JPH0895014A - 液晶表示パネル - Google Patents

液晶表示パネル

Info

Publication number
JPH0895014A
JPH0895014A JP6227042A JP22704294A JPH0895014A JP H0895014 A JPH0895014 A JP H0895014A JP 6227042 A JP6227042 A JP 6227042A JP 22704294 A JP22704294 A JP 22704294A JP H0895014 A JPH0895014 A JP H0895014A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display panel
crystal display
chromium oxide
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6227042A
Other languages
English (en)
Inventor
Kotaro Yoneda
公太郎 米田
Masatoshi Itasaka
昌俊 板坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP6227042A priority Critical patent/JPH0895014A/ja
Publication of JPH0895014A publication Critical patent/JPH0895014A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 外光の反射による表示のコントラストの低下
を軽減する。 【構成】 アクティブマトリクスを構成する薄膜トラン
ジスタ(TFT)1と画素電極2は回路基板10側のガ
ラス基板3の上面に形成される。この回路基板10に対
向して共通電極基板20が設けられる。そしてこの共通
電極基板20には、ガラス基板4の下面に共通の対向電
極となる透明電極膜5が形成されると共に、上述の薄膜
トランジスタ1等の回路素子に対応する部分に遮光層6
が形成される。そして本発明においては、この遮光層6
の少なくとも外光が入射される側の表面が低反射率の酸
化クロム9で形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶を用いて例えば映
像信号の表示を行う際に使用される液晶表示パネルに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶を用いて例えば映像信号の表示を行
う際に使用される液晶表示パネルは、例えば図3に示す
ように構成されている。
【0003】図3において、アクティブマトリクスを構
成する薄膜トランジスタ(TFT)1と画素電極2は回
路基板10側のガラス基板3の上面に形成される。この
回路基板10に対向して共通電極基板20が設けられ
る。そしてこの共通電極基板20には、ガラス基板4の
下面に共通の対向電極となる透明電極膜5が形成される
と共に、上述の薄膜トランジスタ1等の回路素子に対応
する部分に遮光層6が形成される。
【0004】すなわち上述の薄膜トランジスタ1等の回
路素子は、例えば強い外光が照射されると、回路素子が
誤動作を起こす恐れがある。このため上述の液晶表示パ
ネルにおいては、薄膜トランジスタ1等の回路素子に対
応する部分に遮光層6を設けて、外光が薄膜トランジス
タ1等の回路素子に照射されないようにしている。なお
図3は説明の都合上、上下に拡大して描いたもので、実
際の装置では回路基板10と共通電極基板20は極めて
密着して配置されるものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述の液晶表
示パネルにおいて、従来は遮光層6には通常クロム等の
金属が用いられていた。そこで遮光層6にクロムを用い
た場合には、クロムの反射率が高いために、外光をその
まま表示方向に反射してしまい、このため表示のコント
ラストが著しく低下してしまうという問題が発生した。
【0006】一方、上述の液晶表示パネルを製作する場
合に、回路基板10と共通電極基板20とはそれぞれ別
体に作成され、その後に位置合わせをしながら接合する
ようにされている。その場合に、位置合わせをするため
のアライメントマークは、例えば共通電極基板20で
は、遮光層6と同じクロム等の金属を用いて、遮光層6
の形成と同一の工程で形成するようにされている。
【0007】このため例えば共通電極基板20では、ア
ライメントマークは図4のAに示すように、透明なガラ
ス基板4に一部に例えば十字形のクロム等の金属からな
るアライメントマーク7が形成される。これに対して回
路基板10では、図4のBに示すように上述のガラス基
板3に一部にクロムあるいはアルミニューム等の金属面
が形成され、この金属面の中に例えば十字形のアライメ
ントマーク8が金属面を除去して形成される。
【0008】そして図4のCに示すように、アライメン
トマーク7、8が重なるように回路基板10と共通電極
基板20との位置合わせが行われ、この位置合わせの行
われた状態で回路基板10と共通電極基板20とが接合
される。従ってこれらのアライメントマーク7、8は、
互いにコントラストが付く必要があり、従来は上述のよ
うにクロム等の金属からなるアライメントマーク7と金
属面を除去して形成されたアライメントマーク8を用い
て位置合わせが行われていた。
【0009】この出願はこのような点に鑑みて成された
ものであって、解決しようとする問題点は、従来は遮光
層にクロム等の金属が用いられており、このクロムには
光沢があるために、外光をそのまま表示方向に反射して
表示のコントラストが著しく低下してしまっていた。ま
た共通電極基板のアライメントマークはこの遮光層と同
一の工程で形成されており、このアライメントマークと
回路基板のアライメントマークのコントラストを付ける
必要があるというものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の手段
は、回路及び画素電極の設けられる回路基板10に対向
して共通電極基板20の設けられる液晶表示パネルにお
いて、上記共通電極基板には、上記回路基板の回路素子
への外光の入射を遮断する遮光層6が設けられると共
に、この遮光層の少なくとも上記外光が入射される側の
表面を低反射率の酸化クロム9で形成したことを特徴と
する液晶表示パネルである。
【0011】本発明による第2の手段は、第1の手段記
載の液晶表示パネルにおいて、上記酸化クロムで上記共
通電極基板の位置合わせのための一方のマーク70を形
成すると共に、上記回路基板には反射率の高い金属で上
記位置合わせのための他方のマーク80を形成したこと
を特徴とする液晶表示パネルである。
【0012】本発明による第3の手段は、第1の手段記
載の液晶表示パネルにおいて、上記遮光層は、酸化クロ
ムのターゲットを用いてスパッタまたは酸化クロムを蒸
着して形成されたものであることを特徴とする液晶表示
パネルである。
【0013】本発明による第4の手段は、第1の手段記
載の液晶表示パネルにおいて、上記遮光層は、クロムの
ターゲットを用いてスパッタまたはクロムを蒸着すると
共に、酸素ガスを所定の流量及び圧力で供給して酸化反
応を行い、酸化クロム層として形成されたものであるこ
とを特徴とする液晶表示パネルである。
【0014】
【作用】これによれば、遮光層の少なくとも外光が入射
される側の表面を低反射率の酸化クロムで形成したこと
により、外光の反射による表示のコントラストの低下が
軽減され、屋外等の強い外光の下でも良好な表示を行う
ことができる。
【0015】また、酸化クロムで共通電極基板の位置合
わせのための一方のマークを形成すると共に、回路基板
には反射率の高い金属で位置合わせのための他方のマー
クを形成したことにより、これらのマークのコントラス
トが充分に得られ、良好な位置合わせを行うことができ
る。
【0016】
【実施例】図1において、アクティブマトリクスを構成
する薄膜トランジスタ(TFT)1と画素電極2は回路
基板10側のガラス基板3の上面に形成される。この回
路基板10に対向して共通電極基板20が設けられる。
そしてこの共通電極基板20には、ガラス基板4の下面
に共通の対向電極となる透明電極膜5が形成されると共
に、上述の薄膜トランジスタ1等の回路素子に対応する
部分に遮光層6が形成される。
【0017】そして本発明においては、この遮光層6の
少なくとも外光が入射される側の表面が低反射率の酸化
クロム9で形成される。ここで酸化クロム9の形成は、
例えば酸化クロムをターゲットとしてスパッタによって
形成するか、または酸化クロムを蒸着して形成すること
ができる。
【0018】あるいは、クロムをターゲットとしてスパ
ッタによって形成するか、またはクロムを蒸着して形成
すると共に、同時に酸素ガスを所定の流量及び圧力で供
給して酸化反応を行い、酸化クロム層として形成するこ
とができる。
【0019】このようにして、遮光層6の少なくとも外
光が入射される側の表面が低反射率の酸化クロム9で形
成される。なお、形成される膜厚の例としては、例えば
酸化クロムの厚さを約300Å、ピュアクロムの厚さを
約1200Åとすることによって、外光が入射される側
の表面が低反射率で良好な遮光層6が形成される。
【0020】そしてこの場合に、形成される酸化クロム
は、例えばCr2 3 では暗緑色を呈する。またCrO
2 では黒色を呈する。さらにCr5 12では黒色を呈す
る。またCr2 5 では黒色を呈する。さらにCrO3
では暗紫色を呈する。さらにCrO5 では青色を呈す
る。
【0021】従ってこれらの酸化クロムを、遮光層6の
少なくとも外光が入射される側の表面に形成することに
よって、低反射率の酸化クロム9の設けられた遮光層6
が形成される。
【0022】こうして上述の装置によれば、遮光層の少
なくとも外光が入射される側の表面を低反射率の酸化ク
ロムで形成したことにより、外光の反射による表示のコ
ントラストの低下が軽減され、屋外等の強い外光の下で
も良好な表示を行うことができるものである。
【0023】また上述の装置によれば、パネル内やガラ
ス基板内での多重反射が低減され、この多重反射された
光によるアクティブマトリクスを構成する薄膜トランジ
スタ等の回路素子に対する影響が軽減される。さらに、
ガラス基板と接する面をクロムから酸化クロムに変えた
ことによって、遮光層自身の内部応力が減少され、ガラ
ス基板へのストレスを減少させることができる。
【0024】さらに上述の装置において、共通電極基板
20のアライメントマークは上述の酸化クロムで形成さ
れる。従ってこの酸化クロムによるアライメントマーク
70は、図2のAに示すように、透明なガラス基板4に
低反射率の酸化クロムによる十字形が形成される。
【0025】そこでこのような低反射率の酸化クロムに
よるアライメントマーク70を用いる場合に、例えば図
2のBに示すような、従来と同様の回路基板20のガラ
ス基板3上の金属面を除去して形成されたアライメント
マーク8に対しては、コントラストの差が小さく、これ
らを用いて位置合わせを行うことは困難である。
【0026】これに対して本発明では、図2のCに示す
ように、回路基板20のガラス基板3の一部に形成され
た金属面のそのものを用いてアライメントマーク80を
形成する。すなわち例えば十字形の周囲の金属面を僅か
に除去して、金属面のそのものを用いて十字形のアライ
メントマーク80が形成されるようにする。
【0027】従ってこのようなアライメントマーク7
0、80を用いた場合には、図2のDに示すようにこれ
らのコントラストが充分に得られ、これらのアライメン
トマーク70、80を用いて良好な位置合わせを行うこ
とができる。
【0028】こうして酸化クロムで共通電極基板の位置
合わせのための一方のマークを形成すると共に、回路基
板には反射率の高い金属で位置合わせのための他方のマ
ークを形成したことにより、これらのマークのコントラ
ストが充分に得られ、良好な位置合わせを行うことがで
きるものである。
【0029】なお、上述の説明でアライメントマーク7
0、80の形状は上述の十字形には限られない。また、
アライメントマーク80の形成は、形成時のマスクを変
えるだけで従来と同一の工程で形成することができる。
【0030】
【発明の効果】この発明によれば、遮光層の少なくとも
外光が入射される側の表面を低反射率の酸化クロムで形
成したことにより、外光の反射による表示のコントラス
トの低下が軽減され、屋外等の強い外光の下でも良好な
表示を行うことができるようになった。
【0031】また、酸化クロムで共通電極基板の位置合
わせのための一方のマークを形成すると共に、回路基板
には反射率の高い金属で位置合わせのための他方のマー
クを形成したことにより、これらのマークのコントラス
トが充分に得られ、良好な位置合わせを行うことができ
るようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による液晶表示パネルの一例の構成図で
ある。
【図2】その説明のための図である。
【図3】従来の液晶表示パネルの構成図である。
【図4】その説明のための図である。
【符号の説明】
10 回路基板 20 共通電極基板 1 薄膜トランジスタ(TFT) 2 画素電極 3、4 ガラス基板 5 透明電極膜 6 遮光層 9 酸化クロム 70、80 アライメントマーク

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路及び画素電極の設けられる回路基板
    に対向して共通電極基板の設けられる液晶表示パネルに
    おいて、 上記共通電極基板には、上記回路基板の回路素子への外
    光の入射を遮断する遮光層が設けられると共に、 この遮光層の少なくとも上記外光が入射される側の表面
    を低反射率の酸化クロムで形成したことを特徴とする液
    晶表示パネル。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の液晶表示パネルにおい
    て、 上記酸化クロムで上記共通電極基板の位置合わせのため
    の一方のマークを形成すると共に、上記回路基板には反
    射率の高い金属で上記位置合わせのための他方のマーク
    を形成したことを特徴とする液晶表示パネル。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の液晶表示パネルにおい
    て、 上記遮光層は、酸化クロムのターゲットを用いてスパッ
    タまたは酸化クロムを蒸着して形成されたものであるこ
    とを特徴とする液晶表示パネル。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の液晶表示パネルにおい
    て、 上記遮光層は、クロムのターゲットを用いてスパッタま
    たはクロムを蒸着すると共に、酸素ガスを所定の流量及
    び圧力で供給して酸化反応を行い、酸化クロム層として
    形成されたものであることを特徴とする液晶表示パネ
    ル。
JP6227042A 1994-09-21 1994-09-21 液晶表示パネル Pending JPH0895014A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6227042A JPH0895014A (ja) 1994-09-21 1994-09-21 液晶表示パネル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6227042A JPH0895014A (ja) 1994-09-21 1994-09-21 液晶表示パネル

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0895014A true JPH0895014A (ja) 1996-04-12

Family

ID=16854619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6227042A Pending JPH0895014A (ja) 1994-09-21 1994-09-21 液晶表示パネル

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0895014A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1195196A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Fujitsu Ltd 液晶パネル表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1195196A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Fujitsu Ltd 液晶パネル表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20150253473A1 (en) Color filter array substrate, method for fabricating the same and display device
JP2003222854A (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP2007003778A (ja) 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
CN108363233A (zh) 彩色滤光片基板及其制作方法
JP2001281648A (ja) 半透過型液晶表示パネルおよびこれの製造方法
US20050019679A1 (en) [color filter substrate and fabricating method thereof]
JP2000250021A (ja) カラー液晶表示パネルおよびその製造方法
US7158198B2 (en) Transflective color liquid crystal display including color filters on transparent resists and method of fabricating a substrate therefor
US6621539B2 (en) Reflective type LCD and method of manufacturing the same
JPH0895014A (ja) 液晶表示パネル
JP3603444B2 (ja) 対向基板、その製造方法、液晶表示素子及び投射型液晶表示装置
JPH06250163A (ja) 表示装置用遮光膜
JP3521490B2 (ja) 液晶表示素子およびその製造方法
JPH07234314A (ja) ブラックマトリックス基板およびその製造方法
JP2007017756A (ja) 液晶表示装置
JPH041725A (ja) 液晶表示装置
JPH04171420A (ja) 液晶表示装置とその製造方法
JPH05134108A (ja) カラーフイルタ
JPH01297623A (ja) アクティブマトリックス形表示パネル
JPH07325300A (ja) カラー液晶表示パネル
JP2519523Y2 (ja) 液晶表示装置
JPH08101385A (ja) 反射型液晶表示装置とその製造方法
JP2958474B2 (ja) 半導体装置、光弁装置およびプロジェクション装置
JPH09258016A (ja) カラーフィルタ基板とその製造方法
JPH08334753A (ja) 表示用基板およびその製造方法