JPH09115681A - ストロボ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、イオン化状態の閃光放電管を介し
て昇圧コンデンサを急速充電できる回路構成を少ない素
子数で実現し、よって素子の配置スペースを小さくでき
て装置を小型化でき、またコスト的にも安価なストロボ
装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明によるストロボ装置は、イオン化
状態の閃光放電管を介して急速充電される少なくとも一
つの昇圧コンデンサを備え、この昇圧コンデンサの充電
電圧を、少なくとも閃光放電管と直列接続された絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタと制限抵抗とを介して閃
光放電管の両端に印加するようになされた昇圧手段を備
えて構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、閃光放電管の発光
動作を制御するために閃光放電管と直列に絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタ（以下、単にＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.と記
す）を接続したストロボ装置に関し、特に、例えば上記
閃光放電管を高速繰り返し発光させる場合に有効となる
上記閃光放電管への電圧供給系に特徴を有するストロボ
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、閃光放電管の発光動作を制御
するために、この閃光放電管と直列にＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.を接
続してなるストロボ装置は、詳述するまでもなく種々の
装置が実用化、あるいは提案されている。かかるストロ
ボ装置は、発光制御用の素子としてＳＣＲを採用し転流
構成を必要とする従来周知の装置とは異なり、上記転流
構成を必要とせず、したがって発光オーバーを生じるこ
とがなく、また安定した高周期の繰り返し発光動作を実
現できる等の効果を期待でき、近年有用されていること
も周知である。

【０００３】一方、従来より、閃光放電管の発光開始動
作を補助するための構成として、周知のトリガー構成の
他に、発光を開始させる動作に同期して上記閃光放電管
の両端に主コンデンサの充電電圧以上の高電圧を印加し
て上記両端の電位を昇圧する構成、いわゆる昇圧手段を
備えたストロボ装置も周知であり、かかる昇圧手段は冒
頭のＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.を使用したストロボ装置においても有
用されている。

【０００４】図６（ａ）、（ｂ）は、本願出願人が特公
平７−１３９１８号公報および特開平４−３０６５９４
号公報において提案している上述のような昇圧手段を備
えたストロボ装置例を示し、すなわち前者は閃光放電管
の発光開始動作時には常に閃光放電管の両端に主コンデ
ンサの充電電圧の約２倍の高電圧を印加できる回路構成
を、同様に後者は上記発光開始動作時に主コンデンサの
充電電圧の３倍以上の高電圧を印加できる回路構成を、
夫々備えたＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.使用のストロボ装置例の要部電
気回路図を示している。

【０００５】図６（ａ）、（ｂ）からも明らかなよう
に、上記ストロボ装置例は、いずれも例えば周知のＤＣ
−ＤＣコンバータ回路や積層電源である直流高圧電源
１、この直流高圧電源１の出力端子間に接続され、当該
電源１により充電される主コンデンサ２を備えている。
図６（ａ）に示した例の主コンデンサ２の両端には、閃
光放電管３と第１ダイオード４とＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５とが直
列接続され、さらに第１ダイオード４とＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５
との直列体の両端には、抵抗６と制御極を有するスイッ
チ素子であるトランジスタ７と第２ダイオード８とが直
列接続されている。

【０００６】第１ダイオード４とＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５との接
続点Ｘとトランジスタ７と第２ダイオード８との接続点
Ｙ間には倍圧コンデンサ９が接続され、また第２ダイオ
ード８の両端には抵抗１０，１１が直列接続され、さら
に該抵抗１０，１１の接続点は上記トランジスタ７の制
御極であるベースと接続されている。主コンデンサ２の
高電位側端子と接続点Ｘとの間には、倍圧コンデンサ９
を上記接続点Ｘ側が高電位となるように充電する充電回
路を第２ダイオード８と共に形成する例えば抵抗１２
が、またＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５の両端には、トリガーコンデン
サ１３とトリガートランス１４とからなり、動作するこ
とにより閃光放電管３を励起する周知のトリガー回路１
５が接続されている。

【０００７】Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のゲートと接続されている
発光制御回路１６は、上記ゲートへのオン電圧の供給の
有無を制御して上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン・オフを制御
することにより閃光放電管３の発光動作を制御するもの
である。また、図６（ｂ）に示した例の主コンデンサ２
の両端には、閃光放電管３と複数個のダイオード１７，
１８とＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５とが直列接続され、さらに複数個
のダイオード１７，１８の個々のアノード〜カソード間
にはトランジスタ１９と昇圧コンデンサ２１およびトラ
ンジスタ２０と昇圧コンデンサ２２とからなる直列体が
夫々接続され、さらに上記トランジスタ１９，２０と昇
圧コンデンサ２１，２２の夫々の接続点とＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.
５のエミッタ間には逆流防止ダイオード２３，２４が夫
々接続されている。

【０００８】上記トランジスタ１９，２０の夫々のベー
スとＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のエミッタ間には抵抗２５，２６お
よび２７が接続され、また上記トランジスタ１９，２０
の夫々のベース〜エミッタ間には抵抗２８，２９が接続
されている。閃光放電管３の両端には、昇圧コンデンサ
２１，２２の端子の内、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のコレクタ側と
接続される端子が高電位となるように充電する充電回路
を先のダイオード２３，２４と共に形成する例えば抵抗
１２が接続されている。

【０００９】また、図６（ａ）に示した例と同様に、
Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５の両端には、動作することにより閃光放
電管３を励起する周知のトリガー回路１５が接続され、
さらにＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のゲートには上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５
のオン・オフを制御して閃光放電管３の発光動作を制御
する発光制御回路１６が接続されている。従って、いず
れの例も、直流高圧電源１が動作を開始すると、主コン
デンサ２、倍圧コンデンサ９、トリガーコンデンサ１
３、昇圧コンデンサ２１，２２が図示極性に充電される
ことになる。

【００１０】主コンデンサ２等の充電がなされた状態に
おいて、発光制御回路１６の動作によりＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５
がオンすると、トリガー回路１５の動作により閃光放電
管３が励起されると同時に、図６（ａ）に示した例にお
いては、倍圧コンデンサ９の充電電荷がＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５
および抵抗１０，１１を介して、図６（ｂ）に示した例
においては、昇圧コンデンサ２１，２２の充電電荷が
Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５および抵抗２７，２５，２８および２
７，２６，２９を介して放電され、したがって、抵抗１
０、抵抗２８，２９に生じる降下電圧によりトランジス
タ７，１９，２０がオンすることになる。

【００１１】この結果、図６（ａ）に示した例において
は上記倍圧コンデンサ９の充電電圧がＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５、
主コンデンサ２およびトランジスタ７を介して閃光放電
管３の両端に印加されされることに、すなわち閃光放電
管３の両端には主コンデンサ２と倍圧コンデンサ９の充
電電圧を重畳した上記主コンデンサ２の充電電圧の約２
倍の高電圧が印加されることになり、また、図６（ｂ）
に示した例においては上記昇圧コンデンサ２１，２２の
充電電圧がＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５、主コンデンサ２およびトラ
ンジスタ１９，２０を介して閃光放電管３の両端に印加
されることに、すなわち閃光放電管３の両端には主コン
デンサ２と昇圧コンデンサ２１，２２の充電電圧を重畳
した上記主コンデンサ２の充電電圧の約３倍の高電圧が
印加されることになり、いずれの例も上記閃光放電管３
は上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン時点より上記主コンデンサ
２の充電電荷を消費して容易に発光する。

【００１２】閃光放電管３が発光している適宜時点での
発光制御回路１６の動作によりＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５がオフす
ると、図６（ａ）、（ｂ）に示した両例共、それまで
Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５を介して形成されていた主コンデンサ２
等の放電ループが遮断されることになり、これにより閃
光放電管３は周知のように発光を停止すると共にそのカ
ソード電位が高電位になるイオン化状態を経て定常状態
に復帰しようとし、また倍圧コンデンサ９等は充電でき
る状態になされることになる。

【００１３】このため、図６（ａ）に示した例において
は主コンデンサ２、閃光放電管３、倍圧コンデンサ９お
よび第２ダイオード８のループと、主コンデンサ２、閃
光放電管３、トリガーコンデンサ１３およびトリガート
ランス１４のループに電流が流れることになり、また、
図６（ｂ）に示した例においては主コンデンサ２、閃光
放電管３、昇圧コンデンサ２１および逆流防止ダイオー
ド２３のループと、主コンデンサ２、閃光放電管３、昇
圧コンデンサ２２および逆流防止ダイオード２４のルー
プと、主コンデンサ２、閃光放電管３、トリガーコンデ
ンサ１３およびトリガートランス１４のループに電流が
流れることになり、この結果、倍圧コンデンサ９、昇圧
コンデンサ２１，２２およびトリガーコンデンサ１３は
瞬時に充電されることになる。

【００１４】したがって、次回の発光動作時であるＩ.
Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン時に、倍圧コンデンサ９あるいは昇
圧コンデンサ２１，２２の充電電圧を閃光放電管３の両
端に必ず印加できることになる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述のように図６
（ａ）、（ｂ）に示したストロボ装置は、閃光放電管３
がイオン化状態になると同時に急速充電される倍圧コン
デンサ９あるいは昇圧コンデンサ２１，２２を備え、
Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン時に上記閃光放電管３の両端に上
記倍圧コンデンサ９あるいは昇圧コンデンサ２１，２２
の充電電圧を印加して上記両端の電位を昇圧する昇圧機
能を常に発揮でき、よって、上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５の高周
期のオン動作に対しても上記閃光放電管３を追従して発
光させることができる特徴を有している。

【００１６】しかしながら、上記特徴を得るための構
成、すなわち急速充電可能な昇圧回路構成について見て
みると、図６（ａ）、（ｂ）に示したいずれの例も倍圧
コンデンサ９、昇圧コンデンサ２１，２２に対応して設
けられている、換言すれば上記倍圧コンデンサ９等の個
数に等しい数だけ設けられたトランジスタ７、トランジ
スタ１９，２０、およびかかるトランジスタ７、トラン
ジスタ１９，２０の動作を制御するための抵抗６，１
０，１１、抵抗２５〜２９等、比較的多くの素子を使用
しており、このためいずれの例も素子の配置スペースと
して大きなスペースを必要とし、またコスト面でも高価
な構成となっていた。

【００１７】例えば、図６（ａ）に示したトランジスタ
７および図６（ｂ）に示したトランジスタ１９は、その
接続場所からそれら自体に高耐圧特性が要求され、また
その動作を制御するために抵抗１０、２５等を必要と
し、先の急速充電可能な昇圧回路構成に対してスペース
・コストの両面で大きな負担を与えている。本発明は上
述したような諸点を考慮してなしたもので、急速充電可
能な昇圧回路構成を、少ない素子数で実現したストロボ
装置、すなわち素子の配置スペースを小さなスペースと
でき、よって装置を小型化でき、またコスト的にも安価
にできるストロボ装置を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明のストロボ装置
は、閃光放電管の両端に主コンデンサの充電電圧以上の
高電圧を印加して上記両端の電位を昇圧するいわゆる昇
圧手段を、イオン化状態時の閃光放電管を介して急速充
電される少なくとも一つの昇圧コンデンサを含み、この
少なくとも一つの昇圧コンデンサの充電電圧を、少なく
とも上記閃光放電管と直列接続されているＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.
と制限抵抗と上記少なくとも一つの昇圧コンデンサの個
数より１少ない数のスイッチ素子を介して主コンデンサ
の充電電圧に重畳して上記閃光放電管の両端に印加する
ように構成すると共に、上記制限抵抗の抵抗値を、上記
閃光放電管の発光を停止させる上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.のオフ
動作時に上記閃光放電管および制限抵抗のループで流れ
ようとする電流の値を、上記閃光放電管が放電を維持で
きない電流値に制御できる抵抗値であると共に、上記
Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.のオン動作時に行われる上記昇圧コンデン
サの充電電圧の上記閃光放電管の両端への印加動作によ
り上記閃光放電管の両端電位を上記主コンデンサの充電
電圧よりも高い電圧値に昇圧できる抵抗値に制御したも
のである。

【００１９】これより、急速充電可能な昇圧手段を少な
い素子数で実現したストロボ装置、すなわち素子の配置
スペースを小さなスペースとできる、よって装置を小型
化でき、またコスト的にも安価にできるストロボ装置を
得ることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、イオン化状態時の閃光放電管を介して急速充電され
る少なくとも一つの昇圧コンデンサを含み、上記少なく
とも一つの昇圧コンデンサの充電電圧を、少なくとも上
記閃光放電管と直列接続されているＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.と制限
抵抗とを介して主コンデンサの充電電圧に重畳して上記
閃光放電管の両端に印加するように構成すると共に、上
記制限抵抗の抵抗値を、上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.のオフ動作時
に上記閃光放電管を介して流れようとする電流の値を上
記閃光放電管が放電を維持できない電流値に制御できる
抵抗値であると共に、上記昇圧コンデンサの充電電圧の
上記閃光放電管の両端への印加動作に上記閃光放電管の
両端電位を上記主コンデンサの充電電圧よりも高い電圧
値に昇圧できる抵抗値に制御してなる昇圧手段を備えて
ストロボ装置を構成したものであり、上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.
のオフ時における昇圧コンデンサの急速充電動作とＩ.
Ｇ.Ｂ.Ｔ.のオン時における閃光放電管の両端電位の昇
圧動作を少ない素子数で実現できるという作用を有す
る。

【００２１】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１に記載の昇圧手段を、１個の昇圧コンデンサを備え、
この１個の昇圧コンデンサの充電電圧を、スイッチ素子
としてはＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.以外のスイッチ素子を介すること
なく主コンデンサの充電電圧に重畳して閃光放電管の両
端に印加するように構成したものであり、上記請求項１
に記載の発明と同様、上記１個の昇圧コンデンサの急速
充電動作と閃光放電管の両端電位の昇圧動作を少ない素
子数で実現できるという作用を有する。

【００２２】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
１に記載の昇圧手段を、１個の昇圧コンデンサを備え、
この１個の昇圧コンデンサの充電電圧を、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.
と制限抵抗に加えて制御スイッチ素子を介して主コンデ
ンサの充電電圧に重畳して閃光放電管の両端に印加する
ように構成したものであり、先の請求項１等に記載の発
明と同様に上記１個の昇圧コンデンサの急速充電動作と
閃光放電管の両端電位の昇圧動作を少ない素子数で実現
できるという作用を有すると共に、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.の動作
を他の動作から独立して制御できる作用を有する。

【００２３】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
１に記載の昇圧手段を、ｎ個の昇圧コンデンサを備え、
このｎ個の昇圧コンデンサの充電電圧を、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.
と制限抵抗に加えて上記充電電圧の閃光放電管の両端へ
の印加ループのみを形成するループ内に設けられる（ｎ
−１）個のスイッチ素子を介して上記閃光放電管の両端
に印加するように構成したものであり、上記ｎ個の昇圧
コンデンサの急速充電動作と閃光放電管の両端電位の昇
圧動作を少ない素子数で実現できるという作用を有す
る。

【００２４】本発明の請求項５に記載の発明は、閃光放
電管とダイオードとＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.とを直列接続してなる
第１直列接続体を主コンデンサの両端に接続し、上記
Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.のオン・オフ動作に応答して上記閃光放電
管の発光動作を制御するストロボ装置であって、直列接
続された制限抵抗と昇圧コンデンサとからなり、上記制
限抵抗の一端をそのアノードが上記閃光放電管のカソー
ドと接続されたダイオードの上記アノードに接続し、他
端を上記昇圧コンデンサを介して上記ダイオードのカソ
ードに接続した第２直列接続体と、上記制限抵抗と昇圧
コンデンサとの接続点とＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.のエミッタ間に接
続された逆流防止ダイオードと、上記閃光放電管と上記
ダイオードとの直列体と並列接続され、上記ダイオード
と接続された端子が高電位となるように上記昇圧コンデ
ンサを充電する充電回路を上記逆流防止ダイオードと共
に形成する充電路とを含み、上記制限抵抗の抵抗値を、
上記閃光放電管の発光を停止させる上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.の
オフ動作時に上記閃光放電管、制限抵抗および逆流防止
ダイオードのループで流れようとする電流の値を、上記
閃光放電管が放電を維持できない電流値に制御できる抵
抗値であると共に、上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.のオン動作時に行
われる上記昇圧コンデンサの充電電圧の上記閃光放電管
の両端への印加動作により上記閃光放電管の両端電位を
上記主コンデンサの充電電圧よりも高い電圧値に昇圧で
きる抵抗値に制御することにより、上記昇圧コンデンサ
の急速充電をイオン化状態時の上記閃光放電管および上
記逆流防止ダイオードを介して行うと共に、上記昇圧コ
ンデンサの充電電圧の上記閃光放電管の両端への印加を
上記制限抵抗を介して行う昇圧手段を備えてストロボ装
置を構成したものであり、先の請求項１等に記載の発明
と同様に上記昇圧コンデンサの急速充電動作と閃光放電
管の両端電位の昇圧動作を少ない素子数で実現できると
いう作用を有する。

【００２５】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
５に記載の昇圧手段を、ダイオードとＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.との
間に接続される制御スイッチ素子を備え、さらに上記ダ
イオードと制御スイッチ素子にて形成される直列接続体
と並列接続される制御ダイオードを備えて構成したもの
であり、先の請求項１等に記載の発明と同様、上記昇圧
コンデンサの急速充電動作と閃光放電管の両端電位の昇
圧動作を少ない素子数で実現できるという作用を有する
と共に、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.の動作を他の動作から独立して制
御できる作用を有する。

【００２６】本発明の請求項７に記載の発明は、閃光放
電管と複数個のダイオードとＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.とを直列接続
してなる第１直列接続体を主コンデンサの両端に接続
し、上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.のオン・オフ動作に応答して上記
閃光放電管の発光動作を制御するストロボ装置であっ
て、直列接続された制限抵抗と第１昇圧コンデンサとか
らなり、上記制限抵抗の一端を上記複数個のダイオード
の内のアノードが閃光放電管のカソードと接続される第
１ダイオードの上記アノードに、他端を上記第１昇圧コ
ンデンサを介して上記第１ダイオードのカソードに接続
した第２直列接続体と、上記複数個のダイオードの残り
のダイオードの個々のアノード〜カソード間に接続され
るスイッチ素子と第２昇圧コンデンサとからなる少なく
とも１個の直列体と、上記制限抵抗と上記第１昇圧コン
デンサとの接続点および前記少なくとも１個の直列体に
おける上記スイッチ素子と上記第２昇圧コンデンサとの
接続点の夫々と上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.のエミッタとの間に接
続される複数個の逆流防止ダイオードと、上記第２昇圧
コンデンサと接続される上記スイッチ素子の制御極に接
続されるゲート回路と、上記閃光放電管と上記第１ダイ
オードとの直列体と並列接続され、上記複数個のダイオ
ードと接続された端子が高電位となるように上記第１、
第２昇圧コンデンサを充電する充電回路を上記複数個の
逆流防止ダイオードと共に形成する充電路とを含み、上
記制限抵抗の抵抗値を、上記閃光放電管の発光を停止さ
せる上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.のオフ動作時に上記閃光放電管、
制限抵抗および逆流防止ダイオードのループで流れよう
とする電流の値を、上記閃光放電管が放電を維持できな
い電流値に制御できる抵抗値であると共に、上記Ｉ.Ｇ.
Ｂ.Ｔ.のオン動作時に行われる上記第１，第２昇圧コン
デンサの充電電圧の上記閃光放電管の両端への印加動作
により上記閃光放電管の両端電位を前記主コンデンサの
充電電圧よりも高い電圧値に昇圧できる抵抗値に制御す
ることにより、上記第１，第２昇圧コンデンサの急速充
電をイオン化状態時の上記閃光放電管および上記複数個
の逆流防止ダイオードを介して行うと共に、上記第１，
第２昇圧コンデンサの充電電圧の上記閃光放電管の両端
への印加を上記制限抵抗およびスイッチ素子を介して行
う昇圧手段を備えてストロボ装置を構成したものであ
り、上記第１，第２昇圧コンデンサの急速充電動作と閃
光放電管の両端電位の昇圧動作を少ない素子数で実現で
きるという作用を有する。

【００２７】本発明の請求項８に記載の発明は、請求項
７に記載のストロボ装置の昇圧手段における閃光放電管
とＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.との間に接続された複数個のダイオード
にて形成される直列接続体に並列に、さらに制御ダイオ
ードを接続したものであり、先の請求項７に記載の発明
と同様、上記第１，第２昇圧コンデンサの急速充電動作
と閃光放電管の両端電位の昇圧動作を少ない素子数で実
現できるという作用を有すると共に、エネルギーの有効
利用を図ることができる作用を有する。

【００２８】本発明の請求項９に記載の発明は、請求項
７に記載のストロボ装置の昇圧手段を、複数個のダイオ
ードにて形成される直列接続体とＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.との間に
接続される制御スイッチ素子を備え、さらに前記ダイオ
ードと制御スイッチ素子にて形成される直列接続体と並
列接続される制御ダイオードを備えたものであり、先の
請求項７に記載の発明と同様、上記第１，第２昇圧コン
デンサの急速充電動作と閃光放電管の両端電位の昇圧動
作を、少ない素子数で実現できると共に、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.
バイポーラトランジスタの動作を他の動作から独立して
制御でき、またエネルギーの有効利用を図ることができ
る作用を有する。

【００２９】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図５を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１によるス
トロボ装置の要部電気回路図であり、図中、図６
（ａ）、（ｂ）と同符号の構成要素は同機能要素であ
る。符号３０は、閃光放電管３とダイオード３１とＩ.
Ｇ.Ｂ.Ｔ.５とを直列接続してなり、主コンデンサ２の
両端に接続される第１直列接続体を示し、また符号３２
は、昇圧コンデンサ３３と逆流防止ダイオード３４とを
直列接続してなり、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５の両端に接続される
第２直列接続体を示し、さらに符号３５は、閃光放電管
３とダイオード３１との接続点Ｐと昇圧コンデンサ３３
と逆流防止ダイオード３４との接続点Ｑ間に接続される
制限抵抗を示している。

【００３０】そして、本発明においては、上記制限抵抗
３５の抵抗値を、閃光放電管３の発光を停止させるＩ.
Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオフ動作時に、イオン化状態の閃光放電
管３，当該制限抵抗３５および逆流防止ダイオード３４
のループで流れようとする電流の値を上記閃光放電管３
が放電を維持できない、換言すれば上記イオン化状態を
維持できない電流値に制御できる抵抗値であると共に、
上記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン動作時に、昇圧コンデンサ３
３の充電電圧の上記閃光放電管３の両端への印加時に上
記閃光放電管３の両端電位を主コンデンサの充電電圧よ
り十分に高くできる抵抗値、換言すると、上記閃光放電
管の放電開始電圧を低下させるいわゆる昇圧機能が損な
われないような上記両端電位の上昇作用を実現できる上
記昇圧コンデンサの充電電圧印加動作を実施できる抵抗
値に設定している。

【００３１】すなわち、本発明によるストロボ装置の一
実施例は簡単に述べると図６（ａ）に示した従来装置の
構成からトランジスタ７、すなわち高耐圧特性が要求さ
れ、スペース・コスト面での負担が大きかったトランジ
スタ７、その制御用の抵抗１０，１１および抵抗６を削
除し、かつ当該部分に、その抵抗値が上述したような抵
抗値に設定されている制限抵抗３５を接続した構成を有
している。

【００３２】以下、上記のような構成からなる本発明に
よるストロボ装置の実施の形態１の動作について述べる
が、その前に本発明における上記トランジスタ７の削除
等について考えてみる。上記トランジスタ７自体の意味
は、図６（ａ）に示した構成を開示している冒頭に述べ
た特公平７−１３９１８号公報には特に明示されていな
いが、以下に詳述するように、簡単に述べると倍圧コン
デンサ９の急速充電動作とその充電電圧の閃光放電管３
の両端への印加動作の両動作を、共にかつ何等の問題を
生じることなく実現するために使用されていると考えら
れる。

【００３３】ここで、上記倍圧コンデンサ９の充電電圧
を閃光放電管３の両端に印加するという倍圧回路の動作
を電気的に見てみると、当然ではあるが、上記印加動作
は電気的な損失を生じることなく実施されることが理想
であり、すなわち上記倍圧回路においては上記充電電圧
を印加するループ内には抵抗等の電気的な損失を生じる
素子を接続しないことが望ましく、また望まれる。

【００３４】一方、倍圧コンデンサ９は、先にも述べた
ようにイオン化状態の閃光放電管３を介して急速充電さ
れるように、その高電位側の端子が第１ダイオード４を
介して閃光放電管３のカソードと接続されていると共に
その低電位側の端子は第２ダイオード８を介して主コン
デンサ２の低電位側端子と接続されており、例えば上述
した電気的な損失を少なくするために上記低電位側の端
子をそのまま閃光放電管３のカソードに接続してしまう
と、上記急速充電を行えなくなる不都合を生じることに
なる。

【００３５】したがって、図６（ａ）に示した構成にお
いてはトランジスタ７が上記不都合を防止するために設
けられ、すなわち、上記トランジスタ７は、倍圧コンデ
ンサ９の低電位側の端子と閃光放電管３のカソード間に
接続され、かつ抵抗１０，１１の機能により上記倍圧コ
ンデンサ９の充電電圧を閃光放電管３の両端に印加する
時のみオンして上記充電電圧の印加ループを形成するよ
うに動作し、換言すれば上記倍圧コンデンサ９の充電電
圧を閃光放電管３の両端に印加する時以外、例えばＩ.
Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオフ動作時である閃光放電管３のイオン
化状態時には上記倍圧コンデンサ９の低電位側の端子と
閃光放電管３のカソード間を電気的開放状態に制御する
ように動作し、かかる動作により倍圧コンデンサ９の急
速充電動作を何等の問題も生じることなく実現させてい
る。なお、トランジスタ７は、そのオン時のインピーダ
ンスは小さく、電気的な損失面での影響も殆どない。

【００３６】また、トランジスタ７には抵抗６が直列接
続されているが、この抵抗６については上述したトラン
ジスタ７の機能を考えると基本的には必要なく、すなわ
ち図６（ａ）に示した構成を開示している冒頭に述べた
特公平７−１３９１８号公報の図面の第２図にも示され
ているように削除できる。換言すると、上記図６（ａ）
に示した構成における抵抗６自体の意味は、特公平７−
１３９１８号公報には特に明示されていないが、トラン
ジスタ７の保護機能を果たす保護用抵抗として設けられ
た抵抗であると考えられ、例えば上記構成を備えた実際
の装置における上記抵抗６の抵抗値について見てみる
と、通常２２〜５６Ωと低く設定され、すなわち保護用
抵抗ということで電気的な損失面での影響を殆ど考える
必要のない低い抵抗値に設定されている。

【００３７】このため、上記図６（ａ）に示した構成か
らトランジスタ７を削除した場合、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオ
フ時にイオン化状態の閃光放電管３、抵抗６および逆流
防止ダイオード８を介して電流が流れることになり、倍
圧コンデンサ９の急速充電を実現できないばかりか上記
閃光放電管３がイオン化状態を維持するいわゆるグロー
放電を生じ、場合によっては上記抵抗６等が破壊されて
しまう不都合を生じることになり、この結果、先の構成
においては、上記トランジスタ７を単に削除する展開を
実現することはできなかった。

【００３８】これに対し、本発明の実施の形態１は、前
述したような抵抗値を有する制限抵抗３５を設けること
により、上記トランジスタ７の削除を、先の例における
倍圧コンデンサ９に該当する昇圧コンデンサ３２の急速
充電機能および昇圧機能を損なうことなく実現したもの
であり、以下その動作について述べる。今、直流高圧電
源１が動作すると、昇圧コンデンサ３３は、閃光放電管
３とダイオード３１との直列体と並列接続された充電路
である抵抗１２と逆流防止ダイオード３４とから形成さ
れる充電回路を介して図示極性のように、すなわち上記
ダイオード３１と接続された端子が高電位となるように
充電され、したがって、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン時、上記
昇圧コンデンサ３３の充電電圧はＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５、主コ
ンデンサ２、制限抵抗３５のループを介して、すなわ
ち、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５以外のスイッチ素子を介することな
く主コンデンサ２の充電電圧に重畳して閃光放電管３の
両端へ印加されることになる。

【００３９】この時、本発明においては制限抵抗３５の
抵抗値を、昇圧コンデンサ３３の充電電圧の閃光放電管
３への印加により上記閃光放電管３の両端電位を主コン
デンサ２の充電電圧より十分に高くできる抵抗値、換言
すると上記印加により上記閃光放電管３の点灯電圧を低
下させるいわゆる昇圧機能が損なわれないような抵抗値
に設定しており、したがって、本実施の形態１において
は上記印加により上記閃光放電管３の両端電位は主コン
デンサ２の充電電圧の約２倍の高電圧まで昇圧され、こ
の結果上記閃光放電管３は容易に発光動作を開始する。

【００４０】一方、閃光放電管３の発光時にＩ.Ｇ.Ｂ.
Ｔ.５がオフすると、閃光放電管３はイオン化状態とな
り、よって、主コンデンサ２等からイオン化状態の閃光
放電管３、ダイオード３１、昇圧コンデンサ３３及び逆
流防止ダイオード３４を介して電流が流れることにな
り、この結果、上記昇圧コンデンサ３３は、上記ダイオ
ード３１と接続された端子が高電位となるように急速充
電されることになる。

【００４１】なお、上記昇圧コンデンサ３３の急速充電
が終了すると、主コンデンサ２等からイオン化状態の閃
光放電管３、制限抵抗３５および逆流防止ダイオード３
４を介してさらに電流が流れようとするが、本発明の実
施の形態１においては上記制限抵抗３５の抵抗値を、上
記閃光放電管３および上記制限抵抗３５等を介して流れ
ようとする電流の値を上記閃光放電管３が放電を維持で
きない電流値、換言すれば上記イオン化状態を維持でき
ない電流値に制御できる抵抗値に設定していることか
ら、上記制限抵抗３５等を介したループで電流が流れる
ことはない。

【００４２】この結果、本発明によるストロボ装置の実
施の形態１は、昇圧コンデンサ３３を急速充電し、発光
動作時には閃光放電管３の両端に主コンデンサ２の充電
電圧以上の高電圧を常に印加できる構成を、先に図６
（ａ）で示した従来構成からトランジスタ７等を削除し
て実現、換言すれば少ない素子数で実現できる。次に、
図１に示した実施の形態１における制限抵抗３５の抵抗
値の設定に関して行った実験を述べておく。

【００４３】実験は、閃光放電管３として管径が２．５
ｍｍ、両端電極間距離が２０ｍｍの放電管を備え、さら
に種々の異なる抵抗値の制限抵抗３５を有するストロボ
装置に対し、３０秒間隔で１０回のフル発光動作を行
い、１回でも発光抜けが生じた場合には主コンデンサの
充電電圧を５Ｖづつ上昇させていき、１回も発光抜けを
生じなくなった点灯電圧を測定する第１実験と、上記の
ような発光動作時に閃光放電管のイオン化状態が維持さ
れるか否かを確認する第２実験を行った。なお、いわゆ
る昇圧回路を用いずに上記３０秒間隔で１０回のフル発
光動作させた場合に１回も発光抜けを生じなくなった点
灯電圧を確認すると３５０Ｖであった。

【００４４】

【表１】

【００４５】表１は上記第１実験を行った実験結果を示
し、この表１から明らかなように、制限抵抗３５の抵抗
値が高くなるほど点灯電圧は上昇しており、すなわち制
限抵抗３５の抵抗値は高抵抗値程いわゆる昇圧機能を損
なう方向に作用している。具体的には、制限抵抗３５の
抵抗値が２．２ｋΩの場合、上述した昇圧回路を用いな
い場合の点灯電圧である３５０Ｖより１２０Ｖ低下した
点灯電圧２３０Ｖで点灯するのに対し、上記抵抗値が１
０ｋΩになると点灯電圧は２６０Ｖとなり９０Ｖしか低
下させることができなかった。なお、表１には記載して
いないが制限抵抗３３の抵抗値をさらに高抵抗値に設定
すると、点灯電圧は急激に上昇して先の３５０Ｖに近づ
いていくことも確認できている。

【００４６】ところで、閃光放電管の放電開始動作を補
助するという概念で点灯電圧の低下割合を考えると、昇
圧回路を用いない点灯電圧の約３／４程度に、すなわち
本例の場合２６０Ｖ（３５０Ｖ×３／４＝２６２．５
Ｖ）程度に低下させることができれば一応の昇圧効果が
得られている、すなわち、点灯電圧が３５０Ｖの場合に
は追従できないような高周期の繰り返し発光動作にも十
分に追従できることになる効果を得られることが確認で
きている。すなわち、上記のような装置例においては、
１０ｋΩを先の制限抵抗３５の抵抗値の上限値として設
定できる。

【００４７】

【表２】

【００４８】表２は先の第２実験を行った実験結果を示
し、この表２から明らかなように、制限抵抗３５の抵抗
値がある値以下に低下すると、閃光放電管がイオン化状
態を維持するいわゆるグロー放電状態を生じている。す
なわち、上述した点灯電圧を低下させる点だけを考慮す
れば上記制限抵抗３５の抵抗値は低いほど望ましいが、
上記抵抗値をいたずらに低下させると新たに上記グロー
放電という不都合を生じてしまうことになるわけであ
る。

【００４９】具体的には、制限抵抗３５の抵抗値が２．
０ｋΩの場合上記グロー放電は発生しなかったが上記抵
抗値が１．８ｋΩになると上記グロー放電が発生するこ
とが確認できた。すなわち、上記のような装置例におい
ては、２．０ｋΩを上記制限抵抗３５の抵抗値の下限値
として設定できる。以上述べたような確認により、図１
に示した本発明の実施の形態１によるストロボ装置にお
ける制限抵抗３５の具体的な抵抗値を設定できることに
なる。

【００５０】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２によるストロボ装置の要部電気回路図を示し、図か
らも明らかではあるが、図１に示した本発明の実施の形
態１の構成に加えて、制御スイッチ素子３６をダイオー
ド３１とＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５との間に接続し、さらに当該制
御スイッチ素子３６とダイオード３１から形成される直
列体に制御ダイオード３７を並列接続したものである。
なお、符号３８は上記制御スイッチ素子３６をオン・オ
フ動作させる駆動回路を示している。

【００５１】本発明の実施の形態２は上記のような構成
を有することから、先の実施の形態１と同様、昇圧コン
デンサ３３を急速充電し、発光動作時には閃光放電管３
の両端に主コンデンサ２の充電電圧以上の高電圧を常に
印加できると共に、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５の動作を他の動作か
ら独立して制御できることになる。すなわち、本発明の
実施の形態２においては、制御スイッチ素子３６のオン
動作タイミングとの関係によりＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン動
作時点を閃光放電管３の発光動作開始時点はもちろんそ
れ以前にも設定でき、換言すればＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５の制御
動作の自由度が大きくなり、例えば実際に閃光放電管３
の発光動作時、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン動作を制御スイッ
チ素子３６のオン動作に先立って行わせることにより、
Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５が有する容量成分による悪影響を受ける
ことなく上記発光動作を行えることになる。

【００５２】この点について簡単に述べると、Ｉ.Ｇ.
Ｂ.Ｔ.５はそのゲートに駆動電圧が供給された時、自身
のゲートとエミッタ間等に存在する容量成分の充電がな
された後に完全なオン状態に移行することが知られてお
り、したがって、先の図１に示した実施の形態１のよう
にＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン動作によってトリガーコンデン
サ１３および昇圧コンデンサ３３の放電動作を制御する
構成の場合、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５が完全なオン状態に移行し
ていない依然としてインピーダンスの高い状態で上記放
電動作が開始されることになり、かかる場合、所望のト
リガー動作あるいは昇圧動作を行えない場合を生じる恐
れがある。

【００５３】具体的には、閃光放電管３に十分なトリガ
ー出力を供給できなかったり、また昇圧コンデンサ３３
の充電電圧を十分に供給できなかったりして閃光放電管
３の発光抜けを生じたり、また閃光放電管３が仮に発光
できたとしても主コンデンサ２から大電流が閃光放電管
３を介してインピーダンスが高いままのＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５
に流れこむことになり、極めて稀と思われるが、場合に
よってはＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５が破壊されてしまう恐れがあっ
た。

【００５４】一方、図２に示した本発明の実施の形態２
は制御スイッチ素子３６を備え、したがって上記制御ス
イッチ素子３６のオン動作の前にＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５をオン
状態に移行させる展開を行うことができ、かかる展開の
場合、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５の有する容量成分の影響は全く受
けずにトリガーコンデンサ１３および昇圧コンデンサ３
３の放電動作を行えることに、すなわち、上記放電動作
を、完全なオン状態にありそのインピーダンスが低い上
記Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５を介して行えることになり、この結果
上記発光抜け等の発生を防止することができる。

【００５５】（実施の形態３）図３は本発明の実施の形
態３によるストロボ装置の要部電気回路図を示し、先の
実施の形態１および２が主コンデンサ２の充電電圧の約
２倍の高電圧を閃光放電管３の両端に印加していたのに
対し、先に図６（ｂ）で説明した構成と同様、上記充電
電圧の３倍以上の高電圧を印加するものであり、図中、
図１等と同符号の構成要素は同機能要素である。

【００５６】符号３９は、閃光放電管３と複数個のダイ
オードＤ１，Ｄ２〜ＤｎとＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５とを直列接続
してなり、主コンデンサ２の両端に接続される第１直列
接続体を示し、また、符号４０は、第１昇圧コンデンサ
Ｃ１と制限抵抗３５とを直列接続してなり、上記複数個
のダイオードＤ１〜Ｄｎの内のアノードが上記閃光放電
管３のカソードと接続されるダイオードＤ１の両端に接
続される第２直列接続体を示している。

【００５７】符号Ｔ１〜Ｔ（ｎ−１）は、ダイオードＤ
１以外の複数個のダイオードＤ２〜Ｄｎの個々のアノー
ド〜カソード間に接続される例えばトランジスタである
複数個のスイッチ素子Ｓ１〜Ｓ（ｎ−１）と複数個の第
２昇圧コンデンサＣ２〜Ｃｎとを夫々個々に直列接続し
てなる直列体を示し、また、符号ＧＤ１〜ＧＤｎは上記
直列体４０における第１昇圧コンデンサＣ１と制限抵抗
３５との接続点、および上記直列体Ｔ１〜Ｔ（ｎ−１）
におけるスイッチ素子Ｓ１〜Ｓ（ｎ−１）と第２昇圧コ
ンデンサＣ２〜Ｃｎとの接続点の夫々と、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.
５のコレクタとの間に接続される複数個の逆流防止ダイ
オードを示している。

【００５８】符号Ｇ１〜Ｇ（ｎ−１）は、トランジスタ
の場合ベースである上記スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ（ｎ−
１）の夫々の制御極に接続されるゲート回路を示してい
る。本発明の実施の形態３は上記のような構成を有する
ことから、今、直流高圧電源１が動作すると、第１、第
２昇圧コンデンサＣ１〜Ｃｎは図示極性のように抵抗１
２を含む充電回路を介して充電され、したがって、Ｉ.
Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン時、ゲート回路Ｇ１〜Ｇ（ｎ−１）
の動作によりスイッチ素子Ｓ１〜Ｓ（ｎ−１）がオン状
態になされ、よって上記第１、第２昇圧コンデンサＣ１
〜Ｃｎの充電電圧は、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５、主コンデンサ
２、制限抵抗３５およびスイッチ素子Ｓ１〜Ｓ（ｎ−
１）を介して夫々重畳され、かつ主コンデンサ２の充電
電圧にも重畳されて閃光放電管３の両端へ印加されるこ
とになる。

【００５９】この時、本発明においては制限抵抗３５の
抵抗値を、先にも述べたように第１、第２昇圧コンデン
サＣ１〜Ｃｎの充電電圧の閃光放電管３への印加により
いわゆる昇圧機能が損なわれないような抵抗値に設定し
ており、したがって、本実施の形態３においては上記印
加により上記閃光放電管３の両端電位は主コンデンサ２
の充電電圧の約（ｎ＋１）倍の高電圧まで昇圧され、こ
の結果上記閃光放電管３は容易に発光動作を開始する。

【００６０】一方、閃光放電管３の発光時にＩ.Ｇ.Ｂ.
Ｔ.５がオフすると、閃光放電管３はイオン化状態とな
り、よって、主コンデンサ２等からイオン化状態の閃光
放電管３、複数個のダイオードＤ１〜Ｄｎ、第１、第２
昇圧コンデンサＣ１〜Ｃｎおよび逆流防止ダイオードＧ
Ｄ１〜ＧＤｎを介して電流が流れることになり、この結
果、上記第１、第２昇圧コンデンサＣ１〜Ｃｎは急速充
電されることになる。

【００６１】なお、上記第１、第２昇圧コンデンサＣ１
〜Ｃｎの急速充電が終了すると、イオン化状態の閃光放
電管３、制限抵抗３５および逆流防止ダイオードＧＤ１
を介してさらに電流が流れようとするが、本発明の実施
の形態３においては上記制限抵抗３５の抵抗値を、先に
も述べたように上記閃光放電管３がイオン化状態を維持
できない電流値に制御できる抵抗値に設定していること
から、上記制限抵抗３５等を介したループで電流が流れ
ることはない。

【００６２】この結果、本発明によるストロボ装置の実
施の形態３においては、第１、第２昇圧コンデンサＣ１
〜Ｃｎを急速充電し、発光動作時には閃光放電管３の両
端に主コンデンサ２の充電電圧の（ｎ＋１）倍の高電圧
を常に印加できる構成を、先に図６（ｂ）で説明した従
来構成からトランジスタ１９等を削除して実現できるこ
とに、換言すれば少ない素子数で実現できることにな
る。

【００６３】（実施の形態４）図４は本発明の実施の形
態４によるストロボ装置の要部電気回路図であり、図か
らも明らかではあるが、図３に示した本発明の実施の形
態３の構成に加えて、複数個のダイオードＤ１〜Ｄｎか
ら形成される直列体に制御ダイオード４１を並列接続し
たものである。

【００６４】本発明の実施の形態４は上記のような構成
を有することから、閃光放電管３の発光動作時における
主コンデンサ２の放電動作が制御ダイオード４１を介し
て行われることになり、それ以外の動作である例えば第
１、第２昇圧コンデンサＣ１〜Ｃｎの充電あるいは放電
動作等は先に説明した実施の形態３と同様の動作を行う
ことになり、したがって第１、第２昇圧コンデンサＣ１
〜Ｃｎを急速充電し、発光動作時には閃光放電管３の両
端に主コンデンサ２の充電電圧の（ｎ＋１）倍の高電圧
を常に印加できる構成を少ない素子数で実現できると共
に、先の実施の形態３に比して上記主コンデンサ２の放
電ループ内に存在するダイオードの個数を少なくするこ
とができ、上記主コンデンサ２の充電エネルギーの利用
効率の点で有利となる。

【００６５】（実施の形態５）図５は本発明の実施の形
態５によるストロボ装置の要部電気回路図であり、図か
らも明らかではあるが、図４に示した本発明の実施の形
態４の構成に加えて、図２に示した本発明の実施の形態
２で説明した制御スイッチ素子３６を、当該制御スイッ
チ素子３６をオン・オフ動作させる駆動回路３８を接続
した状態で複数個のダイオードＤ１〜ＤｎとＩ.Ｇ.Ｂ.
Ｔ.５との間に接続したものである。

【００６６】本発明の実施の形態５は上記のような構成
を有することから、先に説明した実施の形態４および２
と同様に、第１、第２昇圧コンデンサＣ１〜Ｃｎを急速
充電し、発光動作時には閃光放電管３の両端に主コンデ
ンサ２の充電電圧（ｎ＋１）倍の高電圧を常に印加でき
る構成を少ない素子数で実現でき、また主コンデンサ２
の充電エネルギーの利用効率の点で有利となり、さらに
Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５のオン動作時点を閃光放電管３の発光動
作時点はもちろん、それ以前に設定できることになり、
換言すればＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５の制御動作の自由度が大きく
なり、例えば閃光放電管３の発光動作時、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.
５のオン動作を制御スイッチ素子３６のオン動作に先立
って行わせることにより、Ｉ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.５が有する容量
成分による悪影響を受けることなく、上記発光動作を行
えることになる。

【００６７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、イオン化
状態時の閃光放電管を介して急速充電される少なくとも
一つの昇圧コンデンサを含み、この少なくとも一つの昇
圧コンデンサの充電電圧を少なくとも上記閃光放電管と
直列接続されているＩ.Ｇ.Ｂ.Ｔ.と制限抵抗とを介して
主コンデンサの充電電圧に重畳して上記閃光放電管の両
端に印加するように構成した昇圧手段を備えてストロボ
装置を構成したことから、急速充電可能な昇圧回路構成
を少ない素子数で実現することができ、この結果、素子
の配置スペースを小スペースとでき、よって装置を小型
化でき、またコスト的にも安価にできるストロボ装置を
提供できるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態によるストロボ装置の要
部電気回路図

【図２】本発明の他の実施の形態によるストロボ装置の
要部電気回路図

【図３】本発明のさらに他の実施の形態によるストロボ
装置の要部電気回路図

【図４】本発明のさらに他の実施の形態によるストロボ
装置の要部電気回路図

【図５】本発明のさらに他の実施の形態によるストロボ
装置の要部電気回路図

【図６】（ａ）特公平７−１３９１８号公報に開示され
たストロボ装置例の要部電気回路図 （ｂ）特開平４−３０６５９４号公報に開示されたスト
ロボ装置例の要部電気回路図

【符号の説明】

１ 直流高圧電源 ２ 主コンデンサ ３ 閃光放電管 ５ 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Ｉ.Ｇ.Ｂ.
Ｔ.） １２ 抵抗 １３ トリガーコンデンサ １４ トリガートランス １５ トリガー回路 １６ 発光制御回路 ３０ 第１直列接続体 ３１ ダイオード ３２ 第２直列接続体 ３３ 昇圧コンデンサ ３４ 逆流防止ダイオード ３５ 制限抵抗 ３６ 制御スイッチ素子 ３７ 制御ダイオード ３８ 駆動回路 ３９ 第１直列接続体 ４０ 第２直列接続体 ４１ 制御ダイオード

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】イオン化状態時の閃光放電管を介して急速
   充電される少なくとも一つの昇圧コンデンサを含み、前
   記少なくとも一つの昇圧コンデンサの充電電圧を、少な
   くとも前記閃光放電管と直列接続されている絶縁ゲート
   型バイポーラトランジスタと制限抵抗とを介して主コン
   デンサの充電電圧に重畳して前記閃光放電管の両端に印
   加するように構成すると共に、前記制限抵抗の抵抗値
   を、前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのオフ動
   作時に前記閃光放電管を介して流れようとする電流の値
   を前記閃光放電管が放電を維持できない電流値に制御で
   きる抵抗値であると共に、前記昇圧コンデンサの充電電
   圧の前記閃光放電管の両端への印加動作に前記閃光放電
   管の両端電位を前記主コンデンサの充電電圧よりも高い
   電圧値に昇圧できる抵抗値に制御してなる昇圧手段を備
   えたストロボ装置。
2. 【請求項２】昇圧手段は、１個の昇圧コンデンサを備
   え、前記１個の昇圧コンデンサの充電電圧を、スイッチ
   素子としては絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ以外
   のスイッチ素子を介することなく主コンデンサの充電電
   圧に重畳して閃光放電管の両端に印加する請求項１に記
   載のストロボ装置。
3. 【請求項３】昇圧手段は、１個の昇圧コンデンサを備
   え、前記１個の昇圧コンデンサの充電電圧を、絶縁ゲー
   ト型バイポーラトランジスタと制限抵抗に加えて制御ス
   イッチ素子を介して主コンデンサの充電電圧に重畳して
   閃光放電管の両端に印加する請求項１に記載のストロボ
   装置。
4. 【請求項４】昇圧手段は、ｎ個の昇圧コンデンサを備
   え、このｎ個の昇圧コンデンサの充電電圧を、絶縁ゲー
   ト型バイポーラトランジスタと制限抵抗に加えて前記充
   電電圧の閃光放電管の両端への印加ループのみを形成す
   るループ内に設けられる（ｎ−１）個のスイッチ素子を
   介して主コンデンサの充電電圧に重畳して前記閃光放電
   管の両端に印加する請求項１に記載のストロボ装置。
5. 【請求項５】閃光放電管とダイオードと絶縁ゲート型バ
   イポーラトランジスタとを直列接続してなる第１直列接
   続体を主コンデンサの両端に接続し、前記絶縁ゲート型
   バイポーラトランジスタのオン・オフ動作に応答して前
   記閃光放電管の発光動作を制御するストロボ装置であっ
   て、制限抵抗と昇圧コンデンサとを直列接続してなり、
   前記制限抵抗の一端をそのアノードが前記閃光放電管の
   カソードと接続されたダイオードの前記アノードに接続
   し、他端を前記昇圧コンデンサを介して前記ダイオード
   のカソードに接続した第２直列接続体と、前記制限抵抗
   と昇圧コンデンサとの接続点と絶縁ゲート型バイポーラ
   トランジスタのエミッタ間に接続された逆流防止ダイオ
   ードと、前記閃光放電管と前記ダイオードとの直列体と
   並列接続され、前記ダイオードと接続された端子が高電
   位となるように前記昇圧コンデンサを充電する充電回路
   を前記逆流防止ダイオードと共に形成する充電路とを含
   み、前記制限抵抗の抵抗値を、前記閃光放電管の発光を
   停止させる前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの
   オフ動作時に前記閃光放電管、制限抵抗および逆流防止
   ダイオードのループで流れようとする電流の値を、前記
   閃光放電管が放電を維持できない電流値に制御できる抵
   抗値であると共に、前記絶縁ゲート型バイポーラトラン
   ジスタのオン動作時に行われる前記昇圧コンデンサの充
   電電圧の前記閃光放電管の両端への印加動作により前記
   閃光放電管の両端電位を前記主コンデンサの充電電圧よ
   りも高い電圧値に昇圧できる抵抗値に制御することによ
   り、前記昇圧コンデンサの急速充電をイオン化状態時の
   前記閃光放電管および前記逆流防止ダイオードを介して
   行うと共に、前記昇圧コンデンサの充電電圧の前記閃光
   放電管の両端への印加を前記制限抵抗を介して行う昇圧
   手段を備えたストロボ装置。
6. 【請求項６】昇圧手段は、ダイオードと絶縁ゲート型バ
   イポーラトランジスタとの間に接続される制御スイッチ
   素子を備え、さらに前記ダイオードと制御スイッチ素子
   にて形成される直列接続体と並列接続される制御ダイオ
   ードを備えてなる請求項５に記載のストロボ装置。
7. 【請求項７】閃光放電管と複数個のダイオードと絶縁ゲ
   ート型バイポーラトランジスタとを直列接続してなる第
   １直列接続体を主コンデンサの両端に接続し、前記絶縁
   ゲート型バイポーラトランジスタのオン・オフ動作に応
   答して前記閃光放電管の発光動作を制御するストロボ装
   置であって、制限抵抗と第１昇圧コンデンサとを直列接
   続してなり、前記制限抵抗の一端を前記複数個のダイオ
   ードの内のアノードが閃光放電管のカソードと接続され
   る第１ダイオードの前記アノードに、他端を前記第１昇
   圧コンデンサを介して前記第１ダイオードのカソードに
   接続した第２直列接続体と、前記第１ダイオード以外の
   前記複数個のダイオードの個々のアノード〜カソード間
   に接続されるスイッチ素子と第２昇圧コンデンサとから
   なる少なくとも１個の直列体と、前記制限抵抗と前記第
   １昇圧コンデンサとの接続点および前記少なくとも１個
   の直列体における前記スイッチ素子と前記第２昇圧コン
   デンサとの接続点の夫々と前記絶縁ゲート型バイポーラ
   トランジスタのエミッタとの間に接続される複数個の逆
   流防止ダイオードと、前記第２昇圧コンデンサと接続さ
   れる前記スイッチ素子の制御極に接続されるゲート回路
   と、前記閃光放電管と前記第１ダイオードとの直列体と
   並列接続され、前記第１、第２昇圧コンデンサの前記複
   数のダイオードと接続された端子が高電位となるように
   充電する充電回路を前記逆流防止ダイオードと共に形成
   する充電路を含み、前記制限抵抗の抵抗値を、前記閃光
   放電管の発光を停止させる前記絶縁ゲート型バイポーラ
   トランジスタのオフ動作時に前記閃光放電管、制限抵抗
   および逆流防止ダイオードのループで流れようとする電
   流の値を、前記閃光放電管が放電を維持できない電流値
   に制御できる抵抗値であると共に、前記絶縁ゲート型バ
   イポーラトランジスタのオン動作時に行われる前記第
   １，第２昇圧コンデンサの充電電圧の前記閃光放電管の
   両端への印加動作により前記閃光放電管の両端電位を前
   記主コンデンサの充電電圧よりも高い電圧値に昇圧でき
   る抵抗値に制御することにより、前記第１，第２昇圧コ
   ンデンサの急速充電をイオン化状態時の前記閃光放電管
   および前記逆流防止ダイオードを介して行うと共に、前
   記第１，第２昇圧コンデンサの充電電圧の前記閃光放電
   管の両端への印加を前記制限抵抗およびスイッチ素子を
   介して行う昇圧手段を備えたストロボ装置。
8. 【請求項８】昇圧手段は、閃光放電管と絶縁ゲート型バ
   イポーラトランジスタとの間に接続された複数個のダイ
   オードにて形成される直列接続体と並列に、さらに制御
   ダイオードを接続してなる請求項７に記載のストロボ装
   置。
9. 【請求項９】昇圧手段は、複数個のダイオードにて形成
   される直列接続体と絶縁ゲート型バイポーラトランジス
   タとの間に接続される制御スイッチ素子を備え、さらに
   前記ダイオードと制御スイッチ素子にて形成される直列
   接続体と並列接続される制御ダイオードを備えてなる請
   求項７に記載のストロボ装置。