JPH086244A - 感放射線性レジスト組成物 - Google Patents
感放射線性レジスト組成物Info
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- JPH086244A JPH086244A JP6159283A JP15928394A JPH086244A JP H086244 A JPH086244 A JP H086244A JP 6159283 A JP6159283 A JP 6159283A JP 15928394 A JP15928394 A JP 15928394A JP H086244 A JPH086244 A JP H086244A
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- radiation
- radiation sensitive
- sensitive resist
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポジ型フォトレジストとしてＥＣＡ等のセル
ソルブ系溶剤を使用した場合と同等又はそれ以上の性能
を有し、高精度であり、塗布性も良好で膜厚のバラツキ
も最小に抑えることが可能である上、安全性及び環境衛
生上も優れている感放射線性レジスト組成物を得る。 【構成】 アルカリ溶解性樹脂、キノジアジド基を有す
る感放射線性化合物及び溶剤を含有してなる感放射線性
組成物において、溶剤として下記一般式（１）で示され
る酢酸シクロヘキシルを配合する。 【化１】
ソルブ系溶剤を使用した場合と同等又はそれ以上の性能
を有し、高精度であり、塗布性も良好で膜厚のバラツキ
も最小に抑えることが可能である上、安全性及び環境衛
生上も優れている感放射線性レジスト組成物を得る。 【構成】 アルカリ溶解性樹脂、キノジアジド基を有す
る感放射線性化合物及び溶剤を含有してなる感放射線性
組成物において、溶剤として下記一般式（１）で示され
る酢酸シクロヘキシルを配合する。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、安全性及び環境衛生上
の問題の懸念がない上、フォトレジストとしての諸性
能、特に焦点深度に優れた塗膜を形成し得る感放射線性
レジスト組成物に関する。
の問題の懸念がない上、フォトレジストとしての諸性
能、特に焦点深度に優れた塗膜を形成し得る感放射線性
レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＬＳＩ
の高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化
が求められ、現在パターン幅が約２μｍ以下の微細加工
にはポジ型フォトレジスト組成物が広く使用されてい
る。このポジ型フォトレジスト組成物は、通常アルカリ
溶液可溶性のノボラック樹脂とフォトセンシタイザーと
呼ばれるキノンジアジド基を含有する感放射線性化合物
とから構成され、かかる組成物は、５００ｎｍ以下の光
が照射されることで感放射線性化合物のキノジアジド基
が分解してカルボキシル基が生じることにより、アルカ
リ不溶状態からアルカリ可溶性に変化する。
の高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化
が求められ、現在パターン幅が約２μｍ以下の微細加工
にはポジ型フォトレジスト組成物が広く使用されてい
る。このポジ型フォトレジスト組成物は、通常アルカリ
溶液可溶性のノボラック樹脂とフォトセンシタイザーと
呼ばれるキノンジアジド基を含有する感放射線性化合物
とから構成され、かかる組成物は、５００ｎｍ以下の光
が照射されることで感放射線性化合物のキノジアジド基
が分解してカルボキシル基が生じることにより、アルカ
リ不溶状態からアルカリ可溶性に変化する。
【０００３】このようなポジ型フォトレジスト組成物を
調製する際に用いられる溶剤としては、一般的にメチル
セルソルブ、エチルセルソルブやこれらのアセテートと
いったセルソルブ系溶剤等が使用されている（特公平３
−２２６１８号公報、特開昭６０−１２５８４１号公報
等参照）。しかし、近年、セルソルブ系溶剤は、女性の
流産率や奇形児出産率の上昇といった人体への危険性を
有するという見方があり、ＩＣ製造の作業者の環境衛生
上好ましくなく、このため、代替溶剤の必要性に迫られ
ている。
調製する際に用いられる溶剤としては、一般的にメチル
セルソルブ、エチルセルソルブやこれらのアセテートと
いったセルソルブ系溶剤等が使用されている（特公平３
−２２６１８号公報、特開昭６０−１２５８４１号公報
等参照）。しかし、近年、セルソルブ系溶剤は、女性の
流産率や奇形児出産率の上昇といった人体への危険性を
有するという見方があり、ＩＣ製造の作業者の環境衛生
上好ましくなく、このため、代替溶剤の必要性に迫られ
ている。
【０００４】上記代替溶剤は、人体に対する安全性はも
ちろんのこと、ノボラック樹脂、感放射線性化合物の溶
解性に優れていることや、ウェハー面内での膜厚のばら
つきがないこと、「ストリエーション」と言われる放射
線状のスジを生じないものでなければならない。このよ
うな観点から、非セルソルブ系として乳酸エチル（Ｅ
Ｌ）系の溶剤が特開昭６３−２２０１３９号、特開平２
−１１８５７４号公報等に提案されているが、このＥＬ
系溶剤は、エチルセルソルブアセテート（ＥＣＡ）に比
べて約２倍の価格であり、しかも、レジスト組成として
溶剤が６０〜８０％を占めていることから価格も重要な
ポイントとなっていることもあり、経済面で満足し得る
ものとは言い難い。
ちろんのこと、ノボラック樹脂、感放射線性化合物の溶
解性に優れていることや、ウェハー面内での膜厚のばら
つきがないこと、「ストリエーション」と言われる放射
線状のスジを生じないものでなければならない。このよ
うな観点から、非セルソルブ系として乳酸エチル（Ｅ
Ｌ）系の溶剤が特開昭６３−２２０１３９号、特開平２
−１１８５７４号公報等に提案されているが、このＥＬ
系溶剤は、エチルセルソルブアセテート（ＥＣＡ）に比
べて約２倍の価格であり、しかも、レジスト組成として
溶剤が６０〜８０％を占めていることから価格も重要な
ポイントとなっていることもあり、経済面で満足し得る
ものとは言い難い。
【０００５】以上のように、以前から多く使用されてい
るポジ型フォトレジスト組成物は、溶剤の点で種々の問
題点を抱えているのが現状であった。
るポジ型フォトレジスト組成物は、溶剤の点で種々の問
題点を抱えているのが現状であった。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
安全性及び環境衛生上の問題がなく、かつレジスト性能
として優れた特性を有する感放射線性レジスト組成物を
提供することを目的とする。
安全性及び環境衛生上の問題がなく、かつレジスト性能
として優れた特性を有する感放射線性レジスト組成物を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、アルカリ溶
解性樹脂、キノジアジド基を有する感放射線性化合物及
び溶剤を含有してなる感放射線性組成物において、溶剤
として下記一般式（１）で示される酢酸シクロヘキシル
を配合した場合、上記感放射線性化合物、アルカリ溶解
性樹脂が良好に溶解して好適な塗布回転数の範囲内のス
ピンコーティングで優れた成膜特性を示し、プロセス適
応性、長期保存安定性等に優れ、かつ高感度のレジスト
性能を有し、とりわけ焦点深度に優れ、ＥＣＡ等のセル
ソルブ系溶剤を使用した場合と同等又はそれ以上の高品
質の塗膜を形成し得る上、式（１）の酢酸シクロヘキシ
ルは、ＥＣＡ等のセルソルブ系溶剤に比較して低毒性で
高い安全性を有し、それ故、人体への危険性、ＩＣ製造
の作業者の環境衛生の問題がなく、しかもＥＣＡと同程
度の価格で経済的にも有利であることを見出し、本発明
をなすに至った。
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、アルカリ溶
解性樹脂、キノジアジド基を有する感放射線性化合物及
び溶剤を含有してなる感放射線性組成物において、溶剤
として下記一般式（１）で示される酢酸シクロヘキシル
を配合した場合、上記感放射線性化合物、アルカリ溶解
性樹脂が良好に溶解して好適な塗布回転数の範囲内のス
ピンコーティングで優れた成膜特性を示し、プロセス適
応性、長期保存安定性等に優れ、かつ高感度のレジスト
性能を有し、とりわけ焦点深度に優れ、ＥＣＡ等のセル
ソルブ系溶剤を使用した場合と同等又はそれ以上の高品
質の塗膜を形成し得る上、式（１）の酢酸シクロヘキシ
ルは、ＥＣＡ等のセルソルブ系溶剤に比較して低毒性で
高い安全性を有し、それ故、人体への危険性、ＩＣ製造
の作業者の環境衛生の問題がなく、しかもＥＣＡと同程
度の価格で経済的にも有利であることを見出し、本発明
をなすに至った。
【０００８】
【化２】
【０００９】従って、本発明は、アルカリ溶解性樹脂、
キノジアジド基を有する感放射線性化合物及び溶剤を含
有してなる感放射線性組成物において、溶剤として上記
一般式（１）で示される酢酸シクロヘキシルを配合する
ことを特徴とする感放射線性レジスト組成物を提供す
る。
キノジアジド基を有する感放射線性化合物及び溶剤を含
有してなる感放射線性組成物において、溶剤として上記
一般式（１）で示される酢酸シクロヘキシルを配合する
ことを特徴とする感放射線性レジスト組成物を提供す
る。
【００１０】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の感放射線性レジスト組成物は、アルカリ溶
解性樹脂、キノジアジド基を有する感放射線性化合物及
び溶剤を含有してなるものである。
と、本発明の感放射線性レジスト組成物は、アルカリ溶
解性樹脂、キノジアジド基を有する感放射線性化合物及
び溶剤を含有してなるものである。
【００１１】ここで、アルカリ溶解性樹脂としては、特
に限定されないが、具体的にノボラック樹脂、ポリヒド
ロキシスチレン又はその誘導体、ポリビニルフェノール
等が例示される。前記ノボラック樹脂としては、例えば
フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−ク
レゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノー
ル、ｐ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、
２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４
−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−
トリメチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ヒド
ロキノン、カテコール、レゾルシノール、２−メチルレ
ゾルシノール、ピロガロール、４−ｔ−ブチルフェノー
ル、２−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノ
ール、α−ナフトール、β−ナフトール、ビスフェノー
ルＡ、ｏ−ニトロフェノール、ｍ−ニトロフェノール、
ｐ−ニトロフェノール等のフェノール類を単独で又は２
種以上組み合わせ、これとアルデヒド類とを常法により
重縮合させた樹脂が好適に使用される。なお、このアル
カリ溶解性樹脂の重量平均分子量は通常１０００〜２０
０００であり、好ましくは１５００〜１００００であ
る。
に限定されないが、具体的にノボラック樹脂、ポリヒド
ロキシスチレン又はその誘導体、ポリビニルフェノール
等が例示される。前記ノボラック樹脂としては、例えば
フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−ク
レゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノー
ル、ｐ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、
２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４
−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−
トリメチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ヒド
ロキノン、カテコール、レゾルシノール、２−メチルレ
ゾルシノール、ピロガロール、４−ｔ−ブチルフェノー
ル、２−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノ
ール、α−ナフトール、β−ナフトール、ビスフェノー
ルＡ、ｏ−ニトロフェノール、ｍ−ニトロフェノール、
ｐ−ニトロフェノール等のフェノール類を単独で又は２
種以上組み合わせ、これとアルデヒド類とを常法により
重縮合させた樹脂が好適に使用される。なお、このアル
カリ溶解性樹脂の重量平均分子量は通常１０００〜２０
０００であり、好ましくは１５００〜１００００であ
る。
【００１２】また、キノジアジド基を有する感放射線性
化合物は、感光剤として作用するもので、例えば１，２
−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル等が挙げられる。
化合物は、感光剤として作用するもので、例えば１，２
−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステ
ル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エ
ステル等が挙げられる。
【００１３】なお、これらのエステル類は、公知の方
法、例えば１，２−ナフトキノンジアジドスルホニルク
ロライドとフェノール性水酸基を有する化合物、例えば
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒ
ドロキシベンゾフェノン、ノボラック樹脂等のフェノー
ル樹脂の低核体とを弱アルカリの存在下で縮合すること
により合成することができる。
法、例えば１，２−ナフトキノンジアジドスルホニルク
ロライドとフェノール性水酸基を有する化合物、例えば
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒ
ドロキシベンゾフェノン、ノボラック樹脂等のフェノー
ル樹脂の低核体とを弱アルカリの存在下で縮合すること
により合成することができる。
【００１４】上記キノジアジド基を含有する感放射線性
化合物の配合量は、アルカリ溶解性樹脂１００部（重量
部、以下同様）に対して１０〜５０部、特に２０〜４０
部の範囲が好適であり、１０部に満たないとレジストの
解像性に劣る場合があり、５０部を超えるとマイクログ
ルーブが発生する場合がある。
化合物の配合量は、アルカリ溶解性樹脂１００部（重量
部、以下同様）に対して１０〜５０部、特に２０〜４０
部の範囲が好適であり、１０部に満たないとレジストの
解像性に劣る場合があり、５０部を超えるとマイクログ
ルーブが発生する場合がある。
【００１５】本発明では、溶媒として下記一般式（１）
で示される酢酸シクロヘキシルを配合する。
で示される酢酸シクロヘキシルを配合する。
【００１６】
【化３】
【００１７】上記式（１）の酢酸シクロヘキシルの配合
量は、溶剤全体の５０〜１００％（重量％、以下同
様）、特に６０〜１００％が好ましく、配合量が５０％
に満たないと満足な効果が得られない場合がある。
量は、溶剤全体の５０〜１００％（重量％、以下同
様）、特に６０〜１００％が好ましく、配合量が５０％
に満たないと満足な効果が得られない場合がある。
【００１８】更に、溶剤として上記酢酸シクロヘキシル
に加え、本発明の効果を妨げない範囲（溶剤全体の０〜
５０％の配合量）でその他の溶剤、例えばアセトン、３
−オクタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、３−メ
トキシブタノール、シクロヘキサノール、１−メトキシ
−２−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
ル類、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プ
ロピレングリコールモノエチルアセテート等のエステル
類の１種を単独で又は２種以上を添加することができ
る。
に加え、本発明の効果を妨げない範囲（溶剤全体の０〜
５０％の配合量）でその他の溶剤、例えばアセトン、３
−オクタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、３−メ
トキシブタノール、シクロヘキサノール、１−メトキシ
−２−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテ
ル類、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プ
ロピレングリコールモノエチルアセテート等のエステル
類の１種を単独で又は２種以上を添加することができ
る。
【００１９】本発明において、溶剤（酢酸シクロヘキシ
ル又はこれを主成分とする混合溶剤）の使用量は、ウェ
ハー上に塗布する際、均一でピンホール、ストリエーシ
ョン、塗りむらなどのないように成膜可能ならば特に制
限はないが、アルカリ溶解性樹脂及び感放射線性化合物
の固形分濃度が１０〜５０％、特に２０〜４０％となる
範囲で用いるのが好ましい。固形分濃度が１０％に満た
ないと、塗布時に目的の膜厚を得ることができない場合
があり、５０％を超えると塗りむら、ストリエーション
等が大きくなる場合がある。
ル又はこれを主成分とする混合溶剤）の使用量は、ウェ
ハー上に塗布する際、均一でピンホール、ストリエーシ
ョン、塗りむらなどのないように成膜可能ならば特に制
限はないが、アルカリ溶解性樹脂及び感放射線性化合物
の固形分濃度が１０〜５０％、特に２０〜４０％となる
範囲で用いるのが好ましい。固形分濃度が１０％に満た
ないと、塗布時に目的の膜厚を得ることができない場合
があり、５０％を超えると塗りむら、ストリエーション
等が大きくなる場合がある。
【００２０】本発明組成物には、上記成分以外に塗布性
改良のための界面活性剤、放射線に対する感度を向上さ
せるための増感剤、形成像を一層可視的にするための染
料や顔料、接着性改良のための接着助剤、保存安定剤等
を添加することができる。なお、これら任意成分の添加
量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすること
ができる。
改良のための界面活性剤、放射線に対する感度を向上さ
せるための増感剤、形成像を一層可視的にするための染
料や顔料、接着性改良のための接着助剤、保存安定剤等
を添加することができる。なお、これら任意成分の添加
量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすること
ができる。
【００２１】本発明の感放射線性レジスト組成物は、従
来のレジスト組成物と同様にして使用することができ、
通常スピンコーターを用いて２０００〜５０００ｒｐｍ
の回転数で０．５〜５μｍ程度の膜厚になるように塗布
する方法が好適に採用でき、本発明によれば、上記スピ
ンコーターの回転数範囲、膜厚範囲において、高精度で
優れた平坦性を有するレジスト膜厚を形成することがで
きる。
来のレジスト組成物と同様にして使用することができ、
通常スピンコーターを用いて２０００〜５０００ｒｐｍ
の回転数で０．５〜５μｍ程度の膜厚になるように塗布
する方法が好適に採用でき、本発明によれば、上記スピ
ンコーターの回転数範囲、膜厚範囲において、高精度で
優れた平坦性を有するレジスト膜厚を形成することがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の感放射線性レジスト組成物は、
ポジ型フォトレジストとしてＥＣＡ等のセルソルブ系溶
剤を使用した場合と同等又はそれ以上の性能を有し、特
に焦点深度に優れ、高精度であり、塗布性も良好で膜厚
のバラツキも最小に抑えることが可能である上、安全性
及びＩＣ製造の作業者の環境衛生上も優れており、幅広
く応用することができる。
ポジ型フォトレジストとしてＥＣＡ等のセルソルブ系溶
剤を使用した場合と同等又はそれ以上の性能を有し、特
に焦点深度に優れ、高精度であり、塗布性も良好で膜厚
のバラツキも最小に抑えることが可能である上、安全性
及びＩＣ製造の作業者の環境衛生上も優れており、幅広
く応用することができる。
【００２３】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。
【００２４】〔実施例、比較例〕 クレゾールノボラック樹脂の調製：温度計、攪拌機、リ
フラックスコンデンサーを備えた４つ口フラスコにｍ−
クレゾール５４ｇ、ｐ−クレゾール５４ｇ、３７％ホル
マリン水溶液５４ｇ及びシュウ酸３ｇを仕込み、攪拌し
ながら１００℃まで昇温し、１６時間反応させた。反応
後、メチルイソブチルケトン３００ｍｌに溶解し、十分
水洗した後、溶媒を除去し、１５０℃、４ｍｍＨｇまで
減圧し、水分、未反応モノマーを除いたところ、重量平
均分子量（ＧＰＣ、ポリスチレン換算）５１００のクレ
ゾールノボラック樹脂が収量７５ｇで得られた。 感光剤の調製：ｐ−クレゾール５４ｇ、３７％ホルマリ
ン水溶液５４ｇ及びシュウ酸３ｇを温度計、攪拌機、リ
フラックスコンデンサーを備えた４つ口フラスコに仕込
み、２０時間反応させた。メチルイソブチルケトンを加
えて抽出、水洗し、溶媒を除き、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）４３０の樹脂４６ｇを得た。
フラックスコンデンサーを備えた４つ口フラスコにｍ−
クレゾール５４ｇ、ｐ−クレゾール５４ｇ、３７％ホル
マリン水溶液５４ｇ及びシュウ酸３ｇを仕込み、攪拌し
ながら１００℃まで昇温し、１６時間反応させた。反応
後、メチルイソブチルケトン３００ｍｌに溶解し、十分
水洗した後、溶媒を除去し、１５０℃、４ｍｍＨｇまで
減圧し、水分、未反応モノマーを除いたところ、重量平
均分子量（ＧＰＣ、ポリスチレン換算）５１００のクレ
ゾールノボラック樹脂が収量７５ｇで得られた。 感光剤の調製：ｐ−クレゾール５４ｇ、３７％ホルマリ
ン水溶液５４ｇ及びシュウ酸３ｇを温度計、攪拌機、リ
フラックスコンデンサーを備えた４つ口フラスコに仕込
み、２０時間反応させた。メチルイソブチルケトンを加
えて抽出、水洗し、溶媒を除き、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）４３０の樹脂４６ｇを得た。
【００２５】この樹脂１２ｇ、１，２−ナフトキノン−
２−ジアジド−５−スルホニルクロライド１６．２ｇ
（０．０６ｍｌ）を３００ｍｌのジオキサンに溶解し、
これにトリエチルアミン／ジオキサン＝６．１ｇ／２０
ｍｌ混合液を徐々に滴下して加え、２０℃で４時間反応
させた。反応混合物を１％塩酸水溶液１リットル中に注
ぎ、生じた沈澱生成物を濾別して十分乾燥させたとこ
ろ、６０％エステル化物（理論エステル化率）２４．７
ｇのｐ−クレゾール樹脂の低核体エステルが得られた。 フォトレジスト組成物の調製：上記で得られたクレゾー
ルノボラック樹脂１０ｇと感光剤２．８ｇを表１に示す
溶媒５０ｇに溶解した後、０．１μｍのミクロフィルタ
ーを用いて濾過し、フォトレジスト組成物を得た。
２−ジアジド−５−スルホニルクロライド１６．２ｇ
（０．０６ｍｌ）を３００ｍｌのジオキサンに溶解し、
これにトリエチルアミン／ジオキサン＝６．１ｇ／２０
ｍｌ混合液を徐々に滴下して加え、２０℃で４時間反応
させた。反応混合物を１％塩酸水溶液１リットル中に注
ぎ、生じた沈澱生成物を濾別して十分乾燥させたとこ
ろ、６０％エステル化物（理論エステル化率）２４．７
ｇのｐ−クレゾール樹脂の低核体エステルが得られた。 フォトレジスト組成物の調製：上記で得られたクレゾー
ルノボラック樹脂１０ｇと感光剤２．８ｇを表１に示す
溶媒５０ｇに溶解した後、０．１μｍのミクロフィルタ
ーを用いて濾過し、フォトレジスト組成物を得た。
【００２６】得られたフォトレジスト組成物について、
下記方法で評価を行った。結果を表１，２に示す。塗布
膜厚のバラツキ、ピンホールの有無、ストリエーション
の発生の有無：上記フォトレジスト組成物をオートコー
ターを用いてヘキサメチルジシラザンで蒸気処理したシ
リコーンウェハーにスピンコートし、９０℃で６０秒間
プリベークし、厚さ１．０５μｍの膜を得た。この塗布
膜厚のバラツキ、ピンホールの有無、ストリエーション
の発生の有無を観察した。 保存安定性：調製直後のフォトレジスト組成物と室温
（２３℃）保存９０日後の液中パーティクルを測定（Ｋ
Ｌ−２０、リオン社製）して０．５μｍ以上の粒子数を
比較し、保存安定性を評価した。 解像度：フォトレジストを塗布したウェハーを縮小投影
露光装置（ニコン社製、ＮＳＲ１７５５ｉ７Ａ）を用い
て、マスクパターンを介して所要の露光量で露光し、１
１０℃、６０秒露光後、プリベーク（ＰＥＢ）、２．３
８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
１分間現像した。次に、電子顕微鏡観察により、マスク
パターンとレジストパターンのラインとスペース像寸法
が１：１を再現する（±１０％許容量）露光量における
最小寸法を測定し、解像度を評価した。 焦点深度：０．５μｍｃ／ｓにおける値を表示した。 耐熱性：１０μｍライン像をホットプレートで３分間加
熱し、パターンの変形が生じない温度を表した。
下記方法で評価を行った。結果を表１，２に示す。塗布
膜厚のバラツキ、ピンホールの有無、ストリエーション
の発生の有無：上記フォトレジスト組成物をオートコー
ターを用いてヘキサメチルジシラザンで蒸気処理したシ
リコーンウェハーにスピンコートし、９０℃で６０秒間
プリベークし、厚さ１．０５μｍの膜を得た。この塗布
膜厚のバラツキ、ピンホールの有無、ストリエーション
の発生の有無を観察した。 保存安定性：調製直後のフォトレジスト組成物と室温
（２３℃）保存９０日後の液中パーティクルを測定（Ｋ
Ｌ−２０、リオン社製）して０．５μｍ以上の粒子数を
比較し、保存安定性を評価した。 解像度：フォトレジストを塗布したウェハーを縮小投影
露光装置（ニコン社製、ＮＳＲ１７５５ｉ７Ａ）を用い
て、マスクパターンを介して所要の露光量で露光し、１
１０℃、６０秒露光後、プリベーク（ＰＥＢ）、２．３
８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
１分間現像した。次に、電子顕微鏡観察により、マスク
パターンとレジストパターンのラインとスペース像寸法
が１：１を再現する（±１０％許容量）露光量における
最小寸法を測定し、解像度を評価した。 焦点深度：０．５μｍｃ／ｓにおける値を表示した。 耐熱性：１０μｍライン像をホットプレートで３分間加
熱し、パターンの変形が生じない温度を表した。
【００２７】表１，２の結果より、溶媒として酢酸シク
ロヘキシルを使用した場合、ＥＣＡ等の溶媒を使用した
場合と同等の良好な性能を有し、かつレジスト性能とし
て高感度であり、とりわけ焦点深度に優れた塗膜を与え
ることが確認された。
ロヘキシルを使用した場合、ＥＣＡ等の溶媒を使用した
場合と同等の良好な性能を有し、かつレジスト性能とし
て高感度であり、とりわけ焦点深度に優れた塗膜を与え
ることが確認された。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅村 光雄 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 アルカリ溶解性樹脂、キノジアジド基を
有する感放射線性化合物及び溶剤を含有してなる感放射
線性レジスト組成物において、溶剤として下記一般式
（１）で示される酢酸シクロヘキシルを配合することを
特徴とする感放射線性レジスト組成物。 【化１】 - 【請求項２】 酢酸シクロヘキシルの配合量が溶剤全体
の５０〜１００重量％である請求項１記載の感放射線性
レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6159283A JPH086244A (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 感放射線性レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6159283A JPH086244A (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 感放射線性レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH086244A true JPH086244A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15690415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6159283A Pending JPH086244A (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 感放射線性レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH086244A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-06-17 JP JP6159283A patent/JPH086244A/ja active Pending
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