JPH09106766A - 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法Info
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- JPH09106766A JPH09106766A JP7286325A JP28632595A JPH09106766A JP H09106766 A JPH09106766 A JP H09106766A JP 7286325 A JP7286325 A JP 7286325A JP 28632595 A JP28632595 A JP 28632595A JP H09106766 A JPH09106766 A JP H09106766A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保護層が、膜強度、密着性、透明性、保護作
用等の優れた膜特性を有し、更にその膜を使用した場合
に放電開始電圧や駆動電圧(消費電力)の低下が図られ
る交流型プラズマディスプレイを提供すること。 【解決手段】 ガス放電空間を挟んで背面基板と前面基
板が対向配置され、一方の基板又は両方の基板には、誘
電体層に覆われた互いに対となる電極が形成されると共
に、誘電体層の上には保護層が形成されている交流型プ
ラズマディスプレイにおいて、前記保護層が粒子径5〜
100nmの範囲の酸化マグネシウムの粒状の粒子から
構成された連続膜であることを特徴とする交流型プラズ
マディスプレイ、及びその製造方法。
用等の優れた膜特性を有し、更にその膜を使用した場合
に放電開始電圧や駆動電圧(消費電力)の低下が図られ
る交流型プラズマディスプレイを提供すること。 【解決手段】 ガス放電空間を挟んで背面基板と前面基
板が対向配置され、一方の基板又は両方の基板には、誘
電体層に覆われた互いに対となる電極が形成されると共
に、誘電体層の上には保護層が形成されている交流型プ
ラズマディスプレイにおいて、前記保護層が粒子径5〜
100nmの範囲の酸化マグネシウムの粒状の粒子から
構成された連続膜であることを特徴とする交流型プラズ
マディスプレイ、及びその製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、交流型プラズマデ
ィスプレイ及びその製造方法に関し、特に誘電体層の表
面に形成する保護層の形成技術に関する。
ィスプレイ及びその製造方法に関し、特に誘電体層の表
面に形成する保護層の形成技術に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、CRTに代わるフラットパネルデ
ィスプレイの研究開発が活発に行われている。その中
で、放電に伴う発光現象をディスプレイに利用する、い
わゆるプラズマディスプレイは、電極(主としてIT
O)の構造から、放電空間に金属電極が露出している直
流型と、金属電極が誘電体層で覆われている交流型とに
大別され、後者の交流型プラズマディスプレイでは、真
空系を用いた薄膜プロセスとスクリーン印刷法による厚
膜プロセスの両方を用いることにより、一部実用化も始
まっている。
ィスプレイの研究開発が活発に行われている。その中
で、放電に伴う発光現象をディスプレイに利用する、い
わゆるプラズマディスプレイは、電極(主としてIT
O)の構造から、放電空間に金属電極が露出している直
流型と、金属電極が誘電体層で覆われている交流型とに
大別され、後者の交流型プラズマディスプレイでは、真
空系を用いた薄膜プロセスとスクリーン印刷法による厚
膜プロセスの両方を用いることにより、一部実用化も始
まっている。
【0003】このプラズマディスプレイを大画面のカラ
ーテレビに用いる場合には、高輝度化を図るうえでメモ
リー機能を有することが必要であり、その点においては
交流型プラズマディスプレイは、誘電体層上の保護層に
蓄積された電荷に起因するメモリー機能を本質的に有す
るため、大型化に対応可能な方式と考えられている。保
護層材料としては、2次電子放出効率が高く、耐スパッ
タ性に優れた酸化マグネシウムが用いられており、現在
ではフルカラーの交流型プラズマディスプレイにおいて
1.5万時間の寿命を達成し、対角21インチのパネル
が市販されるに至っている。
ーテレビに用いる場合には、高輝度化を図るうえでメモ
リー機能を有することが必要であり、その点においては
交流型プラズマディスプレイは、誘電体層上の保護層に
蓄積された電荷に起因するメモリー機能を本質的に有す
るため、大型化に対応可能な方式と考えられている。保
護層材料としては、2次電子放出効率が高く、耐スパッ
タ性に優れた酸化マグネシウムが用いられており、現在
ではフルカラーの交流型プラズマディスプレイにおいて
1.5万時間の寿命を達成し、対角21インチのパネル
が市販されるに至っている。
【0004】この保護層の形成方法は、薄膜法としてE
B蒸着法、スパッタ法、CVD法等(特公昭60−42
579号公報、特公昭63−59221号公報)があ
り、厚膜法として、酸化マグネシウム原料である塩基性
炭酸マグネシウムをスプレーコート法により基板上に厚
膜を形成した後、焼成して金属酸化物とする方法(特公
昭57−13983号公報)や、酸化マグネシウム微粉
末を、焼成後に酸化物となる液体バインダーに分散さ
せ、酸化マグネシウム含有膜とする方法(特公平6−2
83020号公報)も考えられていた。
B蒸着法、スパッタ法、CVD法等(特公昭60−42
579号公報、特公昭63−59221号公報)があ
り、厚膜法として、酸化マグネシウム原料である塩基性
炭酸マグネシウムをスプレーコート法により基板上に厚
膜を形成した後、焼成して金属酸化物とする方法(特公
昭57−13983号公報)や、酸化マグネシウム微粉
末を、焼成後に酸化物となる液体バインダーに分散さ
せ、酸化マグネシウム含有膜とする方法(特公平6−2
83020号公報)も考えられていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記各方法のうち、E
B蒸着法やスパッタ法、CVD法等の真空プロセスを用
いた方法は、プラズマディスプレイのような大きなパネ
ル基板を真空チャンバー内に収容するのは困難であり、
大画面化を想定した場合、設備費や生産性の点で問題が
あった。
B蒸着法やスパッタ法、CVD法等の真空プロセスを用
いた方法は、プラズマディスプレイのような大きなパネ
ル基板を真空チャンバー内に収容するのは困難であり、
大画面化を想定した場合、設備費や生産性の点で問題が
あった。
【0006】又、厚膜法は、手軽な方法であることから
鋭意検討がなされてきたが、満足できる性能を達成する
には至っていなかった。その理由としては、市販された
酸化マグネシウム粒子は凝集性が高く、液媒体中への分
散が困難であり、均一性の高い保護層が得られないこ
と、そのために通常の熱処理プロセスでは、形成される
酸化マグネシウム膜が、膜強度、密着性、透明性等にお
いて不十分であること、又、膜の焼成時に膜に亀裂が生
じること等である。従って、このような保護層を用いた
場合、本来の誘電体層の保護膜としての機能を十分に発
揮することができない。
鋭意検討がなされてきたが、満足できる性能を達成する
には至っていなかった。その理由としては、市販された
酸化マグネシウム粒子は凝集性が高く、液媒体中への分
散が困難であり、均一性の高い保護層が得られないこ
と、そのために通常の熱処理プロセスでは、形成される
酸化マグネシウム膜が、膜強度、密着性、透明性等にお
いて不十分であること、又、膜の焼成時に膜に亀裂が生
じること等である。従って、このような保護層を用いた
場合、本来の誘電体層の保護膜としての機能を十分に発
揮することができない。
【0007】又、ペースト中に分散している酸化マグネ
シウム粒子自体の粒子径が大きく、ペースト自体の粘度
も大きいため、保護層の薄膜化が困難となり、これに伴
って放電開始電圧や駆動電圧の低電圧化を充分に達成で
きないという問題も生じた。本発明は、上記事情に鑑み
てなされたものであって、従来技術が有していた前述の
欠点を解消し、真空系プロセスに見られるような高価な
設備を必要とせずに大面積のパネル上に成膜することが
でき、又、その膜は膜強度、密着性、透明性、保護作用
等の優れた膜特性を有し、更にその膜を使用した場合に
放電開始電圧や駆動電圧(消費電力)の低下が図られる
交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
シウム粒子自体の粒子径が大きく、ペースト自体の粘度
も大きいため、保護層の薄膜化が困難となり、これに伴
って放電開始電圧や駆動電圧の低電圧化を充分に達成で
きないという問題も生じた。本発明は、上記事情に鑑み
てなされたものであって、従来技術が有していた前述の
欠点を解消し、真空系プロセスに見られるような高価な
設備を必要とせずに大面積のパネル上に成膜することが
でき、又、その膜は膜強度、密着性、透明性、保護作用
等の優れた膜特性を有し、更にその膜を使用した場合に
放電開始電圧や駆動電圧(消費電力)の低下が図られる
交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の本発明
によって達成される。即ち、本発明は、ガス放電空間を
挟んで背面基板と前面基板が対向配置され、一方の基板
又は両方の基板には、誘電体層に覆われた互いに対とな
る電極が形成されると共に、誘電体層の上には保護層が
形成されている交流型プラズマディスプレイにおいて、
前記保護層が粒子径5〜100nmの範囲の酸化マグネ
シウムの粒状の微粒子から構成された連続膜であること
を特徴とする交流型プラズマディスプレイ、及びその製
造方法である。
によって達成される。即ち、本発明は、ガス放電空間を
挟んで背面基板と前面基板が対向配置され、一方の基板
又は両方の基板には、誘電体層に覆われた互いに対とな
る電極が形成されると共に、誘電体層の上には保護層が
形成されている交流型プラズマディスプレイにおいて、
前記保護層が粒子径5〜100nmの範囲の酸化マグネ
シウムの粒状の微粒子から構成された連続膜であること
を特徴とする交流型プラズマディスプレイ、及びその製
造方法である。
【0009】上記本発明によれば、交流型プラズマディ
スプレイにおける保護層を特定の粒子径の酸化マグネシ
ウム微粒子から形成することによって、真空系プロセス
に見られるような高価な設備を必要とせずに大面積のパ
ネル上に成膜することができ、又、その膜は膜強度、密
着性、透明性、保護作用等の優れた膜特性を有し、更に
その膜を使用した場合に放電開始電圧や駆動電圧(消費
電力)の低下が図られる交流型プラズマディスプレイが
提供される。
スプレイにおける保護層を特定の粒子径の酸化マグネシ
ウム微粒子から形成することによって、真空系プロセス
に見られるような高価な設備を必要とせずに大面積のパ
ネル上に成膜することができ、又、その膜は膜強度、密
着性、透明性、保護作用等の優れた膜特性を有し、更に
その膜を使用した場合に放電開始電圧や駆動電圧(消費
電力)の低下が図られる交流型プラズマディスプレイが
提供される。
【0010】
【発明の実施の形態】次に図面に示す実施の形態を挙げ
て本発明を更に詳しく説明する。図1は、本発明を適用
した好ましい実施例の面放電方式の交流型プラズマディ
スプレイの概略構造を示す図である。図1において、符
号1、2は、それぞれガス放電空間3を挟んで互いに平
行に対向配置された前面基板及び背面基板である。これ
らの前面基板1と背面基板2とは所定厚さのガラスから
構成されている。
て本発明を更に詳しく説明する。図1は、本発明を適用
した好ましい実施例の面放電方式の交流型プラズマディ
スプレイの概略構造を示す図である。図1において、符
号1、2は、それぞれガス放電空間3を挟んで互いに平
行に対向配置された前面基板及び背面基板である。これ
らの前面基板1と背面基板2とは所定厚さのガラスから
構成されている。
【0011】背面基板2に対向する前面基板1の面に
は、X電極4a及びY電極4bからなる電極対が形成さ
れている。これら電極対はガラス製の誘電体層5で被覆
されており、更にこの誘電体層5は、後に詳述するマグ
ネシウム複合水酸化物の微粒子を有機溶媒中に分散させ
たゾル溶液を塗布し、乾燥及び焼成して形成された酸化
マグネシウム膜からなる保護層6で被覆されている。
又、前面基板1に対向する背面基板2の面には、アドレ
ス電極7、障壁8及び蛍光体層9が形成されている。更
に、必要に応じて前面基板1上には反射防止層として、
例えば、二酸化チタン膜(高屈折率層)10、及び二酸
化ケイ素膜(低屈折率層)11が形成されている。
は、X電極4a及びY電極4bからなる電極対が形成さ
れている。これら電極対はガラス製の誘電体層5で被覆
されており、更にこの誘電体層5は、後に詳述するマグ
ネシウム複合水酸化物の微粒子を有機溶媒中に分散させ
たゾル溶液を塗布し、乾燥及び焼成して形成された酸化
マグネシウム膜からなる保護層6で被覆されている。
又、前面基板1に対向する背面基板2の面には、アドレ
ス電極7、障壁8及び蛍光体層9が形成されている。更
に、必要に応じて前面基板1上には反射防止層として、
例えば、二酸化チタン膜(高屈折率層)10、及び二酸
化ケイ素膜(低屈折率層)11が形成されている。
【0012】図2は、本発明を適用した対向放電方式の
交流型プラズマディスプレイの概略構造を示す図であ
る。図2において、背面基板2に対向する前面基板1の
面には、X電極4aが形成され、該X電極4aはガラス
製の誘電体層5で被覆されており、更にこの誘電体層5
は、後述するゾル溶液から形成された酸化マグネシウム
からなる保護層6で被覆されている。又、前面基板1に
対向する背面基板2の面には、Y電極4b、誘電体層
5、前記と同様にして形成された保護層6、及び障壁8
と蛍光体層9が形成されている。更に、必要に応じて前
面基板1上には反射防止膜層として、例えば、二酸化チ
タン膜(高屈折率層)10、及び二酸化ケイ素膜(低屈
折率層)11が形成されている。
交流型プラズマディスプレイの概略構造を示す図であ
る。図2において、背面基板2に対向する前面基板1の
面には、X電極4aが形成され、該X電極4aはガラス
製の誘電体層5で被覆されており、更にこの誘電体層5
は、後述するゾル溶液から形成された酸化マグネシウム
からなる保護層6で被覆されている。又、前面基板1に
対向する背面基板2の面には、Y電極4b、誘電体層
5、前記と同様にして形成された保護層6、及び障壁8
と蛍光体層9が形成されている。更に、必要に応じて前
面基板1上には反射防止膜層として、例えば、二酸化チ
タン膜(高屈折率層)10、及び二酸化ケイ素膜(低屈
折率層)11が形成されている。
【0013】次に本発明を主として特徴づけ、本発明の
プラズマディスプレイの保護層を形成するためのゾル溶
液について説明する。本発明で使用するゾル溶液は、多
価アルコール又はその誘導体と結合したマグネシウム水
酸化物の微粒子(マグネシウム複合水酸化物微粒子)
を、少なくとも1個の水酸基を有する有機化合物、又は
これをを含む有機溶媒中に分散させたゾル溶液である。
上記マグネシウム複合水酸化物微粒子は、水の存在下に
おいてマグネシウム水酸化物となるマグネシウム化合物
を、水と多価アルコール又はその誘導体中において、適
当な触媒によってマグネシウム水酸化物に加水分解する
ことによって生じ、これをその生成媒体から取り出すこ
とによって得られる。
プラズマディスプレイの保護層を形成するためのゾル溶
液について説明する。本発明で使用するゾル溶液は、多
価アルコール又はその誘導体と結合したマグネシウム水
酸化物の微粒子(マグネシウム複合水酸化物微粒子)
を、少なくとも1個の水酸基を有する有機化合物、又は
これをを含む有機溶媒中に分散させたゾル溶液である。
上記マグネシウム複合水酸化物微粒子は、水の存在下に
おいてマグネシウム水酸化物となるマグネシウム化合物
を、水と多価アルコール又はその誘導体中において、適
当な触媒によってマグネシウム水酸化物に加水分解する
ことによって生じ、これをその生成媒体から取り出すこ
とによって得られる。
【0014】マグネシウム複合水酸化物微粒子の調製例
の1例を以下に示す。 表1:マグネシウム複合水酸化物微粒子の調製例 純水 50重量部 エチレングリコール 150重量部 酢酸マグネシウム(四水和物) 21重量部 アンモニア水(28容量%) 6重量部 上記表1に示すような組成物を含む混合溶液を1時間、
常温で撹拌することによりマグネシウム複合水酸化物が
生成する。これを適当な方法でその生成媒体から分離し
てマグネシウム複合水酸化物の粒状の微粒子が得られ
る。
の1例を以下に示す。 表1:マグネシウム複合水酸化物微粒子の調製例 純水 50重量部 エチレングリコール 150重量部 酢酸マグネシウム(四水和物) 21重量部 アンモニア水(28容量%) 6重量部 上記表1に示すような組成物を含む混合溶液を1時間、
常温で撹拌することによりマグネシウム複合水酸化物が
生成する。これを適当な方法でその生成媒体から分離し
てマグネシウム複合水酸化物の粒状の微粒子が得られ
る。
【0015】以上の例は1例であり、一般的には、使用
するマグネシウム化合物は、水の存在下にマグネシウム
水酸化物を生じるマグネシウム化合物であれば、いかな
るマグネシウム化合物でもよい。又、マグネシウム化合
物100重量部当たり、多価アルコール又はその誘導体
を約50〜950重量部及び水を約25〜1500重量
部の割合で使用し、適当な触媒によりマグネシウム化合
物を加水分解する。又、触媒は、マグネシウム化合物の
加水分解を促進するものであればいかなるものでもよ
く、例えば、マグネシウム化合物がマグネシウム塩であ
る場合、塩基性化合物が用いられ、マグネシウム化合物
1当量に対して等量以上、好ましくは1〜5当量程度使
用する。この触媒が上記例のようにアンモニア水の如く
水溶液である場合には、アンモニア水溶液中の水分は上
記表における水として使用することができる。
するマグネシウム化合物は、水の存在下にマグネシウム
水酸化物を生じるマグネシウム化合物であれば、いかな
るマグネシウム化合物でもよい。又、マグネシウム化合
物100重量部当たり、多価アルコール又はその誘導体
を約50〜950重量部及び水を約25〜1500重量
部の割合で使用し、適当な触媒によりマグネシウム化合
物を加水分解する。又、触媒は、マグネシウム化合物の
加水分解を促進するものであればいかなるものでもよ
く、例えば、マグネシウム化合物がマグネシウム塩であ
る場合、塩基性化合物が用いられ、マグネシウム化合物
1当量に対して等量以上、好ましくは1〜5当量程度使
用する。この触媒が上記例のようにアンモニア水の如く
水溶液である場合には、アンモニア水溶液中の水分は上
記表における水として使用することができる。
【0016】マグネシウム化合物については、表中の酢
酸マグネシウムの代わりに、例えば、塩化マグネシウ
ム、硝酸マグネシウム、硫酸マグネシウムに代表される
強酸マグネシウム塩、又は燐酸マグネシウム、燐酸水素
マグネシウム、燐酸二水素マグネシウム、炭酸マグネシ
ウム、クエン酸マグネシウム、クエン酸水素マグネシウ
ム、ギ酸マグネシウムに代表される弱酸マグネシウム
塩、或いはステアリン酸マグネシウム、ミリスチン酸マ
グネシウムに代表されるような脂肪族カルボン酸マグネ
シウム塩を用いてもよい。
酸マグネシウムの代わりに、例えば、塩化マグネシウ
ム、硝酸マグネシウム、硫酸マグネシウムに代表される
強酸マグネシウム塩、又は燐酸マグネシウム、燐酸水素
マグネシウム、燐酸二水素マグネシウム、炭酸マグネシ
ウム、クエン酸マグネシウム、クエン酸水素マグネシウ
ム、ギ酸マグネシウムに代表される弱酸マグネシウム
塩、或いはステアリン酸マグネシウム、ミリスチン酸マ
グネシウムに代表されるような脂肪族カルボン酸マグネ
シウム塩を用いてもよい。
【0017】又、表1において、マグネシウム複合水酸
化物微粒子を形成し、且つ溶媒を兼ねるエチレングリコ
ールは、多価アルコール又はその誘導体の1例であり、
このエチレングリコールの代わりに、例えば、ジエチレ
ングリコール、2−メトキシエタノール、2−エトキシ
エタノール、トリエチレングリコールに代表される2価
のアルコール及びその誘導体、或いはグリセリンに代表
されるような3価以上の多価アルコール、これらの混合
液、更にはこれらを含む有機溶媒を用いてもよい。溶媒
としての水は、マグネシウム複合水酸化物の微粒子を生
成する上で不可欠な物質であるが、アンモニア水中に含
まれる水を利用することを前提として特に添加しなくて
もよい場合があることはいうまでもない。
化物微粒子を形成し、且つ溶媒を兼ねるエチレングリコ
ールは、多価アルコール又はその誘導体の1例であり、
このエチレングリコールの代わりに、例えば、ジエチレ
ングリコール、2−メトキシエタノール、2−エトキシ
エタノール、トリエチレングリコールに代表される2価
のアルコール及びその誘導体、或いはグリセリンに代表
されるような3価以上の多価アルコール、これらの混合
液、更にはこれらを含む有機溶媒を用いてもよい。溶媒
としての水は、マグネシウム複合水酸化物の微粒子を生
成する上で不可欠な物質であるが、アンモニア水中に含
まれる水を利用することを前提として特に添加しなくて
もよい場合があることはいうまでもない。
【0018】更に、このアンモニア水中のアンモニア
は、水酸化マグネシウムの生成を促進させる触媒として
の機能を担うが、このアンモニアの代わりに、酢酸アン
モニウム、アミド硫酸アンモニウム、炭酸アンモニウ
ム、炭酸水素アンモニウム、硼酸アンモニウム、クエン
酸二アンモニウム、燐酸二水素アンモニウム、燐酸水素
二アンモニウム、燐酸三アンモニウム、ギ酸アンモニウ
ム、酒石酸アンモニウムに代表される各種アンモニウム
塩、又はヒドロキシルアミン、エタノールアミン、メタ
ノールアミンに代表されるアミン類を用いてもよい。
は、水酸化マグネシウムの生成を促進させる触媒として
の機能を担うが、このアンモニアの代わりに、酢酸アン
モニウム、アミド硫酸アンモニウム、炭酸アンモニウ
ム、炭酸水素アンモニウム、硼酸アンモニウム、クエン
酸二アンモニウム、燐酸二水素アンモニウム、燐酸水素
二アンモニウム、燐酸三アンモニウム、ギ酸アンモニウ
ム、酒石酸アンモニウムに代表される各種アンモニウム
塩、又はヒドロキシルアミン、エタノールアミン、メタ
ノールアミンに代表されるアミン類を用いてもよい。
【0019】前述のようにして生成したマグネシウム複
合水酸化物を含む混合溶液から、マグネシウム複合水酸
化物を分離する方法は特に限定されず、例えば、濾過、
デカンテーション、遠心分離等、任意の方法でよい。
尚、前記表1において生成したマグネシウム複合水酸化
物微粒子の分離には、冷却遠心分離装置((株)久保田
製作所製 モデル7930)を用いた。
合水酸化物を含む混合溶液から、マグネシウム複合水酸
化物を分離する方法は特に限定されず、例えば、濾過、
デカンテーション、遠心分離等、任意の方法でよい。
尚、前記表1において生成したマグネシウム複合水酸化
物微粒子の分離には、冷却遠心分離装置((株)久保田
製作所製 モデル7930)を用いた。
【0020】以上の如くして得られたマグネシウム複合
水酸化物微粒子は、少なくとも1個の水酸基を有する有
機化合物、又はこれを少なくとも1種含む有機溶媒中に
分散させて本発明で使用するゾル溶液を得る。マグネシ
ウム複合水酸化物に対する有機溶媒の使用量は任意に設
定可能であるが、このパラメーター設定値により塗布膜
厚が制御されるので注意を要する。例えば、得られるゾ
ル溶液の塗布適性を考慮して、分散媒体である有機溶媒
はマグネシウム複合水酸化物100重量部当たり100
〜500重量部の割合で使用することが好ましい。固形
分が低過ぎると、緻密で且つ連続した保護層が形成され
にくく、又、固形分が高過ぎると、複合微粒子の凝集沈
澱が生じたり、形成される保護層の均一性が低下する傾
向にあるので好ましくない。ゾル溶液の1例を下記表2
に示す。
水酸化物微粒子は、少なくとも1個の水酸基を有する有
機化合物、又はこれを少なくとも1種含む有機溶媒中に
分散させて本発明で使用するゾル溶液を得る。マグネシ
ウム複合水酸化物に対する有機溶媒の使用量は任意に設
定可能であるが、このパラメーター設定値により塗布膜
厚が制御されるので注意を要する。例えば、得られるゾ
ル溶液の塗布適性を考慮して、分散媒体である有機溶媒
はマグネシウム複合水酸化物100重量部当たり100
〜500重量部の割合で使用することが好ましい。固形
分が低過ぎると、緻密で且つ連続した保護層が形成され
にくく、又、固形分が高過ぎると、複合微粒子の凝集沈
澱が生じたり、形成される保護層の均一性が低下する傾
向にあるので好ましくない。ゾル溶液の1例を下記表2
に示す。
【0021】 表2:ゾル溶液の調製例 マグネシウム複合水酸化物 5重量部 エタノール 10重量部 複合水酸化物の分散方法は、単なる撹拌、強制撹拌、ボ
ールミル、サンドミル、超音波分散等の慣用の分散手段
でよく、これらの分散手段によって容易に均一なゾル溶
液が得られる。尚、表2における組成物の分散は、超音
波装置(日本精機(株)製 MODEL US-300T)を用い
た。
ールミル、サンドミル、超音波分散等の慣用の分散手段
でよく、これらの分散手段によって容易に均一なゾル溶
液が得られる。尚、表2における組成物の分散は、超音
波装置(日本精機(株)製 MODEL US-300T)を用い
た。
【0022】ゾル溶液の分散媒体としての上記エタノー
ルは一例であって、少なくとも1個の水酸基を有する化
合物であればよい。例えば、上記エタノールに代えて、
メタノール、n−プロピルアルコール、i−プロピルア
ルコール、1−ブタノール、2−ブタノールに代表され
る1価のアルコール、又はエチレングリコール、ジエチ
レングリコール、2−メトキシエタノール、2−エトキ
シエタノール、トリエチレングリコールに代表される2
価のアルコール及びその誘導体、或いはグリセリンに代
表されるような3価以上の多価アルコール、そして更に
これらの混合溶媒、或いはこれらの水酸基含有有機溶媒
の少なくとも1種を含む有機溶媒を用いてもよい。
ルは一例であって、少なくとも1個の水酸基を有する化
合物であればよい。例えば、上記エタノールに代えて、
メタノール、n−プロピルアルコール、i−プロピルア
ルコール、1−ブタノール、2−ブタノールに代表され
る1価のアルコール、又はエチレングリコール、ジエチ
レングリコール、2−メトキシエタノール、2−エトキ
シエタノール、トリエチレングリコールに代表される2
価のアルコール及びその誘導体、或いはグリセリンに代
表されるような3価以上の多価アルコール、そして更に
これらの混合溶媒、或いはこれらの水酸基含有有機溶媒
の少なくとも1種を含む有機溶媒を用いてもよい。
【0023】本発明においては、簡単な分散手段によっ
て前記マグネシウム複合水酸化物の微粒子が、前述の如
き有機溶媒中に容易に分散する理由としては次の如く考
えられる。即ち、マグネシウム複合水酸化物の微粒子の
調製をエチレングリコールの如き多価アルコール又はそ
の誘導体中で行うため、加水分解によって生じた個々の
マグネシウム・アコ錯体に、多価アルコール又はその誘
導体が、例えば、水素結合等の如き状態で結合又は配位
し、1種のキレート錯体を形成し、触媒により加水分解
反応が進行して錯体濃度が増大するに従って、このキレ
ート錯体はお互いに会合してマグネシウム複合水酸化物
の微粒子となる。この微粒子(錯体の会合)がマグネシ
ウム・アコ錯体からではなく、多価アルコール又はその
誘導体からなるキレート錯体から行われるために、錯体
濃度の増大に伴って起こりやすい微粒子凝集体(錯体の
凝集)が少なくなる。
て前記マグネシウム複合水酸化物の微粒子が、前述の如
き有機溶媒中に容易に分散する理由としては次の如く考
えられる。即ち、マグネシウム複合水酸化物の微粒子の
調製をエチレングリコールの如き多価アルコール又はそ
の誘導体中で行うため、加水分解によって生じた個々の
マグネシウム・アコ錯体に、多価アルコール又はその誘
導体が、例えば、水素結合等の如き状態で結合又は配位
し、1種のキレート錯体を形成し、触媒により加水分解
反応が進行して錯体濃度が増大するに従って、このキレ
ート錯体はお互いに会合してマグネシウム複合水酸化物
の微粒子となる。この微粒子(錯体の会合)がマグネシ
ウム・アコ錯体からではなく、多価アルコール又はその
誘導体からなるキレート錯体から行われるために、錯体
濃度の増大に伴って起こりやすい微粒子凝集体(錯体の
凝集)が少なくなる。
【0024】又、このキレート錯体の会合体である微粒
子は、水酸基含有有機溶媒中に分散させると、水酸基含
有有機溶媒がその水酸基によって吸着し、個々のマグネ
シウム複合水酸化物の微粒子は、その微粒子表面に前記
の水酸基含有有機溶媒からなる一種の保護膜が形成され
た微粒子となり、この保護膜の存在により、ゾル溶液の
液媒体である有機溶媒との親和性が向上し、且つ有機溶
媒中における微粒子同士の凝集が抑制され、微粒子が容
易に安定に有機溶媒中に分散するものと考えられる。こ
の効果だけで考えれば、水酸基を有する有機化合物なら
ば全て適用性があるが、ゾル溶液塗布後の乾燥及び焼成
工程において有機溶媒を除去して純粋な酸化マグネシウ
ム膜を作製するためには、比較的低沸点の多価アルコー
ル又はその誘導体及びゾル溶液の溶媒としては比較的低
沸点の有機溶媒を用いるのが好ましい。
子は、水酸基含有有機溶媒中に分散させると、水酸基含
有有機溶媒がその水酸基によって吸着し、個々のマグネ
シウム複合水酸化物の微粒子は、その微粒子表面に前記
の水酸基含有有機溶媒からなる一種の保護膜が形成され
た微粒子となり、この保護膜の存在により、ゾル溶液の
液媒体である有機溶媒との親和性が向上し、且つ有機溶
媒中における微粒子同士の凝集が抑制され、微粒子が容
易に安定に有機溶媒中に分散するものと考えられる。こ
の効果だけで考えれば、水酸基を有する有機化合物なら
ば全て適用性があるが、ゾル溶液塗布後の乾燥及び焼成
工程において有機溶媒を除去して純粋な酸化マグネシウ
ム膜を作製するためには、比較的低沸点の多価アルコー
ル又はその誘導体及びゾル溶液の溶媒としては比較的低
沸点の有機溶媒を用いるのが好ましい。
【0025】以上の如き本発明に対して、水酸化マグネ
シウムの形成時に多価アルコール又はその誘導体を使用
しないで作製したゾル溶液から形成された酸化マグネシ
ウム膜の表面は、約200nmサイズの凹凸が観察さ
れ、表面粗度が大きいのに対して、本発明の如く多価ア
ルコール又はその誘導体の存在下に水酸化マグネシウム
を形成させたゾル溶液から作製した酸化マグネシウム膜
の表面は、図3に示すように凹凸が著しく小さく、比較
的平坦に仕上がっている。この現象の理由は次の如く考
えられる。即ち、例えば、エチレングリコールは沸点が
196℃の溶媒であり、従って水酸化マグネシウム−エ
チレングリコール錯体の遠心分離後の凝集物は粘性のあ
るクリーム状である。一方、多価アルコール又はその誘
導体を使用しないで形成した水酸化マグネシウムは、基
本的に水酸化マグネシウム単独の凝集物に過ぎない為
に、遠心分離後の凝集体には粘性があまりない。つま
り、エチレングリコール添加のゾル溶液は、該ゾル溶液
の塗布後に微粒子凝集体のレベリング効果が発揮され、
焼成後の酸化マグネシウムの表面が、図3に示すように
平坦になるものと思われる。又、本発明のゾル溶液にお
けるマグネシウム複合水酸化物微粒子は、多価アルコー
ル又はその誘導体を使用しないで作製した水酸化マグネ
シウム微粒子に比べて、錯体であるため粒子が会合しに
くく、従って粒子が凝集しにくい。そのためゾル溶液の
濃度を比較的高めても、ゾル溶液が安定であり、保存
性、塗布適性、乾燥、焼成等の工程において有利であ
る。
シウムの形成時に多価アルコール又はその誘導体を使用
しないで作製したゾル溶液から形成された酸化マグネシ
ウム膜の表面は、約200nmサイズの凹凸が観察さ
れ、表面粗度が大きいのに対して、本発明の如く多価ア
ルコール又はその誘導体の存在下に水酸化マグネシウム
を形成させたゾル溶液から作製した酸化マグネシウム膜
の表面は、図3に示すように凹凸が著しく小さく、比較
的平坦に仕上がっている。この現象の理由は次の如く考
えられる。即ち、例えば、エチレングリコールは沸点が
196℃の溶媒であり、従って水酸化マグネシウム−エ
チレングリコール錯体の遠心分離後の凝集物は粘性のあ
るクリーム状である。一方、多価アルコール又はその誘
導体を使用しないで形成した水酸化マグネシウムは、基
本的に水酸化マグネシウム単独の凝集物に過ぎない為
に、遠心分離後の凝集体には粘性があまりない。つま
り、エチレングリコール添加のゾル溶液は、該ゾル溶液
の塗布後に微粒子凝集体のレベリング効果が発揮され、
焼成後の酸化マグネシウムの表面が、図3に示すように
平坦になるものと思われる。又、本発明のゾル溶液にお
けるマグネシウム複合水酸化物微粒子は、多価アルコー
ル又はその誘導体を使用しないで作製した水酸化マグネ
シウム微粒子に比べて、錯体であるため粒子が会合しに
くく、従って粒子が凝集しにくい。そのためゾル溶液の
濃度を比較的高めても、ゾル溶液が安定であり、保存
性、塗布適性、乾燥、焼成等の工程において有利であ
る。
【0026】又、前述のゾル溶液の溶媒としては、前述
のアルコール系有機溶媒の代わりに、水の使用、或いは
水酸基を有しない溶媒、例えば、トルエン、ヘキサン等
を使用すると、マグネシウム複合水酸化物の微粒子は溶
媒中に安定して分散することが困難となり、凝集沈殿が
生じ易くなるので、ゾル溶液の溶媒としては、前記の如
き水酸基を有する有機溶媒、又はこれを少なくとも1種
含有する有機溶媒の使用が好ましい。
のアルコール系有機溶媒の代わりに、水の使用、或いは
水酸基を有しない溶媒、例えば、トルエン、ヘキサン等
を使用すると、マグネシウム複合水酸化物の微粒子は溶
媒中に安定して分散することが困難となり、凝集沈殿が
生じ易くなるので、ゾル溶液の溶媒としては、前記の如
き水酸基を有する有機溶媒、又はこれを少なくとも1種
含有する有機溶媒の使用が好ましい。
【0027】以上の考察を裏付ける実験結果として、本
発明及び後述の比較例1及び2で使用する各ゾル溶液の
特性結果を表3に示す。 表3:各種ゾル溶液の特性結果 試 料 平均粒度 固形分比 経時安定性 実施例1 836nm 18.5重量% 良好 比較例1 測定不可 2.0重量% 不良 比較例2 測定不可 17.9重量% 不良 比較例1のゾル溶液は、調製の際にエチレングリコール
を添加しないで作製したマグネシウム水酸化物微粒子
を、エタノールの代わりに純水中に分散させて調製した
ゾル溶液である。又、比較例2のゾル溶液は、ゾル溶液
調製の際にマグネシウム複合水酸化物微粒子を、エタノ
ールの代わりに純水中に分散させて調製したゾル溶液で
ある。
発明及び後述の比較例1及び2で使用する各ゾル溶液の
特性結果を表3に示す。 表3:各種ゾル溶液の特性結果 試 料 平均粒度 固形分比 経時安定性 実施例1 836nm 18.5重量% 良好 比較例1 測定不可 2.0重量% 不良 比較例2 測定不可 17.9重量% 不良 比較例1のゾル溶液は、調製の際にエチレングリコール
を添加しないで作製したマグネシウム水酸化物微粒子
を、エタノールの代わりに純水中に分散させて調製した
ゾル溶液である。又、比較例2のゾル溶液は、ゾル溶液
調製の際にマグネシウム複合水酸化物微粒子を、エタノ
ールの代わりに純水中に分散させて調製したゾル溶液で
ある。
【0028】特性評価方法として、ゾル溶液中の微粒子
の平均粒度は、レーザーパーティクルアナライザー(大
塚電子(株)製 PAR−III)を用い、ピンホールφ
0.2の条件で測定評価した。又、固形分比について
は、各ゾル溶液の一定重量をサンプル管に入れ、これを
120℃、3時間で乾燥した後の残物の重量濃度で評価
した。更に、経時安定性については、各ゾル溶液調製
後、1日静置して沈殿物生成が起こるかどうかで評価し
た。
の平均粒度は、レーザーパーティクルアナライザー(大
塚電子(株)製 PAR−III)を用い、ピンホールφ
0.2の条件で測定評価した。又、固形分比について
は、各ゾル溶液の一定重量をサンプル管に入れ、これを
120℃、3時間で乾燥した後の残物の重量濃度で評価
した。更に、経時安定性については、各ゾル溶液調製
後、1日静置して沈殿物生成が起こるかどうかで評価し
た。
【0029】本発明の交流型プラズマディスプレイの製
造方法は、以上の如きゾル溶液を、前記誘電体層上に塗
布し、乾燥及び焼成することにより、前記保護層を形成
することを特徴とする。ゾル溶液の前記誘電体層上への
塗布方法は、任意の方法でよく、例えば、スピンコート
法、ディップコート法、スプレーコート法、ロールコー
ト法、メニスカスコート法、バーコート法、カーテンフ
ローコート法、ビードコート法、流延法等の種々の塗布
法を適用することができる。塗布によって形成された湿
潤塗膜を乾燥及び焼成を施すことによって、保護層であ
る透明な酸化マグネシウム膜が形成され、該膜は誘電体
層5に対して強い密着性を示す。上記乾燥は湿潤被膜中
の有機溶媒成分が実質的に揮散する温度及び時間で行え
ばよく、例えば、約200〜300℃程度の温度で約1
〜3時間程度行えば十分である。又、焼成は約350〜
550℃程度の温度で約1〜5時間程度行うことが好ま
しい。焼成条件が厳しすぎると誘電体層の軟化に起因す
る該保護層の剥離又はクラックの発生等の問題があり、
一方、焼成が不十分であると所望の特性を有する保護層
が形成されない。又、乾燥と焼成は連続的に行うことが
好ましいが、別途分けて行ってもよい。尚、後記の実施
例においては、乾燥及び焼成を300℃で1時間、更に
400℃で1時間と連続して行った。
造方法は、以上の如きゾル溶液を、前記誘電体層上に塗
布し、乾燥及び焼成することにより、前記保護層を形成
することを特徴とする。ゾル溶液の前記誘電体層上への
塗布方法は、任意の方法でよく、例えば、スピンコート
法、ディップコート法、スプレーコート法、ロールコー
ト法、メニスカスコート法、バーコート法、カーテンフ
ローコート法、ビードコート法、流延法等の種々の塗布
法を適用することができる。塗布によって形成された湿
潤塗膜を乾燥及び焼成を施すことによって、保護層であ
る透明な酸化マグネシウム膜が形成され、該膜は誘電体
層5に対して強い密着性を示す。上記乾燥は湿潤被膜中
の有機溶媒成分が実質的に揮散する温度及び時間で行え
ばよく、例えば、約200〜300℃程度の温度で約1
〜3時間程度行えば十分である。又、焼成は約350〜
550℃程度の温度で約1〜5時間程度行うことが好ま
しい。焼成条件が厳しすぎると誘電体層の軟化に起因す
る該保護層の剥離又はクラックの発生等の問題があり、
一方、焼成が不十分であると所望の特性を有する保護層
が形成されない。又、乾燥と焼成は連続的に行うことが
好ましいが、別途分けて行ってもよい。尚、後記の実施
例においては、乾燥及び焼成を300℃で1時間、更に
400℃で1時間と連続して行った。
【0030】本発明において、以上の如く形成された酸
化マグネシウム膜からなる保護層の表面の粒子構造を示
す走査型電子顕微鏡写真(倍率5万倍、使用機器:日本
電子(株)製S−800)を図3に示す。比較として、
真空蒸着法により作製した、後述の比較例4の場合の保
護層表面の写真を図4に示す。測定条件は、加速電圧5
kV、試料間距離5mm、ビームモニター絞り2番、対
物可動絞り3番とした。図3によれば、本発明における
酸化マグネシウム膜からなる保護層は、その表面の粒子
が粒状の粒子形状を有し、平均粒子径30nmの緻密な
連続膜である。粒子形状がフレーク状で、平均粒子径2
00nmの真空蒸着法による酸化マグネシウムの場合
(図4参照)と比較して、膜の表面形態は明らかに異な
るものである。
化マグネシウム膜からなる保護層の表面の粒子構造を示
す走査型電子顕微鏡写真(倍率5万倍、使用機器:日本
電子(株)製S−800)を図3に示す。比較として、
真空蒸着法により作製した、後述の比較例4の場合の保
護層表面の写真を図4に示す。測定条件は、加速電圧5
kV、試料間距離5mm、ビームモニター絞り2番、対
物可動絞り3番とした。図3によれば、本発明における
酸化マグネシウム膜からなる保護層は、その表面の粒子
が粒状の粒子形状を有し、平均粒子径30nmの緻密な
連続膜である。粒子形状がフレーク状で、平均粒子径2
00nmの真空蒸着法による酸化マグネシウムの場合
(図4参照)と比較して、膜の表面形態は明らかに異な
るものである。
【0031】本発明において、交流型プラズマディスプ
レイにおける2次電子放出比を上げる観点からは、保護
層を形成している酸化マグネシウム微粒子のその表面積
を大きくすることが必要であり、酸化マグネシウム微粒
子の粒子径は、5〜100nmの範囲、好ましくは5〜
30nmの範囲であることが望ましい。粒子径を100
nm以下にして粒子間の隙間をなくすことにより表面積
を大きくし、通常の熱処理プロセスでも効率よく酸化マ
グネシウム膜が形成される。形成される酸化マグネシウ
ム膜の厚さは特に限定されないが、透明性の点から10
μm以下で、特に1μm以下のものが好ましい。以上の
如く得られる本発明の交流型プラズマディスプレイにお
ける保護層は、その膜厚が1μm以下の薄膜のものが実
現でき、このような膜厚は従来のバインダーを用いたペ
ーストでは実現不可能なものである。
レイにおける2次電子放出比を上げる観点からは、保護
層を形成している酸化マグネシウム微粒子のその表面積
を大きくすることが必要であり、酸化マグネシウム微粒
子の粒子径は、5〜100nmの範囲、好ましくは5〜
30nmの範囲であることが望ましい。粒子径を100
nm以下にして粒子間の隙間をなくすことにより表面積
を大きくし、通常の熱処理プロセスでも効率よく酸化マ
グネシウム膜が形成される。形成される酸化マグネシウ
ム膜の厚さは特に限定されないが、透明性の点から10
μm以下で、特に1μm以下のものが好ましい。以上の
如く得られる本発明の交流型プラズマディスプレイにお
ける保護層は、その膜厚が1μm以下の薄膜のものが実
現でき、このような膜厚は従来のバインダーを用いたペ
ーストでは実現不可能なものである。
【0032】
実施例1 図2に示される対向放電交流型プラズマディスプレイを
次のようにして作製した。ガラス製の前面基板1上に真
空蒸着法によりクロム電極として厚さ0.2μmのX電
極4aを形成し、次いで真空蒸着法により厚さ0.8μ
mの誘電体層5を形成し、その誘電体層5上に前記表2
のゾル溶液を使用して酸化マグネシウム膜からなる厚さ
0.2μmの保護層6を形成した。次いでこの保護層6
上にスクリーン印刷で厚さ150μmの障壁8を形成し
た後、蛍光性物質を該障壁8に塗布して厚さ10μmの
蛍光体層9を形成した。
次のようにして作製した。ガラス製の前面基板1上に真
空蒸着法によりクロム電極として厚さ0.2μmのX電
極4aを形成し、次いで真空蒸着法により厚さ0.8μ
mの誘電体層5を形成し、その誘電体層5上に前記表2
のゾル溶液を使用して酸化マグネシウム膜からなる厚さ
0.2μmの保護層6を形成した。次いでこの保護層6
上にスクリーン印刷で厚さ150μmの障壁8を形成し
た後、蛍光性物質を該障壁8に塗布して厚さ10μmの
蛍光体層9を形成した。
【0033】一方、ガラス製の背面基板2上に真空蒸着
法により形成したクロム電極をパターニングしてY電極
4bを形成した後、同じく真空蒸着法で該Y電極4b上
に誘電体層5を形成した。その後、前記酸化マグネシウ
ム膜の形成方法により、酸化マグネシウム膜からなる厚
さ0.2μmの保護層6を形成した。前記背面基板2上
のクロム電極(Y電極4b)の膜厚は0.2μm、誘電
体層5の膜厚は0.8μmであった。前記各工程で得ら
れた両者の基板を保護層を内側にして貼り合わせ、障壁
8に囲まれた空間部に、He−Xe(1.1%)ペニン
グガスを500Torr封入して、本発明の対向放電交
流型プラズマディスプレイを作製した。
法により形成したクロム電極をパターニングしてY電極
4bを形成した後、同じく真空蒸着法で該Y電極4b上
に誘電体層5を形成した。その後、前記酸化マグネシウ
ム膜の形成方法により、酸化マグネシウム膜からなる厚
さ0.2μmの保護層6を形成した。前記背面基板2上
のクロム電極(Y電極4b)の膜厚は0.2μm、誘電
体層5の膜厚は0.8μmであった。前記各工程で得ら
れた両者の基板を保護層を内側にして貼り合わせ、障壁
8に囲まれた空間部に、He−Xe(1.1%)ペニン
グガスを500Torr封入して、本発明の対向放電交
流型プラズマディスプレイを作製した。
【0034】比較例1 前述の実施例において、酸化マグネシウム微粒子調製の
際にエチレングリコールを添加しないで作製したマグネ
シウム水酸化物微粒子を、エタノールの代わりに純水中
に分散させて調製したゾル溶液を使用した点を除き、他
は実施例と同様にして対向放電交流型プラズマディスプ
レイの作製を試みた。 比較例2 前述の実施例において、ゾル溶液調製の際にマグネシウ
ム複合水酸化物微粒子を、エタノールの代わりに純水中
に分散させて調製したゾル溶液を使用した点を除き、他
は実施例と同様にして対向放電交流型プラズマディスプ
レイの作製を試みた。
際にエチレングリコールを添加しないで作製したマグネ
シウム水酸化物微粒子を、エタノールの代わりに純水中
に分散させて調製したゾル溶液を使用した点を除き、他
は実施例と同様にして対向放電交流型プラズマディスプ
レイの作製を試みた。 比較例2 前述の実施例において、ゾル溶液調製の際にマグネシウ
ム複合水酸化物微粒子を、エタノールの代わりに純水中
に分散させて調製したゾル溶液を使用した点を除き、他
は実施例と同様にして対向放電交流型プラズマディスプ
レイの作製を試みた。
【0035】比較例3 前述の実施例において、酸化マグネシウム膜からなる保
護層6について、酸化マグネシウムのペーストをスクリ
ーン印刷法で塗布した点を除き、他は実施例と同様にし
て対向放電交流型プラズマディスプレイを作製した。上
記で使用した酸化マグネシウムのペーストは、平均一次
粒子径が0.18〜0.25μmの酸化マグネシウム粉
末(宇部興産(株)製 UBE2000A)をSi系バインダー
(SiO2 10重量部)中に26重量%の割合で分散さ
せ、粘度7,000cps/25℃に調製したものを使
用した。又、印刷条件は、版ギャップ2.3mm、スキ
ージ押込み量1mm、スクレッパー押込み量1μmと
し、スクリーン版のメッシュは400、乳剤厚は10μ
mとした。尚、焼成条件は、大気圧下において焼成温度
580℃で1時間とした。
護層6について、酸化マグネシウムのペーストをスクリ
ーン印刷法で塗布した点を除き、他は実施例と同様にし
て対向放電交流型プラズマディスプレイを作製した。上
記で使用した酸化マグネシウムのペーストは、平均一次
粒子径が0.18〜0.25μmの酸化マグネシウム粉
末(宇部興産(株)製 UBE2000A)をSi系バインダー
(SiO2 10重量部)中に26重量%の割合で分散さ
せ、粘度7,000cps/25℃に調製したものを使
用した。又、印刷条件は、版ギャップ2.3mm、スキ
ージ押込み量1mm、スクレッパー押込み量1μmと
し、スクリーン版のメッシュは400、乳剤厚は10μ
mとした。尚、焼成条件は、大気圧下において焼成温度
580℃で1時間とした。
【0036】比較例4 前述の実施例において、酸化マグネシウム膜からなる保
護層6を真空蒸着法により形成した点を除き、他は実施
例と同様にして対向放電交流型プラズマディスプレイを
作製した。真空蒸着機は、電子ビーム蒸着機(日本真空
技術(株)製EX-900-C16)を用いて、基板温度300
℃、成膜速度0.5nm/sの条件で成膜し、膜厚0.
5μmとした。前述のようにして作製した実施例及び比
較例の交流型プラズマディスプレイ(以下パネルとい
う)について、パネル化する前に、酸化マグネシウムか
らなる保護層の膜特性を評価した結果を表4に示す。表
中に示された密着性と膜強度は、スクラッチテスター及
び鉛筆硬度試験法により評価した。又、透明性、クラッ
ク発生の有無については、目視判断に依った。膜厚は触
針型膜厚計((株)テンコール製 αステップ300)
により評価した。
護層6を真空蒸着法により形成した点を除き、他は実施
例と同様にして対向放電交流型プラズマディスプレイを
作製した。真空蒸着機は、電子ビーム蒸着機(日本真空
技術(株)製EX-900-C16)を用いて、基板温度300
℃、成膜速度0.5nm/sの条件で成膜し、膜厚0.
5μmとした。前述のようにして作製した実施例及び比
較例の交流型プラズマディスプレイ(以下パネルとい
う)について、パネル化する前に、酸化マグネシウムか
らなる保護層の膜特性を評価した結果を表4に示す。表
中に示された密着性と膜強度は、スクラッチテスター及
び鉛筆硬度試験法により評価した。又、透明性、クラッ
ク発生の有無については、目視判断に依った。膜厚は触
針型膜厚計((株)テンコール製 αステップ300)
により評価した。
【0037】表4:各種酸化マグネシウム膜の膜特性
【0038】比較例1及び2では、各ゾル溶液の濡れ性
が悪く、塗布速度を変える等の条件変更したが、結局誘
電体層5上に均一に湿潤塗膜を形成することができなか
った。従って、表4に示すような評価結果となった。比
較例3については、膜厚は3μmと他例よりも厚くな
り、又、白色を呈して透明性は悪かった。比較例4につ
いては、特に大きな問題はなかった。次に、保護層を形
成できなかった比較例1及び2を除いた対向放電交流型
プラズマディスプレイに対して、駆動波形が駆動周波数
15kHz、デューティ比が23%の交流パルスによ
り、放電開始電圧Vfと最小維持電圧Vsmを測定し
た。
が悪く、塗布速度を変える等の条件変更したが、結局誘
電体層5上に均一に湿潤塗膜を形成することができなか
った。従って、表4に示すような評価結果となった。比
較例3については、膜厚は3μmと他例よりも厚くな
り、又、白色を呈して透明性は悪かった。比較例4につ
いては、特に大きな問題はなかった。次に、保護層を形
成できなかった比較例1及び2を除いた対向放電交流型
プラズマディスプレイに対して、駆動波形が駆動周波数
15kHz、デューティ比が23%の交流パルスによ
り、放電開始電圧Vfと最小維持電圧Vsmを測定し
た。
【0039】又、放電開始電圧に設定した後に60分間
連続点灯させ、その後に最小維持電圧を測定し、初期の
最小維持電圧との比較より電圧の経時変化を調べ、パネ
ルの寿命特性評価を行った。その結果を表5に示す。 表5:各種酸化マグネシウム膜のPDP特性
連続点灯させ、その後に最小維持電圧を測定し、初期の
最小維持電圧との比較より電圧の経時変化を調べ、パネ
ルの寿命特性評価を行った。その結果を表5に示す。 表5:各種酸化マグネシウム膜のPDP特性
【0040】表5に示すように、本実施例において作製
したパネルについては、放電開始電圧155V、最小維
持電圧110Vであり、寿命特性は最小維持電圧の変動
もなく問題なかった。比較例において作製したパネルに
ついては、比較例3の場合は、放電開始電圧240V、
最小維持電圧175Vであり、本実施例と比べて高い測
定値となり、高いパネル駆動電圧が必要である結果とな
った。又、この時の寿命特性においては、放電開始電圧
に設定後30分間経過したところで、最小維持電圧の上
昇が確認された。比較例4の場合では、放電開始電圧1
60V、最小維持電圧105Vであり、寿命特性は最小
維持電圧の変動もなく問題なかった。
したパネルについては、放電開始電圧155V、最小維
持電圧110Vであり、寿命特性は最小維持電圧の変動
もなく問題なかった。比較例において作製したパネルに
ついては、比較例3の場合は、放電開始電圧240V、
最小維持電圧175Vであり、本実施例と比べて高い測
定値となり、高いパネル駆動電圧が必要である結果とな
った。又、この時の寿命特性においては、放電開始電圧
に設定後30分間経過したところで、最小維持電圧の上
昇が確認された。比較例4の場合では、放電開始電圧1
60V、最小維持電圧105Vであり、寿命特性は最小
維持電圧の変動もなく問題なかった。
【0041】本実施例の結果は、他の比較例、とりわけ
従来法として実績のある真空蒸着法による場合の比較例
4と比べてみても、酸化マグネシウム膜の本来の機能を
発現している良好なパネルが得られたことを示してい
る。以上の結果から、本実施例で得られた対向放電交流
型プラズマディスプレイにおける酸化マグネシウム膜か
らなる保護層は、交流型プラズマディスプレイにおいて
十分な特性を発揮することがわかる。
従来法として実績のある真空蒸着法による場合の比較例
4と比べてみても、酸化マグネシウム膜の本来の機能を
発現している良好なパネルが得られたことを示してい
る。以上の結果から、本実施例で得られた対向放電交流
型プラズマディスプレイにおける酸化マグネシウム膜か
らなる保護層は、交流型プラズマディスプレイにおいて
十分な特性を発揮することがわかる。
【0042】
【発明の効果】本発明の交流型プラズマディスプレイに
よれば、粒子径5〜100nmの範囲の粒状微粒子から
構成された酸化マグネシウム膜の連続膜を保護層として
用いているため、透明性が高く、保護層の膜厚を薄くす
ることができ、又、膜強度が高いので亀裂により誘電体
層が露出する恐れがない。従って、駆動電圧の低下を促
進することができることにより、駆動回路の低コスト化
が可能となり、その結果としてプラズマディスプレイ本
体のコスト低下を達成することができる。又、前記保護
層は、ゾル溶液を塗工方法により塗布して形成すること
が可能であるので、薄膜法による成膜法と比較すると大
面積に対し低コストで成膜が可能であるから、例えば、
大面積(例えば、対角40インチ程度)のプラズマディ
スプレイを低コストで製造することができる。
よれば、粒子径5〜100nmの範囲の粒状微粒子から
構成された酸化マグネシウム膜の連続膜を保護層として
用いているため、透明性が高く、保護層の膜厚を薄くす
ることができ、又、膜強度が高いので亀裂により誘電体
層が露出する恐れがない。従って、駆動電圧の低下を促
進することができることにより、駆動回路の低コスト化
が可能となり、その結果としてプラズマディスプレイ本
体のコスト低下を達成することができる。又、前記保護
層は、ゾル溶液を塗工方法により塗布して形成すること
が可能であるので、薄膜法による成膜法と比較すると大
面積に対し低コストで成膜が可能であるから、例えば、
大面積(例えば、対角40インチ程度)のプラズマディ
スプレイを低コストで製造することができる。
【0043】又、本発明の製造方法によれば、前記ゾル
溶液は、溶媒として少なくとも1個の水酸基を有する有
機化合物、又はこれらの少なくとも1種を含む有機溶媒
を用いるため、マグネシウム複合水酸化物の微粒子が凝
集することなく長期に渡り安定して分散したゾル溶液と
なり、従って該ゾル溶液を用いて塗布及び焼成すること
により作製した酸化マグネシウム膜の構成粒子は微細化
することになり、形成される保護層の透明性の向上が可
能となる。又、本発明の製造方法によれば、前記ゾル溶
液の溶媒として有機溶媒を用いているため、焼成工程に
おいて酸化マグネシウム膜中に有機物が残渣として残る
ことがなく、純粋な酸化マグネシウムからなる保護層の
作製が可能となる。
溶液は、溶媒として少なくとも1個の水酸基を有する有
機化合物、又はこれらの少なくとも1種を含む有機溶媒
を用いるため、マグネシウム複合水酸化物の微粒子が凝
集することなく長期に渡り安定して分散したゾル溶液と
なり、従って該ゾル溶液を用いて塗布及び焼成すること
により作製した酸化マグネシウム膜の構成粒子は微細化
することになり、形成される保護層の透明性の向上が可
能となる。又、本発明の製造方法によれば、前記ゾル溶
液の溶媒として有機溶媒を用いているため、焼成工程に
おいて酸化マグネシウム膜中に有機物が残渣として残る
ことがなく、純粋な酸化マグネシウムからなる保護層の
作製が可能となる。
【0044】一般に交流型プラズマディスプレイの保護
層は、例えば、10μm程度と厚いと、交流型プラズマ
ディスプレイの重要な特性の一つであるメモリ機能の発
生源である壁電荷の効果を弱めることになって駆動電圧
を高くする必要が生じ、その結果として、駆動回路に用
いるトランジスタの電圧を高耐圧仕様にしなければなら
ない。従って2μm以下の膜厚で保護層を形成すること
が実用上、最も必要十分な条件とされているが、本発明
によれば、この2μm以下の膜厚の保護層を十分に形成
することができる。
層は、例えば、10μm程度と厚いと、交流型プラズマ
ディスプレイの重要な特性の一つであるメモリ機能の発
生源である壁電荷の効果を弱めることになって駆動電圧
を高くする必要が生じ、その結果として、駆動回路に用
いるトランジスタの電圧を高耐圧仕様にしなければなら
ない。従って2μm以下の膜厚で保護層を形成すること
が実用上、最も必要十分な条件とされているが、本発明
によれば、この2μm以下の膜厚の保護層を十分に形成
することができる。
【図1】本発明の面放電方式の交流型プラズマディスプ
レイの概略を示す断面図。
レイの概略を示す断面図。
【図2】本発明の対向放電方式の交流型プラズマディス
プレイの概略を示す断面図。
プレイの概略を示す断面図。
【図3】実施例の酸化マグネシウム膜からなる保護層の
表面の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真(倍率5万
倍)。
表面の粒子構造を示す走査型電子顕微鏡写真(倍率5万
倍)。
【図4】比較例4の真空蒸着法による酸化マグネシウム
膜からなる保護層の表面の粒子構造を示す走査型電子顕
微鏡写真(倍率5万倍)。
膜からなる保護層の表面の粒子構造を示す走査型電子顕
微鏡写真(倍率5万倍)。
1 前面基板 2 背面基板 3 ガス放電空間 4a X電極 4b Y電極 5 誘電体層 6 保護層 7 アドレス電極 8 障壁 9 蛍光体層 10 二酸化チタン膜(高屈折率層) 11 二酸化ケイ素膜(低屈折率層)
Claims (5)
- 【請求項1】ガス放電空間を挟んで背面基板と前面基板
が対向配置され、一方の基板又は両方の基板には、誘電
体層に覆われた互いに対となる電極が形成されると共
に、誘電体層の上には保護層が形成されている交流型プ
ラズマディスプレイにおいて、前記保護層が、粒子径5
〜100nmの範囲の酸化マグネシウムの粒状の微粒子
から構成された連続膜であることを特徴とする交流型プ
ラズマディスプレイ。 - 【請求項2】ガス放電空間を挟んで背面基板と前面基板
とを対向配置し、一方の基板又は両方の基板は、誘電体
層に覆われた互いに対となる電極を形成し、上記誘電体
層の上に保護層を形成する交流型プラズマディスプレイ
の製造方法において、上記保護層を、多価アルコール又
はその誘導体と結合したマグネシウム水酸化物(以下マ
グネシウム複合水酸化物という)の微粒子を、少なくと
も1個の水酸基を有する有機化合物、又はこれを含む有
機溶媒中に分散させたゾル溶液を、前記誘電体層上に塗
布し、乾燥及び焼成して形成することを特徴とする交流
型プラズマディスプレイの製造方法。 - 【請求項3】マグネシウム複合水酸化物の微粒子が、そ
の生成媒体から遠心分離法により分離したものである請
求項2に記載の交流型プラズマディスプレイの製造方
法。 - 【請求項4】多価アルコールが、エチレングリコールで
ある請求項2又は3に記載の交流型プラズマディスプレ
イの製造方法。 - 【請求項5】有機溶媒中におけるマグネシウム複合水酸
化物の微粒子の分散を、超音波分散法により行う請求項
2〜4に記載の交流型プラズマディスプレイの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7286325A JPH09106766A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7286325A JPH09106766A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09106766A true JPH09106766A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17702931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7286325A Pending JPH09106766A (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09106766A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100603354B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Pdp 보호막 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 pdp 보호막, 보호막의 제조방법, 및 이를 채용한 pdp |
JP2008166039A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
JP2009030021A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-02-12 | Tateho Chem Ind Co Ltd | 発光体及びその製法 |
JP2009140617A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Tateho Chem Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム蒸着材及び保護膜 |
-
1995
- 1995-10-09 JP JP7286325A patent/JPH09106766A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100603354B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Pdp 보호막 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 pdp 보호막, 보호막의 제조방법, 및 이를 채용한 pdp |
JP2008166039A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
JP2009030021A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-02-12 | Tateho Chem Ind Co Ltd | 発光体及びその製法 |
JP2009140617A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Tateho Chem Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用酸化マグネシウム蒸着材及び保護膜 |
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