JPH0888807A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH0888807A JPH0888807A JP6248888A JP24888894A JPH0888807A JP H0888807 A JPH0888807 A JP H0888807A JP 6248888 A JP6248888 A JP 6248888A JP 24888894 A JP24888894 A JP 24888894A JP H0888807 A JPH0888807 A JP H0888807A
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- solder reflow
- conversion element
- substrate
- light emitting
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- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程の簡素化及び品質向上を図ったイメ
ージセンサを提供する。 【構成】 本イメージセンサ１０は、基板１５の表面１
５ｃに光電変換素子１３のみをダイボンディングにより
実装し、基板１５の裏面１５ｂのみを半田リフロー面と
し、その裏面１５ｂに各種のＩＣ（その他の回路部品）
１４及びＬＥＤ（発光素子）１２を半田リフローにより
実装したものである。一方の面１５ｂのみを半田リフロ
ー面とすることにより、半田リフロー工程が一回で済
む。光電変換素子１３が実装される面１５ｃとは反対側
の面１５ｂを半田リフロー面とし、その面１５ｂにＬＥ
Ｄ１２を実装することにより、光電変換素子１３が半田
リフロー処理の影響で不純物汚染され難くなる。
ージセンサを提供する。 【構成】 本イメージセンサ１０は、基板１５の表面１
５ｃに光電変換素子１３のみをダイボンディングにより
実装し、基板１５の裏面１５ｂのみを半田リフロー面と
し、その裏面１５ｂに各種のＩＣ（その他の回路部品）
１４及びＬＥＤ（発光素子）１２を半田リフローにより
実装したものである。一方の面１５ｂのみを半田リフロ
ー面とすることにより、半田リフロー工程が一回で済
む。光電変換素子１３が実装される面１５ｃとは反対側
の面１５ｂを半田リフロー面とし、その面１５ｂにＬＥ
Ｄ１２を実装することにより、光電変換素子１３が半田
リフロー処理の影響で不純物汚染され難くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、密着型イメージセンサ
等のイメージセンサに関する。
等のイメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイメージセンサ１では、図２に示
すように、基板２の表面２ａに半田リフローによりＬＥ
Ｄ（ライトエミッティングダイオード）３を実装し、そ
の同一面２ａに光電変換素子４をダイボンディングによ
り実装し、基板２の裏面２ｂにＩＣ（インテグレーテッ
ドサーキット）５を半田リフローにより実装している。
すように、基板２の表面２ａに半田リフローによりＬＥ
Ｄ（ライトエミッティングダイオード）３を実装し、そ
の同一面２ａに光電変換素子４をダイボンディングによ
り実装し、基板２の裏面２ｂにＩＣ（インテグレーテッ
ドサーキット）５を半田リフローにより実装している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、半田リフロー面が基板２の両面に必要とな
り、光電変換素子４が実装される面にＬＥＤ３も実装さ
れることから、次のような欠点があった。
来例では、半田リフロー面が基板２の両面に必要とな
り、光電変換素子４が実装される面にＬＥＤ３も実装さ
れることから、次のような欠点があった。
【０００４】(1) 半田リフロー工程が基板２の両面に
必要であるため、コスト高を招いていた。
必要であるため、コスト高を招いていた。
【０００５】(2) 光電変換素子４が実装される面が半
田リフロー処理の影響で不純物汚染され、また、光電変
換素子４の実装時に半田ボール等の異物が混入する可能
性があり、品質劣化の原因となっていた。
田リフロー処理の影響で不純物汚染され、また、光電変
換素子４の実装時に半田ボール等の異物が混入する可能
性があり、品質劣化の原因となっていた。
【０００６】そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなさ
れたものであり、製造工程の簡素化及び品質向上を図っ
たイメージセンサを提供することを目的とする。
れたものであり、製造工程の簡素化及び品質向上を図っ
たイメージセンサを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のイメージ
センサは、原稿に対し光を照射する発光素子と、入射し
た光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記発光素
子からの照射光により前記原稿で反射した光を前記光電
変換素子へ導いて結像させる光学系とを有するイメージ
センサにおいて、前記光電変換素子を実装する基板を備
え、その基板の前記光電変換素子を実装する面とは反対
側の面に前記発光素子を実装したことを特徴とするもの
である。
センサは、原稿に対し光を照射する発光素子と、入射し
た光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記発光素
子からの照射光により前記原稿で反射した光を前記光電
変換素子へ導いて結像させる光学系とを有するイメージ
センサにおいて、前記光電変換素子を実装する基板を備
え、その基板の前記光電変換素子を実装する面とは反対
側の面に前記発光素子を実装したことを特徴とするもの
である。
【０００８】請求項２記載のイメージセンサは、前記基
板に、前記発光素子からの照射光を通過させる貫通孔を
備えたことを特徴とするものである。
板に、前記発光素子からの照射光を通過させる貫通孔を
備えたことを特徴とするものである。
【０００９】請求項３記載のイメージセンサは、前記基
板の一方の面に前記光電変換素子のみを実装し、その他
方の面に前記発光素子及びその他の回路部品を半田リフ
ローにより実装したことを特徴とするものである。
板の一方の面に前記光電変換素子のみを実装し、その他
方の面に前記発光素子及びその他の回路部品を半田リフ
ローにより実装したことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】請求項１記載のイメージセンサによれば、基板
の一方の面のみを半田リフロー面とすることにより、半
田リフロー工程が一回で済む。また、光電変換素子が実
装される面とは反対側の面を半田リフロー面とし、その
面に発光素子を実装することにより、光電変換素子が半
田リフロー処理の影響で不純物汚染され難くなる。
の一方の面のみを半田リフロー面とすることにより、半
田リフロー工程が一回で済む。また、光電変換素子が実
装される面とは反対側の面を半田リフロー面とし、その
面に発光素子を実装することにより、光電変換素子が半
田リフロー処理の影響で不純物汚染され難くなる。
【００１１】請求項２記載のイメージセンサによれば、
発光素子の発光部からの照射光は、貫通孔を通って発光
素子が実装された面と反対側へ照射される。
発光素子の発光部からの照射光は、貫通孔を通って発光
素子が実装された面と反対側へ照射される。
【００１２】請求項３記載のイメージセンサによれば、
基板の一方の面のみを半田リフロー面とすることによ
り、半田リフロー工程が一回で済む。また、基板の他方
の面に光電変換素子のみを実装し、一方の半田リフロー
面に発光素子及びその他の回路部品を半田リフローによ
り実装することにより、光電変換素子が半田リフロー処
理の影響で不純物汚染され難くなる。
基板の一方の面のみを半田リフロー面とすることによ
り、半田リフロー工程が一回で済む。また、基板の他方
の面に光電変換素子のみを実装し、一方の半田リフロー
面に発光素子及びその他の回路部品を半田リフローによ
り実装することにより、光電変換素子が半田リフロー処
理の影響で不純物汚染され難くなる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳述
する。
する。
【００１４】図１は本発明のイメージセンサの一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【００１５】このイメージセンサ１０は、ケース１１を
有し、このケース１１の内部に、原稿Ｐに対し光を照射
する複数の発光素子としてのＬＥＤ（ライトエミッティ
ングダイオード）１２、入射した光を電気信号に変換す
る複数の光電変換素子１３及びその他の回路部品として
の各種のＩＣ（インテグレーテッドサーキット）１４が
実装された基板１５と、光学系としての短焦点結像素子
アレー１６とを各々配設した密着型イメージセンサであ
る。
有し、このケース１１の内部に、原稿Ｐに対し光を照射
する複数の発光素子としてのＬＥＤ（ライトエミッティ
ングダイオード）１２、入射した光を電気信号に変換す
る複数の光電変換素子１３及びその他の回路部品として
の各種のＩＣ（インテグレーテッドサーキット）１４が
実装された基板１５と、光学系としての短焦点結像素子
アレー１６とを各々配設した密着型イメージセンサであ
る。
【００１６】短焦点結像素子アレー１６は、ＬＥＤ１２
からの照射光により原稿Ｐで反射した光を光電変換素子
１３へ導いて結像させるものであり、ケース１１の内側
に直接固定されている。
からの照射光により原稿Ｐで反射した光を光電変換素子
１３へ導いて結像させるものであり、ケース１１の内側
に直接固定されている。
【００１７】基板１５は、貫通孔１５ａを備え、裏面１
５ｂを半田リフロー面とするものである。この基板１５
の表面１５ｃには、複数の光電変換素子４をダイボンデ
ィングによりアレー状に配列している。また、基板１５
の裏面１５ｂには、光電変換素子１４と平行になるよう
に複数のＬＥＤ１２をアレー状に配列している。このＬ
ＥＤ１２を配列する際、ＬＥＤ１２の発光部１２ａを基
板１５の貫通孔１５ａに入り込ませてＬＥＤ１２の発光
部１２ａが基板１５の表面１５ｃ側に向くように配列す
る。
５ｂを半田リフロー面とするものである。この基板１５
の表面１５ｃには、複数の光電変換素子４をダイボンデ
ィングによりアレー状に配列している。また、基板１５
の裏面１５ｂには、光電変換素子１４と平行になるよう
に複数のＬＥＤ１２をアレー状に配列している。このＬ
ＥＤ１２を配列する際、ＬＥＤ１２の発光部１２ａを基
板１５の貫通孔１５ａに入り込ませてＬＥＤ１２の発光
部１２ａが基板１５の表面１５ｃ側に向くように配列す
る。
【００１８】このように本実施例は、ごみ等の影響を受
け易い光電変換素子１３が実装される面の半田リフロー
工程を廃止し、半田リフローにより実装される部品（Ｌ
ＥＤ１２，ＩＣ１４）を基板１５の裏面１５ｂに集中さ
せていることから、次の効果が得られる。
け易い光電変換素子１３が実装される面の半田リフロー
工程を廃止し、半田リフローにより実装される部品（Ｌ
ＥＤ１２，ＩＣ１４）を基板１５の裏面１５ｂに集中さ
せていることから、次の効果が得られる。
【００１９】(1) 半田リフロー工程が基板１５の片側
の一回で済むため、製造工程を簡素化でき、コスト削減
を図れる。
の一回で済むため、製造工程を簡素化でき、コスト削減
を図れる。
【００２０】(2) 基板１５の光電変換素子１３が実装
される面１５ｃと反射側の面１５ｂに半田リフローによ
り実装する部品（ＬＥＤ１２，ＩＣ１４）を集中させる
実装方法を採っているため、光電変換素子１３へのごみ
の影響や不純物汚染等を防ぐことができ、品質向上を図
ることができる。
される面１５ｃと反射側の面１５ｂに半田リフローによ
り実装する部品（ＬＥＤ１２，ＩＣ１４）を集中させる
実装方法を採っているため、光電変換素子１３へのごみ
の影響や不純物汚染等を防ぐことができ、品質向上を図
ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、以下の効
果を奏する。
果を奏する。
【００２２】請求項１記載の発明によれば、基板の一方
の面のみを半田リフロー面とし、その面に発光素子を実
装することにより、半田リフロー工程が一回で済み、光
電変換素子が半田リフロー処理の影響で不純物汚染され
難くなるので、製造工程の簡素化及び品質向上を図った
イメージセンサを提供することができる。
の面のみを半田リフロー面とし、その面に発光素子を実
装することにより、半田リフロー工程が一回で済み、光
電変換素子が半田リフロー処理の影響で不純物汚染され
難くなるので、製造工程の簡素化及び品質向上を図った
イメージセンサを提供することができる。
【００２３】請求項２記載の発明によれば、発光素子の
発光部からの照射光を通過させる貫通孔を基板に備えて
いるので、発光素子を基板の光電変換素子を実装する面
とは反対側の面に実装することができる。
発光部からの照射光を通過させる貫通孔を基板に備えて
いるので、発光素子を基板の光電変換素子を実装する面
とは反対側の面に実装することができる。
【００２４】請求項３記載の発明によれば、基板の一方
の面のみを半田リフロー面とし、他方の面に光電変換素
子のみを実装し、半田リフロー面に発光素子及びその他
の回路部品を半田リフローにより実装することにより、
半田リフロー工程が一回で済み、光電変換素子が半田リ
フロー処理の影響で不純物汚染され難くなるので、製造
工程の簡素化及び品質向上を図ったイメージセンサを提
供することができる。
の面のみを半田リフロー面とし、他方の面に光電変換素
子のみを実装し、半田リフロー面に発光素子及びその他
の回路部品を半田リフローにより実装することにより、
半田リフロー工程が一回で済み、光電変換素子が半田リ
フロー処理の影響で不純物汚染され難くなるので、製造
工程の簡素化及び品質向上を図ったイメージセンサを提
供することができる。
【図１】本発明の実施例の断面図である。
【図２】従来例の断面図である。
１０ イメージセンサ １２ ＬＥＤ（発光素子） １３ 光電変換素子 １４ ＩＣ（その他の回路部品） １５ 基板 １５ａ 貫通孔 １６ 短焦点結像素子アレー（光学系） Ｐ 原稿
Claims (3)
- 【請求項１】 原稿に対し光を照射する発光素子と、入
射した光を電気信号に変換する光電変換素子と、前記発
光素子からの照射光により前記原稿で反射した光を前記
光電変換素子へ導いて結像させる光学系とを有するイメ
ージセンサにおいて、前記光電変換素子を実装する基板
を備え、その基板の前記光電変換素子を実装する面とは
反対側の面に前記発光素子を実装したことを特徴とする
イメージセンサ。 - 【請求項２】 前記基板に、前記発光素子からの照射光
を通過させる貫通孔を備えたことを特徴とする請求項１
記載のイメージセンサ。 - 【請求項３】 前記基板の一方の面に前記光電変換素子
のみを実装し、その他方の面に前記発光素子及びその他
の回路部品を半田リフローにより実装したことを特徴と
する請求項１又は２記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248888A JPH0888807A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248888A JPH0888807A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888807A true JPH0888807A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=17184943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6248888A Pending JPH0888807A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888807A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997039486A1 (fr) * | 1996-04-15 | 1997-10-23 | Rohm Co., Ltd. | Puce de detecteur d'image, son procede de fabrication et detecteur d'image |
| US6339214B1 (en) | 1998-08-19 | 2002-01-15 | Rohm Co., Ltd. | Image sensor unit and image scanner incorporating the same |
| US6496285B1 (en) | 1998-02-25 | 2002-12-17 | Rohm Co., Ltd. | Image reading apparatus |
| US6801345B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-10-05 | Rohm Co., Ltd. | Color image sensor and image reading apparatus |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP6248888A patent/JPH0888807A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997039486A1 (fr) * | 1996-04-15 | 1997-10-23 | Rohm Co., Ltd. | Puce de detecteur d'image, son procede de fabrication et detecteur d'image |
| US6169279B1 (en) | 1996-04-15 | 2001-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Image sensor chip, method for manufacturing the same, and image sensor therefor |
| US6468827B1 (en) | 1996-04-15 | 2002-10-22 | Hisayoshi Fujimoto | Method for manufacturing image sensor chips |
| US6496285B1 (en) | 1998-02-25 | 2002-12-17 | Rohm Co., Ltd. | Image reading apparatus |
| US6339214B1 (en) | 1998-08-19 | 2002-01-15 | Rohm Co., Ltd. | Image sensor unit and image scanner incorporating the same |
| US6801345B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-10-05 | Rohm Co., Ltd. | Color image sensor and image reading apparatus |
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