JPH09106587A

JPH09106587A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH09106587A
Application number: JP26304095A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Hozumi; 靖穂積; Tsutomu Shiratori; 力白鳥
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-10-11
Filing date: 1995-10-11
Publication date: 1997-04-22

Abstract

(57)【要約】【課題】記録不十分なパワー領域を圧縮し、消去パワ
ー領域を拡張し、記録パワーＰ_H を低減することが可能
な高感度の光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】相対的に室温において高い保磁力及び低
いキュリー温度を示す第１の垂直磁化膜からなるメモリ
層２と、相対的に室温において低い保磁力及び高いキュ
リー温度を示す第２の垂直磁化膜からなる書き込み層３
の少なくとも２層構造を有する交換結合膜において、書
き込み層の最小臨界磁区直径を再生光のスポット径と略
同一になるように設計したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱磁気的に記録を
行い、磁気カー効果を利用して読み出すことのできる光
磁気記録媒体を利用した、重ね書き可能な光磁気記録媒
体に関する。

【０００２】

【従来の技術】消去可能な大容量記録媒体の一つとして
光磁気記録媒体が知られている。光磁気記録媒体は、従
来の磁気ヘッドを使った磁気記録媒体と比べ、高密度記
録媒体でありながら可搬性を有する、非接触な記録再生
系による優れた耐久性などの長所がある。反面、記録前
に一度記録部分を消去しなければならず（一方向に着磁
しなければならない）、データ転送速度が遅くなってし
まうという欠点も有する。

【０００３】この欠点を補うために、記録再生ヘッドと
消去用ヘッドを別々に設ける方式、あるいは、レーザー
の連続ビームを照射すると同時に磁界を変調しながら印
加して記録する方式などが提案されている。しかし、こ
れらの方法は、装置が大がかりとなりコストがかかると
いう欠点、あるいは、高速回転数によるデータ転送がで
きないなどの欠点を有する。

【０００４】そこで、特開昭６２−１７５９４８号、特
開昭６３−５２３５４号、特開昭６３−１５３７５２号
などで提案されているような、相対的に室温において高
い保磁力及び低いキュリー温度を示す第一の垂直磁化膜
からなるメモリ層と、相対的に室温において低い保磁力
及び高いキュリー温度を示す第二の垂直磁化膜からなる
書き込み層の少なくとも二層構造を有する交換結合膜を
用いて、あるいは、特開昭６３−２６８１０３号、ＷＯ
９０／０２４００号、特開平３−２１９４４９号などで
提案されているような、情報ビットの保存が可能な第一
の垂直磁化膜からなるメモリ層と、該メモリ層よりも高
いキュリー温度を有し、情報ビットの書き込みが可能な
第二の垂直磁化膜からなる書き込み層と、該メモリ層の
キュリー温度よりも低く室温よりも高いキュリー温度を
有する第三の磁性膜からなるスイッチ層と、該書き込み
層よりも高いキュリー温度を有する第四の垂直磁化膜か
らなる初期化層との少なくとも４層の希土類−遷移金属
磁性薄膜からなる磁性層が互いに交換結合して順次積層
されている光磁気記録媒体を用いて、レーザービームの
パワーを変化させることにより、重ね書きを行う方法
（光変調オーバーライト方式）が提案されている。

【０００５】上記の光磁気記録媒体による光変調オーバ
ーライト方式の基本プロセスを説明する。メモリ層と書
き込み層の二層構造を有する交換結合膜では、レーザー
照射による昇降温度過程で書き込み層に記録された情報
ビット（磁区）がメモリ層に転写される。レーザーは記
録しようとする情報に応じて、書き込み層への記録を行
う高温レベルとメモリ層への転写を行う低温レベルとの
それぞれの温度状態を形成可能な２種類のレーザーパワ
ーで変調する。レーザーの照射後は、媒体温度が室温に
戻るとともに、所要の初期化磁界が印加されて書き込み
が初期化される。メモリ層に転写された情報ビットは、
この層の室温での保磁力が大きいために初期化磁界で消
去されることなく保持される。この結果、記録前のメモ
リ層の状態に関わらず、常に新しく書き込み層が記録さ
れた情報が、メモリ層に記録かつ保持されることとな
り、オーバーライトが成立する。

【０００６】この方法は、所要の初期化磁界を印加する
手段を必要とするため、記録装置が大型化、複雑化する
という欠点がある。この問題を解決するための方法が、
前記の交換結合積層膜の書き込み層上に、メモリ層のキ
ュリー温度よりも低く室温よりも高いキュリー温度を有
するスイッチ層と、書き込み層よりも高いキュリー温度
を有する初期化層とを付加した構造の媒体を用いる。初
期化層はあらかじめ初期化された状態にしておく。レー
ザー照射後、媒体温度が室温に戻る過程で、スイッチ層
のキュリー温度以下になると、書き込み層と初期化層と
の間に交換結合力が作用して書き込み層が初期化され
る。この他は、前述のプロセスと同様にしてオーバライ
トが成立する。

【０００７】上記光変調オーバーライト方式は、再生パ
ワーよりも高い高低２レベルのパワー（Ｐ_H,Ｐ_L ）間で
レーザー光強度を変調することによって、媒体を周囲温
度よりも高温の高低２レベルの温度に加熱し、各々の温
度レベルに応じて２つの異なる磁化状態を形成させて、
情報の重ね書きを行う。したがって、図３に示すように
記録・消去・再生の３段階のパワーレベルに所定のマー
ジンを割り振った場合、記録と消去を同一温度レベルで
行う通常の記録方式に比べて、記録に要するレーザー出
力が原理的に大きくなってしまう。この問題を解決する
ためには、図３に領域Ａ，Ｂとして示したような消去・
記録が不十分なパワー領域をできるだけ圧縮した上で、
Ｐ_H を下げるように媒体を設計することが重要である。

【０００８】さらに、記録不十分なパワー領域（図３中
領域Ｂ）に関して図４を用いて詳述する。

【０００９】図４は、従来の光変調オーバーライト方式
による光磁気記録媒体における、レーザーパワーに対す
るＣ／Ｎの動特性（光感度特性）及び、パワーのＰ₁ の
レーザー光を照射した場合に書き込まれる記録磁区を表
した模式図である。従来の光磁気記録媒体ではレーザー
パワーＰ₁ を照射すると記録磁区が形成されるが、その
記録磁区の巾は十分なＣ／Ｎを得るには不十分な大きさ
の磁区が記録される。すなわち、従来の光変調オーバー
ライト方式による光磁気記録媒体では、記録磁区の大き
さが十分でない記録不十分なレーザーパワー領域が存在
することを意味し、記録・消去・再生の３段階のパワー
レベルに所定のマージンを割り振る必要性があり、原理
的に記録レーザーパワーが大きくなる光変調オーバーラ
イト方式において、記録光の高感度化をさらに妨げる障
害となっていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
問題点を解決するために、特に記録不十分なパワー領域
を圧縮し、消去パワー領域（Ｐ_L マージン）の拡張、及
び高感度光磁気記録媒体の作製を目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記の目的は下記の手段
によって達成される。

【００１２】すなわち、本発明は、相対的に室温におい
て高い保磁力及び低いキュリー温度を示す第一の垂直磁
化膜からなるメモリ層と、相対的に室温において低い保
磁力及び高いキュリー温度を示す第二の垂直磁化膜から
なる書き込み層の少なくとも二層構造を有する交換結合
膜において、書き込み層に用いる材料を適切に選択し、
書き込み層成膜前の表面状態の制御や書き込み層におけ
る膜組成の均一性の制御などの製造方法を適切に行なう
ことにより書き込み層の最小臨界磁区直径を再生光のス
ポット径と略同一になるように設計したことを特徴とす
る光磁気記録媒体を提案するものであり、また、情報ビ
ットの保存が可能な第一の垂直磁化膜からなるメモリ層
と、該メモリ層よりも高いキュリー温度を有し、情報ビ
ットの書き込みが可能な第二の垂直磁化膜からなる書き
込み層と、該メモリ層のキュリー温度よりも低く室温よ
りも高いキュリー温度を有する第三の磁性膜からなるス
イッチ層と、該書き込み層より高いキュリー温度を有す
る第四の垂直磁化膜からなる初期化層との少なくとも４
層の希土類−遷移金属磁性膜からなる磁性層が互いに交
換結合して順次積層されている光変調オーバライト可能
な光磁気記録媒体において、書き込み層に用いる材料を
適切に選択し、書き込み層成膜前の表面状態の制御や書
き込み層における膜組成の均一性の制御などの製造方法
を適切に行なうことにより書き込み層の最小臨界磁区直
径を再生光のスポット径と略同一になるように設計した
ことを特徴とする光磁気記録媒体を提案するものであ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照してさ
らに詳細に説明する。

【００１４】図２は、本発明による光磁気記録媒体にお
ける、Ｃ／Ｎの光感度特性、及び、レーザーパワーＰ
₁ ，Ｐ₂ を投入した場合に書き込まれる記録磁区を表し
た模式図である。本発明では、パワーＰ₁ のレーザー光
を照射した場合、そこで書き込もうとする記録磁区は書
き込み層の最小臨界磁区直径（安定に形成することので
きる最小磁区直径）よりも小さく、その記録磁区は安定
に形成することなく消滅する。そして、書き込み層の最
小臨界磁区直径と等しい大きさの磁区を書き込むことが
できるレーザーパワーＰ₂ で、初めて磁区が形成され
る。すなわち、Ｐ₂未満のレーザーパワーでは記録磁区
は形成されることはなく消去状態を維持し、Ｐ₂ 以上の
レーザーパワーで磁区が形成され、情報が記録される。
また、このとき、その記録磁区巾は十分な再生信号を得
るのに必要な磁区巾（再生光のスポット径と略同一）に
相当する。したがって、本発明におけるＣ／Ｎの光感度
特性では、従来の光磁気記録媒体と比べ、その記録不十
分なパワー領域を圧縮することを可能にし、それに伴
う、Ｐ_L マージンの拡張、記録パワーの低減を可能にし
た。

【００１５】本発明に用いるような光磁気記録媒体の基
本構成は、図１に示すような透光性基板１上に少なくと
も第一磁性層であるメモリ層２と第二磁性層である書き
込み層３を順次積層したものである。メモリ層２は、室
温において高い保磁力及び比較的低いキュリー温度を示
し、書き込み層３は、室温において比較的低い保磁力及
び高いキュリー温度を示す。ここでの「高い」・「低
い」という表現は、両磁性層を比較した場合の相対的な
関係を表す。具体的には第一磁性層であるメモリ層２の
保磁力は７ＫＯｅ以上であり、キュリー温度は１２０〜
１８０℃が好ましい。また第二磁性層である書き込み層
３の保磁力は２ＫＯｅ〜５ＫＯｅ、キュリー温度は１６
０〜２２０℃が好ましい。

【００１６】各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示
しかつ比較的大きな磁気光学効果を呈するものが利用で
きるが、メモリ層２はＴｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，
Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ
−Ｆｅなど、書き込み層はＴｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆ
ｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類元素と鉄族元素との非晶質磁
性合金が好ましい。

【００１７】また、メモリ層の情報を読み出す側に再生
特性のよい磁性層を積層したり、メモリ層と書き込み層
の間に交換結合の大きさを制御するための適当な磁性層
や非磁性層（調整層）を挟んでもよい。

【００１８】さらに、書き込み層よりも大きなキュリー
温度を有する、初期化磁石の役割を果たす磁性層である
初期化層８と、その初期化層８と書き込み層３との間に
位置し、メモリ層よりも低いキュリー温度を有し、室温
において書き込み層３と初期化層８とを磁気的に結合さ
せる磁性層であるスイッチ層７を、書き込み層３積層後
に、スイッチ層７、初期化層８の順で積層してもよい。

【００１９】なお、透光性の基板と磁性層の間や磁性層
の該基板と反対側に、耐久性を向上させるための、ある
いは、記録消去感度と磁気光学効果を向上させるための
適当な誘電体層、あるいは、反射層を設けてもよい。

【００２０】誘電体層の材料にはＳｉＮ，ＳｉＯ，Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＡｌＯＮ，ＺｎＳ等が用いられる。スイッチ層
７のキュリー温度は１００〜１５０℃が好ましく、初期
化層８のキュリー温度は３００℃以上が好ましい。また
調整層６のキュリー温度は１７０〜２１０℃が好まし
い。

【００２１】

【実施例】以下本発明を実施例に基づき、さらに具体的
に説明する。

【００２２】実施例１図１に示すように、プリグルーヴ、プリフォーマット信
号の刻まれたポリカーボネート製の透光性ディスク形状
基板上に、第一の誘電体層、磁性層、第二の誘電体層、
反射層の順に、スパッタ法により成膜した。磁性層は二
層構造になっており、第一の誘電体層上に、メモリ層
２、書き込み層３の順に積層した。

【００２３】第一の誘電体層は、透光性基板１上にＡｒ
・Ｎ₂ 混合ガス雰囲気中でＳｉをターゲットに用いて、
スパッタ法によりＳｉＮ層４を膜厚９０ｎｍで形成し
た。

【００２４】その後、第一の誘電体膜上に二層構造から
なる磁性層を作製した。

【００２５】第一の磁性層として、Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏの
３個のターゲットを用いて、スパッタＡｒガス圧０．７
７Ｐａの雰囲気中で、膜組成Ｔｂ₂₆Ｆｅ₇₀Ｃｏ₄ 、膜厚
３５ｎｍのメモリ層２を形成した。メモリ層２のキュリ
ー温度は１５０℃である。

【００２６】第二の磁性層としては、Ｇｄ₄₅Ｄｙ₅₅，Ｆ
ｅ，Ｃｏ３個のターゲットを用いて、スパッタＡｒガス
圧０．４０Ｐａの雰囲気中で、膜組成Ｇｄ₉ Ｄｙ₁₁Ｆｅ
₆₉Ｃｏ₁₁、膜厚６０ｎｍの書き込み層３を形成した。書
き込み層３のキュリー温度は２０５℃である。

【００２７】さらに、第二の誘電体層として、前記膜上
にＡｒ，Ｎ₂ 混合ガス雰囲気中でＳｉターゲットに用い
て、スパッタ法により、ＳｉＮ層４を膜厚１０ｎｍで形
成した。

【００２８】最後は、反射層として、前記膜上にＡｒガ
ス雰囲気中でＡｌのターゲットを用いて、スパッタ法に
より、Ａｌ層５を膜厚４０ｎｍで作製した。

【００２９】以上のようにして作製された光磁気記録媒
体を光磁気記録再生装置にセットし光感度特性を測定し
た。光感度特性測定は、線速９．０４ｍ／ｓで回転さ
せ、スポット径約１μｍに集光させた波長７８０ｎｍの
レーザービームを用いて行った、最初に、レーザーパワ
ー１０ｍＷの連続光を照射しつつ、バイアス磁界−５０
０Ｏｅの磁界発生部に光磁気記録媒体が通過することに
より記録媒体の消去を行った。その後、バイアス磁界３
５０Ｏｅを印加しつつ、レーザービームを３３％デュー
ティ比、５．８ＭＨｚの周波数で変調させて任意のレー
ザーパワーで記録を行い、光感度特性を測定した。この
とき、記録ビットをレーザーパワー１．５ｍＷで再生し
た。以上のようにして測定された光感度特性から、信号
が書き始めるレーザーパワーをＰ_wth 、信号が最大値を
示すときのレーザーパワーをＰ_wmaxとしてＰ_wth ／Ｐ
_wmaxを求めることにより、媒体の記録不十分なパワー領
域の指標とした。上記の媒体においては、表１に示すよ
うにＰ_wth ／Ｐ_wmax＝０．８６であった。

【００３０】比較例１第三の磁性層として、Ｇｄ₂₅Ｄｙ₇₅，ＦｅＣｏの３個の
ターゲットを用いて、スパッタＡｒガス圧０．５４Ｐａ
の雰囲気中で、膜組成Ｇｄ₅ Ｄｙ₁₅Ｆｅ₆₇Ｃｏ ₁₃、膜厚
６０ｎｍの書き込み層３を形成した。書き込み層３のキ
ュリー温度は２０５℃である。その他は実施例と全く同
様の構成の光磁気記録媒体であり、実施例と同じ条件の
光感度特性測定を行った。表１に示すようにＰ_wth ／Ｐ
_wmax＝０．６５であった。

【００３１】表１に示す結果から、本発明の実施例１は
比較例１に比してＰ_wth ／Ｐ_wmaxの値が１に近く、記録
不十分なパワー領域が圧縮されており、良好な特性を示
していることが分かる。また、本発明の実施例１、及び
比較例１における書き込み層３の最小臨界磁区直径ｄ
_min は、それぞれ磁気特性から

【００３２】

【数１】ｄ_min＝σ_W／Ｍ_SＨ_C を用いて概算すると、実施例１では７６０ｎｍ、比較例
１では３０ｎｍであり、実施例１の最小臨界磁区直径の
方がレーザー光のスポット径（約１μｍ）に近い値を示
していた。ここで、σ_W、Ｍ_S，Ｈ_Cは、それぞれ書き込
み層３のブロッホ磁壁エネルギー、飽和磁化、保磁力を
表している。

【００３３】

【表１】実施例２実施例２に関して、図面を参照しながら説明する。図５
に示すように、プリグルーヴ、プリフォーマット信号の
刻まれたポリカーボネート製の透光性ディスク形状基板
１上に、第一の誘電体層、磁性層、第二の誘電体層、反
射層の順に、スパッタ法により成膜した。磁性層は三層
構造になっており、第一の誘電体層上に、メモリ層２、
調整層６、書き込み層３の順に積層した。

【００３４】第一の誘電体層は、透光性基板１上にＡｒ
・Ｎ₂ 混合ガス雰囲気中でＳｉをターゲットに用いて、
スパッタ法によりＳｉＮ層４を膜厚９０ｎｍで形成し
た。

【００３５】その後、第一の誘電体膜上に三層構造から
なる磁性層を作製した。

【００３６】第一の磁性層として、Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏの
３個のターゲットを用いて、スパッタＡｒガス圧０．７
７Ｐａの雰囲気中で、膜組成Ｔｂ₂₆Ｆｅ₇₀Ｃｏ₄ 、膜厚
２５ｎｍのメモリ層２を形成した。メモリ層２のキュリ
ー温度は１５０℃である。

【００３７】第二の磁性層としては、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｆｅ
Ｃｏ₃₀の３個のターゲットを用いて、スパッタＡｒガス
圧０．２１Ｐａの雰囲気中で、膜組成Ｇｄ₃₄Ｆｅ₅₆Ｃｏ
₁₀、膜厚１０ｎｍの調整層６を形成した。

【００３８】第三の磁性層としては、Ｇｄ₄₅Ｄｙ₅₅，Ｆ
ｅ，Ｃｏの３個のターゲットを用いて、スパッタＡｒガ
ス圧０．４０Ｐａの雰囲気中で、膜組成Ｇｄ₉ Ｄｙ₁₁Ｆ
ｅ₆₉Ｃｏ₁₁、膜厚４０ｎｍの書き込み層３を形成した。
書き込み層３のキュリー温度は２０５℃である。

【００３９】実施例２は実施例１に比べ膜厚２０ｎｍ薄
くすることを可能にし、さらなる高感度化が達成され
た。

【００４０】さらに、第二の誘電体層として、前記膜上
にＡｒ，Ｎ₂ 混合ガス雰囲気中でＳｉターゲットに用い
て、スパッタ法により、ＳｉＮ層４を膜厚１０ｎｍで形
成した。

【００４１】最後は、反射層として、前記膜上にＡｒガ
ス雰囲気中でＡｌのターゲットを用いて、スパッタ法に
より、Ａｌ層５を膜厚４０ｎｍで作製した。

【００４２】以上のようにして作製された光磁気記録媒
体を実施例１と同じ条件の下で光感度特性測定を行っ
た。表２に示すようにＰ_wth ／Ｐ_wmax＝０．８２であっ
た。

【００４３】比較例２第三の磁性層として、Ｇｄ₂₅Ｄｙ₇₅，Ｆｅ，Ｃｏの３個
のターゲットを用いて、スパッタＡｒガス圧０．５４Ｐ
ａの雰囲気中で、膜組成Ｇｄ₅ Ｄｙ₁₅Ｆｅ₆₇Ｃｏ₁₃、膜
厚４０ｎｍの書き込み層３を形成した。書き込み層３の
キュリー温度は２０５℃である。その他の実施例２と全
く同様の構成の光磁気記録媒体であり、実施例１と同じ
条件下の光感度特性測定を行った。表２に示すようにＰ
_wth ／Ｐ _wmax＝０．６１であった。

【００４４】表２に示す結果から、本発明の実施例２は
比較例２に比してＰ_wth ／Ｐ_wmaxの値が１に近く、記録
不十分なパワー領域が圧縮されており、良好な特性を示
していることが分かる。また、本発明の実施例２、及び
比較例２における書き込み層３の最小臨界磁区直径ｄ
_min は、実施例２では７６０ｎｍ、比較例２では３０ｎ
ｍであり、実施例２の最小臨界磁区直径の方がレーザー
光のスポット径（約１μｍ）に近い値を示していた。

【００４５】

【表２】実施例３本発明の実施例３を図面を参照しながら説明する。図６
に示すように、プリグルーヴ、プリフォーマット信号の
刻まれたポリカーボネート製の透光性ディスク形状基板
１上に、第一の誘電体層、磁性層、第二の誘電体層、反
射層の順に、スパッタ法により成膜した。磁性層は五層
構造になっており、第一の誘電体層上に、メモリ層２、
調整層６、書き込み層３、スイッチ層７、初期化層８の
順に積層した。

【００４６】第一の誘電体層は、透光性基板１上にＡｒ
・Ｎ₂ 混合ガス雰囲気中でＳｉをターゲットに用いて、
スパッタ法により、ＳｉＮ層４を膜厚９０ｎｍで形成し
た。その後、第一の誘電体膜上に五層構造からなる磁性
層を作製した。

【００４７】第一の磁性層として、Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏの
３個のターゲットを用いて、スパッタＡｒガス圧０．７
７Ｐａの雰囲気中で、膜組成Ｔｂ₂₆Ｆｅ₇₀Ｃｏ₄ 、膜厚
２５ｎｍのメモリ層２を形成した。メモリ層２のキュリ
ー温度は１５０℃である。

【００４８】第二の磁性層としては、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｆｅ
Ｃｏ₃₀の３個のターゲットを用いて、スパッタＡｒガス
圧０．２１Ｐａの雰囲気中で、膜組成Ｇｄ₃₄Ｆｅ₅₆Ｃｏ
₁₀、膜厚１０ｎｍの調整層６を形成した。

【００４９】第三の磁性層としては、Ｇｄ₄₅Ｄｙ₅₅，Ｆ
ｅ，Ｃｏの３個のターゲットを用いて、スパッタＡｒガ
ス圧０．４０Ｐａの雰囲気中で、膜組成Ｇｄ₉ Ｄｙ₁₁Ｆ
ｅ₆₉Ｃｏ₁₁、膜厚４０ｎｍの書き込み層３を形成した。
書き込み層３のキュリー温度は２０５℃である。

【００５０】第四の磁性層として、Ｔｂ，Ｆｅの２個の
ターゲットを用いて、スパッタＡｒガス圧０．５０Ｐａ
の雰囲気中で、膜組成Ｔｂ₂₅Ｆｅ₇₅、膜厚５ｎｍのスイ
ッチ層７を形成した。

【００５１】第五の磁性層として、Ｔｂ，Ｆｅ，Ｃｏの
３個のターゲットを用いて、スパッタＡｒガス圧０．２
２Ｐａの雰囲気中で、膜組成Ｔｂ₂₂Ｆｅ₁₆Ｃｏ₆₂、膜厚
３０ｎｍの初期化層８を形成した。

【００５２】この第四、第五磁性層により、初期化磁石
を必要としない。

【００５３】さらに、第二の誘電体層として、前記膜上
にＡｒ，Ｎ₂ 混合ガス雰囲気中でＳｉターゲットに用い
て、スパッタ法により、ＳｉＮ層４を膜厚１０ｎｍで形
成した。

【００５４】最後は、反射層として、前記膜上にＡｒガ
ス雰囲気中でＡｌのターゲットを用いて、スパッタ法に
より、Ａｌ層５を膜厚４０ｎｍで作製した。

【００５５】以上のようにして作製された光磁気記録媒
体を実施例１と同じ条件の下でで光感度特性測定を行っ
た。表３に示すようにＰ_wth ／Ｐ_wmax＝０．８３であっ
た。

【００５６】比較例３第三の磁性層として、Ｇｄ₂₅Ｄｙ₇₅，Ｆｅ，Ｃｏの３個
のターゲットを用いて、スパッタＡｒガス圧０．５４Ｐ
ａの雰囲気中で、膜組成Ｇｄ₅ Ｄｙ₁₅Ｆｅ₆₇Ｃｏ₁₃、膜
厚３０ｎｍの書き込み層３を形成した。書き込み層３の
キュリー温度は２０５℃である。その他の実施例３と全
く同様の構成の光磁気記録媒体であり、実施例１と同じ
条件下の光感度特性測定を行った。表３に示すようにＰ
_wth ／Ｐ _wmax＝０．６２であった。

【００５７】表３に示す結果から、本発明の実施例３は
比較例３に比してＰ_wth ／Ｐ_wmaxの値が１に近く、記録
不十分なパワー領域が圧縮されており、良好な特性を示
していることが分かる。また、本発明の実施例３、及び
比較例３における書き込み層３の最小臨界磁区直径ｄ
_min は、実施例３では７６０ｎｍ、比較例３では３０ｎ
ｍであり、実施例３の最小臨界磁区直径の方がレーザー
光のスポット径（約１μｍ）に近い値を示していた。

【００５８】

【表３】

【００５９】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、交換結合膜
による光変調オーバーライト可能な光磁気記録媒体にお
いて、書き込み層の最小臨界磁区直径を、再生光のスポ
ット径に近く、十分な再生信号が得られる記録磁区巾と
略同一となるように設計したことにより、記録不十分な
パワー領域を圧縮し、Ｐ_L マージンを拡張し、記録パワ
ーＰ_H を低減することが可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における光磁気記録媒体の基本構成図で
ある。

【図２】本発明によって得られる光感度特性及びその現
像を説明するための概略図である。

【図３】光変調オーバーライト方式光磁気記録媒体の一
般的な光感度特性を表した概念図である。

【図４】光変調オーバーライト方式光磁気記録媒体の一
般的な光感度特性及びその現像を説明するための概念図
である。

【図５】実施例２における光磁気記録媒体の構成図であ
る。

【図６】実施例３における光磁気記録媒体の構成図であ
る。

【符号の説明】

１透光性基板２メモリ層３書き込み層４ＳｉＮ層５Ａｌ層６調整層７スイッチ層８初期化層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】相対的に室温において高い保磁力及び低
いキュリー温度を示す第一の垂直磁化膜からなるメモリ
層と、相対的に室温において低い保磁力及び高いキュリ
ー温度を示す第二の垂直磁化膜からなる書き込み層の少
なくとも二層構造を有する交換結合膜において、書き込
み層の最小臨界磁区直径を再生光のスポット径と略同一
になるように設計したことを特徴とする光磁気記録媒
体。
【請求項２】情報ビットの保存が可能な第一の垂直磁
化膜からなるメモリ層と、該メモリ層よりも高いキュリ
ー温度を有し、情報ビットの書き込みが可能な第二の垂
直磁化膜からなる書き込み層と、該メモリ層のキュリー
温度よりも低く室温よりも高いキュリー温度を有する第
三の磁性膜からなるスイッチ層と、該書き込み層より高
いキュリー温度を有する第四の垂直磁化膜からなる初期
化層との少なくとも４層の希土類−遷移金属磁性膜から
なる磁性層が互いに交換結合して順次積層されている光
変調オーバライト可能な光磁気記録媒体において、書き
込み層の最小臨界磁区直径を再生光のスポット径と略同
一になるように設計したことを特徴とする光磁気記録媒
体。