JPH0867979A - 交換可能なターゲット構造を備えた回転マグネトロン - Google Patents
交換可能なターゲット構造を備えた回転マグネトロンInfo
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- JPH0867979A JPH0867979A JP7215730A JP21573095A JPH0867979A JP H0867979 A JPH0867979 A JP H0867979A JP 7215730 A JP7215730 A JP 7215730A JP 21573095 A JP21573095 A JP 21573095A JP H0867979 A JPH0867979 A JP H0867979A
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- spindles
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、取外し及び交換が容易なタ
ーゲット構造を備えた改善された回転マグネトロンを提
供することにある。 【解決手段】 ターゲット構造の効率的取外し及び交換
が可能な改善された回転マグネトロン。本発明の回転マ
グネトロンは、ターゲット構造と係合すべく伸長するか
又はターゲット構造から離脱すべく後退できる少なくと
も１つのスピンドルを備えた軸線方向に移動可能な構造
を有し、好ましくは更に、スピンドルと改善された回転
マグネトロンのシールハウジングとの間に配置される、
カートリッジとして一体化された水シール及び真空シー
ルを有している。
ーゲット構造を備えた改善された回転マグネトロンを提
供することにある。 【解決手段】 ターゲット構造の効率的取外し及び交換
が可能な改善された回転マグネトロン。本発明の回転マ
グネトロンは、ターゲット構造と係合すべく伸長するか
又はターゲット構造から離脱すべく後退できる少なくと
も１つのスピンドルを備えた軸線方向に移動可能な構造
を有し、好ましくは更に、スピンドルと改善された回転
マグネトロンのシールハウジングとの間に配置される、
カートリッジとして一体化された水シール及び真空シー
ルを有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広くは、基板製品
をスパッタリングによりコーティングするマグネトロン
装置に関し、より詳しくは、交換可能なターゲット構造
を備えた回転マグネトロン装置に関する。更に本発明
は、回転マグネトロン装置のターゲット構造を交換する
改善された方法に関する。
をスパッタリングによりコーティングするマグネトロン
装置に関し、より詳しくは、交換可能なターゲット構造
を備えた回転マグネトロン装置に関する。更に本発明
は、回転マグネトロン装置のターゲット構造を交換する
改善された方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】建築用ガラス、自動車用ウインドシール
ド等の大面積基板のコーティングは、平面マグネトロン
を使用するスパッタリング方法により行なわれている。
このようなコーティングとして、商業ビルディングの窓
に広く使用されている多層太陽光制御コーティングがあ
る。コーティングすべきガラス面積が大きいため、コー
ティング機械は非常に大形である。最近では、このよう
なコーティングを行なうための回転マグネトロン装置が
開発されており、平面マグネトロンに内在する既知の幾
つかの問題を解決している。回転マグネトロンは、Ａｌ
ｅｘ Ｂｏｏｚｅｎｎｙ及びＪｏｓｅｆ Ｔ．Ｈｏｏｇ
の１９９２年３月１７日付米国特許第５，０９６，５６
２号に開示されており、該米国特許の全記載は本願に援
用する。一般に、回転可能なマグネトロンすなわち回転
マグネトロンの作動は、適当な流体冷却を行いながら、
高真空の実質的に円筒状のスパッタリングターゲットを
静止磁気アレーの回りで回転させることを含んでいる。
かくして、回転マグネトロンは、一般に、回転駆動機構
と、磁気アレーの回りでターゲットを回転可能にするベ
アリングと、導電体及び冷却導管とを必要とする。
ド等の大面積基板のコーティングは、平面マグネトロン
を使用するスパッタリング方法により行なわれている。
このようなコーティングとして、商業ビルディングの窓
に広く使用されている多層太陽光制御コーティングがあ
る。コーティングすべきガラス面積が大きいため、コー
ティング機械は非常に大形である。最近では、このよう
なコーティングを行なうための回転マグネトロン装置が
開発されており、平面マグネトロンに内在する既知の幾
つかの問題を解決している。回転マグネトロンは、Ａｌ
ｅｘ Ｂｏｏｚｅｎｎｙ及びＪｏｓｅｆ Ｔ．Ｈｏｏｇ
の１９９２年３月１７日付米国特許第５，０９６，５６
２号に開示されており、該米国特許の全記載は本願に援
用する。一般に、回転可能なマグネトロンすなわち回転
マグネトロンの作動は、適当な流体冷却を行いながら、
高真空の実質的に円筒状のスパッタリングターゲットを
静止磁気アレーの回りで回転させることを含んでいる。
かくして、回転マグネトロンは、一般に、回転駆動機構
と、磁気アレーの回りでターゲットを回転可能にするベ
アリングと、導電体及び冷却導管とを必要とする。
【０００３】このような回転駆動機構及び導管は周囲の
環境から真空チャンバ内に延入しているので、回転マグ
ネトロンは更に、回転駆動機構及び導電体及び冷却導管
の回りに真空シールを使用する必要がある。この目的の
ために真空シール及び回転水シールが使用されており、
このようなシールは、高温及び高機械的負荷の条件下で
漏洩が生じ易い傾向を有する。従来の回転マグネトロン
では、ターゲット構造の取外し及び交換に、厳格な真空
シールの取外し、取扱い及び交換作業を必要とする。こ
のような取扱いはシールを水分及び汚染物質に曝すと同
時に、シールの交換は不適切な再組立ての機会をもたら
す。かくして、これらの回転マグネトロンの再組立て
は、シールの一体性及び有効スパッタリングを行なう上
での厳格な特徴に問題を引き起こす。また、これらのタ
ーゲット構造の取外し及び交換は複雑であり且つ数時間
を要する。このような非効率的な取外し及び交換作業
は、最適生産量に対する労働コスト及び生産コストを無
視できないものとする。また、このような長時間に及ぶ
取外し及び交換の間、コーティングチャンバは周囲の環
境、従って水分及び汚染物質に曝され、このような露出
は、製品の品質及び生産量に悪影響を与える。従って、
これらの回転マグネトロンの再組立てに際しては、不必
要な生産コストが課せられ、多大な製造時間が失われ、
且つ製品の品質が損なわれる。
環境から真空チャンバ内に延入しているので、回転マグ
ネトロンは更に、回転駆動機構及び導電体及び冷却導管
の回りに真空シールを使用する必要がある。この目的の
ために真空シール及び回転水シールが使用されており、
このようなシールは、高温及び高機械的負荷の条件下で
漏洩が生じ易い傾向を有する。従来の回転マグネトロン
では、ターゲット構造の取外し及び交換に、厳格な真空
シールの取外し、取扱い及び交換作業を必要とする。こ
のような取扱いはシールを水分及び汚染物質に曝すと同
時に、シールの交換は不適切な再組立ての機会をもたら
す。かくして、これらの回転マグネトロンの再組立て
は、シールの一体性及び有効スパッタリングを行なう上
での厳格な特徴に問題を引き起こす。また、これらのタ
ーゲット構造の取外し及び交換は複雑であり且つ数時間
を要する。このような非効率的な取外し及び交換作業
は、最適生産量に対する労働コスト及び生産コストを無
視できないものとする。また、このような長時間に及ぶ
取外し及び交換の間、コーティングチャンバは周囲の環
境、従って水分及び汚染物質に曝され、このような露出
は、製品の品質及び生産量に悪影響を与える。従って、
これらの回転マグネトロンの再組立てに際しては、不必
要な生産コストが課せられ、多大な製造時間が失われ、
且つ製品の品質が損なわれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、取外し及び交換が容易なターゲット構造を備えた改
善された回転マグネトロンを提供することにある。本発
明の他の目的は、回転マグネトロンのターゲット構造の
取外し及び交換を効率的に行なう方法を提供することに
ある。
は、取外し及び交換が容易なターゲット構造を備えた改
善された回転マグネトロンを提供することにある。本発
明の他の目的は、回転マグネトロンのターゲット構造の
取外し及び交換を効率的に行なう方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、長手方向軸線
に沿って移動可能な円筒状のスパッタリングターゲット
を回転させるスピンドルを設けることにより、回転マグ
ネトロンを改善する。より詳しくは、スピンドルは、タ
ーゲットの一端に隣接して配置された支持体に対して軸
線方向に移動できる。基板のコーティングを行なう場合
には、スピンドルを支持体から伸長させ、コーティング
中に回転するスパッタリングターゲットと係合させる。
ターゲットのスパッタリング表面が消耗した場合には、
スピンドルを支持体内に後退させ、マグネトロンから取
り外すべくスパッタリングターゲットからスピンドルを
離脱させる。スピンドルを後退させたならば、マグネト
ロンに新しいスパッタリングターゲットを配置し、スピ
ンドルを伸長させて新しいターゲットと係合させ、基板
のコーティング作業の再開時に回転できるようにする。
また本発明は、回転可能な円筒状ターゲット内に静止磁
気アレーを支持する構造の構成に関する改善を提供す
る。この磁石支持構造は、概略的にいえば、ターゲット
の長さに沿って延びる円筒状チューブである（しかしな
がら、該チューブの両端部は、ターゲット端部に隣接す
るスピンドル支持体より短い）。チューブはスピンドル
支持体内に伸長しないので、スピンドルをターゲット端
部から後退させると、チューブはターゲットと一緒にマ
グネトロンから容易に取り外される。
に沿って移動可能な円筒状のスパッタリングターゲット
を回転させるスピンドルを設けることにより、回転マグ
ネトロンを改善する。より詳しくは、スピンドルは、タ
ーゲットの一端に隣接して配置された支持体に対して軸
線方向に移動できる。基板のコーティングを行なう場合
には、スピンドルを支持体から伸長させ、コーティング
中に回転するスパッタリングターゲットと係合させる。
ターゲットのスパッタリング表面が消耗した場合には、
スピンドルを支持体内に後退させ、マグネトロンから取
り外すべくスパッタリングターゲットからスピンドルを
離脱させる。スピンドルを後退させたならば、マグネト
ロンに新しいスパッタリングターゲットを配置し、スピ
ンドルを伸長させて新しいターゲットと係合させ、基板
のコーティング作業の再開時に回転できるようにする。
また本発明は、回転可能な円筒状ターゲット内に静止磁
気アレーを支持する構造の構成に関する改善を提供す
る。この磁石支持構造は、概略的にいえば、ターゲット
の長さに沿って延びる円筒状チューブである（しかしな
がら、該チューブの両端部は、ターゲット端部に隣接す
るスピンドル支持体より短い）。チューブはスピンドル
支持体内に伸長しないので、スピンドルをターゲット端
部から後退させると、チューブはターゲットと一緒にマ
グネトロンから容易に取り外される。
【０００６】また、磁石支持チューブがスピンドル支持
体内で不動に保持されないときには、ターゲットに対し
て常時自由に回転できるように維持される。しかしなが
ら、基板の実際のコーティング中には、磁気アレーは回
転ターゲットに対して静止すべきである。従って、本発
明は更に、スピンドル支持体内で軸線方向に移動可能な
構造であって、磁石支持チューブ内に伸長して該チュー
ブと係合し、これによりコーティング中にチューブ及び
磁気アレーを静止させる構造を提供する。このようなコ
ーティングによりターゲットのスパッタリング表面が消
耗すると、この固定構造はスピンドル支持体内に後退さ
れて磁石チューブから離脱し、これにより、消耗したタ
ーゲットと一緒に磁石チューブを取り外すことができ
る。スピンドル支持体に対しスピンドル及び固定構造が
軸線方向に移動できるため、これらの両者をそれぞれ消
耗したターゲット及び該ターゲット内の磁石支持チュー
ブから簡単に後退させることができ、これにより消耗し
たターゲット及び該ターゲット内の磁気アレーを回転マ
グネトロンから効率的に取り外すことができる。これは
また、スピンドル及び固定構造を新しいスパッタリング
ターゲットに向けて簡単に伸長させて、それぞれ新しい
ターゲット及び該ターゲット内の磁石支持チューブと係
合させ、これにより、消耗したターゲットと新しいスパ
ッタリングターゲットとの効率的交換を可能にする。
体内で不動に保持されないときには、ターゲットに対し
て常時自由に回転できるように維持される。しかしなが
ら、基板の実際のコーティング中には、磁気アレーは回
転ターゲットに対して静止すべきである。従って、本発
明は更に、スピンドル支持体内で軸線方向に移動可能な
構造であって、磁石支持チューブ内に伸長して該チュー
ブと係合し、これによりコーティング中にチューブ及び
磁気アレーを静止させる構造を提供する。このようなコ
ーティングによりターゲットのスパッタリング表面が消
耗すると、この固定構造はスピンドル支持体内に後退さ
れて磁石チューブから離脱し、これにより、消耗したタ
ーゲットと一緒に磁石チューブを取り外すことができ
る。スピンドル支持体に対しスピンドル及び固定構造が
軸線方向に移動できるため、これらの両者をそれぞれ消
耗したターゲット及び該ターゲット内の磁石支持チュー
ブから簡単に後退させることができ、これにより消耗し
たターゲット及び該ターゲット内の磁気アレーを回転マ
グネトロンから効率的に取り外すことができる。これは
また、スピンドル及び固定構造を新しいスパッタリング
ターゲットに向けて簡単に伸長させて、それぞれ新しい
ターゲット及び該ターゲット内の磁石支持チューブと係
合させ、これにより、消耗したターゲットと新しいスパ
ッタリングターゲットとの効率的交換を可能にする。
【０００７】本発明の他の改善は、別の軸線方向に移動
可能なスピンドルをターゲットの反対側の端部に設け、
ターゲットの両端部に配置された支持体内に単にスピン
ドルを後退させることにより、一般的に長く且つ重いス
パッタリングターゲットを充分に支持し且つ容易に取外
し及び交換できるようにすることにある。本発明は、回
転マグネトロンの消耗したターゲットの取外し及び交換
を行なうのに要する時間を、既存の回転マグネトロンの
場合の数時間から本発明の改善された回転マグネトロン
装置の場合の約２０分以下に短縮させることにより、消
耗したターゲットの迅速な取外し及び交換ができるよう
にする。
可能なスピンドルをターゲットの反対側の端部に設け、
ターゲットの両端部に配置された支持体内に単にスピン
ドルを後退させることにより、一般的に長く且つ重いス
パッタリングターゲットを充分に支持し且つ容易に取外
し及び交換できるようにすることにある。本発明は、回
転マグネトロンの消耗したターゲットの取外し及び交換
を行なうのに要する時間を、既存の回転マグネトロンの
場合の数時間から本発明の改善された回転マグネトロン
装置の場合の約２０分以下に短縮させることにより、消
耗したターゲットの迅速な取外し及び交換ができるよう
にする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の他の目的、長所及び特徴
は、添付図面に関連して述べる好ましい実施例について
の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。本発明
の回転マグネトロン装置は、ひとたびそのスパッタリン
グ表面が基板コーティング作業の間に消耗したときに、
円筒状ターゲットの取外し及び交換を効率的に行なうこ
とができる。より詳しくは、本発明の回転マグネトロン
は、最短休止時間で迅速な復帰を図るべく、装置の分解
及び再組立てを簡単化している。このような分解を示す
ため、図１及び図２には、本発明の回転マグネトロンの
分解された状態が示されている。より詳しくは、図示の
装置は、分解される端部１０と、分解される反対側の端
部１２と、これらの両端部１０、１２の間に配置された
円筒状ターゲット１４とを有している。マグネトロンの
端部１０は、図５の部分分解図にも更に示されている。
再組立てを示すため、図３及び図４には、同じ回転マグ
ネトロン装置が完全に組み立てられた状態が示されてお
り、この状態では、ターゲット１４が組み立てられた端
部１０′と組み立てられた反対側の端部１２′との間に
配置される。
は、添付図面に関連して述べる好ましい実施例について
の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。本発明
の回転マグネトロン装置は、ひとたびそのスパッタリン
グ表面が基板コーティング作業の間に消耗したときに、
円筒状ターゲットの取外し及び交換を効率的に行なうこ
とができる。より詳しくは、本発明の回転マグネトロン
は、最短休止時間で迅速な復帰を図るべく、装置の分解
及び再組立てを簡単化している。このような分解を示す
ため、図１及び図２には、本発明の回転マグネトロンの
分解された状態が示されている。より詳しくは、図示の
装置は、分解される端部１０と、分解される反対側の端
部１２と、これらの両端部１０、１２の間に配置された
円筒状ターゲット１４とを有している。マグネトロンの
端部１０は、図５の部分分解図にも更に示されている。
再組立てを示すため、図３及び図４には、同じ回転マグ
ネトロン装置が完全に組み立てられた状態が示されてお
り、この状態では、ターゲット１４が組み立てられた端
部１０′と組み立てられた反対側の端部１２′との間に
配置される。
【０００９】図１〜図４において、ターゲット構造１４
はその一部のみが示されている。なぜならば、一般にタ
ーゲット構造１４は、大面積基板のコーティングを行な
う回転マグネトロンの端部１０又は１０′及び反対側の
端部１２又は１２′に対して非常に長いからである。し
かしながら、分解された（及び組み立てられた）回転マ
グネトロン装置の構成は、図１及び図２の波状補完線
ａ、ｂと図３及び図４の波状補完線ａ′、ｂ′とをそれ
ぞれ整合させ且つ結合させることにより明らかになるで
あろう。この構成では、円筒状ターゲット１４は、第１
ターゲット端部１４ａ及び第２ターゲット端部１４ｂ
（これらの間のターゲット長さＬを定める）を有する。
ターゲットシリンダ１４の外表面には、スパッタリング
ターゲット表面３４が形成されている。ターゲットシリ
ンダ１４は、ターゲット表面３４が磁気スパッタリング
ゾーンを通って回転できるように、長手方向中心軸線３
８の回りで回転する。本発明のスパッタリング装置の上
記説明に続き、類似の特徴及び要素は、ダッシュ（′）
を付す番号で特別に表さない限り、基本的参照番号で表
すものとする。
はその一部のみが示されている。なぜならば、一般にタ
ーゲット構造１４は、大面積基板のコーティングを行な
う回転マグネトロンの端部１０又は１０′及び反対側の
端部１２又は１２′に対して非常に長いからである。し
かしながら、分解された（及び組み立てられた）回転マ
グネトロン装置の構成は、図１及び図２の波状補完線
ａ、ｂと図３及び図４の波状補完線ａ′、ｂ′とをそれ
ぞれ整合させ且つ結合させることにより明らかになるで
あろう。この構成では、円筒状ターゲット１４は、第１
ターゲット端部１４ａ及び第２ターゲット端部１４ｂ
（これらの間のターゲット長さＬを定める）を有する。
ターゲットシリンダ１４の外表面には、スパッタリング
ターゲット表面３４が形成されている。ターゲットシリ
ンダ１４は、ターゲット表面３４が磁気スパッタリング
ゾーンを通って回転できるように、長手方向中心軸線３
８の回りで回転する。本発明のスパッタリング装置の上
記説明に続き、類似の特徴及び要素は、ダッシュ（′）
を付す番号で特別に表さない限り、基本的参照番号で表
すものとする。
【００１０】ここで、図１〜図４に関連して、回転マグ
ネトロンの支持装置を説明する。回転マグネトロン装置
は、支持壁１６を備えた真空チャンバ内に配置される。
真空チャンバ壁１６はその一部のみが示されているけれ
ども、実際には回転マグネトロンの端部１０から反対側
の端部１２まで延びている。端部１０及び端部１２にお
いて、真空チャンバ壁１６にはそれぞれ端ブロック２
２、２４が固定されている。端ブロック２２、２４（以
下、それぞれ、第１及び第２支持構造２２、２４と呼
ぶ）は、回転マグネトロンの分解及び組立てを行なうた
めの、軸線方向に移動可能な構成要素（後述）を支持す
る。これらの内部構成要素には、円筒状ターゲット１４
の端部１４ａ、１４ｂと係合又は離脱すべく軸線方向に
移動されるカバー２６、２８を介してアクセスできる。
この構成により、第１及び第２支持構造２２、２４は、
一般に重い円筒状ターゲット１４の支持体を構成でき
る。ここで、図１、図２及び図５と、図３及び図４とに
それぞれ示す回転マグネトロンの分解と組立てとに関連
して、回転マグネトロンの軸線方向可動構成要素を説明
する。より詳しくは、マグネトロンが組み立てられる
と、第１及び第２支持構造２２、２４は第１スピンドル
３０及び第２スピンドル３２を支持する。第１及び第２
スピンドル３０、３２はそれぞれフランジ３０ａ、３２
ａを有し、これらのフランジは、組立て時にそれぞれ第
１ターゲット端部１４ａ及び第２ターゲット端部１４ｂ
と係合できる形状を有している。
ネトロンの支持装置を説明する。回転マグネトロン装置
は、支持壁１６を備えた真空チャンバ内に配置される。
真空チャンバ壁１６はその一部のみが示されているけれ
ども、実際には回転マグネトロンの端部１０から反対側
の端部１２まで延びている。端部１０及び端部１２にお
いて、真空チャンバ壁１６にはそれぞれ端ブロック２
２、２４が固定されている。端ブロック２２、２４（以
下、それぞれ、第１及び第２支持構造２２、２４と呼
ぶ）は、回転マグネトロンの分解及び組立てを行なうた
めの、軸線方向に移動可能な構成要素（後述）を支持す
る。これらの内部構成要素には、円筒状ターゲット１４
の端部１４ａ、１４ｂと係合又は離脱すべく軸線方向に
移動されるカバー２６、２８を介してアクセスできる。
この構成により、第１及び第２支持構造２２、２４は、
一般に重い円筒状ターゲット１４の支持体を構成でき
る。ここで、図１、図２及び図５と、図３及び図４とに
それぞれ示す回転マグネトロンの分解と組立てとに関連
して、回転マグネトロンの軸線方向可動構成要素を説明
する。より詳しくは、マグネトロンが組み立てられる
と、第１及び第２支持構造２２、２４は第１スピンドル
３０及び第２スピンドル３２を支持する。第１及び第２
スピンドル３０、３２はそれぞれフランジ３０ａ、３２
ａを有し、これらのフランジは、組立て時にそれぞれ第
１ターゲット端部１４ａ及び第２ターゲット端部１４ｂ
と係合できる形状を有している。
【００１１】第１及び第２スピンドル３０、３２のうち
の少なくとも一方が、それぞれ支持構造２２又は２４に
対し、中心軸線３８に沿って軸線方向に移動できる。こ
のように、軸線方向に移動可能なスピンドル３０又は３
２は、組立て時（図３及び図４）にはターゲット端部と
係合すべく容易に伸長し、或いは分解時（すなわち図
５）にはターゲット端部から離脱すべく容易に後退でき
る。より詳しくは、軸線方向に移動可能なスピンドルが
その支持構造に対して充分外方に伸長されると、そのフ
ランジ３０ａ又は３０ｂが隣接するそれぞれのターゲッ
ト端部１４ａ又は１４ｂと係合する。同様に、軸線方向
に移動可能なスピンドルがその支持構造に対して充分内
方に後退されると、そのフランジ３０ａ又は３０ｂがそ
れぞれのターゲット端部から離脱する。このように、一
方のターゲット端部１４ａ、１４ｂが、軸線方向に移動
可能なスピンドルと係合及び離脱することができる。或
いは、両スピンドル３０、３２共軸線方向に移動できる
ようにして、両ターゲット端部１４ａ、１４ｂがこのよ
うに係合及び離脱するように構成できる。簡単化（但し
制限的ではない）のため、以下、特に断らない限り両ス
ピンドルが軸線方向に移動であるとして説明する。
の少なくとも一方が、それぞれ支持構造２２又は２４に
対し、中心軸線３８に沿って軸線方向に移動できる。こ
のように、軸線方向に移動可能なスピンドル３０又は３
２は、組立て時（図３及び図４）にはターゲット端部と
係合すべく容易に伸長し、或いは分解時（すなわち図
５）にはターゲット端部から離脱すべく容易に後退でき
る。より詳しくは、軸線方向に移動可能なスピンドルが
その支持構造に対して充分外方に伸長されると、そのフ
ランジ３０ａ又は３０ｂが隣接するそれぞれのターゲッ
ト端部１４ａ又は１４ｂと係合する。同様に、軸線方向
に移動可能なスピンドルがその支持構造に対して充分内
方に後退されると、そのフランジ３０ａ又は３０ｂがそ
れぞれのターゲット端部から離脱する。このように、一
方のターゲット端部１４ａ、１４ｂが、軸線方向に移動
可能なスピンドルと係合及び離脱することができる。或
いは、両スピンドル３０、３２共軸線方向に移動できる
ようにして、両ターゲット端部１４ａ、１４ｂがこのよ
うに係合及び離脱するように構成できる。簡単化（但し
制限的ではない）のため、以下、特に断らない限り両ス
ピンドルが軸線方向に移動であるとして説明する。
【００１２】本発明では、ターゲットシリンダ１４のこ
のような係合及び離脱は、軸線方向に移動可能なスピン
ドルをマグネトロン装置内で直接取り扱うことなく行な
うことができる。より詳しくは、図３、図４及び図５に
示すように、スピンドル３０、３２内にはそれぞれ第１
及び第２スピンドル位置決め構造５８、６０が配置され
ており、これらのスピンドル位置決め構造５８、６０に
は、それぞれカバー２６、２８を介してマグネトロン装
置の外部からアクセスできる。これらの軸線方向に移動
可能な位置決め構造５８、６０は、それぞれスピンドル
３０、３２と自動的に係合して、該スピンドルをこれら
のターゲット係合位置（図３及び図４）及びターゲット
離脱位置（図５）に移動させる。例えばターゲット係合
は、第１及び第２位置決め構造５８、６０を伸長させ、
且つこれらの構造をターゲットシリンダ１４の端部に配
置された保持構造６２、６４内にそれぞれ不動に固定す
ることにより行なわれる。図３及び図４に示すように、
第１及び第２位置決め構造５８、６０は、保持構造６
２、６４に対し、軸線方向に移動せず且つ回転しないよ
うに固定される。従って、第１及び第２スピンドル３
０、３２は、ターゲット係合位置に軸線方向に不動に固
定され、フランジ３０ａ、３２ａがそれぞれ第１及び第
２ターゲット端部１４ａ、１４ｂと不動に係合する。こ
のターゲット係合位置において、スピンドル３０、３２
は、これと係合する第１及び第２ターゲット端部１４
ａ、１４ｂに対して回転しないように固定され、これに
よりスピンドル及びターゲットシリンダは一体に回転す
る。
のような係合及び離脱は、軸線方向に移動可能なスピン
ドルをマグネトロン装置内で直接取り扱うことなく行な
うことができる。より詳しくは、図３、図４及び図５に
示すように、スピンドル３０、３２内にはそれぞれ第１
及び第２スピンドル位置決め構造５８、６０が配置され
ており、これらのスピンドル位置決め構造５８、６０に
は、それぞれカバー２６、２８を介してマグネトロン装
置の外部からアクセスできる。これらの軸線方向に移動
可能な位置決め構造５８、６０は、それぞれスピンドル
３０、３２と自動的に係合して、該スピンドルをこれら
のターゲット係合位置（図３及び図４）及びターゲット
離脱位置（図５）に移動させる。例えばターゲット係合
は、第１及び第２位置決め構造５８、６０を伸長させ、
且つこれらの構造をターゲットシリンダ１４の端部に配
置された保持構造６２、６４内にそれぞれ不動に固定す
ることにより行なわれる。図３及び図４に示すように、
第１及び第２位置決め構造５８、６０は、保持構造６
２、６４に対し、軸線方向に移動せず且つ回転しないよ
うに固定される。従って、第１及び第２スピンドル３
０、３２は、ターゲット係合位置に軸線方向に不動に固
定され、フランジ３０ａ、３２ａがそれぞれ第１及び第
２ターゲット端部１４ａ、１４ｂと不動に係合する。こ
のターゲット係合位置において、スピンドル３０、３２
は、これと係合する第１及び第２ターゲット端部１４
ａ、１４ｂに対して回転しないように固定され、これに
よりスピンドル及びターゲットシリンダは一体に回転す
る。
【００１３】一例として、第１及び第２スピンドル位置
決め構造５８、６０は、図１〜図５にねじボルトとして
示されている。また、ターゲットシリンダ１４内に配置
される保持構造６２、６４（該保持構造６２、６４は、
１つ以上の保持リング１８、１９によりターゲットシリ
ンダ１４内に保持できる）は、ねじ孔６２ｂ、６４ｂを
備えたプレート６２ａ、６４ａを備えたものが示されて
おり、ねじ孔６２ｂ、６４ｂは、これと補完的に螺合す
る第１及び第２位置決め構造５８、６０をそれぞれ受け
入れる。図示のように、保持構造６２、６４と磁気構造
４０との間には支持ベアリング２０、２１を配置でき
る。ターゲット離脱は、位置決め構造５８、６０の外表
面に沿って現れる係合構造６６、６８がそれぞれ、第１
及び第２スピンドル３０、３２のそれぞれの構造７０、
７２と係合するまで、第１及び第２位置決め構造５８、
６０を後退させることにより行なわれる。例えば、図５
により詳しく示すように、第１位置決め構造５８を充分
に後退させると、係合構造６６は第１スピンドル３０の
構造７０と係合し、これにより、第１スピンドル３０は
係合構造６６と一緒に自動的に後退してターゲット端部
１４ａから離脱する。一例として、図１〜図５には、係
合構造６６、６８がそれぞれ補完フランジ７０、７２と
係合するフランジとして示されている。
決め構造５８、６０は、図１〜図５にねじボルトとして
示されている。また、ターゲットシリンダ１４内に配置
される保持構造６２、６４（該保持構造６２、６４は、
１つ以上の保持リング１８、１９によりターゲットシリ
ンダ１４内に保持できる）は、ねじ孔６２ｂ、６４ｂを
備えたプレート６２ａ、６４ａを備えたものが示されて
おり、ねじ孔６２ｂ、６４ｂは、これと補完的に螺合す
る第１及び第２位置決め構造５８、６０をそれぞれ受け
入れる。図示のように、保持構造６２、６４と磁気構造
４０との間には支持ベアリング２０、２１を配置でき
る。ターゲット離脱は、位置決め構造５８、６０の外表
面に沿って現れる係合構造６６、６８がそれぞれ、第１
及び第２スピンドル３０、３２のそれぞれの構造７０、
７２と係合するまで、第１及び第２位置決め構造５８、
６０を後退させることにより行なわれる。例えば、図５
により詳しく示すように、第１位置決め構造５８を充分
に後退させると、係合構造６６は第１スピンドル３０の
構造７０と係合し、これにより、第１スピンドル３０は
係合構造６６と一緒に自動的に後退してターゲット端部
１４ａから離脱する。一例として、図１〜図５には、係
合構造６６、６８がそれぞれ補完フランジ７０、７２と
係合するフランジとして示されている。
【００１４】ここで、回転マグネトロンの軸線方向に移
動可能な別の構成要素について、回転マグネトロン内の
磁気アレー５６の構成に関連して説明する。図１〜図５
に示すように、ターゲット構造１４内には磁石支持構造
４０が配置されており、該磁石支持構造４０はターゲッ
ト長さＬのほぼ全長に沿って延びている。磁石支持構造
４０は、回転マグネトロンのスパッタリングゾーンを形
成する磁気アレー５６を支持し且つ回転しないように固
定している。通常、磁石支持構造４０は、中心軸線３８
の回りで自由に回転できるように支持されている。しか
しながら、コーティング時には、磁気スパッタリングゾ
ーンは第１支持構造２２に対して静止していなければな
らない。従って、コーティング時に磁石構造４０の回転
位置を固定するための軸線方向に移動可能な固定構造４
２が設けられている。図１、図３及び図５に示すよう
に、固定構造４２は、これを支持する第１支持構造２２
に対して軸線方向に移動でき、第１支持構造２２から磁
石構造４０内に伸長する。コーティングの準備に際し回
転マグネトロン装置を組み立てる場合、固定構造４２が
磁石構造４０内に伸長され、支持構造２２、２４のうち
の一方の支持構造に対する固定構造４２の回転位置を固
定する。このようして、磁気アレー５６及びスパッタリ
ングゾーンも当該支持構造に対して固定される。コーテ
ィング時に、ターゲットシリンダ１４は第１及び第２ス
ピンドル３０、３２を介して中心軸線３８及び固定され
た磁気アレー５６の回りで回転され、これにより、ター
ゲット表面３４が静止スパッタリングゾーンを連続的に
通過する。円筒状ターゲット１４が消耗して取り外す必
要が生じると、磁石構造から固定構造４２を簡単に後退
させ、周囲のターゲットシリンダ１４の取外しを容易に
する。
動可能な別の構成要素について、回転マグネトロン内の
磁気アレー５６の構成に関連して説明する。図１〜図５
に示すように、ターゲット構造１４内には磁石支持構造
４０が配置されており、該磁石支持構造４０はターゲッ
ト長さＬのほぼ全長に沿って延びている。磁石支持構造
４０は、回転マグネトロンのスパッタリングゾーンを形
成する磁気アレー５６を支持し且つ回転しないように固
定している。通常、磁石支持構造４０は、中心軸線３８
の回りで自由に回転できるように支持されている。しか
しながら、コーティング時には、磁気スパッタリングゾ
ーンは第１支持構造２２に対して静止していなければな
らない。従って、コーティング時に磁石構造４０の回転
位置を固定するための軸線方向に移動可能な固定構造４
２が設けられている。図１、図３及び図５に示すよう
に、固定構造４２は、これを支持する第１支持構造２２
に対して軸線方向に移動でき、第１支持構造２２から磁
石構造４０内に伸長する。コーティングの準備に際し回
転マグネトロン装置を組み立てる場合、固定構造４２が
磁石構造４０内に伸長され、支持構造２２、２４のうち
の一方の支持構造に対する固定構造４２の回転位置を固
定する。このようして、磁気アレー５６及びスパッタリ
ングゾーンも当該支持構造に対して固定される。コーテ
ィング時に、ターゲットシリンダ１４は第１及び第２ス
ピンドル３０、３２を介して中心軸線３８及び固定され
た磁気アレー５６の回りで回転され、これにより、ター
ゲット表面３４が静止スパッタリングゾーンを連続的に
通過する。円筒状ターゲット１４が消耗して取り外す必
要が生じると、磁石構造から固定構造４２を簡単に後退
させ、周囲のターゲットシリンダ１４の取外しを容易に
する。
【００１５】本発明では、消耗した円筒状ターゲット１
４を、次のコーティング作業を行なうための新鮮なスパ
ッタリング表面３４をもつ新しい円筒状ターゲット１４
と交換するけれども、磁気アレー５６は再使用できる。
従って、消耗した円筒状ターゲット１４がひとたびマグ
ネトロン及び保持リング１８、１９から取り外され且つ
保持構造６２、６４及び支持ベアリング２０、２１がタ
ーゲット１４の内部から取り外されると、ターゲット１
４内の磁石構造４０が新しい円筒状ターゲット１４に移
され且つ支持ベアリング１８、１９、保持構造６２、６
４及び保持リング１８、１９により該ターゲット１４内
に固定される。移された磁石構造４０を所定位置に配置
したならば、第１及び第２スピンドル３０、３２伸長さ
せて新しいターゲット１４の第１及び第２ターゲット端
部１４ａ、１４ｂと係合させ且つ固定構造４２を伸長さ
せて磁石構造４０と係合させる。図５に示すように、固
定構造４２は、第１支持構造２２内の凹部７４内に嵌合
できるピン４４ａを備えたプラグ４４を有する。ピン４
４ａが凹部７４内に嵌合されると、固定構造４２は第１
支持構造２２に対して回転できないように固定される。
図５に更に示すように、固定構造４２は、プラグ４４の
一端に設けられたロッド４６及びブレード４８を有す
る。ブレード４８は、これが上記のようにして固定され
るとき、磁石構造４０内に配置された固定部材５０と係
合する形状を有している。一例として、固定部材５０
は、ブレード４８を受け入れるスロット５４を備えたバ
ー５２（図５に断面で示す）からなる。
４を、次のコーティング作業を行なうための新鮮なスパ
ッタリング表面３４をもつ新しい円筒状ターゲット１４
と交換するけれども、磁気アレー５６は再使用できる。
従って、消耗した円筒状ターゲット１４がひとたびマグ
ネトロン及び保持リング１８、１９から取り外され且つ
保持構造６２、６４及び支持ベアリング２０、２１がタ
ーゲット１４の内部から取り外されると、ターゲット１
４内の磁石構造４０が新しい円筒状ターゲット１４に移
され且つ支持ベアリング１８、１９、保持構造６２、６
４及び保持リング１８、１９により該ターゲット１４内
に固定される。移された磁石構造４０を所定位置に配置
したならば、第１及び第２スピンドル３０、３２伸長さ
せて新しいターゲット１４の第１及び第２ターゲット端
部１４ａ、１４ｂと係合させ且つ固定構造４２を伸長さ
せて磁石構造４０と係合させる。図５に示すように、固
定構造４２は、第１支持構造２２内の凹部７４内に嵌合
できるピン４４ａを備えたプラグ４４を有する。ピン４
４ａが凹部７４内に嵌合されると、固定構造４２は第１
支持構造２２に対して回転できないように固定される。
図５に更に示すように、固定構造４２は、プラグ４４の
一端に設けられたロッド４６及びブレード４８を有す
る。ブレード４８は、これが上記のようにして固定され
るとき、磁石構造４０内に配置された固定部材５０と係
合する形状を有している。一例として、固定部材５０
は、ブレード４８を受け入れるスロット５４を備えたバ
ー５２（図５に断面で示す）からなる。
【００１６】簡単化（但し制限的ではない）のため、固
定構造４２は第１支持構造２２に関連して説明した。し
かしながら、固定構造４２は、第２支持構造２４により
同様に支持して、磁石構造４０内に伸長するように第２
支持構造に対して軸線方向に移動可能に構成できること
は理解されよう。同様に、固定構造４２が第２支持構造
２４により支持される場合には、第２支持構造２４に対
して固定構造４２が回転しないように固定する凹部（図
示せず）を第２支持構造２４に設けることも理解されよ
う。第１及び第２支持構造２２、２４のうちの一方が、
そのそれぞれのスピンドル位置決め構造５８又は６０及
び固定構造４２の両方を支持することは当然である。従
って、図１、図３及び図５に示すように、スピンドル位
置決め構造５８は中空であり、この中に固定手段４２が
支持され且つ軸線方向に移動できるようになっている。
図１、図３及び図５では、一方の支持構造が第１支持構
造２２であるとして示されているけれども、この支持構
造を、固定手段４２を内部に支持できる中空スピンドル
位置決め構造６０を備えた第２支持構造２４で構成でき
ることも理解されよう。
定構造４２は第１支持構造２２に関連して説明した。し
かしながら、固定構造４２は、第２支持構造２４により
同様に支持して、磁石構造４０内に伸長するように第２
支持構造に対して軸線方向に移動可能に構成できること
は理解されよう。同様に、固定構造４２が第２支持構造
２４により支持される場合には、第２支持構造２４に対
して固定構造４２が回転しないように固定する凹部（図
示せず）を第２支持構造２４に設けることも理解されよ
う。第１及び第２支持構造２２、２４のうちの一方が、
そのそれぞれのスピンドル位置決め構造５８又は６０及
び固定構造４２の両方を支持することは当然である。従
って、図１、図３及び図５に示すように、スピンドル位
置決め構造５８は中空であり、この中に固定手段４２が
支持され且つ軸線方向に移動できるようになっている。
図１、図３及び図５では、一方の支持構造が第１支持構
造２２であるとして示されているけれども、この支持構
造を、固定手段４２を内部に支持できる中空スピンドル
位置決め構造６０を備えた第２支持構造２４で構成でき
ることも理解されよう。
【００１７】軸線方向に移動可能な上記内部構成要素の
支持体を構成することに加え、第１支持構造２２は、全
体として、回転マグネトロンの端部１０において、ター
ゲット端部１４に冷却流体を供給し及びターゲット端部
１４から冷却流体を排出するための導管（図示せず）を
も構成する。かくして、端部１０において、スピンドル
位置決め構造５８は、図１、図３及び図５に示すように
その全長に亘って中空であり、冷却流体が通り得るよう
になっている。反対側の端部１２において、第２支持構
造２４は、全体として、駆動源（図示せず）、プーリ８
４及びプーリベアリング（図示せず）を含む、ターゲッ
ト構造１４を回転させる動力装置を構成している。一例
として、プーリ８４は、一体導電リング（図示せず）を
備えた駆動プーリで構成できる。更に第２支持構造２４
は、全体として、図２に示すように、導電体８６及び電
気的接触装置８８を含む、ターゲット構造１４のスパッ
タリング表面３４を電気的に付勢する電気装置を構成す
る。一例として、導電体８６はカーボンブラシで構成で
き、一方電気的接触装置８８はばね付勢形導電バンドで
構成できる。通常、回転マグネトロンのこの反対側の端
部１２には冷却流体が供給されないので、スピンドル位
置決め構造６０を、その実質的に全長に亘って中空にす
る必要はない。それどころか、図２及び図４に示すよう
に、その端部６０ａを中実に形成して、図４に示すよう
にスラストベアリング６１に隣接して配置することがで
きる。かくして、スピンドル位置決め構造６０の中空部
分を通って流れる冷却流体は、図４の矢印Ａで示すよう
に、孔６０ｂ、６０ｃから流出して、スピンドル位置決
め構造６０の外面と第２スピンドル３２の内面との間の
チャンネル内に流入する。
支持体を構成することに加え、第１支持構造２２は、全
体として、回転マグネトロンの端部１０において、ター
ゲット端部１４に冷却流体を供給し及びターゲット端部
１４から冷却流体を排出するための導管（図示せず）を
も構成する。かくして、端部１０において、スピンドル
位置決め構造５８は、図１、図３及び図５に示すように
その全長に亘って中空であり、冷却流体が通り得るよう
になっている。反対側の端部１２において、第２支持構
造２４は、全体として、駆動源（図示せず）、プーリ８
４及びプーリベアリング（図示せず）を含む、ターゲッ
ト構造１４を回転させる動力装置を構成している。一例
として、プーリ８４は、一体導電リング（図示せず）を
備えた駆動プーリで構成できる。更に第２支持構造２４
は、全体として、図２に示すように、導電体８６及び電
気的接触装置８８を含む、ターゲット構造１４のスパッ
タリング表面３４を電気的に付勢する電気装置を構成す
る。一例として、導電体８６はカーボンブラシで構成で
き、一方電気的接触装置８８はばね付勢形導電バンドで
構成できる。通常、回転マグネトロンのこの反対側の端
部１２には冷却流体が供給されないので、スピンドル位
置決め構造６０を、その実質的に全長に亘って中空にす
る必要はない。それどころか、図２及び図４に示すよう
に、その端部６０ａを中実に形成して、図４に示すよう
にスラストベアリング６１に隣接して配置することがで
きる。かくして、スピンドル位置決め構造６０の中空部
分を通って流れる冷却流体は、図４の矢印Ａで示すよう
に、孔６０ｂ、６０ｃから流出して、スピンドル位置決
め構造６０の外面と第２スピンドル３２の内面との間の
チャンネル内に流入する。
【００１８】冷却導管、回転駆動装置及び付勢装置を設
けることは、本願に援用する米国特許第５，０９６，５
６２号に開示されている。この米国特許では、第１及び
第２支持構造２２、２４のそれぞれに関して冷却導管、
回転駆動装置及び電気的付勢装置が説明されているけれ
ども、これらの導管及び装置は支持構造２２、２４のい
ずれか一方に設ければよいことは理解されよう。本発明
では、回転マグネトロンの軸線方向に移動可能な上記構
成要素は、第１及び第２支持構造２２、２４により構成
される冷却導管、回転駆動装置又は付勢装置の如何に係
わらず移動できる。例えば、第２スピンドル３２は、プ
ーリ８４、プーリベアリング（図示せず）及び電気的接
触装置８８に対して軸線方向に移動できる。より詳しく
は、電気的接触装置８８が、クランプ形接触装置ではな
くばね付勢形導電バンドのような摺動接触装置であれ
ば、第２スピンドル３２は電気的接触装置８８に対して
軸線方向に容易に移動できる。一般に、上記導管及び装
置は、真空チャンバの条件とは異なる条件をもつ周囲の
環境と連通している。従って、本発明の回転マグネトロ
ン装置には第１及び第２シールカートリッジ８０、８２
を設けるのが好ましい。これらのシールカートリッジ８
０、８２は、それぞれ第１及び第２支持構造内に配置さ
れ、周囲の環境から真空チャンバをシールする。
けることは、本願に援用する米国特許第５，０９６，５
６２号に開示されている。この米国特許では、第１及び
第２支持構造２２、２４のそれぞれに関して冷却導管、
回転駆動装置及び電気的付勢装置が説明されているけれ
ども、これらの導管及び装置は支持構造２２、２４のい
ずれか一方に設ければよいことは理解されよう。本発明
では、回転マグネトロンの軸線方向に移動可能な上記構
成要素は、第１及び第２支持構造２２、２４により構成
される冷却導管、回転駆動装置又は付勢装置の如何に係
わらず移動できる。例えば、第２スピンドル３２は、プ
ーリ８４、プーリベアリング（図示せず）及び電気的接
触装置８８に対して軸線方向に移動できる。より詳しく
は、電気的接触装置８８が、クランプ形接触装置ではな
くばね付勢形導電バンドのような摺動接触装置であれ
ば、第２スピンドル３２は電気的接触装置８８に対して
軸線方向に容易に移動できる。一般に、上記導管及び装
置は、真空チャンバの条件とは異なる条件をもつ周囲の
環境と連通している。従って、本発明の回転マグネトロ
ン装置には第１及び第２シールカートリッジ８０、８２
を設けるのが好ましい。これらのシールカートリッジ８
０、８２は、それぞれ第１及び第２支持構造内に配置さ
れ、周囲の環境から真空チャンバをシールする。
【００１９】より詳しくは図１〜図５に示すように、第
１及び第２支持構造２２、２４は、それぞれ第１及び第
２支持面７６、７８を有する。マグネトロン装置が組み
立てられるとき、第１及び第２シールカートリッジ８
０、８２は、支持面７６、７８と第１及び第２スピンド
ル３０、３２との間で、それぞれ支持構造２２、３４内
に配置される。これらのシールカートリッジ８０、８２
は、それぞれ、支持面７６、７８と第１及び第２スピン
ドル３０、３２の外表面との間に真空シールを形成する
ように設計されている。シールカートリッジ８０、８２
は、これらのそれぞれの支持構造２２、２４に対して回
転しないように静止しているけれども、図１及び図２に
示すように、支持構造２２、２４に対して軸線方向に移
動して、分解のため該支持構造２２、２４から容易に取
り外すことができる。この好ましい実施例のシールカー
トリッジ８０、８２は、本願と同時に出願されたＪｏｈ
ｎＨ．Ｂｏｗｅｒ、Ｈｅｎｒｙ Ａ．Ｂｙｏｒｕｍ及び
Ｒｏｎａｌｄ Ｅ．Ｒａｍｂｅａｕ等の発明に係る「回
転マグネトロン用カートリッジシール（Ｃａｒｔｒｉｄ
ｇｅ Ｓｅａｌ Ｆｏｒ ａ Ｒｏｔａｔａｂｌｅ Ｍ
ａｇｎｅｔｒｏｎ）」という名称の米国特許出願第０８
／２９６，３６０号に記載されており、該米国特許出願
の全記載は本願に援用する。
１及び第２支持構造２２、２４は、それぞれ第１及び第
２支持面７６、７８を有する。マグネトロン装置が組み
立てられるとき、第１及び第２シールカートリッジ８
０、８２は、支持面７６、７８と第１及び第２スピンド
ル３０、３２との間で、それぞれ支持構造２２、３４内
に配置される。これらのシールカートリッジ８０、８２
は、それぞれ、支持面７６、７８と第１及び第２スピン
ドル３０、３２の外表面との間に真空シールを形成する
ように設計されている。シールカートリッジ８０、８２
は、これらのそれぞれの支持構造２２、２４に対して回
転しないように静止しているけれども、図１及び図２に
示すように、支持構造２２、２４に対して軸線方向に移
動して、分解のため該支持構造２２、２４から容易に取
り外すことができる。この好ましい実施例のシールカー
トリッジ８０、８２は、本願と同時に出願されたＪｏｈ
ｎＨ．Ｂｏｗｅｒ、Ｈｅｎｒｙ Ａ．Ｂｙｏｒｕｍ及び
Ｒｏｎａｌｄ Ｅ．Ｒａｍｂｅａｕ等の発明に係る「回
転マグネトロン用カートリッジシール（Ｃａｒｔｒｉｄ
ｇｅ Ｓｅａｌ Ｆｏｒ ａ Ｒｏｔａｔａｂｌｅ Ｍ
ａｇｎｅｔｒｏｎ）」という名称の米国特許出願第０８
／２９６，３６０号に記載されており、該米国特許出願
の全記載は本願に援用する。
【００２０】該米国特許出願の記載から明らかなよう
に、本発明は、既存の端ブロック構成に新しい一体構成
要素を付加することにより、端ブロック、内部組立て構
成要素、冷却手段、回転駆動手段、電気的付勢手段及び
シールの分解又は取扱いをすることなくターゲットシリ
ンダの効率的取外し及び交換が行なえるように従来の回
転マグネトロンを改善する。より詳しくは、軸線方向に
移動可能な構成要素には端ブロックの外部からアクセス
し且つ簡単に後退及び伸長させて、円筒状ターゲットの
取外し及び交換を行なうことができる。また、分解及び
組立てのためのこれらの軸線方向に移動可能な構成要素
のアクセス、弛緩及び固定は、普通に入手できるソケッ
トレンチのような簡単な工具により行なうことができ
る。上記方法により、本発明の改善された回転マグネト
ロン装置は、ターゲットシリンダの取外し及び交換に要
する時間を数時間から約２０分以下に短縮する。以上、
本発明を特定の好ましい実施例に関連して説明したが、
上記説明は本発明の例示であって、特許請求の範囲の記
載により定められる本発明の範囲を制限するものではな
い。
に、本発明は、既存の端ブロック構成に新しい一体構成
要素を付加することにより、端ブロック、内部組立て構
成要素、冷却手段、回転駆動手段、電気的付勢手段及び
シールの分解又は取扱いをすることなくターゲットシリ
ンダの効率的取外し及び交換が行なえるように従来の回
転マグネトロンを改善する。より詳しくは、軸線方向に
移動可能な構成要素には端ブロックの外部からアクセス
し且つ簡単に後退及び伸長させて、円筒状ターゲットの
取外し及び交換を行なうことができる。また、分解及び
組立てのためのこれらの軸線方向に移動可能な構成要素
のアクセス、弛緩及び固定は、普通に入手できるソケッ
トレンチのような簡単な工具により行なうことができ
る。上記方法により、本発明の改善された回転マグネト
ロン装置は、ターゲットシリンダの取外し及び交換に要
する時間を数時間から約２０分以下に短縮する。以上、
本発明を特定の好ましい実施例に関連して説明したが、
上記説明は本発明の例示であって、特許請求の範囲の記
載により定められる本発明の範囲を制限するものではな
い。
【図１】本発明による回転マグネトロンの端部を分解し
たところを概略的に示す縦断面図である。
たところを概略的に示す縦断面図である。
【図２】本発明による回転マグネトロンの図１とは反対
側の端部を分解したところを概略的に示す縦断面図であ
る。
側の端部を分解したところを概略的に示す縦断面図であ
る。
【図３】本発明による回転マグネトロンの図１に示す端
部が完全に組み立てられたところを概略的に示す縦断面
図である。
部が完全に組み立てられたところを概略的に示す縦断面
図である。
【図４】本発明による回転マグネトロンの図２に示す端
部が完全に組み立てられたところを概略的に示す縦断面
図である。
部が完全に組み立てられたところを概略的に示す縦断面
図である。
【図５】本発明による回転マグネトロンの図１に示す端
部の一部を分解したところを概略的に示す縦断面図であ
る。
部の一部を分解したところを概略的に示す縦断面図であ
る。
１０ 分解される端部 １２ 分解される反対側の端部 １４ 円筒状ターゲット １６ 支持壁 １８ 保持リング １９ 保持リング ２２ 端ブロック（第１支持構造） ２４ 端ブロック（第２支持構造） ２６ カバー ２８ カバー ３０ 第１スピンドル ３２ 第２スピンドル ３４ スパッタリングターゲット表面 ３８ 長手方向軸線 ４０ 磁石構造（磁石支持構造） ４２ 固定構造（固定手段） ４４ プラグ ４６ ロッド ４８ ブレード ５０ 固定部材 ５２ バー ５８ 第１スピンドル位置決め構造 ６０ 第２スピンドル位置決め構造 ６２ 保持構造 ６４ 保持構造 ７０ 補完フランジ ７２ 補完フランジ ７６ 第１支持面 ７８ 第２支持面 ８０ シールカートリッジ ８２ シールカートリッジ ８４ プーリ ８６ 導電体 ８８ 電気的接触装置
Claims (9)
- 【請求項１】 〔１〕ターゲットシリンダ（１４）の外
部に形成されたターゲット表面（３４）を備えたターゲ
ット構造を有し、ターゲットシリンダはその中心軸線
（３８）の回りで回転でき且つ第１ターゲット端部（１
４ａ）及び第２ターゲット端部（１４ｂ）を備え、該両
端部はこれらの間にターゲット長さ（Ｌ）を形成し、
〔２〕第１及び第２ターゲット端部の支持体を構成でき
るそれぞれ第１支持構造（２２）及び第２支持構造（２
４）と、〔３〕第１及び第２支持構造により支持される
それぞれ第１スピンドル（３０）及び第２スピンドル
（３２）とを有し、該第１及び第２スピンドルはそれぞ
れ第１及び第２ターゲット端部と係合でき、〔４〕ター
ゲット構造内に配置され且つ実質的にターゲット長さに
沿って延びる磁石構造（４０）を更に有し、ターゲット
構造が磁石構造に対して回転できる、真空チャンバ内の
回転マグネトロン装置（図１〜図５）において、 前記第１スピンドルは、第１支持構造に対して充分外方
に伸長したときに第１ターゲット端部と係合し且つ第１
支持構造に対して充分内方に後退したときに第１ターゲ
ット端部から離脱するように、第１支持構造に対して軸
線方向に移動でき、 前記磁石構造は、該磁石構造が中心軸線の回りで自由に
回転できるようにターゲット構造内に支持され、 第１及び第２支持構造のうちの一方の支持構造により支
持され且つ該一方の支持構造に対して軸線方向に移動可
能な手段（４２）を更に有し、該手段は、前記一方の支
持構造から前記磁石構造内に伸長して、前記一方の支持
構造に対する前記磁石構造の回転位置を選択的に固定す
ることを特徴とする回転マグネトロン装置。 - 【請求項２】 前記第１及び第２スピンドルを位置決め
する手段（５８、６０）を更に有し、該第１スピンドル
位置決め手段（５８）及び第２スピンドル位置決め手段
（６０）はそれぞれ第１及び第２支持構造により支持さ
れ且つ該支持構造からターゲット構造内に伸長すべく該
支持構造に対して軸線方向に移動でき、 前記第１及び第２スピンドル位置決め手段を前記保持手
段内で不動に保持するための、ターゲット構造内に配置
された手段（６２、６４）を有し、該手段は前記第１及
び第２スピンドル位置決め手段を軸線方向及び回転方向
に固定し、これにより前記第１及び第２スピンドルの軸
線方向位置を選択的に不動に固定し、前記第１及び第２
スピンドルをそれぞれ第１及び第２ターゲット端部と不
動に係合させることを特徴とする請求項１に記載の回転
マグネトロン装置。 - 【請求項３】 前記第２スピンドルは、第２支持構造に
対して充分外方に伸長したときに第２ターゲット端部と
係合し且つ第２支持構造に対して充分内方に後退したと
きに第２ターゲット端部から離脱するように、第２支持
構造に対して軸線方向に移動できることを特徴とする請
求項１に記載の回転マグネトロン装置。 - 【請求項４】 前記第１及び第２スピンドルを位置決め
する手段（５８、６０）を更に有し、該第１スピンドル
位置決め手段（５８）及び第２スピンドル位置決め手段
（６０）はそれぞれ第１及び第２支持構造により支持さ
れ且つ該支持構造からターゲット構造内に伸長すべく該
支持構造に対して軸線方向に移動でき、 前記第１及び第２スピンドル位置決め手段を前記保持手
段内で不動に保持するための、ターゲット構造内に配置
された手段（６２、６４）を有し、該手段は前記第１及
び第２スピンドル位置決め手段を軸線方向及び回転方向
に固定し、これにより前記第１及び第２スピンドルの軸
線方向位置を選択的に不動に固定し、前記第１及び第２
スピンドルをそれぞれ第１及び第２ターゲット端部と不
動に係合させることを特徴とする請求項３に記載の回転
マグネトロン装置。 - 【請求項５】 前記第１スピンドル位置決め手段は、前
記第１スピンドルと係合すべく、第１スピンドル位置決
め手段の外面に隣接し且つ該手段の長さに沿って延びる
構造（６６）を有し、前記第１スピンドル位置決め手段
が第１ターゲット端部から及び第１支持構造に対して内
方に充分に後退されると、係合構造が前記第１スピンド
ルと係合し、これにより前記第１スピンドルを一緒に後
退させることを特徴とする請求項２又は４に記載の回転
マグネトロン装置。 - 【請求項６】 前記第２スピンドル位置決め手段は、前
記第２スピンドルと係合すべく、第１スピンドル位置決
め手段の外面に隣接し且つ該手段の長さに沿って延びる
構造（６８）を有し、前記第２スピンドル位置決め手段
が第２ターゲット端部から及び第２支持構造に対して内
方に充分に後退されると、係合構造が前記第２スピンド
ルと係合し、これにより前記第２スピンドルを一緒に後
退させることを特徴とする請求項４に記載の回転マグネ
トロン装置。 - 【請求項７】 前記第１及び第２位置決め手段のうちの
一方が中空であり、該一方の位置決め手段が前記一方の
支持構造により支持された位置決め手段であり、前記固
定手段は、前記一方の位置決め手段内に支持され且つ該
位置決め手段に対して軸線方向に移動できることを特徴
とする請求項２又は４に記載の回転マグネトロン装置。 - 【請求項８】 前記固定手段の一端にはプラグ（４４）
が設けられ、該プラグは前記磁石構造内に配置された固
定部材（７４）と係合できることを特徴とする請求項１
に記載の回転マグネトロン装置。 - 【請求項９】 〔１〕ターゲットシリンダ（１４）の外
部に形成されたターゲット表面（３４）を備えたターゲ
ット構造を有し、ターゲットシリンダはその中心軸線
（３８）の回りで回転でき且つ第１ターゲット端部（１
４ａ）及び第２ターゲット端部（１４ｂ）を備え、該両
端部はこれらの間にターゲット長さ（Ｌ）を形成し、
〔２〕第１及び第２ターゲット端部の支持体を構成でき
るそれぞれ第１支持構造（２２）及び第２支持構造（２
４）と、〔３〕第１及び第２支持構造により支持される
それぞれ第１スピンドル（３０）及び第２スピンドル
（３２）とを有し、該第１及び第２スピンドルはそれぞ
れ第１及び第２ターゲット端部と係合でき、〔４〕ター
ゲット構造内に配置され且つ実質的にターゲット長さに
沿って延びる磁石構造（４０）を更に有する形式のマグ
ネトロン装置における前記ターゲット構造を、内部に交
換磁石構造を備えた交換ターゲット構造に交換する方法
において、 （ａ）前記第１及び第２ターゲット端部からそれぞれ前
記第１及び第２スピンドルを離脱させ、 （ｂ）該離脱されたスピンドルの少なくとも一方を、該
スピンドルに最も近い第１及び第２支持構造のうちの一
方に対し、前記スピンドルに最も近い第１及び第２ター
ゲット端部から後退させ、 （ｃ）マグネトロンからターゲット構造を取り外し、 （ｄ）前記交換ターゲット構造の第１及び第２ターゲッ
ト端部と前記第１及び第２スピンドルとをそれぞれ係合
させるステップからなることを特徴とする方法。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568131B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2006-04-10 | 주식회사 유니벡 | 마그네트론 스퍼터링 타겟장치 |
| KR100674005B1 (ko) * | 2005-07-01 | 2007-01-24 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터링 소스 및 이를 구비한 스퍼터 |
| KR100738870B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2007-07-12 | 어플라이드 머티어리얼즈 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 회전형 타깃관 스퍼터링용 음극설비 |
| JP2008517151A (ja) * | 2004-10-18 | 2008-05-22 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | 回転可能なターゲットスパッタリング装置用エンドブロック |
| JP2009541583A (ja) * | 2006-06-19 | 2009-11-26 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | スパッタリング設備のエンドブロック用のインサート部品 |
| JP2014194086A (ja) * | 2004-10-18 | 2014-10-09 | Soleras Advanced Coatings Bvba | 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック |
| JP2016108634A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 株式会社アルバック | ロータリーカソード、および、スパッタ装置 |
| JP2017002350A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5445721A (en) * | 1994-08-25 | 1995-08-29 | The Boc Group, Inc. | Rotatable magnetron including a replacement target structure |
| US5591314A (en) * | 1995-10-27 | 1997-01-07 | Morgan; Steven V. | Apparatus for affixing a rotating cylindrical magnetron target to a spindle |
| DE19958666C2 (de) * | 1999-12-06 | 2003-10-30 | Heraeus Gmbh W C | Vorrichtung zur lösbaren Verbindung eines zylinderrohrförmigen Targetteiles mit einem Aufnahmeteil |
| DE10102493B4 (de) | 2001-01-19 | 2007-07-12 | W.C. Heraeus Gmbh | Rohrförmiges Target und Verfahren zur Herstellung eines solchen Targets |
| US6375815B1 (en) * | 2001-02-17 | 2002-04-23 | David Mark Lynn | Cylindrical magnetron target and apparatus for affixing the target to a rotatable spindle assembly |
| US7399385B2 (en) * | 2001-06-14 | 2008-07-15 | Tru Vue, Inc. | Alternating current rotatable sputter cathode |
| US6395156B1 (en) | 2001-06-29 | 2002-05-28 | Super Light Wave Corp. | Sputtering chamber with moving table producing orbital motion of target for improved uniformity |
| US6736948B2 (en) * | 2002-01-18 | 2004-05-18 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Cylindrical AC/DC magnetron with compliant drive system and improved electrical and thermal isolation |
| US20040129561A1 (en) * | 2003-01-07 | 2004-07-08 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Cylindrical magnetron magnetic array mid span support |
| US20050051422A1 (en) * | 2003-02-21 | 2005-03-10 | Rietzel James G. | Cylindrical magnetron with self cleaning target |
| US7014741B2 (en) * | 2003-02-21 | 2006-03-21 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Cylindrical magnetron with self cleaning target |
| US20050224343A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-13 | Richard Newcomb | Power coupling for high-power sputtering |
| US20060049043A1 (en) * | 2004-08-17 | 2006-03-09 | Matuska Neal W | Magnetron assembly |
| US20060065524A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Richard Newcomb | Non-bonded rotatable targets for sputtering |
| US7790003B2 (en) * | 2004-10-12 | 2010-09-07 | Southwest Research Institute | Method for magnetron sputter deposition |
| US7592051B2 (en) * | 2005-02-09 | 2009-09-22 | Southwest Research Institute | Nanostructured low-Cr Cu-Cr coatings for high temperature oxidation resistance |
| TWI396766B (zh) * | 2005-03-11 | 2013-05-21 | Soleras Advanced Coatings Nv | 用於支承可旋轉濺射目標的扁平端塊 |
| ATE420220T1 (de) * | 2005-03-11 | 2009-01-15 | Bekaert Advanced Coatings | In rechtem winkel angeordneter einzelendblock |
| US20060278519A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Leszek Malaszewski | Adaptable fixation for cylindrical magnetrons |
| US20060278524A1 (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-14 | Stowell Michael W | System and method for modulating power signals to control sputtering |
| US20060278521A1 (en) * | 2005-06-14 | 2006-12-14 | Stowell Michael W | System and method for controlling ion density and energy using modulated power signals |
| US7842355B2 (en) * | 2005-11-01 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties |
| US20070095281A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-03 | Stowell Michael W | System and method for power function ramping of microwave liner discharge sources |
| US7938943B2 (en) * | 2006-10-17 | 2011-05-10 | Von Ardenne Anlagentechnic GmbH | Supply end block for rotary magnetron |
| US8264150B2 (en) * | 2009-07-17 | 2012-09-11 | Fusion Uv Systems, Inc. | Modular magnetron |
| JP5730888B2 (ja) | 2009-10-26 | 2015-06-10 | ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド | ロータリーマグネトロンマグネットバー、およびこれを含む高いターゲット利用のための装置 |
| CZ304905B6 (cs) | 2009-11-23 | 2015-01-14 | Shm, S.R.O. | Způsob vytváření PVD vrstev s pomocí rotační cylindrické katody a zařízení k provádění tohoto způsobu |
| CN102884222B (zh) * | 2010-06-28 | 2014-09-10 | 日本爱发科泰克能株式会社 | 靶安装机构 |
| DE102011082900B4 (de) * | 2011-09-16 | 2014-04-24 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Substratbehandlungsanlage mit austauschbarem Rohrtarget und Rohrtarget-Hebezeug dazu |
| EP2626887A1 (en) | 2012-02-13 | 2013-08-14 | Soleras Advanced Coatings bvba | Online adjustable magnet bar |
| DE102012110284B3 (de) * | 2012-10-26 | 2013-11-14 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Sputterbeschichtungseinrichtung und Vakuumbeschichtungsanlage |
| DE102014104642B4 (de) * | 2014-04-02 | 2018-11-15 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Endblock-Anordnung und Prozessier-Anordnung |
| BE1023876B1 (nl) * | 2016-07-13 | 2017-08-31 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Elektrische overdracht in een eindblok |
| RU175205U1 (ru) * | 2016-10-07 | 2017-11-28 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак" | Магнетронная распылительная система цилиндрического типа |
| CN111719122A (zh) * | 2019-03-21 | 2020-09-29 | 广东太微加速器有限公司 | 靶 |
| CN110423990A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-11-08 | 肇庆宏旺金属实业有限公司 | 一种钢带镀膜系统 |
| CN115110051B (zh) * | 2022-07-12 | 2023-07-25 | 江西贵得科技有限公司 | 一种镀膜旋转靶靶芯结构 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4445997A (en) * | 1983-08-17 | 1984-05-01 | Shatterproof Glass Corporation | Rotatable sputtering apparatus |
| US4443318A (en) * | 1983-08-17 | 1984-04-17 | Shatterproof Glass Corporation | Cathodic sputtering apparatus |
| US4466877A (en) * | 1983-10-11 | 1984-08-21 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
| US5096562A (en) * | 1989-11-08 | 1992-03-17 | The Boc Group, Inc. | Rotating cylindrical magnetron structure for large area coating |
| US5200049A (en) * | 1990-08-10 | 1993-04-06 | Viratec Thin Films, Inc. | Cantilever mount for rotating cylindrical magnetrons |
| US5100527A (en) * | 1990-10-18 | 1992-03-31 | Viratec Thin Films, Inc. | Rotating magnetron incorporating a removable cathode |
| US5445721A (en) * | 1994-08-25 | 1995-08-29 | The Boc Group, Inc. | Rotatable magnetron including a replacement target structure |
-
1994
- 1994-08-25 US US08/296,237 patent/US5445721A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-07-07 TW TW084107047A patent/TW274161B/zh active
- 1995-07-13 AU AU24983/95A patent/AU2498395A/en not_active Abandoned
- 1995-07-19 PH PH50946A patent/PH31196A/en unknown
- 1995-07-21 ZA ZA956122A patent/ZA956122B/xx unknown
- 1995-08-02 CA CA002155295A patent/CA2155295A1/en not_active Abandoned
- 1995-08-16 EP EP95305728A patent/EP0698908A3/en not_active Withdrawn
- 1995-08-24 JP JP7215730A patent/JPH0867979A/ja active Pending
- 1995-08-24 KR KR1019950026773A patent/KR960007813A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-08-24 FI FI953986A patent/FI953986A/fi not_active Application Discontinuation
- 1995-08-25 CN CN95109394A patent/CN1126770A/zh active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100568131B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2006-04-10 | 주식회사 유니벡 | 마그네트론 스퍼터링 타겟장치 |
| JP2008517151A (ja) * | 2004-10-18 | 2008-05-22 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | 回転可能なターゲットスパッタリング装置用エンドブロック |
| JP4836956B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2011-12-14 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | 回転可能なターゲットスパッタリング装置用エンドブロック |
| JP2014194086A (ja) * | 2004-10-18 | 2014-10-09 | Soleras Advanced Coatings Bvba | 回転可能なスパッタリングターゲットを支持する平面エンドブロック |
| KR100738870B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2007-07-12 | 어플라이드 머티어리얼즈 게엠베하 운트 컴퍼니 카게 | 회전형 타깃관 스퍼터링용 음극설비 |
| KR100674005B1 (ko) * | 2005-07-01 | 2007-01-24 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터링 소스 및 이를 구비한 스퍼터 |
| JP2009541583A (ja) * | 2006-06-19 | 2009-11-26 | ベーカート・アドヴァンスト・コーティングス | スパッタリング設備のエンドブロック用のインサート部品 |
| JP2016108634A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 株式会社アルバック | ロータリーカソード、および、スパッタ装置 |
| JP2017002350A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960007813A (ko) | 1996-03-22 |
| FI953986A0 (fi) | 1995-08-24 |
| EP0698908A2 (en) | 1996-02-28 |
| AU2498395A (en) | 1996-03-07 |
| ZA956122B (en) | 1996-03-07 |
| CA2155295A1 (en) | 1996-02-26 |
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| US5445721A (en) | 1995-08-29 |
| EP0698908A3 (en) | 1997-12-10 |
| TW274161B (ja) | 1996-04-11 |
| CN1126770A (zh) | 1996-07-17 |
| FI953986A (fi) | 1996-02-26 |
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