JP3313973B2 - 水蒸気を包含する雰囲気を用いるはんだ付け又はスズめっき前に金属表面を乾燥フラックス処理するための方法 - Google Patents
水蒸気を包含する雰囲気を用いるはんだ付け又はスズめっき前に金属表面を乾燥フラックス処理するための方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子工学における
はんだ付け又はスズめっき(tinning) の操作前に通常関
係する金属表面をフラックス処理する操作に関する。す
なわち、本発明は、特に、回路上に部品をはんだ付けす
る操作（挿入される部品及び表面に搭載される部品の両
者の場合）、電子支持体上にコンタクトストリップ(con
tact strip) をはんだ付けする操作であって、問題の支
持体を別の支持体に接続することを可能にする操作（こ
こで、これらコンタクトを用いてプリント回路内に挿入
されるべきところのハイブリッド回路若しくはプリント
回路の例、このコネクション端を用いてコネクタ内に差
込まれ得るハイブリッド回路若しくはプリント回路の例
を挙げることができる）、ケーシングの底部に回路をは
んだ付けする操作（そのような回路のエンキャプシュレ
ーション中に関連する）、エンキャプシュレーション−
ケーシング封じ処理中に関連するはんだ付け操作、プリ
ント回路、ハイブリッド回路、又は一般にＭＣＭ（マル
チチップモジュール）と呼ばれる基体などの多層連結基
体のような支持体上にむき出しのチップをはんだ付けす
る操作、並びに電子部品の回路又は端末のスズめっき操
作の前に含まれるフラックス処理に適用する。
はんだ付け又はスズめっき(tinning) の操作前に通常関
係する金属表面をフラックス処理する操作に関する。す
なわち、本発明は、特に、回路上に部品をはんだ付けす
る操作（挿入される部品及び表面に搭載される部品の両
者の場合）、電子支持体上にコンタクトストリップ(con
tact strip) をはんだ付けする操作であって、問題の支
持体を別の支持体に接続することを可能にする操作（こ
こで、これらコンタクトを用いてプリント回路内に挿入
されるべきところのハイブリッド回路若しくはプリント
回路の例、このコネクション端を用いてコネクタ内に差
込まれ得るハイブリッド回路若しくはプリント回路の例
を挙げることができる）、ケーシングの底部に回路をは
んだ付けする操作（そのような回路のエンキャプシュレ
ーション中に関連する）、エンキャプシュレーション−
ケーシング封じ処理中に関連するはんだ付け操作、プリ
ント回路、ハイブリッド回路、又は一般にＭＣＭ（マル
チチップモジュール）と呼ばれる基体などの多層連結基
体のような支持体上にむき出しのチップをはんだ付けす
る操作、並びに電子部品の回路又は端末のスズめっき操
作の前に含まれるフラックス処理に適用する。
【０００２】「スズめっき」との表現は、その組成が広
範に変化し得る（排他的ではないが、スズ／鉛型の層沈
着を含む）層沈着の操作を意味すると解されるべきであ
る。
範に変化し得る（排他的ではないが、スズ／鉛型の層沈
着を含む）層沈着の操作を意味すると解されるべきであ
る。
【０００３】
【従来の技術】そのようなはんだ付け（又はスズめっ
き）操作を実行するために最も通常用いられる２つの方
法は、「流動はんだ付け（又はスズめっき）」及び「リ
フローはんだ付け」と呼ばれる。
き）操作を実行するために最も通常用いられる２つの方
法は、「流動はんだ付け（又はスズめっき）」及び「リ
フローはんだ付け」と呼ばれる。
【０００４】第１の場合（流動はんだ付け機械）、これ
らの機械の設計は、はんだ付けされるべき又はスズめっ
きされるべき物体が、液体はんだの１つ又はそれ以上の
流動波(wave)との接触に供され、流動波は、１つ又はそ
れ以上のノズルを通してバット内に含有されるはんだ浴
の循環により得られるものである。
らの機械の設計は、はんだ付けされるべき又はスズめっ
きされるべき物体が、液体はんだの１つ又はそれ以上の
流動波(wave)との接触に供され、流動波は、１つ又はそ
れ以上のノズルを通してバット内に含有されるはんだ浴
の循環により得られるものである。
【０００５】第２の型の場合（リフローはんだ付け）、
この用語は複数の技術をさらに包含するものであるが、
液体はんだ浴はもはや用いられず、はんだ合金を含有す
るはんだペーストが用いられる。はんだペーストは、
（例えば、部品の沈着前の電子回路、閉じられるべきケ
ーシングの端、又はケーシング底のような）支持体上に
沈着され、かつそれに一定の量の熱が供給され、金属合
金を溶融することを可能にするものである。この熱移動
は、最も頻繁には連続オーブン中で行われる。
この用語は複数の技術をさらに包含するものであるが、
液体はんだ浴はもはや用いられず、はんだ合金を含有す
るはんだペーストが用いられる。はんだペーストは、
（例えば、部品の沈着前の電子回路、閉じられるべきケ
ーシングの端、又はケーシング底のような）支持体上に
沈着され、かつそれに一定の量の熱が供給され、金属合
金を溶融することを可能にするものである。この熱移動
は、最も頻繁には連続オーブン中で行われる。
【０００６】したがって、はんだ付け前のフラックス操
作の役割は、はんだ付けされるべき又はスズめっきされ
るべき金属表面を準備すること（吸着層の脱グリース、
脱酸素、脱汚染物、又は他の表面準備）であり、これ
は、はんだによるこれら表面のその後の濡れを容易にす
ることを目的とし、さらにはんだ付け合金上に形成され
るかもしれない酸化物を除去するためのものでもある。
作の役割は、はんだ付けされるべき又はスズめっきされ
るべき金属表面を準備すること（吸着層の脱グリース、
脱酸素、脱汚染物、又は他の表面準備）であり、これ
は、はんだによるこれら表面のその後の濡れを容易にす
ることを目的とし、さらにはんだ付け合金上に形成され
るかもしれない酸化物を除去するためのものでもある。
【０００７】このフラックス処理操作は、最も一般的に
は、特に酸性化合物を補った樹脂ベース(base)から頻繁
に得られる化学フラックスを用いて行われる。流動はん
だ付け機械の場合、フラックス処理操作は、機械の上流
領域において（従って、処理されるべき支持体が、はん
だ流動波との接触に供される前に）行われ、リフローは
んだ付けの場合は、化学フラックスは、はんだ付けペー
ストの組成中に包含されるという事実により、フラック
ス処理段階は、用いられる熱サイクルの第１の部分の間
に行われる。
は、特に酸性化合物を補った樹脂ベース(base)から頻繁
に得られる化学フラックスを用いて行われる。流動はん
だ付け機械の場合、フラックス処理操作は、機械の上流
領域において（従って、処理されるべき支持体が、はん
だ流動波との接触に供される前に）行われ、リフローは
んだ付けの場合は、化学フラックスは、はんだ付けペー
ストの組成中に包含されるという事実により、フラック
ス処理段階は、用いられる熱サイクルの第１の部分の間
に行われる。
【０００８】はんだ付け後、物体上に残留するフラック
ス残渣は、最も頻繁には塩素化溶媒を用いる洗浄操作を
行うことを製造者に度々要求する。この洗浄操作は、
「モントリオールプロトコール」及びその後の改訂の文
脈において非常に論争の的である。
ス残渣は、最も頻繁には塩素化溶媒を用いる洗浄操作を
行うことを製造者に度々要求する。この洗浄操作は、
「モントリオールプロトコール」及びその後の改訂の文
脈において非常に論争の的である。
【０００９】これらの化合物の使用に置き換わる解決策
として考えられた方法のうち、はんだ付け前の表面のプ
ラズマフラックス処理のような乾燥フラックス処理方法
を言及することができる。この方法により、化学フラッ
クスを用いることが回避され、よって下流における洗浄
操作の実際の必要性が回避される。考えられた混合物
は、特に水素を用いる。
として考えられた方法のうち、はんだ付け前の表面のプ
ラズマフラックス処理のような乾燥フラックス処理方法
を言及することができる。この方法により、化学フラッ
クスを用いることが回避され、よって下流における洗浄
操作の実際の必要性が回避される。考えられた混合物
は、特に水素を用いる。
【００１０】この分野において、ＥＰ−Ａ−０，４２
７，０２０を言及することができる。この文献には、は
んだ付けされるべきアセンブリ部品を処理気体のプラズ
マを用いて処理することが提案され、「アセンブリ部品
への熱損害を回避する目的で」この処理を低圧で行うこ
とを推薦している。提供される図面と共に、提示される
全ての例は、３０〜１００Ｐａの範囲で変化する圧力条
件に関連している。
７，０２０を言及することができる。この文献には、は
んだ付けされるべきアセンブリ部品を処理気体のプラズ
マを用いて処理することが提案され、「アセンブリ部品
への熱損害を回避する目的で」この処理を低圧で行うこ
とを推薦している。提供される図面と共に、提示される
全ての例は、３０〜１００Ｐａの範囲で変化する圧力条
件に関連している。
【００１１】同じコメントを文献ＥＰ−Ａ−０，３７
１，６９３についてすることができる。この文献は、水
素を含有するマイクロ波プラズマを用いてはんだ付け前
に金属表面をフラックス処理する方法に関する。ここで
も、「プラズマ中の残留酸素レベルを制限することを可
能にするために」、低圧の使用が推薦されている。
１，６９３についてすることができる。この文献は、水
素を含有するマイクロ波プラズマを用いてはんだ付け前
に金属表面をフラックス処理する方法に関する。ここで
も、「プラズマ中の残留酸素レベルを制限することを可
能にするために」、低圧の使用が推薦されている。
【００１２】これらのプラズマフラックス処理操作を実
行するために低圧条件を使用することに賛成する意見の
この一致は、特にそのような圧力を得るコストに関係す
る欠点、又は相当する基礎構造体を生産ライン中に設備
することの困難性に関係する欠点にもかかわらず、伝統
的に低圧で得られたパーフォーマンスに匹敵するパーフ
ォーマンスを与えるプラズマを大気圧において得ること
が機械的かつ技術的に困難であることと関係することは
疑いがない。
行するために低圧条件を使用することに賛成する意見の
この一致は、特にそのような圧力を得るコストに関係す
る欠点、又は相当する基礎構造体を生産ライン中に設備
することの困難性に関係する欠点にもかかわらず、伝統
的に低圧で得られたパーフォーマンスに匹敵するパーフ
ォーマンスを与えるプラズマを大気圧において得ること
が機械的かつ技術的に困難であることと関係することは
疑いがない。
【００１３】この文脈において、出願人は、文献ＦＲ−
Ａ−２，６９７，４５６において、はんだ付け前に金属
表面にプラズマフラックス処理するための方法であっ
て、大気圧において、プラズマを発生させるために、処
理されるべき物体上に配置される誘電体層内に適切に配
置されたスロットを経由して輸送される誘電障壁放電(d
ielectric-barrier discharge)又はマイクロ波源を用い
る方法を提案した。この文献は、当該問題への有利な解
決を提供するが、出願人は、提案された方法が、特に以
下の点において改良され得るという事実を例証した。
Ａ−２，６９７，４５６において、はんだ付け前に金属
表面にプラズマフラックス処理するための方法であっ
て、大気圧において、プラズマを発生させるために、処
理されるべき物体上に配置される誘電体層内に適切に配
置されたスロットを経由して輸送される誘電障壁放電(d
ielectric-barrier discharge)又はマイクロ波源を用い
る方法を提案した。この文献は、当該問題への有利な解
決を提供するが、出願人は、提案された方法が、特に以
下の点において改良され得るという事実を例証した。
【００１４】その方法の効率（処理されるべき支持体と
実際に相互作用するところの生産される種(species) の
密度に対するプラズマを発生させるための電力入力の
比）、又はもしそれが高めらるべきならば、より短い処
理時間を許容するであろうところの許容出力密度(permi
ssible power density) （絶縁障壁放電の場合、誘電体
１ｃｍ2 当りわずか数(few) Ｗにしか到達しない）、 制限的な「幾何学的」要素：コロナ放電の場合、電極／
試料距離は極めて重要であり、非常に小さく保たれなけ
ればならない。電極／試料距離は、その表面構造が比較
的複雑な基体の場合に問題を起こし得る。マイクロ波放
電の場合、プラズマ源により制限される定められた寸法
を有するプラズマ発生性シミ(plasma-generating spot)
の形成を引き起す、 さらに、この文献において発生したプラズマは、定義に
よれば、電子部品上での使用が常に困難であるところの
イオン種及び電子（すなわち荷電種）を含有する。
実際に相互作用するところの生産される種(species) の
密度に対するプラズマを発生させるための電力入力の
比）、又はもしそれが高めらるべきならば、より短い処
理時間を許容するであろうところの許容出力密度(permi
ssible power density) （絶縁障壁放電の場合、誘電体
１ｃｍ2 当りわずか数(few) Ｗにしか到達しない）、 制限的な「幾何学的」要素：コロナ放電の場合、電極／
試料距離は極めて重要であり、非常に小さく保たれなけ
ればならない。電極／試料距離は、その表面構造が比較
的複雑な基体の場合に問題を起こし得る。マイクロ波放
電の場合、プラズマ源により制限される定められた寸法
を有するプラズマ発生性シミ(plasma-generating spot)
の形成を引き起す、 さらに、この文献において発生したプラズマは、定義に
よれば、電子部品上での使用が常に困難であるところの
イオン種及び電子（すなわち荷電種）を含有する。
【００１５】この主題での研究を続け、出願人は、合金
を用いるはんだ付け又はスズめっき前に金属表面を乾燥
フラックス処理するための改良された方法を、１９９５
年６月１６日に公開されたフランス特許出願番号第ＦＲ
−Ａ−２，７１３，５２８号に最近提案した。この方法
は、次の工程を用いることにおいて注目すべきである。
を用いるはんだ付け又はスズめっき前に金属表面を乾燥
フラックス処理するための改良された方法を、１９９５
年６月１６日に公開されたフランス特許出願番号第ＦＲ
−Ａ−２，７１３，５２８号に最近提案した。この方法
は、次の工程を用いることにおいて注目すべきである。
【００１６】ａ）器具(apparatus) の出口において主要
気体混合物を得るために、不活性気体及び／又は還元気
体及び／又は酸化気体を包含する開始気体混合物が、励
起又は不安定気体種を生成させるための少なくとも１つ
の器具を通過する工程、 ｂ）大気圧に近い圧力において、フラックス処理される
べき表面を、当該主要気体混合物から得られるところの
励起又は不安定種を包含し、かつ荷電種(electrically
charged species)を実質的に含まない気体状処理雰囲気
で処理する工程。
気体混合物を得るために、不活性気体及び／又は還元気
体及び／又は酸化気体を包含する開始気体混合物が、励
起又は不安定気体種を生成させるための少なくとも１つ
の器具を通過する工程、 ｂ）大気圧に近い圧力において、フラックス処理される
べき表面を、当該主要気体混合物から得られるところの
励起又は不安定種を包含し、かつ荷電種(electrically
charged species)を実質的に含まない気体状処理雰囲気
で処理する工程。
【００１７】この文献に開示される例には、この方法を
用いると、特に実質的に大気圧において操作すること、
処理されるべき対象と、この処理を行うために用いられ
る装置との間の距離に関する高い適応性の程度が得られ
ること、物体が荷電種と接触することを除去すること、
及び改良された出力密度を提供し、高められた処理速度
を達成することを可能にすることが可能であることが明
らかに例証された。
用いると、特に実質的に大気圧において操作すること、
処理されるべき対象と、この処理を行うために用いられ
る装置との間の距離に関する高い適応性の程度が得られ
ること、物体が荷電種と接触することを除去すること、
及び改良された出力密度を提供し、高められた処理速度
を達成することを可能にすることが可能であることが明
らかに例証された。
【００１８】主要気体混合物から得られるところの処理
雰囲気は、それ自体は、励起又は不安定気体種を形成さ
せるための器具の気体出口において得られるが、この文
献によれば、もし適切ならば、器具を通過しなかった隣
接気体混合物(adjacent gasmixture)を包含することも
できる。
雰囲気は、それ自体は、励起又は不安定気体種を形成さ
せるための器具の気体出口において得られるが、この文
献によれば、もし適切ならば、器具を通過しなかった隣
接気体混合物(adjacent gasmixture)を包含することも
できる。
【００１９】従って、この配置(configuration) を「後
放電(post-discharge)」と呼ぶことができる。なぜなら
ば、励起又は不安定気体種を包含するところの処理雰囲
気の主要成分は、器具の出口において得られ、この主要
成分中のいずれもの荷電種の実質的不存在を保証するか
らである。器具を通過しなかった処理雰囲気の隣接成分
は、そのような種をなかんずく含まない。
放電(post-discharge)」と呼ぶことができる。なぜなら
ば、励起又は不安定気体種を包含するところの処理雰囲
気の主要成分は、器具の出口において得られ、この主要
成分中のいずれもの荷電種の実質的不存在を保証するか
らである。器具を通過しなかった処理雰囲気の隣接成分
は、そのような種をなかんずく含まない。
【００２０】さらに、この配置により、雰囲気の主要成
分の発生場所を、それが用いられる場所から分離させる
ことを明らかに可能にする。このことは、器具の汚染の
観点から少なくない利点を有し（表面フラックス処理操
作から生じる多様な放出物が、例えば装置の電極のよう
な装置の内部を汚染することを防止する）、また物体と
遭遇する雰囲気の再生産性の観点からも少なくない利点
を有する。
分の発生場所を、それが用いられる場所から分離させる
ことを明らかに可能にする。このことは、器具の汚染の
観点から少なくない利点を有し（表面フラックス処理操
作から生じる多様な放出物が、例えば装置の電極のよう
な装置の内部を汚染することを防止する）、また物体と
遭遇する雰囲気の再生産性の観点からも少なくない利点
を有する。
【００２１】最後に、器具内（例えば電極間の放電内）
で処理されない物体は、上述の「距離」面に関する非常
により良い適応性から利益を得る。
で処理されない物体は、上述の「距離」面に関する非常
により良い適応性から利益を得る。
【００２２】この文献において、この方法は、励起又は
不安定気体分子を形成するための特定の装置であって、
実質的に大気圧において作動する装置の助けにより、よ
り具体的に例示され、説明されている。この方法は、本
出願人が先に開発し、文献ＦＲ−Ａ−２，６９２，７３
０に記載されている。
不安定気体分子を形成するための特定の装置であって、
実質的に大気圧において作動する装置の助けにより、よ
り具体的に例示され、説明されている。この方法は、本
出願人が先に開発し、文献ＦＲ−Ａ−２，６９２，７３
０に記載されている。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】以来、本出願人は、文
献ＦＲ−Ａ−２，７１３，５２８のはんだ付け又はスズ
めっき前に金属表面に乾燥フラックス処理するための方
法をさらに改良すること、特に製品（例えばプリント回
路）の欠損率をさらに低下させることを目的としてこの
主題の研究を続けた。
献ＦＲ−Ａ−２，７１３，５２８のはんだ付け又はスズ
めっき前に金属表面に乾燥フラックス処理するための方
法をさらに改良すること、特に製品（例えばプリント回
路）の欠損率をさらに低下させることを目的としてこの
主題の研究を続けた。
【００２４】そして、この研究により、「水蒸気」種Ｈ
2 Ｏが、得られるフラックス処理パーフォーマンスにお
いて、従ってその後のはんだ付けパーフォーマンス（例
えば流動はんだ付け）において、特異的かつ特別に有利
な役割を果たすことが明確にかつ全く予想外に分かっ
た。
2 Ｏが、得られるフラックス処理パーフォーマンスにお
いて、従ってその後のはんだ付けパーフォーマンス（例
えば流動はんだ付け）において、特異的かつ特別に有利
な役割を果たすことが明確にかつ全く予想外に分かっ
た。
【００２５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の合金
を用いるはんだ付け又はスズめっき前に金属表面を乾燥
フラックス処理するための方法は、 ａ）主要気体混合物を器具の出口において得るために、
不活性気体及び／又は還元気体を包含し、並びに水蒸気
を含む酸化気体混合物を含む開始気体混合物が励起又は
不安定気体種を生成させるための少なくとも１つの器具
を通過し、開始気体混合物の水蒸気含有量が、５０ｐｐ
ｍないし６％の範囲であり、 ｂ）フラックス処理されるべき表面が、大気圧に近い圧
力において、主要気体混合物から得られるところの励起
又は不安定気体種を包含しかつ電荷種を実質的に含まな
い気体状処理雰囲気で処理されることを特徴とする。
を用いるはんだ付け又はスズめっき前に金属表面を乾燥
フラックス処理するための方法は、 ａ）主要気体混合物を器具の出口において得るために、
不活性気体及び／又は還元気体を包含し、並びに水蒸気
を含む酸化気体混合物を含む開始気体混合物が励起又は
不安定気体種を生成させるための少なくとも１つの器具
を通過し、開始気体混合物の水蒸気含有量が、５０ｐｐ
ｍないし６％の範囲であり、 ｂ）フラックス処理されるべき表面が、大気圧に近い圧
力において、主要気体混合物から得られるところの励起
又は不安定気体種を包含しかつ電荷種を実質的に含まな
い気体状処理雰囲気で処理されることを特徴とする。
【００２６】本発明によれば、「金属表面」との用語
は、はんだ付け又はスズめっき操作に関連し得るところ
の、例えば鋼鉄、銅、アルミニウム、スズ、鉛、スズ／
鉛、スズ／鉛／銀、又はコバール(Kovar) のような合金
からなるそのようないずれものタイプの金属表面を意味
することを意図する。むろん前記リストは、単に例示す
るもので、決して限定するものではない。予備スズめっ
き、Ｎｉ／Ａｕ仕上げ、又は不活性化銅のような電子回
路の多様なタイプの表面処理(finishing) も挙げること
ができる。フラックス処理されるべき物体を包含する物
体は、次のようなはんだ付け又はスズめっき操作に関連
し得るいずれもの物体から構成され得る。例えば、部品
をはんだ付けすることを目的としてそれらが取付けられ
たところの（部品が挿入された部品でも、表面に搭載さ
れた部品でもよい）電子回路、又はコンタクトストリッ
プ／電子支持体ペアリング(pairing) （ストリップの支
持体上へのはんだ付け）、又はプリント回路、ハイブリ
ッド回路、若しくはむき出しのチップがそれにはんだ付
けされるために取付けられた一般にＭＣＭ（マルチチッ
プモジュール）と呼ばれる基体などの多層連結基体のよ
うな支持体、又はスズめっきされるべき電子部品であ
る。
は、はんだ付け又はスズめっき操作に関連し得るところ
の、例えば鋼鉄、銅、アルミニウム、スズ、鉛、スズ／
鉛、スズ／鉛／銀、又はコバール(Kovar) のような合金
からなるそのようないずれものタイプの金属表面を意味
することを意図する。むろん前記リストは、単に例示す
るもので、決して限定するものではない。予備スズめっ
き、Ｎｉ／Ａｕ仕上げ、又は不活性化銅のような電子回
路の多様なタイプの表面処理(finishing) も挙げること
ができる。フラックス処理されるべき物体を包含する物
体は、次のようなはんだ付け又はスズめっき操作に関連
し得るいずれもの物体から構成され得る。例えば、部品
をはんだ付けすることを目的としてそれらが取付けられ
たところの（部品が挿入された部品でも、表面に搭載さ
れた部品でもよい）電子回路、又はコンタクトストリッ
プ／電子支持体ペアリング(pairing) （ストリップの支
持体上へのはんだ付け）、又はプリント回路、ハイブリ
ッド回路、若しくはむき出しのチップがそれにはんだ付
けされるために取付けられた一般にＭＣＭ（マルチチッ
プモジュール）と呼ばれる基体などの多層連結基体のよ
うな支持体、又はスズめっきされるべき電子部品であ
る。
【００２７】本発明において、はんだ付け又はスズめっ
きする「合金」は、（例えば、リフローはんだ付け又は
流動はんだ付け機械内で、又は流動スズめっきのよう
な）操作について考え得るいずれもの組成から構成され
るであろう。例えばＳｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｐ
ｂ−Ｉｎである。
きする「合金」は、（例えば、リフローはんだ付け又は
流動はんだ付け機械内で、又は流動スズめっきのよう
な）操作について考え得るいずれもの組成から構成され
るであろう。例えばＳｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｐ
ｂ−Ｉｎである。
【００２８】本発明によれば、「大気圧に近い圧力」と
の用語は、有利には、０．１×１０5 Ｐａ〜３×１０5
Ｐａの範囲にある圧力を意味することを意図する。
の用語は、有利には、０．１×１０5 Ｐａ〜３×１０5
Ｐａの範囲にある圧力を意味することを意図する。
【００２９】本発明によれば、「荷電種」との用語は、
イオン又は電子を意味することを意図する。従って、上
述したように、本発明の処理雰囲気は、それが荷電種す
なわちイオン又は電子を実質的に含まないことにおいて
文献に先に説明されたプラズマ雰囲気と区別され得る。
イオン又は電子を意味することを意図する。従って、上
述したように、本発明の処理雰囲気は、それが荷電種す
なわちイオン又は電子を実質的に含まないことにおいて
文献に先に説明されたプラズマ雰囲気と区別され得る。
【００３０】主要気体混合物から得られるところの処理
雰囲気は、もし適切であるならば、隣接気体混合物をも
包含することができ、主要気体混合物は、励起又は不安
定気体種を生成させるための器具の気体出口において得
られるものである。前記器具中で、開始気体混合物が転
換される一方で、隣接気体混合物それ自体は前記器具を
通過しない。
雰囲気は、もし適切であるならば、隣接気体混合物をも
包含することができ、主要気体混合物は、励起又は不安
定気体種を生成させるための器具の気体出口において得
られるものである。前記器具中で、開始気体混合物が転
換される一方で、隣接気体混合物それ自体は前記器具を
通過しない。
【００３１】文献ＦＲ−９，３１５，１１２についての
段落において先に明らかにしたように、この配置を「後
放電」と呼ぶことができる。この配置は、既に記載した
この配置に起因する全ての利点を有するものである。
段落において先に明らかにしたように、この配置を「後
放電」と呼ぶことができる。この配置は、既に記載した
この配置に起因する全ての利点を有するものである。
【００３２】不活性気体は、例えば、窒素、アルゴン、
ヘリウム又はそのような不活性気体の混合物から構成さ
れ得る。還元気体は、例えば水素、ＣＨ4 若しくはアン
モニア又はそのような還元気体の混合物から構成され得
る。
ヘリウム又はそのような不活性気体の混合物から構成さ
れ得る。還元気体は、例えば水素、ＣＨ4 若しくはアン
モニア又はそのような還元気体の混合物から構成され得
る。
【００３３】水蒸気に加えて、酸化気体混合物は、例え
ば酸素、ＣＯ2 若しくはＮ2 Ｏ、又はそのような種の混
合物も包含することができる。
ば酸素、ＣＯ2 若しくはＮ2 Ｏ、又はそのような種の混
合物も包含することができる。
【００３４】各々のカテゴリで示した種のリストは、む
ろん単なる例示であり、限定を課するものではない。
ろん単なる例示であり、限定を課するものではない。
【００３５】本発明の器具は、器具の気体出口におい
て、器具内での転換の後に、不安定又は励起気体種を包
含する別の気体混合物（ここでは主要気体混合物とい
う）を得るために、開始気体混合物を「励起」すること
を可能にするいずれもの装置である。主要気体混合物
は、荷電種を実質的に包含しない。そのような励起は、
例えばコロナ放電型のような放電により得ることができ
る。
て、器具内での転換の後に、不安定又は励起気体種を包
含する別の気体混合物（ここでは主要気体混合物とい
う）を得るために、開始気体混合物を「励起」すること
を可能にするいずれもの装置である。主要気体混合物
は、荷電種を実質的に包含しない。そのような励起は、
例えばコロナ放電型のような放電により得ることができ
る。
【００３６】上述の、本出願人の名義の文献ＦＲ−Ａ−
２，６９２，７３０には、本発明の方法を実施するため
に好適な、励起又は不安定気体分子を生成させるための
器具が記載されている。
２，６９２，７３０には、本発明の方法を実施するため
に好適な、励起又は不安定気体分子を生成させるための
器具が記載されている。
【００３７】上記の記載を読めば当業者には明確に明か
であるように、開始気体混合物の水蒸気含有量は、各々
の場合に適応すべきであり、特に開始気体混合物の残り
の成分（例えば、水素のような還元気体含有量）に、及
び処理されるべき物体のタイプ（例えば、表面状態のタ
イプ、従って流動はんだ付け前にフラックス処理される
べき電子回路の仕上げのタイプ）にも適応すべきであ
る。
であるように、開始気体混合物の水蒸気含有量は、各々
の場合に適応すべきであり、特に開始気体混合物の残り
の成分（例えば、水素のような還元気体含有量）に、及
び処理されるべき物体のタイプ（例えば、表面状態のタ
イプ、従って流動はんだ付け前にフラックス処理される
べき電子回路の仕上げのタイプ）にも適応すべきであ
る。
【００３８】しかしながら、開始気体混合物の水蒸気含
有量は、有利には５０ｐｐｍ〜６％の範囲、好ましくは
１００ｐｐｍ〜１％の範囲、さらに好ましくは５００ｐ
ｐｍ〜５０００ｐｐｍの範囲である。
有量は、有利には５０ｐｐｍ〜６％の範囲、好ましくは
１００ｐｐｍ〜１％の範囲、さらに好ましくは５００ｐ
ｐｍ〜５０００ｐｐｍの範囲である。
【００３９】先に指摘したように、酸化気体混合物は、
水蒸気に追加して、例えば酸素のような別の酸化種を包
含することができる。この場合、開始気体混合物の酸素
含有量は、好ましくは数１００(a few hundreds)ｐｐｍ
より低く保たれるべきである。
水蒸気に追加して、例えば酸素のような別の酸化種を包
含することができる。この場合、開始気体混合物の酸素
含有量は、好ましくは数１００(a few hundreds)ｐｐｍ
より低く保たれるべきである。
【００４０】本発明の態様の１つによれば、開始気体混
合物は、窒素／水素／水蒸気混合物から構成される。
合物は、窒素／水素／水蒸気混合物から構成される。
【００４１】本発明の他の態様によれば、開始気体混合
物は、窒素／水素／水蒸気／酸素混合物から構成され
る。
物は、窒素／水素／水蒸気／酸素混合物から構成され
る。
【００４２】開始気体混合物が水素を含有する場合、そ
の水素含有量は、有利には１０００ｐｐｍ〜５０％の範
囲、好ましくは１０％又はそれ以下であろう。
の水素含有量は、有利には１０００ｐｐｍ〜５０％の範
囲、好ましくは１０％又はそれ以下であろう。
【００４３】本発明のフラックス処理方法により、単一
の器具の、若しくは処理されるべき物体の幅全体に渡り
平行に配置される複数の器具の気体出口において得られ
る主要混合物の助けと共に、又は直列に配置される複数
の器具の気体出口において得られる主要混合物の助けと
ともに連続してフラックス処理を行うことができる。
の器具の、若しくは処理されるべき物体の幅全体に渡り
平行に配置される複数の器具の気体出口において得られ
る主要混合物の助けと共に、又は直列に配置される複数
の器具の気体出口において得られる主要混合物の助けと
ともに連続してフラックス処理を行うことができる。
【００４４】同様に、当業者には明確に明らかなよう
に、本発明の方法は、使用者からの要求に応じて、処理
されるべき物体の両面のうちの単一の面の処理に、及び
処理されるべき物体の両面にフラックス処理することが
所望される場合に適用することができる。後者の場合、
物体の各々の面の前方に必要な器具を配置することが好
適であろう。
に、本発明の方法は、使用者からの要求に応じて、処理
されるべき物体の両面のうちの単一の面の処理に、及び
処理されるべき物体の両面にフラックス処理することが
所望される場合に適用することができる。後者の場合、
物体の各々の面の前方に必要な器具を配置することが好
適であろう。
【００４５】本発明の隣接気体混合物は、例えば不活性
気体、若しくはもし適切ならば、試料周辺の保護雰囲気
を維持することを可能にする不活性気体の混合物、還元
気体又は酸化気体、又はこれら３つの種類の１つに属す
る気体の混合物であってもよいいずれもの気体又は気体
混合物であり得る。
気体、若しくはもし適切ならば、試料周辺の保護雰囲気
を維持することを可能にする不活性気体の混合物、還元
気体又は酸化気体、又はこれら３つの種類の１つに属す
る気体の混合物であってもよいいずれもの気体又は気体
混合物であり得る。
【００４６】本発明の他の側面によれば、処理されるべ
き回路は、その後のはんだ付け又はスズめっき操作を行
うために、周囲の気温と、用いられる合金の融点との間
の温度に加熱される。従って、この上限は、用いられる
合金に依存し、例えば、通常用いられるＳｎ６３−Ｐｂ
３７又はＳｎ６２−Ｐｂ３６−Ａｇ２合金の場合は、１
８０℃の近辺にあるであろう。有利には、かつ処理され
る物体又は支持体の特定のタイプに依存して、金属間化
合物(intermetallic) の成長を制限するために、用いら
れる合金の融点に近すぎない温度を採用する努力が払わ
れ、例えば、Ｓｎ６３−Ｐｂ３７又はＳｎ６２−Ｐｂ３
６−Ａｇ２合金が用いられる場合は、１６０℃を越えな
い。
き回路は、その後のはんだ付け又はスズめっき操作を行
うために、周囲の気温と、用いられる合金の融点との間
の温度に加熱される。従って、この上限は、用いられる
合金に依存し、例えば、通常用いられるＳｎ６３−Ｐｂ
３７又はＳｎ６２−Ｐｂ３６−Ａｇ２合金の場合は、１
８０℃の近辺にあるであろう。有利には、かつ処理され
る物体又は支持体の特定のタイプに依存して、金属間化
合物(intermetallic) の成長を制限するために、用いら
れる合金の融点に近すぎない温度を採用する努力が払わ
れ、例えば、Ｓｎ６３−Ｐｂ３７又はＳｎ６２−Ｐｂ３
６−Ａｇ２合金が用いられる場合は、１６０℃を越えな
い。
【００４７】本発明の側面の１つによれば、処理される
べき単一の金属表面又は複数の金属表面を有する物体
は、単一の器具の単一の気体出口の前方に位置され、も
し適切ならば、物体の幅全体に渡り平行に配置される複
数の装置の複数の気体出口の前方に位置され、及び／又
は直列に配置される複数の器具の複数の気体出口の前方
に順番に位置される。前記処理されるべき物体は、被覆
構造体（例えば、トンネル又は基礎的被覆のセット）に
より境界づけられた内部空間を通過する運搬システムで
あって、周囲の雰囲気から分離された運搬システムによ
り位置される。前記被覆構造体は、漏れを防止するよう
に単一の又は複数の器具に連結されているか又は包含し
ている。
べき単一の金属表面又は複数の金属表面を有する物体
は、単一の器具の単一の気体出口の前方に位置され、も
し適切ならば、物体の幅全体に渡り平行に配置される複
数の装置の複数の気体出口の前方に位置され、及び／又
は直列に配置される複数の器具の複数の気体出口の前方
に順番に位置される。前記処理されるべき物体は、被覆
構造体（例えば、トンネル又は基礎的被覆のセット）に
より境界づけられた内部空間を通過する運搬システムで
あって、周囲の雰囲気から分離された運搬システムによ
り位置される。前記被覆構造体は、漏れを防止するよう
に単一の又は複数の器具に連結されているか又は包含し
ている。
【００４８】ここで、以上述べたのと同じコメントを、
両面処理に関して適用し得る（ここでも、物体の各々の
面の前面に器具を必要な数と必要な配置で用いることで
十分である。）。
両面処理に関して適用し得る（ここでも、物体の各々の
面の前面に器具を必要な数と必要な配置で用いることで
十分である。）。
【００４９】処理されるべき単数又は複数の金属表面を
有する物体が、物体の幅全体に渡り平行に配置される複
数の器具の気体出口の前方に及び／又は直列に配置され
る複数の器具の気体出口の前方に順番に位置される場
合、これらの器具の少なくとも１つが、不活性気体及び
／又は還元気体、並びに水蒸気を包含する酸化気体混合
物を包含する開始気体混合物を転換する。従って、別の
器具内で転換される開始気体混合物は、不活性気体及び
／又は還元気体及び／又は酸化気体を包含することがで
きる。
有する物体が、物体の幅全体に渡り平行に配置される複
数の器具の気体出口の前方に及び／又は直列に配置され
る複数の器具の気体出口の前方に順番に位置される場
合、これらの器具の少なくとも１つが、不活性気体及び
／又は還元気体、並びに水蒸気を包含する酸化気体混合
物を包含する開始気体混合物を転換する。従って、別の
器具内で転換される開始気体混合物は、不活性気体及び
／又は還元気体及び／又は酸化気体を包含することがで
きる。
【００５０】本発明の１つの態様によれば、開始気体混
合物がその中で転換されるところの器具（又は器具の少
なくとも１つ）が、第１の電極と第２の電極との間に形
成される放電のシート(seat)であり、誘電体材料の層
が、第１の電極と第２の電極の少なくとも１つの表面上
に配置され、もう１つの電極に対面し、開始気体混合物
が、第１の電極と第２の電極に対して横方向に(transve
rsely to the electrodes)放電を通過する。
合物がその中で転換されるところの器具（又は器具の少
なくとも１つ）が、第１の電極と第２の電極との間に形
成される放電のシート(seat)であり、誘電体材料の層
が、第１の電極と第２の電極の少なくとも１つの表面上
に配置され、もう１つの電極に対面し、開始気体混合物
が、第１の電極と第２の電極に対して横方向に(transve
rsely to the electrodes)放電を通過する。
【００５１】誘電体の単位表面積当りに標準化した器具
内で用いられる電力は、有利には１Ｗ／ｃｍ2 又はそれ
以上であり、好ましくは１０Ｗ／ｃｍ2 又はそれ以上で
あり、最も頻繁には１０Ｗ／ｃｍ2 〜１００Ｗ／ｃｍ2
の範囲にある。
内で用いられる電力は、有利には１Ｗ／ｃｍ2 又はそれ
以上であり、好ましくは１０Ｗ／ｃｍ2 又はそれ以上で
あり、最も頻繁には１０Ｗ／ｃｍ2 〜１００Ｗ／ｃｍ2
の範囲にある。
【００５２】本発明の態様の１つによれば、コンベヤー
に沿って処理されるべき物体が順番に遭遇する処理雰囲
気は、 ａ）励起又は不安定気体種を生成させるための少なくと
も１つの器具が、当該構造体内においてそれよりも先行
する器具により転換されるものとは異なる開始気体混合
物を転換するように、及び／又は ｂ）励起又は不安定気体種を生成させるための器具の少
なくとも１つの内で用いられる隣接気体混合物は、当該
構造体内においてそれよりも先行する器具内で用いられ
るものとは異なるように区分される。
に沿って処理されるべき物体が順番に遭遇する処理雰囲
気は、 ａ）励起又は不安定気体種を生成させるための少なくと
も１つの器具が、当該構造体内においてそれよりも先行
する器具により転換されるものとは異なる開始気体混合
物を転換するように、及び／又は ｂ）励起又は不安定気体種を生成させるための器具の少
なくとも１つの内で用いられる隣接気体混合物は、当該
構造体内においてそれよりも先行する器具内で用いられ
るものとは異なるように区分される。
【００５３】本発明の態様の１つによれば、上述の工程
ａ）及びｂ）は、１つのかつ同じ器具に関連し得る。
ａ）及びｂ）は、１つのかつ同じ器具に関連し得る。
【００５４】従って、例えば、１つの器具から別の器具
へ増加する還元力を有する混合物を用いることが可能で
ある。
へ増加する還元力を有する混合物を用いることが可能で
ある。
【００５５】本発明の側面によれば、構造体の出口にお
いて、物体は、はんだ付け又はスズめっき操作が行われ
るところの機械内に入り、物体は、もし適切ならば、構
造体の出口と機械の入口の間で保護雰囲気下に維持され
る。この場合の保護雰囲気とは、残留酸素濃度が数１０
０ｐｐｍ又はさらには１００ｐｐｍを越えない、本質的
に不活性な雰囲気を意味することを意図する。
いて、物体は、はんだ付け又はスズめっき操作が行われ
るところの機械内に入り、物体は、もし適切ならば、構
造体の出口と機械の入口の間で保護雰囲気下に維持され
る。この場合の保護雰囲気とは、残留酸素濃度が数１０
０ｐｐｍ又はさらには１００ｐｐｍを越えない、本質的
に不活性な雰囲気を意味することを意図する。
【００５６】本発明の他の側面によれば、はんだ付け又
はスズめっきは操作は、器具の下流において、実際の被
覆構造（例えばトンネル）内で行われる。
はスズめっきは操作は、器具の下流において、実際の被
覆構造（例えばトンネル）内で行われる。
【００５７】本発明の態様の１つによれば、その前には
んだ付け又はスズメッキ操作が行われるところの本発明
のフラックス処理は、流動モードで施され、処理される
べき金属表面を有する物体は、電子回路であり、その各
々の面は、運搬システムにより励起又は不安定気体種を
生成させるための少なくとも１つの器具の気体出口前方
に位置される。
んだ付け又はスズメッキ操作が行われるところの本発明
のフラックス処理は、流動モードで施され、処理される
べき金属表面を有する物体は、電子回路であり、その各
々の面は、運搬システムにより励起又は不安定気体種を
生成させるための少なくとも１つの器具の気体出口前方
に位置される。
【００５８】有利には、処理されるべき電子回路の上方
面は、励起又は不安定気体種を生成させるための少なく
とも２つの器具の気体出口前方に順番に位置される。
面は、励起又は不安定気体種を生成させるための少なく
とも２つの器具の気体出口前方に順番に位置される。
【００５９】本発明を流動はんだ付けする前にフラック
ス処理する場合に提供するこの場合は、（はんだ付け操
作を下流の離れた機械内で行おうが、又は同じ被覆構造
体内で行おうが）、本発明のフラックス処理は、支持体
又は回路を予備加熱する工程と組合わせることができ
る。通常、予備加熱は、化学フラックス工程とはんだ付
けポットとの間の流動はんだ付機械内にある。従って、
本発明によれば、次のタイプの連続工程を考え得る。
ス処理する場合に提供するこの場合は、（はんだ付け操
作を下流の離れた機械内で行おうが、又は同じ被覆構造
体内で行おうが）、本発明のフラックス処理は、支持体
又は回路を予備加熱する工程と組合わせることができ
る。通常、予備加熱は、化学フラックス工程とはんだ付
けポットとの間の流動はんだ付機械内にある。従って、
本発明によれば、次のタイプの連続工程を考え得る。
【００６０】本発明のフラックス処理（冷たい又は熱
い）、その後に予備加熱操作（その後にはんだ付け又は
スズめっき）、予備加熱操作、その後に本発明のフラッ
クス処理（熱い又は冷たい）、（その後にはんだ付け又
はスズメッキ）、本発明のフラックス処理（冷たい）、
その後に予備加熱操作、その後に本発明のフラックス処
理（熱い）、（その後にはんだ付け又はスズめっき）。
い）、その後に予備加熱操作（その後にはんだ付け又は
スズめっき）、予備加熱操作、その後に本発明のフラッ
クス処理（熱い又は冷たい）、（その後にはんだ付け又
はスズメッキ）、本発明のフラックス処理（冷たい）、
その後に予備加熱操作、その後に本発明のフラックス処
理（熱い）、（その後にはんだ付け又はスズめっき）。
【００６１】この順番のリストは、むろん、本発明によ
り実施し得る多くの可能性の説明にすぎず、限定するも
のではない。
り実施し得る多くの可能性の説明にすぎず、限定するも
のではない。
【００６２】回路が単数又は複数のはんだ流動波と接触
に供される場所の下流において、すなわちはんだ付け操
作の下流において、もし適当ならば、回路の適切な、少
なくとも１つの面を、励起又は不安的気体種を生成させ
るための（「下流」と呼び得るところの）器具の少なく
とも１つの気体出口の前方に位置させることができる。
前記器具の気体出口において、励起又は不安定気体種を
包含し、かつ荷電種を実質的に包含しない「下流」主要
気体混合物を得るために、前記器具内を不活性気体及び
／又は還元気体及び／又は酸化気体を包含する（ここで
も「下流」開始気体混合物と呼び得る）開始気体混合物
が通過する。これにより、もし必要ならば、回路表面の
後洗浄を行うことができる。
に供される場所の下流において、すなわちはんだ付け操
作の下流において、もし適当ならば、回路の適切な、少
なくとも１つの面を、励起又は不安的気体種を生成させ
るための（「下流」と呼び得るところの）器具の少なく
とも１つの気体出口の前方に位置させることができる。
前記器具の気体出口において、励起又は不安定気体種を
包含し、かつ荷電種を実質的に包含しない「下流」主要
気体混合物を得るために、前記器具内を不活性気体及び
／又は還元気体及び／又は酸化気体を包含する（ここで
も「下流」開始気体混合物と呼び得る）開始気体混合物
が通過する。これにより、もし必要ならば、回路表面の
後洗浄を行うことができる。
【００６３】更なる考え得る場合には、単数又は複数の
はんだ流動波との接触中の全て又は一部分で、回路面の
少なくとも１つの面は、励起又は不安定気体種を生成さ
せるための「追加の」と呼び得るところの少なくとも１
つの器具の気体排出との接触に供されるものであり、器
具の気体出口において、励起又は不安定気体種を包含
し、かつ荷電種を実質的に含まない「追加の」主要気体
混合物を得るために、前記器具内を不活性気体及び／又
は還元気体及び／又は酸化気体を包含する（これも「追
加の」と呼び得るところの）開始気体混合物が通過す
る。
はんだ流動波との接触中の全て又は一部分で、回路面の
少なくとも１つの面は、励起又は不安定気体種を生成さ
せるための「追加の」と呼び得るところの少なくとも１
つの器具の気体排出との接触に供されるものであり、器
具の気体出口において、励起又は不安定気体種を包含
し、かつ荷電種を実質的に含まない「追加の」主要気体
混合物を得るために、前記器具内を不活性気体及び／又
は還元気体及び／又は酸化気体を包含する（これも「追
加の」と呼び得るところの）開始気体混合物が通過す
る。
【００６４】当業者には明確に明らかなように、実際に
はんだ付け中に行われるこの「追加の」処理は、特には
んだ付け合金上に形成され得る酸化物を実質的に排除す
る観点から極めて有利であり得る。
はんだ付け中に行われるこの「追加の」処理は、特には
んだ付け合金上に形成され得る酸化物を実質的に排除す
る観点から極めて有利であり得る。
【００６５】本発明の１つの側面にれば、はんだ付け又
はスズめっき操作が一時的に中断されなければならない
場合は、はんだ付け又はスズめっき前に、本発明に従い
行われる処理の「待ち」と呼び得る状況を設定するため
の準備が行われる。
はスズめっき操作が一時的に中断されなければならない
場合は、はんだ付け又はスズめっき前に、本発明に従い
行われる処理の「待ち」と呼び得る状況を設定するため
の準備が行われる。
【００６６】本発明によれば、準備は、例えば、使用者
による意図的動作の結果のような状況に備えて行われ、
又は所与の期間中に構造体の入口において検知される回
路がない故に行われ、次の手段の少なくとも１つが開始
される。
による意図的動作の結果のような状況に備えて行われ、
又は所与の期間中に構造体の入口において検知される回
路がない故に行われ、次の手段の少なくとも１つが開始
される。
【００６７】各々の器具への主要気体混合物の供給が停
止される、当該器具内で循環する主要気体混合物の低減
された流量（例えば、処理に用いられる基準状態(nomin
al regime)における流量の数％から数１０％）が各々の
器具内で維持される、少なくとも１つの器具内において
隣接気体混合物が用いられる場合、これらの器具の少な
くとも１つの内への隣接気体混合物の供給が停止され
る、当該器具内を循環する主要気体混合物の代りに、
「代用品」と呼び得るところの主要気体混合物（例えば
中性気体、又は中性気体／水素混合物）が各々の器具を
通過する、及び各々の器具が、そのときの処理状態か
ら、そこで用いられる出力密度がわずか数Ｗ／ｃｍ2 で
あるところの代用状態に切替えられる。
止される、当該器具内で循環する主要気体混合物の低減
された流量（例えば、処理に用いられる基準状態(nomin
al regime)における流量の数％から数１０％）が各々の
器具内で維持される、少なくとも１つの器具内において
隣接気体混合物が用いられる場合、これらの器具の少な
くとも１つの内への隣接気体混合物の供給が停止され
る、当該器具内を循環する主要気体混合物の代りに、
「代用品」と呼び得るところの主要気体混合物（例えば
中性気体、又は中性気体／水素混合物）が各々の器具を
通過する、及び各々の器具が、そのときの処理状態か
ら、そこで用いられる出力密度がわずか数Ｗ／ｃｍ2 で
あるところの代用状態に切替えられる。
【００６８】
【発明の実施の形態】本発明の他の特徴及び利点は、説
明のために示され、いずれもの限定を課することなく添
付の図面を参照して行われる以下の態様の記載から明ら
かになるであろう。
明のために示され、いずれもの限定を課することなく添
付の図面を参照して行われる以下の態様の記載から明ら
かになるであろう。
【００６９】図１は、励起又は不安定気体種を生成させ
るための器具４の気体出口６の前方に、コンベヤーベル
ト２を用いて位置される、フラックスされるべき単数又
は複数の金属表面を有する物体１の存在を示す。
るための器具４の気体出口６の前方に、コンベヤーベル
ト２を用いて位置される、フラックスされるべき単数又
は複数の金属表面を有する物体１の存在を示す。
【００７０】運搬システム２は、トンネル３により境界
を付けられ、有利には、漏れを防ぐように器具４に連結
される。
を付けられ、有利には、漏れを防ぐように器具４に連結
される。
【００７１】器具の出口６において得られる主要気体混
合物が、８に概略的に示される。主要気体混合物８は、
気体入口５を通過して器具に入る開始気体混合物７から
得られる。
合物が、８に概略的に示される。主要気体混合物８は、
気体入口５を通過して器具に入る開始気体混合物７から
得られる。
【００７２】図１に示される態様には、隣接気体混合物
のための入口９、１０の存在もまた示されている。隣接
気体混合物９、１０から、及び主要気体混合物８から得
られる気体雰囲気は、本発明の処理雰囲気３０を構成す
る。
のための入口９、１０の存在もまた示されている。隣接
気体混合物９、１０から、及び主要気体混合物８から得
られる気体雰囲気は、本発明の処理雰囲気３０を構成す
る。
【００７３】図１に示される態様において、１１及び１
２に、第１の器具４と共に直列であって、物体１と順番
に遭遇する、励起又は不安定気体種を生成させるための
追加の器具（図示せず）の存在が示されることを指摘す
る。
２に、第１の器具４と共に直列であって、物体１と順番
に遭遇する、励起又は不安定気体種を生成させるための
追加の器具（図示せず）の存在が示されることを指摘す
る。
【００７４】もし適切ならば、図１に示す装置は、１３
及び２９に示されるものような他の隣接気体混合物入口
により完成される。
及び２９に示されるものような他の隣接気体混合物入口
により完成される。
【００７５】図１に示す装置は、もし適切ならば、図示
しないが、物体１を加熱するための手段をさらに備える
ことができる。トンネル内の赤外ランプ、若しくは対流
加熱（熱トンネル壁）、又は例えば物体を加熱気体台上
に配置することのようなものをこの加熱手段として考え
ることができる。
しないが、物体１を加熱するための手段をさらに備える
ことができる。トンネル内の赤外ランプ、若しくは対流
加熱（熱トンネル壁）、又は例えば物体を加熱気体台上
に配置することのようなものをこの加熱手段として考え
ることができる。
【００７６】図２の態様に示されるように、この態様の
励起又は不安定気体種を生成するための器具は、円柱状
の幾何形状であり、例えば金属ブロック１５の内面によ
り形成される第１の管状電極１４を包含する。管状電極
１４の内部には、例えばセラミックからなる誘電体材料
の管１６を包含するアセンブリが同心円状に配置され、
図２において明確化のためにその厚さが誇張されたとこ
ろの第２の電極１７が、誘電体管の内面上に金属被覆法
(metallization) によりに沈着している。
励起又は不安定気体種を生成するための器具は、円柱状
の幾何形状であり、例えば金属ブロック１５の内面によ
り形成される第１の管状電極１４を包含する。管状電極
１４の内部には、例えばセラミックからなる誘電体材料
の管１６を包含するアセンブリが同心円状に配置され、
図２において明確化のためにその厚さが誇張されたとこ
ろの第２の電極１７が、誘電体管の内面上に金属被覆法
(metallization) によりに沈着している。
【００７７】誘電体１６及び第２の電極１７を包含する
アセンブリは、第１の電極１４とともに管状気体通路１
８の境界を付け、さらに内部に、内部体積(internal vo
lume) １９の境界を付ける。有利には、その電気陰性特
性故にフレオン(Freon) であるか又は脱イオン水である
冷却剤が内部体積１９内を循環する。内部気体通路１８
は、１ｍ未満、典型的には５０ｃｍ未満の軸方向の長さ
を有し、その遠心方向厚さはｅは、３ｍｍを越えず、典
型的には２. ５ｍｍ未満である。
アセンブリは、第１の電極１４とともに管状気体通路１
８の境界を付け、さらに内部に、内部体積(internal vo
lume) １９の境界を付ける。有利には、その電気陰性特
性故にフレオン(Freon) であるか又は脱イオン水である
冷却剤が内部体積１９内を循環する。内部気体通路１８
は、１ｍ未満、典型的には５０ｃｍ未満の軸方向の長さ
を有し、その遠心方向厚さはｅは、３ｍｍを越えず、典
型的には２. ５ｍｍ未満である。
【００７８】ブロック１５には、実質的に正対する２つ
の縦方向スロット２０及び２１が包含され、これらスロ
ットは、それぞれ通路１８内で励起されるべき開始気体
のための入口、及び励起又は不安定気体種を含有する主
要気体流れのための出口を形成する。
の縦方向スロット２０及び２１が包含され、これらスロ
ットは、それぞれ通路１８内で励起されるべき開始気体
のための入口、及び励起又は不安定気体種を含有する主
要気体流れのための出口を形成する。
【００７９】スロット２０及び２１は、空胴１８の全て
の軸方向の長さ全体に渡り伸び、図２に示される態様の
場合は、厚さｅを越えず、かつ典型的には厚さｅと実質
的に同一の幅を有する。本体１５は、有利には、第１の
電極１４の周辺部に、例えば水のような冷却剤の通過の
ための複数の導管２２を包含する。気体入口２０は、均
質化室又はプレナム２３と連通する。プレナム２３は、
ブロック１５に取付けられたケーシング２４内に形成さ
れる。ケーシング２４は、開始気体源２６から生じる開
始気体をこの源に依存して変化し得る圧力の、典型的に
は数バールから１００又は２００バールの圧力において
供給するためのチューブ２５を包含する。電極１４及び
１７は、有利には１５ｋＨｚより大きい周波数で作動
し、かつ例えば１０ｋＷのオーダの電力を配達する高電
圧かつ高周波数発電器２７に連結される。発電器により
配達されるこの電力を、誘電体の単位表面積当りに標準
化することにより表すことがさらに有利であり得る。
の軸方向の長さ全体に渡り伸び、図２に示される態様の
場合は、厚さｅを越えず、かつ典型的には厚さｅと実質
的に同一の幅を有する。本体１５は、有利には、第１の
電極１４の周辺部に、例えば水のような冷却剤の通過の
ための複数の導管２２を包含する。気体入口２０は、均
質化室又はプレナム２３と連通する。プレナム２３は、
ブロック１５に取付けられたケーシング２４内に形成さ
れる。ケーシング２４は、開始気体源２６から生じる開
始気体をこの源に依存して変化し得る圧力の、典型的に
は数バールから１００又は２００バールの圧力において
供給するためのチューブ２５を包含する。電極１４及び
１７は、有利には１５ｋＨｚより大きい周波数で作動
し、かつ例えば１０ｋＷのオーダの電力を配達する高電
圧かつ高周波数発電器２７に連結される。発電器により
配達されるこの電力を、誘電体の単位表面積当りに標準
化することにより表すことがさらに有利であり得る。
【００８０】気体出口２１において入手可能な励起され
た種を含有する気体流は、例えば本発明の金属表面をフ
ラックス処理するための使用者ステーション２８へ送ら
れる。
た種を含有する気体流は、例えば本発明の金属表面をフ
ラックス処理するための使用者ステーション２８へ送ら
れる。
【００８１】図３の装置において、その後に流動はんだ
付け機械内ではんだ付けされることを意図する電子回路
は、ここではトンネルタイプである被覆構造内で、励起
又は不安定気体種を生成させるための３つの直列の器具
と順番に遭遇する。これら器具の２つは、回路の上方面
上に、そして第３の器具は回路の下方面上にある。
付け機械内ではんだ付けされることを意図する電子回路
は、ここではトンネルタイプである被覆構造内で、励起
又は不安定気体種を生成させるための３つの直列の器具
と順番に遭遇する。これら器具の２つは、回路の上方面
上に、そして第３の器具は回路の下方面上にある。
【００８２】図３に概略的に示される装置は、本発明の
フラックス処理のための装置であり、フラックス処理
は、例えば流動はんだ付け操作であり得るところのその
後の操作の前に行われるものである。ここでは、はんだ
付けされるべき各々の回路は、４２の方向に沿ってトン
ネル３２の内部を運搬される。回路を把持するためのシ
ステム（例えばトンネルのいずれかの側で回路を把持す
るフィンガーを有する２つの鎖を包含するタイプ）は、
明確化のために図示されていないが、そのような運搬シ
ステムは、流動はんだ付け機の技術の専門家に広く知ら
れている。
フラックス処理のための装置であり、フラックス処理
は、例えば流動はんだ付け操作であり得るところのその
後の操作の前に行われるものである。ここでは、はんだ
付けされるべき各々の回路は、４２の方向に沿ってトン
ネル３２の内部を運搬される。回路を把持するためのシ
ステム（例えばトンネルのいずれかの側で回路を把持す
るフィンガーを有する２つの鎖を包含するタイプ）は、
明確化のために図示されていないが、そのような運搬シ
ステムは、流動はんだ付け機の技術の専門家に広く知ら
れている。
【００８３】次いで、回路は、励起又は不安定気体種を
生成させるための３つの器具３３、３４及び３５（これ
らの中で、開始タイプの気体混合物３６、３７及び３８
がそれぞれ処理される）の気体出口に、より詳しくは、
それら器具から生じる主要混合物３９、４１及び４０に
順番に遭遇する。主要混合物３９及び４０は、より具体
的には回路の上方面を処理する一方で、主要気体４１
は、より具体的にはこの回路の下方面を処理する。
生成させるための３つの器具３３、３４及び３５（これ
らの中で、開始タイプの気体混合物３６、３７及び３８
がそれぞれ処理される）の気体出口に、より詳しくは、
それら器具から生じる主要混合物３９、４１及び４０に
順番に遭遇する。主要混合物３９及び４０は、より具体
的には回路の上方面を処理する一方で、主要気体４１
は、より具体的にはこの回路の下方面を処理する。
【００８４】いずれもの流動はんだ付け機械と独立して
図３の装置を説明したが、上で広く説明したように、こ
の装置の無数の配置の可能性を考えることができる。
図３の装置を説明したが、上で広く説明したように、こ
の装置の無数の配置の可能性を考えることができる。
【００８５】すなわち、例えば、この装置の出口、及び
この装置が包含するトンネル構造体３２の出口におい
て、回路は流動はんだ付け機に入り（４３で参照される
方向）、もし適切ならば、回路は、トンネルの出口とは
んだ付け機の入口との間は保護雰囲気下に維持され、又
は本発明のフラックス処理、並びにはんだ付け及びスズ
めっき操作は、同じトンネル構造３２内で行われる。
（はんだバットは、フラックス処理の下流、すなわち最
後に遭遇する器具３４の下流に配置される。）この場
合、はんだ付け機の入口の方向は、４４により参照さ
れ、はんだ浴の位置の方向は、４３により参照される。
この装置が包含するトンネル構造体３２の出口におい
て、回路は流動はんだ付け機に入り（４３で参照される
方向）、もし適切ならば、回路は、トンネルの出口とは
んだ付け機の入口との間は保護雰囲気下に維持され、又
は本発明のフラックス処理、並びにはんだ付け及びスズ
めっき操作は、同じトンネル構造３２内で行われる。
（はんだバットは、フラックス処理の下流、すなわち最
後に遭遇する器具３４の下流に配置される。）この場
合、はんだ付け機の入口の方向は、４４により参照さ
れ、はんだ浴の位置の方向は、４３により参照される。
【００８６】上で詳細に説明したように、励起又は不安
定気体種を生成させるための３つの器具３３、３４及び
３５を組込むトンネル部分から構成されるアセンブリＡ
は、必然的にはんだ浴の上流に配置されるが、場合に応
じて、回路予備加熱工程の上流又は下流に配置され得
る。
定気体種を生成させるための３つの器具３３、３４及び
３５を組込むトンネル部分から構成されるアセンブリＡ
は、必然的にはんだ浴の上流に配置されるが、場合に応
じて、回路予備加熱工程の上流又は下流に配置され得
る。
【００８７】
【実施例】図２に関連して説明したもののような３つの
器具を組入れる、図３に関連して説明したもののような
装置が、以下に詳細に説明される本発明の実施例、さら
には比較例を行うために用いられた。
器具を組入れる、図３に関連して説明したもののような
装置が、以下に詳細に説明される本発明の実施例、さら
には比較例を行うために用いられた。
【００８８】これら例の共通の実施条件は以下のとおり
である。
である。
【００８９】図３の装置は、（化学フラクサー(fluxer)
が除去された）流動はんだ付け機内に組込まれる。はん
だ付け機は、（回路の温度を１５０〜１６０℃のオーダ
に維持する）予備加熱領域と、Ｓｎ６３−Ｐｂ３７はん
だポットとの間のその長さ全体に渡りトンネルを有し、
各々の器具を通過する回路の進行速度は、８ｃｍ／分で
あり、各々の器具は、３ｋＷのオーダの電力を用い、こ
れは３５Ｗ／ｃｍ2 のオーダの出力密度に相当し、３つ
の器具の各々において、各々の器具の反対側の放射管(r
adiation tube)の存在により（従って、各々の器具にお
いて回路は、器具と、図３には示されていない放射管と
の間に「サンドイッチ」される）回路は加熱され（回路
の温度は１５０〜１６０℃のオーダの水準に維持され
る）、フラックスされ、かつ流動はんだ付けされた回路
は、予備すずメッキされたプリント回路（ＰＣＢ）型
の、「表面搭載」及び「電線結束」の２つの分野の部品
を包含する金属被覆孔(metallized hole) を両側に有す
るものであり、各々の例について、特に処理が困難であ
るところの電線により結束された部品上のはんだ付け欠
損(defect)（金属被覆孔内に生じるはんだの欠損）の数
を、各々のはんだ付けされた回路について数えた。すな
わち、各々の例では、１つのボードは「金属被覆孔」型
のはんだ付け位置１００個を含むという事実の認識にお
いて、少なくとも１０枚のはんだ付けされたボードを対
象として、ボード当りに観察された欠損の数の平均を示
した。
が除去された）流動はんだ付け機内に組込まれる。はん
だ付け機は、（回路の温度を１５０〜１６０℃のオーダ
に維持する）予備加熱領域と、Ｓｎ６３−Ｐｂ３７はん
だポットとの間のその長さ全体に渡りトンネルを有し、
各々の器具を通過する回路の進行速度は、８ｃｍ／分で
あり、各々の器具は、３ｋＷのオーダの電力を用い、こ
れは３５Ｗ／ｃｍ2 のオーダの出力密度に相当し、３つ
の器具の各々において、各々の器具の反対側の放射管(r
adiation tube)の存在により（従って、各々の器具にお
いて回路は、器具と、図３には示されていない放射管と
の間に「サンドイッチ」される）回路は加熱され（回路
の温度は１５０〜１６０℃のオーダの水準に維持され
る）、フラックスされ、かつ流動はんだ付けされた回路
は、予備すずメッキされたプリント回路（ＰＣＢ）型
の、「表面搭載」及び「電線結束」の２つの分野の部品
を包含する金属被覆孔(metallized hole) を両側に有す
るものであり、各々の例について、特に処理が困難であ
るところの電線により結束された部品上のはんだ付け欠
損(defect)（金属被覆孔内に生じるはんだの欠損）の数
を、各々のはんだ付けされた回路について数えた。すな
わち、各々の例では、１つのボードは「金属被覆孔」型
のはんだ付け位置１００個を含むという事実の認識にお
いて、少なくとも１０枚のはんだ付けされたボードを対
象として、ボード当りに観察された欠損の数の平均を示
した。
【００９０】第１の実施例において、操作条件及び得ら
れた結果は以下のとおりである。
れた結果は以下のとおりである。
【００９１】 第１及び第２の器具内で転換された開始混合物：４％の
水素を包含するＮ2 ／Ｈ2 混合物、１７ｍ3 ／時間、 第３の器具（３４）内で転換された開始混合物：４％水
素及び１０００ｐｐｍのＨ2 Ｏを包含するＮ2 ／Ｈ2 ／
Ｈ2 Ｏ混合物、１７ｍ3 ／時間、並びに 平均欠損率：＜１０％ 第２の操作条件の例に対して得られた結果は、次のとお
りである。
水素を包含するＮ2 ／Ｈ2 混合物、１７ｍ3 ／時間、 第３の器具（３４）内で転換された開始混合物：４％水
素及び１０００ｐｐｍのＨ2 Ｏを包含するＮ2 ／Ｈ2 ／
Ｈ2 Ｏ混合物、１７ｍ3 ／時間、並びに 平均欠損率：＜１０％ 第２の操作条件の例に対して得られた結果は、次のとお
りである。
【００９２】 ３つの器具各々内で転換された開始混合物：４％水素を
含有するＮ2 ／Ｈ2 混合物、１７ｍ3 ／時間 平均欠損率：約４０％ 第３の操作条件の例に対して得られた結果は、次のとお
りである。
含有するＮ2 ／Ｈ2 混合物、１７ｍ3 ／時間 平均欠損率：約４０％ 第３の操作条件の例に対して得られた結果は、次のとお
りである。
【００９３】 第１及び第２の器具内で転換された開始混合物：４％の
水素を包含するＮ2 ／Ｈ2 混合物、１７ｍ3 ／時間 第３の器具（３４）内で転換された開始混合物：４％水
素及び６０００ｐｐｍのＨ2 Ｏを包含するＮ2 ／Ｈ2 ／
Ｈ2 Ｏ混合物、１７ｍ3 ／時間、並びに 平均欠損率：約６５％ 第４の操作条件の例に対して得られた結果は、次のとお
りである。
水素を包含するＮ2 ／Ｈ2 混合物、１７ｍ3 ／時間 第３の器具（３４）内で転換された開始混合物：４％水
素及び６０００ｐｐｍのＨ2 Ｏを包含するＮ2 ／Ｈ2 ／
Ｈ2 Ｏ混合物、１７ｍ3 ／時間、並びに 平均欠損率：約６５％ 第４の操作条件の例に対して得られた結果は、次のとお
りである。
【００９４】 第１及び第２の器具内で転換された開始混合物：４％の
水素を包含するＮ2 ／Ｈ2 混合物、１７ｍ3 ／時間、 第３の器具（３４）内で転換された開始混合物：４００
ｐｐｍのＨ2 Ｏを包含するＮ2 ／Ｈ2 Ｏ混合物、１７ｍ
3 ／時間、 平均欠損率：１００％に近い。
水素を包含するＮ2 ／Ｈ2 混合物、１７ｍ3 ／時間、 第３の器具（３４）内で転換された開始混合物：４００
ｐｐｍのＨ2 Ｏを包含するＮ2 ／Ｈ2 Ｏ混合物、１７ｍ
3 ／時間、 平均欠損率：１００％に近い。
【００９５】上述の結果は、器具の１つ内で処理された
開始混合物中に水蒸気が存在すると、はんだ付けが最も
困難な回路（電線により結束される部品、金属被覆孔）
の位置において、極めて十分な改良が観察されたことを
示すものである。
開始混合物中に水蒸気が存在すると、はんだ付けが最も
困難な回路（電線により結束される部品、金属被覆孔）
の位置において、極めて十分な改良が観察されたことを
示すものである。
【００９６】先に述べたように、開始気体混合物の水蒸
気含有量は、各々の場合に適応するべきであり、特に、
開始気体混合物のその他の含有量に（ここでは、採用し
た水素含有量に）、また処理されるべき物体にも（ここ
では、製造されるべきはんだ付け接合部の複雑さ、及び
電子回路に用いられた仕上げに）適応すべきである。
気含有量は、各々の場合に適応するべきであり、特に、
開始気体混合物のその他の含有量に（ここでは、採用し
た水素含有量に）、また処理されるべき物体にも（ここ
では、製造されるべきはんだ付け接合部の複雑さ、及び
電子回路に用いられた仕上げに）適応すべきである。
【００９７】具体的には、用いられる全ての条件を考慮
すると、この場合は、開始気体混合物の水蒸気含有量を
１０００ｐｐｍ付近に、すなわち５００ｐｐｍ〜５００
０ｐｐｍの範囲内にすることが有利なようである。
すると、この場合は、開始気体混合物の水蒸気含有量を
１０００ｐｐｍ付近に、すなわち５００ｐｐｍ〜５００
０ｐｐｍの範囲内にすることが有利なようである。
【００９８】提案された場合に対して、開始気体混合物
中に数％の水素の存在を確保することが好ましく、４％
が経済的及び安全性の観点の両者から受入れられ得る極
めて合理的な濃度であることも観察された。
中に数％の水素の存在を確保することが好ましく、４％
が経済的及び安全性の観点の両者から受入れられ得る極
めて合理的な濃度であることも観察された。
【００９９】これと同じ回路についての比較試験により
（全ての他の条件は一定に保たれた）、水素含有量の上
昇（例えば２０％）は、結果を有為に向上させないこと
を例証することができた。
（全ての他の条件は一定に保たれた）、水素含有量の上
昇（例えば２０％）は、結果を有為に向上させないこと
を例証することができた。
【０１００】本発明を特定の態様を参照してして説明し
てきたが、決してそれにより限定されるものではなく、
反対に前記の請求の範囲の文脈において当業者にとって
明かであろう修飾及び変形を受け得るものである。
てきたが、決してそれにより限定されるものではなく、
反対に前記の請求の範囲の文脈において当業者にとって
明かであろう修飾及び変形を受け得るものである。
【図１】本発明の方法を実施するために好適な装置の概
略図である。
略図である。
【図２】本発明の方法を実施するために好適な、励起又
は不安定気体種を生成させるための器具の例の断面を概
略的に表すものである。
は不安定気体種を生成させるための器具の例の断面を概
略的に表すものである。
【図３】本発明の方法を実施するために好適な、別の装
置の概略図である。
置の概略図である。
１…回路、２…通路、３…被覆構造、４…器具、７…開
始気体混合物、８…主要気体混合物、１１…器具
始気体混合物、８…主要気体混合物、１１…器具
フロントページの続き (72)発明者 ステファン・ラビア フランス国、91190 ジフ・シュール・ イベット、アブニュ・デュ・ジェネラ ル・ルクレール 160、レジダンス・デ ュ・パルク・デュ・シャトー・デ・クー ルセル 14 (72)発明者 ニコラス・ポティエ フランス国、75015 パリ、リュ・ロー ザンワル 23 (56)参考文献 特開 平６−115907（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−220169（ＪＰ，Ａ) 国際公開94／22628（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 1/00 - 3/08 B23K 31/02 C23C 2/02 H05K 3/34
Claims (23)
- 【請求項１】 合金を用いてはんだ付け又はスズめっき
を施す前に、物体の少なくとも１つの金属表面を乾燥フ
ラックス処理するための方法であって、 ａ）該器具内で転換した後に、主要気体混合物を該器具
の気体出口において得るために、水素と、水蒸気を含む
酸化気体混合物とを包含する開始気体混合物が、励起又
は不安定気体種を生成させるための少なくとも１つの該
器具を通過し、該開始気体混合物の水蒸気含有量が、５
００ｐｐｍないし５０００ｐｐｍの範囲であり、 ｂ）該フラックス処理されるべき表面が、大気圧に近い
圧力において、前記主要気体混合物から得られるところ
の励起又は不安定気体種を包含しかつ電荷種を実質的に
含まない気体状処理雰囲気で処理されることを特徴とす
る方法。 - 【請求項２】 前記気体状処理雰囲気が、前記主要気体
混合物、及び前記器具を通過しなかった隣接気体混合物
から得られることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記酸化気体混合物が、水蒸気に追加し
て酸素を包含することを特徴とする請求項１又は２に記
載の方法。 - 【請求項４】 前記開始気体混合物が、窒素／水素／水
蒸気混合物からなることを特徴とする請求項１又２に記
載の方法。 - 【請求項５】 前記開始気体混合物が、窒素／水素／水
蒸気／酸素混合物からなることを特徴とする請求項３に
記載の方法。 - 【請求項６】 開始気体混合物の水素含有量が、約１０
００ｐｐｍ〜５０％の範囲、好ましくは約１０％又はそ
れ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れか１項記載の方法。 - 【請求項７】 その後のはんだ付け又はスズめっき操作
を行うために、該処理されるべき物体が、処理中に周囲
の温度と、用いられる合金の融点との間の温度に加熱さ
れることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項
記載の方法。 - 【請求項８】 前記合金の融点が１８０℃付近であり、
該処理されるべき物体が加熱されるところの前記温度が
１６０℃を超えないことを特徴とする請求項７に記載の
方法。 - 【請求項９】 前記処理されるべき金属表面の少なくと
も１つを有する物体が、被覆構造体により境界をつけら
れ、及び周囲の雰囲気から分離されるところの内部空間
内を通過する運搬システムにより、前記器具の気体出口
の前方に位置され、前記構造体は、漏れを防止するよう
に前記器具に連結されるか又は前記器具を包含すること
を特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の
方法。 - 【請求項１０】 前記処理されるべき少なくとも１つの
金属表面を有する物体が、被覆構造体により境界をつけ
られ、及び周囲の雰囲気から分離されるところの内部空
間内を通過する運搬システムにより、物体の幅全体に渡
り平行に配置される複数の器具の気体出口の前方及び／
又は直列に配置される複数の器具の気体出口の前方に順
番に位置され、前記構造体は、漏れを防止するように前
記器具に連結されるか又は前記器具を包含することを特
徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記処理されるべき少なくとも１つの
金属表面を有する物体が、被覆構造体により境界をつけ
られ、及び周囲の雰囲気から分離されるところの内部空
間内を通過する運搬システムにより、物体の幅全体に渡
り平行に配置される複数の器具の気体出口の前方及び／
又は直列に配置される複数の器具の気体出口の前方に順
番に位置され、前記構造体は、漏れを防止するように前
記器具に連結されるか又は前記器具を包含することを特
徴とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記器具の少なくとも１つが、不活性
気体及び／又は還元気体、並びに水蒸気を包含する酸化
気体混合物を包含する開始気体混合物を転換することを
特徴とする請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記１つの器具又は前記器具の少なく
とも１つが、第１の電極と第２の電極との間で生成され
る放電のシートであり、誘電体材料の層が、該第１と第
２の電極の少なくとも１つの電極の表面上に配置され、
他の電極と対面し、及びこの器具内で転換される該開始
気体混合物が、該第１及び第２の電極に対して横方向に
放電を通過することを特徴とする請求項９又は１０に記
載の方法。 - 【請求項１４】 前記器具内で用いる電力が、誘電体の
単位表面積に標準化して、１Ｗ／ｃｍ2又はそれ以上、
好ましくは１０Ｗ／ｃｍ2又はそれ以上であることを特
徴とする請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 該処理されるべき物体と該コンベヤー
に沿って順番に遭遇する処理雰囲気が、励起又は不安定
気体種を生成させるための該器具の少なくとも１つが、
当該構造体内においてそれよりも先行する器具により転
換される開始気体混合物とは異なる開始気体混合物を転
換するように区分けされることを特徴とする請求項１０
に記載の方法。 - 【請求項１６】 該コンベヤーに沿って、該処理される
べき物体と順番に遭遇する処理雰囲気が、 ａ）励起又は不安定気体種を生成させるための少なくと
も１つの該器具が、当該構造体内においてそれよりも先
行する器具により転換される開始気体混合物とは異なる
開始気体混合物を転換するように、及び／又は ｂ）励起又は不安定気体種を生成させるための少なくと
も１つの該器具の内で用いられる隣接気体混合物が、当
該構造体内においてそれよりも先行する器具内で用いら
れる隣接気体混合物と異なるように区分されることを特
徴とする請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１７】 工程ａ）及びｂ）が、１つの同じ器具
内で行われることを特徴とする請求項１６に記載の方
法。 - 【請求項１８】 該物体が前記構造体から出て、次い
で、前記はんだ付け又はスズめっき操作が行われる機械
内に入り、該物体は、もし適切ならば、前記構造体の出
口と前記機械の入口との間の保護雰囲気下に維持される
ことを特徴とする請求項９ないし１６のいずれか１項に
記載の方法。 - 【請求項１９】 前記はんだ付け又はスズめっき操作
が、前記１つの器具の下流又は前記複数の器具の下流に
おいて、前記同じ構造体内で行われることを特徴とする
請求項９ないし１６のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２０】 該処理されるべき金属表面を有する物
体が電子回路であり、該その後のはんだ付け又はスズめ
っき操作を、該回路を液体はんだ合金の少なくとも１つ
の流動波と接触に供することにより流動モードで行い、
該回路の各々の面が、前記運搬システムにより励起又は
不安定気体種を生成させるための前記器具の少なくとも
１つの気体出口の前方に位置されることを特徴とする請
求項１８又は１９に記載の方法。 - 【請求項２１】 前記単数又は複数のはんだ流動波との
接触の下流において、該回路の少なくとも１つの面が、
励起又は不安定気体種を生成させるための少なくとも１
つの下流器具の気体出口の前方に位置されるものであ
り、励起又は不安定気体種を包含しかつ電荷種を実質的
に包含しない下流主要気体混合物を該器具の気体出口に
おいて得るために、不活性気体及び／又は還元気体及び
／又は酸化気体を包含する下流開始気体混合物が該下流
器具を通過することを特徴とする請求項２０に記載の方
法。 - 【請求項２２】 前記単数又は複数のはんだ流動波と接
触する全ての間又は一部分の間に、該回路の少なくとも
１つの面が、励起又は不安定気体種を生成させるための
少なくとも１つの追加の器具の気体排出と接触するもの
であり、励起又は不安定気体種を包含しかつ電荷種を実
質的に包含しない追加の主要気体混合物を器具の気体出
口において得るために、不活性気体及び／又は還元気体
及び／又は酸化気体を包含する追加の開始気体混合物が
該追加の器具を通過することを特徴とする請求項１９又
は２０に記載の方法。 - 【請求項２３】 構造体の入口における回路の到着を検
知するための手段が、前記構造体の上流又は前記構造体
の入り口に配置されることを特徴とし、並びに使用者に
よる故意の動作の結果として、又は所与の期間中に前記
構造体の入り口において検知される回路がないために次
の手段前記器具のそれぞれへの主要気体混合物の供給を
停止する手段、 当該器具内で循環する主要気体混合物の低減された流量
を各々の器具内で維持する手段、 当該器具内を循環する主要気体混合物の代わりに、代用
主要気体混合物に各々の器具を通過させる手段、 前記器具の少なくとも１つにおいて用いられる隣接気体
混合物の供給を停止する手段、並びに各々の器具をその
中で用いられる出力密度がわずか数Ｗ／ｃｍ2である代
用状態に配置する手段の少なくとも１つを開始すること
を特徴とする請求項１９ないし２１のいずれか１項に記
載の方法。
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