JPH0878154A - 電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 同心度不良及び面接状態不良によるキャパシ
ターの耐電圧特性及び容量の低下を防止し得る電子レン
ジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置を提供する。 【構成】 シールドケース２０１の一側壁に楕円状の開
口部２１１を有し、開口部の周辺に沿って折曲して突出
した突出部２１０を一体として形成する。キャパシター
２３０は楕円シリンダー状のセラミック誘電体２３２、
セラミック誘電体の上部に一対の分離電極２３６及びセ
ラミック誘電体の下部に形成された共通電極２３８で構
成される。貫通導体２４６はセラミック誘電体の貫通孔
２３４に挿入され、その上部には電極接続部２５０が分
離電極との電気的な接続のために水平に一体として伸び
て形成されている。絶縁ケース２５４の内部中央上部に
は分離電極の境界部位に位置する絶縁格子２６１が形成
される。 【効果】 垂直度及び／又は面接状態の不良を防止し、
固定タブ間の絶縁問題を簡便かつ安定的に解消し得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子レンジのマグネトロ
ンから発生するノイズを効果的に遮蔽し得る電子レンジ
のノイズ遮蔽装置に関し、特に、キャパシターの貫通導
体の垂直度を保持し品質を向上させた貫通型キャパシタ
ーを含む電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置に
関するものである。本発明は本発明者等のひとりである
全又金によって１９９４年９月１６日付で出願して現在
継続中のアメリカ特許出願第０８／３０７、１２９号
（１９９４年９月１９日付で出願されたヨーロッパ特許
出願第９４ １１４ ７３１。６号）の改良発明であ
り、その内容を本出願に参考として記載する。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、高周波を利用する家庭用電子
レンジ、営業用解凍機、産業用乾燥機等のような各種機
器にはノイズを遮蔽するためのキャパシターと高周波の
生成のためのマグネトロンとを具備する。電子レンジの
電場室には高周波を生成するマグネトロンが具備されて
いる。上記高周波は主に電場室の底面板に取り付けられ
た高圧トランスの第１次及び第２次誘導コイルが相互誘
導作用によって生成された高周波を安定的にマグネトロ
ンに印加することによって生成され、このような高周波
は道波管を通じて電子レンジの調理室内部に照射され
る。

【０００３】上記高周波が道波管を通じて調理室内部に
照射されれば、高周波によって調理室内部に置かれた食
べ物が加熱され調理される。マグネトロンの電源線とし
ては主にフィラメント及びカソード、アノードで構成さ
れる。上記マグネトロンに高周波が印加され高周波を発
振すると、食べ物の過熱に必要なマグネトロンの基本周
波数を有する高周波の外にもカソードとフィラメントを
通じて不要に輻射される高周波、すなわち、ノイズや雑
音電圧が発生する。ノイズや雑音電圧は電源線路である
フィラメントとカソード端子とを通じて逆流され周辺機
器に電波障害を引き起こす。

【０００４】特に、最近は人工衛星を通じたテレビ放送
が広く普及されており、上記不要な高周波は放送周波数
と互いに干渉してテレビ放送の受信障害が発生する可能
性がある。このような高周波や雑音電圧による周辺機器
への影響を低減するために、フィラメント電源供給線で
あるカソード端子にチョークコイルと、これに連結され
たキャパシターを設置する。上記チョークコイルが誘導
抵抗（リアクタンス）を有するようになる性質と、上記
チョークコイルと連結されたキャパシターは不要な高周
波を吸収して不要な高周波の外部への流出を遮断する。

【０００５】上記チョークコイルとキャパシターはマグ
ネトロンの下部に付設されたシールドケースによって密
閉され、上記シールドケースの内、外部に設置される。
上記チョークコイル一端はマグネトロン用フィラメント
の電源供給線に接続し他端はキャパシターの導線に接続
する。上記したキャパシターとしては貫通型キャパシタ
ーが広く使用され、このような貫通型キャパシターの例
がアメリカ特許第４、８１１、１６１号で公知である。
上記貫通型キャパシターを使用するマグネトロンにおい
ては、上記チョークコイルはマグネトロンのカソード端
子とシールドケースの一側壁を通じて挿入された貫通キ
ャパシターの貫通導体との間に直列に連結される。

【０００６】図１は従来の貫通型キャパシター３０を含
むノイズ遮蔽装置の分解斜視図であり、図２は図１に示
す貫通型キャパシター３０の正断面図である。同図に示
すように、従来の貫通型キャパシター３０は楕円状のセ
ラミック誘電体３２を含む。上記セラミック誘電体３２
には互いに平行に形成されている一対の垂直貫通孔３４
が具備されている。また、上記セラミック誘電体３２の
上面には相互分離されている一対の分離電極３６が形成
され、上記セラミック誘電体３２の下面上には共通電極
３８が形成されている。分離電極３６と共通電極３８は
セラミック誘電体３２の貫通孔３４に対応する貫通孔が
それぞれ具備されている。上記キャパシター３０はさら
にその中央部に開口部４２が形成されているグラウンド
金属具（ｇｒｏｕｎｄ ｆｉｔｍｅｎｔ）４０を含み、
その上には開口部４２の周辺に沿って適当な大きさの上
覆い（ｕｐｓｔａｎｄ）４４が形成されている。セラミ
ック誘電体３２は共通電極３８によってグラウンド金属
具４０の上覆い４４上に鑞付け等の適当な方法によって
固定される。

【０００７】また、キャパシター３０はシリコン等の適
当な物質で構成された絶縁管４８でそれぞれカバーされ
た一対の貫通導体４６を含む。絶縁管４８は貫通孔３４
に挿入され貫通導体４６は各々鑞付け等のような方法に
よって各分離電極３６上に固定された電極接続部５０に
よって開口部４２に固着されている。貫通導体４６を電
極接続部５０に固定することは鑞付け等によって行え
る。

【０００８】グラウンド金属具４０は金属板を成形して
グラウンド金属具４０の一面中央部に適当な高さの上覆
い４４が開口部４２を取り囲みながらグラウンド金属具
４０から突出形成しグラウンド金属具４０の他面にはリ
セス５２が提供され上覆い４４の内面を提供する。ま
た、グラウンド金属具４０の端部分にはシールドケース
９０（これをフィルターボックスともいう）に付着する
ための四つの穿孔４１が形成されている。

【０００９】キャパシター３０はさらにグラウンド金属
具４０の上覆い４４上にその下部が固定され、セラミッ
ク誘電体３２を取り囲む絶縁ケース５４とグラウンド金
属具４０のリセス５２にその上部が固定されており、貫
通導体４６を取り囲む絶縁シリンダー５６を含む。絶縁
ケース５４及び絶縁シリンダー５６には、セラミック誘
電体３２の外部及び内部を覆い、それに含浸されセラミ
ック誘電体３２の耐湿性と絶縁特性を保障するためのエ
ポキシ樹脂等のような第１及び第２絶縁樹脂材５８及び
６０で充填されている。絶縁ケース５４及び絶縁シリン
ダー５６はＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）のよ
うな熱可塑性樹脂材で形成される。

【００１０】各貫通導体４６の一端には絶縁ケース５４
に収納され高電圧が印加される固定タブ６２が一体とし
て形成され、固定タブ６２の一端は絶縁ケース５４の一
端から突出され外部端子との接続を容易にする。グラウ
ンド金属具４０をシールドケース９０に固定設置する場
合は、シールドケース９０に上記キャパシターに対応す
る一つの大きな孔９１と上記グラウンド金属具４０の四
つの穿孔４１に対応する四つのバーリングホール（ｂｕ
ｒｒｉｎｇ ｈｏｌｅ）９２をあけた後、これにグラウ
ンド金属具４０の穿孔４１を合わせてコーキン加工して
組み立てる。

【００１１】図３は上記の従来の貫通型キャパシターを
備えたマグネトロンを示す概略断面図である。５００は
高周波を発生するためのマグネトロン、５０１はアンテ
ナ棒、５０２はカソードステム、５０３はカソード端
子、そして、５０４は誘導子に巻回されているチョーク
コイルを示し、マグネトロンのカソード端子５０３とキ
ャパシター３０の貫通導体４６との間に直列に連結され
ている。

【００１２】マグネトロン５００から生成される高周波
のノイズが逆流すれば、マグネトロン５００のフィラメ
ントと連通するカソード端子５０３を通じてチョークコ
イル５０４を通過しながらチョークコイル５０４の誘導
抵抗によって一部が相殺される。残りの高周波ノイズは
チョークコイル５０４と連結された貫通導体４６を通過
する間、貫通導体４６を挿持するように構成されたセラ
ミック誘電体３２を含む貫通型キャパシター３０によっ
てその一部が消滅され、最終的には共通電極３８と接続
されたケース９０にグラウンドされ消滅される。

【００１３】シールドケース９０内部のチョークコイル
５０４と外部端子を連結する貫通型キャパシター３０は
リードを通じての伝導ノイズを抑制するとともに放射ノ
イズを遮断する役割も果たす。しかし、同図に示すよう
に、従来のマグネトロンのノイズ遮蔽装置は多くの部品
から組立られその構造が複雑であるため、材料費の増加
は勿論、組立が容易でないため生産性がよくない。ま
た、組立の後には、シールドケース９０の挿入孔９１と
グラウンド金属具のホール４１及びシールドケース９０
のバーリングホール９２を通じて相当量の不要な輻射波
が流出されノイズの遮蔽を極大にすることが出来ない。

【００１４】図４（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ従来の貫
通型キャパシターを採用したノイズ遮蔽装置においての
ノイズ流出を説明するためのマグネトロンの部分正面図
及び部分側断面図である。図４Ｂに示すように、従来の
貫通型キャパシターを有するノイズ遮蔽装置において
は、バーリングホール９２やシールドケース９０とグラ
ウンド金属具４０との間の接触面での隙間等を通じてマ
グネトロン５００のカソード端子５０３に逆流する不要
な輻射波４００のようなノイズが流出されることが分か
る。

【００１５】一方、本発明者のひとりの全又金は比較的
に構造が簡単で、材料費の低減及び生産性の向上が図れ
る電子レンジ用マグネトロンの一体型キャパシターを提
案したことがあるが、上記のキャパシターは１９９４年
９月１６日付でアメリカ特許庁にアメリカ特許出願第０
８／３０７、１２９号（１９９４年９月１９日付で出願
されたヨーロッパ特許出願第９４ １１４ ６３１。６
号）として出願され、現在継続中である。

【００１６】図５は上記アメリカ特許出願に記載された
キャパシターの分解斜視図であり、図６は図５のキャパ
シターの正断面図である。同図のキャパシター１３０は
従来のキャパシターと類似する。キャパシター１３０は
楕円状のセラミック誘電体１３２を含み、上記セラミッ
ク誘電体１３２には相互平行に形成されている一対の垂
直貫通孔１３４が備えられている。また、上記セラミッ
ク誘電体１３２の上面には互いに分離されている一対の
分離電極１３６が形成されており、上記セラミック誘電
体１３２の下面には共通電極１３８が形成されている。
分離電極１３６と共通電極１３８にはセラミック誘電体
１３２の貫通孔１３４に対応する貫通孔がそれぞれ備え
られている。

【００１７】上記キャパシター１３０は一側中央部にキ
ャパシター１３０を付着するための楕円状の開口部１１
１が形成されているシールドケース１００に固定され
る。また、シールドケース１００の上部中央にはマグネ
トロンのカソード端子（図示せず）を挿入固定するため
の開口部２００が形成されており、その下部は開口され
ている。上記シールドケース１００の開口部１１１の周
辺には適当な高さの突出部１１０が一体として形成され
ている。上記突出部１１０の形成された部位のシールド
ケース１００の内面にはリセス１１３が形成されてい
る。上記突出部１１０の周辺のシールドケース１００表
面上にはシールドケース１００の強度を向上させるため
の補強用リブ１１２が形成されている。

【００１８】セラミック誘電体１３２は共通電極１３８
によってシールドケース１００の突出部１１１上に鑞付
けのような適当な方法によって固定される。キャパシタ
ー１３０はシリコン等の適当な物質で構成された絶縁管
１４８で各々カバーされた一対の貫通導体１４６を含
む。上記貫通導体１４６は上記シールドケースの中央部
に位置してマグネトロンのフィラメントと接続されたチ
ョークコイルに鑞付け等の方法によって連結される。絶
縁管１４８は貫通孔１３４に挿入され、貫通導体１４６
は各々鑞付け等の方法によって各分離電極１３６上に固
定された電極接続部１５０によって開口部１４２に付着
固定されている。貫通導体１４６を電極接続部１５０に
固定するのは鑞付け等によって行える。

【００１９】キャパシター１３０は突出部１１０上にそ
の下部が固定されており、セラミック誘電体１３２を取
り囲む絶縁ケース１５４とシールドケース１００のリセ
ス１１３にその上部が固定されており、貫通導体１４６
を取り囲む絶縁シリンダー１５６を含む。絶縁ケース１
５４にはセラミック誘電体１３２の外部を覆いそれに含
浸されセラミック誘電体１３２の耐湿性と絶縁特性を保
障するためのエポキシ樹脂等のような第１絶縁樹脂材１
５８で充填されており、上記絶縁シリンダー１５６の上
部に上記絶縁管１４８と上記貫通孔１３４の内面間の空
間には第１絶縁樹脂材１５８と同様な第２絶縁樹脂材１
６０が充填されている。絶縁ケース１５４及び絶縁シリ
ンダー１５６はＰＢＴのような熱可塑性樹脂材で形成さ
れる。

【００２０】各貫通導体１４６の一端には絶縁ケース１
５４に収納され高電圧が印加される固定タブ１６２が一
体として形成され、固定タブ１６２の一端は絶縁ケース
１５４の一端から突出され外部端子との接続を容易にす
る。上記のキャパシターを使用する場合、マグネトロン
から生成される高周波のノイズが逆流すれば、マグネト
ロンのフィラメントと連通するチョークコイル（図示せ
ず）を通過しながらチョークコイルの誘導抵抗によって
一部が相殺される。残りの高周波ノイズはチョークコイ
ルと連結された貫通導体１４６を通過する間、貫通導体
１４６を挿持するように構成されたセラミック誘電体１
３２を含むキャパシター１３０によってその一部が消滅
され、最終的には共通電極１３８と接続されたシールド
ケース１００にグラウンドされ完全に消滅される。

【００２１】上記のキャパシターにおいては、シールド
ケース１００を一体として打抜折曲して開口部１１１が
備えられた突出部１１０を形成する。上記突出部１１０
は従来の技術においてのシールドケースに固定設置され
るグラウンド金属具（図１の４０）の役割を果たす。上
記のように、突出部１１０が従来の技術においてのグラ
ウンド金属具４０の役割を効果的に遂行するため、別途
のグラウンド金属具を形成する必要がない。従って、材
料の節減だけではなく、グラウンド金属具４０の付着に
所要される別途の作業工程も不要になるので、生産性の
向上を図ることが出来る。

【００２２】また、マグネトロンから生成される高周波
のノイズが、貫通導体１４６を通過する間、貫通導体１
４６を挿持するように構成されたセラミック誘電体１３
２によって消滅し続くようになり、次いで共通電極１３
８と面接されたシールドケース１００にグラウンドされ
完全に消滅していく過程で、上記キャパシターは従来の
キャパシターに比べて、上記グラウンド金属具の役割を
する突出部１１０がシールドケース１００と一体として
形成されているため、セラミック誘電体１３２の共通電
極１３８が上記突出部１１０に直接接面され、グラウン
ド抵抗が減少する。従って、高周波のノイズがシールド
ケース１００に効果的にグラウンドされ完全に消滅する
のである。

【００２３】上記の従来の貫通型キャパシターまたは全
又金のキャパシターは、貫通導体、電極接続具及び固定
タブがそれぞれ別々の部品としてなっているので、これ
らを組み立ててキャパシターを製作する場合は、これら
を垂直に固定結合し、並びに、セラミック誘電体内の貫
通孔にこれらを挿入した後、絶縁樹脂を貫通孔に充填。
この場合、キャパシターの部品が多くて、作業工数が増
加し生産性が低下する。

【００２４】また、電極接続具と貫通導体との結合にお
いて、同心度が合わない場合は、貫通孔でセラミック誘
電体に対する貫通導体の垂直度を保持持するのが困難で
ある。図７（Ａ）は上記全又金のキャパシターにおいて
貫通導体１４６が垂直度を保持できず、貫通孔１３４の
中心軸に対して角度θで傾斜している状態を示す。これ
は、図７（Ａ）のように、電極接続具１５０に対する貫
通導体１４６の不良な垂直度によるものである。このよ
うな場合には、貫通孔１３４の側壁の間に充填される絶
縁樹脂材の充填厚さが不均一であるため（即ち、「Ｂ」
部分の厚さが他の部分より薄い）、キャパシターの耐電
圧特性が低下するだけでなく、外観の面でもよくない。

【００２５】また、電極接続具と分離電極との間にギャ
ップが生じて電極接続具と分離電極との面接状態が不良
になる可能性もある。図７（Ｂ）は電極接続具１５０と
分離電極１３６とのギャップＧによって発生した面接状
態の不良を示している。このような場合は、キャパシタ
ーの容量が変化してキャパシターの特性が低下するのみ
ならず、上記絶縁ケース及び絶縁シリンダーに第１、第
２絶縁樹脂材を充填することが難しくなる（隙間を通じ
て漏出される）。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は上記のような同心度不良及び面接状態不良によるキャ
パシターの耐電圧特性及び容量の低下を防止し得る電子
レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置を提供すること
にある。本発明の他の目的は、比較的に簡単な構造で、
材料費及び作業工数を減らして生産性の向上が図れる電
子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置を提供するこ
とにある。

【００２７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明によれば、一側壁に楕円状に形成された開口部
を有し、上記開口部の周辺に沿って折曲して突出された
突出部が一体として形成されており、上記突出部の形成
部の内面にはリセスが形成されているシールドケース
と；上記シールドケースの開口部に相応する大きさを有
し一対の貫通孔が形成されている楕円シリンダー状のセ
ラミック誘電体と；上記セラミック誘電体の上部に分離
して形成されている一対の分離電極と；上記セラミック
誘電体の下部に上記分離電極に対向して形成された共通
電極と；上記貫通孔に挿入され、マグネトロンのチョー
クコイルに接続されており、その上部に上記分離電極と
の電気的な接続のために水平に一体として形成されてい
る電極接続部を含む一対の貫通導体と；上記シールドケ
ースの突出部上にその下部が固定されており、上記セラ
ミック誘電体を取り囲む絶縁ケースと；上記シールドケ
ースのリセスにその上部が固定されており、上記貫通導
体を取り囲む絶縁楕円シリンダーとを含むことを特徴と
するマグネトロンのノイズ遮蔽装置が提供される。

【００２８】本発明の一実施例によれば、上記貫通導体
の電極接続部は上記各貫通導体の外周縁に沿って環状に
水平に伸びて形成される。望ましくは、上記電極接続部
の底面に上記貫通孔に充填される絶縁樹脂材を安定的に
充填するために、上記電極接続部の外周縁と上記貫通導
体の間に環状の陥没部が形成される。円状に形成された
上記電極接続部の外周縁に上記分離電極との接触面積を
増加させ、貫通導体の垂直安定度を向上するための折曲
部を形成するのが望ましい。

【００２９】本発明の他の実施例によれば、上記絶縁ケ
ースの内部中央上部に形成され上記分離電極の境界部位
に位置する絶縁格子が形成される。本発明はまた、一側
壁に楕円状に形成された開口部を有し上記開口部の周辺
に沿って折曲して突出した突出部が一体として形成され
ており、上記突出部の形成部の内面にはリセスが形成さ
れているシールドケースと；上記シールドケースの開口
部に相応する大きさを有し一対の貫通孔が形成されてい
る楕円シリンダー状のセラミック誘電体と；上記セラミ
ック誘電体の上部に分離され形成されている一対の分離
電極と；上記セラミック誘電体の下部に上記分離電極に
対向して形成された共通電極と；上記貫通孔に挿入され
マグネトロンのチョークコイルに接続されており、その
上部に上記分離電極との電気的な接続のために水平に一
体として形成されている電極接続部を含み、その外周縁
に沿って環状に水平に伸びて形成され、電極接続部の底
面に上記貫通孔に充填される絶縁樹脂材を安定的に充填
するために電極接続部の外周縁部とその外周との間に環
状の陥没部が形成されている電極接続部を含む一対の貫
通導体と；上記シールドケースの突出部上にその下部が
固定されており、上記セラミック誘電体を取り囲む絶縁
ケースと；上記シールドケースのリセスにその上部が固
定されており、上記貫通導体を取り囲む絶縁楕円シリン
ダーと；上記絶縁ケース内に上記セラミック誘電体を取
り囲むように充填されている第１絶縁樹脂材と；上記絶
縁シリンダーの上部に上記貫通導体を取り囲むように充
填されている第２絶縁樹脂材と；上記各貫通導体の上部
に上記貫通導体と一体として形成されており、上記絶縁
ケースの外部に露出されている外部との接続のための固
定タブと；貫通導体を取り囲む絶縁管とを含むことを特
徴とするノイズ遮蔽装置を提供する。望ましくは、上記
絶縁管は上記第２絶縁樹脂材によって埋没されている。
上記絶縁ケースの内部中央上部に形成され上記分離電極
の境界部位上に絶縁格子を形成することもできる。この
際、上記絶縁格子の下端部分は第１絶縁樹脂材によって
埋設されるのが望ましい。また、上記絶縁格子は上記一
対の固定タブの間に上記固定タブの高さよりも高く形成
するのが望ましい。

【００３０】

【作用】シールドケースを一体として打抜折曲して開口
部が備えられた突出部を形成する。従来の技術において
の別途のグラウンド金属具は形成する必要がない。ま
た、従来の電極接続具の代わりに、貫通導体と一体とし
て電極接続部を形成することで、分離された状態で組立
の際に発生する垂直度不良及び／または面接状態不良の
問題点を防止する。絶縁格子の使用によって固定タブ間
の絶縁問題を安定的かつ簡便に解消し得る。

【００３１】マグネトロンから生成される高周波ノイズ
は貫通導体を通過する間、貫通導体を挿持するように構
成されたセラミック誘電体によって消滅し続き、次い
で、共通電極と面接されたシールドケースにグラウンド
され完全に消滅していく過程で、突出部がシールドケー
スに一体として形成されているため、セラミック誘電体
の共通電極が上記突出部に直接接面され、グラウンド抵
抗が減少する。

【００３２】また、本発明においては、シールドケース
にグラウンド金属具を固定するための孔を形成する必要
がないので、グラウンド金属具の接合孔を通じてノイズ
が露出される恐れがない。

【００３３】

【実施例】以下、添付の図面を参照して本発明をより詳
細に説明する。図８は本発明の一実施例によるマグネト
ロンのノイズ遮蔽装置の分解斜視図、図９は図８のノイ
ズ遮蔽装置の結合状態を示す正断面図、図１０は図８の
ノイズ遮蔽装置の結合状態を示す側断面図、図１１は図
９のキャパシター部を拡大したノイズ遮蔽装置の拡大断
面図である。

【００３４】同図のノイズ遮蔽装置は、従来のキャパシ
ターと類似する貫通型キャパシター２３０を含む。キャ
パシター２３０は楕円状のセラミック誘電体２３２を含
み、上記セラミック誘電体２３２には相互平行に形成さ
れている一対の垂直貫通孔２３４が備えられている。ま
た、上記セラミック誘電体２３２の上面には相互分離さ
れている一対の分離電極２３６が形成され、上記セラミ
ック誘電体２３２の下面上には共通電極２３８が形成さ
れている。分離電極２３６と共通電極２３８にはセラミ
ック誘電体２３２の貫通孔２３４に対応する貫通孔がそ
れぞれ備えられている。

【００３５】上記キャパシター２３０は一側中央部にキ
ャパシター２３０を付着するための開口部２１１が形成
されているシールドケース２０１に固定される。また、
シールドケース２００の上部中央にはマグネトロンのカ
ソード端子（図示せず）を挿入固定するための開口部３
００が形成されており、その下部は開口されている。上
記シールドケース２０１の開口部２１１の周辺には適当
な高さの突出部２１０が一体として形成されている。上
記突出部２１０が形成された部位のシールドケース２０
０の内面にはリセス２１３が形成されている。上記突出
部２１０の周辺のシールドケース２０１表面上にはシー
ルドケース２０１の強度を向上させるための補強用リブ
２１２が形成されている。

【００３６】セラミック誘電体２３２は共通電極２３８
によってシールドケース２０１の突出部２１０上に鑞付
け等の適当な方法によって固定される。上記共通電極２
３８がシールドケース２０１の突出部２１０に直接面接
し固定されグラウンド抵抗が減少する。この際、上記シ
ールドケース２０１の突出部２１０の表面及び突出部２
１０を含むシールドケース２０１の上面全体に錫鍍金処
理をするのが望ましい。そうすることによって、上記共
通電極２４２が上記突出部２１０に鑞付けによって接合
する際の接合力が向上され、接触抵抗を最小にすること
ができるため貫通型キャパシターの機能が向上される。

【００３７】キャパシター２３０はシリコンのような適
当な物質で構成された絶縁管２４８でそれぞれカバーさ
れた一対の貫通導体２４６を含む。上記貫通導体２４６
は上記シールドケースの中央部に位置してマグネトロン
のフィラメントと接続されたチョークコイルに鑞付け等
の方法によって連結される。各貫通導体２４６の上部一
端には絶縁ケース２５４に収納され高電圧が印加される
固定タブ２６２が一体として形成されており、固定タブ
２６２の一端は絶縁ケース２５４の一端から突出され外
部端子との接続を容易にする。

【００３８】また、上記の各貫通導体２４６の上部には
従来の技術においての電極接続具（図１の５０及び図５
の１５０）の役割を遂行するための電極接続部２５０が
上記各貫通導体２４６と一体として形成されている。電
極接続部２５０は上記各貫通導体２４６の周囲から環状
に水平に一体として伸びて形成され、貫通導体２４６が
分離電極２３６と電極接続部２５を通じて電気的に接続
するようにしている。上記電極接続部２５０及び固定タ
ブ２６２が上部に形成されている貫通導体２４６はヘッ
ディングマシン（ｈｅａｄｉｎｇ ｍａｃｈｉｎｅ）等
を利用した鍛造等の方法によって一体として形成するこ
とができる。

【００３９】絶縁管２４８は貫通孔２３４に挿入され、
貫通導体２４６はそれぞれ鑞付け等の方法によって各分
離電極２３６上に電極接続部２５０を固定させ開口部２
４２に付着固定させる。上記電極接続部２５０が各貫通
導体２４６に一体として形成されており、上記各貫通導
体２４６の中心軸と各貫通孔２３４の中心線を容易に一
致させることができる。

【００４０】図１２は本発明の一例による貫通導体２４
６が分離電極２３６上に固定されている状態を示す部分
断面図である。同図に示すように、電極接続部２５０が
貫通導体２４６と一体として形成されている本発明によ
る一体型貫通導体２４６を分離電極２３６上に設置する
場合には、貫通孔２３４の中心線を基準にして、貫通導
体２４６の同心度と電極接続部２５０の垂直度を均一に
保持することができる。

【００４１】図１３（Ａ）は上記図１２に示す貫通導体
２４６の正面図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の貫通導
体２４６の上部の部分断面図、図１３（Ｃ）は図１３
（Ａ）の貫通導体２４６の底面図である。同図に示すよ
うに、電極接続部２５０は上記貫通導体２４６の上部に
上記貫通導体２４６の外周縁に沿って環状に水平に伸び
て形成されている。望ましくは、上記電極接続部２５０
の底面には、上記電極接続部２５０の外周縁と上記貫通
導体２４６との間に環状の陥没部２５１を形成する。こ
のように、環状陥没部２５１を形成することで、貫通孔
２３４に充填される絶縁樹脂材を安定的に充填すること
ができる。

【００４２】図１４（Ａ）は本発明の他の例による貫通
導体２４６の正面図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の貫
通導体２４６の上部の部分断面図、図１４（Ｃ）は図１
４Ａの貫通導体２４６の底面図である。図１４（Ａ）乃
至（Ｃ）の貫通導体は図１３（Ａ）乃至（Ｃ）において
の貫通導体とは折曲部２５０ａを除いては同一である。
同一符号は同一部材を示す。折曲部２５０ａは底面に形
成されている陥没部２５１を有する電極接続部２５０の
端部の周縁に水平方向に伸びて形成されている。このよ
うに、折曲部２５０ａを形成することで、分離電極２３
６との接触面積を増加させ、貫通導体２４６の固定の際
に、安全性が増加する。

【００４３】キャパシター２３０は突出部２１０上にそ
の下部が固定されており、セラミック誘電体２３２を取
り囲む絶縁ケース２５４とシールドケース２０１のリセ
ス２１３にその上部が固定されており、貫通導体２４６
を取り囲む絶縁シリンダー２５６を含む。絶縁ケース２
５４の内部にはセラミック誘電体２３２の外部を覆いそ
れに含浸されセラミック誘電体２３２の耐湿性を保障す
るためにエポキシ樹脂等のような第１絶縁樹脂材２５８
が充填されている。

【００４４】また、絶縁シリンダー２５６の上部と絶縁
管２４８と貫通孔２３４の内面間の空間は第１絶縁樹脂
材２５８と同一な樹脂で構成された第２絶縁樹脂材２６
０で充填されている。上記絶縁ケース２５４及び絶縁シ
リンダー２５６はＰＢＴのような熱可塑性樹脂材で形成
することができる。図１及び図２の従来の貫通型キャパ
シターにおいては、絶縁管４８が第２絶縁樹脂材６０の
外部に露出されている。本発明においても、このような
方式で貫通導体２４８を形成することができる。ところ
が、従来の技術のように絶縁管４８が第２絶縁樹脂材６
０の外部に露出される場合には、貫通導体４６と絶縁管
４８との間に形成されるギャップによって湿気が浸透し
てキャパシターの絶縁材料の絶縁性を低下させる恐れが
ある。従って、本実施例では、絶縁管２４８を短く形成
して、絶縁管２４８の下端がセラミック誘電体２３２の
共通電極２３８よりも下に位置した状態で、第２絶縁樹
脂材２６０に埋没されるようにするのが望ましい。この
ように、絶縁管２４８を形成することで、絶縁管２４８
と貫通導体２４６との間で発生するギャップを絶縁樹脂
材によって密閉することで、上記ギャップを通じての湿
気の浸透を防止することができ、絶縁特性を改善するこ
とができる。

【００４５】キャパシター２３０はさらに、絶縁ケース
２５４の中央上部に所定高さで形成されている絶縁格子
２６１を含む。図１１を参照すれば、絶縁ケース２５４
内に第１絶縁樹脂材２５８を充填する際に、上記絶縁格
子２６１の下端が埋没されるように第１絶縁樹脂材２５
８を充填する。上記絶縁格子２６１は分離電極２３６の
境界線上に位置し、絶縁格子２６１の下端が上記セラミ
ック誘電体２３２とは接触しないようにし、その上部は
絶縁ケース２５４の外部に所定高さが露出するように形
成する。

【００４６】上記絶縁格子２６１は一対の貫通導体２４
６の上端に形成されている一対の固定タブ２６２の間に
位置する。絶縁格子２６１は上記固定タブ２６２に電源
供給用配線の一端に備えられた配線用タブを連結する際
に、配線用タブ間の干渉を効果的に遮断する。図１５は
本発明の一実施例によるノイズ遮蔽装置を採用している
マグネトロンに電源供給用配線６００の配線用タブ７０
０が連結された状態を示す部分斜視図である。

【００４７】このように、絶縁格子２６１を絶縁ケース
２５４の上部に提供することで、配線用タブ７００を上
記固定タブ２６２に連結する際に、両配線用タブ７００
間の干渉を効果的に遮断できるため、絶縁のために配線
用タブ７００に別途の絶縁スリーブまたはハウジングを
設置する必要がなく、安全に両配線用タブ７００を固定
タブ２６２に連結することができる。この際、上記絶縁
格子２６１は両側の固定タブ２６２よりやや高く位置す
るように形成するのが望ましい。このような絶縁格子は
上記絶縁ケース２５４と同一材料を使用して同時に成形
するのが望ましい。しかし、絶縁格子２６１は上記絶縁
ケース２５４とは異なる別途の絶縁材料を使用して製造
した後、接着材を使用して上記絶縁ケース２５４の上部
に付着することもできる。

【００４８】図１６（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ本発明
のよる貫通型キャパシターを採用したノイズ遮蔽装置を
採用している電子レンジ用マグネトロンの部分正面図及
び部分側断面図である。上記の本発明によるノイズ遮蔽
装置を使用する場合、マグネトロンから生成される高周
波のノイズが逆流すれば、マグネトロンのフィラメント
とカソードステム８０２及びカソード端子８０４と連結
されたチョークコイル（図示せず）を通過しながらコイ
ルの誘導抵抗によって一部が相殺する。残りの高周波ノ
イズはチョークコイルと連結された貫通導体２４６を通
過する間に貫通導体２４６を挿持するように構成された
セラミック誘電体２３２を含むキャパシター２３０によ
ってその一部が消滅し、最終的には共通電極２３８と接
続されたシールドケース２０１にグラウンドされ完全に
消滅する。

【００４９】

【発明の効果】本発明においては、シールドケース２０
１を一体として打抜折曲して開口部２１１が備えられた
突出部２１０を形成する。上記突出部２１０は従来の技
術でのシールドケースに固定設置されるグラウンド金属
具（図１の４０）の役割を遂行する。上記のように突出
部２１０が従来の技術においてのグラウンド金属具４０
の役割を効果的に遂行するため、別途のグラウンド金属
具を形成する必要がない。従って、材料を節減すること
ができ、グラウンド金属具４０の付着による別途の作業
工程が不要になるので生産性の向上を図ることができ
る。

【００５０】また、別途の電極接続具（図１の５０及び
図５の１５０）の代りに、貫通導体２４６と一体として
電極接続部２５０を形成することで、分離された状態で
の組立の際に発生する垂直度不良及び／または面接状態
不良の問題点を防止する。従って、キャパシターの容量
変化及び耐電圧特性への悪影響を避けることができるの
は勿論、組立の際の工程が減少され、部品数の節減が可
能である。

【００５１】また、絶縁格子を使用することで、固定タ
ブ２６２間の絶縁問題を安定的かつ簡便に解消すること
ができ、マグネトロンを安定的に動作させることができ
る。マグネトロンから生成される高周波のノイズが、貫
通導体２４６を通過する間、貫通導体２４６を挿持する
ように構成されたセラミック誘電体２３２によって消滅
し続き、次いで共通電極２３８と面接したシールドケー
ス２０１にグラウンドされ完全に消滅していく過程で、
本発明は従来の技術に比べて上記グラウンド金属具の役
割を代わって遂行する突出部２１０がシールドケース２
０１に一体として形成されており、セラミック誘電体２
３２の共通電極２３８が上記突出部２１０に直接接面さ
れグラウンド抵抗が減少する。従って、高周波のノイズ
がシールドケース２０１に効果的にグラウンドされ完全
に消滅するのである。

【００５２】また、本発明によれば、シールドケース２
０１にグラウンド金属具４０を固定するための孔を形成
する必要がない反面、従来の技術ではグラウンド金属具
をシールドケースに固定する際に、シールドケースに四
つの孔をあけなければならないためシールドケースにあ
けられた孔を通じて高周波のノイズが流出される。従っ
て、従来の技術でのように、グラウンド金属具の接合孔
を通じてノイズが露出する恐れがない。

【００５３】そして、上記の突出部２０１の周辺に補強
用リブ２１２を形成することで、シールドケース２０１
の強度を高めることができる。以上、本発明を上記の実
施例に基づいて具体的に説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
内で変更及び改良が可能なことは勿論である。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の貫通型キャパシターを含むノイズ遮蔽装
置の分解斜視図である。

【図２】図１のノイズ遮蔽装置の正断面図である。

【図３】上記の従来の貫通型キャパシターを備えたマグ
ネトロンを示す概略部分断面図である。

【図４】（Ａ）は従来の貫通型キャパシターを採用した
ノイズ遮蔽装置においてのノイズの流出を説明するため
のマグネトロンの部分正面図、（Ｂ）は従来の貫通型キ
ャパシターを採用したノイズ遮蔽装置においてのノイズ
の流出を説明するためのマグネトロンの部分側断面図で
ある。

【図５】以前のアメリカ特許出願に記載されたキャパシ
ターの分解斜視図である。

【図６】図５のキャパシターの正断面図である。

【図７】（Ａ）は図５のキャパシターにおいて貫通導体
が垂直度を保持出来ず、貫通孔の中心軸に対して角度を
有して斜めになっている垂直度不良の状態を示す図、
（Ｂ）は電極接続具と分離電極間のギャップによって発
生した面接状態の不良を示す図である。

【図８】本発明の一実施例によるマグネトロンのノイズ
遮蔽装置の分解斜視図である。

【図９】図８のノイズ遮蔽装置の結合状態を示す正断面
図である。

【図１０】図８のノイズ遮蔽装置の結合状態を示す側断
面図である。

【図１１】図９のキャパシター部を拡大したノイズ遮蔽
装置の拡大断面図である。

【図１２】本発明の一例による貫通導体が分離電極上に
固定されている状態を示す部分断面図である。

【図１３】（Ａ）は図１２の貫通導体の正面図、（Ｂ）
は（Ａ）の貫通導体の上部の部分断面図、（Ｃ）は
（Ａ）の貫通導体の底面図である。

【図１４】（Ａ）は本発明の他の例による貫通導体の正
面図、（Ｂ）は（Ａ）の貫通導体の上部の部分断面図、
（Ｃ）は（Ａ）の貫通導体の底面図である。

【図１５】本発明の一実施例によるノイズ遮蔽装置を採
用しているマグネトロンに電源供給用配線のタブが連結
された状態を示す部分斜視図である。

【図１６】（Ａ）は本発明の実施例による貫通型キャパ
シターを採用したノイズ遮蔽装置を採用している電子レ
ンジ用マグネトロンの部分正面図、（Ｂ）は本発明の実
施例による貫通型キャパシターを採用したノイズ遮蔽装
置を採用している電子レンジ用マグネトロンの部分側断
面図である。

【符号の説明】

３０、１３０、２３０ キャパシター ３２、１３２、２３２ セラミック誘電体 ３４、１３４、２３４ 貫通孔 ３６、１３６、２３６ 分離電極 ３８、１３８、２３８ 共通電極 ４０ グラウンド金属具 ４２、１１１、２１１ 開口部 １１０、２１０ 突出部 ４４ 上覆い １１２、２１２ リブ ４６、１４６、２４６ 貫通導体 ４８、１４８、２４８ 絶縁管 ５４、１５４、２５４ 絶縁ケース ５６、１５６、２５６ 絶縁シリンダー ５８、１５８、２５８ 第１絶縁樹脂材 ６０、１６０、２６０ 第２絶縁樹脂材 ６２、１６２、２６２ 固定タブ １００、２０１ シールドケース １１０、２１０ 突出部 ２５０ 電極接続部 ２５１ 環状陥没部 ２５０ａ 折曲部 ２６１ 絶縁格子 ７００ 配線用タブ ８０２ カソードステム ８０４ カソード端子

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成７年６月９日

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１３】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 洪 元 杓 大韓民国京畿道富川市素沙區松内１洞宇成 アパート７−507号 (72)発明者 金 相 鎭 大韓民国仁川市北區葛山洞葛山住公アパー ト104−1508号 (72)発明者 林 炳 甲 大韓民国韓成特別市冠岳區新林本洞11−24 (72)発明者 姜 興 大 大韓民国仁川市北區葛山二洞大東アパート 203−310号 (72)発明者 趙 載 元 大韓民国韓成特別市九老區開峯洞105−115 号

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一側壁に楕円状に形成された開口部を有
   し、上記開口部の周辺に沿って折曲して突出した突出部
   が一体として形成されており、上記突出部の形成部の内
   面にはリセスが形成されているシールドケースと；上記
   シールドケースの開口部に相応する大きさを有し一対の
   貫通孔が形成された楕円シリンダー状のセラミック誘電
   体と；上記セラミック誘電体の上部に分離形成されてい
   る一対の分離電極と；上記セラミック誘電体の下部に上
   記分離電極に対向して形成された共通電極と；上記貫通
   孔に挿入されマグネトロンのチョークコイルに接続され
   ており、その上部に上記分離電極との電気的な接続のた
   めに水平に一体として形成されている電極接続部を含む
   一対の貫通導体と；上記シールドケースの突出部上にそ
   の下部が固定されており、上記セラミック誘電体を取り
   囲む絶縁ケースと；上記シールドケースのリセスにその
   上部が固定されており、上記貫通導体を取り囲む絶縁楕
   円シリンダーとを含む電子レンジ用マグネトロンのノイ
   ズ遮蔽装置。
2. 【請求項２】 上記貫通導体の電極接続部は上記貫通導
   体の外周縁に沿って環状に水平に伸びて形成されている
   ことを特徴とする請求項１記載の電子レンジ用マグネト
   ロンのノイズ遮蔽装置。
3. 【請求項３】 上記電極接続部の底面に上記貫通孔に充
   填される絶縁樹脂材を安定的に充填するために上記電極
   接続部の外周縁と上記貫通導体との間に環状の陥没部が
   形成されていることを特徴とする請求項２記載の電子レ
   ンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置。
4. 【請求項４】 上記電極接続部の外周縁に上記分離電極
   との接触面積を増加させ、貫通導体の垂直安定度を向上
   させるための折曲部が形成されていることを特徴とする
   請求項３記載の電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽
   装置。
5. 【請求項５】 上記絶縁ケースの内部中央上部に形成さ
   れ上記分離電極の境界部位に位置して絶縁格子をさらに
   含むことを特徴とする請求項１記載の電子レンジ用マグ
   ネトロンのノイズ遮蔽装置。
6. 【請求項６】 上記ノイズ遮蔽装置は上記シールドケー
   スの突出部の周辺に形成されたシールドケースの補強の
   ためのリブをさらに含むことを特徴とする請求項１記載
   の電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置。
7. 【請求項７】 上記ノイズ遮蔽装置は上記絶縁ケース内
   に上記セラミック誘電体を取り囲むように充填されてい
   る第１絶縁樹脂材をさらに含むことを特徴とする請求項
   １記載の電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置。
8. 【請求項８】 上記ノイズ遮蔽装置は上記絶縁シリンダ
   ーの上部に上記貫通導体を取り囲むように充填されてい
   る第２絶縁樹脂材をさらに含むことを特徴とする請求項
   １記載の電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置。
9. 【請求項９】 上記ノイズ遮蔽装置は上記各貫通導体の
   上部に上記貫通導体と一体として形成されており、外部
   との接続のための固定タブをさらに含み、上記固定タブ
   は上記絶縁ケースの外部に露出されていることを特徴と
   する請求項１記載の電子レンジ用マグネトロンのノイズ
   遮蔽装置。
10. 【請求項１０】 上記ノイズ遮蔽装置は上記各貫通導体
    を取り囲む絶縁管をさらに含むことを特徴とする請求項
    １記載の電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置。
11. 【請求項１１】 一側壁に楕円状に形成された開口部を
    有し、上記開口部の周辺に沿って折曲して突出した突出
    部が一体として形成されており、上記突出部の形成部の
    内面にはリセスが形成されているシールドケースと；上
    記シールドケースの開口部に相応する大きさを有し一対
    の貫通孔が形成された楕円シリンダー状のセラミック誘
    電体と；上記セラミック誘電体の上部に分離形成されて
    いる一対の分離電極と；上記セラミック誘電体の下部に
    上記分離電極に対向して形成された共通電極と；上記貫
    通孔に挿入されマグネトロンのチョークコイルに接続さ
    れており、その上部に上記分離電極との電気的な接続の
    ために水平に一体として形成されている電極接続部を含
    み、上記電極接続部はその外周縁に沿って環状に水平に
    伸びて形成されており、上記電極接続部の底面に上記貫
    通孔に充填される絶縁樹脂材を安定的に充填するため
    に、上記接続部の外周縁部とその外周との間に環状陥没
    部が形成されている一対の貫通導体と；上記シールドケ
    ースの突出部上にその下部が固定されており、上記セラ
    ミック誘電体を取り囲む絶縁ケースと；上記シールドケ
    ースのリセスにその上部が固定されており、上記貫通導
    体を取り囲む絶縁楕円シリンダーと；上記絶縁ケース内
    に上記セラミック誘電体を取り囲むように充填されてい
    る第１絶縁樹脂材と；上記絶縁シリンダーの上部に上記
    貫通導体を取り囲むように充填されている第２絶縁樹脂
    材と；上記各貫通導体の上部に上記各貫通導体と一体と
    して形成されており、上記絶縁ケースの外部に露出され
    ている外部との接続のための固定タブと；貫通導体を取
    り囲む絶縁管とを含むことを特徴とする電子レンジ用マ
    グネトロンのノイズ遮蔽装置。
12. 【請求項１２】 上記絶縁管は上記第２絶縁樹脂材によ
    って埋没されていることを特徴とする請求項１１記載の
    電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置。
13. 【請求項１３】 上記絶縁ケースの内部中央上部に形成
    され上記分離電極の境界部位に位置する絶縁格子をさら
    に含むことを特徴とする請求項１１記載の電子レンジ用
    マグネトロンのノイズ遮蔽装置。
14. 【請求項１４】 上記絶縁格子の下端部分は第１絶縁樹
    脂材によって埋没されることを特徴とする請求項１３記
    載の電子レンジ用マグネトロンのノイズ遮蔽装置。
15. 【請求項１５】 上記絶縁格子は上記一対の固定タブ間
    に上記固定タブの高さよりも高く形成することを特徴と
    する請求項１３記載の電子レンジ用マグネトロンのノイ
    ズ遮蔽装置。