0.55:0.45で
ある実施例1に記載の誘電体材料。
る実施例1に記載の誘電体材料。
モル比が、約0.9:1ないし約0.55:0.45の
範囲である実施例3記載の誘電体材料。
ペレットを2段階プロセスで合成した。
2 及びNb2 O5 の混合物から、Al2 O3 中にBa
1-x Srx TiO3 及びBa1-x Srx Nb2 O6 粉末
(x=0.5、0.625、0.75)を合成した。最
初に1200℃で加熱し、続いて1300℃で加熱し、
最後に中間で粉砕しながら数晩、空気中で1350℃で
加熱した。このように反応したすべての出発材料は、粉
末X線回折により単一相であったが、Sr.75 Ba.25
Nb2 O6 は例外で、公表されている相図とは、明らか
に一致しない。ただし、反応の動力学は、非常に遅い可
能性がある。(エス・ニシガキ(S.Nishigak
i)、エイチ・カトー(H.Kato)、エス・ヤノ
(S.Yano)及びアール・カミムラ(R.Kami
mura)、セラミック・ブリテン(Ceramic
Bulletin)66 1405(1987))。
混合し、組成(Ba1-x Srx TiO3 )1-y (Ba
1-x Srx Nb2 O6 )y 、0≦y≦1の1.5グラ
ム、1/2インチ径のペレットを生成し、1350−1
375℃の温度で、6時間、空気中で燃焼した。いくつ
かの材料では、より高い温度で、部分的な溶融が起っ
た。
理論的な密度付近にはなく、従ってそれらの真の理想的
なバルクの値より低い測定誘電定数を有する。燃焼後の
ペレットのX線回折測定により、BST及びBSN相の
混合物であることが示された。ただし、Sr.75 Ba
.25 材料は例外で、他の相も存在した。燃焼後、ペレッ
ト表面を平滑に研磨し、ブラシでガリウム−インジウム
合金電極を形成した。100kHz、1及び10MHz
の周波数で、−20ないし+60℃の温度において、H
P4192Aインピーダンスアナライザにより、誘電定
数を測定した。
r.5Nb2 O6 )y 及び(Ba.25Sr.75 TiO3 )
1-y (Ba.28 Sr.75 Nb2 O6 )y セラミックにつ
いての誘電定数の温度依存性の測定結果が、図1及び2
に示されている。検討した各種の材料についての測定さ
れた誘電定数、誘電正接、TCK及びTCK減少係数
が、表1に示されている。図は100kHz(主図面)
及び10MHz(挿入図)の周波数について、パーセン
トのΔK/K20℃対−20ないし60℃の範囲の温度を
示す。BSN含有量を増すとともに、誘電定数の温度依
存性が、著しくかつ系統的に減少することが、材料の両
方の組について、明らかにわかる。TCKの減少は両方
の周波数で大きいが、BSN中の誘電定数の周波数依存
性により、補償の詳細は異なる。
2に示されたようなプロットからとったTCKデータの
要約、絶対的誘電定数及び測定された誘電正接(D=1
/Q=tanδ)を示す。
び非常に高いTCK(たとえばBa.5Sr.5TiO3 の
場合、100kHzでTCK=27,100ppm/
℃)がみられる。たとえば10−20%モル分率といっ
た少量のBSNを添加すると、誘電性の犠牲は小さく、
TCKは2−6分の1に減少する。測定された誘電定数
の減少は、かなりであるが、ペレット密度又はBSTの
粒径、薄膜BST誘電体の測定されるKの減少の原因と
同様の要因の違いによる可能性がある。それにもかかわ
らず、誘電定数は大きいままで、BST薄膜で一般に観
測される範囲にある。
が、バルクセラミックスで著しく減少する可能性のある
各種の組成を示す。これらの組成は一般に、約0.6B
ST:0.4BSNの付近にある。ほぼ補償された状態
におけるKの温度依存性は、大きな正及び負の温度依存
性間の微妙なバランスによるため、K対T曲線の詳細な
形は、図1及び2に示されたものより、複雑になる可能
性がある。図3は100kHz及び10MHzの両方に
おける最も補償されたいくつかの誘電体についてのTに
対するKの変化を、著しく拡大した尺度で示す。いくつ
かの材料の場合、約40℃の温度範囲で、誘電定数はき
わめてよく補償され、1%の数10分の1変化するだけ
である。
誘電定数の温度変化を示すから、誘電定数とその温度変
化の許容できる折衷が得られるBST−BSN比は、用
いるプロセスに依存し、BST薄膜それ自身の特性に依
存する。ある程度の損失はバルクBSTのように、化学
的な添加で改善されるであろうが(エヌ・エー・アンド
ルーバ(N.A.Andreeva)、オー・エイ・グ
ルシェブスカヤ(O.A.Grushevskaya)
及びヴィ・アイ・ツコフスキー(V.I.Zhukov
skii)、ブリラン・アカデミック・サイエンス(B
ull.Acad.Sci.)USSR、フィジックス
・シリーズ(Phys.Ser.)241281(19
60))、BSN/BST混合物においては、損失はB
STと強誘電体BSNの真性損失に、支配される可能性
がある。純粋なBST薄膜ですでに観測されている非線
形C−V曲線は、BSN−BST薄膜でも観察されるは
ずで、ある種のヒステリシスのように、それらをDRA
Mで使用することを不可能にする要因ではない。
り、バルクBSTの誘電定数の温度依存性を著しく抑え
ることが可能であることを示しており、それはBST/
BSN混合相容量要素を用いたDRAMのようなデバイ
スの熱的安定性を著しく改善することを、示している。
の形が、マイクロエレクトロニクスにおいて、高い誘電
定数の用途を出現させる上で、かなり関心をもたれるよ
うなものである。
6 バルクセラミックについての−20ないし60℃の温
度範囲における100kHz(主図面)及び10MHz
(挿入図面)での測定誘電定数。
Nb2 O6 バルクセラミックについての−20ないし6
0℃の温度範囲における100kHz(主図面)及び1
0MHz(挿入図面)での測定誘電定数。
ほぼ補償されたBST−BSNセラミックについての誘
電定数の温度依存性。
Claims (4)
- 【請求項1】 xが約0.1ないし約0.9で、混合物
中のBSNに対するBSTのモル比が、約0.95:
0.05ないし約0.5:0.5の範囲であるBa1-x
Srx TiO3 (BST)及びBa1-x Srx NbO6
(BSN)の混合物を含む誘電材料。 - 【請求項2】 混合物中のBSNに対するBSTのモル
比が、約0.9:1ないし約0.55:0.45の範囲
である請求項1記載の誘電材料。 - 【請求項3】 xが約0.25ないし約0.5である請
求項1記載の誘電材料 - 【請求項4】 混合物中のBSNに対するBSTのモル
比が、約0.9:1ないし約0.55:0.45の範囲
である請求項3記載の誘電材料。
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