JPH09114106A - 電子写真有機感光体 - Google Patents
電子写真有機感光体Info
- Publication number
- JPH09114106A JPH09114106A JP27078495A JP27078495A JPH09114106A JP H09114106 A JPH09114106 A JP H09114106A JP 27078495 A JP27078495 A JP 27078495A JP 27078495 A JP27078495 A JP 27078495A JP H09114106 A JPH09114106 A JP H09114106A
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- JP
- Japan
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- electrophotographic
- exposure
- photoconductor
- surface potential
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プリンタやファクシミリなどの電子写真装置に
容易に装着でき、６００ｄｐｉの高解像度が可能な電子
写真有機感光体を提供する。 【解決手段】半導体レーザーまたは発光ダイオードアレ
イを露光々源とする電子写真装置に用いられる、導電性
基体上に電荷発生層と電荷輸送層とからなる有機感光層
を有する電子写真有機感光体において、前記感光体の光
減衰特性を、表面電位を−６００Ｖから−３００Ｖに到
達させるのに必要な露光量をＡμJ/cm 2 、表面電位を−
６００Ｖから−１００Ｖに到達させるのに必要な露光量
をＢμJ/cm2 とした場合、Ａは０．２５以上、０．４５
以下であり、さらに比率Ａ／Ｂが０．４０以上とする
容易に装着でき、６００ｄｐｉの高解像度が可能な電子
写真有機感光体を提供する。 【解決手段】半導体レーザーまたは発光ダイオードアレ
イを露光々源とする電子写真装置に用いられる、導電性
基体上に電荷発生層と電荷輸送層とからなる有機感光層
を有する電子写真有機感光体において、前記感光体の光
減衰特性を、表面電位を−６００Ｖから−３００Ｖに到
達させるのに必要な露光量をＡμJ/cm 2 、表面電位を−
６００Ｖから−１００Ｖに到達させるのに必要な露光量
をＢμJ/cm2 とした場合、Ａは０．２５以上、０．４５
以下であり、さらに比率Ａ／Ｂが０．４０以上とする
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光源が半導体レー
ザーまたは発光ダイオードアレイを露光々源とするプリ
ンターまたはファクシミリなどの電子写真装置に使用さ
れる電子写真感光体に関する。
ザーまたは発光ダイオードアレイを露光々源とするプリ
ンターまたはファクシミリなどの電子写真装置に使用さ
れる電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、特に電子写真有機感光体（以下、
感光体と記す）を装着した低、中速プリンターおよびフ
ァクシミリにおいて解像度の高度化が著しい。解像度の
高度化は、一般に感光体周辺のプロセス設計において、
半導体レーザーや発光ダイオード（以下、ＬＥＤと記
す）アレイ等を光源とする露光光束を絞り込んだり、現
像材およびトナーの粒径を小径化する等によって実現さ
れている。
感光体と記す）を装着した低、中速プリンターおよびフ
ァクシミリにおいて解像度の高度化が著しい。解像度の
高度化は、一般に感光体周辺のプロセス設計において、
半導体レーザーや発光ダイオード（以下、ＬＥＤと記
す）アレイ等を光源とする露光光束を絞り込んだり、現
像材およびトナーの粒径を小径化する等によって実現さ
れている。
【０００３】一方、感光体側では露光後の到達電位の高
低すなわち感度を調整することにより、解像度の高度化
に対応していた。感光体の感度の調整については、感光
層が電荷発生層と電荷輸送層とからなる機能分離型の積
層感光体では電荷発生層（以下、ＣＧＬと記す）に分散
されている電荷発生材料（以下、ＣＧＭと記す）の量を
調整することにより行うことが一般的である。具体的な
方法としては、ＣＧＬ中のＣＧＭと、その結着材の役目
を果たすバインダー樹脂との配合比を変化させること、
またはＣＧＬの膜厚を調整することによりなされてい
る。
低すなわち感度を調整することにより、解像度の高度化
に対応していた。感光体の感度の調整については、感光
層が電荷発生層と電荷輸送層とからなる機能分離型の積
層感光体では電荷発生層（以下、ＣＧＬと記す）に分散
されている電荷発生材料（以下、ＣＧＭと記す）の量を
調整することにより行うことが一般的である。具体的な
方法としては、ＣＧＬ中のＣＧＭと、その結着材の役目
を果たすバインダー樹脂との配合比を変化させること、
またはＣＧＬの膜厚を調整することによりなされてい
る。
【０００４】しかしながら、このような感度のみの調整
により解像度の高度化に対応することには限界がある。
解像度を高めるために感度を低くしていった場合には、
露光部の表面電位（以下、露光部電位と記す）は充分下
がらず、黒ベタ画像部（反転現像の場合の１００％露光
部）の印字濃度が低下する。また、次のような画像欠陥
が生ずることもある。感光層上の露光々源の１スポット
中の光強度は通常中央部で大きく、周縁部では小さい。
従って、感度を低くしていき、ある範囲の感度とした感
光体では、露光部電位がスポット中央では強い光強度に
対応して低くなるが、周縁では光強度が小さいので、電
位が充分下がらずに高いままとなることが起こる。この
ような感光体では、隣接して露光されるスポットは周縁
部が重なり合っているので、露光部電位が低い中央部で
は現像が十分で画像濃度は高く、露光部電位が高い周縁
部では現像が十分ではなく画像濃度が低くなり、連続し
た露光部には濃度ムラが刷毛目模様にみえる欠陥が発生
することがある。
により解像度の高度化に対応することには限界がある。
解像度を高めるために感度を低くしていった場合には、
露光部の表面電位（以下、露光部電位と記す）は充分下
がらず、黒ベタ画像部（反転現像の場合の１００％露光
部）の印字濃度が低下する。また、次のような画像欠陥
が生ずることもある。感光層上の露光々源の１スポット
中の光強度は通常中央部で大きく、周縁部では小さい。
従って、感度を低くしていき、ある範囲の感度とした感
光体では、露光部電位がスポット中央では強い光強度に
対応して低くなるが、周縁では光強度が小さいので、電
位が充分下がらずに高いままとなることが起こる。この
ような感光体では、隣接して露光されるスポットは周縁
部が重なり合っているので、露光部電位が低い中央部で
は現像が十分で画像濃度は高く、露光部電位が高い周縁
部では現像が十分ではなく画像濃度が低くなり、連続し
た露光部には濃度ムラが刷毛目模様にみえる欠陥が発生
することがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的は従来主として
感光体回りのプロセス設計側から行われていた解像度の
高度化を、感光体の設計側から取り組み解像度の高度化
に対応しうる感光体を提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的は従来主として
感光体回りのプロセス設計側から行われていた解像度の
高度化を、感光体の設計側から取り組み解像度の高度化
に対応しうる感光体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、半導体レーザーまたは発光ダイオードアレイを露光
々源とする電子写真装置に用いられる、導電性基体上に
電荷発生層と電荷輸送層とからなる有機感光層を有する
電子写真有機感光体において、前記感光体の光減衰特性
は、表面電位を−６００Ｖから−３００Ｖに到達させる
のに必要な露光量をＡμJ/cm2 、表面電位を−６００Ｖ
から−１００Ｖに到達させるのに必要な露光量をＢμJ/
cm2 とした場合、Ａは０．２５以上、０．４５以下であ
り、さらに比率Ａ／Ｂが０．４０以上であるものとす
る。
に、半導体レーザーまたは発光ダイオードアレイを露光
々源とする電子写真装置に用いられる、導電性基体上に
電荷発生層と電荷輸送層とからなる有機感光層を有する
電子写真有機感光体において、前記感光体の光減衰特性
は、表面電位を−６００Ｖから−３００Ｖに到達させる
のに必要な露光量をＡμJ/cm2 、表面電位を−６００Ｖ
から−１００Ｖに到達させるのに必要な露光量をＢμJ/
cm2 とした場合、Ａは０．２５以上、０．４５以下であ
り、さらに比率Ａ／Ｂが０．４０以上であるものとす
る。
【０００７】このような２つの量による、比率Ａ／Ｂが
ある値Ｋより大きいということは、一定の強度の光を露
光したときの光減衰曲線において、低い表面電位域にお
いても光減衰曲線は立っていることを示している。すな
わち、本発明の感光体を反転現像方式の電子写真装置に
装着したときに、露光量を少し変えるだけで、現像に必
要な低い露光部電位を得ることができる。
ある値Ｋより大きいということは、一定の強度の光を露
光したときの光減衰曲線において、低い表面電位域にお
いても光減衰曲線は立っていることを示している。すな
わち、本発明の感光体を反転現像方式の電子写真装置に
装着したときに、露光量を少し変えるだけで、現像に必
要な低い露光部電位を得ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】露光量Ａは半減衰露光量であり、
一般に用いられる特性値の範囲である。露光量Ｂは到達
表面電位−１００Ｖは、通常の有機感光体を用いた電子
写真プロセスに用いる露光部電位に略等しく、しばしば
用いられる特性である。所定の露光量Ａの値をもつ本発
明の感光体は従来技術に従って、電荷発生層中のＣＧＭ
を選択し、その濃度およびＣＧＬの厚さを適正に決める
ことによって得られる。この発明の露光量の比Ａ／Ｂの
所定値を有する感光体は、電荷輸送層中の電荷輸送材の
選択と濃度およびＣＧＬの厚さの適正化によって得られ
る。以下、実施例でこれを説明する。 実施例１ 直径３０φのアルミニウムシリンダー上に、６／６６／
６１０共重合ナイロン（東レ（株）製、アミランＣＭ−
８０００）５重量部、メタノール（和光純薬工業（株）
製 特級）９５重量部を攪拌・溶解した塗布液中に浸積
し５mm/sの早さで引き上げ、８０℃の乾燥炉で３０分間
乾燥させ下引き層を作製した。下引き層の膜厚は０．５
μｍであった。次にメタルフリーフタロシアニン（大日
本インキ化学工業（株）製、FASTGEN BLUE 8120B）１重
量部、ブチラール樹脂（積水化学（株）製、ＢＭ−２）
１重量部、ジクロルメタン（和光純薬工業（株）製、特
級）９８重量部をダイノーミルにより分散させた塗液に
浸漬し、１５mm/sの早さで引き上げ、８０℃の乾燥炉で
３０分間乾燥させＣＧＬ層を作製した。ＣＧＬ層の膜厚
は約０．１５μｍであった。次に、化学式（１）に示す
電荷移動材（（株）アナン製、H-14-4）１０重量部、ビ
スフェノールＡ型ポリカーボネート樹脂（帝人化成
（株）製、パンライトL-1250）１０重量部、ブチルヒド
ロキシトルエン（和光純薬工業（株）製、ＢＨＴ）０．
５重量部、ジクロルメタン（和光純薬工業（株）製、特
級）８５重量部からなる塗布液中に浸積塗工し、８０℃
の乾燥炉で２時間乾燥させＣＴＬ層を作製し感光体を作
製した。ＣＴＬ膜厚は１５μｍとした。
一般に用いられる特性値の範囲である。露光量Ｂは到達
表面電位−１００Ｖは、通常の有機感光体を用いた電子
写真プロセスに用いる露光部電位に略等しく、しばしば
用いられる特性である。所定の露光量Ａの値をもつ本発
明の感光体は従来技術に従って、電荷発生層中のＣＧＭ
を選択し、その濃度およびＣＧＬの厚さを適正に決める
ことによって得られる。この発明の露光量の比Ａ／Ｂの
所定値を有する感光体は、電荷輸送層中の電荷輸送材の
選択と濃度およびＣＧＬの厚さの適正化によって得られ
る。以下、実施例でこれを説明する。 実施例１ 直径３０φのアルミニウムシリンダー上に、６／６６／
６１０共重合ナイロン（東レ（株）製、アミランＣＭ−
８０００）５重量部、メタノール（和光純薬工業（株）
製 特級）９５重量部を攪拌・溶解した塗布液中に浸積
し５mm/sの早さで引き上げ、８０℃の乾燥炉で３０分間
乾燥させ下引き層を作製した。下引き層の膜厚は０．５
μｍであった。次にメタルフリーフタロシアニン（大日
本インキ化学工業（株）製、FASTGEN BLUE 8120B）１重
量部、ブチラール樹脂（積水化学（株）製、ＢＭ−２）
１重量部、ジクロルメタン（和光純薬工業（株）製、特
級）９８重量部をダイノーミルにより分散させた塗液に
浸漬し、１５mm/sの早さで引き上げ、８０℃の乾燥炉で
３０分間乾燥させＣＧＬ層を作製した。ＣＧＬ層の膜厚
は約０．１５μｍであった。次に、化学式（１）に示す
電荷移動材（（株）アナン製、H-14-4）１０重量部、ビ
スフェノールＡ型ポリカーボネート樹脂（帝人化成
（株）製、パンライトL-1250）１０重量部、ブチルヒド
ロキシトルエン（和光純薬工業（株）製、ＢＨＴ）０．
５重量部、ジクロルメタン（和光純薬工業（株）製、特
級）８５重量部からなる塗布液中に浸積塗工し、８０℃
の乾燥炉で２時間乾燥させＣＴＬ層を作製し感光体を作
製した。ＣＴＬ膜厚は１５μｍとした。
【０００９】
【化１】
【００１０】実施例２ 電荷発生層までは実施例１と同じとし電荷移動層を変え
た。電荷移動材として化学式（２）に示す物質（（株）
アナン製、CTC-191 ）５重量部および化学式（３）に示
す物質（（株）アナン製、T-405 ）５重量部を使用した
以外は実施例１と同様に感光体を作製した。ＣＴＬ膜厚
は２０μｍとした。
た。電荷移動材として化学式（２）に示す物質（（株）
アナン製、CTC-191 ）５重量部および化学式（３）に示
す物質（（株）アナン製、T-405 ）５重量部を使用した
以外は実施例１と同様に感光体を作製した。ＣＴＬ膜厚
は２０μｍとした。
【００１１】
【化２】
【００１２】
【化３】
【００１３】比較例１ 実施例１において、ＣＴＬ膜厚を２０μｍとした感光体
を作製した。 比較例２ 実施例１において、ＣＧＬは塗布速度を６mm/sとし、膜
厚を約０．１μｍに変え、ＣＴＬ膜厚を２０μｍとした
感光体を作製した。
を作製した。 比較例２ 実施例１において、ＣＧＬは塗布速度を６mm/sとし、膜
厚を約０．１μｍに変え、ＣＴＬ膜厚を２０μｍとした
感光体を作製した。
【００１４】実施例１、２および比較例１、２に示す手
順により作製した感光体について、光減衰特性を測定し
た。図１は、感光体の評価装置の模式図である。感光体
の感光体１を矢印の方向に一定速度で回転させながら、
帯電器２により感光層に−６００Ｖの帯電を行ったあ
と、回転を停止し、フィルタ４３（東芝硝子（株）製、
ＫＬ−７８およびＲ−６３）を透過したランプ４１（ウ
シオ電機（株）製、ハロゲンランプ）の一定強度の光を
シャッター４２を開いて露光した。この光は表面電位計
３（モンロー製、表面電位計、Model 144 ）の光透過型
のプローブ３１を通過して感光層表面に露光される。一
定時間経過後感光体を再び回転しフィルタ７２を透過し
た除電ランプ７１の除電光（光源はフィルタを被せた蛍
光灯）を照射し表面電位を０にする。
順により作製した感光体について、光減衰特性を測定し
た。図１は、感光体の評価装置の模式図である。感光体
の感光体１を矢印の方向に一定速度で回転させながら、
帯電器２により感光層に−６００Ｖの帯電を行ったあ
と、回転を停止し、フィルタ４３（東芝硝子（株）製、
ＫＬ−７８およびＲ−６３）を透過したランプ４１（ウ
シオ電機（株）製、ハロゲンランプ）の一定強度の光を
シャッター４２を開いて露光した。この光は表面電位計
３（モンロー製、表面電位計、Model 144 ）の光透過型
のプローブ３１を通過して感光層表面に露光される。一
定時間経過後感光体を再び回転しフィルタ７２を透過し
た除電ランプ７１の除電光（光源はフィルタを被せた蛍
光灯）を照射し表面電位を０にする。
【００１５】光減衰特性は、一般に用いられる表面電位
が−６００Ｖから−３００Ｖとなるときの露光量（半減
衰露光量であり、Ａとする）および−１００Ｖとなると
きの露光量（Ｂとする）で表した。 露光量Ａ、Ｂおよ
びその比（Ａ／Ｂ）を表１に示す。
が−６００Ｖから−３００Ｖとなるときの露光量（半減
衰露光量であり、Ａとする）および−１００Ｖとなると
きの露光量（Ｂとする）で表した。 露光量Ａ、Ｂおよ
びその比（Ａ／Ｂ）を表１に示す。
【００１６】
【表１】 また、各感光体を市販のレーザープリンター（２成分現
像方式、光源：半導体レーザー、波長：７８０nm）に装
着し、黒ベタ画像および解像度評価用パターン（ 300 d
piおよび600 dpi ）の画像をプリントし、黒ベタ画像
（ＩＤ：imagingdensity 、印字濃度で評価）、および
解像度に対する画像について目視評価を行った。評価結
果を表２に示す。○は良好、△はやや不良、×は不良で
ある。
像方式、光源：半導体レーザー、波長：７８０nm）に装
着し、黒ベタ画像および解像度評価用パターン（ 300 d
piおよび600 dpi ）の画像をプリントし、黒ベタ画像
（ＩＤ：imagingdensity 、印字濃度で評価）、および
解像度に対する画像について目視評価を行った。評価結
果を表２に示す。○は良好、△はやや不良、×は不良で
ある。
【００１７】
【表２】 表１および表２から、２つの露光量の比率が０．３８以
上である様な、低電位域でも光減衰曲線の傾きが大きな
特性を有する感光体は、６００ｄｐｉに対応する解像度
パターンを静電潜像通り顕在化出来、更に黒ベタ画像も
高濃度で、均一に得ることができることが判る。
上である様な、低電位域でも光減衰曲線の傾きが大きな
特性を有する感光体は、６００ｄｐｉに対応する解像度
パターンを静電潜像通り顕在化出来、更に黒ベタ画像も
高濃度で、均一に得ることができることが判る。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、有機感光体の光減衰曲
線を１００V 付近の低電位域でも比較的立っているよう
にしたため、通常のプリンタやファクシミリ等の電子写
真装置において、６００ｄｐｉに対応する解像度パター
ンを静電潜像通り顕在化出来、更に黒ベタ画像も均一に
得ることができる。
線を１００V 付近の低電位域でも比較的立っているよう
にしたため、通常のプリンタやファクシミリ等の電子写
真装置において、６００ｄｐｉに対応する解像度パター
ンを静電潜像通り顕在化出来、更に黒ベタ画像も均一に
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子写真特性の評価装置の模式図
１ 感光体 ２ 帯電器 ３ 表面電位計 ３１ プローブ ４１ ランプ ４２ シャッタ ４３ フィルタ ５１ 除電ランプ ５２ フィルタ ６ データ処理装置
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザーまたは発光ダイオードアレ
イを露光々源とする電子写真装置に用いられる、導電性
基体上に電荷発生層と電荷輸送層とからなる有機感光層
を有する電子写真有機感光体において、前記感光体の光
減衰特性は、表面電位を−６００Ｖから−３００Ｖに到
達させるのに必要な露光量をＡμJ/cm 2 、表面電位を−
６００Ｖから−１００Ｖに到達させるのに必要な露光量
をＢμJ/cm2 とした場合、Ａは０．２５以上、０．４５
以下であり、さらに比率Ａ／Ｂが０．４０以上であるこ
とを特徴とする電子写真有機感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27078495A JPH09114106A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 電子写真有機感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27078495A JPH09114106A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 電子写真有機感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09114106A true JPH09114106A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17490956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27078495A Pending JPH09114106A (ja) | 1995-10-19 | 1995-10-19 | 電子写真有機感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09114106A (ja) |
-
1995
- 1995-10-19 JP JP27078495A patent/JPH09114106A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20031225 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040525 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040723 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |