JPS6372050A - ゲ−ト動作をする像増強装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、像増強管を極めて短時間だけ動作または不動
作に駆動するデー１−動作をする像増強装置に関する。

（従来の技術） ｎ空容器内に配置された光電陰極に画像を投射して、こ
の光電陰極の発生した光電子をマイクロチャンネルプレ
ートで２次元的に増倍し螢光面を励起して増倍された像
を形成する像増強管が知られている。

この形状の像増強管を短時間だけ動作または不動作にす
るために光電陰極とマイクロチャンネルプレートの入力
面間のバイアス電圧をパルス的に変化させる方法が知ら
れている。

光電陰極の電位をマイクロチャンネルプレートの入口側
（入射面）の電位よりも低くすると、光電ＩＩから飛び
出した光電子をマイクロチャンネルプレートに入射する
ことを防止できる。

この電位を逆転させると光電陰極から飛び出した光電子
は、マイクロチャンネルプレートに入射させられる。

さらに第２の方法として、マイクロチャンネルプレート
に加える電圧によって像増強管の利得が決定されること
を利用して、マイクロチャンネルプレートに加える電圧
を制御し、ゲート動作を行わせるものがある。

前述したマイクロチャンネルプレートに加える電圧を制
御する方法は、加えるパルス電圧が大きくなるため、高
速度ゲート動作を行わせる場合には不適当で一般的にあ
まり用いられていない。

そこで、比較的低電圧でゲー［・動作が可能な前述の光
電陰極とマイクロチャンネルプレート間の電圧を；ｔｉ
ｌ！御する前記第１の方法が用いられる。

（発明が解決しようとする問題点） 前記第１の方法では、マイクロチャンネルプレート人ｎ
・Ｊ側の電＋玉を固定電位とし、これに対し、あるバイ
アス電圧をもったパルス電圧を光電陰極に印加し、ゲー
ト動作を行わせる。

このとき、ゲート動作用のパルスは外部のパルス発生装
置から同軸線によって供給されるが、同軸線と像増強装
τのインピーダンス整合を行なう必要がある。

多くの場合インピーダンス整合は困難であり、高速パル
スによるリンギングによって正確にゲート動作ができな
くなる。

この方法でナノ秒程度のゲートを行うためには、光電陰
極に高速パルスを加える高速パルスが立ち上がり時間、
立ち下がり時間共に１ナノ秒以下でかつ振幅が２００Ｖ
、電流容量が数アンペアが必要となる。

パルス波形も矩形に近いものが要求される。

このような条件を満足した上で、パルス幅を広範囲に変
化させることは非常に困難で、簡単な回路で実現するこ
とは不可１１ヒであった。

また、このような高速パルスを光電陰極に印加した場合
、インピーダンス整合が行われていないときには、リン
ギングが発生し、正確に光電陰極の電位を変えることが
できない。

また外部のパルス発生器からゲート罫すｊ用高速パルス
を加える場合、シールドを完全に行わないと、ノイズの
発生が多く、行届装置、例えばテレビカメラなどに悪影
響を与えることが多い。

本発明の目的は、簡単な回路構成により、高速度のゲー
ト動作を正確に行うことができるゲート動作をする像増
強装置を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 前記目的を達成するために、本発明によるゲート動作を
する像増強装置は、１象増強管と、前記像増強管の光電
陰（ア、マイクロチャンネルプレートの入射面にそれぞ
れ抵抗を介して前記光電陰極から放出された電子を順方
向または逆方向に加速する電界を発生する電圧を供給す
る電源装置と、前記光電陰極と抵抗の接続点に一端が、
他端が前記接続点の電圧よりも低い電圧を与える点に接
続されている第１の半導体スイッチと、前記マイクロチ
ャンネルプレートの入射面と抵抗の接続点に一端が、他
端が前記接続点の電圧よりも低い電圧を与える点に接続
されている第２の半導体スイッチと、前記第１および第
２の半導体スイッチを時間間隔をおいて動作させる信号
印加手段から構成されている。

また本発明によるさらに他のゲート動作をする像増強装
置は、像増強管と、前記像増強管の光電陰極、マイクロ
チャンネルプレートの入射面にそれぞれ抵抗を介して前
記光電陰極から放出された電子を順方向または逆方向に
加速する電界を発生するバイアス電圧および動作電圧を
供給する電源装置と、前記光電陰極と抵抗の接続点に一
端が接続されている第１のコンデンサおよび前記マイク
ロヂャンネルプレ−１・の入射面と抵抗の接続点に一端
が接続されている第２のコンデンサと、前記　　　　′
第１および築２のコンデンサの他端を前記バイアス電圧
よりも大きい電圧だけそれぞれ順次変化させる半導体ス
イッチ手段から構成されている。

前記電源装置に常時は逆方向に加速するバイアス電圧を
発生させ、前記半導体スイッチ手段は、第１および第２
のコンデンサの順に電圧を変化させることによりその時
間差だけゲートを開くようにすることができる。

前記電源装置に常時は順方向に加速するバイアス電圧を
発生させ、前記半導体スイッチ手段は、第２および第１
のコンデンサの順に電圧を変化させることによりその時
間差だけゲーｌ−を閉じるようにすることができる。

前記半導体スイッチ手段は、一対のアバランシェトラン
ジスタとすることができる。

前記第１および第２のコンデンサおよび半導体スイッチ
手段は接続インダクタンスが少なくなるように前記像増
強管の電極に近接させて６五することができる。

（実施例） 以下、図面等を参照して、本発明をさらに詳しく説明す
る。

第１図は、本発明によるゲート動作をする像増強装置の
実施例を示す回路図である。

像増強管１の真空容器の入射面の内面には光電陰極１０
が設けられている。

この光電陰極１０に図示しない光学系により被ヨリ定用
の像が結像され、この像に対応する光電子が放出されて
いる。

マイクロチャンネルプレート１２の入射面１２ａと出射
面１２ｂには後述するように光電子増倍用の電圧が印加
される。

像増強管１の真空容器の出射面の内面には螢光面１３が
形成されている。

電源装置の加速電源（Ｖｓ）６の正極は接地されるとと
もに螢光面１３に接続されている。

加速電源（Ｖｅ）６の負極は、マイクロチャンネルプレ
ート主１Ｊｔ　（Ｖ５　）　　５の正極に接続されると
ともに出射面抵抗（Ｒ３）９を介してマイクロチャンネ
ルプレート１２の出射面１２ｂに接続されている。

マイクロチャンネルプレート主電源（Ｖｓ）５の負極は
、閉じバイアス電源（Ｖ４）４の正極に接続されるとと
もに、バイアス切り換えスイッチ１８の端子１８ａに接
続されている。

閉じバイアス電源（Ｖ４）４の負極は開きバイアス電源
（Ｖ３）３の正極に接続されるとともに入射面抵抗（Ｒ
２）８を介してマイクロチャンネルプレート１２の入射
面１２ａに接続されている。

開きバイアス電源（Ｖ３）３の負極はバイアス切り換え
スイッチ１８の端子１８ｂに接続されている。

バイアス切り換えスイッチ１８の共通端子は光電陰極抵
抗（Ｒ＋）、７を介して、光電陰極１０に接続されてい
る。

バイアス切り換えスイッチ１８により、端子１８ａが選
択されている図示の状態は、常時ゲート閉じモードが選
１尺された状態にある。

端子１８ｂが選択されると、當時ゲート開きモードが選
択されることになる。

光電陰極１０と光電陰沌抵抗（Ｒ１）７の接続点（Ａ点
）には第１の半導体スイッチであるアバランシェトラン
ジスタ１６のコレクタが接続されている。

マイクロチャンネルプレート１２の入射面１２ａ抵抗（
Ｒ２）８の接続点（Ｂ点）には第２の半導体スイッチで
あるアバランシェトランジスタ１７のコレクタが接続さ
れている。

アバランシェトランジスタ１６のエミッタはスイッチ２
６の共通端子に、アバランシェトランジスタ１７のエミ
ッタは電源装置の電源２５（Ｖｓ）と電源２４（Ｖ７）
の接続点に接続されており、各トランジスタが導通した
ときに、それぞれのコレクタの電圧を導通前の電圧より
低くする。

電源装置の電源２５（Ｖａ）の負極はスイッチ２６の端
子２６ｂに、電源２４（Ｖ７）の工程はスイッチ１８の
端子１８ｂとスイッチ２６の端子２６ａに接続されてい
る。

第１図に示された回路で電源３．　４．　５．　６．を
除く部分をすべて像増強管１に接近させて、回路を農作
することにより、インピーダンス整合にかかわらず、効
率よく、正確に光電陰極１０およびマイクロチャンネル
プレートの入射百雷＋１１２ａを駆動できる。

実際はアバランシェトランジスタで光電陰極１０とマイ
クロチャンネルプレート１２にゲート用のパルス電圧を
供給するわけであるが、このパルス電圧を光電陰極とチ
ャンネルプレート入射面電極に各々の接続インピーダン
スが最小となるようにアバランシェトランジスタを＠増
強管に接近させて配置する。

マイクロチャンネルプレート主電源５の電圧■５を５０
０Ｖ〜９００■間で可変とし、加速電源６の電圧ｖ６を
６０００Ｖとしである。

次に第２図を参照して、極めて短い時間ゲートを開いて
画（象を得る動作例に一ついて説明する。

バイアス切り換えスイッチ１８の共通端子は第１図に示
すように端子１８ａに接続されており、光電陰極１０の
電圧ＶＡは−（Ｖ５　＋ｖ９　）である。

マイクロチャンネルプレートの入射面１２ａの電圧ＶＢ
は−（Ｖ４　＋Ｖ５＋Ｖｓ　）であって、光電陰極１０
の電圧が■４だけ低く、逆バイアスの状態にある。

第２図に示すようにＴ１の時点にアバランシェトランジ
スタ１６のベースに電圧Ｖ１８を印加し、Ｔ２０時点に
アバランシェトランジスタ１７のベースに電圧Ｖ１９を
印加する。

アバランシェトランジスタ１６がオンとなると光電陰極
１０の電圧ＶＡは−（Ｖ３＋ｖ５＋ｖ６＋Ｖ７）となる
。

続いてＴ２の時点にアバランシェトランジスタ１７のベ
ースに電圧Ｖ１９を印加する。

アバランシェトランジスタ１７がオンとなるとマイクロ
チャンネルプレートの入射面１２ａの電圧ＶＢは−（Ｖ
３＋■４＋Ｖ、＋Ｖ６＋Ｖ７）に下がる。

これにより、Ｔ１〜Ｔ２の期間ＶＢ−ＶΔが正になり、
像増強管１のゲートが短時間開く状態が形成される。

次に第３図を参照して、瓶めて短い時間ゲートを閉じる
動作例について説明する。

バイアス切り換えスイッチ１８の共通端子で端子１８ｂ
を選択する。

これにより光電陰ｐｉＡｌｏの電圧■＾は−（Ｖ３＋ｖ
４＋ｖ５＋■６）となり、マイクロチャンネルプレート
１２の入射面１２ａの電圧ＶＢは−（Ｖ４＋■５＋ｖ８
）となる。

したがって、光電陰極１０の電圧ＶＡはｖ３だけ低く、
光電陰極１０から放出された電子はマイクロチャンネル
プレートの入射面１２ａに到達できる状態にある。

第３図に示すようにＴ３の時点にアバランシェトランジ
スタ１７のベースに電圧Ｖ１９を印加し、Ｔ４の時点に
アバランシェトランジスタ１６のベースに電圧Ｖ１８を
印加する。

アバランシェトランジスタ１７がオンとなると、マイク
ロチャンネルプレートの入射面１２ａの電圧ＶＢは−（
■３＋■４＋■５＋■６−１−■７）に低下する。

続いて第４の時点にアバランシェトランジスタ１７のベ
ースに電圧Ｖ１９が印加され、アバランシェトランジス
タ１７がオンとなると、光電陰極１０の電圧ＶＡは−（
Ｖ３＋ｖ４＋ｖ５＋■６＋■７＋ｖ８）に低下する。

これにより、Ｔ３〜Ｔ４の期間ＶＢ−ＶＡが負になり、
像増強管１のゲートが閉じる状態が形成される。

第４図は、本発明によるゲート動作をするさらに他の像
増強装置の実施例を示す回路図である。

像増強管１の構造は第１図を参照して説明したものと同
じである。

マイクロチャンネルプレート１２の入射面Ｌ２ａと出射
面１２ｂには光電子増倍用の電圧が印加される。

電源装置の加速電源（Ｖｅ）６の正極は接地されるとと
もに螢光面１３に接続されている。

加速電源（Ｖｅ）６の負１重は、マイクロチャンネルプ
レート土量’％ｔ　（Ｖ５　）　　５の正極に接続され
るとともに出射面抵抗（Ｒ３）９を介してマイクロチャ
ンネルプレート１２の出射面１２ｂに接続されている。

マイクロチャンネルプレート主電源（Ｖｓ）５の負極は
、閉じバイアス電源（Ｖ４）４の正極に接続されるとと
もに、バイアス切り換えスイッチ１８の端子１８ａに接
続されている。

閉じバイアス電源（Ｖ４）４の負極は、開きバイアス電
源（Ｖ３）３の正極に接続されるとともに入射面抵抗（
Ｒ２）８を介してマイクロチャンネルプレート１２の入
射面１２ａに接続されている。

開きバイアス電源（Ｖ３）３の負極はバイアス切り換え
スイッチ１８の端子１８ｂに接続されている。

バイアス切り換えスイッチ１８の共通端子は光電陰極抵
抗（Ｒ＋）７を介して、光電陰極１０に接続されている
。

バイアス切り換えスイッチ１日により、端子１８ａが選
択されている図示の状態は、常時ゲート閉じモードが選
択された状態にある。

端子１８ｂが選択されると、常時ゲート開きモードが選
択されることになる。

光電陰極１０と光電陰極抵抗（Ｒ＋）７の接続点くＡ点
）には第１のコンデンサ（Ｃ＋）２０が接続され、マイ
クロチャンネルプレートの入射面１２ａとマイクロチャ
ンネルプレートの入射面抵抗（Ｒ２）８の接続点（Ｂ点
）には第２のコンデンサ（Ｃ２）２１が接続されている
。

第１の半導体スイッチであるアバランシェトランジスタ
１６のエミッタは接地されコレクタには前記第１のコン
デンサ（Ｃ＋）２０の他端に接続されるとともに抵抗（
Ｒ，）１４を介して電１（Ｖｌ）２２に接続されている
。

同様に第２の半導体スイッチであるアバランシェトラン
ジスタ１７のエミッタは接地されコレクタには前記第２
のコンデンサ（Ｃ２）　　２１の他端に接続されるとと
もに抵抗（Ｒ５）１５を介して電源（Ｖ２）２３に接続
されている。

また、第４図に示された回路で電源３，４，５゜６、を
除（部分をすべて像増強管１に接近させて、回路を装作
することにより、インピーダンス整合にかかわらず、効
率よ（、正値に光電陰極１０および入射面電極１２ａを
駆動できる。

実際はアバランシェトランジスタで光電陰極とマイクロ
チャンネルプレートにゲート用のパルス電圧を供給する
わけであるが、このパルス電圧を光電陰極とチャンネル
プレート入射面電極に各々の接続インピーダンスが最小
となるようにアバランシェトランジスタを像増強管に接
近させて配置する。

この実施例では電源３の電圧■３を１５０Ｖ。

電源４の電圧■４を３０Ｖとし、前記ゲート用電源２２
の電圧■１は前記バイアス電源４の電圧■４より大きく
、前記ゲート用電源２３の電圧■２は前記電源３の電圧
Ｖ３より大きくしである。

マイクロチャンネルプレート主電源５の電圧Ｖ５を５０
０ｖ〜９００■間で可変とし、加速電源６の電圧ｖ６を
６０００Ｖとしである。

次に第５図を参照して、極めて短い時間ゲートを開いて
画像を得る動作例について説明する。

バイアス切り換えスイッチ１８は第４図に示すように端
子１８ａに接続されており、光電陰極１０の電圧は−（
■５＋■６）であり、マイクロチャンネルプレートの入
射面１２ａｃ）電圧は−（Ｖ４＋Ｖ５＋ｖ６）であって
、光電陰極１０の電圧が■４だけ低く、逆バイアスの状
態にある。

ゲート用の電圧Ｖ、、Ｖ２を２００Ｖとする。

光電陰↑あ１０の電圧をＶＡ、マイクロチャンネルプレ
ートの入射面１２ａの電圧なＶｌｌで表すことにする。

第５図に示すようにＴ１の時点にアバランシェトランジ
スタ１６のベースに電圧Ｖ１８を印加し、Ｔ２の時点に
アバランシェトランジスタ１７のベースに電圧Ｖ１９を
印加する。アバランシェトランジスタ１６がオンとなる
と光電陰Ｊ、４１０の電圧■Δは２００ｖだけ下がる。

続いてＴ２の時点にアバランシェトランジスタ１７のベ
ースに電圧Ｖ１９を印加する。アバランシェトランジス
タ１７がオンとなるとマイクロチャンネルプレートの入
射面１２ａの電圧ＶＢは２００■だけ下がる。

これにより、Ｔ１〜Ｔ２０期間ＶＢ−ＶＡが正になり、
像増強管１のゲーＩ・が短時間開く状態が形成される。

次に第６図を参照して、極めて短い時間ゲートを閉じる
動作例について説明する。

バイアス切り換えスイッチ１８で端子１８ｂを選択する
。

光電陰極１０の電圧■Δは−（■３＋■４＋Ｖ５±■θ
）となり、マイクロチャンネルプレートの入射面１２ａ
の電圧ＶＢは−（ｖ、＋Ｖ５＋ｖ６）となるから、光電
陰極１０の電圧が■３だけ低く、光電陰極１０から放出
された電子はマイクロチャンネルプレートの入射面１２
ａに到達できる状態にある。

前述の動作例と同様にゲート用の電圧Ｖｌ　＋　　”　
２を２００■とする。

第６図に示すようにＴ３の時点にアバランシェトランジ
スタ１７のベースに電圧Ｖ１９を印加し、Ｔ４の時点に
アバランシェトランジスタ１６のベースに電圧Ｖ１８を
印加する。アバランシェトランジスタ１７がオンとなる
とマイクロチャンネルプレートの入射面１２ａの電圧Ｖ
Ｂは２００Ｖだけ下がる。

続いてＴ４の時点にアバランシェトランジスタ１７０ベ
ースに電圧Ｖ１９を印加する。アバランシェトランジス
タ１７がオンとなるとマイクロチャンネルプレートの入
射面１２ａの電圧ＶＢは２００■だけ下がる。

これにより、Ｔ３〜Ｔ４の期間ＶＢ−ＶＡが負になり、
像増強管１のゲートが閉じる状態が形成される。

（発明の効果） 以上詳しく説明したように、本発明によるゲート動作を
する像増強装置は、像増強管と、前記１象増強管の光電
陰極、マイクロチャンネルプレートの入射面にそれぞれ
抵抗を介して前記光電陰極から放出された電子を順方向
または逆方向に加速する電界を発生するバイアス電圧お
よび動作電圧を供給する電源装置と、前記光電陰陽と抵
抗の接続点に一端が接続されている第１のコンデンサお
よび前記マイクロチャンネルプレートの入射面と抵抗の
接続点に一６ｉｉｉが接続されている第２のコンデンサ
と、前記第１および第２のコンデンサの他端を前記バイ
アス電圧よりも大きい電圧だけそれぞれ順次変化させる
半導体スイッチ手段から構成されている。

またさらに他の装置は、像増強管と、前記１象増強管の
光電陰極、マイクロチャンネルプレートの入射面にそれ
ぞれ抵抗を介して前記光電陰極から放出された電子を順
方向または逆方向に加速する電界を発生するバイアス電
圧を供給する電源装置と、前記光電陰極と抵抗の接続点
に一端が接続されている第１のコンデンサおよび前記マ
イクロチャンネルプレートの入射面と抵抗の接続点に一
端が接続されている第２のコンデンサと、前記第１およ
び築２のコンデンサの他端を前記バイアス電圧よりも大
きい電圧だけそれぞれ順次変化さヒる半導体スイッチ手
段から構成されている。

したがって、従来の装置のようにパルス電圧を供給する
ための同軸線路と増倍管の間のインピーダンス不整合に
よる問題は完全に解決できる。

前記構成によればゲートパルスを形成する回路を光電陰
極とマイクロチャンネルプレートに近接して配室するこ
とにより、好ましくない結合インダクタンスを小さくす
ることができる。

半導体スイッチとしてアバランシェトランジスタを用い
その高速の立ち上がり時間（１ｎａｎｏ　　ｓｅｃ以下
）部分のみをゲートの開閉に用いることによりて、高速
度のゲート動作が可能となった。

さらに、ゲート駆動回路の放電のための時定数を大きく
することによって、ゲートパルスが加わった光電陰極や
マイクロチャンネルプレートの電位を長時間（数ｍ　５
ｅｃ）保持することができるため、ゲート幅を広範囲に
変化させることができる。

さらに、像増強管の光電陰極に与えるバイアス電圧を変
更するだけで常時動作、または常時非動作のゲート動作
を行うことができる。

また、アバランシェトランジスタをＦ′Ｊ：、増強管に
近接して接続することにより、インピーダンス整合に関
係な（、効率よく、正確に光電陰極とマイクロチマンネ
ルプレートの光電子入射面を駆動することができ、さら
に高速高圧パルスによる発生ノイズのシールドも容易に
行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるゲート動作をする像増強装置の
他の実施例を示す回路図である。 第２図は、第１図に示した実施例のデー１−開きモード
の動作を説明するための波形図である。 第３図は、第１図に示した実施例のゲート閉じモードの
動作を説明するための波形図である。 第４図は、本発明によるゲート動作をする像増強装置の
他の実施例を示す回路図である。 第５図は、第４図に示した実施例のゲート開きモードの
動作を説明するための波形図である。 第６図は、第４図に示した実施例のゲート閉じモードの
動作を説明するための波形図である。 １・・・像増強管 ３・・・開きバイアス電源（ｖ３） ４・・・閉じバイアス電源（■４） ５・・・マイクロチャンネルプレート主電源（■５）６
・・・加速電源（■６） ７・・・光電陰極抵抗（Ｒ１） ８・・・入射面抵抗（Ｒ２） ９・・・出射面抵抗（Ｒ３） １０・・・像増強管の光電陰極 １２・・・像増強管のマイクロチャンネルプレート１２
ａ・・・マイクロチャンネルプレートの入射面１２ｂ・
・・マイクロチャンネルプレートの出射面１３・・・像
増強管の螢光面 １４．１５・・・半導体スイッチの負荷抵抗１６．１７
・・・（半導体スイッチ）アバランシェトランジスタ １８・・・バイアス切り換えスイッチ ２０・・・第１のコンデンサ ２１・・・第２のコンデンサ ２２・・・ゲート電源（■１） ２３・・・ゲート電源（■２） ２４・・・ゲート電源（■７） ２５・・・ゲート電源（ｖ８） 特許出願人　浜松ホトニクス株式会社 代理人　弁理士　　井　ノ　ロ　　壽 手続補正書 日計０６１年１１月２１日 蒙６１年特　許　願第２１５４０１号 ２、発明の名称 ゲート釧乍をする像増強装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 ４、代　理　人 ７ＮＨ−Ｖｌ！ｌ（力＜団匍六刀−７ノマ→ン・ンアト
丹ン・ブス々補正の内容（特願昭６ｌ−２１５４０１）
（１１明細書第４頁第７行目の「低く」を「高く」に補
正する。 （２）明細書第１１頁第１６行目の「・・・低くする。 」の次に「なお、スイッチ２６と前記スイッチ１８の動
作は連動させられている。」を加入する。 （３）明細書第１３頁第１１目の「低く」を「高く」に
補正する。 （４）明細書第１３頁第１１行目から同第１２行目のｒ
　−（Ｖ３　＋Ｖ５　＋Ｖ、　＋Ｖ７）　Ｊをｒ−（Ｖ
３＋Ｖ４　＋ｖ５＋ｖ６）Ｊに補正する。 （５）明細書第１５頁第４行目から同第５行目の「バイ
アス切り換えスイッチ・・・選択する。」を「バイアス
切り換えスイッチ１８．２６の共通端子で端子１８ｂ、
２６ｂを選択する。」に補正する。 （６）明細書第１５頁第２行目から同第６行目の「続い
てＴ４・・・低下する。」を「続いてＴ４の時点にアバ
ランシェトランジスタ１６のベースに７７′Ｉ賎占Ｉ−
マバらソ、１ノーにちソ・フフ〃１６箇へ−フ−（ｖ３
＋ｖ、＋Ｖ５　＋ＶＣ＋ｖ７＋ｖ８　＞に低下する。」
に補正する。 （７）明細書第１６頁第７行目の「の端子１８ａ」を削
除する。 （８）明細書第１６頁第１３行目の「の端子１８ｂ」を
削除する。 （９）明細書第１６頁第１８行目の「端子１８ａ」を「
端子１日ｂ」に補正する。 ０■　明細書第１７頁第１行目の「端子１８ｂ」を「端
子１８ａ」に補正する。 （１１）明細書第１９頁第２行目の「端子１８ａ」を「
端子１８ｂ」に、補正する。 （１２）　　明細書第１９頁第６行目の「低く」を「高
く」に補正する。 （１３）明細書第２１頁第３行目のｒ２００ＶＪを［Ｖ
２　　（２００Ｖ）Ｊに補正する。 （１４）明細書第２１頁第５行目から同第９行目の「続
いてＴ４　・・・たけ下がる。」を［続いてＴ４Ｌ／７
’Ｉｊｆ　品９ｗ　Ｉハフ　−”Ｊ　工ｒ７７　：／　
／ｚ　７１０　Ｌ／、、／　−”　　／％り１６がオン
となると、光電陰極１０の電圧ＶＡはＶｌ　　（２００
Ｖ）だけ下がる。」に補正する。 （１５）明細書第２１頁第１４行目から同第２２頁第７
行目の「以上詳しく・・・構成されている。」を以下の
とおり補正する。 「以上詳しく説明したように、本発明によるゲート動作
をする＠増強装置は、像増強管と、前記像増強管の光電
陰極、マイクロチャンネルプレートの入射面にそれぞれ
抵抗を介して前記光電陰極から放出された電子を順方向
または逆方向に加速する電界を発生する電圧を供給する
電源装置と、前記光電陰極と抵抗の接続点に一端が、他
端が前記接続点の電圧よりも低い電圧を与える点に接続
されている第１の半導体スイッチと、前記マイクロチャ
ンネルプレートの入射面と抵抗の接続点に一端が、他端
が前記接続点の電圧よりも低い電圧を与える点に接続さ
れている第２の半導体スイッチと、前記第１および第２
の半導体スイッチを時間間隔をおいて動作させる信号印
加手段から構成されている。」 （１６）明細書第２４頁第７行目の「他の実施例」を「
実施例」に補正する。 （１７）明細書第２５頁第１７行目の「１８・・・バイ
アス切り換えスイッチ」をｒ１８，２６・・・バイアス
切り換えスイッチ」に補正する。 （１８）添付図面の第１図乃至第６図を別添の第１図乃
至第６図にそれぞれ補正する。 以　　　上

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）像増強管と、前記像増強管の光電陰極、マイクロ
   チャンネルプレートの入射面にそれぞれ抵抗を介して前
   記光電陰極から放出された電子を順方向または逆方向に
   加速する電界を発生する電圧を供給する電源装置と、前
   記光電陰極と抵抗の接続点に一端が、他端が前記接続点
   の電圧よりも低い電圧を与える点に接続されている第１
   の半導体スイッチと、前記マイクロチャンネルプレート
   の入射面と抵抗の接続点に一端が、他端が前記接続点の
   電圧よりも低い電圧を与える点に接続されている第２の
   半導体スイッチと、前記第１および第２の半導体スイッ
   チを時間間隔をおいて動作させる信号印加手段から構成
   したゲート動作をする像増強装置。
2. （２）前記第１および第２の半導体スイッチは、アバラ
   ンシェトランジスタである特許請求の範囲第１項記載の
   ゲート動作をする像増強装置。
3. （３）像増強管と、前記像増強管の光電陰極、マイクロ
   チャンネルプレートの入射面にそれぞれ抵抗を介して前
   記光電陰極から放出された電子を順方向または逆方向に
   加速する電界を発生するバイアス電圧を供給する電源装
   置と、前記光電陰極と抵抗の接続点に一端が接続されて
   いる第１のコンデンサおよび前記マイクロチャンネルプ
   レートの入射面と抵抗の接続点に一端が接続されている
   第２のコンデンサと、前記第１および第２のコンデンサ
   の他端を前記バイアス電圧よりも大きい電圧だけそれぞ
   れ順次変化させる半導体スイッチ手段から構成したゲー
   ト動作をする像増強装置。
4. （４）前記電源装置は常時は逆方向に加速するバイアス
   電圧を発生しており、前記半導体スイッチ手段は、第１
   および第２のコンデンサの順に電圧を変化させることに
   よりその時間差だけゲートを開くようにした特許請求の
   範囲第３項記載のゲート動作をする像増強装置。
5. （５）前記電源装置は常時は順方向に加速するバイアス
   電圧を発生しており、前記半導体スイッチ手段は、第２
   および第１のコンデンサの順に電圧を変化させることに
   よりその時間差だけゲートを閉じるようにした特許請求
   の範囲第３項記載のゲート動作をする像増強装置。
6. （６）前記第１および第２のコンデンサおよび半導体ス
   イッチ手段は接続インダクタンスが少なくなるように前
   記像増強管の電極に近接させて配置されている特許請求
   の範囲第３項記載のゲート動作をする像増強装置。