JPH0867984A - プラズマｃｖｄでのクリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄでのクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH0867984A JPH0867984A JP20162094A JP20162094A JPH0867984A JP H0867984 A JPH0867984 A JP H0867984A JP 20162094 A JP20162094 A JP 20162094A JP 20162094 A JP20162094 A JP 20162094A JP H0867984 A JPH0867984 A JP H0867984A
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- JP
- Japan
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- chamber
- film
- cleaning
- gas
- fluorine
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 次回の製膜工程時に残留フッ素の影響がでな
いようにするクリーニング方法を提供する。 【構成】 製膜処理した後のプラズＣＶＤチャンバー内
にフッ素系クリーニングガスを導入し、フッ素系クリー
ニングガスを導入した状態でチャンバー内にプラズマを
立ててチヤンバー内に形成されている膜状堆積物をクリ
ーニングしたのち、チャンバー内に製膜処理用ガスを導
入してプラズマを発生させ、クリーニングガスでのクリ
ーニング後のチャンバー内をシリコン系膜でコーティン
グする。
いようにするクリーニング方法を提供する。 【構成】 製膜処理した後のプラズＣＶＤチャンバー内
にフッ素系クリーニングガスを導入し、フッ素系クリー
ニングガスを導入した状態でチャンバー内にプラズマを
立ててチヤンバー内に形成されている膜状堆積物をクリ
ーニングしたのち、チャンバー内に製膜処理用ガスを導
入してプラズマを発生させ、クリーニングガスでのクリ
ーニング後のチャンバー内をシリコン系膜でコーティン
グする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造分野におけ
るプラズマＣＶＤのクリーニング方法に関する。
るプラズマＣＶＤのクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来技術】プラズマＣＶＤを使用して製膜する場合、
チャンバー壁面やサセプタ壁面にも生成膜が付着する。
この生成膜が成長すると、剥離してパーティクル等の不
純物として製品に生成した膜内に混入することがあるた
め、三フッ化窒素等のフッ素系ガスでクリーニングして
いる。
チャンバー壁面やサセプタ壁面にも生成膜が付着する。
この生成膜が成長すると、剥離してパーティクル等の不
純物として製品に生成した膜内に混入することがあるた
め、三フッ化窒素等のフッ素系ガスでクリーニングして
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のフッ
素系クリーニングガスでクリーニングした場合、チヤン
バーの壁面内等にフッ素成分が残留し、次回の製膜工程
時にその残留フッ素成分が漏出し、製膜成分内に混入す
るという問題があった。そして、この残留フッ素成分は
チヤンバーのベーキングでも除去できなかつた。本発明
はこのような点に着目して提案されたもので、次回の製
膜工程時に残留フッ素の影響がでないようにするクリー
ニング方法を提供することを目的とする。
素系クリーニングガスでクリーニングした場合、チヤン
バーの壁面内等にフッ素成分が残留し、次回の製膜工程
時にその残留フッ素成分が漏出し、製膜成分内に混入す
るという問題があった。そして、この残留フッ素成分は
チヤンバーのベーキングでも除去できなかつた。本発明
はこのような点に着目して提案されたもので、次回の製
膜工程時に残留フッ素の影響がでないようにするクリー
ニング方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、製膜処理した後のプラズマＣＶＤチャ
ンバー内にフッ素系クリーニングガスを導入し、フッ素
系クリーニングガスを導入した状態でチャンバー内にプ
ラズマを立ててチヤンバー内に形成されている膜状堆積
物をクリーニングしたのち、チャンバー内に製膜処理用
ガスを導入してプラズマを発生させることにより、クリ
ーニング後のチャンバー内を、窒化シリコン、アモルフ
ァスシリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン(ＳiＯ
Ｎ)等のシリコン系膜でコーティングするようにしたこ
とを特徴としている。
めに、本発明は、製膜処理した後のプラズマＣＶＤチャ
ンバー内にフッ素系クリーニングガスを導入し、フッ素
系クリーニングガスを導入した状態でチャンバー内にプ
ラズマを立ててチヤンバー内に形成されている膜状堆積
物をクリーニングしたのち、チャンバー内に製膜処理用
ガスを導入してプラズマを発生させることにより、クリ
ーニング後のチャンバー内を、窒化シリコン、アモルフ
ァスシリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン(ＳiＯ
Ｎ)等のシリコン系膜でコーティングするようにしたこ
とを特徴としている。
【０００５】
【作用】本発明では、フッ素系クリーニングガスでＣＶ
Ｄチャンバー内をクリーニングしたのち、チャンバー内
に製膜処理用ガスを導入してプラズマを発生させること
により、クリーニング後のチャンバー内をシリコン系膜
でコーティングするようにしているので、チヤンバー壁
面等に侵入して残留したフッ素成分を窒化シリコン膜で
封じ込めることになり、次の製膜工程時にフッ素成分の
チヤンバー壁面からの遊離を抑制して、クリーニング直
後の製膜工程からフッ素成分混入のない製膜を行うこと
ができるようになる。
Ｄチャンバー内をクリーニングしたのち、チャンバー内
に製膜処理用ガスを導入してプラズマを発生させること
により、クリーニング後のチャンバー内をシリコン系膜
でコーティングするようにしているので、チヤンバー壁
面等に侵入して残留したフッ素成分を窒化シリコン膜で
封じ込めることになり、次の製膜工程時にフッ素成分の
チヤンバー壁面からの遊離を抑制して、クリーニング直
後の製膜工程からフッ素成分混入のない製膜を行うこと
ができるようになる。
【０００６】
【実施例】シリコンウエハーの上に絶縁膜としての窒化
シリコン膜を製膜した後にプラズマＣＶＤのチヤンバー
内に三フッ化窒素ガスを導入し、三フッ化窒素ガスの存
在下でチヤンバー内にプラズマを立てて、チヤンバー内
の壁面やサセプタの表面に形成された窒化シリコン膜を
プラズマ下状態でクリーニングする。
シリコン膜を製膜した後にプラズマＣＶＤのチヤンバー
内に三フッ化窒素ガスを導入し、三フッ化窒素ガスの存
在下でチヤンバー内にプラズマを立てて、チヤンバー内
の壁面やサセプタの表面に形成された窒化シリコン膜を
プラズマ下状態でクリーニングする。
【０００７】三フッ化窒素によるクリーニングが終了す
るとしてのチヤンバー内を窒素ガスでパージし、三フッ
化窒素成分をチヤンバー内から排除したのち、チヤンバ
ー内にシランガス、アンモニアガス、窒素ガス、水素ガ
スの混合物からなる製膜処理用ガスを導入し、チヤンバ
ー内にプラズマを発生させて、チヤンバー内壁やサセプ
タの表面に窒化シリコンの薄膜を付着させてクリーニン
グ操作を完了する。
るとしてのチヤンバー内を窒素ガスでパージし、三フッ
化窒素成分をチヤンバー内から排除したのち、チヤンバ
ー内にシランガス、アンモニアガス、窒素ガス、水素ガ
スの混合物からなる製膜処理用ガスを導入し、チヤンバ
ー内にプラズマを発生させて、チヤンバー内壁やサセプ
タの表面に窒化シリコンの薄膜を付着させてクリーニン
グ操作を完了する。
【０００８】ちなみに、チヤンバーの内壁面に４０００
Åの窒化シリコン膜を形成した場合と、チヤンバー内壁
面に窒化シリコン膜を形成しない場合とで、クリーニン
グ直後に製膜したウエハーでのフッ素の混入量を測定し
たところ、図１のようになった。ここで図１(Ａ)は窒化
シリコン膜を形成した場合、図１(Ｂ)は窒化シリコン膜
を形成しない場合である。
Åの窒化シリコン膜を形成した場合と、チヤンバー内壁
面に窒化シリコン膜を形成しない場合とで、クリーニン
グ直後に製膜したウエハーでのフッ素の混入量を測定し
たところ、図１のようになった。ここで図１(Ａ)は窒化
シリコン膜を形成した場合、図１(Ｂ)は窒化シリコン膜
を形成しない場合である。
【０００９】このグラフによれば、チヤンバー内壁面に
窒化シリコン膜を形成した場合には、製品ウエハーの膜
内へのフッ素成分の混入量がほぼ１／３程度に減少す
る。
窒化シリコン膜を形成した場合には、製品ウエハーの膜
内へのフッ素成分の混入量がほぼ１／３程度に減少す
る。
【００１０】上記実施例では、クリーニングの後に窒化
シリコン膜を生成してチャンバー内面やサセプタの表面
をコーティングするようにしたが、コーティング膜はア
モルファスシリコンや酸化シリコンあるいは酸窒化シリ
コン(ＳiＯＮ)のようなシリコン系の膜であってもよ
い。
シリコン膜を生成してチャンバー内面やサセプタの表面
をコーティングするようにしたが、コーティング膜はア
モルファスシリコンや酸化シリコンあるいは酸窒化シリ
コン(ＳiＯＮ)のようなシリコン系の膜であってもよ
い。
【００１１】
【発明の効果】本発明では、フッ素系クリーニングガス
でＣＶＤチャンバー内をクリーニングしたのち、チャン
バー内に製膜処理用ガスを導入してプラズマを発生させ
ることにより、クリーニング後のチャンバー内をシリコ
ン系の膜でコーティングするようにしているので、チヤ
ンバー壁面等に侵入して残留したフッ素成分をシリコン
系膜で封じ込めることになり、次の製膜工程時にフッ素
成分のチヤンバー壁面からの遊離を抑制して、クリーニ
ング直後の製膜工程からフッ素成分の混入量を減少させ
ることができる。この結果、クリーニング直後から純度
の高い製膜を行うことができるようになる。
でＣＶＤチャンバー内をクリーニングしたのち、チャン
バー内に製膜処理用ガスを導入してプラズマを発生させ
ることにより、クリーニング後のチャンバー内をシリコ
ン系の膜でコーティングするようにしているので、チヤ
ンバー壁面等に侵入して残留したフッ素成分をシリコン
系膜で封じ込めることになり、次の製膜工程時にフッ素
成分のチヤンバー壁面からの遊離を抑制して、クリーニ
ング直後の製膜工程からフッ素成分の混入量を減少させ
ることができる。この結果、クリーニング直後から純度
の高い製膜を行うことができるようになる。
【図１】製品膜での混入成分と膜深さとの関係を示すグ
ラフであり、図１(Ａ)はチヤンバー内周面にフッ素系ク
リーニングガスでクリーニングしたのちに窒化シリコン
膜を形成した場合、図１(Ｂ)はチヤンバー内周面をフッ
素系クリーニングガスでクリーニングしたままの場合を
示す。
ラフであり、図１(Ａ)はチヤンバー内周面にフッ素系ク
リーニングガスでクリーニングしたのちに窒化シリコン
膜を形成した場合、図１(Ｂ)はチヤンバー内周面をフッ
素系クリーニングガスでクリーニングしたままの場合を
示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 製膜処理した後のプラズマＣＶＤチャン
バー内にフッ素系クリーニングガスを導入し、フッ素系
クリーニングガスを導入した状態でチャンバー内にプラ
ズマを立ててチヤンバー内に形成されている膜状堆積物
をクリーニングしたのち、チャンバー内に製膜処理用ガ
スを導入してプラズマを発生させることにより、クリー
ニング後のチャンバー内をシリコン系膜でコーティング
するようにしたプラズマＣＶＤでのクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20162094A JPH0867984A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | プラズマｃｖｄでのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20162094A JPH0867984A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | プラズマｃｖｄでのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0867984A true JPH0867984A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16444086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20162094A Pending JPH0867984A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | プラズマｃｖｄでのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0867984A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016119475A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Ｉｎｎｏｌｕｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 表示パネル |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02240267A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Fujitsu Ltd | Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法 |
| JPH07169700A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 基板の処理装置 |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP20162094A patent/JPH0867984A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02240267A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Fujitsu Ltd | Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法 |
| JPH07169700A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 基板の処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016119475A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Ｉｎｎｏｌｕｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 表示パネル |
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