JPH0897258A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ウエハ上に形成された半導体装置のうち、必要
な電気的特性の半導体装置のみを選択的（ランク別）に
組立てられるようにすると共に、残ったランクの半導体
装置はその後に組み立てる時まで小型の装置で保管でき
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】ウェハ上に形成された各半導体装置の一部に識
別データ領域を設け、ウェハ状態で測定した各半導体装
置の電気的特性に基づいた識別データ穴をレーザ加工に
より識別データ領域に複数個形成し、ウェハを個々の半
導体チップに分割した後に、識別データを読み取って特
定の識別データの半導体チップのみを組み立て、残った
半導体チップはエキスパンドテープに貼着されたチップ
状態のままで保管した後、必要に応じて識別データを読
み取って組み立てるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、詳しくは半導体装置を効率よく組み立てるための
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ウェハ中に形成された半導体装置
を組み立てる場合には、ウェハ状態で各半導体装置の電
気的特性を測定し、不良の半導体装置にはインクでマー
キングを行い、インクを乾燥させた後、半導体装置をダ
イシング工程と言われる工程により分割し、エキスパン
ド工程と言われる工程により各半導体装置を分離して、
マーキングのない半導体装置（良品）のみをピックアッ
プして組み立てることにより、個々の半導体装置を得て
いた。

【０００３】図３はウェハ上の半導体装置の中で特性不
良の半導体装置を識別表示する従来の方法を示す。ウェ
ハ１上に半導体装置１ａが格子状に形成され、図示しな
い半導体装置の測定装置により電気的特性を測定して、
所定の電気的特性を得られなかった半導体装置１ａは不
良品とされる。不良品の半導体装置１ａには先端からイ
ンクの出るマーキング装置３により不良マーク３ａが付
けられ、ウェハ１上の各半導体装置１ａの電気的特性を
測定し終えた後、不良マーク３ａは乾燥されて定着す
る。

【０００４】その後、ウェハ１上の半導体装置１ａのチ
ップサイズに合わせて縦横に溝を切るダイシング（スク
ライブとも言う）を行い、伸張性のあるテープ（エキス
パンドテープ）に貼着した状態で上方よりローラを押し
当てて溝部を破砕して個々の半導体チップ１ａに分割
し、更にこの状態のエキスパンドテープを図示しないエ
キスパンド装置を用いて引き伸ばすことにより、個々の
半導体チップ１ａ間が分離される。個々に分離された半
導体チップ１ａのうち、良品と判断された半導体装置１
ａは図示しないピックアップ装置により選択されて、半
導体チップ１ａを樹脂により封止する組立工程が行わ
れ、最後に再度電気的特性を測定や標印等を行って完成
品の半導体装置となっていた。

【０００５】一方、ウェハ１上に形成された半導体装置
１ａの電気的特性をウェハ状態で測定する場合には、製
造工程におけるプロセス的ばらつきにより、ウェハ間は
勿論のこと、ウェハ１内においても電気的特性にばらつ
きがあると共に、測定装置のための配線に不要な配線容
量等が付加されて最終製品の特性と完全には一致しない
ことがあるので、ばらつきや測定装置での誤差を考慮し
て緩めのリミットで測定して良品と不良品の判定を行
い、全ての良品の組立を完了した後に、再度電気的特性
を測定して所定の特性の半導体装置を得るようにしてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図３に示すような半導
体装置の製造方法は、ウェハ１上に形成された個々の半
導体装置１ａの電気的特性により良品と不良品とを判定
するだけの場合には問題なかったが、例えば、コンピュ
ータ機器のように、最大限の性能を要求される装置に使
用する場合には、使用されるマイクロコンピュータやメ
モリ等の最高動作速度や消費電流及び入出力特性等の性
能により半導体装置を分類（ランク分け）する必要があ
り、ウェハ状態では製品の仕様に対して充分に余裕のあ
る電気的特性で半導体装置を測定し、良品と判定された
半導体装置を一度全て組み立てた後に、最終的な測定に
より半導体装置をランク分けしなければならなかったの
で、すぐに使用しないランクの半導体装置も多く組み立
てられてしまっていた。

【０００７】必要なランク以外の半導体装置は、特性を
維持するため窒素ガス等の雰囲気中で保管するか真空パ
ックして保管する等しておかなければならないので、保
管のために大きな装置及び広い保管場所が必要になると
いう問題が有った。また、形成されたウェハの電気的特
性がばらついている場合や要求される電気的特性が特に
限定されている場合には、すぐに使用される半導体装置
よりも保管される半導体装置の方が多くなってしまう場
合さえあった。

【０００８】更に、従来の方法では、インク中の溶剤が
良品の半導体装置上に飛散したり、３ａ″に示すように
インクが良品の上にたれてしまったりして良品を不良品
と判断してしまったりすると共に、３ａ′に示すように
マーキングの大きさが小さい場合には不良品を良品とし
てピックアップして組み立ててしまうという問題もあっ
た。

【０００９】そこで本発明はこれらの問題を解決し、必
要な電気的特性の半導体装置のみを必要な時に組立てら
れるようにすると共に、残ったランクの半導体装置が必
要になった場合に備えて、他のランクの半導体装置を容
易かつ場所を取らないで保存できるようにする半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに、請求項１の記載に係わる半導体装置の製造方法
は、ウェハ上に形成された半導体装置において、各半導
体装置の一部に識別データ領域を設け、識別データ領域
にウェハ状態で測定した各半導体装置の電気的特性の測
定結果に基づいた識別データ穴をレーザ加工により複数
個形成し、ウェハを個々の半導体装置に分割した後に半
導体装置の識別データを読み取って、識別データ毎に半
導体装置を選択的に組み立てることを特徴とする。

【００１１】

【作用】本発明の製造方法によれば、必要な電気的特性
の半導体装置のみを選択的に組み立てられる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例である半導体装置の製
造方法を図１及び図２を参照しながら詳細に説明する。
尚、本明細書では、全図面を通して、同一または同様の
部位には同一の符号を付して説明する。図１は本発明に
おける半導体装置の識別方法を示す説明図であり、図１
（ａ）はウェハ１上に形成された半導体装置１ａ内に識
別データ領域４を設けているようす示し、図１（ｂ）は
識別データ領域４を拡大して示し、図１（ｃ）は図１
（ｂ）の識別データ領域４をＹ１−Ｙ２で切断した場合
の断面を示している。

【００１３】図１（ａ）において、ウェハ１上に格子状
に縦横に形成された半導体装置１ａの所定の位置に識別
データ領域４を設けると共に、電気的特性の測定結果に
応じて識別データ領域４内に識別データ穴４ｂがＹＡＧ
レーザ等のレーザを照射することにより形成されてい
る。図１（ｂ）に示す識別データ穴４ｂは、識別データ
領域４内に半導体装置の配線等を形成するのと同様にし
て形成された３つの認識パターン４ａの中央部を、認識
パターン４ａを切断する（切断された部分を点線で示
す）ようにレーザ照射して形成している。図１（ｃ）に
おいて識別データ領域４は、シリコン等からなる半導体
基板１ｂの上部にシリコンの酸化膜等の保護膜１ｃが形
成され、保護膜１ｃの上部にアルミニュームやポリサイ
ド等からなる配線層で認識パターン４ａが形成され、更
にその上部を保護膜１ｄが覆うように形成されている。
識別データ穴４ｂは保護膜１ｄと共に認識パターン４ａ
を取り除くように形成されているので、認識パターン４
ａと識別データ穴４ｂとの光の反射率が異なるようにな
っている。従って、識別データを容易に検出することが
でき、半導体装置のランクを判別することができるよう
になっている。

【００１４】各半導体素子１ａを組み立てる際には、従
来と同様にダイシング（スクライブとも言う）及びエキ
スパンド装置を用いて個々の半導体チップ１ａ間を分離
した後、上方より光をあてて識別データを読み込み、識
別データに応じて選択的に半導体チップ１ａをピックア
ップして組み立てることにより、必要なランクの半導体
チップ１ａのみを組立てて出荷することができる。

【００１５】また、選択されなかったランクの半導体チ
ップ１ａは、品質を維持するため、エキスパンドテープ
に貼着された状態のままで窒素ガス等の雰囲気中で保管
するか真空パックして保管する等すれば良いので、組み
立てた半導体装置を保管する場合に比べて保管のための
装置は大幅に小型で良く、広い保管場所も必要なくな
る。図１の場合は識別パターン４ａが３つ有るので、不
良品を含めて８種類の組み合わせをすることができ、各
半導体装置の電気的特性に応じてこの識別データ穴４ｂ
を形成することにより、半導体装置を８種類に分類（ラ
ンク分け）することができるようになっている。２つ以
上の認識パターン４ａがあれば同様にランク分けできる
のは勿論である。

【００１６】図２は本発明に使用する他の識別データの
形成方法を示す説明図である。図２（ａ）はウェハ上に
形成された半導体装置の識別データ領域４内に数字や文
字等の識別データ穴４ｂ（図２では数字の３）を連続的
なレーザ照射により形成したようすを示す。図２（ｂ）
は識別データ領域４を図２（ａ）のＹ３−Ｙ４で切断し
た場合の断面を示し、図１（ｃ）で示した識別データ領
域４の構造に加えて、第２の識別パターン４ｃと保護膜
１ｅが形成されており、識別データ穴４ｂは上層の識別
パターン４ａのみを取り除くように形成されている。

【００１７】尚、前述のような識別パターン４ａ及び４
ｃ等を設けない平坦な識別データ領域４を設け、識別デ
ータ穴４ｂのみを形成したときの保護膜１ｃの平坦面と
識別データ穴４ｂとの光の反射率が異なるのを利用し
て、画像処理技術によりパターン認識して半導体装置を
ピックアップするようにしてもよい。また、図２の場合
には、連続的なレーザ照射でなく、不連続なレーザ照射
により数字や文字等を形成するようにしても良い。

【００１８】

【発明の効果】以上に詳細を説明したように本発明によ
れば、必要な電気的特性の半導体装置のみを選択的に組
み立てられるので、すぐには使用としない半導体装置を
も組み立てていた場合に比べて小型の装置で半導体装置
を保管できるようになり、大幅に保管場所を削減できる
という効果がある。また、残ったランクの半導体装置は
所定の状態で保管されているので、半導体装置の品質劣
化を気にすることもなくいつでも組み立てることができ
るという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明における半導体装置の識別方法を示す
説明図である。 （ａ）半導体装置内の識別データ領域を示す説明図であ
る。 （ｂ）識別データ領域を拡大して示す説明図である。 （ｃ）識別データ領域の断面を示す説明図である。

【図２】 本発明の他の識別データの形成方法を示す説
明図である。 （ａ）識別データ領域に形成された識別データを示す説
明図である。 （ｂ）識別データ領域の断面を示す説明図である。

【図３】ウェハ上の半導体装置の中で特性不良の半導体
装置を識別表示する従来の方法を示す説明図である。

【符号の説明】

１ ：ウェハ １ａ：半導体装置（半導体チップ） １ｂ：半導体基板 １ｃ：保護膜 ３ ：マーキング装置 ３ａ、３ａ′、３ａ″：不良マーク ４ ：識別データ領域 ４ａ：識別パターン ４ｂ：識別データ穴 ４ｃ：第２の識別パターン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェハ上に形成された半導体装置におい
   て、各半導体装置の一部に識別データ領域を設け、前記
   識別データ領域にウェハ状態で測定した前記各半導体装
   置の電気的特性の測定結果に基づいた識別データ穴をレ
   ーザ加工により複数個形成し、前記ウェハを個々の半導
   体装置に分割した後に前記半導体装置の前記識別データ
   を読み取って、前記識別データ毎に前記半導体装置を選
   択的に組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。