JPH0867745A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH0867745A JPH0867745A JP6205793A JP20579394A JPH0867745A JP H0867745 A JPH0867745 A JP H0867745A JP 6205793 A JP6205793 A JP 6205793A JP 20579394 A JP20579394 A JP 20579394A JP H0867745 A JPH0867745 A JP H0867745A
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- epoxy resin
- resin composition
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- molding
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化
促進剤、無機質充填材を必須成分とするエポキシ樹脂組
成物において、総エポキシ樹脂組成物が７０〜１１０℃
で３０分間放置後の溶融粘度の変化率が５０％以下で、
かつ１５０〜１９０℃の成形金型内での硬化時間６０秒
の成形品の表面硬度に対する、１２０秒での成形品の表
面硬度の変化率が２０％以下である特性を有するインジ
ェクション成形用半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【効果】 インジェクション成形におけるシリンダー
内、あるいはスプルー・ランナーレス方式、インジェク
ション成形における金型内のスプルー・ランナー部での
溶融状態での熱安定性が著しく優れ、かつ金型内での硬
化性が優れるている。
促進剤、無機質充填材を必須成分とするエポキシ樹脂組
成物において、総エポキシ樹脂組成物が７０〜１１０℃
で３０分間放置後の溶融粘度の変化率が５０％以下で、
かつ１５０〜１９０℃の成形金型内での硬化時間６０秒
の成形品の表面硬度に対する、１２０秒での成形品の表
面硬度の変化率が２０％以下である特性を有するインジ
ェクション成形用半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【効果】 インジェクション成形におけるシリンダー
内、あるいはスプルー・ランナーレス方式、インジェク
ション成形における金型内のスプルー・ランナー部での
溶融状態での熱安定性が著しく優れ、かつ金型内での硬
化性が優れるている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成形加工性、硬化性に
優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物であり、特にイ
ンジェクション成形機のシリンダー内では硬化反応が殆
ど進行せず、金型内では極めて速く硬化するインジェク
ション成形加工性に著しく優れた半導体封止用エポキシ
樹脂組成物に関するものである。
優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物であり、特にイ
ンジェクション成形機のシリンダー内では硬化反応が殆
ど進行せず、金型内では極めて速く硬化するインジェク
ション成形加工性に著しく優れた半導体封止用エポキシ
樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の封止に
は、エポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が、低コ
スト、高信頼性及び生産性に適した方法として従来より
用いられている。トランスファー成形では、エポキシ樹
脂組成物をタブレット状に賦形してから、金型内のポッ
トにタブレットを投入し、これを金型内で熱溶融させな
がらブランジャーで加圧することにより流動、硬化させ
るのが一般的である。しかしながら、この成形方法では
エポキシ樹脂組成物をタブレット状に賦形することが前
提となるために、賦形の工程が必要であること、また成
形毎にタブレットの投入と熱溶融が必要であるため成形
サイクルを一定時間以下に短縮できない等の点で低コス
ト化、大量生産性に限界がある。更に、トランスファー
成形においてはポットに投入された樹脂組成物が金型内
を流動しキャビティ内に到達する迄の流路であるランナ
ー部や、ポット内で残りのカル部が完全に硬化してしま
うため、再利用が不可能であり、必要とする半導体パッ
ケージ部以外に多量の樹脂廃棄物を生成してしまうとい
う問題がある。一方、エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂
成形材料の成形として、インジェクション成形方式の検
討が従来より行なわれてきた。インジェクション成形に
おいては、エポキシ樹脂組成物は成形機内に粉末状にて
供給され、シリンダー内で溶融状態を保ったままスクリ
ューにより金型に射出される。このため、タブレット状
に賦形する工程が不要で、また連続生産が可能であり、
更に加熱溶融状態となった樹脂組成物が金型に射出され
るために硬化時間がトランスファー成形に比べ短縮でき
る等大量生産に適した方法である。
は、エポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が、低コ
スト、高信頼性及び生産性に適した方法として従来より
用いられている。トランスファー成形では、エポキシ樹
脂組成物をタブレット状に賦形してから、金型内のポッ
トにタブレットを投入し、これを金型内で熱溶融させな
がらブランジャーで加圧することにより流動、硬化させ
るのが一般的である。しかしながら、この成形方法では
エポキシ樹脂組成物をタブレット状に賦形することが前
提となるために、賦形の工程が必要であること、また成
形毎にタブレットの投入と熱溶融が必要であるため成形
サイクルを一定時間以下に短縮できない等の点で低コス
ト化、大量生産性に限界がある。更に、トランスファー
成形においてはポットに投入された樹脂組成物が金型内
を流動しキャビティ内に到達する迄の流路であるランナ
ー部や、ポット内で残りのカル部が完全に硬化してしま
うため、再利用が不可能であり、必要とする半導体パッ
ケージ部以外に多量の樹脂廃棄物を生成してしまうとい
う問題がある。一方、エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂
成形材料の成形として、インジェクション成形方式の検
討が従来より行なわれてきた。インジェクション成形に
おいては、エポキシ樹脂組成物は成形機内に粉末状にて
供給され、シリンダー内で溶融状態を保ったままスクリ
ューにより金型に射出される。このため、タブレット状
に賦形する工程が不要で、また連続生産が可能であり、
更に加熱溶融状態となった樹脂組成物が金型に射出され
るために硬化時間がトランスファー成形に比べ短縮でき
る等大量生産に適した方法である。
【０００３】また、インジェクション成形では、キャビ
ティ部以外のランナー部あるいはスプルー部の温度を樹
脂組成物の硬化が起こらない温度、すなわちシリンダー
内の温度とほぼ同等の温度に制御することにより、成形
品取出し後に再びスプルー・ランナー部をキャビティ部
へ再射出してパッケージ成形品を得る方式、謂ゆるスプ
ルー・ランナーレス成形方式が一部で実用化されてい
る。この方式によれば、必要とする成形品以外の硬化物
が殆んど発生しないため、プラスチック廃棄物を著しく
低減できるという長所がある。しかしながら、半導体封
止材料用エポキシ樹脂組成物の成形方法としてインジェ
クション成形は実用化されていないのが現状であった。
その理由としては、従来のエポキシ樹脂組成物は７０〜
１１０℃に加熱されたシリンダー内での溶融状態では、
組成物中の樹脂の硬化反応の進行によって粘度が増大
し、５〜１０分間で流動性を失う性質を有しており、溶
融樹脂組成物の熱安定性が著しく低いためである。この
ため、低圧でのインジェクション成形は不可能であり、
高圧での成形を必要とし、その結果半導体素子上のボン
ディングワイヤーを変形もしくは切断してしまい、得ら
れた半導体パッケージの信頼性を著しく損なう結果とな
る。
ティ部以外のランナー部あるいはスプルー部の温度を樹
脂組成物の硬化が起こらない温度、すなわちシリンダー
内の温度とほぼ同等の温度に制御することにより、成形
品取出し後に再びスプルー・ランナー部をキャビティ部
へ再射出してパッケージ成形品を得る方式、謂ゆるスプ
ルー・ランナーレス成形方式が一部で実用化されてい
る。この方式によれば、必要とする成形品以外の硬化物
が殆んど発生しないため、プラスチック廃棄物を著しく
低減できるという長所がある。しかしながら、半導体封
止材料用エポキシ樹脂組成物の成形方法としてインジェ
クション成形は実用化されていないのが現状であった。
その理由としては、従来のエポキシ樹脂組成物は７０〜
１１０℃に加熱されたシリンダー内での溶融状態では、
組成物中の樹脂の硬化反応の進行によって粘度が増大
し、５〜１０分間で流動性を失う性質を有しており、溶
融樹脂組成物の熱安定性が著しく低いためである。この
ため、低圧でのインジェクション成形は不可能であり、
高圧での成形を必要とし、その結果半導体素子上のボン
ディングワイヤーを変形もしくは切断してしまい、得ら
れた半導体パッケージの信頼性を著しく損なう結果とな
る。
【０００４】また、金型の掃除等のため成形を一定時間
中断する場合には、エポキシ樹脂組成物はシリンダー内
で硬化し、再度の射出が不可能となるため、連続生産に
も支障をきたしてしまう。更には、前記スプルー・ラン
ナーレス方式では、スプルー・ランナー部でのエポキシ
樹脂組成物が金型内で硬化反応により粘度上昇あるいは
固化してしまうために再射出が不可能となり、全く実用
化が望めない状況であった。一方、熱安定性を向上させ
るためにエポキシ樹脂組成物の硬化反応の速度を遅くす
ると、成形金型内の１５０〜１９０℃での硬化に長時間
を要し、生産性に劣るだけでなく、成形品表面にフクレ
が発生したり、金型からの成形品の離型性が低下する。
従って、トランスファー成形に比較してインジェクショ
ン成形のメリットが得られるようなエポキシ樹脂組成物
の開発が待たれていた。
中断する場合には、エポキシ樹脂組成物はシリンダー内
で硬化し、再度の射出が不可能となるため、連続生産に
も支障をきたしてしまう。更には、前記スプルー・ラン
ナーレス方式では、スプルー・ランナー部でのエポキシ
樹脂組成物が金型内で硬化反応により粘度上昇あるいは
固化してしまうために再射出が不可能となり、全く実用
化が望めない状況であった。一方、熱安定性を向上させ
るためにエポキシ樹脂組成物の硬化反応の速度を遅くす
ると、成形金型内の１５０〜１９０℃での硬化に長時間
を要し、生産性に劣るだけでなく、成形品表面にフクレ
が発生したり、金型からの成形品の離型性が低下する。
従って、トランスファー成形に比較してインジェクショ
ン成形のメリットが得られるようなエポキシ樹脂組成物
の開発が待たれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、溶融状態で
の熱安定性と成形金型内での硬化性とが両立した成形加
工性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得るた
め、種々の検討の結果なされたものであり、その目的と
するところは、インジェクション成形におけるシリンダ
ー内あるいは、スプルー・ランナーレス方式インジェク
ション成形における金型内のスプルー・ランナー部での
溶融状態での熱安定性が著しく優れ、金型内での硬化性
が極めて優れたエポキシ樹脂成形材料を提供することに
ある。
の熱安定性と成形金型内での硬化性とが両立した成形加
工性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得るた
め、種々の検討の結果なされたものであり、その目的と
するところは、インジェクション成形におけるシリンダ
ー内あるいは、スプルー・ランナーレス方式インジェク
ション成形における金型内のスプルー・ランナー部での
溶融状態での熱安定性が著しく優れ、金型内での硬化性
が極めて優れたエポキシ樹脂成形材料を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無機質充填材
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、総エポ
キシ樹脂組成物が７０〜１１０℃で３０分間放置後の溶
融粘度の変化率が５０％以下で、かつ１５０〜１９０℃
の成形金型内での硬化時間６０秒の成形品の表面硬度に
対する、１２０秒での成形品の表面硬度の変化率が２０
％以下である特性を有するインジェクション成形用半導
体封止用エポキシ樹脂組成物である。
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無機質充填材
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、総エポ
キシ樹脂組成物が７０〜１１０℃で３０分間放置後の溶
融粘度の変化率が５０％以下で、かつ１５０〜１９０℃
の成形金型内での硬化時間６０秒の成形品の表面硬度に
対する、１２０秒での成形品の表面硬度の変化率が２０
％以下である特性を有するインジェクション成形用半導
体封止用エポキシ樹脂組成物である。
【０００７】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ基を有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えばビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹
脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフ
タレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等が挙げられる
が、これらに限定されるものではなく、またこれらのエ
ポキシ樹脂は単独もしくは併用しても差し支えない。フ
ェノール樹脂硬化剤は、上記のエポキシ樹脂と硬化反応
を行い架橋構造を形成することができるフェノール性水
酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指
し、例えばフェノールノボラック樹脂、パラキシリレン
変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ビスフェノー
ルＡ、トリフェノールメタン等が挙げられが、これらに
限定されるものではない。これらのフェノール樹脂硬化
剤は単独もしくは併用しても差し支えない。
用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ基を有するモノマ
ー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例えばビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹
脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフ
タレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等が挙げられる
が、これらに限定されるものではなく、またこれらのエ
ポキシ樹脂は単独もしくは併用しても差し支えない。フ
ェノール樹脂硬化剤は、上記のエポキシ樹脂と硬化反応
を行い架橋構造を形成することができるフェノール性水
酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指
し、例えばフェノールノボラック樹脂、パラキシリレン
変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ビスフェノー
ルＡ、トリフェノールメタン等が挙げられが、これらに
限定されるものではない。これらのフェノール樹脂硬化
剤は単独もしくは併用しても差し支えない。
【０００８】硬化促進剤としては、上記エポキシ樹脂と
フェノール樹脂硬化剤との架橋反応を促進するものであ
り、例えばジアザビシクロウンデセン等のアミン系化合
物、トリフェニルホススフィン等の有機ホスフィン化合
物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等
が挙げられる。これらの硬化促進剤は単独であってもま
た併用であっても差し支えない。無機質充填材として
は、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、窒化
珪素等が挙げられる。これら無機質充填材の配合量は成
形性と信頼性とのバランスから全エポキシ樹脂組成物中
に７０〜９０重量％含有することが好ましい。特に充填
材量の多い配合では、球状の溶融シリカを用いるのが一
般的である。本発明のエポキシ樹脂組成物はエポキシ樹
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無機質充填材
を必須成分とするが、これ以外にも必要に応じて臭素化
エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、シランカ
ップリング剤、カーボンブラックに代表される着色剤、
天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤、シリコーン
オイル、シリコーンゴム、合成ゴム等の低応力添加剤を
適宜配合しても差し支えない。成形材料化するに際して
は、加熱ニーダや熱ロールにより全組成物を加熱混練
し、続いて冷却、粉砕することにより目的とする半導体
封止用エポキシ樹脂組成物が得られる。
フェノール樹脂硬化剤との架橋反応を促進するものであ
り、例えばジアザビシクロウンデセン等のアミン系化合
物、トリフェニルホススフィン等の有機ホスフィン化合
物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等
が挙げられる。これらの硬化促進剤は単独であってもま
た併用であっても差し支えない。無機質充填材として
は、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、窒化
珪素等が挙げられる。これら無機質充填材の配合量は成
形性と信頼性とのバランスから全エポキシ樹脂組成物中
に７０〜９０重量％含有することが好ましい。特に充填
材量の多い配合では、球状の溶融シリカを用いるのが一
般的である。本発明のエポキシ樹脂組成物はエポキシ樹
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、無機質充填材
を必須成分とするが、これ以外にも必要に応じて臭素化
エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、シランカ
ップリング剤、カーボンブラックに代表される着色剤、
天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤、シリコーン
オイル、シリコーンゴム、合成ゴム等の低応力添加剤を
適宜配合しても差し支えない。成形材料化するに際して
は、加熱ニーダや熱ロールにより全組成物を加熱混練
し、続いて冷却、粉砕することにより目的とする半導体
封止用エポキシ樹脂組成物が得られる。
【０００９】インジェクション用エポキシ樹脂組成物
は、７０〜１１０℃、好ましくは９０〜１００℃での溶
融状態で熱安定性が著しく優れており、成形金型内温度
１６０〜１９０℃での硬化性が優れていることが必要で
ある。これは通常インジェクション成形機のシリンダー
内の温度を７０〜１１０℃、好ましくは９０〜１００℃
の範囲にすることによりエポキシ樹脂組成物の溶融粘度
が低圧成形に適する範囲になるためであり、７０℃未満
の温度では溶融粘度が高くなり過ぎ、半導体素子上のボ
ンディングワイヤーの変形・切断を起こす可能性があ
り、また逆に１１０℃を越える温度ではシリンダー内で
硬化反応を起こす可能性がある。７０〜１１０℃の温度
範囲においてもエポキシ樹脂組成物は経時的に粘度が増
加する。これは徐々にではあるが、この温度範囲におい
ても硬化反応が進行するためである。この粘度変化率を
３０分間後で５０％以下、好ましくは３０％以下に抑え
ることにより、インジェクション成形時の熱安定性に優
れるエポキシ樹脂組成物とすることができる。
は、７０〜１１０℃、好ましくは９０〜１００℃での溶
融状態で熱安定性が著しく優れており、成形金型内温度
１６０〜１９０℃での硬化性が優れていることが必要で
ある。これは通常インジェクション成形機のシリンダー
内の温度を７０〜１１０℃、好ましくは９０〜１００℃
の範囲にすることによりエポキシ樹脂組成物の溶融粘度
が低圧成形に適する範囲になるためであり、７０℃未満
の温度では溶融粘度が高くなり過ぎ、半導体素子上のボ
ンディングワイヤーの変形・切断を起こす可能性があ
り、また逆に１１０℃を越える温度ではシリンダー内で
硬化反応を起こす可能性がある。７０〜１１０℃の温度
範囲においてもエポキシ樹脂組成物は経時的に粘度が増
加する。これは徐々にではあるが、この温度範囲におい
ても硬化反応が進行するためである。この粘度変化率を
３０分間後で５０％以下、好ましくは３０％以下に抑え
ることにより、インジェクション成形時の熱安定性に優
れるエポキシ樹脂組成物とすることができる。
【００１０】ここでいうインジェクション成形時の熱安
定性とは、具体的には以下のようなものである。 （１）スプルー・ランナーレス方式で長時間にわたる連
続成形を行なっても、半導体素子上のボンディングワイ
ヤーが変形あるいは切断されず、かつ成形品の重量のバ
ラツキがない。 （２）インジェクション成形機を最長３０分間停止し、
エポキシ樹脂組成物をシリンダー内に滞留させた後に停
止前と同じ圧力で再射出が可能であることである。 粘度変化率が５０％を越える場合、上記（１）、（２）
の熱安定性が著しく低下してしまう。
定性とは、具体的には以下のようなものである。 （１）スプルー・ランナーレス方式で長時間にわたる連
続成形を行なっても、半導体素子上のボンディングワイ
ヤーが変形あるいは切断されず、かつ成形品の重量のバ
ラツキがない。 （２）インジェクション成形機を最長３０分間停止し、
エポキシ樹脂組成物をシリンダー内に滞留させた後に停
止前と同じ圧力で再射出が可能であることである。 粘度変化率が５０％を越える場合、上記（１）、（２）
の熱安定性が著しく低下してしまう。
【００１１】本発明での粘度変化率の測定方法は、以下
の通りである。 粘度変化率：ブラベンダー（東洋精機株式会社・製 ラ
ボプラストミル）の金型を測定温度に保ち、粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物８０ｇを仕込み、ローターを３０ｒｐ
ｍの回転速度で回転させ、エポキシ樹脂組成物が加熱溶
融したときのローター回転のトルクを測定した。測定開
始直後に、最もトルクの小さい値（初期トルク値）と測
定開始３０分後のトルクを測定した。変化率は、（３０
分後のトルク値−初期トルク値）／（初期トルク値）×
１００（％）で表わす。
の通りである。 粘度変化率：ブラベンダー（東洋精機株式会社・製 ラ
ボプラストミル）の金型を測定温度に保ち、粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物８０ｇを仕込み、ローターを３０ｒｐ
ｍの回転速度で回転させ、エポキシ樹脂組成物が加熱溶
融したときのローター回転のトルクを測定した。測定開
始直後に、最もトルクの小さい値（初期トルク値）と測
定開始３０分後のトルクを測定した。変化率は、（３０
分後のトルク値−初期トルク値）／（初期トルク値）×
１００（％）で表わす。
【００１２】成形金型内でのエポキシ樹脂組成物中の樹
脂の硬化反応に伴ない、成形品の表面硬度は増加する。
硬化反応が完結に近づくに従い硬度も一定値となり、変
化が小さくなる。エポキシ樹脂組成物の硬化反応が不充
分で、成形品の表面硬度が低いと金型からの離型性が悪
く、フレームの変形やパッケージの破損、あるいは金型
の表面の汚染等が生じ易く、成形性が著しく劣る。半導
体封止用エポキシ樹脂組成物のインジェクション成形に
おいては、成形金型温度を１５０〜１９０℃、好ましく
は１６５〜１８５℃の条件で９０秒以内、好ましくは６
０秒以内の成形時間とすることが望ましい。このために
は、硬化時間６０秒での成形品の表面硬度に対し、硬化
時間１２０秒での成形品の表面硬度の変化率が２０％以
下、好ましくは１０％以下であることが望ましい。硬度
の変化率が２０％を越える場合には、成形金型内での１
２０秒間での硬化反応が充分でなく、成形性や量産性に
劣る結果となる。
脂の硬化反応に伴ない、成形品の表面硬度は増加する。
硬化反応が完結に近づくに従い硬度も一定値となり、変
化が小さくなる。エポキシ樹脂組成物の硬化反応が不充
分で、成形品の表面硬度が低いと金型からの離型性が悪
く、フレームの変形やパッケージの破損、あるいは金型
の表面の汚染等が生じ易く、成形性が著しく劣る。半導
体封止用エポキシ樹脂組成物のインジェクション成形に
おいては、成形金型温度を１５０〜１９０℃、好ましく
は１６５〜１８５℃の条件で９０秒以内、好ましくは６
０秒以内の成形時間とすることが望ましい。このために
は、硬化時間６０秒での成形品の表面硬度に対し、硬化
時間１２０秒での成形品の表面硬度の変化率が２０％以
下、好ましくは１０％以下であることが望ましい。硬度
の変化率が２０％を越える場合には、成形金型内での１
２０秒間での硬化反応が充分でなく、成形性や量産性に
劣る結果となる。
【００１３】本発明の表面硬度変化率の測定方法は、以
下の通りである。 成形品表面硬度変化率：シリンダー内の溶融状態のエポ
キシ樹脂組成物をスクリューにより所定温度の金型に、
射出した直後から６０秒後及び１２０秒後に金型を開
き、型開き直後の成形品の表面硬度をバコール硬度計
（＃９３５）で測定した。変化率は、（１２０秒後の硬
度−６０秒後の硬度）／（６０秒後の硬度）×１００
（％）で表わした。
下の通りである。 成形品表面硬度変化率：シリンダー内の溶融状態のエポ
キシ樹脂組成物をスクリューにより所定温度の金型に、
射出した直後から６０秒後及び１２０秒後に金型を開
き、型開き直後の成形品の表面硬度をバコール硬度計
（＃９３５）で測定した。変化率は、（１２０秒後の硬
度−６０秒後の硬度）／（６０秒後の硬度）×１００
（％）で表わした。
【００１４】以下、実施例により本発明を説明する。な
お、部は重量部を表す。 実施例１、２、比較例１、２ オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００） ２００部 フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０３） １０３部 溶融シリカ粉末 ７００部 下記に示す硬化促進剤 カルナバワックス ３部 カーボンブラック ３部 シランカップリング剤 ５部 以上の各原料を混合後、９０℃の加熱ロールで加熱混練
したのち、冷却粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得
られた樹脂組成物を用いて、シリンダー内温度１００
℃、金型温度１５５℃、１７５℃、１８５℃、射出圧力
１００ｋｇ／ｃｍ２の条件で１６ｐＤＩＰのインジェク
ション成形を行ない、成形品表面硬度変化率、離型性、
成形品の素子上のボンディングワイヤーのスイプーを評
価した。また、８０℃および１００℃、３０分間での粘
度変化をブラベンダーにて測定した。結果を表１、表２
に示す。 用いる硬化促進剤 実施例１：１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン １．５部 ２，４−ジアミノ−６−｛２−メチルイミダゾリル−（１）｝−エ チル−Ｓ−トリアジン ０．２部 実施例２：１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン ２．５部 ２，４−ジアミノ−６−｛２−メチルイミダゾリル−（１）｝−エ チル−Ｓ−トリアジン ０．４部 比較例１：１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン １．５部 比較例２：２−エチル−４−メチルイミダゾール １．５部
お、部は重量部を表す。 実施例１、２、比較例１、２ オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２００） ２００部 フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０３） １０３部 溶融シリカ粉末 ７００部 下記に示す硬化促進剤 カルナバワックス ３部 カーボンブラック ３部 シランカップリング剤 ５部 以上の各原料を混合後、９０℃の加熱ロールで加熱混練
したのち、冷却粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得
られた樹脂組成物を用いて、シリンダー内温度１００
℃、金型温度１５５℃、１７５℃、１８５℃、射出圧力
１００ｋｇ／ｃｍ２の条件で１６ｐＤＩＰのインジェク
ション成形を行ない、成形品表面硬度変化率、離型性、
成形品の素子上のボンディングワイヤーのスイプーを評
価した。また、８０℃および１００℃、３０分間での粘
度変化をブラベンダーにて測定した。結果を表１、表２
に示す。 用いる硬化促進剤 実施例１：１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン １．５部 ２，４−ジアミノ−６−｛２−メチルイミダゾリル−（１）｝−エ チル−Ｓ−トリアジン ０．２部 実施例２：１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン ２．５部 ２，４−ジアミノ−６−｛２−メチルイミダゾリル−（１）｝−エ チル−Ｓ−トリアジン ０．４部 比較例１：１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン １．５部 比較例２：２−エチル−４−メチルイミダゾール １．５部
【００１５】評価方法 ・８０℃、１００℃での粘度変化率：ブラベンダー（東
洋精機株式会社・製ラボプラストミル）の金型を８０
℃、１００℃に保ち、粉末状のエポキシ樹脂組成物８０
ｇを仕込み、ローター３０ｒｐｍの回転速度で回転さ
せ、エポキシ樹脂組成物が加熱溶融したときのローター
回転のトルクを測定した。測定開始直後に、最もトルク
の小さい値（初期トルク値）と測定開始６０分後のトル
クを測定した。変化率は、（３０分後のトルク値−初期
トルク値）／（初期トルク値）×１００（％）で表わし
た。 ・成形品表面硬度の変化率：シリンダー内温度１００℃
の溶融状態のエポキシ樹脂組成物をスクリューにより１
５５℃、１７５℃、１８５℃の金型に、射出した直後か
ら６０秒後及び１２０秒後に金型を開き、型開き直後の
成形品の表面硬度をバコール硬度計（＃９３５）で測定
した。変化率は、（１２０秒後の硬度−６０秒後の硬
度）／（６０秒後の硬度）×１００（％）で表わした。
洋精機株式会社・製ラボプラストミル）の金型を８０
℃、１００℃に保ち、粉末状のエポキシ樹脂組成物８０
ｇを仕込み、ローター３０ｒｐｍの回転速度で回転さ
せ、エポキシ樹脂組成物が加熱溶融したときのローター
回転のトルクを測定した。測定開始直後に、最もトルク
の小さい値（初期トルク値）と測定開始６０分後のトル
クを測定した。変化率は、（３０分後のトルク値−初期
トルク値）／（初期トルク値）×１００（％）で表わし
た。 ・成形品表面硬度の変化率：シリンダー内温度１００℃
の溶融状態のエポキシ樹脂組成物をスクリューにより１
５５℃、１７５℃、１８５℃の金型に、射出した直後か
ら６０秒後及び１２０秒後に金型を開き、型開き直後の
成形品の表面硬度をバコール硬度計（＃９３５）で測定
した。変化率は、（１２０秒後の硬度−６０秒後の硬
度）／（６０秒後の硬度）×１００（％）で表わした。
【００１６】シリンダー熱安定性：シリンダー内温度８
０℃、１００℃でエポキシ樹脂組成物を３０ショット連
続成形し、その後成形機を停止して樹脂組成物をシリン
ダー内に滞留させる。滞留時間は、計量後から射出開始
までの時間とし、これを順次長くして射出成形が可能か
否かを判定した。 ○：成形可能、 △：成形可能（但し一部未充填）、
×：成形不可 離型性：成形時間を９０秒とし、型開き後の成形品の離
型性を判定した。 ○：ノックピンにより成形品が離型する。 ×：成形品を離型する際に力を加えたため、リードフレ
ームの変形が発生した。また金型内のゲート部、ランナ
ー部に離型しない成形品が残った。 ワイヤースイープ：成形開始から２００ショット目の成
形品に軟Ｘ線を照射して、ボンディングワイヤー（２５
μｍ径：長さ３ｍｍのセミハード金線）の流れ量を測定
した。ボンディング間の距離に対する最大ワイヤー流れ
量の比を％で表わした。 スプルー・ランナーレス成形再射出性：シリンダー内温
度を１００℃とし、金型内のスプルー・ランナー部分の
みを１１５℃に、金型内の半導体パッケージキャビティ
の部分を１７５℃に温度制御した金型を用いて成形を行
なった。成形時間は９０秒とした。連続成形により、前
ショットでのスプルー・ランナー部分を半導体パッケー
ジキャビティに再射出し、その成形性を評価した。
０℃、１００℃でエポキシ樹脂組成物を３０ショット連
続成形し、その後成形機を停止して樹脂組成物をシリン
ダー内に滞留させる。滞留時間は、計量後から射出開始
までの時間とし、これを順次長くして射出成形が可能か
否かを判定した。 ○：成形可能、 △：成形可能（但し一部未充填）、
×：成形不可 離型性：成形時間を９０秒とし、型開き後の成形品の離
型性を判定した。 ○：ノックピンにより成形品が離型する。 ×：成形品を離型する際に力を加えたため、リードフレ
ームの変形が発生した。また金型内のゲート部、ランナ
ー部に離型しない成形品が残った。 ワイヤースイープ：成形開始から２００ショット目の成
形品に軟Ｘ線を照射して、ボンディングワイヤー（２５
μｍ径：長さ３ｍｍのセミハード金線）の流れ量を測定
した。ボンディング間の距離に対する最大ワイヤー流れ
量の比を％で表わした。 スプルー・ランナーレス成形再射出性：シリンダー内温
度を１００℃とし、金型内のスプルー・ランナー部分の
みを１１５℃に、金型内の半導体パッケージキャビティ
の部分を１７５℃に温度制御した金型を用いて成形を行
なった。成形時間は９０秒とした。連続成形により、前
ショットでのスプルー・ランナー部分を半導体パッケー
ジキャビティに再射出し、その成形性を評価した。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【発明の効果】本発明に従うと、インジェクション成形
におけるシリンダー内、あるいはスプルー・ランナーレ
ス方式、インジェクション成形における金型内のスプル
ー・ランナー部での溶融状態での熱安定性が著しく優
れ、かつ金型内での硬化性が優れているため、インジェ
クション成形に適した半導体封止用エポキシ樹脂組成物
として好適である。
におけるシリンダー内、あるいはスプルー・ランナーレ
ス方式、インジェクション成形における金型内のスプル
ー・ランナー部での溶融状態での熱安定性が著しく優
れ、かつ金型内での硬化性が優れているため、インジェ
クション成形に適した半導体封止用エポキシ樹脂組成物
として好適である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、
硬化促進剤、無機質充填材を必須成分とするエポキシ樹
脂組成物において、総エポキシ樹脂組成物が７０〜１１
０℃で３０分間放置後の溶融粘度の変化率が５０％以下
で、かつ１５０〜１９０℃の成形金型内での硬化時間６
０秒の成形品の表面硬度に対する、１２０秒での成形品
の表面硬度の変化率が２０％以下である特性を有するこ
とを特徴とするインジェクション成形用半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205793A JPH0867745A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205793A JPH0867745A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0867745A true JPH0867745A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16512779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6205793A Pending JPH0867745A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0867745A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0893474A2 (en) * | 1997-04-17 | 1999-01-27 | Ajinomoto Co., Ltd. | Epoxy resin composition and a process for manufacturing a multilayer printed-wiring board using it |
| EP0787569A3 (en) * | 1996-01-31 | 1999-04-21 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method of producing epoxy resin-encapsulated semiconductor device |
| JP2001172477A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-26 | Nippon Zeon Co Ltd | 硬化性重合体組成物及びそれを用いた多層回路基板 |
| WO2018225665A1 (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、及び金属張積層板の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP6205793A patent/JPH0867745A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0787569A3 (en) * | 1996-01-31 | 1999-04-21 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method of producing epoxy resin-encapsulated semiconductor device |
| EP0985513A2 (en) * | 1996-01-31 | 2000-03-15 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method of producing epoxy resin-encapsulated semiconductor device |
| EP0985513A3 (en) * | 1996-01-31 | 2000-03-22 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method of producing epoxy resin-encapsulated semiconductor device |
| SG91806A1 (en) * | 1996-01-31 | 2002-10-15 | Sumitomo Bakelite Co | Method of producing epoxy resin-encapsulated semiconductor device |
| EP0893474A2 (en) * | 1997-04-17 | 1999-01-27 | Ajinomoto Co., Ltd. | Epoxy resin composition and a process for manufacturing a multilayer printed-wiring board using it |
| EP0893474A3 (en) * | 1997-04-17 | 2000-10-18 | Ajinomoto Co., Ltd. | Epoxy resin composition and a process for manufacturing a multilayer printed-wiring board using it |
| JP2001172477A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-26 | Nippon Zeon Co Ltd | 硬化性重合体組成物及びそれを用いた多層回路基板 |
| WO2018225665A1 (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、及び金属張積層板の製造方法 |
| JP2018203955A (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板、及び金属張積層板の製造方法 |
| KR20190137943A (ko) * | 2017-06-08 | 2019-12-11 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 수지 조성물, 프리프레그, 금속 클래드 적층판, 프린트 배선판, 및 금속 클래드 적층판의 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |