JPH085527A - 半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収方法、同装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハ表面全体を同時に処理できるととも
に、短時間処理を可能とし、例えば分析用等の回収液中
にウェーハ表面の不純物を短時間に、かつ回収動作時に
回収液と治具との接触を不要として、治具からの汚染を
防ぎ、更に回収操作時の回収液の蒸発が少なく、少量の
回収液でもウェーハ表面全体からの回収が可能な半導体
ウェーハ面の処理及び処理液の回収方法、同装置を提供
する。 【構成】 半導体ウェーハの一方の面の全面を処理液で
処理し、該処理液を回収する際、被処理半導体ウェーハ
１の被処理面の全面をおおい得るウェーハ２を用いてこ
のウェーハと被処理半導体ウェーハとの間に処理液３を
挟んで処理を行い、処理後、凸状にしたりずらしたりし
て変位させることにより処理液３を集中させてこれを回
収する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハ面の処
理及び処理液の回収方法、同装置に関する。本発明は、
例えば、半導体ウェーハ表面の不純物分析のために表面
を薬液処理し、それを回収して分析する場合などに用い
ることができる。

【０００２】

【従来の技術】電子材料に係る各種プロセスにおいて、
半導体ウェーハ面を処理するとともに、この処理液の回
収を必要とする場合がある。例えば、半導体ウェーハ表
面の不純物分析のために表面を薬液処理し、それを回収
して分析する場合、単に表面全面を薬液処理するだけで
なく、分析用薬液を回収しなければならない。その他、
表面洗浄についても、環境問題などで、処理液をひとま
ず回収しなければならないときもある。

【０００３】従来より、半導体ウェーハ表面を分析する
ため、表面を薬液処理してこれを回収する場合、次のよ
うな手法がとられている。

【０００４】第１の手法は、次に記すように、回収液を
ウェーハ全面で転がすものである。この手法において
は、例えば、半導体ウェーハをフッ酸蒸気に曝し、ウェ
ーハ上の酸化膜を分解する。次に、適量の回収液（純水
や希フッ酸溶液など）をウェーハ上に滴下し、ウェーハ
を傾けてこの回収液をウェーハ上で液滴状態にして転が
す。ウェーハ全面を転がし終われば、回収作業が終了す
る。

【０００５】しかしこの手法にあっては、回収液をウェ
ーハ上で転がすことは熟練を要する困難な作業であり、
また、時間もかかる。

【０００６】更にこのとき、回収薬液がウェーハから垂
れてしまわないように、ウェーハのまわりをテフロン等
で囲う場合がある。このときは回収薬液がこの囲いと接
触することによって、汚染がもたらされるおそれがある
という、別の問題が生じることになる。

【０００７】これを避けて、回収液を転がしている最中
には何ら治具との接触をさせないで上記手法を用いよう
とする場合は、機械化が困難で自動化が不可能である。

【０００８】また、上記手法では、回収液を転がした部
分と転がさない部分の区別がつかないため、ウェーハ全
面もしくは、決まった領域のみに回収液を転がすことが
難しい。

【０００９】更に、少量の回収液では、ウェーハ上をう
まく転がらない。回収に用する時間が長いと蒸発による
回収液の量の変化がある。ウェーハが大きくなると操作
性が悪くなり、また、回収にするのに必要な時間が長く
なる。

【００１０】一方、指示棒を用いて誘導する手法が、本
出願人において知られている。この手法においては、ウ
ェーハ上に回収液を滴下し、指示棒と回収液の表面張力
を利用して指示棒でウェーハ全面を誘導、走査すること
で、回収液をウェーハ全面走査させる。

【００１１】しかしこの手法では、指示棒の接触が不可
避であるため、指示棒から汚染が入る可能性がある。

【００１２】また、回収時に酸化膜の分解を同時に行う
場合、特に酸化膜が厚い場合は分解に時間がかかるた
め、指示棒の操作速度を遅くする必要があり、回収に要
する時間が長くなる。酸化膜が厚い場合、回収液を指示
棒で誘導することができない。ウェーハが大きくなると
回収にするのに必要な時間が長くなる。

【発明の目的】

【００１３】本発明は上記従来技術の問題点を解決し
て、ウェーハ表面全体を同時に処理できるとともに、短
時間処理を可能とし、例えば分析用等の回収液中にウェ
ーハ表面の不純物を短時間に回収でき、ウェーハが大き
くなっても回収時間を長くせず、かつ回収動作時に回収
液と治具との接触を不要として、治具からの汚染を防
ぎ、更に回収操作時の回収液の蒸発が少なく、少量の回
収液でもウェーハ表面全体からの回収が可能な半導体ウ
ェーハ面の処理及び処理液の回収方法、同装置を提供す
ることを目的とする。

【００１４】

【目的を達成するための手段】本出願の請求項１の発明
は、半導体ウェーハの一方の面の全面を処理液で処理
し、該処理液を回収する半導体ウェーハ面の処理及び処
理液の回収方法であって、被処理半導体ウェーハの被処
理面の全面をおおい得るウェーハを用いてこのウェーハ
と被処理半導体ウェーハとの間に処理液を挟んで処理を
行い、処理後、該ウェーハを被処理半導体ウェーハに対
して相対的に変位させることにより処理液を集中させて
これを回収する構成としたことを特徴とする半導体ウェ
ーハ面の処理及び処理液の回収方法であって、これによ
り上記目的を達成するものである。

【００１５】本出願の請求項２の発明は、前記ウェーハ
の被処理半導体ウェーハに対する相対的な変位は、該ウ
ェーハを被処理半導体ウェーハに向かって凸に湾曲さ
せ、該凸状湾曲の頂部に処理液を集中させるものである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ面の
処理及び処理液の回収方法であって、これにより上記目
的を達成するものである。

【００１６】本出願の請求項３の発明は、前記ウェーハ
の被処理半導体ウェーハに対する相対的な変位は、該ウ
ェーハを被処理半導体ウェーハに対して移動させ、被処
理半導体ウェーハの周部において処理液を集中させるも
のであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェ
ーハ面の処理及び処理液の回収方法であって、これによ
り上記目的を達成するものである。

【００１７】本出願の請求項４の発明は、処理液が半導
体ウェーハ面分析のためのものであり、回収液は分析に
供するためのものであることを特徴とする請求項１ない
し３のいずれかに記載の半導体ウェーハ面の処理及び処
理液の回収方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。

【００１８】本出願の請求項５の発明は、処理液が、半
導体ウェーハ面の不純物を回収するためのものであるこ
とを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半
導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収方法であって、
これにより上記目的を達成するものである。

【００１９】本出願の請求項６の発明は、前記被処理半
導体ウェーハの被処理面の全面をおおい得るウェーハ
が、被処理半導体ウェーハと同形のウェーハであること
を特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の半導
体ウェーハ面の処理及び処理液の回収方法であって、こ
れにより上記目的を達成するものである。

【００２０】本出願の請求項７の発明は、前記被処理半
導体ウェーハの被処理面の全面をおおい得るウェーハ
が、被処理半導体ウェーハと同様の被処理半導体ウェー
ハであり、被処理面を対向させて、両者を同時に処理す
ることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載
の半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。

【００２１】本出願の請求項８の発明は、半導体ウェー
ハの一方の面の全面を処理液で処理し、該処理液を回収
する半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収装置であ
って、被処理半導体ウェーハの被処理面に処理液を載置
する手段と、被処理半導体ウェーハの被処理面の全面を
おおい得るウェーハを被処理半導体ウェーハの被処理面
上に載置して処理液を挟む状態にする手段と、該ウェー
ハを被処理半導体ウェーハに対して相対的に変位させる
ことにより処理液を集中させる手段を有することを特徴
とする半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収装置で
あって、これにより上記目的を達成するものである。

【００２２】本出願の請求項９の発明は、前記ウェーハ
を被処理半導体ウェーハに対して相対的に変位させるこ
とにより処理液を集中させる手段は、該ウェーハを被処
理半導体ウェーハに向かって凸に湾曲させ、該凸状湾曲
の頂部に処理液を集中させる手段であることを特徴とす
る請求項８に記載の半導体ウェーハ面の処理及び処理液
の回収装置であって、これにより上記目的を達成するも
のである。

【００２３】本出願の請求項１０の発明は、前記ウェー
ハを被処理半導体ウェーハに対して相対的に変位させる
ことにより処理液を集中させる手段は、該ウェーハを被
処理半導体ウェーハに対して移動させ、被処理半導体ウ
ェーハの周部において処理液を集中させる手段であるこ
とを特徴とする請求項８に記載の半導体ウェーハ面の処
理及び処理液の回収装置であって、これにより上記目的
を達成するものである。

【００２４】本出願の請求項１１の発明は、処理液が半
導体ウェーハ面分析のためのものであり、回収液は分析
に供するためのものであることを特徴とする請求項８な
いし１０のいずれかに記載の半導体ウェーハ面の処理及
び処理液の回収装置であって、これにより上記目的を達
成するものである。

【００２５】本出願の請求項１２の発明は、処理液が、
半導体ウェーハ面の不純物を回収するためのものである
ことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載
の半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収装置であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。

【００２６】本出願の請求項１３の発明は、前記被処理
半導体ウェーハの被処理面の全面をおおい得るウェーハ
が、被処理半導体ウェーハと同形のウェーハであること
を特徴とする請求項８ないし１２のいずれかに記載の半
導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収装置であって、
これにより上記目的を達成するものである。

【００２７】本出願の請求項１４の発明は、前記被処理
半導体ウェーハの被処理面の全面をおおい得るウェーハ
が、被処理半導体ウェーハと同様の被処理半導体ウェー
ハであり、被処理面を対向させて、両者を同時に処理す
ることを特徴とする請求項８ないし１３のいずれかに記
載の半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収装置であ
って、これにより上記目的を達成するものである。

【００２８】

【作用】本発明によれば、半導体ウェーハの一方の面の
全面を処理液で処理し、該処理液を回収する際、被処理
半導体ウェーハの被処理面の全面をおおい得るウェーハ
（例えば同形のウェーハ）を用いてこのウェーハと被処
理半導体ウェーハとの間に処理液を挟んで処理を行い、
処理後、該ウェーハを被処理半導体ウェーハに対して相
対的に変位させることにより処理液を集中させて（例え
ば該ウェーハを被処理半導体ウェーハに向かって凸に湾
曲させ、該凸状湾曲の頂部に処理液を集中させたり、あ
るいは該ウェーハを被処理半導体ウェーハに対して移動
させ、被処理半導体ウェーハの周部において処理液を集
中させる）、これを回収するので、容易な作業で処理及
び目的を達成でき、機械化による自動化も容易である。
即ち、この発明によれば、容易にウェーハ表面全体を同
時に処理できるとともに、短時間処理を可能とし、例え
ば回収液中にウェーハ表面の不純物を短時間に回収で
き、ウェーハが大きくなっても回収時間を長くせず、そ
ればかりでなく回収動作時に回収液の蒸発が少なく、少
量の回収液でもウェーハ表面全体からの回収が可能なら
しめられる。また、被処理半導体ウェーハの被処理面同
士を対向させて両面間に処理液を挟む構成にすることに
よって、同時に２枚の半導体ウェーハの処理が可能であ
る。

【００２９】

【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
の実施例により限定を受けるものではない。 実施例１

【００３０】この実施例は、本発明を、半導体ウェーハ
表面の不純物分析を行う場合に適用したものである。特
に、２枚の被分析半導体ウェーハの被処理面同士を対向
させて、これらの面の間に分析用薬液（回収液）を挟ん
で処理する態様で具体化した。

【００３１】ウェーハ表面の不純物分析を行う方法とし
て原子吸光分光分析器や質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳな
ど）を用いる場合、ウェーハ表面に分析薬液である回収
液を接触させて表面の不純物を回収液中に溶かし込んだ
後、その回収液を前記の分析装置で分析し、定性・定量
を行う。この実施例は、この分析手段の中で、ウェーハ
に回収液を効率良く接触させて回収すべく、本発明を具
体化した。

【００３２】本実施例における処理及び処理液回収は、
次のように行った。図１ないし図５を参照する。

【００３３】本実施例において、半導体ウェーハ１の一
方の面（図の上面）の全面を処理液で処理し、該処理液
を回収する半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収す
る場合に、被処理半導体ウェーハ１と同形のウェーハ２
を用いてこのウェーハ２と被処理半導体ウェーハ１との
間に処理液３を挟んで処理を行い（図１，図２）、処理
後、該ウェーハ２を被処理半導体ウェーハ１に対して相
対的に変位させることにより（図３，図４）処理液３を
集中させて（図５）これを回収する構成とした。

【００３４】本実施例における上述のウェーハ２を被処
理半導体ウェーハ１に対して相対的に変位させる構成
は、該ウェーハ２を被処理半導体ウェーハ１に向かって
図３の如く凸に湾曲させ、図４，図５の如く該凸状湾曲
の頂部に処理液を集中させることにより実施した。

【００３５】上記手順の実現のために、本実施例では装
置として、被処理半導体ウェーハの被処理面に処理液を
載置する手段と、被処理半導体ウェーハの被処理面の全
面をおおい得るウェーハを被処理半導体ウェーハの被処
理面上に載置して処理液を挟む状態にする手段と、該ウ
ェーハを被処理半導体ウェーハに対して相対的に変位さ
せることにより処理液を集中させる手段とを有するもの
を用いた。

【００３６】また本実施例は、被処理半導体ウェーハを
２枚使って、この両者間に処理液を挟むことによって、
両ウェーハの対向面を同時に分析するようにした。

【００３７】即ち、ウェーハ表面の不純物を分析したい
ウェーハ２枚を用意して、図１のように分析したい面を
対面させて水平にセットする。前処理が必要な場合には
事前に前処理を行っておく。オリエンテーションフラッ
トがあるウェーハではオリエンテーションフラットを揃
えて対面させる。このようにセットされた下側のウェー
ハ１上に回収液３（ウェーハがシリコンの場合の例を示
すとフッ酸やフッ酸と過酸化水素水の混合液を用いる）
を必要量滴下する。

【００３８】図２のようにウェーハ１，２を平行に保っ
たまま、接近させる。十分に接近させると回収液３は２
枚のウェーハのきまを全て満たす。この状態で回収液３
の作用等を進行させウェーハ上の不純物を回収液の必要
な作用（回収に必要な時間や必要エッチング量等）が完
了する時間によって変化させる。

【００３９】次に、図３のように上面のウェーハ２を下
に凸状（球面の一部のように）に変化させた後、ゆっく
り間隔を広げる。凸状にするのは、例えば真空チャック
を用いて、内側（中央）と外側とに圧力差をもたせれば
よい。可能であれば、上下のウェーハ１，２を変形させ
てもよい（下のウェーハは上に凸、上のウェーハは下に
凸とする）。

【００４０】このように変形させないと、回収液の表面
張力のため、２枚のウェーハを引き離すために非常に大
きな力が必要になる。また、回収液がウェーハ上に散乱
してしまう。

【００４１】間隔を広げて行くと、ウェーハへの回収液
３の濡れ性が悪いことと表面張力の作用とによって、図
４のように２枚のウェーハ１，２の中心（距離が一番近
い部分）に回収液３が集まる。

【００４２】さらに間隔を広げると下のウェーハ１上に
回収液３が残される（図５）。

【００４３】これで、１点に集まった回収液３中にウェ
ーハ表面全体の不純物が集められたので、この液を各種
の分析装置にかけることで、ウェーハ１，２上の不純物
の定性・定量が可能となる。

【００４４】図ではウェーハを片方もしくは両方を互い
に凸状にしたが、片方もしくは両方を弓なり状にいても
よい。またその時のウェーハの変形方向は、上下のウェ
ーハで異なってもよい。

【００４５】ここで用いる回収液（処理液）は、エッチ
ング作用のある溶液等に限定するものではない。但し回
収液は、少なくとも、ウェーハを回収液で処理した後に
ウェーハに対して回収液の濡れ性が悪いことが望まし
い。例えば水溶性回収液を用いる場合では、回収液と接
触後にウェーハが疎水性になる必要がある。このような
疎水化の操作は具体的には、シリコンウェーハに対して
フッ酸水溶液等で実現できる。

【００４６】上記２枚のウェーハ１，２のうち、片方の
表面に不純物がない場合には、もう一方の表面不純物
が、後の分析により定性・定量される。２枚のウェーハ
１，２の表面不純物の種類や濃度が不明な場合、後の分
析結果は２枚のウェーハ１，２の表面不純物の平均を示
すことになる。

【００４７】上述の如く、本実施例によれば、次によう
な効果がもたらされる。 ウェーハ全面の不純物の回収が同時に可能である。 回収時にウェーハ表面や薬液に接触する治具がないた
め、治具からの汚染がない。 回収に用いる時間が短い。 少量の回収液でもウェーハの間隔を狭くすることで、
ウェーハ全面からの回収が可能である。 回収液とウェーハとの接触時間をウェーハ面内でほぼ
一定にできる。 回収液で処理中は、外気に触れる部分がほとんど無い
ため、回収液の蒸発による回収液の減少がない。 機械化ができ、自動化が容易である。

【００４８】実施例２ この実施例を、図６ないし図１２に示す。

【００４９】図６ないし図７に示す工程までは、上記実
施例１におけると同じである。図に同様の符号を付し
て、詳細な説明は省略する。

【００５０】次に、図８，図９のように、２枚のウェー
ハ１，２を上下のウェーハ間隔を適当に保ちながらずら
す。回収液３は、ウェーハに対して濡れ性が悪いことと
表面張力の作用とによって、上下にウェーハ１，２が存
在する箇所においてのみ、両ウェーハ１，２間に集ま
る。

【００５１】回収液の挟まれた部分が十分狭くなったと
ころで、上部のウェーハを図１０のように傾けながらさ
らに引き離すと、回収液３は図１１のように下のウェー
ハ１に残される。但し、図１０のように傾ける必要がな
い場合もある。集まった回収液３は、その後、実施例１
と同様にして分析する。本実施例も実施例１と同様の効
果を有する。

【００５２】なお、この手法と、実施例１の凸状もしく
は弓なり状にする手法を組み合わせてもよい。

【００５３】実施例３，４ この実施例では、下部の半導体ウェーハ１のみを被処理
（被分析）ウェーハとし、挟み込むためのウェーハ２
は、素子を形成しないダミーのウェーハとした。このダ
ミーのウェーハ２は、予め不純物の量が知られているも
のである。その他は実施例１，２と同様にして、半導体
ウェーハ１，２の不純物を回収し、その分析を行った。

【００５４】

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、ウェーハ
表面全体を同時に処理できるとともに、短時間処理を可
能とし、例えば回収液（分析用薬液等）中にウェーハ表
面の不純物を短時間に回収でき、ウェーハが大きくなっ
ても回収時間を長くせず、かつ回収動作時に回収液と治
具との接触を不要として、治具からの汚染を防ぎ、更に
回収操作時の回収液の蒸発が少なく、少量の回収液でも
ウェーハ表面全体からの回収が可能な半導体ウェーハ面
の処理及び処理液の回収が可能ならしめられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の工程を順に示すものである（１）。

【図２】実施例１の工程を順に示すものである（２）。

【図３】実施例１の工程を順に示すものである（３）。

【図４】実施例１の工程を順に示すものである（４）。

【図５】実施例１の工程を順に示すものである（５）。

【図６】実施例２の工程を順に示すものである（１）。

【図７】実施例２の工程を順に示すものである（２）。

【図８】実施例２の工程を順に示すものである（３）。

【図９】実施例２の工程を順に示すものである（４）。

【図１０】実施例２の工程を順に示すものである
（５）。

【図１１】実施例２の工程を順に示すものである
（６）。

【符号の説明】

１ 被処理半導体ウェーハ ２ ウェーハ ３ 処理液（回収液）

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウェーハの一方の面の全面を処理液
   で処理し、該処理液を回収する半導体ウェーハ面の処理
   及び処理液の回収方法であって、 被処理半導体ウェーハの被処理面の全面をおおい得るウ
   ェーハを用いてこのウェーハと被処理半導体ウェーハと
   の間に処理液を挟んで処理を行い、 処理後、該ウェーハを被処理半導体ウェーハに対して相
   対的に変位させることにより処理液を集中させてこれを
   回収する構成としたことを特徴とする半導体ウェーハ面
   の処理及び処理液の回収方法。
2. 【請求項２】前記ウェーハの被処理半導体ウェーハに対
   する相対的な変位は、該ウェーハを被処理半導体ウェー
   ハに向かって凸に湾曲させ、該凸状湾曲の頂部に処理液
   を集中させるものであることを特徴とする請求項１に記
   載の半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収方法。
3. 【請求項３】前記ウェーハの被処理半導体ウェーハに対
   する相対的な変位は、該ウェーハを被処理半導体ウェー
   ハに対して移動させ、被処理半導体ウェーハの周部にお
   いて処理液を集中させるものであることを特徴とする請
   求項１に記載の半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回
   収方法。
4. 【請求項４】処理液が半導体ウェーハ面分析のためのも
   のであり、回収液は分析に供するためのものであること
   を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導
   体ウェーハ面の処理及び処理液の回収方法。
5. 【請求項５】処理液が、半導体ウェーハ面の不純物を回
   収するためのものであることを特徴とする請求項１ない
   し４のいずれかに記載の半導体ウェーハ面の処理及び処
   理液の回収方法。
6. 【請求項６】前記被処理半導体ウェーハの被処理面の全
   面をおおい得るウェーハが、被処理半導体ウェーハと同
   形のウェーハであることを特徴とする請求項１ないし５
   のいずれかに記載の半導体ウェーハ面の処理及び処理液
   の回収方法。
7. 【請求項７】前記被処理半導体ウェーハの被処理面の全
   面をおおい得るウェーハが、被処理半導体ウェーハと同
   様の被処理半導体ウェーハであり、被処理面を対向させ
   て、両者を同時に処理することを特徴とする請求項１な
   いし６のいずれかに記載の半導体ウェーハ面の処理及び
   処理液の回収方法。
8. 【請求項８】半導体ウェーハの一方の面の全面を処理液
   で処理し、該処理液を回収する半導体ウェーハ面の処理
   及び処理液の回収装置であって、 被処理半導体ウェーハの被処理面に処理液を載置する手
   段と、 被処理半導体ウェーハの被処理面の全面をおおい得るウ
   ェーハを被処理半導体ウェーハの被処理面上に載置して
   処理液を挟む状態にする手段と、 該ウェーハを被処理半導体ウェーハに対して相対的に変
   位させることにより処理液を集中させる手段を有するこ
   とを特徴とする半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回
   収装置。
9. 【請求項９】前記ウェーハを被処理半導体ウェーハに対
   して相対的に変位させることにより処理液を集中させる
   手段は、該ウェーハを被処理半導体ウェーハに向かって
   凸に湾曲させ、該凸状湾曲の頂部に処理液を集中させる
   手段であることを特徴とする請求項８に記載の半導体ウ
   ェーハ面の処理及び処理液の回収装置。
10. 【請求項１０】前記ウェーハを被処理半導体ウェーハに
    対して相対的に変位させることにより処理液を集中させ
    る手段は、該ウェーハを被処理半導体ウェーハに対して
    移動させ、被処理半導体ウェーハの周部において処理液
    を集中させる手段であることを特徴とする請求項８に記
    載の半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収装置。
11. 【請求項１１】処理液が半導体ウェーハ面分析のための
    ものであり、回収液は分析に供するためのものであるこ
    とを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかに記載の
    半導体ウェーハ面の処理及び処理液の回収装置。
12. 【請求項１２】処理液が、半導体ウェーハ面の不純物を
    回収するためのものであることを特徴とする請求項８な
    いし１１のいずれかに記載の半導体ウェーハ面の処理及
    び処理液の回収装置。
13. 【請求項１３】前記被処理半導体ウェーハの被処理面の
    全面をおおい得るウェーハが、被処理半導体ウェーハと
    同形のウェーハであることを特徴とする請求項８ないし
    １２のいずれかに記載の半導体ウェーハ面の処理及び処
    理液の回収装置。
14. 【請求項１４】前記被処理半導体ウェーハの被処理面の
    全面をおおい得るウェーハが、被処理半導体ウェーハと
    同様の被処理半導体ウェーハであり、被処理面を対向さ
    せて、両者を同時に処理することを特徴とする請求項８
    ないし１３のいずれかに記載の半導体ウェーハ面の処理
    及び処理液の回収装置。