JPH0866699A - 汚泥の回分式メタン発酵方法および装置 - Google Patents
汚泥の回分式メタン発酵方法および装置Info
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- JPH0866699A JPH0866699A JP20409894A JP20409894A JPH0866699A JP H0866699 A JPH0866699 A JP H0866699A JP 20409894 A JP20409894 A JP 20409894A JP 20409894 A JP20409894 A JP 20409894A JP H0866699 A JPH0866699 A JP H0866699A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E50/00—Technologies for the production of fuel of non-fossil origin
- Y02E50/30—Fuel from waste, e.g. synthetic alcohol or diesel
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- Physical Water Treatments (AREA)
- Purification Treatments By Anaerobic Or Anaerobic And Aerobic Bacteria Or Animals (AREA)
- Treatment Of Sludge (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 汚泥の回分式メタン発酵方法において、釉薬
を塗布して焼成した遠赤外線セラミックス２１を内部に
配置した嫌気性発酵槽１３に汚泥１４を導入し、遠赤外
線セラミックス２１の作用の下にメタン発酵させる。 【効果】 汚泥の分解率が高まり、メタン発生率が向上
する。
を塗布して焼成した遠赤外線セラミックス２１を内部に
配置した嫌気性発酵槽１３に汚泥１４を導入し、遠赤外
線セラミックス２１の作用の下にメタン発酵させる。 【効果】 汚泥の分解率が高まり、メタン発生率が向上
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、都市下水処理場や産業
廃水処理場で残渣物として生じる汚泥の回分式メタン発
酵方法および装置に関する。
廃水処理場で残渣物として生じる汚泥の回分式メタン発
酵方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】都市下水処理場や産業廃水処理場で残渣
物として生じる汚泥は、たとえば嫌気性消化により処理
されている。嫌気性消化の第１段階においては汚泥中の
高分子有機質が通性嫌気性菌により低分子中間生成物に
分解され、第２段階においてはこの中間生成物や代謝生
産物が絶対嫌気性菌により炭酸ガスやメタンやアンモニ
アに分解される。第２段階で発生するメタンが大量であ
るため、消化の第２段階をメタン発酵といい、これにあ
ずかる細菌を特にメタン菌と呼ぶ。消化汚泥は消化前に
比べて減容されているので次工程の処理が容易であり、
発生したメタンは有効利用可能である。
物として生じる汚泥は、たとえば嫌気性消化により処理
されている。嫌気性消化の第１段階においては汚泥中の
高分子有機質が通性嫌気性菌により低分子中間生成物に
分解され、第２段階においてはこの中間生成物や代謝生
産物が絶対嫌気性菌により炭酸ガスやメタンやアンモニ
アに分解される。第２段階で発生するメタンが大量であ
るため、消化の第２段階をメタン発酵といい、これにあ
ずかる細菌を特にメタン菌と呼ぶ。消化汚泥は消化前に
比べて減容されているので次工程の処理が容易であり、
発生したメタンは有効利用可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、生活水準の向
上などから汚泥量は増加する傾向にあり、このため、汚
泥をより効率的に処理できるようにすることが必要とさ
れている。
上などから汚泥量は増加する傾向にあり、このため、汚
泥をより効率的に処理できるようにすることが必要とさ
れている。
【０００４】本発明は上記問題を解決するもので、汚泥
の分解率を高め、ひいてはメタン発生率を向上させ得る
汚泥のメタン発酵方法を提供することを目的とするもの
である。
の分解率を高め、ひいてはメタン発生率を向上させ得る
汚泥のメタン発酵方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の汚泥の回分式メタン発酵方法は、釉薬を塗
布して焼成した遠赤外線セラミックスを内部に配置した
嫌気性発酵槽に汚泥を導入し、遠赤外線セラミックスの
作用の下にメタン発酵させるようにしたことを特徴とす
る。
に、本発明の汚泥の回分式メタン発酵方法は、釉薬を塗
布して焼成した遠赤外線セラミックスを内部に配置した
嫌気性発酵槽に汚泥を導入し、遠赤外線セラミックスの
作用の下にメタン発酵させるようにしたことを特徴とす
る。
【０００６】また、本発明の汚泥の回分式メタン発酵方
法は、釉薬を塗布して焼成した遠赤外線セラミックス
が、ペタライトを含有するセラミックスに黒色釉薬を塗
布して焼成したものであることを特徴とする。
法は、釉薬を塗布して焼成した遠赤外線セラミックス
が、ペタライトを含有するセラミックスに黒色釉薬を塗
布して焼成したものであることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の汚泥の回分式メタン発酵装
置は、嫌気性発酵槽の内部に、釉薬を塗布して焼成した
遠赤外線セラミックスを配置したことを特徴とする。ま
た、本発明の汚泥の回分式メタン発酵装置は、釉薬を塗
布して焼成した遠赤外線セラミックスが、ペタライトを
含有するセラミックスに黒色釉薬を塗布して焼成したも
のであることを特徴とする。
置は、嫌気性発酵槽の内部に、釉薬を塗布して焼成した
遠赤外線セラミックスを配置したことを特徴とする。ま
た、本発明の汚泥の回分式メタン発酵装置は、釉薬を塗
布して焼成した遠赤外線セラミックスが、ペタライトを
含有するセラミックスに黒色釉薬を塗布して焼成したも
のであることを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記構成において、遠赤外線セラミックスの作
用の下にメタン発酵を行うようにしたことにより、汚泥
の分解率が高められ、メタン発生率が向上する。
用の下にメタン発酵を行うようにしたことにより、汚泥
の分解率が高められ、メタン発生率が向上する。
【０００９】
【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明の汚泥の回分
式メタン発酵方法の原理を説明する。
式メタン発酵方法の原理を説明する。
【００１０】図１において、恒温水槽１は、槽内の水２
の温度を３７℃に維持する温度制御装置３を備え、槽内
の水２に浸漬して嫌気性発酵槽４を設置している。嫌気
性発酵槽４は内部に、基質としての汚水とメタン菌を含
有する種汚泥との混合物５を入れるとともに、遠赤外線
セラミックスを取り付けるようになっている。
の温度を３７℃に維持する温度制御装置３を備え、槽内
の水２に浸漬して嫌気性発酵槽４を設置している。嫌気
性発酵槽４は内部に、基質としての汚水とメタン菌を含
有する種汚泥との混合物５を入れるとともに、遠赤外線
セラミックスを取り付けるようになっている。
【００１１】恒温水槽１の外部には、飽和食塩水６を入
れたガス貯め容器７と、容器８とを設けており、嫌気性
発酵槽４内の上部空間とガス貯め容器７内の上部空間と
を導管９によって連通させ、ガス貯め容器７の内部と容
器８の内部とを、一端が飽和食塩水６中に開口し他端が
容器８の下方に開口している導管１０により連通させて
いる。容器８の天部には、容器８内の空気を流出させる
流出管１１を設けている。これにより、嫌気性発酵槽４
内で発生したガスを導管９を通じてガス貯め容器７に導
入し、導入されたガス１２の圧力により導管１０を通じ
て容器８の内部に送り込まれた飽和食塩水６の量を測定
することで、嫌気性発酵槽４内で発生したガスの量を捉
えることができる。なお、発生ガスの組成はオールザッ
ト−ルンゲ法により求める。
れたガス貯め容器７と、容器８とを設けており、嫌気性
発酵槽４内の上部空間とガス貯め容器７内の上部空間と
を導管９によって連通させ、ガス貯め容器７の内部と容
器８の内部とを、一端が飽和食塩水６中に開口し他端が
容器８の下方に開口している導管１０により連通させて
いる。容器８の天部には、容器８内の空気を流出させる
流出管１１を設けている。これにより、嫌気性発酵槽４
内で発生したガスを導管９を通じてガス貯め容器７に導
入し、導入されたガス１２の圧力により導管１０を通じ
て容器８の内部に送り込まれた飽和食塩水６の量を測定
することで、嫌気性発酵槽４内で発生したガスの量を捉
えることができる。なお、発生ガスの組成はオールザッ
ト−ルンゲ法により求める。
【００１２】なお、この実施例では、汚泥に代わる基質
としてＤ−グルコース（Ｃ6 Ｈ12Ｏ 6 ）を栄養源とする
下記の表１の組成の汚水を使用した。
としてＤ−グルコース（Ｃ6 Ｈ12Ｏ 6 ）を栄養源とする
下記の表１の組成の汚水を使用した。
【００１３】
【表１】
【００１４】また、遠赤外線セラミックスとして、以下
の２種類のものを使用した。 １）ペタライト７５％、木節粘土２０％、及び三石クレ
ー５％なる組成を有するセラミックスに、遷移元素Ｍｎ
Ｏ2 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＣｕＯからなる黒色釉薬を
塗布し、１１５０℃で焼成した平板状の釉薬付遠赤外線
セラミックス。この釉薬付遠赤外線セラミックスの分光
放射率曲線を図２のグラフに示す。図２のグラフにおい
て、横軸は波長（μｍ）を示し、縦軸は放射率（％）を
示す。
の２種類のものを使用した。 １）ペタライト７５％、木節粘土２０％、及び三石クレ
ー５％なる組成を有するセラミックスに、遷移元素Ｍｎ
Ｏ2 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＣｕＯからなる黒色釉薬を
塗布し、１１５０℃で焼成した平板状の釉薬付遠赤外線
セラミックス。この釉薬付遠赤外線セラミックスの分光
放射率曲線を図２のグラフに示す。図２のグラフにおい
て、横軸は波長（μｍ）を示し、縦軸は放射率（％）を
示す。
【００１５】２）上記１）と同一組成を有するセラミッ
クスを、釉薬を塗布することなく１１５０℃で焼成した
平板状の釉薬なし遠赤外線セラミックス。この釉薬なし
遠赤外線セラミックスの分光放射率曲線を図３のグラフ
に示す。図３のグラフにおいて、横軸は波長（μｍ）を
示し、縦軸は放射率（％）を示す。
クスを、釉薬を塗布することなく１１５０℃で焼成した
平板状の釉薬なし遠赤外線セラミックス。この釉薬なし
遠赤外線セラミックスの分光放射率曲線を図３のグラフ
に示す。図３のグラフにおいて、横軸は波長（μｍ）を
示し、縦軸は放射率（％）を示す。
【００１６】上記したメタン発酵装置、基質としての汚
水、遠赤外線セラミックスを使用し、以下のような発酵
条件においてメタン発酵させた。 イ）ガス発生量に対する遠赤外線セラミックスの影響を
調べるために、釉薬付遠赤外線セラミックスを投入した
場合（ＢＣ）と、遠赤外線セラミックスを投入しない場
合（対照）（ＮＣ）においてメタン発酵させた。種汚泥
（メタン菌）対汚水の混合割合を１０：１とした。
水、遠赤外線セラミックスを使用し、以下のような発酵
条件においてメタン発酵させた。 イ）ガス発生量に対する遠赤外線セラミックスの影響を
調べるために、釉薬付遠赤外線セラミックスを投入した
場合（ＢＣ）と、遠赤外線セラミックスを投入しない場
合（対照）（ＮＣ）においてメタン発酵させた。種汚泥
（メタン菌）対汚水の混合割合を１０：１とした。
【００１７】ロ）メタン菌に対する遠赤外線セラミック
スの影響を調べるために、釉薬付遠赤外線セラミックス
を発酵槽底部に浸漬した場合（ＢＣ）、釉薬付遠赤外線
セラミックスを発酵槽上部に浸漬した場合（ＣＴ）、釉
薬なし遠赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬した場
合（ＷＣ）、遠赤外線セラミックスを投入しない場合
（対照）（ＮＣ）においてメタン発酵させた。種汚泥対
汚水の混合割合を６：１とした。
スの影響を調べるために、釉薬付遠赤外線セラミックス
を発酵槽底部に浸漬した場合（ＢＣ）、釉薬付遠赤外線
セラミックスを発酵槽上部に浸漬した場合（ＣＴ）、釉
薬なし遠赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬した場
合（ＷＣ）、遠赤外線セラミックスを投入しない場合
（対照）（ＮＣ）においてメタン発酵させた。種汚泥対
汚水の混合割合を６：１とした。
【００１８】ハ）上記したロ）と同様の発酵条件を設定
し、種汚泥対汚水の混合割合を４：１とした。上記した
発酵条件をまとめて下記の表２に示す。なお、イ）、
ロ）、ハ）においてはｐＨ緩衝剤としてＮａＨＣＯ3 を
添加した。
し、種汚泥対汚水の混合割合を４：１とした。上記した
発酵条件をまとめて下記の表２に示す。なお、イ）、
ロ）、ハ）においてはｐＨ緩衝剤としてＮａＨＣＯ3 を
添加した。
【００１９】
【表２】
【００２０】イ）、ロ）、ハ）の結果をそれぞれ図４、
図５、図６のグラフに示す。各グラフは、積算ガス発生
量（ｍｌ）を時間（ｈ）に対してプロットしたものであ
る。イ）においては、図４のグラフからわかるように、
釉薬付遠赤外線セラミックスを投入した場合（ＢＣ）の
ガス発生量が、遠赤外線セラミックスを投入しなかった
場合（ＮＣ）のガス発生量を１２％上回った。
図５、図６のグラフに示す。各グラフは、積算ガス発生
量（ｍｌ）を時間（ｈ）に対してプロットしたものであ
る。イ）においては、図４のグラフからわかるように、
釉薬付遠赤外線セラミックスを投入した場合（ＢＣ）の
ガス発生量が、遠赤外線セラミックスを投入しなかった
場合（ＮＣ）のガス発生量を１２％上回った。
【００２１】ロ）においては、図５のグラフからわかる
ように、遠赤外線セラミックスを投入しなかった場合
（ＮＣ）のガス発生量を１００％としたとき、釉薬付遠
赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬した場合（Ｂ
Ｃ）のガス発生量は１１５％であり、釉薬付遠赤外線セ
ラミックスを発酵槽上部に浸漬した場合（ＣＴ）のガス
発生量は１０８％であった。
ように、遠赤外線セラミックスを投入しなかった場合
（ＮＣ）のガス発生量を１００％としたとき、釉薬付遠
赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬した場合（Ｂ
Ｃ）のガス発生量は１１５％であり、釉薬付遠赤外線セ
ラミックスを発酵槽上部に浸漬した場合（ＣＴ）のガス
発生量は１０８％であった。
【００２２】ハ）においては、図６のグラフからわかる
ように、遠赤外線セラミックスを投入しなかった場合
（ＮＣ）のガス発生量を１００％としたとき、釉薬なし
遠赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬した場合（Ｗ
Ｃ）のガス発生量は１０２％であり、釉薬付遠赤外線セ
ラミックスを発酵槽底部に浸漬した場合（ＢＣ）のガス
発生量は１１２％であり、釉薬付遠赤外線セラミックス
を発酵槽上部に浸漬した場合（ＣＴ）のガス発生量は１
０９％であった。
ように、遠赤外線セラミックスを投入しなかった場合
（ＮＣ）のガス発生量を１００％としたとき、釉薬なし
遠赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬した場合（Ｗ
Ｃ）のガス発生量は１０２％であり、釉薬付遠赤外線セ
ラミックスを発酵槽底部に浸漬した場合（ＢＣ）のガス
発生量は１１２％であり、釉薬付遠赤外線セラミックス
を発酵槽上部に浸漬した場合（ＣＴ）のガス発生量は１
０９％であった。
【００２３】上記したイ）、ロ）、ハ）の結果から、釉
薬付遠赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬した場
合、遠赤外線セラミックスを投入しなかった場合に比し
てガス発生量が１２〜１５％増加しており、菌との接触
がほとんどない発酵槽上部に釉薬付遠赤外線セラミック
スを浸漬した場合でもガス発生量が８〜９％増加してい
ることがわかる。
薬付遠赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬した場
合、遠赤外線セラミックスを投入しなかった場合に比し
てガス発生量が１２〜１５％増加しており、菌との接触
がほとんどない発酵槽上部に釉薬付遠赤外線セラミック
スを浸漬した場合でもガス発生量が８〜９％増加してい
ることがわかる。
【００２４】イ）、ロ）、ハ）において発生したガスの
組成は図７のグラフに示した通りであり、メタン濃度は
全て７０％前後であって、釉薬付遠赤外線セラミックス
を発酵槽底部に浸漬した場合、遠赤外線セラミックスを
投入しなかった場合に比して若干メタン濃度が高く、メ
タン菌の活動がより活発であることがわかる。
組成は図７のグラフに示した通りであり、メタン濃度は
全て７０％前後であって、釉薬付遠赤外線セラミックス
を発酵槽底部に浸漬した場合、遠赤外線セラミックスを
投入しなかった場合に比して若干メタン濃度が高く、メ
タン菌の活動がより活発であることがわかる。
【００２５】上記と同じメタン発酵装置、基質としての
汚水、遠赤外線セラミックス、発酵条件を用いてメタン
発酵させた。ただし、種汚泥対汚水の混合割合を、ニ）
においては３：１とし、ホ）においては２：１とした。
これらの発酵条件をまとめて下記の表３に示す。
汚水、遠赤外線セラミックス、発酵条件を用いてメタン
発酵させた。ただし、種汚泥対汚水の混合割合を、ニ）
においては３：１とし、ホ）においては２：１とした。
これらの発酵条件をまとめて下記の表３に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】ニ）の結果を図８、図９に示す。図８は、
積算ガス発生量（ｍｌ）を時間（ｈ）に対してプロット
したグラフであり、図９はガス組成を示すグラフであ
る。グラフからわかるように、５００時間後、釉薬付遠
赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬したＢＣＢ３１
は、遠赤外線セラミックスを投入しなかったＮＣＢ３１
よりガス発生量が９％増加した。
積算ガス発生量（ｍｌ）を時間（ｈ）に対してプロット
したグラフであり、図９はガス組成を示すグラフであ
る。グラフからわかるように、５００時間後、釉薬付遠
赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬したＢＣＢ３１
は、遠赤外線セラミックスを投入しなかったＮＣＢ３１
よりガス発生量が９％増加した。
【００２８】ホ）の結果を図１０、図１１に示す。図１
０は、積算ガス発生量（ｍｌ）を時間（ｈ）に対してプ
ロットしたグラフであり、図１１はガス組成を示すグラ
フである。グラフからわかるように、５００時間後、釉
薬付遠赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬したＢＣ
Ｂ２１は、遠赤外線セラミックスを投入しなかったＮＣ
Ｂ２１よりガス発生量が２３％増加した。
０は、積算ガス発生量（ｍｌ）を時間（ｈ）に対してプ
ロットしたグラフであり、図１１はガス組成を示すグラ
フである。グラフからわかるように、５００時間後、釉
薬付遠赤外線セラミックスを発酵槽底部に浸漬したＢＣ
Ｂ２１は、遠赤外線セラミックスを投入しなかったＮＣ
Ｂ２１よりガス発生量が２３％増加した。
【００２９】発酵開始時における汚水（ＩＳ）、種汚泥
（ＳＤ）、サンプリングした消化液（ＮＣＢ３１、ＢＣ
Ｂ３１、ＮＣＢ２１、ＢＣＢ２１）の性状を調べた結果
を以下の表４に示す。
（ＳＤ）、サンプリングした消化液（ＮＣＢ３１、ＢＣ
Ｂ３１、ＮＣＢ２１、ＢＣＢ２１）の性状を調べた結果
を以下の表４に示す。
【００３０】
【表４】
【００３１】表４において、汚水（ＩＳ）と種汚泥（Ｓ
Ｄ）のｐＨはメタン発酵に十分適した値であり、酸化還
元電位（ＯＲＰ）についても、汚水（ＩＳ）は高いもの
の、種汚泥（ＳＤ）は十分低い値を示しており、発酵の
阻害要因はないことがわかる。消化液（ＮＣＢ３１、Ｂ
ＣＢ３１、ＮＣＢ２１、ＢＣＢ２１）については、全て
において酸化還元電位（ＯＲＰ）は十分に低く、ｐＨも
ＮａＨＣＯ3 の緩衝作用によって８．００前後を示して
おり、発酵状態は良好であった。また、消化液の揮発性
けん濁物質（ＶＳＳ）は全ての場合において種汚泥より
増加しており、発酵期間中に菌体量が増加したものと思
われる。特に遠赤外線セラミックスを投入した場合にお
いて揮発性けん濁物質（ＶＳＳ）の増加が著しく、遠赤
外線セラミックスの作用によってメタン菌が活性化され
たと考えられる。
Ｄ）のｐＨはメタン発酵に十分適した値であり、酸化還
元電位（ＯＲＰ）についても、汚水（ＩＳ）は高いもの
の、種汚泥（ＳＤ）は十分低い値を示しており、発酵の
阻害要因はないことがわかる。消化液（ＮＣＢ３１、Ｂ
ＣＢ３１、ＮＣＢ２１、ＢＣＢ２１）については、全て
において酸化還元電位（ＯＲＰ）は十分に低く、ｐＨも
ＮａＨＣＯ3 の緩衝作用によって８．００前後を示して
おり、発酵状態は良好であった。また、消化液の揮発性
けん濁物質（ＶＳＳ）は全ての場合において種汚泥より
増加しており、発酵期間中に菌体量が増加したものと思
われる。特に遠赤外線セラミックスを投入した場合にお
いて揮発性けん濁物質（ＶＳＳ）の増加が著しく、遠赤
外線セラミックスの作用によってメタン菌が活性化され
たと考えられる。
【００３２】次に、上記した汚泥の回分式メタン発酵方
法を実施する回分式メタン発酵装置の一実施例を図１２
を用いて説明する。図１２において、１３は都市下水汚
泥などの汚泥の嫌気性処理において通常用いられている
ような嫌気性発酵槽であり、内部に処理対象たる汚泥１
４が投入されるものである。
法を実施する回分式メタン発酵装置の一実施例を図１２
を用いて説明する。図１２において、１３は都市下水汚
泥などの汚泥の嫌気性処理において通常用いられている
ような嫌気性発酵槽であり、内部に処理対象たる汚泥１
４が投入されるものである。
【００３３】発酵槽１３内の中央部には、上下が開口し
た攪拌用リフターパイプ１５が槽の上部から底部にわた
り上下方向に配設されており、発酵槽１３の天部には、
槽内で発生したガスを取り出すガス取出口１６と、攪拌
用リフターパイプ１５内の中央高さで開口するガス吹出
管１７とが設けられている。
た攪拌用リフターパイプ１５が槽の上部から底部にわた
り上下方向に配設されており、発酵槽１３の天部には、
槽内で発生したガスを取り出すガス取出口１６と、攪拌
用リフターパイプ１５内の中央高さで開口するガス吹出
管１７とが設けられている。
【００３４】発酵槽１３の側部には、上部に脱離液排出
口１８が形成されるとともに、底部付近に上から順に汚
泥投入管１９と汚泥引出管２０とが設けられており、汚
泥投入管１９と汚泥引出管２０は槽内の中央部まで導か
れている。
口１８が形成されるとともに、底部付近に上から順に汚
泥投入管１９と汚泥引出管２０とが設けられており、汚
泥投入管１９と汚泥引出管２０は槽内の中央部まで導か
れている。
【００３５】発酵槽１３の内周には、底面および側面
に、汚泥１４の液面高さあるいは液面よりわずか下の高
さとなる位置まで全周にわたって、釉薬を塗布して焼成
した遠赤外線セラミックス２１が配置されている。
に、汚泥１４の液面高さあるいは液面よりわずか下の高
さとなる位置まで全周にわたって、釉薬を塗布して焼成
した遠赤外線セラミックス２１が配置されている。
【００３６】このような構成の嫌気性発酵槽１３におい
て処理を行うときは、汚泥投入管１９より発酵槽１３の
内部に汚泥１４とメタン菌を含む種汚泥とを投入し、ガ
ス吹出管１７より攪拌用リフターパイプ１５の内部にガ
スを圧送して槽内の汚泥１４を攪拌混合する。そして、
断続的に適宜攪拌混合を行いつつ、汚泥１４を槽内に適
当時間保持する。この間に、汚泥１４は、メタン菌を含
む種汚泥と十分接触することになり、発酵槽１３の内周
面に配置された遠赤外線セラミックス２１の作用の下に
メタン菌により良好に分解されて、メタンガスなどの消
化ガスを発生し、かつ減容される。
て処理を行うときは、汚泥投入管１９より発酵槽１３の
内部に汚泥１４とメタン菌を含む種汚泥とを投入し、ガ
ス吹出管１７より攪拌用リフターパイプ１５の内部にガ
スを圧送して槽内の汚泥１４を攪拌混合する。そして、
断続的に適宜攪拌混合を行いつつ、汚泥１４を槽内に適
当時間保持する。この間に、汚泥１４は、メタン菌を含
む種汚泥と十分接触することになり、発酵槽１３の内周
面に配置された遠赤外線セラミックス２１の作用の下に
メタン菌により良好に分解されて、メタンガスなどの消
化ガスを発生し、かつ減容される。
【００３７】処理を終了した消化汚泥は脱離液排出口１
８と汚泥引出口２０から引き出し、槽内で発生した消化
ガスはガス取出口１６より取り出す。消化ガスの一部は
汚泥を攪拌混合する目的で循環に供し、ガス吹出管１７
より攪拌用リフターパイプ１５の内部に圧送する。
８と汚泥引出口２０から引き出し、槽内で発生した消化
ガスはガス取出口１６より取り出す。消化ガスの一部は
汚泥を攪拌混合する目的で循環に供し、ガス吹出管１７
より攪拌用リフターパイプ１５の内部に圧送する。
【００３８】本発明の回分式メタン発酵装置は上記に限
定されることなく構成することができ、種々の嫌気性発
酵槽の内部に、釉薬を塗布して焼成した遠赤外線セラミ
ックスを配置することで構成できる。上記したガスリフ
ト式以外に機械攪拌式やポンプ循環式など、種々の混合
方式を用いることができる。
定されることなく構成することができ、種々の嫌気性発
酵槽の内部に、釉薬を塗布して焼成した遠赤外線セラミ
ックスを配置することで構成できる。上記したガスリフ
ト式以外に機械攪拌式やポンプ循環式など、種々の混合
方式を用いることができる。
【００３９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、汚泥を回
分式にてメタン発酵させる嫌気性発酵槽の内部に、釉薬
を塗布して焼成した遠赤外線セラミックスを存在させる
ことにより、汚泥の分解率を高め、メタン発生率を向上
させることができる。
分式にてメタン発酵させる嫌気性発酵槽の内部に、釉薬
を塗布して焼成した遠赤外線セラミックスを存在させる
ことにより、汚泥の分解率を高め、メタン発生率を向上
させることができる。
【図１】本発明の汚泥の回分式メタン発酵方法を説明す
る回分式メタン発酵装置の全体構成図である。
る回分式メタン発酵装置の全体構成図である。
【図２】釉薬付遠赤外線セラミックスの分光放射率曲線
を示したグラフである。
を示したグラフである。
【図３】釉薬なし遠赤外線セラミックスの分光放射率曲
線を示したグラフである。
線を示したグラフである。
【図４】発酵条件イにおける積算ガス発生量を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図５】発酵条件ロにおける積算ガス発生量を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図６】発酵条件ハにおける積算ガス発生量を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図７】発酵条件イ、ロ、ハで発生したガスの組成を示
したグラフである。
したグラフである。
【図８】発酵条件ニにおける積算ガス発生量を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図９】発酵条件ニで発生したガスの組成を示したグラ
フである。
フである。
【図１０】発酵条件ホにおける積算ガス発生量を示した
グラフである。
グラフである。
【図１１】発酵条件ホで発生したガスの組成を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図１２】本発明の一実施例の汚泥の回分式メタン発酵
装置を示した説明図である。
装置を示した説明図である。
13 嫌気性発酵槽 14 汚泥 21 遠赤外線セラミックス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南條 雄 大阪府大阪市西区江戸堀２丁目６番33号 （江戸堀シミズビル）新日本技術サービス 株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 釉薬を塗布して焼成した遠赤外線セラミ
ックスを内部に配置した嫌気性発酵槽に汚泥を導入し、
遠赤外線セラミックスの作用の下にメタン発酵させるこ
とを特徴とする汚泥の回分式メタン発酵方法。 - 【請求項２】 釉薬を塗布して焼成した遠赤外線セラミ
ックスが、ペタライトを含有するセラミックスに黒色釉
薬を塗布して焼成したものであることを特徴とする請求
項１記載の汚泥の回分式メタン発酵方法。 - 【請求項３】 嫌気性発酵槽の内部に、釉薬を塗布して
焼成した遠赤外線セラミックスを配置したことを特徴と
する汚泥の回分式メタン発酵装置。 - 【請求項４】 釉薬を塗布して焼成した遠赤外線セラミ
ックスが、ペタライトを含有するセラミックスに黒色釉
薬を塗布して焼成したものであることを特徴とする請求
項３記載の汚泥の回分式メタン発酵装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20409894A JPH0866699A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 汚泥の回分式メタン発酵方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20409894A JPH0866699A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 汚泥の回分式メタン発酵方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0866699A true JPH0866699A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16484767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20409894A Pending JPH0866699A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 汚泥の回分式メタン発酵方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0866699A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8889786B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-11-18 | Zeon Corporation | Cyclopentene ring-opening polymer and method of production of same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0698751A (ja) * | 1991-12-24 | 1994-04-12 | Osaka Prefecture | 発酵方法および発酵槽 |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP20409894A patent/JPH0866699A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0698751A (ja) * | 1991-12-24 | 1994-04-12 | Osaka Prefecture | 発酵方法および発酵槽 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8889786B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-11-18 | Zeon Corporation | Cyclopentene ring-opening polymer and method of production of same |
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