JPH088713A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Publication number
JPH088713A
JPH088713A JP6140012A JP14001294A JPH088713A JP H088713 A JPH088713 A JP H088713A JP 6140012 A JP6140012 A JP 6140012A JP 14001294 A JP14001294 A JP 14001294A JP H088713 A JPH088713 A JP H088713A
Authority
JP
Japan
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input
signal
output buffer
circuit
driven
Prior art date
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Pending
Application number
JP6140012A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Yano
功次 矢野
Masaru Kaneko
優 金子
Naoki Handa
直樹 半田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
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Publication of JPH088713A publication Critical patent/JPH088713A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ノイズレベルに合わせた入力バッファ回路が
選択でき、所望の駆動電流が取り出せる出力バッファ回
路を提供する。 【構成】 制御端子4に入力される制御信号で駆動され
る入力信号調整回路6を入力バッファ回路に設ける。入
力信号調整回路6は、制御信号を反転して反転信号を出
力する駆動用インバータ5と、制御信号および反転信号
によって駆動されて入力信号に帰還をかけるクロックド
インバータ3とから構成する。また、常時駆動状態とさ
れている第1の出力バッファ7と電気的に接続されると
ともに、制御端子15に入力される制御信号によって駆
動される第2の出力バッファ8を出力バッファ回路に設
ける。第2の出力バッファ8は、制御信号によってそれ
ぞれ駆動されるPチャネルFET13およびNチャネル
FET14で構成され、第1の出力バッファ7と連動し
て出力信号を送る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、内部回路とのインターフェイスとして設け
られた入出力バッファ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】シングルチップマイコン等の半導体集積
回路装置における入出力ピン(電極パッド)では、予め
それぞれのバッファが割り当てられている。
【0003】したがって、たとえばある入力ピンについ
て、ノイズ耐性の限度範囲であるノイズマージンが小さ
いものの該入力ピンの入力バッファがノイズ対策を施さ
れていない通常のものである場合には、ユーザは配線基
板のパターンを改変して入力されるノイズを減少させる
か、あるいは外付けデバイスでノイズを減少させるかの
対応をとっている。また、出力ピンについても、たとえ
ばLEDを駆動する出力ピン等のように大電流を必要と
するが該出力ピンではそれが得られない場合には、やは
り外付けデバイスを用いて所望レベルの電流を得てい
る。
【0004】このようにマイコンなどをサポートする外
付けデバイスに関する技術を詳しく述べている例として
は、たとえば、電波新聞社発行、「電子部品ハンドブッ
ク」(昭和55年7月30日発行)、P413〜P41
7がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにユ
ーザ側において外付けデバイスを用いるなどの対策を採
ることは、設計の自由度が低下するにとどまらず、半導
体集積回路装置自体が複雑化し、素子が増大化するとい
う問題点がある。
【0006】そこで、本発明の目的は、入力信号のノイ
ズレベルに合わせた入力バッファが選択できる入力バッ
ファ回路に関する技術を提供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、所望の駆動電流が取
り出せる出力バッファ回路に関する技術を提供すること
にある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【0010】すなわち、本発明の半導体集積回路装置
は、制御端子に入力される制御信号によって駆動される
入力信号調整回路が入力バッファ回路に設けられたもの
である。この入力信号調整回路は、ノイズがのった入力
信号を所望のレベルの信号に調整するものである。この
場合、前記した入力信号調整回路は、制御信号を反転し
て反転信号を出力する駆動用インバータと、制御信号お
よび反転信号によって駆動されて入力信号に帰還をかけ
るクロックドインバータとから構成することができる。
【0011】また、本発明の半導体集積回路装置は、常
時駆動状態とされている第1の出力バッファと電気的に
接続されるとともに制御端子に入力される制御信号によ
って駆動される第2の出力バッファが出力バッファ回路
に設けられたものである。この第2の出力バッファは、
第1の出力バッファと連動して電極パッドに出力信号を
送るものである。この場合、前記した第2の出力バッフ
ァは、電源とグランド間に直列に接続して設けられて、
制御信号によってそれぞれ駆動されるPチャネルFET
およびNチャネルFETとから構成することができる。
【0012】そして、本発明の半導体集積回路装置は、
前記した入力バッファ回路と出力バッファ回路とが同一
の電極パッドと電気的に接続されているものである。
【0013】
【作用】上記のような構成の入力バッファ回路が設けら
れた半導体集積回路装置によれば、ユーザ側で制御信号
を入力することで入力信号調整回路が駆動されて入力信
号に帰還をかけることができる。よって、ノイズマージ
ンが小さい場合には、半導体集積回路装置内の該回路を
駆動させることによって、ノイズののった入力信号を所
望のレベルに直して内部回路の誤動作を防止することが
できる。
【0014】また、上記のような構成の出力バッファ回
路が設けられた半導体集積回路装置によれば、同様にユ
ーザ側で制御信号を入力することで第2の出力バッファ
が駆動され、大電流を電極パッドに送ることができる。
したがって、LEDを駆動するなどの場合には、半導体
集積回路装置内の第2の出力バッファを駆動させること
によって、出力ピンである電極パッドに大電流を供給し
てこれを駆動することができる。
【0015】そして、このような入力バッファ回路およ
び出力バッファ回路が同一の電極パッドと電気的に接続
された半導体集積回路装置によれば、入出力の双方向に
おいて前記したメリットを得ることができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。
【0017】(実施例1)図1は本発明の一実施例であ
る半導体集積回路装置の入力バッファ回路を示す回路図
である。
【0018】本実施例の入力バッファ回路は、入力信号
が入力される入力ピン(電極パッド)1には第1、第2
および第3のインバータ2a,2b,2cが直列に接続
され、第3のインバータ2cは図示しない内部回路に接
続されている。また、第2のインバータ2bには入力信
号に帰還をかけるクロックドインバータ3が並列に接続
されている。
【0019】クロックパルスにより開閉動作するクロッ
クドインバータ3は、制御信号が入力される制御端子
4、および制御信号を入力してこれの反転信号を出力す
る駆動用インバータ5と接続されており、たとえば制御
端子4に入力される1レベルの制御信号によって駆動さ
れるようになっている。そして、このクロックドインバ
ータ3、制御端子4および駆動用インバータ5によって
入力信号調整回路6が構成されている。
【0020】このような入力バッファ回路の動作は次の
ようなものである。
【0021】すなわち、入力ピン1のノイズマージンが
大きい場合には、ユーザ側において制御端子4に0レベ
ルの制御信号が入力されるように設計する。すると、ク
ロックドインバータ3はカットオフされて動作しないの
で、入力信号は第1、第2および第3のインバータ2
a,2b,2cによってそれぞれ反転されて内部回路に
送られる。すなわち、入力信号は、入力されたレベルの
状態でそのまま内部回路に送られることになる。
【0022】一方、たとえば配線基板(図示せず)上に
ノイズがのりやすいなどの理由から入力ピン1のノイズ
マージンが小さい場合には、制御端子4に1レベルの制
御信号が入力されるように設計する。これにより、クロ
ックドインバータ3の前段には1レベルの制御信号が、
後段には駆動用インバータ5によって反転された0レベ
ルの反転信号が入力されてオンされ、入力信号調整回路
6が駆動される。前記のように、クロックドインバータ
3は第2のインバータ2bと並列に接続されているの
で、入力信号は第2のインバータ2bからクロックドイ
ンバータ3の接続によって形成された帰還路で帰還をか
けられる。
【0023】これによって、ノイズののった入力信号
は、ノイズが除去されて所望のレベルの信号に調整され
て第3のインバータ2cから内部回路に送られることに
なる。
【0024】このように、本実施例の入力バッファ回路
が設けられた半導体集積回路装置によれば、ユーザ側に
おいて1レベルまたは0レベルの任意の制御信号を制御
端子4に入力することによって、入力信号に帰還をかけ
る入力信号調整回路6を駆動させ、あるいは駆動させな
いようにすることができる。したがって、入力ピン1の
ノイズマージンが大きい場合には、0レベルの制御信号
を入力することによって入力信号調整回路6をオフし、
入力信号を入力レベルの状態でそのまま内部回路に送っ
て高速動作を図ることができる。逆に、ノイズマージン
が小さい場合には、1レベルの制御信号を入力すること
によって入力信号調整回路6を駆動し、入力信号に帰還
をかけてノイズを除去したうえで内部回路に送って誤動
作を防止することができる。
【0025】(実施例2)図2は本発明の他の実施例で
ある半導体集積回路装置の出力バッファ回路を示す回路
図である。
【0026】本実施例の出力バッファ回路は、図示しな
い内部回路からの内部信号がそれぞれ入力される第1の
出力バッファ7と、この第1の出力バッファ7と接続さ
れた第2の出力バッファ8と、そしてこれらと接続され
て出力信号が出力される出力ピン(電極パッド)9とか
らなるものである。
【0027】第1の出力バッファ7は、電源VDDおよび
グランドGND間に直列に接続して設けられ、第4およ
び第5のインバータ10a,10bによって内部信号が
それぞれ反転入力されて動作するPチャネルFET11
およびNチャネルFET12により構成されている。し
たがって、第1の出力バッファ7は内部信号により常時
駆動されるバッファとなっている。
【0028】この第1の出力バッファ7に接続される第
2の出力バッファ8は、同様に電源VDDおよびグランド
GND間に直列に接続されたPチャネルFET13およ
びNチャネルFET14を有しており、後述する制御信
号によって駆動されることで第1の出力バッファ7と連
動して出力ピン9に出力信号を送るものである。
【0029】第2の出力バッファ8に設けられた制御端
子15は、一方側の内部回路とともにNAND回路16
に接続され、このNAND回路16は前記したPチャネ
ルFET13に接続されている。他方側の内部回路は第
6のインバータ17に接続され、前記制御端子15は第
6のインバータ17とともにAND回路18に接続され
て、このAND回路18が前記したNチャネルFET1
4に接続されている。
【0030】このような出力バッファ回路の動作は次の
ようなものである。
【0031】まず、制御端子15に、たとえば0レベル
の制御信号が入力されるようにユーザが設計した場合を
考える。0レベルの制御信号が入力されると、内部信号
のレベルに関係なくPチャネルFET13およびNチャ
ネルFET14はそれぞれNAND回路16からの1レ
ベルの信号、およびAND回路18からの0レベルの信
号によってオフ状態になる。したがって、第2の出力バ
ッファ8は駆動されずに、常時駆動状態とされている第
1の出力バッファ7のPチャネルFET11とNチャネ
ルFET12による出力信号が出力ピン9に送られるこ
とになる。
【0032】次に、制御端子15に1レベルの制御信号
が入力される場合を考える。このとき、内部信号が第1
の出力バッファ7内のPチャネルFET11をオン状態
にし、NチャネルFET12をオフ状態にする1レベル
の信号であると、NAND回路16から0レベルの信号
が、AND回路18から第6のインバータ17を介して
0レベルの信号がそれぞれ出力されて第2の出力バッフ
ァ8にあるPチャネルFET13をオン状態にし、Nチ
ャネルFET14がオフ状態に動作、第2の出力バッフ
ァ8も駆動される。
【0033】したがって、第2の出力バッファ8が第1
の出力バッファ7と連動して出力ピン9に出力信号が送
られることになり、これにより所望のレベルの電流が得
られるようになる。
【0034】このように、本実施例の出力バッファ回路
が設けられた半導体集積回路装置によれば、ユーザ側に
おいて1レベルまたは0レベルの任意の制御信号を制御
端子15に入力することによって、第1および第2の出
力バッファ7,8を共に駆動させ、あるいは第1の出力
バッファ7のみを駆動させるようにすることができる。
したがって、出力ピン9にたとえばLED等が接続され
て大電流で駆動する必要があるときには、1レベルの制
御信号を入力することによって第1の出力バッファ7と
ともに第2の出力バッファ8も駆動させてこれに対応す
ることができる。一方、そのような必要がない場合に
は、0レベルの制御信号を入力することによって第1の
出力バッファ7のみを駆動させればよい。
【0035】(実施例3)図3は本発明のさらに他の実
施例である半導体集積回路装置の入出力バッファ回路を
示す回路図である。
【0036】本実施例の半導体集積回路装置は、実施例
1に示す入力バッファ回路と実施例2に示す出力バッフ
ァ回路とが同一の入出力ピン(電極パッド)19と電気
的に接続されたものである。入力バッファ回路および出
力バッファ回路のそれぞれの構成は同一のものであり、
したがって、同一の回路素子などには同一の符号が付さ
れている。
【0037】本実施例に示す半導体集積回路装置によれ
ば、入力側において、所定の制御信号を制御端子4に入
力することで入力信号調整回路6が駆動され、また、出
力側において、同様に制御信号を制御端子15に入力す
ることで第2の出力バッファ8が駆動される。したがっ
て、入出力の双方向において前記した選択駆動によるメ
リットを享受することが可能になる。
【0038】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0039】たとえば、前記実施例においては、いずれ
も1レベルの制御信号によって入力信号調整回路6や第
2のバッファ回路8が駆動されるものであるが、これを
0レベルの制御信号で駆動することも可能である。な
お、この場合には、たとえば入力信号調整回路6におい
ては、駆動用インバータ5はクロックドインバータ3の
前段に接続されることになる。
【0040】また、実施例2および3における第2の出
力バッファ8は、一対のPチャネルFET13とNチャ
ネルFET14による1段構成であるが、複数段の構成
にすることも可能である。また、複数段の構成とする場
合には、それぞれに制御端子15を設けて各段毎に駆動
させることもでき、1つの制御端子15を設けて複数段
を同時に駆動させることもできる。
【0041】なお、本実施例に示す入力バッファ回路あ
るいは出力バッファ回路は種々の半導体集積回路装置に
適用が可能であり、たとえばワンチップマイコンなどに
限定されるものではないことは勿論である。
【0042】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
【0043】(1).すなわち、本発明の半導体集積回路装
置によれば、制御信号によって駆動される入力信号調整
回路が入力バッファ回路に設けられているので、ユーザ
側で所定の制御信号を入力することで選択的に入力信号
調整回路を駆動させ、ノイズマージンが小さい場合に対
応することができる。
【0044】(2).また、本発明の半導体集積回路装置に
よれば、制御信号によって駆動される第2の出力バッフ
ァが出力バッファ回路に設けられているので、同様にユ
ーザ側で所定の制御信号を入力することで選択的にこれ
を駆動させ、所望の駆動電流を取り出すことがができ
る。
【0045】(3).このような入力バッファ回路と出力バ
ッファ回路とが同一の電極パッドと電気的に接続された
半導体集積回路装置によれば、入出力の双方向において
前記した効果を奏することが可能になる。
【0046】(4).これら(1) 〜(3) の効果により、入力
信号に対するノイズ対策や大電流駆動可能な出力信号
が、基板のパターン改良や外付けデバイスではなく、半
導体集積回路装置内に設けられた回路をユーザが任意に
選択することで対応することができ、自由度の高いシス
テム設計が可能になる。
【0047】(5).そして、外付けデバイスが不要になる
ことで部品点数が削減されるとともに、システムが簡素
化されて縮小化されることになり、コスト低減を図るこ
とが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1による半導体集積回路装置の
入力バッファ回路を示す回路図である。
【図2】本発明の実施例2による半導体集積回路装置の
出力バッファ回路を示す回路図である。
【図3】本発明の実施例3による半導体集積回路装置の
入出力バッファ回路を示す回路図である。
【符号の説明】
1 入力ピン(電極パッド) 2a 第1のインバータ 2b 第2のインバータ 2c 第3のインバータ 3 クロックドインバータ 4 制御端子 5 駆動用インバータ 6 入力信号調整回路 7 第1の出力バッファ 8 第2の出力バッファ 9 出力ピン(電極パッド) 10a 第4のインバータ 10b 第5のインバータ 11 PチャネルFET 12 NチャネルFET 13 PチャネルFET 14 NチャネルFET 15 制御端子 16 NAND回路 17 第6のインバータ 18 AND回路 19 入出力ピン(電極パッド) VDD 電源 GND グランド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 半田 直樹 北海道亀田郡七飯町字中島145番地 日立 北海セミコンダクタ株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 制御端子に入力される制御信号によって
    駆動され、電極パッドからの入力信号を所望のレベルの
    信号に調整する入力信号調整回路が入力バッファ回路に
    設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 前記入力信号調整回路は、前記制御信号
    を反転して反転信号を出力する駆動用インバータと、前
    記制御信号および前記反転信号によって駆動され、前記
    入力信号に帰還をかけるクロックドインバータとからな
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装
    置。
  3. 【請求項3】 常時駆動状態とされている第1の出力バ
    ッファと電気的に接続されるとともに制御端子に入力さ
    れる制御信号によって駆動され、前記第1の出力バッフ
    ァと連動して電極パッドに出力信号を送る第2の出力バ
    ッファが出力バッファ回路に設けられていることを特徴
    とする半導体集積回路装置。
  4. 【請求項4】 前記第2の出力バッファは、電源とグラ
    ンド間に直列に接続して設けられ、前記制御信号によっ
    てそれぞれ駆動されるPチャネルFETおよびNチャネ
    ルFETとからなることを特徴とする請求項3記載の半
    導体集積回路装置。
  5. 【請求項5】 請求項1または2記載の入力バッファ回
    路と請求項3または4記載の出力バッファ回路とが同一
    の電極パッドと電気的に接続されていることを特徴とす
    る半導体集積回路装置。
JP6140012A 1994-06-22 1994-06-22 半導体集積回路装置 Pending JPH088713A (ja)

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