JPH088522A - はんだ付けまたはスズメッキの前の金属表面の乾式フラックス処理のための方法および装置 - Google Patents
はんだ付けまたはスズメッキの前の金属表面の乾式フラックス処理のための方法および装置Info
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- JPH088522A JPH088522A JP6312105A JP31210594A JPH088522A JP H088522 A JPH088522 A JP H088522A JP 6312105 A JP6312105 A JP 6312105A JP 31210594 A JP31210594 A JP 31210594A JP H088522 A JPH088522 A JP H088522A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属表面部のフラックス処理のための改善さ
れた方法を提供する。 【構成】 合金を用いたはんだ付け又はスズメッキ前の
金属表面の乾式フラックス処理方法である。表面は、励
起された又は不安定な化学種を含み、かつ電荷を有する
化学種が実質的に存在しない気相処理雰囲気で、大気圧
に近い圧力において処理される。処理雰囲気は、主ガス
混合物、場合によっては近傍ガス混合物から得られ、主
ガス混合物は、励起された又は不安定な化学種の製造の
ための少なくとも１つのデバイスのガス出口で得られ
る。前記デバイス内では、不活性ガス及び／又は還元ガ
ス及び／又は酸化ガスを含有する初期ガス混合物が変換
され、近傍ガス混合物は、このデバイス内を通過しな
い。
れた方法を提供する。 【構成】 合金を用いたはんだ付け又はスズメッキ前の
金属表面の乾式フラックス処理方法である。表面は、励
起された又は不安定な化学種を含み、かつ電荷を有する
化学種が実質的に存在しない気相処理雰囲気で、大気圧
に近い圧力において処理される。処理雰囲気は、主ガス
混合物、場合によっては近傍ガス混合物から得られ、主
ガス混合物は、励起された又は不安定な化学種の製造の
ための少なくとも１つのデバイスのガス出口で得られ
る。前記デバイス内では、不活性ガス及び／又は還元ガ
ス及び／又は酸化ガスを含有する初期ガス混合物が変換
され、近傍ガス混合物は、このデバイス内を通過しな
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子技術におけるはん
だ付けまたはスズメッキの操作の前に一般に行なわれる
金属表面のフラックス処理の操作に関する。それは、特
に、以下のような操作の前に行なわれるフラックス処理
に適用される。
だ付けまたはスズメッキの操作の前に一般に行なわれる
金属表面のフラックス処理の操作に関する。それは、特
に、以下のような操作の前に行なわれるフラックス処理
に適用される。
【０００２】すなわち、 −回路の上に部品をはんだ付けする操作（挿入型部品、
および表面実装型部品のいずれの場合も含まれる） −コンタクト片を電子基板の上にはんだ付けし、当該基
板ともう１つの基板との接続を可能にする操作（ここで
は、例えば、混成回路、これらのコンタクトを用いて印
刷回路内に挿入される印刷回路、または、その接続端部
を用いてコネクタ内に差し込まれ得る混成若しくは印刷
回路等が挙げられる） −パッケージの底部に回路をはんだ付けする操作（その
ような回路の取り込みの間に行なわれる） −パッケージング封止の間に行なわれるはんだ付け操
作、および −印刷回路、混成回路、または通常ＭＣＭ（ｍｕｌｔｉ
−ｃｈｉｐ ｍｏｄｕｌｅ）と呼ばれる基板等の多層接
続基板の上にベアチップをはんだ付けする操作 −電子部品の端子をスズメッキする操作である。
および表面実装型部品のいずれの場合も含まれる） −コンタクト片を電子基板の上にはんだ付けし、当該基
板ともう１つの基板との接続を可能にする操作（ここで
は、例えば、混成回路、これらのコンタクトを用いて印
刷回路内に挿入される印刷回路、または、その接続端部
を用いてコネクタ内に差し込まれ得る混成若しくは印刷
回路等が挙げられる） −パッケージの底部に回路をはんだ付けする操作（その
ような回路の取り込みの間に行なわれる） −パッケージング封止の間に行なわれるはんだ付け操
作、および −印刷回路、混成回路、または通常ＭＣＭ（ｍｕｌｔｉ
−ｃｈｉｐ ｍｏｄｕｌｅ）と呼ばれる基板等の多層接
続基板の上にベアチップをはんだ付けする操作 −電子部品の端子をスズメッキする操作である。
【０００３】
【従来の技術】フラックス処理の役割は、はんだ付けま
たはスズメッキされる金属表面を洗浄する（脱脂、脱酸
素、吸着される層の脱汚染等）ことにあり、これは、後
のはんだによるこれら表面のぬれを促進する目的を伴
う。
たはスズメッキされる金属表面を洗浄する（脱脂、脱酸
素、吸着される層の脱汚染等）ことにあり、これは、後
のはんだによるこれら表面のぬれを促進する目的を伴
う。
【０００４】このフラックス処理操作は、レジンベース
から得られた化学フラックスを主に用いて通常行われ、
これは、酸性化合物によって補われる。はんだ付け後、
フラックス残渣が部材上に残留するので、金属合金の溶
融を可能にすることが製造者に要求される。この熱移動
は、しばしば連続オーブン内で行われる。
から得られた化学フラックスを主に用いて通常行われ、
これは、酸性化合物によって補われる。はんだ付け後、
フラックス残渣が部材上に残留するので、金属合金の溶
融を可能にすることが製造者に要求される。この熱移動
は、しばしば連続オーブン内で行われる。
【０００５】いずれの場合も（ウェイブまたはリフロ
ー）、前述のはんだ付け後の洗浄操作の問題が生じ、モ
ントリオールプロトコール（Ｍｏｎｔｒｅａｌ Ｐｒｏ
ｔｏｃｏｌ）、および後のその改訂版によって厳しく規
定された塩素化溶媒が用いられる。
ー）、前述のはんだ付け後の洗浄操作の問題が生じ、モ
ントリオールプロトコール（Ｍｏｎｔｒｅａｌ Ｐｒｏ
ｔｏｃｏｌ）、および後のその改訂版によって厳しく規
定された塩素化溶媒が用いられる。
【０００６】この問題は、これらの化合物に替わる解決
策を提供することを試みるために、過去数年にわたって
世界中での多くの研究の成果のための動機付けとなっ
た。
策を提供することを試みるために、過去数年にわたって
世界中での多くの研究の成果のための動機付けとなっ
た。
【０００７】考察される解決策としては、はんだ付け前
の表面のプラズマ洗浄が挙げられ、それによって、化学
フラックスの使用、および下流での洗浄操作の実際の必
要性を避ける。考察された混合物は、特に水素が用いら
れた。
の表面のプラズマ洗浄が挙げられ、それによって、化学
フラックスの使用、および下流での洗浄操作の実際の必
要性を避ける。考察された混合物は、特に水素が用いら
れた。
【０００８】この分野においては、ＥＰＡ０，４２７，
０２０号が挙げられ、これは、はんだ付けされるアセン
ブリー部品を、プロセスガスのプラズマを用いて処理す
ることを提案し、“アセンブリー部品への熱的ダメージ
を避けるという目的を伴って”この処理のために低い圧
力を用いることを勧めている。与えられた全ての例は、
図面に関連し、３０〜１００Ｐａの間で変化する圧力条
件で行われる。
０２０号が挙げられ、これは、はんだ付けされるアセン
ブリー部品を、プロセスガスのプラズマを用いて処理す
ることを提案し、“アセンブリー部品への熱的ダメージ
を避けるという目的を伴って”この処理のために低い圧
力を用いることを勧めている。与えられた全ての例は、
図面に関連し、３０〜１００Ｐａの間で変化する圧力条
件で行われる。
【０００９】同様の説明を、ＥＰＡ０，３７１，６９３
号に関して行なうことができ、これは、水素を含有する
マイクロ波プラズマを用いた、はんだ付け前の金属表面
の洗浄方法に関する。ここでは、“プラズマ中の残留酸
素レベルを制限することを可能とするために”低い圧力
を使用することが勧められている（さらに、例をとおし
て説明されている）。
号に関して行なうことができ、これは、水素を含有する
マイクロ波プラズマを用いた、はんだ付け前の金属表面
の洗浄方法に関する。ここでは、“プラズマ中の残留酸
素レベルを制限することを可能とするために”低い圧力
を使用することが勧められている（さらに、例をとおし
て説明されている）。
【００１０】これらのプラズマ洗浄操作を行なうための
低圧条件の使用に賛成する大多数の意見は、特に、その
ような圧力を得るための費用、および、生産ラインにお
ける対応する設備を設置することの困難性に結び付いた
欠点にかかわらず、従来の低い圧力で得られたものに匹
敵する性能を与えるプラズマを大気圧下で得ることの技
術的な困難性と間違いなく結び付く。
低圧条件の使用に賛成する大多数の意見は、特に、その
ような圧力を得るための費用、および、生産ラインにお
ける対応する設備を設置することの困難性に結び付いた
欠点にかかわらず、従来の低い圧力で得られたものに匹
敵する性能を与えるプラズマを大気圧下で得ることの技
術的な困難性と間違いなく結び付く。
【００１１】これに関連して、ＦＲＡ２，６９７，４５
６号には、−その内容は本明細書中に取り込まれている
−、はんだ付け前における金属表面の大気圧下でのプラ
ズマフラックス処理方法が提案されており、プラズマを
発生させるために、マイクロ波、または処理される部材
の上方に配置された誘電体層に適切に設けられたスロッ
トを通して移動するコロナ放電が用いられている。この
出願は、当該問題に対する都合のよい解決策を提供する
が、提案されたプロセスは、とりわけ以下のような点に
関して解決すべきであるという事実が示された。
６号には、−その内容は本明細書中に取り込まれている
−、はんだ付け前における金属表面の大気圧下でのプラ
ズマフラックス処理方法が提案されており、プラズマを
発生させるために、マイクロ波、または処理される部材
の上方に配置された誘電体層に適切に設けられたスロッ
トを通して移動するコロナ放電が用いられている。この
出願は、当該問題に対する都合のよい解決策を提供する
が、提案されたプロセスは、とりわけ以下のような点に
関して解決すべきであるという事実が示された。
【００１２】−その効率（プラズマを発生させるために
入力される電力と、処理される支持体と実際に相互反応
する製造された化学種の密度との比）、または、得られ
るエネルチー密度（コロナ放電の場合に、誘電体の単位
面積当たり数ワット（Ｗ）にしか達しない）が高められ
るならば、より短時間の処理を可能にするであろう、 −また、“幾何学的”要素を制限する事実：通常のコロ
ナ放電の場合には、電極／試料の距離は完全に決定的と
なり、非常に小さく保たれなければならない。これは、
表面構造が比較的複雑な基体の場合に問題を引き起こ
す。マイクロ波放電の場合には、プラズマ源によって制
限された所定寸法のプラズマ発生場所の形成を生じさせ
る、 −さらに、この開示において定義により得られたプラズ
マは、電子部品の上に使用するのが困難なイオン性の化
学種および電子（すなわち電荷を有する化学種）を含
む。
入力される電力と、処理される支持体と実際に相互反応
する製造された化学種の密度との比）、または、得られ
るエネルチー密度（コロナ放電の場合に、誘電体の単位
面積当たり数ワット（Ｗ）にしか達しない）が高められ
るならば、より短時間の処理を可能にするであろう、 −また、“幾何学的”要素を制限する事実：通常のコロ
ナ放電の場合には、電極／試料の距離は完全に決定的と
なり、非常に小さく保たれなければならない。これは、
表面構造が比較的複雑な基体の場合に問題を引き起こ
す。マイクロ波放電の場合には、プラズマ源によって制
限された所定寸法のプラズマ発生場所の形成を生じさせ
る、 −さらに、この開示において定義により得られたプラズ
マは、電子部品の上に使用するのが困難なイオン性の化
学種および電子（すなわち電荷を有する化学種）を含
む。
【００１３】これに平行して、ＦＲＡ２，６９２，７３
０号において、−この内容はこの明細書中に取り込まれ
ていると仮定される−、実質的に大気圧下で作用し、改
善されたエネルギー密度を与える、励起されたまたは不
安定なガス分子の製造のためのデバイスが提案された。
０号において、−この内容はこの明細書中に取り込まれ
ていると仮定される−、実質的に大気圧下で作用し、改
善されたエネルギー密度を与える、励起されたまたは不
安定なガス分子の製造のためのデバイスが提案された。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】これに関連して、この
発明の目的は、以下のことを可能にする、はんだ付けま
たはスズメッキ前の金属表面の乾式フラックス処理のた
めの改善された方法を提供することにある。
発明の目的は、以下のことを可能にする、はんだ付けま
たはスズメッキ前の金属表面の乾式フラックス処理のた
めの改善された方法を提供することにある。
【００１５】すなわち、 −実質的に大気圧下で作用すること、 −処理される対象物と、この処理を行なうために用いら
れるデバイスとの距離についての高い融通性を得るこ
と、 −部材と、電荷を有する化学種との間の接触を避けるこ
と、 −高められた処理速度を達成することを可能にする改善
されたエネルギー密度を提供することである。
れるデバイスとの距離についての高い融通性を得るこ
と、 −部材と、電荷を有する化学種との間の接触を避けるこ
と、 −高められた処理速度を達成することを可能にする改善
されたエネルギー密度を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段および作用】これを目的と
して、本発明の方法に係る、合金を用いたはんだ付けま
たはスズメッキ前の金属表面の乾式フラックス処理方法
は、大気圧に近い圧力において、励起されたまたは不安
定な化学種を含み、かつ、電荷を有する化学種が実質的
に存在しない気相処理雰囲気で、フラックスされる表面
を処理することを特徴とする。
して、本発明の方法に係る、合金を用いたはんだ付けま
たはスズメッキ前の金属表面の乾式フラックス処理方法
は、大気圧に近い圧力において、励起されたまたは不安
定な化学種を含み、かつ、電荷を有する化学種が実質的
に存在しない気相処理雰囲気で、フラックスされる表面
を処理することを特徴とする。
【００１７】本発明によれば、“金属表面”という用語
は、はんだ付けまたはスズメッキのような操作を含む任
意のタイプの表面を意味することを意図され、例えば、
スチール、銅、アルミニウム、スズ、鉛、スズ／鉛、ス
ズ／鉛／銀、または、コバー（Ｋｏｖａｒ）等の合金に
かかわらない。もちろん、ここに挙げた種類は説明のた
めのみであり、何等限定するものではない。
は、はんだ付けまたはスズメッキのような操作を含む任
意のタイプの表面を意味することを意図され、例えば、
スチール、銅、アルミニウム、スズ、鉛、スズ／鉛、ス
ズ／鉛／銀、または、コバー（Ｋｏｖａｒ）等の合金に
かかわらない。もちろん、ここに挙げた種類は説明のた
めのみであり、何等限定するものではない。
【００１８】本発明において、はんだ付けまたはスズメ
ッキする“合金”は、そのような操作（例えば、リフロ
ーはんだ付けまたはウェーブはんだ付け機の中、さらに
はウェーブスズメッキが挙げられる）に予想される任意
の組成物から構成することができ、例えば、Ｓｎ−Ｐ
ｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｐｂ−Ｉｎ等である。
ッキする“合金”は、そのような操作（例えば、リフロ
ーはんだ付けまたはウェーブはんだ付け機の中、さらに
はウェーブスズメッキが挙げられる）に予想される任意
の組成物から構成することができ、例えば、Ｓｎ−Ｐ
ｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｐｂ−Ｉｎ等である。
【００１９】本発明において、“大気圧に近い圧力”の
表現は、０．１×１０5 Ｐａないし３×１０5 Ｐａの範
囲にある圧力を意味することを意図される。
表現は、０．１×１０5 Ｐａないし３×１０5 Ｐａの範
囲にある圧力を意味することを意図される。
【００２０】本発明において、“電荷を有する化学種”
とは、イオンまたは電子を意味することを意図される。
それゆえ、本発明の気相処理雰囲気は、電荷を有する化
学種、すなわちイオンまたは電子を実質的に含まない点
において、従来のプラズマ雰囲気とは異なる。
とは、イオンまたは電子を意味することを意図される。
それゆえ、本発明の気相処理雰囲気は、電荷を有する化
学種、すなわちイオンまたは電子を実質的に含まない点
において、従来のプラズマ雰囲気とは異なる。
【００２１】処理雰囲気は、主ガス混合物から、場合に
よっては近傍ガス混合物から都合よく得ることができ、
主ガス混合物は、励起されたまたは不安定な気相種の製
造のための少なくとも１つのデバイスのガス出口で得ら
れる。そのデバイス内では、不活性ガスおよび／または
還元ガスおよび／または酸化ガスを含有する初期ガス混
合物が存在し、近傍ガス混合物はデバイス内を通過しな
い。
よっては近傍ガス混合物から都合よく得ることができ、
主ガス混合物は、励起されたまたは不安定な気相種の製
造のための少なくとも１つのデバイスのガス出口で得ら
れる。そのデバイス内では、不活性ガスおよび／または
還元ガスおよび／または酸化ガスを含有する初期ガス混
合物が存在し、近傍ガス混合物はデバイス内を通過しな
い。
【００２２】励起されたまたは不安定な気相種を含む処
理雰囲気の主成分は、デバイスの出口で得られ、電荷を
有する化学種をこの主成分中に実質的に含まないことを
可能にするので、この配置は、“後放電”と呼ぶことが
できる。処理雰囲気の近傍成分は、デバイスを通過せ
ず、そのような化学種のフォーティオリ（ｆｏｔｉｏｒ
ｉ）を含まない。
理雰囲気の主成分は、デバイスの出口で得られ、電荷を
有する化学種をこの主成分中に実質的に含まないことを
可能にするので、この配置は、“後放電”と呼ぶことが
できる。処理雰囲気の近傍成分は、デバイスを通過せ
ず、そのような化学種のフォーティオリ（ｆｏｔｉｏｒ
ｉ）を含まない。
【００２３】さらに、この配置は、雰囲気の主成分が発
生する場所を、その成分が利用される場所から分離する
ことを明らかに可能にし、これは、デバイスの汚染の点
から、わずかではない利点を与える（表面のフラックス
処理の操作に起因する種々の放出物が、例えば、電極等
のデバイスの内側を汚染することを避ける）。最終的
に、デバイス内（例えば、電極間の放電の間）で処理さ
れない部材は、上述の“距離”の点におけるより優れた
融通性から利益を受ける。
生する場所を、その成分が利用される場所から分離する
ことを明らかに可能にし、これは、デバイスの汚染の点
から、わずかではない利点を与える（表面のフラックス
処理の操作に起因する種々の放出物が、例えば、電極等
のデバイスの内側を汚染することを避ける）。最終的
に、デバイス内（例えば、電極間の放電の間）で処理さ
れない部材は、上述の“距離”の点におけるより優れた
融通性から利益を受ける。
【００２４】不活性ガスは、例えば、窒素、アルゴン、
ヘリウム、またはこれらの不活性ガスの混合物を含有す
ることができる。還元ガスは、例えば、水素、ＣＨ4 、
さらにアンモニア、またはこれらの還元ガスの混合物を
含むことができる。酸化ガスとしては、例えば、酸素、
ＣＯ2 、さらに、Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏ、またはこれらの酸化
ガスの混合物等が挙げられる。当然ながら、列挙された
各範疇のガスは一例にすぎず、何等限定するものではな
い。
ヘリウム、またはこれらの不活性ガスの混合物を含有す
ることができる。還元ガスは、例えば、水素、ＣＨ4 、
さらにアンモニア、またはこれらの還元ガスの混合物を
含むことができる。酸化ガスとしては、例えば、酸素、
ＣＯ2 、さらに、Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏ、またはこれらの酸化
ガスの混合物等が挙げられる。当然ながら、列挙された
各範疇のガスは一例にすぎず、何等限定するものではな
い。
【００２５】本発明の装置は、励起されたまたは不安定
な化学種を含むもう１つのガス混合物をデバイスのガス
出口で得るために、初期ガスを“励起する”ことを可能
にする任意のデバイスを含むことができ、ガス出口での
ガス混合物は、電荷を有する化学種を実質的に含まな
い。例えば、そのような励起は、コロナ放電のような電
子放射によって得ることができる。
な化学種を含むもう１つのガス混合物をデバイスのガス
出口で得るために、初期ガスを“励起する”ことを可能
にする任意のデバイスを含むことができ、ガス出口での
ガス混合物は、電荷を有する化学種を実質的に含まな
い。例えば、そのような励起は、コロナ放電のような電
子放射によって得ることができる。
【００２６】当業者に完全に明らかとなるように、本発
明のフラックス処理方法は、単一のデバイスまたは処理
される部材の幅にわたって平行に配置された複数のデバ
イスのガス出口で得られる主混合物を用いた処理、さら
に直列に配置された複数のデバイスのガス出口で得られ
た主混合物を連続して用いる処理を行なうことを可能に
する。
明のフラックス処理方法は、単一のデバイスまたは処理
される部材の幅にわたって平行に配置された複数のデバ
イスのガス出口で得られる主混合物を用いた処理、さら
に直列に配置された複数のデバイスのガス出口で得られ
た主混合物を連続して用いる処理を行なうことを可能に
する。
【００２７】同様に当業者に完全に明らかになるよう
に、本発明の方法は、被処理部材の一方の面のみを処理
する場合、および被処理部材の両方の面を処理すること
が必要な場合のいずれにも、使用者の要求に応じて適用
することができる。後者の場合、必要なデバイスは、部
材の各面に対向して配置することが適切であろう。
に、本発明の方法は、被処理部材の一方の面のみを処理
する場合、および被処理部材の両方の面を処理すること
が必要な場合のいずれにも、使用者の要求に応じて適用
することができる。後者の場合、必要なデバイスは、部
材の各面に対向して配置することが適切であろう。
【００２８】本発明の近傍混合物は、任意のガスまたは
ガス混合物から構成することができ、必要ならば、試料
の周囲に保護雰囲気を維持することが可能な不活性ガス
または不活性ガスの混合物とすることができ、さらに、
還元ガスまたは酸化ガス、これらの３種類のカテゴリー
の１つのガスの混合物でもよい。
ガス混合物から構成することができ、必要ならば、試料
の周囲に保護雰囲気を維持することが可能な不活性ガス
または不活性ガスの混合物とすることができ、さらに、
還元ガスまたは酸化ガス、これらの３種類のカテゴリー
の１つのガスの混合物でもよい。
【００２９】本発明の特徴の１つによれば、近傍混合物
はシランＳｉＨ4 を含有する。シランを含む近傍混合物
の存在は、処理される部材の表面に存在するある種の金
属酸化物に対するその還元作用のために好ましく使用さ
れ、また、部材の上方に存在する雰囲気からの残留酸素
との相互作用において、酸素“スカベンジャー”または
トラッパーとして用いられる初期ガス混合物により、残
留酸素レベルを最小にするという目的を伴う。
はシランＳｉＨ4 を含有する。シランを含む近傍混合物
の存在は、処理される部材の表面に存在するある種の金
属酸化物に対するその還元作用のために好ましく使用さ
れ、また、部材の上方に存在する雰囲気からの残留酸素
との相互作用において、酸素“スカベンジャー”または
トラッパーとして用いられる初期ガス混合物により、残
留酸素レベルを最小にするという目的を伴う。
【００３０】本発明の他の態様によれば、処理される表
面は、室温と、後のはんだ付けまたはスズメッキ操作を
行うのに用いられる合金の融点との間の温度に加熱され
る。それゆえ、この上限は、用いられる合金に依存し、
例えば、通常用いられるＳｎ６３−Ｐｂ３７、またはＳ
ｎ６２−Ｐｂ３６−Ａｇ２合金の場合には、１８０℃付
近であろう。
面は、室温と、後のはんだ付けまたはスズメッキ操作を
行うのに用いられる合金の融点との間の温度に加熱され
る。それゆえ、この上限は、用いられる合金に依存し、
例えば、通常用いられるＳｎ６３−Ｐｂ３７、またはＳ
ｎ６２−Ｐｂ３６−Ａｇ２合金の場合には、１８０℃付
近であろう。
【００３１】本発明の態様の１つによれば、処理される
金属表面を有する部材は、包囲構造体（例えば、トンネ
ルまたは基本的なフードのセット）で画定され、周囲の
雰囲気から隔てられた内部空間を通過する搬送システム
によって、デバイスのガス出口の前方に運ばれ、場合に
よっては、部材に幅にわたって平行に配置された複数の
デバイスのガス出口の前方、および／または、直列に配
置された複数のデバイスのガス出口前方に運ばれ、前記
構造体は、デバイスに密着するように、またはデバイス
を含むように接続される。
金属表面を有する部材は、包囲構造体（例えば、トンネ
ルまたは基本的なフードのセット）で画定され、周囲の
雰囲気から隔てられた内部空間を通過する搬送システム
によって、デバイスのガス出口の前方に運ばれ、場合に
よっては、部材に幅にわたって平行に配置された複数の
デバイスのガス出口の前方、および／または、直列に配
置された複数のデバイスのガス出口前方に運ばれ、前記
構造体は、デバイスに密着するように、またはデバイス
を含むように接続される。
【００３２】両面処理に関しても、上述と同様の説明を
行うことができる（この場合には、部材の各表面の前方
で、デバイスの必要な数および配置を用いることで十分
である）。
行うことができる（この場合には、部材の各表面の前方
で、デバイスの必要な数および配置を用いることで十分
である）。
【００３３】本発明の態様の１つによれば、初期ガスが
変換されるデバイスは、第１の電極と第２の電極との間
で発生する電子放射の場所であり、誘電体材料の層は、
少なくとも１つの電極の表面に、他方の電極に対向して
配置され、初期ガス混合物は、電極へ向かって放電を横
切って通過する。
変換されるデバイスは、第１の電極と第２の電極との間
で発生する電子放射の場所であり、誘電体材料の層は、
少なくとも１つの電極の表面に、他方の電極に対向して
配置され、初期ガス混合物は、電極へ向かって放電を横
切って通過する。
【００３４】デバイス内で用いられる電力は、標準化さ
れた誘電体の単位面積当たり、１Ｗ／ｃｍ2 を越えるこ
とが好ましく、１０Ｗ／ｃｍ2 を越えることがより好ま
しい。
れた誘電体の単位面積当たり、１Ｗ／ｃｍ2 を越えるこ
とが好ましく、１０Ｗ／ｃｍ2 を越えることがより好ま
しい。
【００３５】本発明の態様の１つによれば、搬送手段に
沿って被処理部材に連続的に対面する処理雰囲気は、以
下の領域に分けられる。
沿って被処理部材に連続的に対面する処理雰囲気は、以
下の領域に分けられる。
【００３６】ａ）励起されたまたは不安定なガス種を製
造するための少なくとも１つのデバイスが、その前に前
記構造物内でデバイスによって変換されるガス混合物と
は異なる初期ガス混合物を変換する領域、および／また
は ｂ）励起されたまたは不安定なガス種を製造するための
デバイスの少なくとも１つのレベルで用いられる近傍ガ
ス混合物が、その前に前記構造体内でのデバイスのレベ
ルで用いられるガス混合物とは異なる領域 本発明の態様の１つによれば、上述の工程ａ）および
ｂ）は、同一のデバイス内とすることができる。
造するための少なくとも１つのデバイスが、その前に前
記構造物内でデバイスによって変換されるガス混合物と
は異なる初期ガス混合物を変換する領域、および／また
は ｂ）励起されたまたは不安定なガス種を製造するための
デバイスの少なくとも１つのレベルで用いられる近傍ガ
ス混合物が、その前に前記構造体内でのデバイスのレベ
ルで用いられるガス混合物とは異なる領域 本発明の態様の１つによれば、上述の工程ａ）および
ｂ）は、同一のデバイス内とすることができる。
【００３７】それゆえ、例えば、１つのデバイスから次
のデバイスへ増加した還元力を有する混合物を使用する
ことが可能である。
のデバイスへ増加した還元力を有する混合物を使用する
ことが可能である。
【００３８】本発明の態様の１つによれば、前記構造体
を離れ、はんだ付けまたはスズメッキ操作が行なわれる
機械内に部材が搬入され、必要ならば、部材は、前記構
造体の出口と前記機械の入口との間で保護雰囲気の下に
維持される。この場合、保護雰囲気は、実質的に不活性
な雰囲気を意味することを意図され、その雰囲気中の残
留酸素濃度は、数１００ｐｐｍを越えず、さらには１０
０ｐｐｍである。
を離れ、はんだ付けまたはスズメッキ操作が行なわれる
機械内に部材が搬入され、必要ならば、部材は、前記構
造体の出口と前記機械の入口との間で保護雰囲気の下に
維持される。この場合、保護雰囲気は、実質的に不活性
な雰囲気を意味することを意図され、その雰囲気中の残
留酸素濃度は、数１００ｐｐｍを越えず、さらには１０
０ｐｐｍである。
【００３９】本発明のもう１つの態様によれば、はんだ
付けまたはスズメッキ操作は、デバイスの下流の実際に
包囲する構造体（例えば、トンネル）内で行なわれる。
付けまたはスズメッキ操作は、デバイスの下流の実際に
包囲する構造体（例えば、トンネル）内で行なわれる。
【００４０】また、本発明は、本発明の方法を行なうの
に適切な、はんだ付けまたはスズメッキの前の金属表面
の乾式フラックス処理のための装置に係り、前記装置
は、フラックス処理される金属表面部を有する部材を搬
送するための手段が横切る内部空間を画定する包囲構造
体を具備し、この構造体は周囲の雰囲気から隔離され、
励起されたまたは不安定なガス種を製造するために直列
におよび／または平行して配置された１またはこれ以上
のデバイスを取り囲むように、または前記デバイスを密
閉するように接続されており、軸を有し、かつ外部電極
と内部電極との間に形成された少なくとも１つの管状ガ
ス流路を含み、少なくとも１つの電極は他の電極に対向
した誘電体被覆を有し、これらの電極は、高電圧・高周
波数の電源に接続され、外部電極は誘電体を包囲し、初
期ガスと称されるガスのための入口と、主ガスと称され
るガスのための出口とを有し、この入口および出口は、
軸に平行に延び、実質的に直径上で他方に対向し、前記
ガス出口は、包囲構造体の内側に向かって開いている。
場合によっては、前記デバイス内を通過しない、いわゆ
る近傍ガスを注入するための少なくとも１つの手段を備
え、デバイスは、必要ならば、処理される部材を加熱す
るための加熱手段を有する。
に適切な、はんだ付けまたはスズメッキの前の金属表面
の乾式フラックス処理のための装置に係り、前記装置
は、フラックス処理される金属表面部を有する部材を搬
送するための手段が横切る内部空間を画定する包囲構造
体を具備し、この構造体は周囲の雰囲気から隔離され、
励起されたまたは不安定なガス種を製造するために直列
におよび／または平行して配置された１またはこれ以上
のデバイスを取り囲むように、または前記デバイスを密
閉するように接続されており、軸を有し、かつ外部電極
と内部電極との間に形成された少なくとも１つの管状ガ
ス流路を含み、少なくとも１つの電極は他の電極に対向
した誘電体被覆を有し、これらの電極は、高電圧・高周
波数の電源に接続され、外部電極は誘電体を包囲し、初
期ガスと称されるガスのための入口と、主ガスと称され
るガスのための出口とを有し、この入口および出口は、
軸に平行に延び、実質的に直径上で他方に対向し、前記
ガス出口は、包囲構造体の内側に向かって開いている。
場合によっては、前記デバイス内を通過しない、いわゆ
る近傍ガスを注入するための少なくとも１つの手段を備
え、デバイスは、必要ならば、処理される部材を加熱す
るための加熱手段を有する。
【００４１】本発明のその他の特徴および利点は、以下
の説明、および限定されない例によって与えられたいく
つかの態様から明らかになるであろう。
の説明、および限定されない例によって与えられたいく
つかの態様から明らかになるであろう。
【００４２】
【実施例】図１は、励起されたまたは不安定なガス種を
製造するためのデバイス４のガス出口６の前方に、搬送
ベルト２によって運ばれ、フラックス処理される金属表
面部を有する部材１を示す。
製造するためのデバイス４のガス出口６の前方に、搬送
ベルト２によって運ばれ、フラックス処理される金属表
面部を有する部材１を示す。
【００４３】搬送システム２は、密閉されるようにデバ
イス４に都合よく接続されたトンネル３によって画定さ
れた内部空間３１を横切る。
イス４に都合よく接続されたトンネル３によって画定さ
れた内部空間３１を横切る。
【００４４】デバイス４の出口６で得られる主ガス混合
物は、模式的に８で示される。主ガス混合物８は、その
ガス入口５を通してデバイスに流入する初期ガス混合物
７から得られる。
物は、模式的に８で示される。主ガス混合物８は、その
ガス入口５を通してデバイスに流入する初期ガス混合物
７から得られる。
【００４５】また、図１に示した態様は、近傍ガス混合
物９，１０のための入口の存在を示す。近傍ガス混合物
９，１０、および主ガス混合物８から得られた気相雰囲
気は、本発明の処理雰囲気３０を構成する。
物９，１０のための入口の存在を示す。近傍ガス混合物
９，１０、および主ガス混合物８から得られた気相雰囲
気は、本発明の処理雰囲気３０を構成する。
【００４６】図１に示した態様は、励起されたまたは不
安定なガス種（図示せず）の製造のための付加的なデバ
イスを１１，１２に示し、このデバイスは第１のデバイ
ス４と直列に配置され、連続的に部材１に対面する。
安定なガス種（図示せず）の製造のための付加的なデバ
イスを１１，１２に示し、このデバイスは第１のデバイ
ス４と直列に配置され、連続的に部材１に対面する。
【００４７】それゆえ、デバイスは、１３および２９で
示されるような、近傍ガス混合物のための他の入口を補
足的に具備することができる。
示されるような、近傍ガス混合物のための他の入口を補
足的に具備することができる。
【００４８】さらに、必要とあれば、部材１を加熱する
ための手段（図示せず）を装置に設けてもよい。この加
熱手段は、例えば、トンネル内の赤外線ランプ、または
対流加熱（トンネルの壁を加熱する）により構成するこ
とができる。または、加熱された基体キャリア上に部材
を設置してもよい。
ための手段（図示せず）を装置に設けてもよい。この加
熱手段は、例えば、トンネル内の赤外線ランプ、または
対流加熱（トンネルの壁を加熱する）により構成するこ
とができる。または、加熱された基体キャリア上に部材
を設置してもよい。
【００４９】図２に示すように、この態様のためのデバ
イスは円筒形状である。それは、例えば、金属ブロック
１５の内壁面によって形成された第１の管状電極１４を
具備し、その内側には、セラミックス等の誘電体の管１
６を含むアセンブリーが同心円状に配置されている。図
２中には、誘電体管１６の内壁面に、説明のために誇張
した厚さで第２の電極１７が示されているが、これは金
属被覆法により堆積される。
イスは円筒形状である。それは、例えば、金属ブロック
１５の内壁面によって形成された第１の管状電極１４を
具備し、その内側には、セラミックス等の誘電体の管１
６を含むアセンブリーが同心円状に配置されている。図
２中には、誘電体管１６の内壁面に、説明のために誇張
した厚さで第２の電極１７が示されているが、これは金
属被覆法により堆積される。
【００５０】それゆえ、誘電体１６および第２の電極１
７を具備するアセンブリーは、第１の電極１４とともに
管状のガス流路１８を画定し、その内側には、冷却剤が
循環する内部体積１９が存在する。冷却剤としては、電
気的に不活性な特徴からフレオンが好ましく、脱イオン
水でもよい。内側のガス流路１８は、１ｍ未満、典型的
には５０ｃｍ未満の軸方向の大きさと、３ｍｍを越えな
い厚さ、典型的には２．５ｍｍ未満の半径方向の厚さと
を有する。
７を具備するアセンブリーは、第１の電極１４とともに
管状のガス流路１８を画定し、その内側には、冷却剤が
循環する内部体積１９が存在する。冷却剤としては、電
気的に不活性な特徴からフレオンが好ましく、脱イオン
水でもよい。内側のガス流路１８は、１ｍ未満、典型的
には５０ｃｍ未満の軸方向の大きさと、３ｍｍを越えな
い厚さ、典型的には２．５ｍｍ未満の半径方向の厚さと
を有する。
【００５１】ブロック１５は、２つの対向する長手方向
の細長い隙間２０および２１を有し、これらは、それぞ
れ励起される初期ガスの流路１８内への入口、および励
起されたまたは不安定なガス種を含む主ガスフラックス
流のための出口を形成する。
の細長い隙間２０および２１を有し、これらは、それぞ
れ励起される初期ガスの流路１８内への入口、および励
起されたまたは不安定なガス種を含む主ガスフラックス
流のための出口を形成する。
【００５２】細長い隙間２０および２１は、空洞部１８
の軸方向の長さ全域にわたって延び、図２に示される態
様においては、厚さｅを越えない高さを有し、典型的に
は実質的に厚さと同等である。母材１５は、好ましく
は、第１の電極１４の周囲に水等の冷却剤の流路のため
の複数の導管２２を有する。ガス入口２０は、ブロック
１５とつながり、初期ガス源２６から発生した初期ガス
を０．１×１０5 Ｐａ〜３×１０5 Ｐａの圧力で流入す
るための管２５を有するケーシング２４内に形成された
均一化チャンバーまたは高圧チャンバー２３と連通す
る。電極１４および１７は、好ましくは１５ｋＨｚを越
える周波数で作動し、約１０ｋＷの電力を供給する高電
圧および高周波の発電機２７と接続されている。また、
発電機から供給されたこの電力は、誘電体表面領域につ
いて（すなわち、誘電体電極の単位面積について）、そ
れを標準化して表すことが好ましい。
の軸方向の長さ全域にわたって延び、図２に示される態
様においては、厚さｅを越えない高さを有し、典型的に
は実質的に厚さと同等である。母材１５は、好ましく
は、第１の電極１４の周囲に水等の冷却剤の流路のため
の複数の導管２２を有する。ガス入口２０は、ブロック
１５とつながり、初期ガス源２６から発生した初期ガス
を０．１×１０5 Ｐａ〜３×１０5 Ｐａの圧力で流入す
るための管２５を有するケーシング２４内に形成された
均一化チャンバーまたは高圧チャンバー２３と連通す
る。電極１４および１７は、好ましくは１５ｋＨｚを越
える周波数で作動し、約１０ｋＷの電力を供給する高電
圧および高周波の発電機２７と接続されている。また、
発電機から供給されたこの電力は、誘電体表面領域につ
いて（すなわち、誘電体電極の単位面積について）、そ
れを標準化して表すことが好ましい。
【００５３】励起されたガス種を含有し、ガス出口２１
で利用されるガスフラックス流は、例えば金属表面をフ
ラックス処理するためのユーザーステーション２８に送
られる。
で利用されるガスフラックス流は、例えば金属表面をフ
ラックス処理するためのユーザーステーション２８に送
られる。
【００５４】図１で説明したような装置に、図２で説明
したような単一のデバイスを取り付け、以下に示す本発
明の４つの実施例と、２つの比較例とを行なうために使
用した。
したような単一のデバイスを取り付け、以下に示す本発
明の４つの実施例と、２つの比較例とを行なうために使
用した。
【００５５】第１の例は実施例であり、０．３×５０×
５０ｍｍの寸法を有するエレクトロニクスグレードの銅
のサンプルを、熱酸化（２００℃の空気中で５分間加熱
する）に供する前に、水中での２０％硝酸溶液を用いて
酸洗いした。この酸化処理は、銅サンプル表面に、紫色
に変化した異なる層の出現を引き起こした。なお、酸化
前の基体は、本来的には“サーモン色”である。
５０ｍｍの寸法を有するエレクトロニクスグレードの銅
のサンプルを、熱酸化（２００℃の空気中で５分間加熱
する）に供する前に、水中での２０％硝酸溶液を用いて
酸洗いした。この酸化処理は、銅サンプル表面に、紫色
に変化した異なる層の出現を引き起こした。なお、酸化
前の基体は、本来的には“サーモン色”である。
【００５６】その後、以下の条件にしたがって、サンプ
ルを上述の装置で処理した： −操作電力（発電機から発生した電力）：１０００Ｗ、
誘電体の１５Ｗ／ｃｍ2の電力に相当する −窒素中に６５％の水素を含有する初期ガス混合物（１
０ｍ3 ／ｈの窒素、および１８ｍ3 ／ｈの水素に等しい
流量を用いて得た） −近傍ガス混合物：窒素により、トンネルの内側で２０
ｐｐｍより低い酸素分圧を維持することが可能となった −サンプルは１５０℃の温度まで加熱した −単一方向への通過における処理：サンプルは、コンベ
アー２の作用によって、２ｍｍ／ｓの速度で移動した −処理は実質的に大気圧下で行なった −処理されるサンプルとデバイスのガス出口との距離：
１０ｍｍ この操作法にしたがって処理したサンプルは、優れた表
面状態を示し、初期のサーモン色へのもどりを有した。
ルを上述の装置で処理した： −操作電力（発電機から発生した電力）：１０００Ｗ、
誘電体の１５Ｗ／ｃｍ2の電力に相当する −窒素中に６５％の水素を含有する初期ガス混合物（１
０ｍ3 ／ｈの窒素、および１８ｍ3 ／ｈの水素に等しい
流量を用いて得た） −近傍ガス混合物：窒素により、トンネルの内側で２０
ｐｐｍより低い酸素分圧を維持することが可能となった −サンプルは１５０℃の温度まで加熱した −単一方向への通過における処理：サンプルは、コンベ
アー２の作用によって、２ｍｍ／ｓの速度で移動した −処理は実質的に大気圧下で行なった −処理されるサンプルとデバイスのガス出口との距離：
１０ｍｍ この操作法にしたがって処理したサンプルは、優れた表
面状態を示し、初期のサーモン色へのもどりを有した。
【００５７】第２の例は比較例であり、上述のＦＲＡ
２，６９７，４５６号に記載のマイクロ波−放電プラズ
マフラックス処理装置を用いて行なった。０．３×２０
×２０ｍｍの寸法で同等のグレードの銅サンプルを、硝
酸中での酸洗いおよび予備熱酸化後に、マイクロ波プラ
ズマ放電により第１の例と同様の条件で処理した。処理
は、１リットル／分で注入されたＡｒ−３％Ｈ2 の混合
物を用い、各サンプルは１５０℃の温度まで加熱し、プ
ラズマを発生させるために２００Ｗの電力を用いた。各
サンプルを酸洗いするのに要した時間は約２分であり、
より小さいサンプルについての第１の例で得られた時間
より長い処理である。さらに、このマイクロ波プラズマ
法は、プラズマを用いること（必ず含まれるので）の欠
点、および、電荷を有する化学種もまた有するので、敏
感な電子部品が存在する場合には問題を引き起こすこと
が指摘される。
２，６９７，４５６号に記載のマイクロ波−放電プラズ
マフラックス処理装置を用いて行なった。０．３×２０
×２０ｍｍの寸法で同等のグレードの銅サンプルを、硝
酸中での酸洗いおよび予備熱酸化後に、マイクロ波プラ
ズマ放電により第１の例と同様の条件で処理した。処理
は、１リットル／分で注入されたＡｒ−３％Ｈ2 の混合
物を用い、各サンプルは１５０℃の温度まで加熱し、プ
ラズマを発生させるために２００Ｗの電力を用いた。各
サンプルを酸洗いするのに要した時間は約２分であり、
より小さいサンプルについての第１の例で得られた時間
より長い処理である。さらに、このマイクロ波プラズマ
法は、プラズマを用いること（必ず含まれるので）の欠
点、および、電荷を有する化学種もまた有するので、敏
感な電子部品が存在する場合には問題を引き起こすこと
が指摘される。
【００５８】第３の例は実施例であり、サンプルを予備
酸化する工程を除いて、第１の例と同様の手順を用い
た。ここで、酸化は、いわゆる“沸騰水”法を用いた電
子技術における回路のための通常の汚染標準試験にした
がって行なった。この方法によれば、化学洗浄（硝酸）
の後、基体を１０分間沸騰水に浸漬する。酸化は、熱酸
化の場合よりも“穏やか”であり、はんだ付けまたはス
ズメッキの前の電子回路が通常直面する、より典型的な
酸化のレベルである。
酸化する工程を除いて、第１の例と同様の手順を用い
た。ここで、酸化は、いわゆる“沸騰水”法を用いた電
子技術における回路のための通常の汚染標準試験にした
がって行なった。この方法によれば、化学洗浄（硝酸）
の後、基体を１０分間沸騰水に浸漬する。酸化は、熱酸
化の場合よりも“穏やか”であり、はんだ付けまたはス
ズメッキの前の電子回路が通常直面する、より典型的な
酸化のレベルである。
【００５９】ここでの処理後のサンプルもまた、優れた
表面状態を示し、その初期のサーモン色を回復した。
表面状態を示し、その初期のサーモン色を回復した。
【００６０】第４の例は実施例であり、第３の例（硝酸
での洗浄、沸騰水による予備酸化、本発明にしたがった
フラックス処理）で得られた銅サンプルを、ウェーブス
ズメッキタイプの機械中でスズ−鉛はんだを用いた湿式
プロセスに供することによって評価した。なお、これら
の機械の入口に一般的に存在する化学的予備フラックス
処理は意図的に避けた。
での洗浄、沸騰水による予備酸化、本発明にしたがった
フラックス処理）で得られた銅サンプルを、ウェーブス
ズメッキタイプの機械中でスズ−鉛はんだを用いた湿式
プロセスに供することによって評価した。なお、これら
の機械の入口に一般的に存在する化学的予備フラックス
処理は意図的に避けた。
【００６１】そのような条件の下で行なわれたはんだの
堆積の観察により、銅の上への堆積物の優れたぬれ結果
（非常に小さい接触角）、堆積物の優れた連続性、およ
び堆積物の優れた表面の質（その鏡状の外観により実証
された）が示された。
堆積の観察により、銅の上への堆積物の優れたぬれ結果
（非常に小さい接触角）、堆積物の優れた連続性、およ
び堆積物の優れた表面の質（その鏡状の外観により実証
された）が示された。
【００６２】こうして、この第４の例は、はんだ付け後
に洗浄操作を行なう必要性に導くような、通常の予備フ
ラックス処理薬品を用いずに、はんだの堆積（はんだ付
けまたはスズメッキ操作が含まれるかどうかにかかわら
ず）が実行可能であることを示した。
に洗浄操作を行なう必要性に導くような、通常の予備フ
ラックス処理薬品を用いずに、はんだの堆積（はんだ付
けまたはスズメッキ操作が含まれるかどうかにかかわら
ず）が実行可能であることを示した。
【００６３】第５の例は比較例であり、第３の例と同様
のサンプルを、本発明の処理を行なわず、２０％の硝酸
溶液で単に酸洗いした。これは、沸騰水中での予備酸化
工程後、スズメッキによってこれらのサンプルを評価す
る前に行なった。
のサンプルを、本発明の処理を行なわず、２０％の硝酸
溶液で単に酸洗いした。これは、沸騰水中での予備酸化
工程後、スズメッキによってこれらのサンプルを評価す
る前に行なった。
【００６４】得られた結果は、納得のいくものではな
く、スズ−鉛の堆積物は、不連続（島の発生）であっ
て、接触角は前述の場合より大きかった。これらの結果
は、硝酸による酸洗いの効果が、第４の例で得られたよ
うな本発明の効果より劣ることを示す。
く、スズ−鉛の堆積物は、不連続（島の発生）であっ
て、接触角は前述の場合より大きかった。これらの結果
は、硝酸による酸洗いの効果が、第４の例で得られたよ
うな本発明の効果より劣ることを示す。
【００６５】第６の例は、本発明の実施例であり、エポ
キシプリント回路タイプの回路を使用し、これらの回路
の導電性トラックを予備スズメッキした後、回路の適切
な導電性トラックの上に滴下された接着剤を用いて、電
子部品（抵抗、コンデンサー、ＳＯＴ２３タイプおよび
ＳＯタイプ）を固定した。
キシプリント回路タイプの回路を使用し、これらの回路
の導電性トラックを予備スズメッキした後、回路の適切
な導電性トラックの上に滴下された接着剤を用いて、電
子部品（抵抗、コンデンサー、ＳＯＴ２３タイプおよび
ＳＯタイプ）を固定した。
【００６６】回路は、まず、第１の例で説明したような
本発明のフラックス処理に供した。回路と、励起された
または不安定なガス種を製造するためのデバイスのガス
出口との距離は、１０ｍｍとした。その後、通常のウェ
ーブはんだ機械内に回路を通過させ、部品（電気的接続
を得る）をはんだ付けする操作によって、本発明にした
がって行なわれたフラックス処理操作を評価した。機械
の入口に存在する化学的予備フラックス処理工程は意図
的に避けた。装置を離れたはんだ接続部の観察により、
優れたぬれが示され、それによって、フラックス残渣を
除去するためにはんだ付け後に一般に下流で行なわれ
る、回路の洗浄操作を必要とする化学的手段による通常
のフラックス処理の使用を避け、本発明の乾式フラック
ス処理を行ない得ることを確認した。
本発明のフラックス処理に供した。回路と、励起された
または不安定なガス種を製造するためのデバイスのガス
出口との距離は、１０ｍｍとした。その後、通常のウェ
ーブはんだ機械内に回路を通過させ、部品（電気的接続
を得る）をはんだ付けする操作によって、本発明にした
がって行なわれたフラックス処理操作を評価した。機械
の入口に存在する化学的予備フラックス処理工程は意図
的に避けた。装置を離れたはんだ接続部の観察により、
優れたぬれが示され、それによって、フラックス残渣を
除去するためにはんだ付け後に一般に下流で行なわれ
る、回路の洗浄操作を必要とする化学的手段による通常
のフラックス処理の使用を避け、本発明の乾式フラック
ス処理を行ない得ることを確認した。
【００６７】以上、特定の態様に関して本発明を説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明
の範囲内で改良および変更を行い得ることが当業者には
明かである。
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明
の範囲内で改良および変更を行い得ることが当業者には
明かである。
【図１】本発明の方法を実施するための適切な装置の一
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図２】本発明の方法を実施するために適切な、励起さ
れたまたは不安定なガス種の製造のためのデバイスの一
例を示す断面図。
れたまたは不安定なガス種の製造のためのデバイスの一
例を示す断面図。
１…部材，２…搬送システム，３…トンネル，４…デバ
イス，５…ガス入口 ６…ガス出口，７…初期ガス混合物，８…主ガス混合
物，９…近傍ガス混合物 １０…近傍ガス混合物，１１…付加的デバイス，１２…
付加的デバイス １３…ガス入口，１４…第１の電極，１５…金属ブロッ
ク １６…セラミック管，１７…第２の電極，１８…ガス流
路，２０…細長い溝 ２１…細長い溝，２２…導管，２３…チャンバー，２４
…ケーシング ２５…管，２６…初期ガス源，２７…発電機，２８…ユ
ーザーステーション ２９…ガス入口，３０…処理雰囲気，３１…内部空間。
イス，５…ガス入口 ６…ガス出口，７…初期ガス混合物，８…主ガス混合
物，９…近傍ガス混合物 １０…近傍ガス混合物，１１…付加的デバイス，１２…
付加的デバイス １３…ガス入口，１４…第１の電極，１５…金属ブロッ
ク １６…セラミック管，１７…第２の電極，１８…ガス流
路，２０…細長い溝 ２１…細長い溝，２２…導管，２３…チャンバー，２４
…ケーシング ２５…管，２６…初期ガス源，２７…発電機，２８…ユ
ーザーステーション ２９…ガス入口，３０…処理雰囲気，３１…内部空間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｔ 19/00 8835−5Ｇ (72)発明者 ステファーヌ・ラビア フランス国、91190 ジフ・シュール・イ ベット、アブニュ・ドゥ・ジェネラル・ル クレール 160、レジデンス・デュ・パル ク・デュ・シャトー・ドゥ・クールセル 14
Claims (14)
- 【請求項１】 ａ）不活性ガスおよび／または還元ガス
および／または酸化ガスを含有する初期ガス混合物を、
励起されたまたは不安定なガス種を製造するための少な
くとも１つのデバイスを通過させ、デバイスのガス出口
において主ガス混合物を得る工程、 ｂ）前記主ガス混合物から得られ、励起されたまたは不
安定な化学種を含有し、電荷を有する化学種が実質的に
存在しない気相処理雰囲気で、大気圧に近い圧力におい
て、フラックス処理される表面を処理する工程、を具備
する、合金を用いたはんだ付けまたはスズメッキ前の金
属表面の乾式フラックス処理方法。 - 【請求項２】 前記気相処理雰囲気が、主ガス混合物
と、前記デバイスを通過しない近傍ガス混合物とから得
られる請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 近傍混合物が、シランＳｉＨ4 を含有す
る請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 処理される金属表面を有する部材が、周
囲の雰囲気から隔離された包囲構造体により画定された
内部空間を通過する搬送手段によってデバイスのガス出
口の前方に移動し、前記構造体は前記デバイスを密封す
るように、または前記デバイスを含むように接続されて
いる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】 処理される金属表面を有する部材は、周
囲の雰囲気から隔離された包囲構造体により画定された
内部空間を通過する搬送手段によって、部材の幅にわた
って平行に配置された複数のデバイスのガス出口の前方
に、および／または、直接に配置された複数のデバイス
のガス出口の前方に連続して移動し、前記構造体は前記
デバイスを密封するように、または前記デバイスを含む
ように接続されている請求項１ないし３のいずれか１項
に記載の方法。 - 【請求項６】 初期ガス混合物が変換されるデバイス
は、第１の電極と第２の電極との間に発生する電子放射
の場所であり、誘電体材料の層が、少なくとも１つの電
極の表面に、他方の電極に対向して配置され、初期ガス
混合物は、電極の間の放電を横切って移動する請求項４
または５に記載の方法。 - 【請求項７】 前記デバイス内で用いられ、誘電体の単
位面積当たりに標準化された電力が、１Ｗ／ｃｍ2 を越
え、好ましくは１０Ｗ／ｃｍ2 を越える請求項６に記載
の方法。 - 【請求項８】 処理される部材が連続して対面する処理
雰囲気が、搬送手段に沿って、 励起されたまたは不安定なガス種を製造するための少な
くとも１つのデバイスが、その前に構造体内でのデバイ
スによって変換されるガス混合物とは異なる初期ガス混
合物を変換する領域に分割される請求項５に記載の方
法。 - 【請求項９】 処理される部材が連続して対面する処理
雰囲気が、搬送手段に沿って、 ａ）励起されたまたは不安定なガス種を製造するための
少なくとも１つのデバイスが、その前に前記構造体内で
のデバイスによって変換されるガス混合物とは異なる初
期ガス混合物を変換する領域、および／または ｂ）励起されたまたは不安定なガス種を製造するための
デバイスの少なくとも１つのレベルで用いられる近傍ガ
ス混合物が、その前に前記構造体内でのデバイスのレベ
ルで用いられるガス混合物とは異なる領域のような領域
に分割される請求項５に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記段階ａ）およびｂ）が同一のデバ
イス内で行なわれる請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記構造体を離れて、はんだ付けまた
はスズメッキが行なわれる機械内に部材が搬入され、こ
の部材は、保護雰囲気に保たれた前記構造体の出口と前
記機械の入口との間にある請求項４ないし１０のいずれ
か１項に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記はんだ付けまたはスズメッキ操作
が、前記デバイスの下流において、同一構造体内で行な
われる請求項４ないし１０のいずれか１項に記載の方
法。 - 【請求項１３】 フラックス処理される金属表面を有す
る部材のための搬送手段が横切る内部空間を画定する包
囲構造体を具備し、前記構造体は、周囲の雰囲気から隔
離され、励起されたまたは不安定なガス種を製造するた
めに直列におよび／または平行に配置された１またはこ
れ以上のデバイスを取り囲むように、または前記デバイ
スを密閉するように接続されており、軸を有し、かつ外
部電極と内部電極との間に形成された少なくとも１つの
管状ガス流路を含み、少なくとも１つの電極は他方の電
極に対向した誘電体被覆を有し、これらの電極は、高電
圧・高周波数の電源に接続され、外部電極は誘電体を包
囲し、初期ガスと称されるガスのための入口と、主ガス
と称されるガスのための出口とを有し、この入口および
出口は、軸に平行に延び、実質的に直径上で他方に対向
し、前記ガス出口は、前記構造体の内側に向かって開い
ている請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の方法
を行なうのに適切な、はんだ付けまたはスズメッキ前の
金属表面の乾式フラックス処理のための装置。 - 【請求項１４】 前記構造体が、デバイス内を通過しな
い、いわゆる近傍ガスの注入のための少なくとも１つの
手段を具備する請求項１３に記載の装置。
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| DE (1) | DE69409475T2 (ja) |
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