JPH0895503A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH0895503A JPH0895503A JP6226975A JP22697594A JPH0895503A JP H0895503 A JPH0895503 A JP H0895503A JP 6226975 A JP6226975 A JP 6226975A JP 22697594 A JP22697594 A JP 22697594A JP H0895503 A JPH0895503 A JP H0895503A
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- emitting diodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光ダイオードから少し離れた位置の真上で
の照度の落込みを少なくし、略均一な照度特性を与える
表示装置を提供する。 【構成】 長尺方向に分離して形成された長尺なフレー
ムと、分離したフレーム上に各々載置され長尺方向に整
列した複数の発光ダイオードと、発光ダイオードを囲む
長尺な反射面を有しフレームの周辺に形成された反射枠
とを備え、反射枠は発光ダイオードの近傍に於て発光ダ
イオードの列に斜交して近接する様に、部分的な反射面
を持つ突起部を設ける。
の照度の落込みを少なくし、略均一な照度特性を与える
表示装置を提供する。 【構成】 長尺方向に分離して形成された長尺なフレー
ムと、分離したフレーム上に各々載置され長尺方向に整
列した複数の発光ダイオードと、発光ダイオードを囲む
長尺な反射面を有しフレームの周辺に形成された反射枠
とを備え、反射枠は発光ダイオードの近傍に於て発光ダ
イオードの列に斜交して近接する様に、部分的な反射面
を持つ突起部を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオードを用いた
表示装置に関する。
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明者が特願平５−３３６６１４号に
て出願した表示装置を、図８（ａ）の平面図と図８
（ｂ）の断面図に従い説明する。これらの図に於て、４
個の発光ダイオード３１がフレーム３２上に載置されて
いる。そして反射枠３３が発光ダイオード３１を囲む長
尺な反射面３４と棧部３５を有し、フレーム３２と一体
成形されている。この表示装置３６が基板（図示せず）
の略直線上に複数個載置され線状光源とされ、その上方
に設けられた原稿面（図示せず）に光を照射する、ファ
クシミリ装置の読取り装置等に用いられている。
て出願した表示装置を、図８（ａ）の平面図と図８
（ｂ）の断面図に従い説明する。これらの図に於て、４
個の発光ダイオード３１がフレーム３２上に載置されて
いる。そして反射枠３３が発光ダイオード３１を囲む長
尺な反射面３４と棧部３５を有し、フレーム３２と一体
成形されている。この表示装置３６が基板（図示せず）
の略直線上に複数個載置され線状光源とされ、その上方
に設けられた原稿面（図示せず）に光を照射する、ファ
クシミリ装置の読取り装置等に用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の表示装置３６を
複数個設けた線状光源の照度特性を図７の破線で示す。
横軸のｃ、ｄ、ｅ、ｆは表示装置３６の左側から順に発
光ダイオード３１の番号を示し、ｃ１、ｄ１、ｅ１は左
側から順に棧部３５の位置を示し、縦軸は照度（％）を
示す。この図７から判る様に、各発光ダイオード３１の
真上の照度が特に高く、発光ダイオード３１から少し離
れた位置（すなわち発光ダイオード３１の位置ｃと棧部
３５の位置ｃ１との中間）で照度の落込みが約８５％と
大きい。故に本発明はこの様な従来の欠点を考慮して、
発光ダイオードから少し離れた位置の真上での照度の落
込みを少なくし、略均一な照度特性を与える表示装置を
提供するものである。
複数個設けた線状光源の照度特性を図７の破線で示す。
横軸のｃ、ｄ、ｅ、ｆは表示装置３６の左側から順に発
光ダイオード３１の番号を示し、ｃ１、ｄ１、ｅ１は左
側から順に棧部３５の位置を示し、縦軸は照度（％）を
示す。この図７から判る様に、各発光ダイオード３１の
真上の照度が特に高く、発光ダイオード３１から少し離
れた位置（すなわち発光ダイオード３１の位置ｃと棧部
３５の位置ｃ１との中間）で照度の落込みが約８５％と
大きい。故に本発明はこの様な従来の欠点を考慮して、
発光ダイオードから少し離れた位置の真上での照度の落
込みを少なくし、略均一な照度特性を与える表示装置を
提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、長尺方向に分離して形成された長尺なフ
レームと、分離したフレーム上に各々載置され長尺方向
に整列した複数の発光ダイオードと、発光ダイオードを
囲む長尺な反射面を有しフレームの周辺に形成された反
射枠とを備え、反射枠は発光ダイオードの近傍に於て発
光ダイオードの列に斜交して近接する様に、部分的な反
射面を持つ突起部を設けるものである。
めに本発明は、長尺方向に分離して形成された長尺なフ
レームと、分離したフレーム上に各々載置され長尺方向
に整列した複数の発光ダイオードと、発光ダイオードを
囲む長尺な反射面を有しフレームの周辺に形成された反
射枠とを備え、反射枠は発光ダイオードの近傍に於て発
光ダイオードの列に斜交して近接する様に、部分的な反
射面を持つ突起部を設けるものである。
【０００５】
【作用】上述の様に、反射枠は発光ダイオードの近傍に
於て発光ダイオードの列に斜交して近接する様に、部分
的な反射面を持つ突起部が形成されている。故に、発光
ダイオードからの光は部分的な反射面により反射され、
発光ダイオードから少し離れたフレームの表面に於て、
光量が増える。そして、この光は長尺な反射面で反射さ
れ上方に進むので、発光ダイオードから少し離れた位置
の真上での照度の落込みが少なくなる。
於て発光ダイオードの列に斜交して近接する様に、部分
的な反射面を持つ突起部が形成されている。故に、発光
ダイオードからの光は部分的な反射面により反射され、
発光ダイオードから少し離れたフレームの表面に於て、
光量が増える。そして、この光は長尺な反射面で反射さ
れ上方に進むので、発光ダイオードから少し離れた位置
の真上での照度の落込みが少なくなる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１乃至図５に従い
説明する。図１は本実施例に係る表示装置の平面図、図
２は図１のＡ部詳細図、図３は表示装置の正面図、図４
は図１のＢＢ断面図、図５は図１のＣＣ断面図である。
説明する。図１は本実施例に係る表示装置の平面図、図
２は図１のＡ部詳細図、図３は表示装置の正面図、図４
は図１のＢＢ断面図、図５は図１のＣＣ断面図である。
【０００７】上述の図に於て、フレーム１は長尺方向に
分離して形成されたフレーム片２、３、４、５、６を有
し、例えば厚さ０．１５〜０．２５ｍｍの燐青銅からな
り、プレス加工にて形成され銀メッキが施こされたもの
である。フレーム片２、４、５、６は長尺方向と略直交
する方向に折り曲げられ、各々脚部２ａ、４ａ、５ａと
６ａが形成されている。
分離して形成されたフレーム片２、３、４、５、６を有
し、例えば厚さ０．１５〜０．２５ｍｍの燐青銅からな
り、プレス加工にて形成され銀メッキが施こされたもの
である。フレーム片２、４、５、６は長尺方向と略直交
する方向に折り曲げられ、各々脚部２ａ、４ａ、５ａと
６ａが形成されている。
【０００８】発光ダイオード７はフレーム片３、４、
５、６上に導電性接着剤（図示せず）を介して載置固着
され、各々金属細線にてフレーム片２、３、４、５に配
線されている。この様に、発光ダイオード７は例えばピ
ッチ７．５ｍｍにて略直線上に長尺方向に整列してい
る。発光ダイオード７は例えば、１辺が０．２〜０．４
ｍｍの略立方体であり、燐化ガリウムや燐化ガリウム砒
素等からなる。また、発光ダイオード７は４個に限定さ
れる事なく、任意の個数でもよい。そして発光ダイオー
ド７は上述の様に直列接続されても、並列接続されても
よい。
５、６上に導電性接着剤（図示せず）を介して載置固着
され、各々金属細線にてフレーム片２、３、４、５に配
線されている。この様に、発光ダイオード７は例えばピ
ッチ７．５ｍｍにて略直線上に長尺方向に整列してい
る。発光ダイオード７は例えば、１辺が０．２〜０．４
ｍｍの略立方体であり、燐化ガリウムや燐化ガリウム砒
素等からなる。また、発光ダイオード７は４個に限定さ
れる事なく、任意の個数でもよい。そして発光ダイオー
ド７は上述の様に直列接続されても、並列接続されても
よい。
【０００９】反射枠８は例えばポリブチレンテレフタレ
ート樹脂又はポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂等
からなり、フレーム１すなわちフレーム片２、３、４、
５、６とインサート成形により一体的に形成されたもの
である。反射枠８は発光ダイオード７を囲む様に、２つ
の長尺な反射面９と２つの短尺な反射面１０を有してい
る。また、反射枠８は各発光ダイオード７の略中間に位
置し、断面が略三角形の棧部１１を有しており、棧部１
１の高さはフレーム１と反射枠８の表面までの中間の高
さである。
ート樹脂又はポリシクロヘキサンテレフタレート樹脂等
からなり、フレーム１すなわちフレーム片２、３、４、
５、６とインサート成形により一体的に形成されたもの
である。反射枠８は発光ダイオード７を囲む様に、２つ
の長尺な反射面９と２つの短尺な反射面１０を有してい
る。また、反射枠８は各発光ダイオード７の略中間に位
置し、断面が略三角形の棧部１１を有しており、棧部１
１の高さはフレーム１と反射枠８の表面までの中間の高
さである。
【００１０】この様に、長尺な反射面９と短尺な反射面
１０と棧部１１の反射面は、上方が開放され上方に行く
程広がる様に、傾斜して形成されている。そして反射枠
８の外形は例えば、長さが約２９．５ｍｍで幅が約２．
４ｍｍで高さが約２．８ｍｍの長尺のものである。
１０と棧部１１の反射面は、上方が開放され上方に行く
程広がる様に、傾斜して形成されている。そして反射枠
８の外形は例えば、長さが約２９．５ｍｍで幅が約２．
４ｍｍで高さが約２．８ｍｍの長尺のものである。
【００１１】反射枠８の長尺な反射面９では、発光ダイ
オード７に近接する８箇所に於て、突起部１２が形成さ
れている。各々の突起部１２は発光ダイオード７に対向
する様に、平面視くさび状に形成され、発光ダイオード
の列に斜交して近接する様に２つの部分的な反射面１
３、１４が形成されている。
オード７に近接する８箇所に於て、突起部１２が形成さ
れている。各々の突起部１２は発光ダイオード７に対向
する様に、平面視くさび状に形成され、発光ダイオード
の列に斜交して近接する様に２つの部分的な反射面１
３、１４が形成されている。
【００１２】部分的な反射面１３、１４は長尺な反射面
９と接している。図２の様に平面から見た時、発光ダイ
オード７から右寄りに出た光は部分的な反射面１３で反
射し発光ダイオード７から少し離れたフレーム片５の表
面１５に光溜りが生ずる。同様に、発光ダイオード７か
ら左寄りに出た光は部分的な反射面１４で反射し、発光
ダイオード７から少し離れたフレーム片４の表面１６に
光溜りが生ずる。その結果、フレーム片の表面１５、１
６の光溜りは、長尺な反射面９で反射され上方に進むの
で、発光ダイオード７から少し離れた位置の真上での照
度の落込みが少なくなる。また、この様に、発光ダイオ
ード７から出た光は反射面１３、１４により反射され、
左右に進むので、発光ダイオード７から出て長尺な反射
面９で反射され上方に進む光量が減る。その結果、発光
ダイオード７の真上での高過ぎる照度は緩和される。
９と接している。図２の様に平面から見た時、発光ダイ
オード７から右寄りに出た光は部分的な反射面１３で反
射し発光ダイオード７から少し離れたフレーム片５の表
面１５に光溜りが生ずる。同様に、発光ダイオード７か
ら左寄りに出た光は部分的な反射面１４で反射し、発光
ダイオード７から少し離れたフレーム片４の表面１６に
光溜りが生ずる。その結果、フレーム片の表面１５、１
６の光溜りは、長尺な反射面９で反射され上方に進むの
で、発光ダイオード７から少し離れた位置の真上での照
度の落込みが少なくなる。また、この様に、発光ダイオ
ード７から出た光は反射面１３、１４により反射され、
左右に進むので、発光ダイオード７から出て長尺な反射
面９で反射され上方に進む光量が減る。その結果、発光
ダイオード７の真上での高過ぎる照度は緩和される。
【００１３】突起部１２の具体的な大きさは、横Ｄが約
１．５ｍｍ、縦Ｅが約０．３ｍｍ、縦Ｆが約０．７ｍ
ｍ、高さＧが約１．４ｍｍである。また突起部１２が設
けられた位置に於て、反射枠８の上部の内寸Ｈは約１．
２ｍｍ、下部の内寸Ｉは約０．５ｍｍである。そして突
起部が設けられていない位置に於て、反射枠８の上部の
内寸Ｊは約１．８ｍｍ、下部の内寸Ｋは約０．５ｍｍで
ある。
１．５ｍｍ、縦Ｅが約０．３ｍｍ、縦Ｆが約０．７ｍ
ｍ、高さＧが約１．４ｍｍである。また突起部１２が設
けられた位置に於て、反射枠８の上部の内寸Ｈは約１．
２ｍｍ、下部の内寸Ｉは約０．５ｍｍである。そして突
起部が設けられていない位置に於て、反射枠８の上部の
内寸Ｊは約１．８ｍｍ、下部の内寸Ｋは約０．５ｍｍで
ある。
【００１４】また反射枠８の長尺方向の端部の下側に
は、段部１７、１８が形成され、下側が逃がされる様に
形成されている。封止部１９は例えば、エポキシ樹脂等
の透光性樹脂からなり、発光ダイオード７と配線部の周
辺を覆い、反射枠８の内側を埋める様に形成されてい
る。これらの部材により本実施例に係る表示装置２０が
構成されている。
は、段部１７、１８が形成され、下側が逃がされる様に
形成されている。封止部１９は例えば、エポキシ樹脂等
の透光性樹脂からなり、発光ダイオード７と配線部の周
辺を覆い、反射枠８の内側を埋める様に形成されてい
る。これらの部材により本実施例に係る表示装置２０が
構成されている。
【００１５】次に、この表示装置２０を用いた線状光源
を図６に従い説明する。基板２１は例えばガラスエポキ
シ樹脂又はフェノール樹脂からなり、長さが約３２４ｍ
ｍ、幅が約６ｍｍ、厚が約１ｍｍである。基板２１の表
面上に銅箔等からなる導電部２２が形成され、必要に応
じて、これらの導電部２２を除いた表面上に白色レジス
ト（図示せず）が塗布されている。
を図６に従い説明する。基板２１は例えばガラスエポキ
シ樹脂又はフェノール樹脂からなり、長さが約３２４ｍ
ｍ、幅が約６ｍｍ、厚が約１ｍｍである。基板２１の表
面上に銅箔等からなる導電部２２が形成され、必要に応
じて、これらの導電部２２を除いた表面上に白色レジス
ト（図示せず）が塗布されている。
【００１６】表示装置２０の脚部２ａ、４ａ、５ａ、６
ａが基板２１の導電部２２上に半田を介して載置され、
複数の表示装置２０が基板２１上に略直線上に設けら
れ、線状光源２３が構成されている。電流制限用のチッ
プ抵抗２４が、表示装置２０の段部１７、１８に囲れた
空間に位置する様に、基板２１上に載置されている。こ
の様にチップ抵抗２４を表示装置２０の継目の下に配置
するので、基板２１の幅を大きくする事なく、線状光源
２３を構成出来る。
ａが基板２１の導電部２２上に半田を介して載置され、
複数の表示装置２０が基板２１上に略直線上に設けら
れ、線状光源２３が構成されている。電流制限用のチッ
プ抵抗２４が、表示装置２０の段部１７、１８に囲れた
空間に位置する様に、基板２１上に載置されている。こ
の様にチップ抵抗２４を表示装置２０の継目の下に配置
するので、基板２１の幅を大きくする事なく、線状光源
２３を構成出来る。
【００１７】次に、線状光源２３の照度特性を図７の実
線で示す。横軸のｃ、ｄ、ｅ、ｆは表示装置２０の左側
から順に発光ダイオード７の番号を示し、ｃ１、ｄ１、
ｅ１は左側から順に棧部１１を示し、縦軸は照度（％）
を示す。この図７から判る様に、各発光ダイオード７の
真上の照度が従来程高くない。これは、発光ダイオード
７から出た光が反射面１３、１４により反射され左右に
進むので、発光ダイオード７から出て長尺な反射面９で
反射され上方に進む光量が減るためである。
線で示す。横軸のｃ、ｄ、ｅ、ｆは表示装置２０の左側
から順に発光ダイオード７の番号を示し、ｃ１、ｄ１、
ｅ１は左側から順に棧部１１を示し、縦軸は照度（％）
を示す。この図７から判る様に、各発光ダイオード７の
真上の照度が従来程高くない。これは、発光ダイオード
７から出た光が反射面１３、１４により反射され左右に
進むので、発光ダイオード７から出て長尺な反射面９で
反射され上方に進む光量が減るためである。
【００１８】また、発光ダイオード７から少し離れた位
置（すなわち発光ダイオード７の位置ｃと棧部１１の位
置ｃ１との中間）での照度の落込みが約９４％となり、
従来より落込みの少ない事が判る。これは、発光ダイオ
ード７から出た光が部分的な反射面１３、１４で反射
し、フレーム片の表面１５、１６での光量が増し、その
光が反射面９で反射され上方に進むので、発光ダイオー
ド７から少し離れた位置の真上での照度が大きくなるた
めである。また上述の説明では線状光源の応用例のみ例
示したが、本発明は線状光源のみならず、他の光源にも
適用出来る。
置（すなわち発光ダイオード７の位置ｃと棧部１１の位
置ｃ１との中間）での照度の落込みが約９４％となり、
従来より落込みの少ない事が判る。これは、発光ダイオ
ード７から出た光が部分的な反射面１３、１４で反射
し、フレーム片の表面１５、１６での光量が増し、その
光が反射面９で反射され上方に進むので、発光ダイオー
ド７から少し離れた位置の真上での照度が大きくなるた
めである。また上述の説明では線状光源の応用例のみ例
示したが、本発明は線状光源のみならず、他の光源にも
適用出来る。
【００１９】
【発明の効果】本発明は上述の様に、反射枠は発光ダイ
オードの近傍に於て発光ダイオードの列に斜交して近接
する様に、部分的な反射面を持つ突起部が形成されてい
る。故に、発光ダイオードからの光は部分的な反射面に
より反射され、発光ダイオードから少し離れたフレーム
の表面に於て、光量が増える。そして、この光は長尺な
反射面で反射され上方に進むので、発光ダイオードから
少し離れた位置の真上の照度の落込みが少なくなる。そ
の結果、実用上支障のない程度に、略均一な照度特性が
得られる。
オードの近傍に於て発光ダイオードの列に斜交して近接
する様に、部分的な反射面を持つ突起部が形成されてい
る。故に、発光ダイオードからの光は部分的な反射面に
より反射され、発光ダイオードから少し離れたフレーム
の表面に於て、光量が増える。そして、この光は長尺な
反射面で反射され上方に進むので、発光ダイオードから
少し離れた位置の真上の照度の落込みが少なくなる。そ
の結果、実用上支障のない程度に、略均一な照度特性が
得られる。
【図１】本発明の実施例に係る表示装置の平面図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ部詳細図である。
【図３】本発明の実施例に係る表示装置の正面図であ
る。
る。
【図４】図１のＢＢ断面図である。
【図５】図１のＣＣ断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る表示装置を用いた線状光
源の平面図である。
源の平面図である。
【図７】本発明の実施例に係る表示装置および従来の表
示装置に於ける照度特性図である。
示装置に於ける照度特性図である。
【図８】図８（ａ）は従来の表示装置の平面図、図８
（ｂ）はそれの断面図である。
（ｂ）はそれの断面図である。
１ フレーム ７ 発光ダイオード ８ 反射枠 １２ 突起部 １３、１４ 部分的な反射面
Claims (1)
- 【請求項１】 長尺方向に分離して形成された長尺なフ
レームと、その分離したフレーム上に各々載置され長尺
方向に整列した複数の発光ダイオードと、それらの発光
ダイオードを囲む長尺な反射面を有し前記フレームの周
辺に形成された反射枠とを備え、前記反射枠は前記発光
ダイオードの近傍に於て前記発光ダイオードの列に斜交
して近接する様に、部分的な反射面を持つ突起部が形成
された事を特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22697594A JP3625498B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22697594A JP3625498B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0895503A true JPH0895503A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3625498B2 JP3625498B2 (ja) | 2005-03-02 |
Family
ID=16853554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22697594A Expired - Fee Related JP3625498B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3625498B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057446A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
| JP2005116846A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置及び発光装置に用いる配線板、ならびに配線板の製造方法 |
| EP1848037A2 (en) * | 2006-04-21 | 2007-10-24 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2010123915A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 側面放出型発光装置及び線光源型発光装置 |
| JP2012114450A (ja) * | 2006-04-21 | 2012-06-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US8721131B2 (en) | 2007-10-12 | 2014-05-13 | Nichia Corporation | Lighting unit |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP22697594A patent/JP3625498B2/ja not_active Expired - Fee Related
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