JPH0870060A - セラミック多層パッケージ - Google Patents
セラミック多層パッケージInfo
- Publication number
- JPH0870060A JPH0870060A JP20494494A JP20494494A JPH0870060A JP H0870060 A JPH0870060 A JP H0870060A JP 20494494 A JP20494494 A JP 20494494A JP 20494494 A JP20494494 A JP 20494494A JP H0870060 A JPH0870060 A JP H0870060A
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- Japan
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- base plate
- frame
- metal film
- holes
- package
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- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 内部に構成されるマイクロ波集積回路装置な
どの特性を安定にでき、また、小形化ができるセラミッ
ク多層パッケージパッケージを提供すること。 【構成】 表面に電気回路が、裏面に接地面となる金属
膜が形成されたベースプレート１１と、電気回路を囲む
ようにベースプレート上に配置され、ベースプレートと
反対側の面に金属膜が形成されたフレーム１２と、ベー
スプレートの側面に形成される信号端子１３ａ〜１３ｄ
とを具備し、フレームとベースプレートにスルーホール
１４ａ〜１４ｎを形成し、フレーム上面の金属膜とベー
スプレート裏面の金属膜を電気的に接続している。
どの特性を安定にでき、また、小形化ができるセラミッ
ク多層パッケージパッケージを提供すること。 【構成】 表面に電気回路が、裏面に接地面となる金属
膜が形成されたベースプレート１１と、電気回路を囲む
ようにベースプレート上に配置され、ベースプレートと
反対側の面に金属膜が形成されたフレーム１２と、ベー
スプレートの側面に形成される信号端子１３ａ〜１３ｄ
とを具備し、フレームとベースプレートにスルーホール
１４ａ〜１４ｎを形成し、フレーム上面の金属膜とベー
スプレート裏面の金属膜を電気的に接続している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波集積回路、
例えばマイクロ波電力増幅器が内部に構成されるセラミ
ック多層パッケージに関する。
例えばマイクロ波電力増幅器が内部に構成されるセラミ
ック多層パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】自動車電話やコードレス電話など移動体
通信機器に使用される部品は、小形で軽量、そして低コ
ストで量産性に優れるなどの条件が要求される。例えば
リードレスのセラミック多層パッケージは、これらの条
件を満たすものとして、近年、数多く使用されている。
通信機器に使用される部品は、小形で軽量、そして低コ
ストで量産性に優れるなどの条件が要求される。例えば
リードレスのセラミック多層パッケージは、これらの条
件を満たすものとして、近年、数多く使用されている。
【０００３】ここで、従来のセラミック多層パッケージ
について、図２乃至図４を参照して説明する。図２は構
造全体を示す斜視図で、図３や図４は、それぞれ図２の
線Ａ−Ａや線Ｂ−Ｂで断面した図である。なお、図２乃
至図４においては、同一部分には同一の符号が付されて
いる。また、図２では全体の構成が分かるように上部を
覆う蓋が省略されている。
について、図２乃至図４を参照して説明する。図２は構
造全体を示す斜視図で、図３や図４は、それぞれ図２の
線Ａ−Ａや線Ｂ−Ｂで断面した図である。なお、図２乃
至図４においては、同一部分には同一の符号が付されて
いる。また、図２では全体の構成が分かるように上部を
覆う蓋が省略されている。
【０００４】３１はベースプレートで、例えば矩形のセ
ラミック基板である。ベースプレート３１の裏面には金
属膜３２が形成され接地面を構成している。また、ベー
スプレート３１の表面には、ＭＭＩＣチップやＭＩＣ基
板がマウントされ、あるいは回路パターンがパターニン
グされ電気回路が形成される。
ラミック基板である。ベースプレート３１の裏面には金
属膜３２が形成され接地面を構成している。また、ベー
スプレート３１の表面には、ＭＭＩＣチップやＭＩＣ基
板がマウントされ、あるいは回路パターンがパターニン
グされ電気回路が形成される。
【０００５】また、ベースプレート３１上の周辺に沿っ
て矩形状のフレーム３３が形成され、その上面には金属
膜３４が形成されている。
て矩形状のフレーム３３が形成され、その上面には金属
膜３４が形成されている。
【０００６】そして、ベースプレート３１とフレーム３
３の各側壁部分に連続するように断面が半円状の多数の
溝が形成され、フレーム３３上面の金属膜３４とベース
プレート３１裏面の金属膜３２を電気的に接続する接地
端子３５ａ〜３５ｄ、３５ｅ〜３５ｈを構成している。
また、ベースプレート３１の他の２つの側壁部分には断
面が半円状の複数の溝が形成され、ベースプレート３１
表面に形成される電気回路に信号を入力したりあるいは
出力する信号端子３６ａ〜３６ｄ、３６ｅ〜３６ｈを構
成している。なお、信号端子３６ｅ〜３６ｈは、図面の
関係から図２には示されていない。また、信号端子例え
ば３６ａ、３６ｈはベースプレート３１上に形成された
電気回路、例えば信号ライン３７ａ、３７ｈに接続され
ている。また、信号端子例えば３６ａ、３６ｈの下端
は、ベースプレート３１裏面の一部に形成された導電パ
ターン３８ａ、３８ｈに接続されている。
３の各側壁部分に連続するように断面が半円状の多数の
溝が形成され、フレーム３３上面の金属膜３４とベース
プレート３１裏面の金属膜３２を電気的に接続する接地
端子３５ａ〜３５ｄ、３５ｅ〜３５ｈを構成している。
また、ベースプレート３１の他の２つの側壁部分には断
面が半円状の複数の溝が形成され、ベースプレート３１
表面に形成される電気回路に信号を入力したりあるいは
出力する信号端子３６ａ〜３６ｄ、３６ｅ〜３６ｈを構
成している。なお、信号端子３６ｅ〜３６ｈは、図面の
関係から図２には示されていない。また、信号端子例え
ば３６ａ、３６ｈはベースプレート３１上に形成された
電気回路、例えば信号ライン３７ａ、３７ｈに接続され
ている。また、信号端子例えば３６ａ、３６ｈの下端
は、ベースプレート３１裏面の一部に形成された導電パ
ターン３８ａ、３８ｈに接続されている。
【０００７】そして、表面が金属メッキされたセラミッ
ク基板や金属板などの蓋３９で、フレーム３３上方の開
口を覆うことにより、ベースプレート３１上の電気回路
を電気的にシールドするパッケージが構成される。
ク基板や金属板などの蓋３９で、フレーム３３上方の開
口を覆うことにより、ベースプレート３１上の電気回路
を電気的にシールドするパッケージが構成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のセラミック多層
パッケージでは、フレーム３３の上面に金属膜３４を形
成し、この金属膜３４を接地端子３５ａ〜３５ｈによっ
て接地している。したがって直流的（十分低周波）には
接地状態になっている。しかし、１ＧＨｚ以上のマイク
ロ波帯になると、分布定数効果のため完全な接地状態に
ならない。例えば図３の点Ｘ、即ち、ベースプレート３
１裏面の金属膜の端を０Ｖとすると、フレーム３３上面
の外側の点Ｙ、そして内側の点Ｚのように、点Ｘから遠
くなるにつれて電位が高くなる。このため、フレーム３
３上面の内側の電位が最も高くなる。このようにフレー
ム３３上面の電位が高くなると、フレーム３３の金属膜
３４とベースプレート３１上の信号ライン２６ａ、２６
ｈが、図４の点線Ｃで示すように容量結合を起こす。
パッケージでは、フレーム３３の上面に金属膜３４を形
成し、この金属膜３４を接地端子３５ａ〜３５ｈによっ
て接地している。したがって直流的（十分低周波）には
接地状態になっている。しかし、１ＧＨｚ以上のマイク
ロ波帯になると、分布定数効果のため完全な接地状態に
ならない。例えば図３の点Ｘ、即ち、ベースプレート３
１裏面の金属膜の端を０Ｖとすると、フレーム３３上面
の外側の点Ｙ、そして内側の点Ｚのように、点Ｘから遠
くなるにつれて電位が高くなる。このため、フレーム３
３上面の内側の電位が最も高くなる。このようにフレー
ム３３上面の電位が高くなると、フレーム３３の金属膜
３４とベースプレート３１上の信号ライン２６ａ、２６
ｈが、図４の点線Ｃで示すように容量結合を起こす。
【０００９】したがって、パッケージ内部に例えば電力
増幅器が構成されている場合、信号ライン２６ａ、２６
ｈとフレーム３３上面の金属膜３４の容量結合によっ
て、図５で示されるように帰還回路５１が形成される。
なお、図５においてＣ１、Ｃ２は結合容量、そしてＬは
フレーム上面の誘導成分である。また、５０は電力増幅
素子、そしてＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子であ
る。この構成で、帰還回路５１の共振周波数が電力増幅
素子５０が増幅しようとする周波数ｆ0 に近くなると発
振する恐れがある。
増幅器が構成されている場合、信号ライン２６ａ、２６
ｈとフレーム３３上面の金属膜３４の容量結合によっ
て、図５で示されるように帰還回路５１が形成される。
なお、図５においてＣ１、Ｃ２は結合容量、そしてＬは
フレーム上面の誘導成分である。また、５０は電力増幅
素子、そしてＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子であ
る。この構成で、帰還回路５１の共振周波数が電力増幅
素子５０が増幅しようとする周波数ｆ0 に近くなると発
振する恐れがある。
【００１０】ところで、上記した問題を解決するため
に、フレーム３３の周囲全体に接地端子を設け、フレー
ム３３の上面から電位が高い点をなくすことが考えられ
る。この場合、接地端子と信号端子が接近して設けられ
る。しかし、パッケージが小形化してくると、信号端子
や接地端子を形成する半円状の溝の分布が密になり、強
度的な問題が出て来る。このため、信号端子と接地端子
を接近して設けること難しくなり、フレーム３３上面の
金属膜と信号ライン間の容量結合をなくすことができな
い。
に、フレーム３３の周囲全体に接地端子を設け、フレー
ム３３の上面から電位が高い点をなくすことが考えられ
る。この場合、接地端子と信号端子が接近して設けられ
る。しかし、パッケージが小形化してくると、信号端子
や接地端子を形成する半円状の溝の分布が密になり、強
度的な問題が出て来る。このため、信号端子と接地端子
を接近して設けること難しくなり、フレーム３３上面の
金属膜と信号ライン間の容量結合をなくすことができな
い。
【００１１】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、内部に構成されるマイクロ波集積回路装置などの特
性を安定にでき、また、小形化ができるセラミック多層
パッケージパッケージを提供することを目的とする。
で、内部に構成されるマイクロ波集積回路装置などの特
性を安定にでき、また、小形化ができるセラミック多層
パッケージパッケージを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気回路が形
成される領域を表面に有し、接地面となる金属膜が裏面
に形成されたベースプレートと、前記領域を囲むように
前記ベースプレート上に配置され、前記ベースプレート
と反対側の上面に金属膜が形成されたフレームと、前記
ベースプレートの側面に形成される信号端子とを具備し
たセラミック多層パッケージにおいて、前記フレームと
前記ベースプレートにスルーホールを形成し、前記フレ
ーム上面の金属膜と前記ベースプレート裏面の金属膜
を、前記スルーホールを通して電気的に接続している。
成される領域を表面に有し、接地面となる金属膜が裏面
に形成されたベースプレートと、前記領域を囲むように
前記ベースプレート上に配置され、前記ベースプレート
と反対側の上面に金属膜が形成されたフレームと、前記
ベースプレートの側面に形成される信号端子とを具備し
たセラミック多層パッケージにおいて、前記フレームと
前記ベースプレートにスルーホールを形成し、前記フレ
ーム上面の金属膜と前記ベースプレート裏面の金属膜
を、前記スルーホールを通して電気的に接続している。
【００１３】また、前記フレームと前記ベースプレート
に形成されるスルーホールが同じ位置に形成され、前記
フレームから前記ベースプレートに連続するようにして
いる。 また、前記スルーホールを、前記フレームの延
長方向に沿って複数個形成し、かつ互いの間隔を前記回
路パターンを伝送する信号の波長より小さくしている。
に形成されるスルーホールが同じ位置に形成され、前記
フレームから前記ベースプレートに連続するようにして
いる。 また、前記スルーホールを、前記フレームの延
長方向に沿って複数個形成し、かつ互いの間隔を前記回
路パターンを伝送する信号の波長より小さくしている。
【００１４】
【作用】上記した構成によれば、フレームとベースプレ
ートにそれぞれスルーホールが形成されている。そし
て、このスルーホールを接地端子として利用し、フレー
ム上面の金属膜を接地している。したがって、フレーム
上面の金属膜を接地する接地端子を、ベースプレートの
側面に信号端子と一緒に形成する必要がなくなる。この
ため、セラミック多層パッケージが小形化しても、フレ
ームの延長方向に数多くの接地端子を形成することがで
き、電位が高くなる箇所をフレーム上面からなくせる。
ートにそれぞれスルーホールが形成されている。そし
て、このスルーホールを接地端子として利用し、フレー
ム上面の金属膜を接地している。したがって、フレーム
上面の金属膜を接地する接地端子を、ベースプレートの
側面に信号端子と一緒に形成する必要がなくなる。この
ため、セラミック多層パッケージが小形化しても、フレ
ームの延長方向に数多くの接地端子を形成することがで
き、電位が高くなる箇所をフレーム上面からなくせる。
【００１５】また、フレームやベースプレートに形成さ
れるスルーホールを同じ位置にし、フレーム上面からベ
ースプレート裏面までスルーホールが連続するようにす
れば、フレーム上面の金属膜とベースプレート裏面の金
属膜の距離が短くなる。したがって、フレーム上面にお
ける電位の上昇がその分抑えられる。この結果、帰還回
路などの発生を少なくできる。また、帰還回路が発生し
ても、帰還回路の共振周波数が高くなり電力増幅器の発
振などを防げる。
れるスルーホールを同じ位置にし、フレーム上面からベ
ースプレート裏面までスルーホールが連続するようにす
れば、フレーム上面の金属膜とベースプレート裏面の金
属膜の距離が短くなる。したがって、フレーム上面にお
ける電位の上昇がその分抑えられる。この結果、帰還回
路などの発生を少なくできる。また、帰還回路が発生し
ても、帰還回路の共振周波数が高くなり電力増幅器の発
振などを防げる。
【００１６】
【実施例】本発明の一実施例について図１を参照して説
明する。図１は全体の構造を示した斜視図である。
明する。図１は全体の構造を示した斜視図である。
【００１７】１１はベースプレートで、裏面には、接地
面となる金属膜が形成される。また、ベースプレート１
１の表面は、ＭＭＩＣチップやＭＩＣ基板がマウントさ
れ、あるいは回路パターンがパターニングされ、電気回
路（図示せず）が形成される領域になっている。また、
ベースプレート１１の側面には断面が半円の複数の溝が
形成され、信号端子１３ａ〜１３ｄを構成している。こ
れらの信号端子１３ａ〜１３ｄは、ベースプレート１１
表面に形成される電気回路に信号を入力し、あるいは信
号を出力するために使用される。
面となる金属膜が形成される。また、ベースプレート１
１の表面は、ＭＭＩＣチップやＭＩＣ基板がマウントさ
れ、あるいは回路パターンがパターニングされ、電気回
路（図示せず）が形成される領域になっている。また、
ベースプレート１１の側面には断面が半円の複数の溝が
形成され、信号端子１３ａ〜１３ｄを構成している。こ
れらの信号端子１３ａ〜１３ｄは、ベースプレート１１
表面に形成される電気回路に信号を入力し、あるいは信
号を出力するために使用される。
【００１８】そして、ベースプレート１１上の電気回路
が形成される領域を囲むように、ベースプレート１１の
周辺に沿ってフレーム１２が配置されている。フレーム
１２は断面が矩形をしており、その上側の面、即ちベー
スプレート１１と反対側の面には金属膜が形成されてい
る。
が形成される領域を囲むように、ベースプレート１１の
周辺に沿ってフレーム１２が配置されている。フレーム
１２は断面が矩形をしており、その上側の面、即ちベー
スプレート１１と反対側の面には金属膜が形成されてい
る。
【００１９】そして、フレーム１２の中央部には、フレ
ーム１２上面からベースプレート１１の裏面を結ぶ多数
のスルーホール１４ａ〜１４ｎが、フレーム１２の延長
方向に沿って形成されている。このとき、スルーホール
１４ａ〜１４ｎの互いの間隔は、ベースプレート１１表
面の電気回路を伝送する信号の波長より小さくなるよう
にされる。また、スルーホール１４ａ〜１４ｎの内面に
は導電層が形成され、フレーム１２上面の金属膜とベー
スプレート１１裏面の金属膜を電気的に接続し、フレー
ム１２上面の金属膜を接地している。また、表面が金属
メッキされたセラミック基板や金属板などの蓋（図示せ
ず）によって、フレーム１２上方の開口が覆われ、ベー
スプレート１１上に形成された電気回路を電気的にシー
ルドする。
ーム１２上面からベースプレート１１の裏面を結ぶ多数
のスルーホール１４ａ〜１４ｎが、フレーム１２の延長
方向に沿って形成されている。このとき、スルーホール
１４ａ〜１４ｎの互いの間隔は、ベースプレート１１表
面の電気回路を伝送する信号の波長より小さくなるよう
にされる。また、スルーホール１４ａ〜１４ｎの内面に
は導電層が形成され、フレーム１２上面の金属膜とベー
スプレート１１裏面の金属膜を電気的に接続し、フレー
ム１２上面の金属膜を接地している。また、表面が金属
メッキされたセラミック基板や金属板などの蓋（図示せ
ず）によって、フレーム１２上方の開口が覆われ、ベー
スプレート１１上に形成された電気回路を電気的にシー
ルドする。
【００２０】なお、上記した実施例では、各スルーホー
ル１４ａ〜１４ｎがフレーム１２とベースプレート１１
の同じ位置に設けられ、フレーム１２上面からベースプ
レート１１裏面まで連続するように形成されている。し
かし、スルーホールは、フレーム１２部分とベースプレ
ート１１部分とで必ずしも連続させる必要はない。この
場合、ベースプレート１１の例えばフレーム１２と接す
る面に金属膜などを形成し、フレーム１２に形成された
スルーホールとベースプレート１１に形成されたスルー
ホールとが電気的に接続するようにする。
ル１４ａ〜１４ｎがフレーム１２とベースプレート１１
の同じ位置に設けられ、フレーム１２上面からベースプ
レート１１裏面まで連続するように形成されている。し
かし、スルーホールは、フレーム１２部分とベースプレ
ート１１部分とで必ずしも連続させる必要はない。この
場合、ベースプレート１１の例えばフレーム１２と接す
る面に金属膜などを形成し、フレーム１２に形成された
スルーホールとベースプレート１１に形成されたスルー
ホールとが電気的に接続するようにする。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、内部に構成されるマイ
クロ波集積回路装置などの特性を安定にでき、また、小
形化できるセラミック多層パッケージパッケージを実現
できる。
クロ波集積回路装置などの特性を安定にでき、また、小
形化できるセラミック多層パッケージパッケージを実現
できる。
【図１】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図２】従来例を示す斜視図である。
【図３】従来例の断面図である。
【図４】従来例の断面図である。
【図５】従来例を説明する回路図である。
１１…ベースプレート １２…フレーム １３ａ〜１３ｄ…信号端子 １４ａ〜１４ｎ…スルーホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ 6921−4Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 電気回路が形成される領域を表面に有
し、接地面となる金属膜が裏面に形成されたベースプレ
ートと、前記領域を囲むように前記ベースプレート上に
配置され、前記ベースプレートと反対側の上面に金属膜
が形成されたフレームと、前記ベースプレートの側面に
形成される信号端子とを具備したセラミック多層パッケ
ージにおいて、前記フレームと前記ベースプレートにス
ルーホールを形成し、前記フレーム上面の金属膜と前記
ベースプレート裏面の金属膜を、前記スルーホールを通
して電気的に接続したことを特徴とするセラミック多層
パッケージ。 - 【請求項２】 前記フレームと前記ベースプレートに形
成されるスルーホールが同じ位置に形成され、前記フレ
ームから前記ベースプレートに連続するようにしたこと
を特徴とする請求項１記載のセラミック多層パッケー
ジ。 - 【請求項３】 前記スルーホールを、前記フレームの延
長方向に沿って複数個形成し、かつ互いの間隔を前記回
路パターンを伝送する信号の波長より小さくしたことを
特徴とする請求項１または請求項２記載のセラミック多
層パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20494494A JPH0870060A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | セラミック多層パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20494494A JPH0870060A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | セラミック多層パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870060A true JPH0870060A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16498927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20494494A Pending JPH0870060A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | セラミック多層パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0870060A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11265957A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックパッケージ基体及びその製造方法 |
| JP2009010671A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| JP2009010660A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP20494494A patent/JPH0870060A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11265957A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックパッケージ基体及びその製造方法 |
| JP2009010660A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| JP2009010671A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
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