JPH085846A - 光ファイバの余長処理構造、およびこの構造を用いた光増幅装置 - Google Patents
光ファイバの余長処理構造、およびこの構造を用いた光増幅装置Info
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- JPH085846A JPH085846A JP6141706A JP14170694A JPH085846A JP H085846 A JPH085846 A JP H085846A JP 6141706 A JP6141706 A JP 6141706A JP 14170694 A JP14170694 A JP 14170694A JP H085846 A JPH085846 A JP H085846A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ファイバの余長処理に伴う捩り応力の発生
を極力小さくでき、しかも、余長処理のための占有面積
が小さく、また、途中に融着部が存在していても光ファ
イバの長さの制約が少ない構造が得られるようにする。 【構成】 基板Ｂに装着された一対のリールＲa，Ｒbを
備え、この一対のリールＲa，Ｒbに光ファイバＦ0が８
の字状に巻き付けられている。
を極力小さくでき、しかも、余長処理のための占有面積
が小さく、また、途中に融着部が存在していても光ファ
イバの長さの制約が少ない構造が得られるようにする。 【構成】 基板Ｂに装着された一対のリールＲa，Ｒbを
備え、この一対のリールＲa，Ｒbに光ファイバＦ0が８
の字状に巻き付けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバの余長処理
のための構造、およびこの構造を用いた光増幅装置に関
する。
のための構造、およびこの構造を用いた光増幅装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、Ｅr等の希土類元素をドープし
た増幅用光ファイバを用いて構成された光増幅装置の概
略構成図である。
た増幅用光ファイバを用いて構成された光増幅装置の概
略構成図である。
【０００３】同図において、Ｌinは信号光の入射コネク
タ、Ｌoutは信号光の出射コネクタ、ＬＤは励起光源と
してのレーザダイオード、Ｃは信号光と励起光とを混合
する合波器である。
タ、Ｌoutは信号光の出射コネクタ、ＬＤは励起光源と
してのレーザダイオード、Ｃは信号光と励起光とを混合
する合波器である。
【０００４】また、Ｉ0，Ｉ1は光を一方向にのみ通過さ
せて反射光を防止するためのアイソレータ、ＤＦは誘導
放出効果によって信号光を増幅する増幅用光ファイバ
で、本例では、コア内またはコアの外周に希土類元素の
Ｅrがドープされることにより構成されている。
せて反射光を防止するためのアイソレータ、ＤＦは誘導
放出効果によって信号光を増幅する増幅用光ファイバ
で、本例では、コア内またはコアの外周に希土類元素の
Ｅrがドープされることにより構成されている。
【０００５】Ｂは励起光および蛍光の各波長成分の光を
遮断して信号光のみを通過させるバンドパスフィルタで
ある。
遮断して信号光のみを通過させるバンドパスフィルタで
ある。
【０００６】このような光増幅装置を構成する場合、装
置の小型化、低損失化等を図る上で、各光学部品が基板
上に配置されるとともに、これらの各光学部品および増
幅用光ファイバＤＦが通常の通信用の光ファイバを介し
て互いに接続される。
置の小型化、低損失化等を図る上で、各光学部品が基板
上に配置されるとともに、これらの各光学部品および増
幅用光ファイバＤＦが通常の通信用の光ファイバを介し
て互いに接続される。
【０００７】図４に示した構成では、たとえば、レーザ
ダイオードＬＤと合波器Ｃの間、入射コネクタＬinと合
波器Ｃの間、合波器ＣとアイソレータＩ0の間、などが
それぞれ光ファイバＦ0，Ｆ1，Ｆ2によって接続され
る。
ダイオードＬＤと合波器Ｃの間、入射コネクタＬinと合
波器Ｃの間、合波器ＣとアイソレータＩ0の間、などが
それぞれ光ファイバＦ0，Ｆ1，Ｆ2によって接続され
る。
【０００８】このような光学部品同士を接続する場合、
光学部品間を結ぶ最短距離に比べて各光ファイバＦ0，
Ｆ1，Ｆ2には余長を確保しておくことが必要である。
光学部品間を結ぶ最短距離に比べて各光ファイバＦ0，
Ｆ1，Ｆ2には余長を確保しておくことが必要である。
【０００９】それは、電線と異なり、破損やモード変
換、損失増加等を防止する上で、引き回される光ファイ
バの曲率が過度に大きくならないようにする必要があ
る。光学部品や光ファイバの破損に対する修復の際の
再結線のための余裕が必要である、等の理由による。
換、損失増加等を防止する上で、引き回される光ファイ
バの曲率が過度に大きくならないようにする必要があ
る。光学部品や光ファイバの破損に対する修復の際の
再結線のための余裕が必要である、等の理由による。
【００１０】したがって、光学部品および光ファイバを
限られたスペース内に組み込む場合には、光ファイバの
余長処理が不可欠となる。
限られたスペース内に組み込む場合には、光ファイバの
余長処理が不可欠となる。
【００１１】このような、光ファイバの余長処理とし
て、ここでは、図４に示したレーザダイオードＬＤと合
波器Ｃとを接続する光ファイバＦ0を例にとって説明す
る。
て、ここでは、図４に示したレーザダイオードＬＤと合
波器Ｃとを接続する光ファイバＦ0を例にとって説明す
る。
【００１２】図５は、従来の光ファイバの余長処理の一
例を示すもので、この光ファイバＦ0は、レーザダイオ
ードＬＤを始点、合波器Ｃを終点とすると、始点から終
点に向けて一方向(ここでは反時計方向)に沿って引き回
されることにより組み込まれている。
例を示すもので、この光ファイバＦ0は、レーザダイオ
ードＬＤを始点、合波器Ｃを終点とすると、始点から終
点に向けて一方向(ここでは反時計方向)に沿って引き回
されることにより組み込まれている。
【００１３】なお、図中、Ｔは融着部であり、この部分
は、現場作業上、レーザダイオードＬＤや合波器Ｃが基
板に組み付けられる前に予め施工されており、融着後に
コーティングを施してから熱収縮チューブを被せて補強
される。
は、現場作業上、レーザダイオードＬＤや合波器Ｃが基
板に組み付けられる前に予め施工されており、融着後に
コーティングを施してから熱収縮チューブを被せて補強
される。
【００１４】このように、余長処理のために、光ファイ
バＦ0を一方向のみに沿って引き回す場合には、１ター
ンごとに捩れが蓄積され、光ファイバＦ0の全長に渡っ
て大きな捩り応力が加わることになる。
バＦ0を一方向のみに沿って引き回す場合には、１ター
ンごとに捩れが蓄積され、光ファイバＦ0の全長に渡っ
て大きな捩り応力が加わることになる。
【００１５】その結果、光ファイバＦ0(特に、強度が低
い融着部Ｔ)が破断したり、モード変換が生じたり、損
失増加を招来する等の問題が生じる。
い融着部Ｔ)が破断したり、モード変換が生じたり、損
失増加を招来する等の問題が生じる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このような光ファイバ
Ｆ0の引き回しに伴う捩れの発生を回避するために、従
来技術では、図６および図７に示すように、光ファイバ
Ｆ0の引き回し方向を、その全長の中間位置で反転させ
ることにより、反転前後で生じる捩れを相殺するように
した構造も提供されている。なお、Ｔは融着部、Ｂは基
板、Ｇはガイドである。
Ｆ0の引き回しに伴う捩れの発生を回避するために、従
来技術では、図６および図７に示すように、光ファイバ
Ｆ0の引き回し方向を、その全長の中間位置で反転させ
ることにより、反転前後で生じる捩れを相殺するように
した構造も提供されている。なお、Ｔは融着部、Ｂは基
板、Ｇはガイドである。
【００１７】このような構成にすれば、光ファイバＦ0
の引き回しに伴う捩れの発生を回避することができるも
のの、次の問題が残されている。
の引き回しに伴う捩れの発生を回避することができるも
のの、次の問題が残されている。
【００１８】いま、光ファイバＦ0の途中に融着部Ｔが
存在する場合、この融着部Ｔは、光ファイバＦ0よりも
可とう性に欠け、しかも、太径で重たいので、その部分
を放置していると振動等が加わったときにこの箇所が破
断するおそれがある。これを防ぐには、励起光源ＬＤや
合波器Ｃと同様に、この融着部Ｔを別途引き出してホル
ダや粘着テープを用いて基板Ｂ上に固定する必要があ
る。
存在する場合、この融着部Ｔは、光ファイバＦ0よりも
可とう性に欠け、しかも、太径で重たいので、その部分
を放置していると振動等が加わったときにこの箇所が破
断するおそれがある。これを防ぐには、励起光源ＬＤや
合波器Ｃと同様に、この融着部Ｔを別途引き出してホル
ダや粘着テープを用いて基板Ｂ上に固定する必要があ
る。
【００１９】しかも、上述のように、光ファイバＦ0の
捩れを相殺する上で、全長の中間位置において引き回し
方向を反転させる必要があることから、引き回し方向の
反転箇所の近傍に融着部Ｔを位置させ、この融着部Ｔを
引き出して基板Ｂに固定する際に、光ファイバＦ0の引
き回し方向を反転させるようにすれば、融着部Ｔの固定
作業と引き回し方向の反転とを同時に行えるため、余長
処理作業の効率上、好ましい。
捩れを相殺する上で、全長の中間位置において引き回し
方向を反転させる必要があることから、引き回し方向の
反転箇所の近傍に融着部Ｔを位置させ、この融着部Ｔを
引き出して基板Ｂに固定する際に、光ファイバＦ0の引
き回し方向を反転させるようにすれば、融着部Ｔの固定
作業と引き回し方向の反転とを同時に行えるため、余長
処理作業の効率上、好ましい。
【００２０】しかし、このように、融着部Ｔの箇所で引
き回し方向を反転させるには、レーザダイオードＬＤか
ら融着部Ｔまでの長さと、合波器Ｃから融着部Ｔまでの
長さとが略等しくなるようにすることが必要であり、そ
のため、光ファイバＦ0の引き回し長さが制約を受ける
ことになる。
き回し方向を反転させるには、レーザダイオードＬＤか
ら融着部Ｔまでの長さと、合波器Ｃから融着部Ｔまでの
長さとが略等しくなるようにすることが必要であり、そ
のため、光ファイバＦ0の引き回し長さが制約を受ける
ことになる。
【００２１】また、従来のものでは、光ファイバＦ0の
余長処理のために、図示のごとく、基板Ｂの周縁に設け
たガイドＧに沿って引き回す必要があるため、装置の小
型化にも限界がある。
余長処理のために、図示のごとく、基板Ｂの周縁に設け
たガイドＧに沿って引き回す必要があるため、装置の小
型化にも限界がある。
【００２２】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、光ファイバの余長処理に伴う捩り応力
の発生を極力小さくでき、しかも、余長処理のための占
有面積が小さく、また、途中に融着部が存在していても
光ファイバの長さの制約が少ない構造が得られるように
すること、さらに、実装密度を高めた小型の光増幅装置
を得ることを課題とする。
なされたもので、光ファイバの余長処理に伴う捩り応力
の発生を極力小さくでき、しかも、余長処理のための占
有面積が小さく、また、途中に融着部が存在していても
光ファイバの長さの制約が少ない構造が得られるように
すること、さらに、実装密度を高めた小型の光増幅装置
を得ることを課題とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、次の構成を採る。
解決するため、次の構成を採る。
【００２４】すなわち、第１発明に係る余長処理構造で
は、基板に装着された一対のリールを備え、この一対の
リールに光ファイバが８の字状に巻き付けられてなるこ
とを特徴とする。
は、基板に装着された一対のリールを備え、この一対の
リールに光ファイバが８の字状に巻き付けられてなるこ
とを特徴とする。
【００２５】さらに、第２発明に係る光増幅装置では、
第１発明に係る光ファイバの余長処理構造を有し、前記
一対のリールの内の一方のリールはリング状をしてお
り、このリール内には、増幅用光ファイバが巻回された
内リールが装着されていることを特徴とする。
第１発明に係る光ファイバの余長処理構造を有し、前記
一対のリールの内の一方のリールはリング状をしてお
り、このリール内には、増幅用光ファイバが巻回された
内リールが装着されていることを特徴とする。
【００２６】
【作用】第１発明に係る余長処理構造では、一対のリー
ルに８の字状に巻き付けられる襷掛けのピッチごとに光
ファイバの捩りが相殺されるため、従来のように、融着
部を中心として光学部品までの余長を略等しくする必要
がなく、融着部の前後の余長の差が上記ピッチの整数倍
の長ささえあれば処理できる。このため、光ファイバの
引き回し長さの制約が緩和される。しかも、一対のリー
ルに巻き付けることで、余長処理が可能となるため、余
長処理のための占有面積が小さくなる。
ルに８の字状に巻き付けられる襷掛けのピッチごとに光
ファイバの捩りが相殺されるため、従来のように、融着
部を中心として光学部品までの余長を略等しくする必要
がなく、融着部の前後の余長の差が上記ピッチの整数倍
の長ささえあれば処理できる。このため、光ファイバの
引き回し長さの制約が緩和される。しかも、一対のリー
ルに巻き付けることで、余長処理が可能となるため、余
長処理のための占有面積が小さくなる。
【００２７】また、第２発明に係る光増幅装置では、上
記の余長処理構造を有し、かつ、増幅用光ファイバが巻
回されたリールも内蔵されたものとなるので、実装密度
が高く小型化が可能となる。
記の余長処理構造を有し、かつ、増幅用光ファイバが巻
回されたリールも内蔵されたものとなるので、実装密度
が高く小型化が可能となる。
【００２８】
【実施例】図１は光増幅装置の一部を示す斜視図、図２
は図１の光増幅装置における光ファイバの余長処理のた
めの引き回し状態を模試的に示す構成図であり、図４な
いし図７に示した従来例に対応する部分には同一の符号
を付す。
は図１の光増幅装置における光ファイバの余長処理のた
めの引き回し状態を模試的に示す構成図であり、図４な
いし図７に示した従来例に対応する部分には同一の符号
を付す。
【００２９】図１および図２において、Ｂは基板、ＬＤ
は励起光源としてのレーザダイオード、Ｃは信号光と励
起光とを混合する合波器、Ｆ0はレーザダイオードＬＤ
と合波器Ｃとを結合するための光ファイバ、Ｆ1は合波
器Ｃと図示しない信号光の入射コネクタとを結合するた
めの光ファイバ、Ｆ2は合波器Ｃと増幅用光ファイバＤ
Ｆに接続された図示しないアイソレータとを結合するた
めの光ファイバである。
は励起光源としてのレーザダイオード、Ｃは信号光と励
起光とを混合する合波器、Ｆ0はレーザダイオードＬＤ
と合波器Ｃとを結合するための光ファイバ、Ｆ1は合波
器Ｃと図示しない信号光の入射コネクタとを結合するた
めの光ファイバ、Ｆ2は合波器Ｃと増幅用光ファイバＤ
Ｆに接続された図示しないアイソレータとを結合するた
めの光ファイバである。
【００３０】また、Ｔは光ファイバＦ0の途中に設けら
れた融着部、Ｈは融着部Ｔを固定するための融着部ホル
ダ、Ｒa，Ｒbは基板１に装着された一対のリールであ
る。
れた融着部、Ｈは融着部Ｔを固定するための融着部ホル
ダ、Ｒa，Ｒbは基板１に装着された一対のリールであ
る。
【００３１】これらの各リールＲa，Ｒbはリング状をし
ており、リールＲa，ＲbにレーザダイオードＬＤと合波
器Ｃとを接続するための光ファイバＦ0が８の字状に巻
き付けられている。また、光ファイバＦ0の途中位置に
ある融着部Ｔは、リールＲa，Ｒbに巻き付けられること
なく、別途引き出されて融着部ホルダＨに嵌め着けられ
ている。
ており、リールＲa，ＲbにレーザダイオードＬＤと合波
器Ｃとを接続するための光ファイバＦ0が８の字状に巻
き付けられている。また、光ファイバＦ0の途中位置に
ある融着部Ｔは、リールＲa，Ｒbに巻き付けられること
なく、別途引き出されて融着部ホルダＨに嵌め着けられ
ている。
【００３２】さらに、一方(左側)のリールＲa内には、
図３に示すように、内側リールＲcが装着されており、
この内側リールＲcに増幅用光ファイバＤＦが巻回され
ている。そして、増幅用光ファイバＤＦの両端部は、リ
ールＲaの基板Ｂへの取り付け側の下部に設けた切欠部
Ｎを通して外部に引き出されている。これにより、光フ
ァイバＦ0が一対のリールＲa，Ｒbに巻き付けられる場
合にも、増幅用光ファイバＤＦはこの光ファイバＦ0と
無関係に外部に引き出すことができる。
図３に示すように、内側リールＲcが装着されており、
この内側リールＲcに増幅用光ファイバＤＦが巻回され
ている。そして、増幅用光ファイバＤＦの両端部は、リ
ールＲaの基板Ｂへの取り付け側の下部に設けた切欠部
Ｎを通して外部に引き出されている。これにより、光フ
ァイバＦ0が一対のリールＲa，Ｒbに巻き付けられる場
合にも、増幅用光ファイバＤＦはこの光ファイバＦ0と
無関係に外部に引き出すことができる。
【００３３】上記構成において、一対のリールＲa，Ｒb
に８の字状に巻き付けられる光ファイバＦ0は、襷掛け
のピッチごとにその捩りが相殺されるため、従来のよう
に、融着部Ｔを中心としてレーザダイオードＬＤと合波
器Ｃまでの余長を略等しくする必要がなく、融着部Ｔの
前後の余長の差が上記ピッチの整数倍の長ささえあれば
捩りの相殺と融着部Ｔの基板Ｂへの固定とを同時に行え
る。このため、光ファイバの引き回し長さの制約が緩和
される。
に８の字状に巻き付けられる光ファイバＦ0は、襷掛け
のピッチごとにその捩りが相殺されるため、従来のよう
に、融着部Ｔを中心としてレーザダイオードＬＤと合波
器Ｃまでの余長を略等しくする必要がなく、融着部Ｔの
前後の余長の差が上記ピッチの整数倍の長ささえあれば
捩りの相殺と融着部Ｔの基板Ｂへの固定とを同時に行え
る。このため、光ファイバの引き回し長さの制約が緩和
される。
【００３４】しかも、従来のように、光ファイバＦ0を
基板Ｂの周縁に設けたガイドに沿って引き回す必要はな
く、単に、一対のリールＲa，Ｒbに光ファイバＦ0を巻
き付けることで、余長処理が可能となるため、余長処理
のための占有面積が小さくなる。
基板Ｂの周縁に設けたガイドに沿って引き回す必要はな
く、単に、一対のリールＲa，Ｒbに光ファイバＦ0を巻
き付けることで、余長処理が可能となるため、余長処理
のための占有面積が小さくなる。
【００３５】また、上記の余長処理の構造を採用した光
増幅装置では、増幅用光ファイバＤＦが巻回された内側
リールＲcもリールＲa内に収納された状態となるので、
実装密度が高まる。
増幅装置では、増幅用光ファイバＤＦが巻回された内側
リールＲcもリールＲa内に収納された状態となるので、
実装密度が高まる。
【００３６】なお、上記の実施例では、光増幅装置を構
成する光学部品としてのレーザダイオードＬＤと合波器
Ｃとを結合する光ファイバＦ0の余長処理の構造を例に
とって説明したが、これに限定されるものではなく、他
の光ファイバＦ1，Ｆ2等の余長処理の場合でも、さらに
は、一般的な光通信装置に備えられる光ファイバの余長
を処理する場合にも、本発明を適用することができるの
は勿論である。
成する光学部品としてのレーザダイオードＬＤと合波器
Ｃとを結合する光ファイバＦ0の余長処理の構造を例に
とって説明したが、これに限定されるものではなく、他
の光ファイバＦ1，Ｆ2等の余長処理の場合でも、さらに
は、一般的な光通信装置に備えられる光ファイバの余長
を処理する場合にも、本発明を適用することができるの
は勿論である。
【００３７】また、図１，２に示した実施例では、各光
学部品ＬＤ，Ｃを結合する光ファイバＦ0の巻き始め、
巻き終わりは共に一方側のリールＲbになっているが、
他方側のリールＲaであってもよく、さらには、光ファ
イバＦ0の巻き始めをＲa(またはＲb)のリール、巻き終
わりをＲb(またはＲa)のリールとしてもよく、余長処理
の容易性を考慮して適宜調整される。
学部品ＬＤ，Ｃを結合する光ファイバＦ0の巻き始め、
巻き終わりは共に一方側のリールＲbになっているが、
他方側のリールＲaであってもよく、さらには、光ファ
イバＦ0の巻き始めをＲa(またはＲb)のリール、巻き終
わりをＲb(またはＲa)のリールとしてもよく、余長処理
の容易性を考慮して適宜調整される。
【００３８】
【発明の効果】第１発明に係る余長処理構造では、一対
のリールに８の字状に巻き付けられる襷掛けのピッチご
とに光ファイバの捩りが相殺されるため、従来のよう
に、融着部を中心として光学部品までの余長を略等しく
する必要がなく、融着部の前後の余長の差が上記ピッチ
の整数倍の長ささえあれば処理できる。このため、光フ
ァイバの引き回し長さの制約が緩和される。しかも、一
対のリールに巻き付けることで、余長処理が可能となる
ため、余長処理のための占有面積が小さくなる。
のリールに８の字状に巻き付けられる襷掛けのピッチご
とに光ファイバの捩りが相殺されるため、従来のよう
に、融着部を中心として光学部品までの余長を略等しく
する必要がなく、融着部の前後の余長の差が上記ピッチ
の整数倍の長ささえあれば処理できる。このため、光フ
ァイバの引き回し長さの制約が緩和される。しかも、一
対のリールに巻き付けることで、余長処理が可能となる
ため、余長処理のための占有面積が小さくなる。
【００３９】また、第２発明に係る光増幅装置では、上
記の余長処理構造を有し、かつ、増幅用光ファイバが巻
回されたリールも内蔵されたものとなるので、実装密度
が高まり小型化が可能となる。
記の余長処理構造を有し、かつ、増幅用光ファイバが巻
回されたリールも内蔵されたものとなるので、実装密度
が高まり小型化が可能となる。
【図１】本発明の実施例に係る光増幅装置の一部を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１の光増幅装置における光ファイバの余長処
理のための引き回し状態を模試的に示す構成図である。
理のための引き回し状態を模試的に示す構成図である。
【図３】余長処理用のリール内に増幅用光ファイバを巻
回したリールを収納した状態を示す斜視図である。
回したリールを収納した状態を示す斜視図である。
【図４】光増幅装置の全体構成図である。
【図５】従来の光ファイバの余長処理のための引き回し
状態を示す構成図である。
状態を示す構成図である。
【図６】従来の光ファイバの余長処理の他の構造例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】図６の光ファイバの余長処理のための引き回し
状態を示す構成図である。
状態を示す構成図である。
Ｂ…基板、Ｆ0，Ｆ1，Ｆ2…光ファイバ、ＤＦ…増幅用
光ファイバ、ＬＤ…レーザダイオード、Ｃ…合波器、Ｔ
…融着部、Ｒa，Ｒb，Ｒc…リール。
光ファイバ、ＬＤ…レーザダイオード、Ｃ…合波器、Ｔ
…融着部、Ｒa，Ｒb，Ｒc…リール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大浪 史博 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 中沢 正隆 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 木村 康郎 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 光ファイバの余長を処理するための構造
であって、 基板に装着された一対のリールを備え、この一対のリー
ルに光ファイバが８の字状に巻き付けられてなることを
特徴とする光ファイバの余長処理構造。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光ファイバの余長処理
構造を有し、前記一対のリールの内の一方のリールはリ
ング状をしており、このリール内には、増幅用光ファイ
バが巻回された内リールが装着されていることを特徴と
する光増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14170694A JP3273584B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 光増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14170694A JP3273584B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 光増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085846A true JPH085846A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3273584B2 JP3273584B2 (ja) | 2002-04-08 |
Family
ID=15298312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14170694A Expired - Fee Related JP3273584B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 光増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3273584B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451134B1 (en) | 1999-06-24 | 2002-09-17 | Kawasaki Steel Corporation | 590MPa class heavy gauge H-shaped steel having excellent toughness and method of producing the same |
| WO2017220825A1 (es) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | Santos Francisco Laserna Larburu | Sistema de cableado inductivo para alimentación inalámbrica |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP14170694A patent/JP3273584B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451134B1 (en) | 1999-06-24 | 2002-09-17 | Kawasaki Steel Corporation | 590MPa class heavy gauge H-shaped steel having excellent toughness and method of producing the same |
| WO2017220825A1 (es) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | Santos Francisco Laserna Larburu | Sistema de cableado inductivo para alimentación inalámbrica |
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| JP3273584B2 (ja) | 2002-04-08 |
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