JPH0892561A

JPH0892561A - 液晶光学素子

Info

Publication number: JPH0892561A
Application number: JP22631594A
Authority: JP
Inventors: Tomohisa Goto; 智久五藤; Daisaku Nakada; 大作中田; Hideya Murai; 秀哉村井; Etsuo Hasegawa; 悦雄長谷川
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1994-09-21
Filing date: 1994-09-21
Publication date: 1996-04-09
Anticipated expiration: 2011-09-04
Also published as: JP2531468B2

Abstract

(57)【要約】【目的】低電圧駆動が可能であり、ヒステリシス特性
の優れた液晶光学素子を提供する。【構成】電極層が付いた少なくとも一方が透明な２枚
の基板間に、カイラルネマチック液晶と高分子樹脂とか
らなる調光層を挟持し、電界無印加時にプレーナーテク
スチャー、電界印加時にフォーカルコニックテクスチャ
ーとなる液晶光学素子において、前記高分子樹脂がスチ
ルベン骨格を有した（メタ）アクリレート系化合物を含
む高分子樹脂前駆体を光重合した化合物であることを特
徴とする液晶光学素子。【効果】本発明によれば、駆動電圧が低く、ヒステリ
シスも小さい液晶光学素子を提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電圧無印加時に透明状
態あるいは選択反射状態となり、電圧印加時に散乱状態
となる液晶光学素子に関するものであり、本発明の液晶
光学素子は、文字、図形等を表示する表示装置、光シャ
ッター等に利用される。

【０００２】

【従来の技術】液晶を用いた表示素子は、従来、ネマチ
ック液晶を使用したＴＮ型や、ＳＴＮ型のものが実用化
されている。また近年、強誘電液晶や反強誘電液晶の開
発も行われている。しかしこれらの素子は偏光板を要す
るため、明るさ、コントラストにおいて制限を受けると
いう欠点を有している。

【０００３】一方、特公平３−５２８４３号公報に開示
された、液晶をカプセル化し、高分子樹脂中に分散する
方法では、偏光板を要しないため光の利用効率が高いと
いう利点を有している。このＰＤＬＣまたはＮＣＡＰと
呼ばれる液晶光学素子においては、カプセル内の液晶の
屈折率が電界の有無によって変化することを利用してい
る。つまりカプセル材の屈折率を電圧印加下の液晶の屈
折率と等しく設定することにより電圧印加下では光を透
過し透明となり、電圧を除いた時には光を散乱し不透明
となる光学素子が得られる。しかしながら上記液晶光学
素子は、高分子樹脂と液晶との屈折率差を利用している
ため、光透過率の温度依存性が大きい、光透過率の視野
角依存性が大きい等の問題があった。

【０００４】これに対し、国際出願９２／１９６９５号
公報に開示されたカイラルネマチック液晶中に微量の高
分子樹脂を分散する方法では、電界無印加下に液晶相は
プレナーテクスチャーを形成し素子は透明となり、電圧
印加下にフォーカルコニックテクスチャーを形成し不透
明となる液晶光学素子が得られている。一般にＰＳＣＴ
と呼ばれるこの液晶光学素子は、カイラルネマチック液
晶の相変化による光の透過散乱現象を利用しており、液
晶と高分子樹脂との屈折率差を利用するもではない。こ
のため、光透過率の温度依存性が小さく、また、光透過
率の視野角依存性も小さいという利点を有している。さ
らにカイラルピッチの調整により、選択反射も可能とな
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記国際出願９２／１
９６９５号公報において、高分子樹脂前駆体としては
４，４′−ビスアクリロイルビフェニルが例示されてい
る。しかしながら、上記開示技術の液晶光学素子は、光
透過型で駆動電圧が１４Ｖ以上と高く、薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）等で駆動することが出来ないという問題点
があった。また上記開示技術による素子はヒステリシス
が大きく、階調表示が出来ないという問題もあった。

【０００６】特開平５−２２４１８７号公報では、上記
液晶光学素子の特性の改善が提案されており、高分子樹
脂前駆体として４，４′−ジアクリロイルオキシ３，
３′，５，５′−テトラメチルビフェニルが例示されて
いる。しかしながら、この液晶光学素子も駆動電圧が約
１０Ｖと高く、またヒステリシスも０．８Ｖと大きく、
十分なものとは言えない。これらの２つの開示技術は、
いずれも高分子樹脂前駆体としてビフェニル骨格を有し
ている化合物を使用している。

【０００７】

【課題を解決するための手段】一般に、駆動電圧やヒス
テリシス等の電気光学特性は、高分子樹脂とカイラルネ
マチック液晶との相互作用が大きく影響していることが
知られているが、その相互作用を化学構造から予想する
ことはできていない。

【０００８】本発明者らは、前述の課題を解決するため
に鋭意研究した結果、スチルベン骨格を有した（メタ）
アクリレート系化合物を含む高分子樹脂前駆体を光重合
した化合物を、上記相変化型の液晶光学素子のカイラル
ネマチック液晶中に分散する高分子樹脂として使用する
ことにより、低電圧駆動が可能であり、ヒステリシス特
性の優れた液晶素子が得られることを見出した。また、
スチルベン骨格有した（メタ）アクリレート系化合物を
フッ素を含有した（メタ）アクリレート系化合物と共重
合することによりさらにヒステリシス特性が改善される
ことを見出し本発明に至った。

【０００９】つまり本発明は、電極層が付いた少なくと
も一方が透明な２枚の基板間に液晶と高分子樹脂とから
なる調光層を挟持した液晶光学素子において、前記高分
子樹脂が、スチルベン骨格を有した（メタ）アクリレー
ト系化合物を含む高分子前駆体を光重合した化合物であ
ることを特徴とする。

【００１０】なお本発明中の（メタ）アクリレート系化
合物とは、アクリレート系化合物およびメタクリレート
系化合物を意味する。

【００１１】本発明のスチルベン骨格を有した（メタ）
アクリレート系化合物としては、例えば、４−アクリロ
イルオキシスチルベン、４−アクリロイルオキシジメチ
ルスチルベン、４−アクリロイルオキシジエチルスチル
ベン、４−アクリロイルオキシジプロピルスチルベン、
４−アクリロイルオキシジブチルスチルベン、４−アク
リロイルオキシジペンチルスチルベン、４−アクリロイ
ルオキシジヘキシルスチルベン、４−アクリロイルオキ
シジフルオロスチルベン、４−アクリロイルオキシジク
ロロスチルベン、４，４′−ジアクリロイルオキシスチ
ルベン、４，４′−ジアクリロイルオキシジメチルスチ
ルベン、４，４′−ジアクリロイルオキシジエチルスチ
ルベン、４，４′−ジアクリロイルオキシジプロピルス
チルベン、４，４′−ジアクリロイルオキシジブチルス
チルベン、４，４′−ジアクリロイルオキシジペンチル
スチルベン、４，４′−ジアクリロイルオキシジヘキシ
ルスチルベン、４，４′−ジアクリロイルオキシジフル
オロスチルベン、４，４′−ジアクリロイルオキシジク
ロロスチルベン、４−アクリロイルスチルベン、４−ア
クリロイルジメチルスチルベン、４−アクリロイルジエ
チルスチルベン、４−アクリロイルジプロピルスチルベ
ン、４−アクリロイルジブチルスチルベン、４−アクリ
ロイルジペンチルスチルベン、４−アクリロイルジヘキ
シルスチルベン、４−アクリロイルジフルオロスチルベ
ン、４−アクリロイルジクロロスチルベン、４，４′−
ジアクリロイルスチルベン、４，４′−ジアクリロイル
ジメチルスチルベン、４，４′−ジアクリロイルジエチ
ルスチルベン、４，４′−ジアクリロイルジプロピルス
チルベン、４，４′−ジアクリロイルジブチルスチルベ
ン、４，４′−ジアクリロイルジペンチルスチルベン、
４，４′−ジアクリロイルジヘキシルスチルベン、４，
４′−ジアクリロイルジフルオロスチルベン、４，４′
−ジアクリロイルジクロロスチルベン等があるが、これ
に限定されるものではない。

【００１２】本発明の液晶光学素子の調光層に用いられ
る高分子樹脂はスチルベン骨格を有した（メタ）アクリ
レート系化合物を含む高分子樹脂前駆体を単独で光重合
したホモポリマーであっても良いし、他の一種類以上の
高分子樹脂前駆体とのコポリマーであっても構わない。

【００１３】他の光重合性の高分子樹脂前駆体として
は、アクリロイル基、ビニル基等の通常の光重合性基有
する高分子樹脂前駆体であればいずれも使用できるが、
特にフッ素を含有した（メタ）アクリレート系化合物が
有効である。光重合性基は、高分子樹脂前駆体一分子中
に複数あっても構わない。

【００１４】本発明のスチルベン骨格を有した（メタ）
アクリレート系化合物と共重合できるフッ素を含有した
（メタ）アクリレート系化合物としては、例えば、２，
２，２−トリフルオロエチルアクリレート、２，２，
３，３，３−ペンタフルオロプロピルアクレート、２，
２，３，３−テトラフルオロプロピルアクリレート、
２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルアクリ
レート等のモノアクリレート化合物、２，２，２−トリ
フルオロエチルメタクリレート、２，２，３，３−テト
ラフルオロプロピルメタクリレート、２，２，３，４，
４，４−ヘキサフルオロブチルメタクリレート等のモノ
メタクリレート化合物、２，２，３，３，４，４−ヘキ
サフルオロペンタンジオール１，５−ジアクリレート等
のジアクリレート化合物、２，２，３，３，４，４−ヘ
キサフルオロペンタンジオール１，５−メタクリレート
等のジメタクリレート化合物等があるがこれに限定され
るものではない。

【００１５】また、フッ素を含有した（メタ）アクリレ
ート系化合物以外に、本発明のスチルベン骨格を有した
（メタ）アクリレート系化合物と共重合できる光重合性
基を有する高分子樹脂前駆体としては、２−エチルヘキ
シルアクリレート、ブチルエチルアクリレート、ブトキ
シエチルアクリレート、２−シアノエチルアクリレー
ト、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−エトキ
シエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル
アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレ
ート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペン
テニルアクリレート、グリシジルアクリレート、テトラ
ヒドロフルフリルアクリレート、イソボニルアクリレー
ト、イソデシルアクリレート、ラウリルアクリレート、
モルホリンアクリレート、フェノキシエチルアクリレー
ト、フェノキシジエチレングリコールアクリレート等の
単官能アクリレート化合物、２−エチルヘキシルメタク
リレート、ブチルエチルメタクリレート、ブトキシエチ
ルメタクリレート、２−シアノエチルメタクリレート、
ベンジルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−エト
キシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチ
ルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタ
クリレート、ジシクロペンタニルメタクリレート、ジシ
クロペンテニルメタクリレート、グリシジルメタクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、イソボ
ニルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウ
リルメタクリレート、モルホリンメタクリレート、フェ
ノキシエチルメタクリレート、フェノキシジエチレング
リコールメタクリレート等の単官能メタクリレート化合
物、ジエチレングリコールジアクリレート、１，４−ブ
タンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコ
ールジアクリレート、ジシクロペンタニルジアクリレー
ト、グリセロールジアクリレート、１，６−ヘキサンジ
オールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアク
リレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリ
スリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラア
クリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアク
リレート、ウレタンアクリレートオリゴマー等の多官能
アクリレート化合物、ジエチレングリコールジメタクリ
レート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、
１，３−ブチレングリコールジメタクリレート、ジシク
ロペンタニルジメタクリレートグリセロールジメタクリ
レート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、
ネオペンチルグリコールジメタクリレート、テトラエチ
レングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロ
パントリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
メタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレ
ート、ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジ
ペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタメタクリレ
ート、ウレタンメタクリレートオリゴマー等の多官能メ
タクリレート化合物、スチレン、アミノスチレン、酢酸
ビニル等があるがこれに限定されるものではない。

【００１６】高分子樹脂は、カイラルネマチック液晶中
に０．５重量％以上８．０重量％以下含有されているこ
とが望ましい。０．５重量％以下の場合には、散乱強度
が低下しするためコントラストが低くなり、多すぎると
電圧無印加時の透過率が低下し、かつ駆動電圧が非常に
高くなる。

【００１７】高分子樹脂が、スチルベン骨格を有した
（メタ）アクリレート系化合物と他の一種類以上の高分
子樹脂前駆体との共重合体である場合、高分子樹脂中
の、スチルベン骨格を有した（メタ）アクリレート系化
合物の比率は、３０重量％以上が望ましい。特に、フッ
素を含有した脂肪族（メタ）アクリレート系化合物と共
重合する場合は、６０重量％以上が望ましい。スチルベ
ン骨格を有した（メタ）アクリレート系化合物の含有量
が少ないと、駆動電圧およびヒステリシスが大きくな
る。

【００１８】高分子樹脂前駆体の光重合に用いられる光
線としては可視光線、紫外線の他、電子線を用いること
ができる。可視光線、紫外線による光重合を行う際には
反応促進のために光重合開始剤を添加することが望まし
い。その光重合開始剤としては、２，２−ジエトキシア
セトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェ
ニル−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル−）
−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１
−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メ
チルプロパン−１−オン、２−メチル−１−［４−（メ
チルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等
のアセトフェノン系、ベンゾインメチルエーテル、ベン
ゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテ
ル、ベンジルジメチルケタール等のベンゾイン系、ベン
ゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４−フェニルベンゾ
フェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェ
ノン等のベンゾフェノン系、チオキサンソン、２−クロ
ルチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン等のチオ
キサンソン系、ジアゾニウム塩系、スルホニウム塩系、
ヨードニウム塩系、セレニウム塩系等の通常の光重合開
始剤が使用できる。開始剤は固体でも液体でも構わない
が素子の均一性の点から液晶中に溶解または相溶するも
のが望ましい。開始剤濃度は高分子樹脂前駆体の３０重
量％以下が好ましい。また必要の応じてメチルジエタノ
ールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸等の光開始助
剤を添加することもできる。

【００１９】本発明の液晶光学素子に使用される液晶と
しては、ネマチック液晶中にカイラル剤を混合したカイ
ラルネマチック液晶が使用されるが、これと類似の特性
を有している通常のコレステリック液晶も使用すること
ができる。

【００２０】ネマチック液晶としては、シアノ系、フッ
素系、塩素系等のいずれの液晶でも使用することができ
るが、高電荷保持率、高△ｎ、高△εの液晶が望まし
く、特に塩素系液晶が有効である。またカイラル剤も、
特に制限は無いが、液晶と相溶することが望ましい。

【００２１】ネマチック液晶とカイラル剤の混合比は、
目的とするカイラルピッチにより決定される。カイラル
ネマチック液晶のカイラルピッチは、透過散乱型として
使用する場合は、素子の駆動電圧とコントラストの関係
より１．０μm 以上５．０μm 以下が望ましい。また、
選択反射型として使用する場合は０．２５μm 以上１．
０μm 以下が望ましい。

【００２２】本発明に用いられる基板の材質は、ガラ
ス、プラスチック、金属等が使用できる。またカラーフ
ィルターを有する基板を用いて、カラー化することがで
きる。

【００２３】基板は電極層が調光層側になるように設置
する。

【００２４】電極層としてはＩＴＯ等の材質のものが利
用できるが、使用する基板自身が導電性を有している場
合は、基板を電極としても利用することもできる。電極
層は調光層と密着した状態で設置する。

【００２５】これらの電極層付き基板は液晶が配向する
ように処理されていないものでもよいが、処理されてい
ることが望ましい。この際、２枚の基板ともホモジニア
ス配向であっても良いし、一方がホモジニアス配向で、
もう一方がホメオトロピック配向である、いわゆるハイ
ブリッドであっても構わない。これらの配向処理には、
ＴＮ液晶、ＳＴＮ液晶等に用いられるポリイミド等の通
常の配向膜が利用できる。またラビング処理することが
望ましい。

【００２６】基板の間隔設定には、通常の液晶デバイス
に用いられるガラスまたは高分子樹脂等から成るロッド
状、球状のスペーサーを使用することができ、その間隔
は３μm 以上３０μm 以下程度が望ましい。

【００２７】本発明の液晶光学素子は、ギャップの定ま
った基板間に、カイラルネマチック液晶および単量体の
混合物を挟持した後、光を照射して製造することができ
る。この際、混合物の注入は、減圧下でも常圧下でも構
わない。また必要であれば、加温を行っても構わない。

【００２８】本発明の液晶光学素子は、調光層を電極層
を有する２枚の透明な基板間に挟持した構造である光透
過型のみならず一方の基板が不透明な構造にも適応でき
る。例えば調光層を電極層を有する透明な基板と電極層
を有する光反射板間に挟持した素子構造、電極層を有す
る透明な基板と電極層を有する光吸収板間に挟持した素
子構造等がある。

【００２９】光反射板は光を反射する材料で構成されて
いればあれば無機材料でも有機材料でも構わない。また
反射強度または反射波長は目的とする素子特性により任
意に変更できる。その構造は光反射材料が光反射板全体
を形成しているものであっても良いし、光反射材料がガ
ラス等の別の材質の基板上にコーティングされていても
良い。光反射材料をコーティングした場合、光反射材料
が調光層側にある必要はない。また光反射材料をコーテ
ィングする基板は光反射材料が調光層側に位置していな
い場合は必ずしも透明である必要はない。

【００３０】光吸収板は光を吸収する材料で構成されて
いればあれば無機材料でも有機材料でも構わない。吸収
強度または吸収波長は目的とする素子特性により任意に
変更できる。その構造は光吸収材料が光吸収板全体を形
成しているものであっても良いし、光吸収材料がガラス
等の別の材質の基板上にコーティングされていても良
い。光吸収材料をコーティングした場合、光吸収材料が
調光層側にある必要はない。また光吸収材料をコーティ
ングする基板は光吸収材料が調光層側に位置していない
場合は必ずしも透明である必要はない。光反射材料また
は光吸収材料が導電性を有している場合はこれらを電極
としても利用することもできる。

【００３１】本発明の液晶光学素子の用途としては、窓
や間仕切り等の建築材料や文字や図形を表示する表示装
置がある。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。

【００３３】なお本発明の実施例に記述されている駆動
電圧、応答時間は以下のように定義する。

【００３４】駆動電圧：電圧無印加時の光透過率を１
００％（初期透過率）、電圧印加により飽和した光透過
率を０％（飽和透過率）とした時、素子の光透過率が１
０％となる印加電圧。

【００３５】応答時間：オンの応答時間は、電圧無印
加時の光透過率を１００％（初期透過率）、電圧印加に
より飽和した光透過率を０％（飽和透過率）とした時、
電圧印加後に、素子の光透過率が１００％から１０％に
減少するまでの時間である。また、同様にオフの応答時
間は、印加電圧除去後、素子の光透過率が０％から９０
％に増加するまでの時間である。

【００３６】電荷保持率：５Ｖ、６０μｓのパルス電
圧を素子に印加する。１６．７ｍｓ後に素子が保持して
いる電圧をＶとすると、電荷保持率は以下の式で示され
る。

【００３７】電荷保持率＝（Ｖ／５）×１００（％）（実施例１）塩素系ネマチック液晶ＴＬ２１５（メルク
社製）９５．６ｗｔ％、カイラル剤Ｓ８１１（メルク社
製）２．４ｗｔ％（カイラルネマチック液晶のカイラル
ピッチは３．８μm ）、高分子樹脂前駆体ジエチルスチ
ルベストロールジアクリレート１．９ｗｔ％および重合
開始剤ベンゾインメチルエーテル０．１０ｗｔ％の混合
液を２枚のホモジニアス配向処理された電極層付き透明
ガラス基板から成るギャップ９μm の液晶セルに注入し
た。この液晶セルを２０℃に保ち、０．１ｍＷ／cm²の
紫外線（波長３６５nm）を１５０分間照射し、アクリレ
ートモノマーを硬化させた。

【００３８】作製した液晶光学素子の電気光学特性は、
光源としてヘリウム−ネオンレーザ、検出器としてフォ
トダイオードを用いて１００Ｈｚの矩形波を印加して測
定した。光学系のＦ値は１５であった。２５℃での特性
は以下の通りである。

【００３９】駆動電圧６．４Ｖ光透過率（電圧無印加時）８３％光透過率（８Ｖ印加時）１．２％コントラスト６９ヒステリシス０．２３Ｖ応答時間（オン；８Ｖ印加）２５ｍｓ（オフ）１２ｍｓ電荷保持率９５％（実施例２）塩素系液晶ＴＬ２１５（メルク社製）９
５．６ｗｔ％、カイラル剤Ｓ８１１（メルク社製）２．
５ｗｔ％（カイラルネマチック液晶のカイラルピッチは
３．６μm ）、ジエチルスチルベストロールジアクリレ
ート１．４ｗｔ％、２，２，３，３，４，４−ヘキサフ
ルオロぺンタン−１，５−ジオールジアクリレート０．
５ｗｔ％および２，２−ジエトキシアセトフェノン０．
１０ｗｔ％の混合液を２枚のホモジニアス配向処理され
た電極層付き透明ガラス基板から成るギャップ９μm の
液晶セルに注入した。

【００４０】紫外線の照射条件および電気光学特性の評
価条件は実施例１と同じ条件で行った。

【００４１】駆動電圧６．４Ｖ光透過率（電圧無印加時）８１％光透過率（７Ｖ印加時）１．１％コントラスト７３ヒステリシス０．１９Ｖ応答時間（オン；８Ｖ）２２ｍｓ（オフ）１１ｍｓ電荷保持率９３％（比較例１）高分子樹脂前駆体として、ジエチルスチル
ベストロールジアクリレートの代わりに４，４′−ビス
アクリロイルビフェニル（１．９ｗｔ％）を使用する以
外は実施例１と同等の条件で行った。

【００４２】駆動電圧１６．２Ｖ光透過率（電圧無印加時）８０％光透過率（２０Ｖ印加時）２．５％コントラスト３２ヒステリシス４．５Ｖ応答時間（立ち下がり；２０Ｖ印加）１２ｍｓ（立ち上がり）１７ｍｓ電荷保持率９２％（比較例２）高分子樹脂前駆体として、ジエチルスチル
ベストロールジアクリレートの代わりに４，４′−ジア
クリロイルオキシビフェニル（１．９ｗｔ％）を使用す
る以外は実施例１と同等の条件で行った。

【００４３】駆動電圧１４．５Ｖ光透過率（電圧無印加時）８１％光透過率（１７Ｖ印加時）３．０％コントラスト２７ヒステリシス３．７Ｖ応答時間（オン；１７Ｖ）１０ｍｓ（オフ）１２ｍｓ電荷保持率９１％（実施例３）高分子樹脂前駆体として、ジエチルスチル
ベストロールジアクリレートの代わりに４，４′−ジア
クリロイルオキシジフルオロスチルベン、（１．９ｗｔ
％）を使用する以外は実施例１と同等の条件で行った。

【００４４】駆動電圧６．７Ｖ光透過率（電圧無印加時）８２％光透過率（７Ｖ印加時）１．３％コントラスト６３ヒステリシス０．２０Ｖ応答時間（オン；８Ｖ）２９ｍｓ（オフ）１３ｍｓ電荷保持率９２％（実施例４）高分子樹脂前駆体として、ジエチルスチル
ベストロールジアクリレートの代わりに４，４′−ジア
クリロイルオキシジフルオロスチルベン（１．９ｗｔ
％）を使用する以外は実施例２と同等の条件で行った。

【００４５】駆動電圧６．５Ｖ光透過率（電圧無印加時）８０％光透過率（７Ｖ印加時）１．５％コントラスト５３ヒステリシス０．１７Ｖ応答時間（オン；８Ｖ）３０ｍｓ（オフ）１２ｍｓ電荷保持率９１％（実施例５）液晶の重量％を７０ｗｔ％、カイラル剤の
重量％を２８ｗｔ％とする以外は実施例１と同等の条件
で素子を作製した。作製した素子は電圧無印加時に可視
光を選択反射した。また５０Ｖ、１００Ｈｚの電圧を印
加するとフォーカルコニック状態（散乱状態）となり、
それをメモリーした。そして、１００Ｖのパルス電圧を
印加すると、可視光の選択反射状態に戻った。電荷保持
率は９０％であった。

【００４６】

【発明の効果】本発明の液晶光学素子によれば、相変化
を用いた液晶光学素子の駆動電圧が低下し、ＴＦＴ駆動
が可能となる。またヒステリシスも低下するため、階調
表示が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係わる液晶光学素子の光透
過率を示したグラフである。

【図２】本発明の実施１に係わる液晶光学素子の構造を
示した図である。

【符号の説明】

１基板２電極層３配向膜４高分子樹脂５カイラルネマチック液晶

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者長谷川悦雄東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極層が付いた少なくとも一方が透明な２
枚の基板間にカイラルネマチック液晶と高分子樹脂とか
らなる調光層を挟持し、電界無印加時にプレナーテクス
チャーとなり、電界印加時にフォーカルコニックテクス
チャーとなる液晶光学素子において、前記高分子樹脂
が、スチルベン骨格を有した（メタ）アクリレート系化
合物を含む高分子樹脂前駆体を光重合した化合物である
ことを特徴とする液晶光学素子。
【請求項２】電極層が付いた少なくとも一方が透明な２
枚の基板間にカイラルネマチック液晶と高分子樹脂とか
らなる調光層を挟持し、電界無印加時にプレナーテクス
チャーとなり、電界印加時にフォーカルコニックテクス
チャーとなる液晶光学素子において、前記高分子樹脂
が、スチルベン骨格を有した（メタ）アクリレート系化
合物およびフッ素を含有した（メタ）アクリレート系化
合物を含む高分子樹脂前駆体を光重合した化合物である
ことを特徴とする液晶光学素子。