JPH088201B2

JPH088201B2 - Ｌｃ複合部品

Info

Publication number: JPH088201B2
Application number: JP21959087A
Authority: JP
Inventors: 洋一神奈川; 秀雄渡辺; 孝志鈴木; 武史野村
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1987-09-02
Filing date: 1987-09-02
Publication date: 1996-01-29
Anticipated expiration: 2011-01-29
Also published as: JPS6461905A

Description

【発明の詳細な説明】Ｉ発明の背景技術分野本発明は、一つのチップ内にコンデンサ部およびイン
ダクタ部をもつセラミックLC複合部品に関する。

先行技術とその問題点テレビ、VTRあるいはラジオの入力用等各種高周波回
路等において広くフィルターとしてLC回路が用いられて
いる。

LC回路としては、コンパクト化できることおよび製品
の堅牢性、信頼性等の点から、それぞれ厚膜技術によっ
て形成されるインダクタ部とコンデンサ部とを同一チッ
プ内に有するセラミックLC複合部品を用いると有利であ
る。

しかし、インダクタ部を構成するフェライト等のセラ
ミック磁性材料とコンデンサ部を構成するBaTiO₃、TiO₂
等のセラミック誘電体との線膨張率の差が大きく、両材
料のペーストを積層して同時焼成しようとすると、焼成
後冷却する際に、両部の界面にクラックが生じ、また両
部の収縮率差によって、焼成時にそりや界面での剥離等
が生じるため、不良品が多発するという問題がある。

このため、従来は非磁性フェライト等の介在層をイン
ダクタ部とコンデンサ部との間に設けて、クラック等の
発生を防止しているが、このときには工程増を招くとい
う欠点がある。

II 発明の目的本発明の目的は、焼成時、コンデンサ、インダクタ両
部の界面に、そり、剥離あるいはクラック等が生じるこ
とがなく、両部間に介在層を必要とせず、しかも機械的
強度の高いLC複合部品を提供することにある。

III 発明の開示このような目的は下記の本発明によって達成される。

すなわち、第１の発明は、セラミック誘電体を含有するセラミック誘電体層と電
極層とを積層したコンデンサ部と、フェライトを含有す
るセラミック磁性層と電極層とを積層したインダクタ部
とを一体化したセラミックLC複合部品において、セラミック誘電体層および／またはセラミック磁性層
にアルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラス
を含有させて、セラミック誘電体層とセラミック磁性層
との線膨張率を近似させたことを特徴とするLC複合部品
である。

また、第２の発明は、セラミック誘電体を含有するセラミック誘電体層と電
極層とを積層したコンデンサ部と、フェライトを含有す
るセラミック磁性層と電極層とを積層したインダクタ部
とを一体化したセラミックLC複合部品において、セラミック誘電体層およびセラミック磁性層の一方に
アルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸カラスを
含有させ、他方にアルカリ土類金属酸化物を含有しない
ホウケイ酸ガラスを含有させて、セラミック誘電体層と
セラミック磁性層との線膨張率を近似させたことを特徴
とするLC複合部品である。

なお、特開昭58−135133および同58−135177号公報に
は、インダクタ材料にガラスを添加したチップインダク
タが開示されている。

しかし、これらの場合、ガラスの添加はインダクタの
収縮率を下げ、焼成後の寸法安定性を高めるためであ
り、本発明のように、LC複合部品において、コンデンサ
部とインダクタ部との線膨張率をほぼ一致させて、両部
間のそり、剥離あるいはクラックを防ぐことを目的とす
るものではない。このため、これら公報に記載のインダ
クタ材料を用いてLC複合部品を作製しても、コンデンサ
部の線膨張率をほぼ一致させることはできない。

IV 発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

第１図にLC複合部品の実施例を示す。

本発明のLC複合部品１は、インダクタ部２とコンデン
サ部３とを一体化したものである。

インダクタ部２は、所定のパターンに形成した内部導
体25を介在させながら、セラミック磁性層21を積層した
ものである。また、このインダクタ部２に積層一体化さ
れるコンデンサ部３は、内部電極35を介してセラミック
誘電体層31を積層したものである。

第１図に示される例では、インダクタ部２およびコン
デンサ部３はそれぞれ複数のＬおよびＣを有し、これら
から所定のLC回路が構成されるように所定の外部電極４
を設けている。

第１の発明のLC複合部品１は、コンデンサ部３のセラ
ミック誘電体層31および／またはインダクタ部２のセラ
ミック磁性層21にアルカリ土類金属酸化物を含有するホ
ウケイ酸ガラスを添加し、その含有量を調節することに
よって、インダクタ部２の線膨張率とコンデンサ部３の
線膨張率とを近似させ、また、両部の収縮率を近似さ
せ、焼成辞のインダクタ、コンデンサ両部界面でのそ
り、剥離あるいはクラックの発生を回避するものであ
る。

また、第２の発明のLC複合部品１は、コンデンサ部３
のセラミック誘電体層31およびインダクタ部２のセラミ
ック磁性層21のいずれか一方にアルカリ土類金属酸化物
を含有するホウケイ酸ガラスを添加し、他方にアルカリ
土類金属酸化物を含有しないホウケイ酸ガラスを添加
し、それぞれホウケイ酸ガラスの含有量を調節すること
によって、インダクタ部２の線膨張率とコンデンサ部３
の線膨張率とを近似させ、また、両部の収縮率を近似さ
せ、上記と同様な効果を実現するものである。

なお、第１の発明においてセラミック誘電体層31およ
びセラミック磁性層21の双方にアルカリ土類金属酸化物
を含有するホウケイ酸ガラスを添加する場合、ならびに
第２の発明においては、LC複合部品を構成するコンデン
サ部３およびインダクタ部２双方の線膨張率を変化させ
ることができるので、LC複合部品とこれを実装する基板
との線膨張率を近似させることもできる。

本発明において良好な結果を得るためには、インダク
タ部とコンデンサ部との線膨張率の差を、好ましくは10
×10^-7deg^-1以下、より好ましくは５×10^-7deg^-1以下と
することが好ましい。

セラミック誘電体層31を構成するセラミック誘電体お
よびセラミック磁性層21を構成するフェライトにアルカ
リ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを添加す
ると、コンデンサ部およびインダクタ部の線膨張率は増
加する。

また、セラミック誘電体およびフェライトにアルカリ
土類金属酸化物を含有しないホウケイ酸ガラスを添加す
ると、コンデンサ部およびインダクタ部の線膨張率は減
少する。

これらの場合、この線膨張率はそれぞれのホウケイ酸
ガラスの含有量に比例して増加あるいは減少する。

アルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラス
としては、アルカリ土類金属（M²）の酸化物（通常M
²O）を含有するホウケイ酸ガラスであれば特に制限はな
いが、特にBa、MgおよびZnの少なくとも１種以上を含有
するホウケイ酸ガラスが好ましい。

アルカリ土類金属酸化物の含有量は、40〜70wt％、よ
り好ましくは50〜65wt％であることが好ましい。

これが40wt％未満であると線膨張率の増大が不十分で
あり、70wt％を超えると難焼結性となる。

また、酸化ケイ素（通常SiO₂）の含有量は15〜30wt
％、より好ましくは20〜25wt％であることが好ましく、
酸化ホウ素（通常B₂O₃）の含有量は５〜20wt％、より好
ましくは10〜20wt％であることが好ましい。

このような範囲を外れると、高軟化点化ガラスとな
り、難焼結性となる。

また、このような組成であれば、内部導体および内部
電極に対する悪影響がなく、これらの特性が劣化するこ
ともない。

さらに、このようなホウケイ酸ガラスには、Ｋ、Na、
Li等の１価の金属M¹の酸化物（通常M¹ ₂O）の１種以上が
含有されることが好ましく、特にＫ（通常K₂O）を含む
ことが好ましい。

M¹ ₂Oの含有量は、0.5〜5.0wt％であることが好まし
い。

この範囲を外れると、内部導体あるいは内部電極の特
性劣化が生じ易くなる。

また、これらの他、Al₂O₃が1wt％以下含有されていて
もよい。

このようなアルカリ土類金属酸化物を含有するホウケ
イ酸ガラスの線膨張率は、通常、120×10^-7〜140×10^-7
deg^-1程度である。

アルアリ土類金属酸化物を含有しないホウケイ酸ガラ
スとしては、通常のホウケイ酸ガラスの他、アルミナホ
ウケイ酸ガラス、アルカリホウケイ酸ガラス等種々のも
のが使用可能である。

これらのうち、75〜90wt％、より好ましくは80〜84wt
％の酸化ケイ素（通常SiO₂）と、８〜20wt％、より好ま
しくは14〜18wt％の酸化ホウ素（通常B₂O₃）を含有する
ものが好ましい。この場合、上記の量範囲に対し酸化ケ
イ素が過剰となり酸化ホウ素が過小となると、焼結性の
低下により焼結密度が低くなる。また、酸化ケイ素が過
小となり酸化ホウ素が過剰となると線膨張率が過大とな
る。

さらに、このような組成では内部導体および内部電極
に対する悪影響がなく、内部導体および内部電極の特性
劣化が少ない。

この他、ホウケイ酸ガラス中には、5wt％以下の酸化
アルミニウム（通常Al₂O₃）、5wt％以下のＫ、Na、Li等
の１価の金属M¹の酸化物（通常M¹ ₂O）の１種以上を含有
してもよい。

このようなアルカリ土類金属酸化物を含有しないホウ
ケイ酸ガラスは、通常15×10^-7〜50×10^-7deg^-1の線膨
張率をもつものである。

コンデンサ部３のセラミック誘電体層31を構成するセ
ラミック誘電体材質としては種々の誘電材料を用いてよ
い。

セラミック誘電体の線膨張率がセラミック磁性層を構
成するフェライトのそれよりも小さい場合、セラミック
誘電体にアルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸
ガラスを添加してセラミック誘電体層の線膨張率を増加
させて双方の線膨張率を近似させるか、さらに、フェラ
イトにアルカリ土類金属酸化物を含有しないホウケイ酸
ガラスを添加して、セラミック誘電体層の線膨張率を増
加させると共にセラミック磁性層の線膨張率を減少させ
て、双方の線膨張率を近似させればよい。

このようなセラミック誘電体としては、TiO₂を主成分
とするTiO₂系を好ましく用いることができる。

TiO₂系としてはNiO、CuO、Mn₃O₄、Al₂O₃、MgO、SiO₂
等を、総計10mol％程度以下含有するものが、誘電体損
失および線膨張率の変化等の点で好ましい。

なお、TiO₂系の誘電体操31の線膨張率は75×10^-7〜85
×10^-7deg^-1、収縮率は15〜18％程度である。

フェライトの線膨張率がセラミック誘電体層を構成す
るセラミック誘電体のそれよりも小さい場合、フェライ
トにアルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラ
スを添加して線膨張率を増加させ双方の線膨張率を近似
させるか、さらに、セラミック誘電体にアルカリ土類金
属酸化物を含有しないホウケイ酸ガラスを添加して、セ
ラミック磁性層の線膨張率を増加させると共にセラミッ
ク誘電体層の線膨張率を減少させて、双方の線膨張率を
近似させればよい。

このような誘電体としては、チタン酸複合酸化物系が
好ましい。

チタン酸複合酸化物系としては、BaTiO₃、SiTiO₃、Ca
TiO₃、MgTiO₃等、あるいはこれらとTiO₂との混合物が好
ましい。

なお、チタン酸複合酸化物系の誘電体層31の線膨張率
は90×10^-7〜130×10^-7deg^-1、収縮率は10〜20％程度で
ある。

セラミック誘電体およびフェライトの双方にアルカリ
土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを添加して
双方の線膨張率を増加させる場合、用いることのできる
セラミック誘電体に特に制限はなく、例えば、上記のチ
タン酸複合酸化物系、TiO₂を主成分とすつTiO₂系のいず
れをも用いることができる。

一方、磁性層21を構成するフェライトは公知のソフト
スピネルフェライトのいずれであってもよいが、一般
に、Ni、Cu、Mn、Zn、Feのうちの１種以上を含有するも
のが、低温焼成可能なものとして好適に使用される。こ
のうち、特に高周波用に有効である点では、Niフェライ
ト、Ni−Cuフェライト、Ni−Znフェライト、Ni−Cu−Zn
フェライト等のNi系フェライトが好適である。

Ni系フェライトの場合、Niの含有量は、NiOに換算し
て45〜55mol％が好ましく、このNiの一部をCuおよび／
またはZnが40mol％程度以下置換してもよい。

この他、Co、Mn等が全体の5wt％程度以下含有されて
いてもよい。さらに、Ca、Si、Bi、Ｖ、Pb等が1wt％程
度以下含有されていてもよい。

このような特に、Ni系のフェライト線膨張率は一般に
90×10^-7〜115×10^-7deg^-1である。

そして、第１の発明においては、これらのセラミック
誘電体およびフェライトがそれぞれ含有されるセラミッ
ク誘電体層およびセラミック磁性層中の前記のアルカリ
土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスの含有率
は、５〜90wt％であることが好ましい。

このような範囲内であるば、セラミック誘電体層およ
びセラミック磁性層の線膨張率および収縮率を近似させ
ることができる。

さらに詳述するならば、セラミック誘電体の線膨張率
がフェライトの線膨張率よりも小さい場合、セラミック
誘電体層はアルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ
酸ガラスを10〜90wt％、より好ましくは20〜60wt％、さ
らに好ましくは20〜50wt％含有することが好ましい。こ
れによりセラミック誘電体層の線膨張率は90×10^-7〜12
0×10^-7deg^-1程度となり、インダクタ部のフェライト製
のセラミック磁性層と線膨張率が近似する。

また、収縮率は15〜20％程度であり、この値もフェラ
イト製のセラミック磁性層のそれと近似させることがで
きる。

また、フェライトの線膨張率がセラミック誘電体の線
膨張率よりも小さい場合、セラミック磁性層はアルカリ
土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを10〜90wt
％、より好ましくは20〜75wt％、さらに好ましくは20〜
50wt％含有することが好ましい。これによりセラミック
磁性層の線膨張率は100×10^-7〜130×10^-7deg^-1程度と
なり、コンデンサ部のセラミック誘電体層と線膨張率が
近似する。

また、収縮率は15〜20％程度であり、この値もセラミ
ック誘電体層のそれと近似させることができる。

さらに、セラミック誘電体層およびセラミック磁性層
の双方にアルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸
ガラスを含有させる場合、セラミック誘電体層はアルカ
リ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを10〜90
wt％、より好ましくは20〜50wt％、また、セラミック磁
性層はアルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガ
ラスを10×90wt％、より好ましくは20×50wt％含有する
ことが好ましい。

これによりセラミック誘電体層およびセラミック磁性
層の線膨張率は共に85×10^-7〜120×10^-7deg^-1程度とな
り、両者の線膨張率を近似させることができる。

また、収縮率はセラミック誘電体層およびセラミック
磁性層共に15〜20％程度となり、この値も近似させるこ
とができる。

第２の発明では、セラミック誘電体層およびセラミッ
ク磁性層のいずれか一方が、アルカリ土類金属酸化物を
含有するホウケイ酸ガラスを10〜90wt％、また、他方が
アルカリ土類金属酸化物を含有しないホウケイ酸ガラス
を10〜50wt％含有することが好ましい。

さらに詳述するならば、フェライトの線膨張率がセラ
ミック誘電体のそれよりも小さい場合、セラミック磁性
層はアルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラ
スを10〜90wt％、より好ましくは20〜50wt％、セラミッ
ク誘電体層はアルカリ土類金属酸化物を含有しないホウ
ケイ酸ガラスを10〜50wt％、より好ましくは10〜40wt％
含有することが好ましい。

また、セラミック誘電体の線膨張率がフェライトのそ
れよりも小さい場合、セラミック誘電体層はアルカリ土
類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを10〜70wt
％、より好ましくは20〜50wt％、セラミック磁性層は、
アルカリ土類金属酸化物を含有しないホウケイ酸ガラス
を10〜40wt％、より好ましくは10〜30wt％含有すること
が好ましい。

これによりセラミック誘電体層およびセラミック磁性
層の線膨張率は共に80×10^-7〜130×10^-7deg^-1程度とな
り、両者の線膨張率を近似させることができる。

この場合、それぞれのホウケイ酸ガラスの添加量は、
上記範囲未満では実効がなく、上記範囲を超えると線膨
張率および収縮率の適正な値が得られない他、セラミッ
ク誘電体層では誘電率が低くなりすぎ、セラミック磁性
層では透磁率が低くなりすぎる等の不都合が生じる。

なお、第１および第２の発明の上記各場合において、
セラミック磁性層21に酸化ホウ素（通常B₂O₃）が添加さ
れることが好ましい。

また、第１の発明においてセラミック誘電体層にホウ
ケイ酸ガラスが含有される場合および第２の発明におい
ては、セラミック誘電体層に酸化ホウ素が添加されるこ
とが好ましい。

これにより焼結性が向上し、機械的強度が向上する。

酸化ホウ素の添加量は、10wt％以下、特に0.1〜10wt
％、より好ましくは0.5〜10wt％であることが好まし
い。

これは酸化ホウ素の添加量が10wt％をこえると耐湿性
の点で不十分となり、保存性、耐久性に欠けるからであ
る。

なお、セラミック磁性層21の積層数は目的に応じて選
定すればよいが、通常は、30〜50層とする。一層当りの
厚さも目的に応じ適当に選定すればよいが、通常は30〜
50μｍ程度とする。また、内部導体25は例えばAg、Ag−
Pd等の金属から形成し、通常その厚さは10〜25μｍ程度
とする。

コンデンサ部３の誘電体層31の積層数は目的に応じて
定めればよいが、通常は１〜10層程度とする。一層当り
の厚さは通常50〜150μｍ程度とする。また、コンデン
サ部３の内部電極35は、Ag、Ag−Pd等の金属から形成す
ればよく、その厚さは、通常５〜15μｍ程度とする。

外部電極４は、同様にAg、Ag−Pd等の金属から形成す
ることができ、その厚さは通常50〜500μｍ程度とす
る。

本発明のLC複合部品は、従来公知の印刷法によって製
造される。

すなわち、セラミック磁性層、セラミック誘電体層お
よび内部電極、導体のペーストを用意し、これらを印刷
法により例えばPET等の基板上に一層ごとに積層してい
くものである。

セラミック磁性層ペーストは、例えば次のようにして
作製すればよい。

セラミック磁性層にはホウケイ酸ガラスが含有される
場合、所定量のNiO、ZnO、CuO、Fe₂O₃等のフェライト原
料粉末と前記のホウケイ酸ガラスの所定量とをボールミ
ル等により湿式混合する。

こうして湿式混合したものを、通常スプレードライヤ
ーにより乾燥し、その後仮焼する。

これを通常は、ボールミルで粉体粒径0.01〜0.1μｍ
程度の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードライヤー
により乾燥する。

セラミック磁性層に酸化ホウ素が含有される場合、得
られた混合フェライト粉末に酸化ホウ素粉末を加え、こ
れをエチルセルロース等のバインダーとテルピオネー
ル、ブチルカルビトール等の溶剤中に混合してペースト
とする。

なお、前記ではガラスとフェライト原料との混合フェ
ライト粉末を用いてペースト化し、これに酸化ホウ素粉
末を加えたものを焼成することによってスピネルフェラ
イトとガラスとの混合層を得ているが、ガラス粉末およ
び酸化ホウ素粉末を別途ペースト化する際に添加しても
よい。

また、用いる各粉末の粒径は0.1〜10μｍ程度とす
る。

コンデンサ部３のセラミック誘電体層31も、セラミッ
ク磁性層21と同様にして形成すればよい。この場合に
は、通常、上記の同等の粒径のチタン酸複合酸化物ある
いは酸化チタン粉末を用いてペースト化する。

また、内部電極35、インダクタ部２の内部導体25およ
び外部電極４のペーストも同種のバインダー、溶剤を用
いて作製すればよい。

これら各ペーストを用い、印刷法によりコンデンサ
部、インダクタ部とを積層して形成した後、所定形状に
切断し基板から積層品を剥離して950℃以下、例えば850
〜930℃で焼成する。焼成時間は0.5〜４時間とする。

焼成後、Agペーストを焼きつけて外部電極とする。

なお、このようにして製造されるLC複合部品の大きさ
等は、目的に応じ選定すればよい。

Ｖ発明の具体的作用効果本発明のLC複合部品は、インダクタ部とコンデンサ部
との線膨張率をほぼ等しくできる。

しかも、焼成による両者の収縮率をほぼ等しくでき
る。

このため、焼成時に、そり、剥離が発生することはな
く、また、冷却時に両部界面にクラックが発生すること
もない。

そして、焼結性、焼結密度が向上し機械的強度が向上
する。

また、セラミック誘電体層に添加したホウケイ酸ガラ
スは、焼結性を増し、機械的強度を増し、線膨張率を低
下させる。

である。

さらに、セラミック磁性層に添加したホウケイ酸ガラ
スおよび必要に応じて添加される酸化ホウ素は、磁気的
にはギャップとして働き、透磁率を下げ、インダクタの
使用可能領域を高周波側に拡大し、従って本発明のLC複
合部品は従来のものに比較しより高い周波数まで使用可
能となる。

さらに、内部導体および内部電極に体する悪影響もな
い。

従って、テレビの入力回路等各種フィルター等に有用
なLC複合部品が実現する。

VI 発明の具体的実施例以下、本発明の具体的実施例を挙げて、本発明をさら
に詳細に説明する。

（実施例）［アルカリ土類金属酸化物（M²）を含有するホウケイ酸
ガラスの組成］ SiO₂ 21.0wt％ BaO 30.6wt％ MgO 27.6wt％ B₂O₃ 15.5wt％ ZnO 2.7wt％ SnO₂ 2.6wt％［アルカリ土類金属酸化物（M²）を含有しないホウケイ
酸ガラスの組成］ SiO₂ 82.0wt％ Ba₂O₃ 16.0wt％ Al₂O₃ 0.3wt％ K₂O 1.7wt％（セラミック誘電体層サンプルの作製）チタン酸複合酸化物系として、BaTiO₃を用い、これに
全体の０〜70wt％となるように、アルカリ土類金属を含
有しないホウケイ酸ガラスを添加することによって、LC
複合部品のセラミック誘電体層用ペーストを作製した。

用いたBaTiO₃は、粒径0.1〜1.0μｍ程度であった。

このBaTiO₃と、平均粒径5.0μｍの上記組成のアルカ
リ土類金属酸化物を含有しないホウケイ酸ガラスの粉末
とを、ボールミルを用いて湿式混合した。

次いで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより
乾燥し、800℃にて仮焼し、顆粒とし、これをボールミ
ルにて粉砕したのちスプレードライヤーで乾燥し、平均
粒径0.1μｍの粉体とした。

得られた粉体を、所定量のエチルセルロースとともに
テルピオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合
しコンデンサ部セラミック誘電体層のペーストを作製し
た。

このペーストを印刷法にてPET基板上に印刷積層し、
次いで基板から積層品を剥離して870℃で２時間焼成
し、3.0×3.0×15.0mmの棒状のサンプルを得た（サンプ
ルNo.101〜108）。

さらに、TiO₂系のセラミック誘電体として、TiO₂が91
wt％、NiO、CuO、Mn₃O₄が各3wt％の組成で、平均粒径0.
1〜1.0μｍの粉体を用い、上記のペーストと同様のバイ
ンダーと溶剤を用いて、上記と同組成のアルカリ土類金
属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを０〜90wt％含有
するセラミック誘電体層を作製した（サンプルNo.201〜
210）。

（セラミック磁性層サンプルの作製） Ni系フェライトに全体の０〜90wt％となるようにアル
カリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを添加
することによって、本発明のLC複合部品の磁性層用ペー
ストを作製した。

用いたNi系フェライト原料は、粒径0.1〜1.0μｍ程度
のNiO、CoOおよびFe₂O₃の粉体で、NiO換算で52mol％、F
e₂O₃換算で48mol％であり、これにCoOが0.4wt％含有さ
れる組成となるように配合した。

このフェライト原料と、平均粒径5.0μｍの上記組成
のアルカミ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラス
の粉末とを、ボールミルを用いて湿式混合した。

得られた粉体を所定量のエチルセルロースとともにテ
ルピオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合し
インダクタ部セラミック磁性層のペーストを作製した。

このペーストを印刷法にてPET基板上に印刷し、次い
で基板から積層品を剥離して870℃で２時間焼成し、3.0
×3.0×15.0mmの棒状のサンプルを得た（サンプルNo.30
1〜310）。

また、これらと同様にして、上記組成のアルカリ土類
金属酸化物を含有しないホウケイ酸ガラスを含有するセ
ラミック磁性層サンプルを得た（サンプルNo.312、31
3）。

さらに、上記のホウケイ酸ガラスに加え、B₂O₃2wt％
をセラミック磁性層に添加したサンプルを作製した（サ
ンプルNo.311）。

得られたサンプルの線膨張率および収縮率を下記表１
に示す。なお、表１には、セラミック誘電体層あるいは
セラミック磁性層中に下記の比較ガラスを含有した場合
の結果も併記する。

比較ガラスＩ（サンプルNo.111、211、314） SiO₂ 42.0wt％ PbO 52.5wt％ Al₂O₃ 5.5wt％比較ガラスII（サンプルNo.112、212、315） SiO₂ 38.0wt％ PbO 47.0wt％ B₂O₃ 12.0wt％ Al₂O₃ 3.0wt％表１に示される結果から、セラミック誘電体層および
／またはセラミック磁性層にアルカリ土類金属酸化物を
含有するホウケイ酸ガラスを含有させることにより、セ
ラミック誘電体層とセラミック磁性層との線膨張率およ
び収縮率をほぼ一致させ得ることがわかる。

また、セラミック誘電体層およびセラミック磁性層の
一方にアルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガ
ラスを含有させ、他方にアルカリ土類金属酸化物を含有
しないホウケイ酸ガラスを含有させることによっても、
セラミック誘電体層とセラミック磁性層との線膨張率お
よび収縮率をほぼ一致させ得ることがわかる。

次に、上記のように作製したセラミック誘電体層用ペ
ーストとセラミック磁性層用ペーストを用いて、これら
と内部電極および導体用のAgペーストとを印刷法により
積層した。

なお、セラミック誘電体層用ペーストとセラミック磁
性層用ペーストとの組合せを、上記サンプルNo.にて下
記表２に示す。

インダクタ部一層当りの厚さは40μｍ、積層数は10、
コンデンサ部一層当りの厚さは100μｍ、積層数は２と
した。また、内部電極および導体の厚さは20μｍとし
た。印刷積層後、870℃、２時間、焼成を行なった。

その後、徐冷して４つのＬと３つのＣを有する100MHz
以上のハイパスフィルター回路の4.5mm×3.2mm×1.5mm
のLC複合部品を得た（サンプルNo.1〜６）。

下記表２に、各サンプルのサンプル100個中のそり、
剥離およびクラックの発生個数あるいは導通不良サンプ
ルの発生個数を不良品個数として示す。

なお、サンプルNo.5のセラミック磁性層に酸化ホウ素
を含有したものは、酸化ホウ素以外の組成が同様である
サンプルNo.3のものと比べ、抗折強度が約20％増加し
た。

LC複合部品サンプルNo.1、３、５、６のコンデンサ、
インダクタ両部界面には、そり、剥離あるいはクラック
の発生等は一切認められなかった。また、内部導体の特
性劣化も生じなかった。さらに、サンプルNo.5では、使
用周波帯域が無添加のものに比較して、500MHz程度高周
波側に伸びた。

これに対し、サンプルNo.2、４では、そりや剥離やク
ラックが発生した。

また、上記の誘電体層サンプルNo.111、203、204、20
8のペーストを用いてコンデサ部のみを作製し、これら
について耐圧試験を行なった。

結果を下記表３に示す。

表３に示される結果から、サンプルNo.111では内部電
極がセラミック誘電体と反応し、耐圧特性の劣化が生じ
ていることがわかる。

なお、サンプルNo.112、211、212を用いたコンデンサ
も同様な結果であった。

さらに、磁性層サンプルNo.314、315を用いて作製し
たインダクタでは、内部導体の導通不良が生じた。

以上の結果から、本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例を一部切欠いて示す斜視図で
ある。符号の説明１……LC複合部品、２……インダクタ部、３……コンデンサ部、４……外部電極、 21……セラミック磁性層、 25……内部導体、 31……セラミック誘電体層、 35……内部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック誘電体を含有するセラミック誘
電体層と電極層とを積層したコンデンサ部と、フェライ
トを含有するセラミック磁性層と電極層とを積層したイ
ンダクタ部とを一体化したセラミックLC複合部品におい
て、セラミック誘電体層および／またはセラミック磁性層に
アルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを
含有させて、セラミック誘電体層とセラミック磁性層と
の線膨張率を近似させたことを特徴とするLC複合部品。
【請求項２】セラミック誘電体層および／またはセラミ
ック磁性層中に、アルカリ土類金属酸化物を含有するホ
ウケイ酸ガラスが５〜90wt％含有されるものである特許
請求の範囲第１項に記載のLC複合部品。
【請求項３】セラミック誘電体の線膨張率がフェライト
の線膨張率より小さく、セラミック誘電体層がアルカリ
土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを含有する
ものである特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
LC複合部品。
【請求項４】セラミック誘電体がTiO₂系である特許請求
の範囲第３項に記載のLC複合部品。
【請求項５】フェライトの線膨張率がセラミック誘電体
の線膨張率より小さく、セラミック磁性層がアルカリ土
類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを含有するも
のである特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のLC複
合部品。
【請求項６】セラミック誘電体がチタン酸複合酸化物系
である特許請求の範囲第５項に記載のLC複合部品。
【請求項７】セラミック誘電体層の線膨張率とセラミッ
ク磁性層の線膨張率との差が、10×10^-7deg^-1である特
許請求の範囲第１項ないし第６項にいずれかに記載のLC
複合部品。
【請求項８】コンデンサ部とインダクタ部とが同時焼成
して一体化されている特許請求の範囲第１項ないし第７
項のいずれかに記載のLC複合部品。
【請求項９】セラミック誘電体を含有するセラミック誘
電体層と電極層とを積層したコンデンサ部と、ファライ
トを含有するセラミック磁性層と電極層とを積層したイ
ンダクタ部とを一体化したセラミックLC複合部品におい
て、セラミック誘電体層およびセラミック磁性層の一方にア
ルカリ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを含
有させ、他方にアルカリ土類金属酸化物を含有しないホ
ウケイ酸ガラスを含有させて、セラミック誘電体層とセ
ラミック磁性層との線膨張率を近似させたことを特徴と
するLC複合部品。
【請求項１０】セラミック誘電体層およびセラミック磁
性層の一方に、アルカリ土類金属酸化物を含有するホウ
ケイ酸ガラスが10〜90wt％含有されるものであり、他方
に、アルカリ土類金属酸化物を含有しないホウケイ酸ガ
ラスが10〜50wt％含有されるものである特許請求の範囲
第９項に記載のLC複合部品。
【請求項１１】セラミック誘電体の線膨張率がファライ
トの線膨張率より小さく、セラミック誘電体層がアルカ
リ土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを含有
し、セラミック磁性層がアルカリ土類金属酸化物を含有
しないホウケイ酸ガラスを含有するものである特許請求
の範囲第９項または第10項に記載のLC複合部品。
【請求項１２】セラミック誘電体がTiO₂系である特許請
求の範囲第11項に記載のLC複合部品。
【請求項１３】フェライトの線膨張率がセラミック誘電
体の線膨張率より小さく、セラミック磁性層がアルカリ
土類金属酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを含有し、
セラミック誘電体層がアルカリ土類金属酸化物を含有し
ないホウケイ酸ガラスを含有するものである特許請求の
範囲第９項または第10項に記載のLC複合部品。
【請求項１４】セラミック誘電体がチタン酸複合酸化物
系である特許請求の範囲第13項に記載のLC複合部品。
【請求項１５】セラミック誘電体層の線膨張率とセラミ
ック磁性層の線膨張率との差が、10×10^- ₇deg^-1以下で
ある特許請求の範囲第９項ないし第14項のいずれかに記
載のLC複合部品。
【請求項１６】コンデンサ部とインダクタ部とが同時焼
成して一体化されている特許請求の範囲第９項ないし第
15項のいずれかに記載のLC複合部品。