JPH087094B2 - 近接型イメージインテンシファイアの駆動方法 - Google Patents
近接型イメージインテンシファイアの駆動方法Info
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- JPH087094B2 JPH087094B2 JP2117905A JP11790590A JPH087094B2 JP H087094 B2 JPH087094 B2 JP H087094B2 JP 2117905 A JP2117905 A JP 2117905A JP 11790590 A JP11790590 A JP 11790590A JP H087094 B2 JPH087094 B2 JP H087094B2
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- JP
- Japan
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- voltage
- mcp
- photocathode
- negative pulse
- pulse voltage
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/50057—Imaging and conversion tubes characterised by form of output stage
- H01J2231/50063—Optical
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/501—Imaging and conversion tubes including multiplication stage
- H01J2231/5013—Imaging and conversion tubes including multiplication stage with secondary emission electrodes
- H01J2231/5016—Michrochannel plates [MCP]
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光量の極端に小さい像のコントラストを増
幅するイメージインテンシファイア（II）の駆動方法に
関するものであり、特に、電子を増幅するマイクロチャ
ンネルプレート（MCP）の電子入力面側に光電面を配置
し電子出力面側に螢光面を配置した構造を持つ近接型II
の駆動方法に関するものである。
幅するイメージインテンシファイア（II）の駆動方法に
関するものであり、特に、電子を増幅するマイクロチャ
ンネルプレート（MCP）の電子入力面側に光電面を配置
し電子出力面側に螢光面を配置した構造を持つ近接型II
の駆動方法に関するものである。
近接型IIに高速シャッタ機能（ゲート機能）を持たせ
ることが従来から行われている。最も一般的な方法とし
て、光電面とMCPの入力面の間に常時は正の電圧を印加
してゲートを閉じておき、所望のタイミングで負パルス
電圧（加速電圧）を印加してその間のみゲートを開くも
のや、これを一歩進めてゲート幅（シャッタ開放時間）
を可変させる目的で、光電面とMCPの入力面にそれぞれ
時間差を持たせた負電圧を印加するもの等がある（テレ
ビジョン学会技術報告Vol,11,No.28,pp31−36（Nov.198
7））。
ることが従来から行われている。最も一般的な方法とし
て、光電面とMCPの入力面の間に常時は正の電圧を印加
してゲートを閉じておき、所望のタイミングで負パルス
電圧（加速電圧）を印加してその間のみゲートを開くも
のや、これを一歩進めてゲート幅（シャッタ開放時間）
を可変させる目的で、光電面とMCPの入力面にそれぞれ
時間差を持たせた負電圧を印加するもの等がある（テレ
ビジョン学会技術報告Vol,11,No.28,pp31−36（Nov.198
7））。
しかし、前者の駆動方法では、リンギングやアイリス
効果が現れるという問題がある。
効果が現れるという問題がある。
すなわち、通常の光電面は、そこに印加される加速用
負パルス電圧の駆動インピーダンスとマッチングをとる
ことが困難であるため、負パルス電圧にリンギングが現
れてしまう。第12図（Ａ）は負パルス電圧のリンギング
の様子を示すものである。そして、光電面−MCP入力面
間のゲインは光電面印加電圧に対してほぼリニアである
ため、負パルス電圧のリンギングの影響は螢光面からの
出力光強度にそのまま影響を与えてしまう。すなわち、
第12図（Ｂ）の出力光強度波形a,bに示すように、負パ
ルス電圧のリンギングによってゲートが開いてしまう。
負パルス電圧の駆動インピーダンスとマッチングをとる
ことが困難であるため、負パルス電圧にリンギングが現
れてしまう。第12図（Ａ）は負パルス電圧のリンギング
の様子を示すものである。そして、光電面−MCP入力面
間のゲインは光電面印加電圧に対してほぼリニアである
ため、負パルス電圧のリンギングの影響は螢光面からの
出力光強度にそのまま影響を与えてしまう。すなわち、
第12図（Ｂ）の出力光強度波形a,bに示すように、負パ
ルス電圧のリンギングによってゲートが開いてしまう。
また、通常の光電面は面抵抗が高いため負パルス電圧
のような急峻な立ち上がりの電圧を印加してもそのRC時
定数によって光電面の中心まですぐには伝搬しない。こ
のため、ゲートの開き方は光電面の円周から中心に向か
って開く「アイリス効果」が現れてしまう。アイリス効
果は実質的な最小ゲート幅を制御することになり、具体
的には現在のところ3ns程度が限界である。
のような急峻な立ち上がりの電圧を印加してもそのRC時
定数によって光電面の中心まですぐには伝搬しない。こ
のため、ゲートの開き方は光電面の円周から中心に向か
って開く「アイリス効果」が現れてしまう。アイリス効
果は実質的な最小ゲート幅を制御することになり、具体
的には現在のところ3ns程度が限界である。
光電面とMCPの入力面にタイミングのずれた別々の負
電圧を与える後者の駆動方法は、前者の駆動方法に比べ
てリンギングの影響は少なくなるが、アイリス効果は依
然として現れてしまう。
電圧を与える後者の駆動方法は、前者の駆動方法に比べ
てリンギングの影響は少なくなるが、アイリス効果は依
然として現れてしまう。
アイリス効果を防止するために、光電面の下地に金属
を蒸着して面抵抗を低くする方法も考えられるが、その
場合には光電面の透過率が落ち、感度が悪くなるという
新たな問題が生じてしまう。
を蒸着して面抵抗を低くする方法も考えられるが、その
場合には光電面の透過率が落ち、感度が悪くなるという
新たな問題が生じてしまう。
本発明の課題は、このような問題点を解消することに
ある。
ある。
上記課題を解決するために本発明の近接型IIの駆動方
法は、MCPの電子出力面を基準電位として螢光面に正の
直流電圧を印加しながらMCPの電子入力面に第１の負パ
ルス電圧を印加すると共に光電面に第１の負パルス電圧
よりも加速電圧分だけ低い第２の負パルス電圧を前記第
１の負パルス電圧とほぼ同時に印加するものである。
法は、MCPの電子出力面を基準電位として螢光面に正の
直流電圧を印加しながらMCPの電子入力面に第１の負パ
ルス電圧を印加すると共に光電面に第１の負パルス電圧
よりも加速電圧分だけ低い第２の負パルス電圧を前記第
１の負パルス電圧とほぼ同時に印加するものである。
第１の負パルス電圧によってMCPのゲートを開き、第
２の負パルス電圧によって光電面のゲートを開くことに
なり、両ゲートが共に開いている間のみ、近接型IIとし
てのゲートが開く。光電面のゲートについては従来方法
と同様にリンギングやアイリス効果が現れる。しかし、
MCPはそのゲインが印加電圧に対して対数的に変化する
ために、MCPゲートにはリンギングやアイリス効果が現
れず、しかもそのゲート幅は印加された負パルス電圧の
ゲート幅の数分の一となる。したがって、両ゲートの重
なった部分である近接型IIとしてのゲートにはリンギン
グやアイリス効果が現れず、しかもそのゲート幅は非常
に短くなる。
２の負パルス電圧によって光電面のゲートを開くことに
なり、両ゲートが共に開いている間のみ、近接型IIとし
てのゲートが開く。光電面のゲートについては従来方法
と同様にリンギングやアイリス効果が現れる。しかし、
MCPはそのゲインが印加電圧に対して対数的に変化する
ために、MCPゲートにはリンギングやアイリス効果が現
れず、しかもそのゲート幅は印加された負パルス電圧の
ゲート幅の数分の一となる。したがって、両ゲートの重
なった部分である近接型IIとしてのゲートにはリンギン
グやアイリス効果が現れず、しかもそのゲート幅は非常
に短くなる。
第１図は本発明が適用される近接型IIおよびその周辺回
路の一実施例を示すブロック図である。近接型II1は、
入射する光を電子に変換する光電面２と、光電面２から
の電子を増幅するマイクロチャンネルプレート（MCP）
３と、MCP3からの電子を可視光に変換する螢光面４とを
備えている。MCP3の電子出力面６は端子９を介して接地
されている。螢光面４は直流電源11によって端子10を介
して正の直流電圧VSが印加されている。光電面２および
MCP3の電子入力面５には、それぞれ端子７および８を介
して高圧パルス発生器12から第２図に示す負パルス電圧
Ａ、Ｂが所望のタイミングで印加される。正の直流電圧
VSとしてたとえば5000V、負パルス電圧Ａとしてたとえ
ば−1200V、負パルス電圧Ｂとしてたとえば−1000Vが印
加される。
路の一実施例を示すブロック図である。近接型II1は、
入射する光を電子に変換する光電面２と、光電面２から
の電子を増幅するマイクロチャンネルプレート（MCP）
３と、MCP3からの電子を可視光に変換する螢光面４とを
備えている。MCP3の電子出力面６は端子９を介して接地
されている。螢光面４は直流電源11によって端子10を介
して正の直流電圧VSが印加されている。光電面２および
MCP3の電子入力面５には、それぞれ端子７および８を介
して高圧パルス発生器12から第２図に示す負パルス電圧
Ａ、Ｂが所望のタイミングで印加される。正の直流電圧
VSとしてたとえば5000V、負パルス電圧Ａとしてたとえ
ば−1200V、負パルス電圧Ｂとしてたとえば−1000Vが印
加される。
第３図は、負パルス電圧Ａ、Ｂの印加による近接型II
1内の各位置における電位変化を示すものである。負パ
ルス電圧Ａ、Ｂが印加されない状態では、実線Ｃで示す
ように光電面２と電子入力面５の間の電圧、およびMCP3
の電圧がいずれも零であるので、光電面２から飛び出し
た電子は電子入力面５に到達しない。すなわち、近接型
II1のゲートは閉じた状態となっている。この状態から
負パルス電圧ＡおよびＢがほぼ同時に印加させると、近
接型II1内の電位状態は第３図の一点鎖線Ｄのようにな
る。すなわち、光電面２と電子入力面５の間に加速電圧
−200V（−1200V−（−1000V））が印加され、MCP3に光
電子増倍用の電圧−1000Vが印加される。したがって、
光電面２に入射した微弱な光によって発生した電子は、
加速されてMCP3の電子入力面５に入射し、MCP3で増倍さ
れ、さらに直流電圧VSで加速されて螢光面４に入射し、
コントラストの増強された像として出力される。すなわ
ち、ゲートが開いた状態となる。
1内の各位置における電位変化を示すものである。負パ
ルス電圧Ａ、Ｂが印加されない状態では、実線Ｃで示す
ように光電面２と電子入力面５の間の電圧、およびMCP3
の電圧がいずれも零であるので、光電面２から飛び出し
た電子は電子入力面５に到達しない。すなわち、近接型
II1のゲートは閉じた状態となっている。この状態から
負パルス電圧ＡおよびＢがほぼ同時に印加させると、近
接型II1内の電位状態は第３図の一点鎖線Ｄのようにな
る。すなわち、光電面２と電子入力面５の間に加速電圧
−200V（−1200V−（−1000V））が印加され、MCP3に光
電子増倍用の電圧−1000Vが印加される。したがって、
光電面２に入射した微弱な光によって発生した電子は、
加速されてMCP3の電子入力面５に入射し、MCP3で増倍さ
れ、さらに直流電圧VSで加速されて螢光面４に入射し、
コントラストの増強された像として出力される。すなわ
ち、ゲートが開いた状態となる。
つぎに、この実施例によれば1ns程度の非常に短い時
間のゲート開放が可能であることを説明する。
間のゲート開放が可能であることを説明する。
第４図は光電面２と電子入力面５の間のゲイン特性を
を示すものである。同図に示すように、印加電圧0Vから
ゲインはすぐに立ち上がり、−200V付近で飽和する曲線
を描く。一方、第５図はMCP3のゲイン特性を示す。同図
に示すように、MCP3のゲインは印加電圧に対して対数的
に上昇する。
を示すものである。同図に示すように、印加電圧0Vから
ゲインはすぐに立ち上がり、−200V付近で飽和する曲線
を描く。一方、第５図はMCP3のゲイン特性を示す。同図
に示すように、MCP3のゲインは印加電圧に対して対数的
に上昇する。
このような特性を踏まえて光電面２−電子入力面５間
（光電面ゲート）およびMCP3の電子入力面５−電子出力
面６間（MCPゲート）に同一形状のパルスを印加した場
合のゲイン特性を第６図に示す。同図において、符号
Ｅ、ＦおよびＧは、それぞれ印加電圧、光電面ゲートお
よびMCPゲート特性である。印加電圧Ｅを図示のように
三角波とし、その半径幅を100とすると、光電面ゲート
のゲート幅は130と拡がるが、MCPゲートのゲート幅は16
と極端に短くなる。MCPゲートのゲート幅がこのように
短くなるのは、上述したようにMCP3のゲインが印加電圧
に対して対数的に上昇するからである。結果として、ト
ータルのゲイン特性は、MCPゲート特性Ｇと同じ形状の
波形となる。すなわち、立上り時T1および立ち下がり時
T2におけるアイリス効果の影響が除去され、しかも極短
時間（1ns程度）のゲート開放を行うことができる。
（光電面ゲート）およびMCP3の電子入力面５−電子出力
面６間（MCPゲート）に同一形状のパルスを印加した場
合のゲイン特性を第６図に示す。同図において、符号
Ｅ、ＦおよびＧは、それぞれ印加電圧、光電面ゲートお
よびMCPゲート特性である。印加電圧Ｅを図示のように
三角波とし、その半径幅を100とすると、光電面ゲート
のゲート幅は130と拡がるが、MCPゲートのゲート幅は16
と極端に短くなる。MCPゲートのゲート幅がこのように
短くなるのは、上述したようにMCP3のゲインが印加電圧
に対して対数的に上昇するからである。結果として、ト
ータルのゲイン特性は、MCPゲート特性Ｇと同じ形状の
波形となる。すなわち、立上り時T1および立ち下がり時
T2におけるアイリス効果の影響が除去され、しかも極短
時間（1ns程度）のゲート開放を行うことができる。
第７図は、２個のMCP31、32を搭載した近接型II1′を
示すものであり、この場合も第１図と同様の駆動方法が
適用できる。
示すものであり、この場合も第１図と同様の駆動方法が
適用できる。
第８図は、本発明の他の実施例を示す図である。ここ
では、光電面２の端子７にインダクタンスLK、MCP3の電
子入力面５の端子８にインダクタンスLmを接続し、イン
ダクタンスLk、Lmの他端に共通の負パルス電圧Ｈを印加
する。負パルス電圧Ｈが印加されるとインダクタンス、
LkLmの作用により互いに振幅の異なる負パルス電圧が端
子７と８の間に印加されることになり、この振幅の差は
光電面２−電子入力面５間の加速電圧となる。インダク
タンスLkおよびLmは、実際にはリード線のインダクタン
スで代用できる程度（数10nH）のものである。
では、光電面２の端子７にインダクタンスLK、MCP3の電
子入力面５の端子８にインダクタンスLmを接続し、イン
ダクタンスLk、Lmの他端に共通の負パルス電圧Ｈを印加
する。負パルス電圧Ｈが印加されるとインダクタンス、
LkLmの作用により互いに振幅の異なる負パルス電圧が端
子７と８の間に印加されることになり、この振幅の差は
光電面２−電子入力面５間の加速電圧となる。インダク
タンスLkおよびLmは、実際にはリード線のインダクタン
スで代用できる程度（数10nH）のものである。
インダクタンスLk、Lmの作用を第９図の等価回路図を
用いて説明する。同図において容量CkおよびCmはそれぞ
れ光電面２およびMCP3の容量であり、 の関係が成り立つ。
用いて説明する。同図において容量CkおよびCmはそれぞ
れ光電面２およびMCP3の容量であり、 の関係が成り立つ。
一般に、容量Ckは容量Cmに対して小さい。一例とし
て、一般的な近接型IIを実際に測定してみたところ、 Ck＝23.3pF Cm＝77.1pF であった。負パルス電圧Ｈ（＝vp）が印加されると、当
然に容量の大きな方すなわちMCP3に電流が流れるため、
Lk＝Lmの場合、MCP3に印加される実際の電圧は、 の電位降下によって光電面２に印加される実際の電圧よ
りも低くなる。
て、一般的な近接型IIを実際に測定してみたところ、 Ck＝23.3pF Cm＝77.1pF であった。負パルス電圧Ｈ（＝vp）が印加されると、当
然に容量の大きな方すなわちMCP3に電流が流れるため、
Lk＝Lmの場合、MCP3に印加される実際の電圧は、 の電位降下によって光電面２に印加される実際の電圧よ
りも低くなる。
発明者の実測によれば、 インダクタンスLk、Lm＝54nH 電圧の立ち上がり時間 〜0.5ns 負パルス電圧Ｈのピーク −1.8kV において、実際に印加される 光電面電圧 −1.5kV MCP電圧 800V を得た。
この実施例によれば、印加する負パルス電圧が１つで
あるので、高圧パルス発生器12として回路構成の簡単な
ものを用いることができる。
あるので、高圧パルス発生器12として回路構成の簡単な
ものを用いることができる。
なお、光電面２およびMCP3に印加する電圧インダクタ
ンスLk、Lmを変えることによって所望の値に設定するこ
とが可能である。
ンスLk、Lmを変えることによって所望の値に設定するこ
とが可能である。
第10図は、第１図の実施例における光電面２および電
子入力面５が高圧パルス発生器12とカップリングコンデ
ンサ91および92を介して接続されているものである。こ
れは光電面２および電子入力面５にそれぞれバイアスV
BkおよびVBmを加えるためである。バイアスVBkおよびV
Bmを加えることによって、高圧パルス発生器12から供給
する駆動負パルス電圧の振幅を小さくすることができ
る。
子入力面５が高圧パルス発生器12とカップリングコンデ
ンサ91および92を介して接続されているものである。こ
れは光電面２および電子入力面５にそれぞれバイアスV
BkおよびVBmを加えるためである。バイアスVBkおよびV
Bmを加えることによって、高圧パルス発生器12から供給
する駆動負パルス電圧の振幅を小さくすることができ
る。
第11図は、これと同様の趣旨で第８図の実施例にカッ
プリングコンデンサ93および94を付加したものである。
プリングコンデンサ93および94を付加したものである。
なお、上述した実施例全体を通して、光電面２と電子
入力面５の間においては、光電面２の電位を多少低く
（−数10V程度）しておくことによりノイズの低減を図
ることができる。
入力面５の間においては、光電面２の電位を多少低く
（−数10V程度）しておくことによりノイズの低減を図
ることができる。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明の近接型IIの駆動方法に
よれば、光電面の面抵抗を下げるなどの特別の工夫を施
さなくとも、1ns程度の高速のゲートを切ることができ
る。また、その際にアイリス効果の影響やリンギングの
影響を受けることがない。
よれば、光電面の面抵抗を下げるなどの特別の工夫を施
さなくとも、1ns程度の高速のゲートを切ることができ
る。また、その際にアイリス効果の影響やリンギングの
影響を受けることがない。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は光電
面および電子入力面に印加すべき負パルス電圧を示す波
形図、第３図は負パルス電圧印加による電位変化を示す
図、第４図は光電面−MCP入力面間のゲイン特性図、第
５図はMCPのゲイン特性図、第６図はこの実施例のゲー
ト特性図、第７図はこの実施例の変形例を示す構成図、
第８図は第２の実施例を示す構成図、第９図はその等価
回路図、第10図および第11図はそれぞれ他の実施例を示
す構成図、第12図は従来方法において発生するリンギン
グの影響を示す波形図である。 １……近接型II、２……光電面、３……MCP、４……螢
光面、５……電子入力面、６……電子出力面、12……高
圧パルス発生器、A,B……負パルス電圧。
面および電子入力面に印加すべき負パルス電圧を示す波
形図、第３図は負パルス電圧印加による電位変化を示す
図、第４図は光電面−MCP入力面間のゲイン特性図、第
５図はMCPのゲイン特性図、第６図はこの実施例のゲー
ト特性図、第７図はこの実施例の変形例を示す構成図、
第８図は第２の実施例を示す構成図、第９図はその等価
回路図、第10図および第11図はそれぞれ他の実施例を示
す構成図、第12図は従来方法において発生するリンギン
グの影響を示す波形図である。 １……近接型II、２……光電面、３……MCP、４……螢
光面、５……電子入力面、６……電子出力面、12……高
圧パルス発生器、A,B……負パルス電圧。
Claims (4)
- 【請求項１】光電面と、この光電面からの電子を増幅す
るマイクロチャンネルプレート（MCP）と、このMCPから
の電子を可視光に変換する螢光面とを備えた近接型イメ
ージインテンシファイアの駆動方法において、 前記MCPの電子出力面を基準電位として前記螢光面に正
の直流電圧を印加しながら前記MCPの電子入力面に第１
の負パルス電圧を印加すると共に前記光電面に前記第１
の負パルス電圧よりも加速電圧分だけ低い第２の負パル
ス電圧を前記第１の負パルス電圧とほぼ同時に印加する
ことを特徴とする近接型イメージインテンシファイアの
駆動方法。 - 【請求項２】MCPの電子出力面を基準電位として前記螢
光面に正の直流電圧を印加しながら前記MCPの電子入力
面および前記光電面にそれぞれ第１および第２のインダ
クトを介して振幅の等しい負パルス電圧を同時に印加す
ることにより、前記MCPの電子入力面に前記第１の負パ
ルス電圧を印加し光電面に前記第２の負パルス電圧を印
加することを特徴とする請求項１に記載の近接型イメー
ジインテンシファイアの駆動方法。 - 【請求項３】MCPの電子出力面を基準電位として前記螢
光面に正の直流電圧を印加しながら前記MCPの電子入力
面および前記光電面にそれぞれ第１および第２のインダ
クトを介して共通の負パルス電圧を印加することによ
り、前記MCPの電子入力面に前記第１の負パルス電圧を
印加し光電面に前記第２の負パルス電圧を印加すること
を特徴とする請求項１に記載の近接型イメージインテン
シファイアの駆動方法。 - 【請求項４】MCPの電子出力面を基準電位として前記螢
光面に正の直流電圧を前記MCPの電子入力面および前記
光電面に負の直流電圧をそれぞれ印加しながら前記MCP
の電子入力面にコンデンサを介して第１の負パルス電圧
を印加すると共に前記光電面に前記第１の負パルス電圧
よりも加速電圧分だけ低い第２の負パルス電圧を前記第
１の負パルス電圧とほぼ同時にコンデンサを介して印加
することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載
の近接型イメージインテンシファイアの駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117905A JPH087094B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 近接型イメージインテンシファイアの駆動方法 |
| US07/694,783 US5204522A (en) | 1990-05-08 | 1991-05-02 | Method for driving a photoelectric device and a method for driving an image intensifier using the photocathode device |
| EP19910304142 EP0456480A3 (en) | 1990-05-08 | 1991-05-08 | A method for driving a photoelectric device and a method for driving an image intensifier using the photoelectric device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117905A JPH087094B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 近接型イメージインテンシファイアの駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0413936A JPH0413936A (ja) | 1992-01-17 |
| JPH087094B2 true JPH087094B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=14723099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117905A Expired - Lifetime JPH087094B2 (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 近接型イメージインテンシファイアの駆動方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5204522A (ja) |
| EP (1) | EP0456480A3 (ja) |
| JP (1) | JPH087094B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH087094B2 (ja) * | 1990-05-08 | 1996-01-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 近接型イメージインテンシファイアの駆動方法 |
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