JPH0881763A - 蒸着用インジウム・スズ酸化物材 - Google Patents

蒸着用インジウム・スズ酸化物材

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JPH0881763A
JPH0881763A JP22005194A JP22005194A JPH0881763A JP H0881763 A JPH0881763 A JP H0881763A JP 22005194 A JP22005194 A JP 22005194A JP 22005194 A JP22005194 A JP 22005194A JP H0881763 A JPH0881763 A JP H0881763A
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JP
Japan
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indium
tin oxide
vapor deposition
vapor
deposited
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Withdrawn
Application number
JP22005194A
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English (en)
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Masahiko Sugihara
正彦 杉原
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OPUTORON KK
Canon Inc
Original Assignee
OPUTORON KK
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 蒸着材の林立、破裂飛散及び有害な粒状物の
蒸着基板への付着、ピンホールのない膜を形成する事。 【構成】 本発明は、蒸着用インジウム・スズ酸化物に
酸化アルミニウムを添加することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は蒸着用インジウム・スズ
酸化物に関し、より詳しくは電子銃で加熱蒸着する際、
蒸着材の林立、破裂飛散及び異常放電がなく、有害な粒
状物の蒸着基板への付着、ピンホールのない緻密な膜を
容易に形成する事の出来る蒸着用材料およびこれを用い
た蒸着薄膜に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレー、カラーフィルター、
薄膜トランジスタ、太陽電池等に優れた透明導電膜とし
て、インジウム・スズ酸化物(I.T.O)薄膜が使用
されている。その成膜はインジウム・スズ酸化物を焼結
してなる材料を、真空中で電子銃により溶融させ、容易
に薄膜にし形成されている。
【0003】しかし、通常の条件で焼結したインジウム
・スズ酸化物は、電子を蒸着材に衝突させる真空蒸着
法、イオンプレーティング法により透明導電膜を形成す
るが、蒸着材の浸食部に林立し、蒸着材が均一に蒸発せ
ず、局所的に蒸着が進み、蒸着材の表面が針の山状にな
る現象が起ったり熱衝撃による破裂飛散、または基板へ
の有害な粒状物の付着、薄膜のピンホール等により透明
導電膜としての良好な膜特性を損う欠点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、蒸着材の浸食部における林立および熱衝撃による
破裂飛散である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、インジウム・
スズ酸化物および酸化アルミニウムを含むことを特徴と
する蒸着用インジウム・スズ酸化物材である。
【0006】また、本発明はインジウム・スズ酸化物お
よび酸化アルミニウムを含むインジウム・スズ酸化物材
に電子を衝突させて形成されたことを特徴とする蒸着薄
膜である。
【0007】本発明によれば、インジウム・スズ酸化物
に酸化アルミニウムを添加し、さらに焼結する温度まで
加熱する事で蒸着材の浸食部の林立、破裂飛散及び異常
放電がなく、有害な粒状物の蒸着基板への付着、ピンホ
ールのない緻密な膜を形成でき、容易に電子銃で蒸着出
来るようにしたものである。
【0008】インジウム・スズ酸化物に対する酸化アル
ミニウムの添加量は、インジウム・スズ酸化物100重
量部に対し、0.08〜18重量部、特には、0.1〜
15重量部が好適である。
【0009】
【実施例】以下、実施例によりさらに本発明を説明す
る。
【0010】(実施例1)重量比95:5の3酸化2イ
ンジウム、2酸化スズ混合粉に、重量比で0.15%の
3酸化2アルミニウムを添加し、直径25ミリの型を用
い1000kgf/cm2のプレス圧で粉末成形した
後、1320℃で4時間焼結を行って蒸着材の錠剤を得
た。次いでこの錠剤を蒸着装置に配置された電子銃に装
填し、真空度1×10-5Torrになるまで排気後、基
板温度300℃でO2ガスを4×10-4Torrの圧力
になるように保ちながら導入し、石英基板に成膜速度2
Å/secで膜厚が1500Åになるまで蒸着した。本
蒸着材は林立、破裂飛散及び有害な粒状物の発生もなく
容易に蒸着が行われ、膜中にピンホールのない緻密な満
足すべき薄膜が得られた。
【0011】(実施例2)重量比95:5の3酸化2イ
ンジウム、2酸化スズ混合粉の2酸化スズと同量の3酸
化2アルミニウムを添加し、前記実施例と同様な方法で
蒸着を行ったところ、容易に蒸着でき、得られた薄膜は
実施例1と同様満足すべきものであった。
【0012】
【発明の効果】本発明により、単独では蒸着材の林立、
破裂飛散及び有害な粒状物やピンホールが蒸着基板に見
られる蒸着用インジウム・スズ酸化物に酸化アルミニウ
ムを添加する事で、蒸着材の林立、破裂飛散及び有害な
粒状物の蒸着基板への付着、ピンホールのない膜を形成
する事が可能となり、工業的に極めて大きな効果を有す
る。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 インジウム・スズ酸化物および酸化アル
    ミニウムを含むことを特徴とする蒸着用インジウム・ス
    ズ酸化物材。
  2. 【請求項2】 インジウム・スズ酸化物100重量部に
    対して、酸化アルミニウムを0.1〜15重量部含むこ
    とを特徴とする請求項1の蒸着用インジウム・スズ酸化
    物材。
  3. 【請求項3】 インジウム・スズ酸化物および酸化アル
    ミニウムを含むインジウム・スズ酸化物材に電子を衝突
    させて形成されたことを特徴とする蒸着薄膜。
JP22005194A 1994-09-14 1994-09-14 蒸着用インジウム・スズ酸化物材 Withdrawn JPH0881763A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020096534A (ko) * 2001-06-20 2002-12-31 삼성에스디아이 주식회사 금속·인듐 주석 산화물 복합체의 제조 방법 및 이방법으로 제조된 금속·인듐 주석 산화물 복합체를포함하는 투명 도전성 조성물

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020096534A (ko) * 2001-06-20 2002-12-31 삼성에스디아이 주식회사 금속·인듐 주석 산화물 복합체의 제조 방법 및 이방법으로 제조된 금속·인듐 주석 산화물 복합체를포함하는 투명 도전성 조성물

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Effective date: 20011120