JPH0865098A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

Info

Publication number
JPH0865098A
JPH0865098A JP6198412A JP19841294A JPH0865098A JP H0865098 A JPH0865098 A JP H0865098A JP 6198412 A JP6198412 A JP 6198412A JP 19841294 A JP19841294 A JP 19841294A JP H0865098 A JPH0865098 A JP H0865098A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface acoustic
acoustic wave
comb
shaped electrode
side comb
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6198412A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3244386B2 (ja
Inventor
Keiji Onishi
慶治 大西
Kazuo Eda
和生 江田
Yutaka Taguchi
豊 田口
Shunichi Seki
関  俊一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP19841294A priority Critical patent/JP3244386B2/ja
Priority to EP95112848A priority patent/EP0698965B1/en
Priority to DE69513904T priority patent/DE69513904T2/de
Priority to US08/517,577 priority patent/US5721519A/en
Publication of JPH0865098A publication Critical patent/JPH0865098A/ja
Priority to US08/898,769 priority patent/US5892418A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3244386B2 publication Critical patent/JP3244386B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6436Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0038Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on the same side of the track
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0042Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on opposite sides of the track
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 弾性表面波装置の周辺回路が平衡型、不平衡
型に関わらず、平衡−不平衡変換回路を必要とせず、小
型、高性能の弾性表面波装置を提供する。 【構成】 一方の端子が接地された送波側櫛形電極1
と、前記送波側櫛形電極1で励振された弾性表面波を電
気信号に変換する受波側櫛形電極2と、前記受波側櫛形
電極2の出力端子5に接続された平衡型弾性表面波フィ
ルタ3とを備えた構成とする。送波側櫛形電極1は、入
力端子4の一方の端子が接地されており、不平衡信号が
入力される。受波側櫛形電極2で受信された前記弾性表
面波は、平衡信号として電気信号に変換され、前記受波
側櫛形電極2の出力端子5に接続された前記平衡型弾性
表面波フィルタ3の入力端子8に入力される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、通信機器等に使用され
る弾性表面波装置に関する。さらに詳しくは、ある特定
の周波数の電気信号のみを通すフィルターなどに使用す
ることができる弾性表面波装置に関する。
【0002】
【従来の技術】移動体通信の発展にともない、移動体通
信機器等に使用される弾性表面波装置の特性に対する要
求がますます高くなってきている。従来、移動体通信機
器等のバンドパスフィルタとして使用されている弾性表
面波装置は、その全てがいわゆる不平衡型フィルタであ
った。一般に、増幅器やミキサなどの高周波回路部品
は、その特性上、平衡型の方が好ましいが、周辺回路と
の整合の問題などから主として不平衡型デバイスが使用
されている。
【0003】従来から弾性表面波装置においては、高周
波数帯で現在広く用いられている、共振器型フィルタ
(特開昭52−19044号公報または特開平5−18
3380号公報)や、いわゆる多電極型フィルタ(特開
昭58−154917号公報)などは、その全てが不平
衡型デバイスであった。しかし、原理的には平衡型デバ
イスの実現が十分可能であり、平衡型弾性表面波フィル
タの移動体通信機器等への使用が期待されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、移動体
通信機器等で使用される高周波回路部品は、そのほとん
どが不平衡型デバイスであり、平衡型デバイスと混在さ
せて使用する場合には、平衡−不平衡の変換回路が必要
となる。その結果、各種高周波部品の特性が向上する一
方で、部品点数が増大し、その結果、機器の小型化、低
コスト化が困難となるという課題を有していた。
【0005】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
であり、弾性表面波装置の周辺回路が平衡型、不平衡型
に関わらず、平衡−不平衡変換回路を必要とせず、小
型、高性能の弾性表面波装置を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の第1番目の弾性表面波装置は、一方の端子
が接地された送波側櫛形電極と、前記送波側櫛形電極で
励振された弾性表面波を電気信号に変換する受波側櫛形
電極と、前記受波側櫛形電極に接続された平衡型弾性表
面波フィルタとを備えたことを特徴とする。
【0007】また本発明の第2番目の弾性表面波装置
は、平衡型弾性表面波フィルタと、前記平衡型弾性表面
波フィルタに接続された送波側櫛形電極と、前記送波側
櫛形電極で励振された弾性表面波を電気信号に変換する
ための一方の端子が接地された受波側櫛形電極とを備え
たことを特徴とする。
【0008】また本発明の第3番目の弾性表面波装置
は、一方の端子が接地された第1の送波側櫛形電極と、
前記第1の送波側櫛形電極で励振された弾性表面波を電
気信号に変換する第1の受波側櫛形電極と、前記第1の
受波側櫛形電極に接続された平衡型弾性表面波フィルタ
と、前記平衡型弾性表面波フィルタに接続された第2の
送波側櫛形電極と、前記第2の送波側櫛形電極で励振さ
れた弾性表面波を電気信号に変換するための一方の端子
が接地された第2の受波側櫛形電極とを備えたことを特
徴とする。
【0009】前記第1〜3番目の弾性表面波装置の発明
においては、少なくとも3個以上の櫛形電極を弾性表面
波の伝搬方向に配置し、それぞれの櫛形電極を交互に、
送波側櫛形電極及び受波側櫛形電極としたことが好まし
い。
【0010】また前記第1〜3番目の弾性表面波装置の
発明においては、送波側櫛形電極および受波側櫛形電極
の両外側に、反射器を設けたことが好ましい。次に本発
明の第4番目の弾性表面波装置は、一方の端子が接地さ
れた送波側櫛形電極と、一方の端子が接地され、前記送
波側櫛形電極で励振された弾性表面波を、互いに位相が
異なる弾性表面波として受信するように、前記送波側櫛
形電極の両側に配置された、第1及び第2の受波側櫛形
電極と、前記第1及び第2の受波側櫛形電極に接続され
た平衡型弾性表面波フィルタとを備えたことを特徴とす
る。
【0011】次に本発明の第5番目の弾性表面波装置
は、平衡型弾性表面波フィルタと、前記平衡型弾性表面
波フィルタに接続され、一方の端子が接地された第1及
び第2の送波側櫛形電極と、前記第1及び第2の送波側
櫛形電極で励振された弾性表面波を電気信号に変換する
ための一方の端子が接地された受波側櫛形電極とを備え
たことを特徴とする。
【0012】次に本発明の第6番目の弾性表面波装置
は、一方の端子が接地された第1の送波側櫛形電極と、
一方の端子が接地され、前記第1の送波側櫛形電極で励
振された弾性表面波を、互いに位相が異なる弾性表面波
として受信するように、前記第1の送波側櫛形電極の両
側に配置された、第1及び第2の受波側櫛形電極と、前
記第1及び第2の受波側櫛形電極に接続された平衡型弾
性表面波フィルタと、前記平衡型弾性表面波フィルタに
接続され、一方の端子が接地された第2及び第3の送波
側櫛形電極と、前記第2及び第3の送波側櫛形電極で励
振された弾性表面波を電気信号に変換するための一方の
端子が接地された第3の受波側櫛形電極とを備えたこと
を特徴とする。
【0013】前記第4〜6番目の弾性表面波装置の発明
においては、少なくとも4個以上の櫛形電極を弾性表面
波の伝搬方向に配置し、それぞれの櫛形電極を交互に、
送波側櫛形電極及び受波側櫛形電極としたことが好まし
い。
【0014】また前記第4〜6番目の弾性表面波装置の
発明においては、送波側櫛形電極及び受波側櫛形電極の
両外側に、反射器を設けたことが好ましい。また前記第
1〜6番目の弾性表面波装置の発明においては、平衡型
弾性表面波フィルタが、4個の弾性表面波共振子を対称
格子型に接続したものを基本単位として、少なくとも1
段以上接続することにより構成したことが好ましい。
【0015】また前記第1〜6番目の弾性表面波装置の
発明においては、送波側櫛形電極と、受波側櫛形電極と
によって現出する周波数特性において、挿入損失が最小
となる周波数と、平衡型弾性表面波フィルタの中心周波
数とがほぼ一致することが好ましい。
【0016】また前記第1,3,4および6番目の弾性
表面波装置の発明においては、受波側櫛形電極の出力端
子と、平衡型弾性表面波フィルタの入力端子との間に、
インピーダンス整合回路を備えたことが好ましい。
【0017】また前記第2〜3および5〜6番目の弾性
表面波装置の発明においては、平衡型弾性表面波フィル
タの出力端子と、送波側櫛形電極の入力端子との間に、
インピーダンス整合回路を備えたことが好ましい。
【0018】また前記第1〜6番目の弾性表面波装置の
発明においては、送波側櫛形電極と受波側櫛形電極とが
形成された基板の物理定数と、平衡型弾性表面波フィル
タが形成された基板の物理定数とが、互いに異なること
が好ましい。
【0019】また前記構成においては、送波側櫛形電極
と、受波側櫛形電極とが形成された基板の電気機械結合
係数が、平衡型弾性表面波フィルタが形成された基板の
電気機械結合係数よりも実質的に大きいことが好まし
い。
【0020】また前記構成においては、送波側櫛形電極
と、受波側櫛形電極とが形成された基板の周波数温度係
数と、平衡型弾性表面波フィルタが形成された基板の周
波数温度係数とがほぼ一致することが好ましい。
【0021】また前記構成においては、送波側櫛形電極
と、受波側櫛形電極とが形成された基板と、平衡型弾性
表面波フィルタが形成された基板とが、気密保持のため
の容器に一体に実装したことが好ましい。
【0022】また前記構成においては、受波側櫛形電極
の出力端子と、平衡型弾性表面波フィルタの入力端子と
の間、または平衡型弾性表面波フィルタの出力端子と、
送波側櫛形電極の入力端子との間に接続されるインピー
ダンス整合回路を、気密保持のための容器に内蔵したこ
とが好ましい。
【0023】また前記構成においては、気密保持のため
の容器が誘電体多層基板からなることが好ましい。また
前記構成においては、送波側櫛形電極と、受波側櫛形電
極と、平衡型弾性表面波フィルタとが、同一の基板上に
一体に形成されたことが好ましい。
【0024】また前記構成においては、送波側櫛形電極
と、受波側櫛形電極とを形成する電極の膜厚が、平衡型
弾性表面波フィルタを形成する電極の膜厚よりも厚いこ
とが好ましい。
【0025】また前記構成においては、受波側櫛形電極
の出力端子と、平衡型弾性表面波フィルタの入力端子と
の間、または平衡型弾性表面波フィルタの出力端子と、
送波側櫛形電極の入力端子との間に接続されるインピー
ダンス整合回路を、気密保持のための容器に内蔵したこ
とが好ましい。
【0026】また前記構成においては、気密保持のため
の容器が誘電体多層基板からなることが好ましい。
【0027】
【作用】前記本発明の第1番目の弾性表面波装置の構成
によれば、一方の端子が接地された送波側櫛形電極と、
前記送波側櫛形電極で励振された弾性表面波を電気信号
に変換する受波側櫛形電極と、前記受波側櫛形電極に接
続された平衡型弾性表面波フィルタとを備えたことによ
り、弾性表面波装置の周辺回路が平衡型、不平衡型に関
わらず、平衡−不平衡変換回路を必要とせず、小型、高
性能の弾性表面波装置を得ることができる。その結果、
各種高周波部品に平衡型デバイスが使用でき、高周波回
路部の特性向上を図ることができる。
【0028】また本発明の第2番目の弾性表面波装置の
構成によれば、平衡型弾性表面波フィルタと、前記平衡
型弾性表面波フィルタに接続された送波側櫛形電極と、
前記送波側櫛形電極で励振された弾性表面波を電気信号
に変換するための一方の端子が接地された受波側櫛形電
極とを備えたことにより、前記同様に小型、高性能の弾
性表面波装置を得ることができ、各種高周波部品に平衡
型デバイスが使用でき、高周波回路部の特性向上を図る
ことができる。
【0029】また本発明の第3番目の弾性表面波装置の
構成によれば、一方の端子が接地された第1の送波側櫛
形電極と、前記第1の送波側櫛形電極で励振された弾性
表面波を電気信号に変換する第1の受波側櫛形電極と、
前記第1の受波側櫛形電極に接続された平衡型弾性表面
波フィルタと、前記平衡型弾性表面波フィルタに接続さ
れた第2の送波側櫛形電極と、前記第2の送波側櫛形電
極で励振された弾性表面波を電気信号に変換するための
一方の端子が接地された第2の受波側櫛形電極とを備え
たことにより、前記同様に小型、高性能の弾性表面波装
置を得ることができ、各種高周波部品に平衡型デバイス
が使用でき、高周波回路部の特性向上を図ることができ
る。
【0030】前記において、少なくとも3個以上の櫛形
電極を弾性表面波の伝搬方向に配置し、それぞれの櫛形
電極を交互に、送波側櫛形電極及び受波側櫛形電極とし
たという好ましい例によれば、弾性表面波の双方向損失
を低減でき、弾性表面波装置の挿入損失を低減すること
ができる。
【0031】また前記において、送波側櫛形電極および
受波側櫛形電極の両外側に、反射器を設けたという好ま
しい例によれば、弾性表面波装置の挿入損失を低減する
ことができる。
【0032】次に本発明の第4番目の弾性表面波装置の
構成によれば、一方の端子が接地された送波側櫛形電極
と、一方の端子が接地され、前記送波側櫛形電極で励振
された弾性表面波を、互いに位相が異なる弾性表面波と
して受信するように、前記送波側櫛形電極の両側に配置
された、第1及び第2の受波側櫛形電極と、前記第1及
び第2の受波側櫛形電極に接続された平衡型弾性表面波
フィルタとを備えたことにより、弾性表面波装置の周辺
回路が平衡型、不平衡型に関わらず、平衡−不平衡変換
回路を必要とせず、小型、高性能の弾性表面波装置を得
ることができる。その結果、各種高周波部品に平衡型デ
バイスが使用でき、高周波回路部の特性向上を図ること
ができる。
【0033】次に本発明の第5番目の弾性表面波装置の
構成によれば、平衡型弾性表面波フィルタと、前記平衡
型弾性表面波フィルタに接続され、一方の端子が接地さ
れた第1及び第2の送波側櫛形電極と、前記第1及び第
2の送波側櫛形電極で励振された弾性表面波を電気信号
に変換するための一方の端子が接地された受波側櫛形電
極とを備えたことにより、前記同様に小型、高性能の弾
性表面波装置を得ることができ、各種高周波部品に平衡
型デバイスが使用でき、高周波回路部の特性向上を図る
ことができる。
【0034】次に本発明の第6番目の弾性表面波装置の
構成によれば、一方の端子が接地された第1の送波側櫛
形電極と、一方の端子が接地され、前記第1の送波側櫛
形電極で励振された弾性表面波を、互いに位相が異なる
弾性表面波として受信するように、前記第1の送波側櫛
形電極の両側に配置された、第1及び第2の受波側櫛形
電極と、前記第1及び第2の受波側櫛形電極に接続され
た平衡型弾性表面波フィルタと、前記平衡型弾性表面波
フィルタに接続され、一方の端子が接地された第2及び
第3の送波側櫛形電極と、前記第2及び第3の送波側櫛
形電極で励振された弾性表面波を電気信号に変換するた
めの一方の端子が接地された第3の受波側櫛形電極とを
備えたことにより、前記同様に小型、高性能の弾性表面
波装置を得ることができ、各種高周波部品に平衡型デバ
イスが使用でき、高周波回路部の特性向上を図ることが
できる。
【0035】前記において、少なくとも4個以上の櫛形
電極を弾性表面波の伝搬方向に配置し、それぞれの櫛形
電極を交互に、送波側櫛形電極及び受波側櫛形電極とし
たという好ましい例によれば、弾性表面波の双方向損失
を低減でき、弾性表面波装置の挿入損失を低減すること
ができる。
【0036】また前記において、送波側櫛形電極及び受
波側櫛形電極の両外側に、反射器を設けたという好まし
い例によれば、弾性表面波装置の挿入損失を低減するこ
とができる。
【0037】また前記において、平衡型弾性表面波フィ
ルタが、4個の弾性表面波共振子を対称格子型に接続し
たものを基本単位として、少なくとも1段以上接続する
という好ましい例によれば、周波数特性に優れた弾性表
面波装置を得ることができる。
【0038】また前記において、送波側櫛形電極と、受
波側櫛形電極とによって現出する周波数特性において、
挿入損失が最小となる周波数と、平衡型弾性表面波フィ
ルタの中心周波数とがほぼ一致するという好ましい例に
よれば、弾性表面波装置の挿入損失を極小化することが
できる。
【0039】また前記において、受波側櫛形電極の出力
端子と、平衡型弾性表面波フィルタの入力端子との間
に、インピーダンス整合回路を備えたという好ましい例
によれば、インピーダンス不整合損失のない、周波数特
性に優れた弾性表面波装置を得ることができる。
【0040】また前記において、平衡型弾性表面波フィ
ルタの出力端子と、送波側櫛形電極の入力端子との間
に、インピーダンス整合回路を備えたという好ましい例
によれば、前記同様、周波数特性に優れた弾性表面波装
置を得ることができる。
【0041】また前記において、送波側櫛形電極と受波
側櫛形電極とが形成された基板の物理定数と、平衡型弾
性表面波フィルタが形成された基板の物理定数とが、互
いに異なるという好ましい例によれば、周波数特性に優
れた弾性表面波装置を得ることができる。
【0042】また前記において、送波側櫛形電極と、受
波側櫛形電極とが形成された基板の電気機械結合係数
が、平衡型弾性表面波フィルタが形成された基板の電気
機械結合係数よりも実質的に大きいという好ましい例に
よれば、周波数特性に優れた弾性表面波装置を得ること
ができる。
【0043】また前記において、送波側櫛形電極と、受
波側櫛形電極とが形成された基板の周波数温度係数と、
平衡型弾性表面波フィルタが形成された基板の周波数温
度係数とがほぼ一致するという好ましい例によれば、使
用温度に関わらず、周波数特性の安定した弾性表面波装
置を得ることができる。
【0044】また前記において、送波側櫛形電極と、受
波側櫛形電極とが形成された基板と、平衡型弾性表面波
フィルタが形成された基板とが、気密保持のための容器
に一体に実装したという好ましい例によれば、弾性表面
波装置の周辺回路が平衡型、不平衡型に関わらず、平衡
−不平衡変換回路を必要としない小型の弾性表面波装置
を得ることができる。
【0045】また前記において、受波側櫛形電極の出力
端子と、平衡型弾性表面波フィルタの入力端子との間、
または平衡型弾性表面波フィルタの出力端子と、送波側
櫛形電極の入力端子との間に接続されるインピーダンス
整合回路を、気密保持のための容器に内蔵したという好
ましい例によれば、前記同様、平衡−不平衡変換回路を
必要としない小型、高性能の弾性表面波装置を得ること
ができる。
【0046】また前記において、気密保持のための容器
が誘電体多層基板からなるという好ましい例によれば、
高周波特性に優れた、小型の弾性表面波装置が実現でき
る。また前記において、送波側櫛形電極と、受波側櫛形
電極と、平衡型弾性表面波フィルタとが、同一の基板上
に一体に形成されているという好ましい例によれば、小
型、低コストの弾性表面波装置が実現できる。
【0047】また前記において、送波側櫛形電極と、受
波側櫛形電極とを形成する電極の膜厚が、平衡型弾性表
面波フィルタを形成する電極の膜厚よりも厚いという好
ましい例によれば、周波数特性に優れた弾性表面波装置
を得ることができる。
【0048】また前記において、受波側櫛形電極の出力
端子と、平衡型弾性表面波フィルタの入力端子との間、
または平衡型弾性表面波フィルタの出力端子と、送波側
櫛形電極の入力端子との間に接続されるインピーダンス
整合回路を、気密保持のための容器に内蔵したという好
ましい例によれば、前記同様、平衡−不平衡変換回路を
必要としない小型、高性能の弾性表面波装置を得ること
ができる。
【0049】また前記において、気密保持のための容器
が誘電体多層基板からなるという好ましい例によれば、
高周波特性に優れた、小型の弾性表面波装置が実現でき
る。
【0050】
【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。 (実施例1)図1は、本発明の第1の実施例における弾
性表面波装置の構成の概略を示す図である。図1におい
て、1は送波側櫛形電極、2は受波側櫛形電極、3は平
衡型弾性表面波フィルタである。本実施例では、まず、
41°YカットX伝搬のニオブ酸リチウム基板上に、送
波側櫛形電極1と受波側櫛形電極2を、従来のフォトリ
ソグラフィ手法により形成した。電極材料には、約2重
量%の銅を不純物として含むアルミニウムを用いた。一
方、平衡型弾性表面波フィルタ3は、直列腕弾性表面波
共振子6と、並列腕弾性表面波共振子7とを、対称格子
型に接続することにより構成している。前記平衡型弾性
表面波フィルタ3は、直列腕弾性表面波共振子6の共振
周波数と、並列腕弾性表面波共振子7の反共振周波数と
を、ほぼ一致させることによりフィルタ特性を持たせ
た。圧電基板には、36゜YカットX伝搬のタンタル酸
リチウムを用いて、前記送・受波側櫛形電極1、2と同
様、アルミニウム−銅合金を電極として、従来のフォト
リソグラフィ手法により電極パターンを形成した。前記
送・受波側櫛形電極1、2が形成された基板と、平衡型
弾性表面波フィルタ3が形成された基板は、セラミック
パッケージに一体に実装し、前記両基板間の電気的接続
及び、基板とセラミックパッケージの端子との電気的接
続はアルミニウムワイヤにより行なった。
【0051】次に、第1の実施例における弾性表面波装
置の動作原理について説明する。送波側櫛形電極1は、
入力端子4の一方の端子が接地されており、不平衡信号
が入力される。前記送波側櫛形電極1で励振された弾性
表面波は、受波側櫛形電極2で受信されるが、前記受波
側櫛形電極2の出力端子5の両方の端子が接地されてい
ないため、それぞれの端子では、180°位相がずれた
弾性表面波を受信することになる。したがって、前記受
波側櫛形電極2で受信された前記弾性表面波は、平衡信
号として電気信号に変換され、前記受波側櫛形電極2の
出力端子5に接続された前記平衡型弾性表面波フィルタ
3の入力端子8に入力される。
【0052】送波側櫛形電極1と、受波側櫛形電極2と
で現出される周波数特性は、sin(x)/x型のフィ
ルタ特性を有しており、その損失が最小となる周波数
(以下、単に中心周波数という)と、平衡型弾性表面波
フィルタ3の中心周波数がほぼ一致するように電極設計
を行なうことにより、弾性表面波装置全体として、フィ
ルタ特性をもたせることができる。従って、弾性表面波
装置の通過帯域では、前記送・受波側櫛形電極1、2で
現出される周波数特性、及び、平衡型弾性表面波フィル
タ3の周波数特性において、ともに損失が小さく、逆
に、通過帯域外ではともに損失が大きくなるため、全体
として従来の平衡−不平衡変換回路を使用した場合に比
較して、ダイナミックレンジの大きい高選択度のフィル
タを得ることができる。このように、前記両基板に形成
されたフィルタ特性を有するデバイスの中心周波数をほ
ぼ一致させることで、全体として、不平衡入力−平衡出
力に対応した、良好なフィルタ特性を有する弾性表面波
装置が得られる。
【0053】本実施例では、送・受波櫛形電極1、2
と、平衡型弾性表面波フィルタ3とを、互いに物理定数
の異なる基板に形成した。すなわち、前記送・受波側櫛
形電極1、2を電気機械結合係数の大きい41°Yカッ
トX伝搬のニオブ酸リチウム基板に、また、前記平衡型
弾性表面波フィルタ3を比較的電気機械結合係数の小さ
い36°YカットX伝搬のタンタル酸リチウム基板に形
成した。平衡型弾性表面波フィルタ3の周波数特性は、
例えば、移動体通信機器等のシステムに適した基板を選
択する必要がある。一方、前記平衡型弾性表面波フィル
タ3の前段に配置され、プレフィルタとしての役割をも
有する送・受波側櫛形電極対1、2は、後段の平衡型弾
性表面波フィルタ3の周波数特性、特に帯域内特性に悪
影響を与えないようにする必要がある。従って、本実施
例では電気機械結合係数の大きい41°YカットX伝搬
のニオブ酸リチウム基板を用いて、損失が最小となる周
波数帯域幅(以下、単に帯域幅という)を広くとった。
また、両基板は互いに近い周波数温度係数を持ってお
り、環境温度の変化に対しても、弾性表面波装置の特性
に大きな変化をもたらすことはない。
【0054】なお、本実施例で用いた基板の組合せ以外
でも、同様の効果が得られることは言うまでもない。ま
た、本実施例では送・受波側櫛形電極1、2と、平衡型
弾性表面波フィルタ3とを、互いに物理定数の異なる基
板上に形成したが、同一の基板上に一体に形成して弾性
表面波装置を構成してもよい。この場合には、送・受波
側櫛形電極1、2と、平衡型弾性表面波フィルタ3との
電気的接続は前記基板上で行なうことができ、弾性表面
波装置の小型化が可能となる。さらに、送・受波側櫛形
電極1、2と、平衡型弾性表面波フィルタ3とを、同一
の基板上に形成した場合には、両方の周波数特性の温度
変化が同等になるため、環境温度の変化に対しても一定
の周波数特性を維持することができる。
【0055】さらに、送・受波側櫛形電極1、2を形成
している電極の厚さを、平衡型弾性表面波フィルタ3を
形成している電極の厚さよりも厚くすることにより、前
記送・受波側櫛形電極1、2の実効的結合係数を大きく
することができ、本実施例のように、送・受波側櫛形電
極1、2で現出される周波数特性の帯域幅を大きくとる
ことができ、平衡型弾性表面波フィルタ3の帯域内特性
に及ぼす影響を軽減することができる。
【0056】以上のように、一方の端子が接地された送
波側櫛形電極1と、前記送波側櫛形電極1で励振された
弾性表面波を電気信号に変換する受波側櫛形電極2と、
前記受波側櫛形電極2に接続された平衡型弾性表面波フ
ィルタ3とを備えた構成により、前記弾性表面波装置の
入力側周辺回路が不平衡型であり、かつ、前記弾性表面
波装置の出力側周辺回路が平衡型であった場合に、平衡
−不平衡変換回路を必要としない、小型、高性能の弾性
表面波装置を得ることができる。
【0057】(実施例2)図2は、本発明の第2の実施
例における弾性表面波装置の構成の概略を示す図であ
る。図2において、1は送波側櫛形電極、2は受波側櫛
形電極、3は平衡型弾性表面波フィルタである。本実施
例では、送波側櫛形電極1と、受波側櫛形電極2と、平
衡型弾性表面波フィルタ3とを、36°YカットX伝搬
のタンタル酸リチウム基板上に、従来のフォトリソグラ
フィ手法を用いて一体に形成した。電極材料には、第1
の実施例と同様、約2重量%の銅を不純物として含有す
るアルミニウムを用いた。平衡型弾性表面波フィルタ3
は、第1の実施例と同様に、直列腕弾性表面波共振子6
と、並列腕弾性表面波共振子7とを、対称格子型に接続
することにより構成している。前記送・受波側櫛形電極
1、2と、平衡型弾性表面波フィルタ3とが一体に形成
された基板を、セラミックパッケージに実装し、セラミ
ックパッケージとの電気的接続をアルミニウムワイヤに
より行なった。
【0058】次に、第2の実施例における弾性表面波装
置の動作原理について説明する。平衡型弾性表面波フィ
ルタ3の入力端子8には、平衡信号が入力され、所定の
周波数特性を付与された後、前記平衡型弾性表面波フィ
ルタ3の出力端子9より、平衡信号として出力される。
前記周波数特性を有する平衡信号は、前記平衡型弾性表
面波フィルタ3の出力端子9に接続された送波側櫛形電
極1に入力され、弾性表面波が励振される。前記弾性表
面波を受信する受波側櫛形電極2は、その出力端子5の
一方の端子が接地されており、前記弾性表面波は不平衡
信号として電気信号に変換される。
【0059】本実施例では、送・受波側櫛形電極1、2
と、平衡型弾性表面波フィルタ3とを同一の基板上に一
体に形成したが、互いに物理定数の異なる基板上に形成
してもよい。
【0060】以上のように、平衡型弾性表面波フィルタ
3と、前記平衡型弾性表面波フィルタ3に接続された送
波側櫛形電極1と、前記送波側櫛形電極1で励振された
弾性表面波を電気信号に変換する、一方の端子が接地さ
れた受波側櫛形電極2とを備えた構成により、前記弾性
表面波装置の入力側周辺回路が平衡型であり、かつ、前
記弾性表面波装置の出力側周辺回路が不平衡型であった
場合に、平衡−不平衡変換回路を必要としない、小型、
高性能の弾性表面波装置を得ることができる。
【0061】(実施例3)図3は、本発明の第3の実施
例における弾性表面波装置の構成の概略を示す図であ
る。図3において、1及び10はそれぞれ第1及び第2
の送波側櫛形電極、2及び11はそれぞれ第1及び第2
の受波側櫛形電極、3は平衡型弾性表面波フィルタであ
る。本実施例では、まず、41°YカットX伝搬のニオ
ブ酸リチウム基板上に、第1及び第2の送波側櫛形電極
1、10と、第1及び第2の受波側櫛形電極2、11と
を、従来のフォトリソグラフィ手法により形成した。電
極材料には、約2重量%の銅を不純物として含むアルミ
ニウムを用いた。一方、平衡型弾性表面波フィルタ3
は、直列腕弾性表面波共振子6と、並列腕弾性表面波共
振子7とを、対称格子型に接続することにより構成して
いる。圧電基板には、36゜YカットX伝搬のタンタル
酸リチウムを用いて、前記第1及び第2の送・受波側櫛
形電極1、2、10、11と同様、アルミニウム−2%
銅合金を電極として、従来のフォトリソグラフィ手法に
より電極パターンを形成した。前記第1及び第2の送・
受波側櫛形電極1、2、10、11が形成された基板
と、平衡型弾性表面波フィルタ3が形成された基板は、
セラミックパッケージに一体に実装し、前記両基板間の
電気的接続及び、基板とセラミックパッケージの端子と
の電気的接続はアルミニウムワイヤにより行なった。
【0062】次に、第3の実施例における弾性表面波装
置の動作原理について説明する。第1の送波側櫛形電極
1は、入力端子4の一方の端子が接地されており、不平
衡信号が入力される。前記第1の送波側櫛形電極1で励
振された弾性表面波は、第1の受波側櫛形電極2で受信
されるが、前記受波側櫛形電極2の出力端子5の両方の
端子が接地されていないため、それぞれの端子では、1
80°位相がずれた弾性表面波を受信することになる。
したがって、前記第1の受波側櫛形電極2で受信された
弾性表面波は、平衡信号として電気信号に変換され、前
記第1の受波側櫛形電極2の出力端子5に接続された前
記平衡型弾性表面波フィルタ3の入力端子8に入力され
る。前記平衡型弾性表面波フィルタ3で、所定の周波数
特性を付与された後、平衡信号として出力された信号
は、前記平衡型弾性表面波フィルタ3の出力端子9に接
続された第2の送波側櫛形電極10に入力され、再度弾
性表面波が励振される。前記弾性表面波を受信する第2
の受波側櫛形電極11は、その出力端子13の一方の端
子が接地されており、前記弾性表面波は不平衡信号とし
て電気信号に変換される。
【0063】本実施例においても、第1の送・受波側櫛
形電極1、2で現出される周波数特性の中心周波数と、
平衡型弾性表面波フィルタ3の中心周波数と、第2の送
・受波側櫛形電極10、11で現出される周波数特性の
中心周波数とがほぼ一致するように電極設計を行った。
また、第1及び第2の送・受波側櫛形電極1、2は、電
気機械結合係数の大きい基板を用いているため、平衡型
弾性表面波フィルタ3の周波数温度変化を考慮しても、
その通過帯域を十分カバーできる帯域幅を有している。
なお、本実施例で用いた基板の組合せ以外でも、同様の
効果が得られることは言うまでもない。
【0064】また、弾性表面波装置の帯域外減衰量をさ
らに確保するために、平衡型弾性表面波フィルタ3の基
本構成である、4個の弾性表面波共振子6、7の対称格
子型回路を多段に接続してもよい。一方、第1の送・受
波櫛形電極1、2で現出される周波数特性におけるスト
ップバンド周波数と、第2の送・受波櫛形電極10、1
1で現出される周波数特性におけるストップバンド周波
数とを、互いに異なる周波数とすることでも、弾性表面
波装置の帯域外減衰量を十分確保することができる。
【0065】また、本実施例では第1及び第2の送・受
波側櫛形電極1、2、10、11と、平衡型弾性表面波
フィルタ3とを、互いに物理定数の異なる基板上に形成
したが、同一の基板上に一体に形成して弾性表面波装置
を構成してもよい。この場合には、送・受波側櫛形電極
1、2、10、11と、平衡型弾性表面波フィルタ3と
の電気的接続は前記基板上で行なうことができ、弾性表
面波装置の小型化が可能となる。さらに、送・受波側櫛
形電極1、2、10、11と、平衡型弾性表面波フィル
タ3とを、同一の基板上に形成した場合には、両方の周
波数特性の温度変化が同等になるため、環境温度の変化
に対しても一定の周波数特性を維持することができる。
さらに、送・受波側櫛形電極1、2、10、11を形成
している電極の厚さを、平衡型弾性表面波フィルタ3を
形成している電極の厚さよりも厚くすることにより、前
記第1及び第2の送・受波側櫛形電極1、2、10、1
1の実効的な結合係数を大きくすることができ、本実施
例と同様に、第1及び第2の送・受波側櫛形電極1、
2、10、11で現出される周波数特性の帯域幅を大き
くとることができ、平衡型弾性表面波フィルタ3の帯域
内特性に及ぼす影響を軽減することができる。
【0066】以上のように、一方の端子が接地された第
1の送波側櫛形電極1と、前記第1の送波側櫛形電極1
で励振された弾性表面波を電気信号に変換する第1の受
波側櫛形電極2と、前記第1の受波側櫛形電極2に接続
された平衡型弾性表面波フィルタ3と、前記平衡型弾性
表面波フィルタ3に接続された第2の送波側櫛形電極1
0と、前記第2の送波側櫛形電極10で励振された弾性
表面波を電気信号に変換する、一方の端子が接地された
第2の受波側櫛形電極11とを備えた構成により、前記
弾性表面波装置の入力側及び出力側周辺回路が不平衡型
である場合に、平衡−不平衡変換回路を必要としない、
小型、高性能の弾性表面波装置を得ることができる。
【0067】(実施例4)図4は、本発明の第4の実施
例における弾性表面波装置の構成の概略を示す図であ
る。図4において、1は送波側櫛形電極、2は受波側櫛
形電極、3は平衡型弾性表面波フィルタである。
【0068】本実施例では、送波側櫛形電極1と受波側
櫛形電極2とを複数個設置し、さらに、その両外側に反
射器14を設けることで、先に示した実施例における、
1組の送・受波側櫛形電極1、2で現出される周波数特
性を改善している。すなわち、従来の多電極構成の弾性
表面波フィルタを、平衡−不平衡変換回路として用いて
いる。このように、平衡−不平衡変換回路の役割を担う
送・受波側櫛形電極1、2で現出される周波数特性を改
善することによって、より優れた弾性表面波装置を得る
ことができる。
【0069】また、同様の効果を得る方法として、送・
受波側櫛形電極の両外側に反射器を設け、弾性表面波の
双方向損失を低減する方法、または、送波側櫛形電極の
構成を一方向性電極とする方法などがあり、いずれの場
合も弾性表面波装置の特性向上が図れる。
【0070】(実施例5)図5は、本発明の第5の実施
例における弾性表面波装置の構成の概略を示す図であ
る。図5において、1は送波側櫛形電極、2は第1の受
波側櫛形電極、11は第2の受波側櫛形電極、3は平衡
型弾性表面波フィルタである。本実施例では、第1の実
施例と同様、41°YカットX伝搬のニオブ酸リチウム
基板上に、送波側櫛形電極1と第1及び第2の受波側櫛
形電極2、11を形成し、平衡型弾性表面波フィルタ3
を、36゜YカットX伝搬のタンタル酸リチウム基板上
に形成した。前記送・受波側櫛形電極1、2、11が形
成された基板と、平衡型弾性表面波フィルタ3が形成さ
れた基板は、セラミックパッケージに一体に実装し、前
記両基板間の電気的接続及び、基板とセラミックパッケ
ージの端子との電気的接続はアルミニウムワイヤにより
行なった。
【0071】次に、第5の実施例における弾性表面波装
置の動作原理について説明する。送波側櫛形電極1は、
入力端子4の一方の端子が接地されており、不平衡信号
が入力される。前記送波側櫛形電極1で励振された弾性
表面波は、前記送波側櫛形電極1の両側に配置された第
1及び第2の受波側櫛形電極2、11で受信される。前
記第1及び第2の受波側櫛形電極2、11は、共に一方
の端子が接地されており、かつ、互いに位相の異なる弾
性表面波が受信されるように配置されている。例えば、
本実施例では、送波側櫛形電極1と第1の受波側櫛形電
極2との弾性表面波伝搬距離と、送波側櫛形電極1と第
2の受波側櫛形電極11との弾性表面波伝搬距離とを、
互いに弾性表面波の1/2波長だけ異ならせてある。こ
のような構成とすることで、前記第1及び第2の受波側
櫛形電極2、11から出力される電気信号は、互いに位
相が180°異なっており、平衡型弾性表面波フィルタ
3の入力端子8に平衡信号として入力される。
【0072】以上のように、一方の端子が接地された送
波側櫛形電極1と、一方の端子が接地され、前記送波側
櫛形電極で励振された弾性表面波を、互いに位相が異な
る弾性表面波として受信するように、前記送波側櫛形電
極の両側に配置された、第1及び第2の受波側櫛形電極
2、11と、前記第1及び第2の受波側櫛形電極2、1
1に接続された平衡型弾性表面波フィルタ3とを備えた
構成により、前記弾性表面波装置の入力側周辺回路が不
平衡型であり、かつ、前記弾性表面波装置の出力側周辺
回路が平衡型であった場合に、平衡−不平衡変換回路を
必要としない、小型、高性能の弾性表面波装置を得るこ
とができる。
【0073】(実施例6)図6は、本発明の第6の実施
例における弾性表面波装置の構成の概略を示す図であ
る。図6において、1は第1の送波側櫛形電極、10は
第2の送波側櫛形電極、2は受波側櫛形電極、3は平衡
型弾性表面波フィルタである。
【0074】本実施例では、第5の実施例と同様、41
°YカットX伝搬のニオブ酸リチウム基板上に、第1及
び第2の送波側櫛形電極1、10、及び受波側櫛形電極
2を形成し、平衡型弾性表面波フィルタ3を、36゜Y
カットX伝搬のタンタル酸リチウム基板上に形成した。
前記送・受波側櫛形電極1、2、10が形成された基板
と、平衡型弾性表面波フィルタ3が形成された基板は、
セラミックパッケージに一体に実装し、前記両基板間の
電気的接続及び、基板とセラミックパッケージの端子と
の電気的接続はアルミニウムワイヤにより行なった。
【0075】次に、第6の実施例における弾性表面波装
置の動作原理について説明する。平衡型弾性表面波フィ
ルタ3の入力端子8には、平衡信号が入力され、所定の
周波数特性を付与された後、前記平衡型弾性表面波フィ
ルタ3の出力端子9より、平衡信号として出力される。
前記周波数特性を有する平衡信号は、前記平衡型弾性表
面波フィルタ3の出力端子9に接続され、一方の端子が
接地された第1及び第2の送波側櫛形電極1、10に入
力され、弾性表面波が励振される。前記弾性表面波を受
信する受波側櫛形電極2は、その出力端子5の一方の端
子が接地されており、前記第1及び第2の送波側櫛形電
極1、10で励振された弾性表面波が同位相で受信する
ように配置され、前記弾性表面波は不平衡信号として電
気信号に変換され、前記受波側櫛形電極2の出力端子5
より出力されることになる。例えば、本実施例では、第
1の送波側櫛形電極1と受波側櫛形電極2との弾性表面
波伝搬距離と、第2の送波側櫛形電極10と受波側櫛形
電極2との弾性表面波伝搬距離とを、互いに弾性表面波
の1/2波長だけ異ならせてある。このような構成とす
ることで、入力された電気信号が逆位相であるために、
前記受波側櫛形電極2で受信される弾性表面波は同位相
となる。
【0076】以上のように、平衡型弾性表面波フィルタ
3と、前記平衡型弾性表面波フィルタ3に接続され、一
方の端子が接地された第1及び第2の送波側櫛形電極
1、10と、前記第1及び第2の送波側櫛形電極1、1
0で励振された弾性表面波を電気信号に変換する、一方
の端子が接地された受波側櫛形電極2とを備えた構成に
より、前記弾性表面波装置の入力側周辺回路が平衡型で
あり、かつ、前記弾性表面波装置の出力側周辺回路が不
平衡型であった場合に、平衡−不平衡変換回路を必要と
しない、小型、高性能の弾性表面波装置を得ることがで
きる。
【0077】(実施例7)図7は、本発明の第7の実施
例における弾性表面波装置の構成の概略を示す図であ
る。図7において、1は第1の送波側櫛形電極、2は第
1の受波側櫛形電極、11は第2の受波側櫛形電極、3
は平衡型弾性表面波フィルタ、10は第2の送波側櫛形
電極、15は第3の送波側櫛形電極、17は第3の受波
側櫛形電極である。
【0078】本実施例では、第5及び第6の実施例と同
様、41°YカットX伝搬のニオブ酸リチウム基板上
に、第1の送波側櫛形電極1と第1及び第2の受波側櫛
形電極2、11、及び第2及び第3の送波側櫛形電極1
0、15と第3の受波側櫛形電極17を形成し、平衡型
弾性表面波フィルタ3を、36゜YカットX伝搬のタン
タル酸リチウム基板上に形成した。前記送・受波側櫛形
電極1、2、10、11、15、17が形成された基板
と、平衡型弾性表面波フィルタ3が形成された基板は、
セラミックパッケージに一体に実装し、前記両基板間の
電気的接続及び、基板とセラミックパッケージの端子と
の電気的接続はアルミニウムワイヤにより行った。
【0079】次に、第7の実施例における弾性表面波装
置の動作原理について説明する。第1の送波側櫛形電極
1は、入力端子4の一方の端子が接地されており、不平
衡信号が入力される。前記第1の送波側櫛形電極1で励
振された弾性表面波は、前記送波側櫛形電極の両側に配
置された第1及び第2の受波側櫛形電極2、11で受信
される。前記第1及び第2の受波側櫛形電極2、11
は、共に一方の端子が接地されており、かつ、互いに位
相の異なる弾性表面波が受信されるように配置されてい
る。例えば、本実施例では、送波側櫛形電極1と第1の
受波側櫛形電極2との弾性表面波伝搬距離と、送波側櫛
形電極1と第2の受波側櫛形電極11との弾性表面波伝
搬距離とを、互いに弾性表面波の1/2波長だけ異なら
せてある。このような構成とすることで、前記第1及び
第2の受波側櫛形電極2、11から出力される電気信号
は、互いに位相が180°異なっており、平衡型弾性表
面波フィルタ3の入力端子8に平衡信号として入力され
る。次に、前記平衡型弾性表面波フィルタ3の出力端子
9より出力される平衡信号は、前記平衡型弾性表面波フ
ィルタ3の出力端子9に接続され、一方の端子が接地さ
れた第2及び第3の送波側櫛形電極10、15に入力さ
れ、弾性表面波が励振される。前記弾性表面波を受信す
る第3の受波側櫛形電極17は、その出力端子18の一
方の端子が接地されており、前記第2及び第3の送波側
櫛形電極10、15で励振された弾性表面波が同位相で
受信するように配置され、前記弾性表面波は不平衡信号
として電気信号に変換され、前記第3の受波側櫛形電極
17の出力端子18より出力されることになる。例え
ば、本実施例では、第1の送波側櫛形電極1と、第1及
び第2の受波側櫛形電極2、11との配置と同様に、第
2の送波側櫛形電極10と第3の受波側櫛形電極17と
の弾性表面波伝搬距離と、第3の送波側櫛形電極15と
第3の受波側櫛形電極17との弾性表面波伝搬距離と
を、互いに弾性表面波の1/2波長だけ異ならせてあ
る。このような構成とすることで、入力された電気信号
が逆位相であるために、前記受波側櫛形電極17で受信
される弾性表面波は同位相となる。
【0080】以上のように、一方の端子が接地された第
1の送波側櫛形電極1と、一方の端子が接地され、前記
第1の送波側櫛形電極1で励振された弾性表面波を、互
いに位相が異なる弾性表面波として受信するように、前
記第1の送波側櫛形電極1の両側に配置された、第1及
び第2の受波側櫛形電極2、11と、前記第1及び第2
の受波側櫛形電極2、11に接続された平衡型弾性表面
波フィルタ3と、前記平衡型弾性表面波フィルタ3に接
続され、一方の端子が接地された第2及び第3の送波側
櫛形電極10、15と、前記第2及び第3の送波側櫛形
電極10、15で励振された弾性表面波を電気信号に変
換する、一方の端子が接地された第3の受波側櫛形電極
17とを備えた構成により、前記弾性表面波装置の入力
及び出力側周辺回路が共に不平衡型である場合に、平衡
−不平衡変換回路を必要としない、小型、高性能の弾性
表面波装置を得ることができる。
【0081】(実施例8)図8は、本発明の第8の実施
例における弾性表面波装置の構成の概略を示す図であ
る。図8において、1は送波側櫛形電極、2は第1の受
波側櫛形電極、11は第2の受波側櫛形電極、3は平衡
型弾性表面波フィルタである。
【0082】本実施例では、送波側櫛形電極1と受波側
櫛形電極2、11とを複数個設置し、さらに、その両外
側に反射器14を設けることで、先に示した実施例5、
6、7における、3個の送・受波側櫛形電極で現出され
る周波数特性を改善している。すなわち、従来の多電極
構成の弾性表面波フィルタを、平衡−不平衡変換回路と
して用いている。このように、平衡−不平衡変換回路の
役割を担う送・受波側櫛形電極で現出される周波数特性
を改善することによって、より優れた弾性表面波装置を
得ることができる。
【0083】また、同様の効果を得る方法として、2個
の送波側櫛形電極または受波側櫛形電極の両外側に反射
器を設け、弾性表面波の双方向損失を低減する方法、ま
たは、送波側櫛形電極または受波側櫛形電極の構成を一
方向性電極とする方法などがあり、いずれの場合も弾性
表面波装置の特性向上が図れる。
【0084】(実施例9)図9は、本発明の第9の実施
例における弾性表面波装置の構成の概略を示す図であ
る。図9において、1は送波側櫛形電極、2は受波側櫛
形電極、3は平衡型弾性表面波フィルタ、19はインピ
ーダンス整合回路である。
【0085】本実施例では、第4の実施例において、受
波側櫛形電極2の出力端子5と、平衡型弾性表面波フィ
ルタ3の入力端子8との間に、入出力のインピーダンス
整合回路19を設けたものである。上記実施例に挙げた
構成の弾性表面波装置の場合、一般に、平衡−不平衡変
換回路の役割を担う送・受波側櫛形電極からなるデバイ
スは、その前段または後段に配置される平衡型弾性表面
波フィルタ3とのインピーダンス整合を電極設計のみで
行なうことが困難な場合がある。インピーダンス整合が
とれていない場合には、弾性表面波装置としての特性が
劣化するため、本実施例のように、インピーダンス整合
回路19を付加することが好ましい。
【0086】インピーダンス整合回路を19実現する方
法としては、整合回路素子を弾性表面波装置が実装され
たセラミックパッケージに一体に実装する、または、前
記セラミックパッケージを多層構造とし、その内部にイ
ンピーダンス整合回路素子を実現してもよい。
【0087】また、弾性表面波装置と、前記弾性表面波
装置の周辺回路の入出力端子とのインピーダンス整合を
図るためのインピーダンス整合回路を付加してもよい。
以上のように、平衡−不平衡変換回路の役割を担う送・
受波側櫛形電極からなるデバイスと、その前段または後
段に配置される平衡型弾性表面波フィルタと間にインピ
ーダンス整合を設けることにより、周波数特性に優れた
弾性表面波装置を得ることができる。
【0088】
【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなよう
に、本発明の第1〜6番目の弾性表面波装置は、例え
ば、一方の端子が接地された送波側櫛形電極と、前記送
波側櫛形電極で励振された弾性表面波を電気信号に変換
する受波側櫛形電極と、前記受波側櫛形電極に接続され
た平衡型弾性表面波フィルタとを備えた構成とすること
により、弾性表面波装置の周辺回路が平衡型、不平衡型
に関わらず、平衡−不平衡変換回路を必要としない、小
型、高性能の弾性表面波装置を得ることができる。その
結果、各種高周波部品に平衡型デバイスが使用でき、高
周波回路部の特性向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における弾性表面波装置
の構成の概略を示す図。
【図2】本発明の第2の実施例における弾性表面波装置
の構成の概略を示す図。
【図3】本発明の第3の実施例における弾性表面波装置
の構成の概略を示す図。
【図4】本発明の第4の実施例における弾性表面波装置
の構成の概略を示す図。
【図5】本発明の第5の実施例における弾性表面波装置
の構成の概略を示す図。
【図6】本発明の第6の実施例における弾性表面波装置
の構成の概略を示す図。
【図7】本発明の第7の実施例における弾性表面波装置
の構成の概略を示す図。
【図8】本発明の第8の実施例における弾性表面波装置
の構成の概略を示す図。
【図9】本発明の第9の実施例における弾性表面波装置
の構成の概略を示す図。
【符号の説明】
1 送波側櫛形電極 2 受波側櫛形電極 3 平衡型弾性表面波フィルタ 4 送波側櫛形電極の入力端子 5 受波側櫛形電極の出力端子 6 直列腕弾性表面波共振子 7 並列腕弾性表面波共振子 8 平衡型弾性表面波フィルタの入力端子 9 平衡型弾性表面波フィルタの出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 俊一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方の端子が接地された送波側櫛形電極
    と、前記送波側櫛形電極で励振された弾性表面波を電気
    信号に変換する受波側櫛形電極と、前記受波側櫛形電極
    に接続された平衡型弾性表面波フィルタとを備えたこと
    を特徴とする弾性表面波装置。
  2. 【請求項2】 平衡型弾性表面波フィルタと、前記平衡
    型弾性表面波フィルタに接続された送波側櫛形電極と、
    前記送波側櫛形電極で励振された弾性表面波を電気信号
    に変換するための一方の端子が接地された受波側櫛形電
    極とを備えたことを特徴とする弾性表面波装置。
  3. 【請求項3】 一方の端子が接地された第1の送波側櫛
    形電極と、前記第1の送波側櫛形電極で励振された弾性
    表面波を電気信号に変換する第1の受波側櫛形電極と、
    前記第1の受波側櫛形電極に接続された平衡型弾性表面
    波フィルタと、前記平衡型弾性表面波フィルタに接続さ
    れた第2の送波側櫛形電極と、前記第2の送波側櫛形電
    極で励振された弾性表面波を電気信号に変換するための
    一方の端子が接地された第2の受波側櫛形電極とを備え
    たことを特徴とする弾性表面波装置。
  4. 【請求項4】 少なくとも3個以上の櫛形電極を弾性表
    面波の伝搬方向に配置し、それぞれの櫛形電極を交互
    に、送波側櫛形電極及び受波側櫛形電極とした請求項
    1,2または3記載に弾性表面波装置。
  5. 【請求項5】 送波側櫛形電極および受波側櫛形電極の
    両外側に、反射器を設けた請求項1,2,3または4に
    記載の弾性表面波装置。
  6. 【請求項6】 一方の端子が接地された送波側櫛形電極
    と、一方の端子が接地され、前記送波側櫛形電極で励振
    された弾性表面波を、互いに位相が異なる弾性表面波と
    して受信するように、前記送波側櫛形電極の両側に配置
    された、第1及び第2の受波側櫛形電極と、前記第1及
    び第2の受波側櫛形電極に接続された平衡型弾性表面波
    フィルタとを備えたことを特徴とする弾性表面波装置。
  7. 【請求項7】 平衡型弾性表面波フィルタと、前記平衡
    型弾性表面波フィルタに接続され、一方の端子が接地さ
    れた第1及び第2の送波側櫛形電極と、前記第1及び第
    2の送波側櫛形電極で励振された弾性表面波を電気信号
    に変換するための一方の端子が接地された受波側櫛形電
    極とを備えたことを特徴とする弾性表面波装置。
  8. 【請求項8】 一方の端子が接地された第1の送波側櫛
    形電極と、一方の端子が接地され、前記第1の送波側櫛
    形電極で励振された弾性表面波を、互いに位相が異なる
    弾性表面波として受信するように、前記第1の送波側櫛
    形電極の両側に配置された、第1及び第2の受波側櫛形
    電極と、前記第1及び第2の受波側櫛形電極に接続され
    た平衡型弾性表面波フィルタと、前記平衡型弾性表面波
    フィルタに接続され、一方の端子が接地された第2及び
    第3の送波側櫛形電極と、前記第2及び第3の送波側櫛
    形電極で励振された弾性表面波を電気信号に変換するた
    めの一方の端子が接地された第3の受波側櫛形電極とを
    備えたことを特徴とする弾性表面波装置。
  9. 【請求項9】 少なくとも4個以上の櫛形電極を弾性表
    面波の伝搬方向に配置し、それぞれの櫛形電極を交互
    に、送波側櫛形電極及び受波側櫛形電極とした請求項
    6,7または8に記載の弾性表面波装置。
  10. 【請求項10】 送波側櫛形電極及び受波側櫛形電極の
    両外側に、反射器を設けた請求項6,7,8または9に
    記載の弾性表面波装置。
  11. 【請求項11】 平衡型弾性表面波フィルタが、4個の
    弾性表面波共振子を対称格子型に接続したものを基本単
    位として、少なくとも1段以上接続することにより構成
    した請求項1,2,3,6,7または8に記載の弾性表
    面波装置。
  12. 【請求項12】 送波側櫛形電極と、受波側櫛形電極と
    によって現出する周波数特性において、挿入損失が最小
    となる周波数と、平衡型弾性表面波フィルタの中心周波
    数とがほぼ一致する請求項1,2,3,6,7または8
    に記載の弾性表面波装置。
  13. 【請求項13】 受波側櫛形電極の出力端子と、平衡型
    弾性表面波フィルタの入力端子との間に、インピーダン
    ス整合回路を備えた請求項1,3,6または8に記載の
    弾性表面波装置。
  14. 【請求項14】 平衡型弾性表面波フィルタの出力端子
    と、送波側櫛形電極の入力端子との間に、インピーダン
    ス整合回路を備えた請求項2,3,7または8に記載の
    弾性表面波装置。
  15. 【請求項15】 送波側櫛形電極と受波側櫛形電極とが
    形成された基板の物理定数と、平衡型弾性表面波フィル
    タが形成された基板の物理定数とが、互いに異なる1,
    2,3,6,7または8に記載の弾性表面波装置。
  16. 【請求項16】 送波側櫛形電極と、受波側櫛形電極と
    が形成された基板の電気機械結合係数が、平衡型弾性表
    面波フィルタが形成された基板の電気機械結合係数より
    も実質的に大きい請求項15に記載の弾性表面波装置。
  17. 【請求項17】 送波側櫛形電極と、受波側櫛形電極と
    が形成された基板の周波数温度係数と、平衡型弾性表面
    波フィルタが形成された基板の周波数温度係数とがほぼ
    一致する請求項15に記載の弾性表面波装置。
  18. 【請求項18】 送波側櫛形電極と、受波側櫛形電極と
    が形成された基板と、平衡型弾性表面波フィルタが形成
    された基板とが、気密保持のための容器に一体に実装し
    た請求項15に記載の弾性表面波装置。
  19. 【請求項19】 受波側櫛形電極の出力端子と、平衡型
    弾性表面波フィルタの入力端子との間、または平衡型弾
    性表面波フィルタの出力端子と、送波側櫛形電極の入力
    端子との間に接続されるインピーダンス整合回路を、気
    密保持のための容器に内蔵した請求項18に記載の弾性
    表面波装置。
  20. 【請求項20】 気密保持のための容器が誘電体多層基
    板からなる請求項19に記載の弾性表面波装置。
  21. 【請求項21】 送波側櫛形電極と、受波側櫛形電極
    と、平衡型弾性表面波フィルタとが、同一の基板上に一
    体に形成された請求項1,2,3,6,7または8に記
    載の弾性表面波装置。
  22. 【請求項22】 送波側櫛形電極と、受波側櫛形電極と
    を形成する電極の膜厚が、平衡型弾性表面波フィルタを
    形成する電極の膜厚よりも厚い請求項21に記載の弾性
    表面波装置。
  23. 【請求項23】 受波側櫛形電極の出力端子と、平衡型
    弾性表面波フィルタの入力端子との間、または平衡型弾
    性表面波フィルタの出力端子と、送波側櫛形電極の入力
    端子との間に接続されるインピーダンス整合回路を、気
    密保持のための容器に内蔵した請求項22記載の弾性表
    面波装置。
  24. 【請求項24】 気密保持のための容器が誘電体多層基
    板からなる請求項23に記載の弾性表面波装置。
JP19841294A 1994-08-23 1994-08-23 弾性表面波装置 Expired - Fee Related JP3244386B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19841294A JP3244386B2 (ja) 1994-08-23 1994-08-23 弾性表面波装置
EP95112848A EP0698965B1 (en) 1994-08-23 1995-08-16 Surface acoustic wave device
DE69513904T DE69513904T2 (de) 1994-08-23 1995-08-16 Akustische Oberflächenwellenanordnung
US08/517,577 US5721519A (en) 1994-08-23 1995-08-21 Balanced type surface acoustic wave device
US08/898,769 US5892418A (en) 1994-08-23 1997-07-23 Balanced type surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19841294A JP3244386B2 (ja) 1994-08-23 1994-08-23 弾性表面波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0865098A true JPH0865098A (ja) 1996-03-08
JP3244386B2 JP3244386B2 (ja) 2002-01-07

Family

ID=16390695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19841294A Expired - Fee Related JP3244386B2 (ja) 1994-08-23 1994-08-23 弾性表面波装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5721519A (ja)
EP (1) EP0698965B1 (ja)
JP (1) JP3244386B2 (ja)
DE (1) DE69513904T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573899B1 (ko) * 2000-02-14 2006-04-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 필터 장치
WO2008053651A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dispositif et duplexeur de filtre d'onde acoustique de surface
US7489210B2 (en) 2005-09-30 2009-02-10 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and transmitter-receiver

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09205342A (ja) * 1996-01-26 1997-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
EP0800270B1 (en) * 1996-04-02 2003-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter
JP3239064B2 (ja) * 1996-05-28 2001-12-17 富士通株式会社 弾性表面波装置
US5793266A (en) * 1996-08-12 1998-08-11 Motorola Inc. Differential input and/or differential output, transversely-coupled surface acoustic wave filter
DE19638370C2 (de) * 1996-09-19 2001-06-13 Epcos Ag Oberflächenwellenfilter für unsymmetrische/symmetrische und symmetrische/symmetrische Betriebsweise
DE19638627B4 (de) * 1996-09-20 2007-09-27 Epcos Ag Oberflächenwellen(OFW)-Filter
WO1998034345A1 (en) * 1997-01-31 1998-08-06 Motorola Inc. Inline-coupled resonator with lattice filter and method
EP0940915B1 (en) * 1998-03-06 2007-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device and communication apparatus
JP3315644B2 (ja) * 1998-05-14 2002-08-19 富士通株式会社 弾性表面波素子
US20100030838A1 (en) * 1998-08-27 2010-02-04 Beepcard Ltd. Method to use acoustic signals for computer communications
IL127569A0 (en) 1998-09-16 1999-10-28 Comsense Technologies Ltd Interactive toys
US6607136B1 (en) 1998-09-16 2003-08-19 Beepcard Inc. Physical presence digital authentication system
AU5997299A (en) 1998-10-02 2000-04-26 Comsense Technologies Ltd. Card for interaction with a computer
JP3607833B2 (ja) * 1999-05-28 2005-01-05 沖電気工業株式会社 差動弾性表面波フィルタ
US8019609B2 (en) 1999-10-04 2011-09-13 Dialware Inc. Sonic/ultrasonic authentication method
JP3520413B2 (ja) 2000-02-14 2004-04-19 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP2001267885A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波装置
JP3391347B2 (ja) * 2000-06-26 2003-03-31 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
US6828879B2 (en) * 2001-02-16 2004-12-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Longitudinal coupled multiple mode surface acoustic wave filter
FR2821997B1 (fr) * 2001-03-06 2003-05-30 Thomson Csf Filtre a ondes acoustiques de surface
US9219708B2 (en) * 2001-03-22 2015-12-22 DialwareInc. Method and system for remotely authenticating identification devices
TWI315607B (en) * 2001-10-29 2009-10-01 Panasonic Corp Surface acoustic wave filter element, surface acoustic wave filter and communication device using the same
US6664871B2 (en) * 2002-05-16 2003-12-16 Northrop Grumman Corporation Cascaded surface acoustic wave filter system for cancelling time spurious responses
AU2003298482A1 (en) * 2003-01-20 2004-08-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Resonator filter structure having equal resonance frequencies
DE10317969B4 (de) * 2003-04-17 2005-06-16 Epcos Ag Duplexer mit erweiterter Funktionalität
US20050093652A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Qing Ma Size scaling of film bulk acoustic resonator (FBAR) filters using impedance transformer (IT) or balun
JP4587732B2 (ja) * 2004-07-28 2010-11-24 京セラ株式会社 弾性表面波装置
TWI256194B (en) * 2004-12-30 2006-06-01 Delta Electronics Inc Filter assembly with unbalanced to balanced conversion
US8258894B2 (en) * 2007-05-31 2012-09-04 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter with a filter section
DE102010041973B4 (de) * 2010-10-05 2015-04-16 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Bauelement auf der Basis akustischer Oberflächenwellen
FR2971584B1 (fr) * 2011-02-10 2014-10-03 Senseor Capteur de temperature ou de temperature et de pression sans fil, comportant des resonateurs a ondes acoustiques a electrodes en alliage
US10308522B2 (en) 2016-05-31 2019-06-04 Skyworks Solutions, Inc. High Q modified barium magnesium tantalate for high frequency applications
US20180004357A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Intel Corporation Piezoelectric package-integrated surface acoustic wave sensing devices
US11626855B2 (en) * 2019-11-08 2023-04-11 Skyworks Solutions, Inc. Out-of-band rejection using SAW-based integrated balun

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573673A (en) * 1969-01-08 1971-04-06 Zenith Radio Corp Acoustic surface wave filters
US3886504A (en) * 1974-05-20 1975-05-27 Texas Instruments Inc Acoustic surface wave resonator devices
US4126837A (en) * 1974-07-01 1978-11-21 Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation Impedance element and band-rejection filter using the same
JPS5219044A (en) * 1975-08-04 1977-01-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Surface acoustic wave filter
US4044321A (en) * 1976-03-01 1977-08-23 Rockwell International Corporation Surface acoustic wave band pass filtering
JPS5617389A (en) * 1979-07-23 1981-02-19 Nippon Telegraph & Telephone Sealing thin film electroluminescence element
JPS5687913A (en) * 1979-12-19 1981-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Surface elastic wave element
US4278492A (en) * 1980-01-21 1981-07-14 Hewlett-Packard Company Frequency trimming of surface acoustic wave devices
JPS58154197A (ja) * 1982-03-08 1983-09-13 松下電器産業株式会社 加熱調理器
JPS58154917A (ja) * 1982-03-10 1983-09-14 Hitachi Ltd 弾性表面波バンドパスフイルタ
US4785270A (en) * 1987-12-30 1988-11-15 Motorola Inc. Monolithic lattice saw filter
JPH02127810A (ja) * 1988-11-07 1990-05-16 Nec Corp 弾性表面波フィルタ
US5093638A (en) * 1990-11-05 1992-03-03 Motorola, Inc. Unbalanced saw filter
JPH04229710A (ja) * 1990-12-27 1992-08-19 Nec Corp 弾性表面波装置
US5265267A (en) * 1991-08-29 1993-11-23 Motorola, Inc. Integrated circuit including a surface acoustic wave transformer and a balanced mixer
JP2800905B2 (ja) * 1991-10-28 1998-09-21 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
JPH05167389A (ja) * 1991-12-16 1993-07-02 Fujitsu Ltd 分波器
JPH05335881A (ja) * 1992-06-04 1993-12-17 Murata Mfg Co Ltd 縦型2重モード弾性表面波フィルタ
JP3254779B2 (ja) * 1993-01-05 2002-02-12 株式会社村田製作所 多電極形弾性表面波装置
GB2280806B (en) * 1993-08-04 1997-10-08 Advanced Saw Prod Sa Saw filter
US5365138A (en) * 1993-12-02 1994-11-15 Northern Telecom Limited Double mode surface wave resonators
JP2905094B2 (ja) * 1994-07-01 1999-06-14 富士通株式会社 分波器パッケージ
US5790000A (en) * 1995-06-16 1998-08-04 Northern Telecom Limited Cascaded surface wave device filters providing balanced and unbalanced signal connections
US5692279A (en) * 1995-08-17 1997-12-02 Motorola Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573899B1 (ko) * 2000-02-14 2006-04-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 필터 장치
US7489210B2 (en) 2005-09-30 2009-02-10 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface acoustic wave filter and transmitter-receiver
WO2008053651A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dispositif et duplexeur de filtre d'onde acoustique de surface
JPWO2008053651A1 (ja) * 2006-10-31 2010-02-25 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置及びデュプレクサ
US7880561B2 (en) 2006-10-31 2011-02-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter device and duplexer
JP4853520B2 (ja) * 2006-10-31 2012-01-11 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置及びデュプレクサ

Also Published As

Publication number Publication date
DE69513904D1 (de) 2000-01-20
EP0698965A1 (en) 1996-02-28
US5892418A (en) 1999-04-06
US5721519A (en) 1998-02-24
JP3244386B2 (ja) 2002-01-07
EP0698965B1 (en) 1999-12-15
DE69513904T2 (de) 2000-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3244386B2 (ja) 弾性表面波装置
US6201457B1 (en) Notch filter incorporating saw devices and a delay line
US6104260A (en) Surface acoustic wave filter with first and second filter tracks and balanced or unbalanced terminals
US7902940B2 (en) Duplexer
US6483402B2 (en) Surface acoustic wave device
US6034577A (en) Integrated interdigital electrode saw filter with specified distances between input/output electrodes
US7211925B2 (en) Surface acoustic wave device and branching filter
JP2001326557A (ja) 弾性表面波装置
WO2007049754A1 (ja) 弾性表面波装置および通信装置
JPH10341135A (ja) 弾性表面波装置
EP2254244B1 (en) Balance filter and duplexer
JP3375712B2 (ja) 弾性表面波フィルタ
JP7136026B2 (ja) マルチプレクサ
JP2004023611A (ja) 弾性表面波フィルタ、分波器、通信機
JP3229072B2 (ja) 弾性表面波装置
JP3310132B2 (ja) 弾性表面波装置及びそれを用いたアンテナ分波器
JP3476299B2 (ja) 2重モ−ド弾性表面波共振子フィルタ
JP3757893B2 (ja) 弾性表面波装置、および、これを搭載した通信装置
JP3386806B2 (ja) 通信装置
JP3820954B2 (ja) 弾性表面波装置、通信装置
JP3315913B2 (ja) 弾性表面波フィルタ
WO1998000914A1 (fr) Composant a ondes acoustiques de surface
JPH09181565A (ja) 弾性表面波フィルタ装置
JP3839866B2 (ja) 弾性表面波フィルタおよび通過周波数帯域の形成方法
JPH11340779A (ja) 弾性表面波フィルタ、デュプレクサおよび通信機装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081026

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091026

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091026

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111026

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131026

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees