JPH0860384A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法Info
- Publication number
- JPH0860384A JPH0860384A JP19576994A JP19576994A JPH0860384A JP H0860384 A JPH0860384 A JP H0860384A JP 19576994 A JP19576994 A JP 19576994A JP 19576994 A JP19576994 A JP 19576994A JP H0860384 A JPH0860384 A JP H0860384A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- processing
- cup
- processed
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 少ない液量でディップ処理の精度を維持す
る。 【構成】 １）処理液を導入して被処理基板を浸漬する
処理カップと, 該処理カップ内で該被処理基板を保持し
且つ上下動するチャックと, 該処理液を該処理カップよ
り排出する手段とを有する処理装置， ２）処理液を満たした処理カップ内に被処理面を上にし
たまま被処理基板を浸漬した後，該被処理基板を該処理
液より引き上げ, 該被処理基板上に滞留した処理液で処
理を行い, 該処理カップに残った処理液を回収する処理
方法。
る。 【構成】 １）処理液を導入して被処理基板を浸漬する
処理カップと, 該処理カップ内で該被処理基板を保持し
且つ上下動するチャックと, 該処理液を該処理カップよ
り排出する手段とを有する処理装置， ２）処理液を満たした処理カップ内に被処理面を上にし
たまま被処理基板を浸漬した後，該被処理基板を該処理
液より引き上げ, 該被処理基板上に滞留した処理液で処
理を行い, 該処理カップに残った処理液を回収する処理
方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は, 基板上に被着されたレ
ジスト膜, またはメタル膜を現像やエッチングする目的
で，被処理基板をチャックやホルダに固定し処理カップ
内の処理液に浸漬するディップ処理装置及び処理方法に
関する。
ジスト膜, またはメタル膜を現像やエッチングする目的
で，被処理基板をチャックやホルダに固定し処理カップ
内の処理液に浸漬するディップ処理装置及び処理方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ディップ（浸漬）処理はスプレイ処理等
に比べ，制御する項目 (スプレ−処理では，スプレ−流
量, ノズルの形状や位置等) が少なくてすみ，簡単な構
造で高精度の制御が可能である。
に比べ，制御する項目 (スプレ−処理では，スプレ−流
量, ノズルの形状や位置等) が少なくてすみ，簡単な構
造で高精度の制御が可能である。
【０００３】しかし，ディップ処理は使用する液量が多
くランニングコストが高い。また，処理時間の間はずっ
と液に漬けているため，使った液すべてが処理とともに
劣化してしまう。そのため，次の方法がとられている。
くランニングコストが高い。また，処理時間の間はずっ
と液に漬けているため，使った液すべてが処理とともに
劣化してしまう。そのため，次の方法がとられている。
【０００４】 処理カップに導入した液が被処理基板
を浸漬することにより劣化した場合は，その液を全部捨
てていた。すなわち, 処理ごとに新しい液に替えてい
た。 液が劣化しても，ある程度劣化するまでは, 処理時
間を変える等の対策を行っていた。
を浸漬することにより劣化した場合は，その液を全部捨
てていた。すなわち, 処理ごとに新しい液に替えてい
た。 液が劣化しても，ある程度劣化するまでは, 処理時
間を変える等の対策を行っていた。
【０００５】 ある程度劣化した液を回収して, 再度
調合しなおして再利用していた。
調合しなおして再利用していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来技術のの場合
は，処理の精度はよいが，使用する液量が増え，コスト
スアップとなる。
は，処理の精度はよいが，使用する液量が増え，コスト
スアップとなる。
【０００７】従来技術のの場合は, 被処理物や液を変
更する度に，劣化と処理時間の関係を調べる必要があ
り，また，劣化を正確にモニタリングする機構を必要と
し，その機構の精度も厳密に制御しなければならず, 装
置が複雑化する。
更する度に，劣化と処理時間の関係を調べる必要があ
り，また，劣化を正確にモニタリングする機構を必要と
し，その機構の精度も厳密に制御しなければならず, 装
置が複雑化する。
【０００８】また近年, 劣化を処理時間で制御しても,
ものによっては劣化により処理の疎密差等の影響が出る
ことも報告されている。従来技術のの場合は，再調合
等の手間がかかるという欠点がある。
ものによっては劣化により処理の疎密差等の影響が出る
ことも報告されている。従来技術のの場合は，再調合
等の手間がかかるという欠点がある。
【０００９】本発明は少ない液量でディップ処理の精度
を維持することを目的とする。
を維持することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）処理液を導入して被処理基板を浸漬する処理カップ
と, 該処理カップ内で該被処理基板を保持し且つ上下動
するチャックと, 該処理液を該処理カップより排出する
手段とを有する処理装置，あるいは ２）処理液を満たした処理カップ内に被処理面を上にし
たまま被処理基板を浸漬した後，該被処理基板を該処理
液より引き上げ, 該被処理基板上に滞留した処理液で処
理を行い, 該処理カップに残った処理液を回収する処理
方法，あるいは ３）前記チャックは被処理基板を嵌め込む窪みを有する
平板と回転軸で構成される前記１記載の処理装置，ある
いは ４）前記被処理基板がクロム膜を被着したレチクル基板
である前記２記載の処理方法により達成される。
と, 該処理カップ内で該被処理基板を保持し且つ上下動
するチャックと, 該処理液を該処理カップより排出する
手段とを有する処理装置，あるいは ２）処理液を満たした処理カップ内に被処理面を上にし
たまま被処理基板を浸漬した後，該被処理基板を該処理
液より引き上げ, 該被処理基板上に滞留した処理液で処
理を行い, 該処理カップに残った処理液を回収する処理
方法，あるいは ３）前記チャックは被処理基板を嵌め込む窪みを有する
平板と回転軸で構成される前記１記載の処理装置，ある
いは ４）前記被処理基板がクロム膜を被着したレチクル基板
である前記２記載の処理方法により達成される。
【００１１】
【作用】本発明では，被処理基板を液に浸漬すると同時
に処理面に液が盛られる状態で処理液から出し, その盛
られた液で被処理基板の処理を行い，処理カップ内で被
処理基板のリンスが行われる前に, 処理カップ内の残っ
た液は回収タンクに回収している。
に処理面に液が盛られる状態で処理液から出し, その盛
られた液で被処理基板の処理を行い，処理カップ内で被
処理基板のリンスが行われる前に, 処理カップ内の残っ
た液は回収タンクに回収している。
【００１２】したがって，被処理基板上に盛られた液の
みで処理をするため，処理カップ内に残った液は劣化し
ない。また, ディップ処理の精度は，被処理基板上に盛
られた液のみで確保できるから, ランニングコストは少
なくてすむ。
みで処理をするため，処理カップ内に残った液は劣化し
ない。また, ディップ処理の精度は，被処理基板上に盛
られた液のみで確保できるから, ランニングコストは少
なくてすむ。
【００１３】
実施例１：ここでは，レチクル製作工程におけるクロム
膜のエッチングを例にとって説明する。
膜のエッチングを例にとって説明する。
【００１４】図１は本発明の実施例の説明図で，この装
置は，被処理基板は処理面が上になるようにチャックに
固定され，このチャックは回転及び上下移動が可能であ
る。図において， 1は処理カップ, 2はチャック, 3は
処理液導入口, 4は処理液回収用配管, 5はポンプ, 6
はリンス液噴射ノズル, 7はリンス液排出用配管,8はバ
ルブ, 9は自重による処理液回収用配管, 10はバルブ,
11は被処理基板である。
置は，被処理基板は処理面が上になるようにチャックに
固定され，このチャックは回転及び上下移動が可能であ
る。図において， 1は処理カップ, 2はチャック, 3は
処理液導入口, 4は処理液回収用配管, 5はポンプ, 6
はリンス液噴射ノズル, 7はリンス液排出用配管,8はバ
ルブ, 9は自重による処理液回収用配管, 10はバルブ,
11は被処理基板である。
【００１５】用いた被処理基板11は６インチ角の0.25イ
ンチ厚の石英基板上にスパッタ法で厚さ1000Åのにクロ
ム膜が堆積されている。その上に電子ビームリソグラフ
ィ法により形成されたレジストパターンが形成されてい
る。レジストは日本ゼオン製ZEP-520 を用いた。
ンチ厚の石英基板上にスパッタ法で厚さ1000Åのにクロ
ム膜が堆積されている。その上に電子ビームリソグラフ
ィ法により形成されたレジストパターンが形成されてい
る。レジストは日本ゼオン製ZEP-520 を用いた。
【００１６】処理カップ 1に, 温度23℃に調節されたエ
ッチング液をエッチング液導入口 3よりレベルA まで導
入する。ここで用いたエッチング液は硝酸第２セリウム
アンモニウムを15wt％溶かしたクロムのエッチング液で
ある。また，処理カップ内に導入された液は約1.5 リッ
タである。
ッチング液をエッチング液導入口 3よりレベルA まで導
入する。ここで用いたエッチング液は硝酸第２セリウム
アンモニウムを15wt％溶かしたクロムのエッチング液で
ある。また，処理カップ内に導入された液は約1.5 リッ
タである。
【００１７】エッチング液を導入した後, チャック 2を
2 cm/sec の速さで下に動かす。チャックに固定された
被処理基板の処理面が液面より 5 mm の深さになり全面
に液が被着する位置まで動いた後, 直ちに 2 cm/sec の
速さでチャックを液面から上昇させる。この結果, 被処
理基板の処理面全面にエッチング液が盛られる。
2 cm/sec の速さで下に動かす。チャックに固定された
被処理基板の処理面が液面より 5 mm の深さになり全面
に液が被着する位置まで動いた後, 直ちに 2 cm/sec の
速さでチャックを液面から上昇させる。この結果, 被処
理基板の処理面全面にエッチング液が盛られる。
【００１８】次に, 液から被処理基板が出ると同時に,
ポンプ 5を作動させて配管 4を通して処理カップ内のエ
ッチング液を液回収タンクへ回収する。ポンプを動かす
時間は約20秒である。処理カップ内に残っているエッチ
ング液は15秒程度で回収されるように回収流量を設定し
てあるが，少しでもエッチング液を多く回収するため5
秒程度の余裕時間を設定している。
ポンプ 5を作動させて配管 4を通して処理カップ内のエ
ッチング液を液回収タンクへ回収する。ポンプを動かす
時間は約20秒である。処理カップ内に残っているエッチ
ング液は15秒程度で回収されるように回収流量を設定し
てあるが，少しでもエッチング液を多く回収するため5
秒程度の余裕時間を設定している。
【００１９】処理カップから出た被処理基板はそのまま
の状態で, 被処理基板に盛られたエッチング液によって
40秒間エッチングされる。40秒後にスプレーノズルから
純水を出してリンスを行う。このとき, チャックは250
rpm で回転させる。また，リンス中はリンス液が処理カ
ップから排出されるように, リンス液ドレインバルブ7
を開ける。
の状態で, 被処理基板に盛られたエッチング液によって
40秒間エッチングされる。40秒後にスプレーノズルから
純水を出してリンスを行う。このとき, チャックは250
rpm で回転させる。また，リンス中はリンス液が処理カ
ップから排出されるように, リンス液ドレインバルブ7
を開ける。
【００２０】リンスを60秒間行った後, チャックを1200
rpmで60秒間回転させて被処理基板を乾燥させる。以上
で処理を終わる。回収されたエッチング液は, 次の処理
にそのまま使用する。
rpmで60秒間回転させて被処理基板を乾燥させる。以上
で処理を終わる。回収されたエッチング液は, 次の処理
にそのまま使用する。
【００２１】実施例２：エッチング液を導入した後，チ
ャックを 2 cm/sec の速さで下に動かすまでは実施例１
と同じである。
ャックを 2 cm/sec の速さで下に動かすまでは実施例１
と同じである。
【００２２】次に，チャックに固定された被処理基板の
処理面が液面より 5 mm の深さになり全面に液が被着す
る位置まで動いた後, 0.5 秒間そのままの状態を保つ。
その後, ポンプを作動させることにより, 配管を通して
処理カップ内のエッチング液を液回収タンクへ回収す
る。ポンプを動かす時間は約20秒である。処理カップ内
に残っているエッチング液は15秒程度で回収されるよう
に回収流量を設定してある。
処理面が液面より 5 mm の深さになり全面に液が被着す
る位置まで動いた後, 0.5 秒間そのままの状態を保つ。
その後, ポンプを作動させることにより, 配管を通して
処理カップ内のエッチング液を液回収タンクへ回収す
る。ポンプを動かす時間は約20秒である。処理カップ内
に残っているエッチング液は15秒程度で回収されるよう
に回収流量を設定してある。
【００２３】エッチング液が回収された後, チャックを
上げ元の位置まで被処理基板を上げる。その状態で20秒
間エッチングする。この後は, 実施例１と同様の方法で
リンス及び乾燥を行う。
上げ元の位置まで被処理基板を上げる。その状態で20秒
間エッチングする。この後は, 実施例１と同様の方法で
リンス及び乾燥を行う。
【００２４】また，上記実施例はポンプによるエッチン
グ液の回収例を示したが，処理カップ底部にバルブを設
け，バルブ10を開けることにより自重で回収してもよ
い。この場合は，回収時間がリンス前に行われるように
配管の太さを十分大きくとること（この実施例では 30
mmφ) と，リンス前にバルブを閉める必要があることは
勿論である。
グ液の回収例を示したが，処理カップ底部にバルブを設
け，バルブ10を開けることにより自重で回収してもよ
い。この場合は，回収時間がリンス前に行われるように
配管の太さを十分大きくとること（この実施例では 30
mmφ) と，リンス前にバルブを閉める必要があることは
勿論である。
【００２５】実施例では処理例としてエッチングについ
て説明したが，現像等その他の処理についても本発明は
適用できる。
て説明したが，現像等その他の処理についても本発明は
適用できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば，処理液の使用量を抑え
てもディップ処理程度の精度が得られる。
てもディップ処理程度の精度が得られる。
【図１】 本発明の実施例の説明図
1 処理カップ 2 チャック 3 処理液導入口 4 処理液回収用配管 5 ポンプ 6 リンス液噴射ノズル 7 リンス液排出用配管 8 バルブ 9 自重による処理液回収用配管 10 バルブ 11 被処理基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ
Claims (4)
- 【請求項１】 処理液を導入して被処理基板を浸漬する
処理カップと, 該処理カップ内で該被処理基板を保持し
且つ上下動するチャックと, 該処理液を該処理カップよ
り排出する手段とを有することを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 処理液を満たした処理カップ内に被処理
面を上にしたまま被処理基板を浸漬した後，該被処理基
板を該処理液より引き上げ, 該被処理基板上に滞留した
処理液で処理を行い, 該処理カップに残った処理液を回
収することを特徴とする処理方法。 - 【請求項３】 前記チャックは被処理基板を嵌め込む窪
みを有する平板と回転軸で構成されることを特徴とする
請求項１記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記被処理基板がクロム膜を被着したレ
チクル基板であることを特徴とする請求項２記載の処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19576994A JPH0860384A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19576994A JPH0860384A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0860384A true JPH0860384A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=16346659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19576994A Withdrawn JPH0860384A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0860384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206485A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置およびそれに用いられる基板支持部材 |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP19576994A patent/JPH0860384A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206485A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置およびそれに用いられる基板支持部材 |
| US9401283B2 (en) | 2008-01-31 | 2016-07-26 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |