JPH0851211A

JPH0851211A - 薄膜トランジスタの製造方法

Info

Publication number: JPH0851211A
Application number: JP18704094A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kawamura; 真一河村
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1994-08-09
Filing date: 1994-08-09
Publication date: 1996-02-20

Abstract

(57)【要約】【目的】燐含有シリコン酸化膜の吸着水分の影響をな
くすこと、およびＸｅＣｌエキシマレーザ光により半導
体活性層をアニールすることを目的とする。【構成】基板1 上に半導体活性層4 、燐含有シリコン
酸化膜5 を積層形成し、基板側から半導体活性層の一部
にエキシマレーザ光20を照射してアニールすることによ
り結晶化させるとともに、シリコン酸化膜から不純物を
熱拡散させてオーミックコンタクト部7 を形成する薄膜
トランジスタの製造方法において、アニールする前に基
板を真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガス雰囲気
中にて加熱し、その後大気にさらすことなく同じ雰囲気
中にてエキシマレーザ光を照射するようにした。またエ
キシマレーザ光をＸｅＣｌエキシマレーザ光とし、基板
をそのレーザ光に対して７０％以上の透過率を有するガ
ラス基板とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ガラス基板上に形成
される半導体活性層がアモルファスシリコンまたは多結
晶シリコンからなる薄膜トランジスタの製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス型の液晶表示装
置の画素電極の駆動制御などに薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）が多く用いられている。このＴＦＴは、アモルファ
スシリコンまたは多結晶シリコンからなる半導体活性層
を挟んで、下層にゲート電極、上層にソース電極および
ドレイン電極を有する構造に形成されている。

【０００３】このＴＦＴの製造方法として、近年、アモ
ルファスシリコンからなる半導体活性層を形成し、この
半導体活性層上に不純物を含有するシリコン酸化膜を形
成したのち、その半導体活性層の一部にエキシマレーザ
光を照射してアニールすることにより、不純物を含有す
るシリコン酸化膜から半導体活性層のレーザ光照射部分
に不純物を熱拡散させて、オーミックコンタクト部を形
成する方法が開発され始めている。

【０００４】図６（ａ）ないし（ｃ）にこの方法による
ＴＦＴの製造方法の一例を示す。この製造方法は、まず
ガラス基板上にスパッタリング法によりモリブデン−タ
ンタル合金（Ｍｏ−Ｔａ）膜を形成し、このＭｏ−Ｔａ
膜をフォトリソグラフィ法により加工して、（ａ）図に
示すように、ガラス基板１上に所定パターンのゲート電
極２を形成し、このゲート電極２の形成されたガラス基
板１上にプラズマＣＶＤ法により順次窒化シリコン（Ｓ
ｉＮ_x）からなるゲート絶縁膜３、アモルファスシリコ
ン膜からなる半導体活性層４を成膜する。つぎに上記ア
モルファスシリコン層４上にスピンコート法により、不
純物として燐（Ｐ）を含有するシリコン酸化膜形成用塗
布液を塗布し、加熱乾燥してＰ含有シリコン酸化膜５を
形成する。

【０００５】つぎに上記Ｐ含有シリコン酸化膜５の形成
されたガラス基板１を大気あるいは不活性ガスなどの雰
囲気中に保持し、ガラス基板１側からエキシマレーザ光
６を照射してアニールすることにより、（ｂ）図に示す
ように、半導体活性層４の一部を結晶化させるととも
に、Ｐ含有シリコン酸化膜５から不純物として含有する
Ｐを熱拡散（レーザドーピング）させて、ｎ型半導体か
らなるオーミックコンタクト部７を形成する。この場
合、半導体活性層４に対してゲート電極２がエキシマレ
ーザ光の遮光膜となり、ゲート電極２上の半導体活性層
４は、アニールされない。したがって結晶化も不純物
（Ｐ）の拡散もおこらず、そのままアモルファスシリコ
ンからなる半導体活性層４として残り、ＴＦＴのチャン
ネル部８となる。

【０００６】つぎに（ｃ）図に示すように、弗酸により
上記Ｐ含有シリコン酸化膜を除去する。その後、このＰ
含有シリコン酸化膜の除去により露出した半導体活性層
４およびオーミックコンタクト部７上にスパッターリン
グ法によりクロム（Ｃｒ）膜を成膜し、フォトリソグラ
フィ法により加工して、オーミックコンタクト部７上に
ソース電極９およびドレイン電極１０を形成することに
より、ＴＦＴの主要部を形成している。

【０００７】ところで、このＴＦＴの製造方法のよう
に、ガラス基板１側からレーザ光６の照射して半導体活
性層４の一部をアニールする方法においては、レーザ光
６を効率よく半導体活性層４に吸収させることが重要で
ある。そのため、既知の方法では、ガラスに対して透過
率の高いＸｅＦエキシマレーザが利用されている。実際
にガラス基板上に半導体活性層、Ｐ含有シリコン酸化膜
を積層形成して、ガラス基板から波長３５１nmのＸｅＦ
エキシマレーザ光をエネルギ密度２２０〜３５０mＪ／c
m²で１０〜２０回照射することにより、そのレーザ光
照射部分に１０〜１００Ω^-1cm^-1と、高い導電率を示す
ｎ形のオーミックコンタクト部を形成することができる
という報告がある［清水和裕博士論文（東京工業大学１
９９３．１．）］。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＴＦＴ
の製造方法として、ガラス基板上にアモルファスシリコ
ンからなる半導体活性層を形成し、この半導体活性層上
にＰ含有シリコン酸化膜を形成したのち、その半導体活
性層の一部にエキシマレーザ光を照射してアニールする
ことにより、不純物（Ｐ）を含有するシリコン酸化膜か
ら半導体活性層のレーザ光照射部分に不純物を拡散させ
て、オーミックコンタクト部を形成する方法がある。

【０００９】しかしこの方法には、つぎの問題がある。
すなわち、この場合、半導体活性層への不純物の拡散源
として用いられるＰ含有シリコン酸化膜は、水分を吸着
しやすいＰを多量に含むため、Ｐ含有シリコン酸化膜を
塗布形成した基板を大気中に放置すると、短時間でもＰ
含有シリコン酸化膜の表面に水分が吸着される。このよ
うにＰ含有シリコン酸化膜の表面に水分が吸着したまま
半導体活性層にレーザ光を照射してアニールすると、半
導体活性層に発生してＰ含有シリコン酸化膜に伝達する
熱は、吸着水分により奪われ、効果的にＰの拡散に用い
られなくなる。また水分が水滴状に吸着されている場合
は、水滴付着部分と付着していない部分とで、Ｐの拡散
の程度が異なり、ＴＦＴのオーミックコンタクト部の導
電率が変化し、ひいてはＴＦＴの特性にばらつきが生ず
る。

【００１０】また水分の吸着とは別に、ガラス基板側か
らレーザ光を照射してアニールするため、ガラスに対し
て透過率の高いＸｅＦエキシマレーザが用いられる。し
かしこのＸｅＦエキシマレーザは、ガスの寿命が短く、
高出力で安定なレーザ発振を得ることが困難である。そ
のため、大面積にわたりＴＦＴを量産することができな
い、などの問題がある。

【００１１】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、レーザ光の照射により半導体活性
層をアニールして、半導体活性層上に積層形成されたＰ
含有シリコン酸化膜からＰを拡散させる際に、Ｐ含有シ
リコン酸化膜の吸着水分の影響をなくすことを第１の目
的とする。またガラス基板側から半導体活性層に照射す
るレーザ光を高出力、安定な発振が得られるＸｅＣｌエ
キシマレーザとし、このＸｅＣｌエキシマレーザから得
られる３０８nmの波長のレーザ光により、効率よく半導
体活性層をアニールすることを第２の目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】基板上にアモルファスシ
リコンまたは多結晶シリコンからなる半導体活性層を形
成し、この半導体活性層上に不純物として燐を含有する
シリコン酸化膜を積層形成したのち、基板側から半導体
活性層の一部にエキシマレーザ光を照射してアニールす
ることにより半導体活性層のレーザ光照射部を結晶化さ
せるとともに、このレーザ光照射部にシリコン酸化膜か
ら不純物を熱拡散させてオーミックコンタクト部を形成
する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体活性
層をアニールする前にシリコン酸化膜の積層形成された
基板を真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガスの雰
囲気中にて加熱し、その後この基板を大気にさらすこと
なく真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガスの雰囲
気中にてエキシマレーザ光を照射するようにした。

【００１３】また、基板上にアモルファスシリコンまた
は多結晶シリコンからなる半導体活性層を形成し、この
半導体活性層上に不純物を含有するシリコン酸化膜を積
層形成したのち、基板側から半導体活性層の一部にエキ
シマレーザ光を照射してアニールすることにより半導体
活性層のレーザ光照射部を結晶化させるとともに、この
レーザ光照射部にシリコン酸化膜から不純物を熱拡散さ
せてオーミックコンタクト部を形成する薄膜トランジス
タの製造方法において、エキシマレーザ光をＸｅＣｌエ
キシマレーザ光とし、基板をこのＸｅＣｌエキシマレー
ザ光に対して７０％以上の透過率を有するガラス基板と
した。

【００１４】

【作用】上記のように、半導体活性層上に不純物として
燐を含有するシリコン酸化膜を積層形成し、半導体活性
層をアニールする前に、そのシリコン酸化膜の積層形成
された基板を真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガ
スの雰囲気中にて加熱し、その後この基板を大気にさら
すことなく真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガス
の雰囲気中にてエキシマレーザ光を照射するようにする
と、シリコン酸化膜の水分の吸着の影響をなくすことが
できる。

【００１５】また、基板側から半導体活性層に照射する
レーザ光をＸｅＣｌエキシマレーザ光とし、基板をこの
ＸｅＣｌエキシマレーザ光に対して７０％以上の透過率
を有するガラス基板とすると、高出力で安定なレーザ発
振が可能となり、かつＸｅＦエキシマレーザ光とほぼ同
等のエネルギ密度で半導体活性層にレーザ光を照射して
アニールすることができる。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。

【００１７】まず、波長３０８nmの光に対する透過率が
約７０％、直径５インチのガラス（たとえばＨＯＹＡ社
ＮＡ４５ガラス）基板上にスパッタリング法により膜厚
３０００オングストロームのＭｏ−Ｔａ膜を形成し、こ
のＭｏ−Ｔａ膜をフォトリソグラフィ法により加工し
て、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１上に所定パ
ターンのゲート電極２を形成する。つぎに同（ｂ）に示
すように、上記ゲート電極２の形成されたガラス基板１
上にプラズマＣＶＤ法により順次膜厚２０００オングス
トロームのＳｉＮ_xからなるゲート絶縁膜３および膜厚
５００オングストロームのアモルファスシリコン膜から
なる半導体活性層４を成膜する。つぎに上記半導体活性
層４上にスピンコート法により、シラノール、エタノー
ル、酢酸エチル、五酸化二燐からなるシリコン酸化膜形
成用塗布液を３０００オングストロームの厚さに塗布
し、２５０℃で加熱乾燥して、同（ｃ）に示すように、
不純物としてＰを１０〜２０重量％含有したシリコン酸
化膜５を形成する。

【００１８】その後、下記レーザアニール装置を用い
て、同（ｄ）に示すように、、ガラス基板１側からＸｅ
Ｃｌエキシマレーザ光２０を照射して半導体活性層４を
アニールする。

【００１９】上記レーザアニール装置は、図２に示すよ
うに、上記半導体活性層上にＰ含有シリコン酸化膜の形
成されたガラス基板１を設置するレーザアニール槽２１
と、ＸｅＣｌエキシマレーザ光２０を発振するレーザ発
振器２２とからなる。そのレーザアニール槽２１は、石
英ガラスからレーザ投射窓２３を有し、かつ排気管２４
を介して真空排気装置（図示せず）に、またガス導入管
２５を介して乾燥窒素や乾燥不活性ガスなどのガス供給
装置（図示せず）に接続され、槽２１内を真空または乾
燥窒素や乾燥不活性ガス雰囲気にすることができるよう
に構成されている。また槽２１内には、設置されたガラ
ス基板１を加熱するランプヒータ２６が設けられてい
る。なお、図２において、２７は反射鏡、２８は集光レ
ンズである。

【００２０】この装置では、上記半導体活性層上にＰ含
有シリコン酸化膜の形成されたガラス基板１を、そのガ
ラス基板１をレーザ投射窓２２側にしてレーザアニール
槽２１に設置し、レーザアニール槽２１内を約１０^-4Ｐ
a 程度の真空に排気する。そして真空排気しながらラン
プヒータ２６によりガラス基板１を約１００℃で１０分
間加熱するか、あるいは真空排気後ガス供給装置から乾
燥窒素や乾燥不活性ガスを導入したのち、ランプヒータ
２６によりガラス基板１を約１００℃で１０分間加熱す
る。その後、レーザ発振器２２からレーザ光２０を発振
させて、ガラス基板１側からレーザ光２０を照射するこ
とによりおこなわれる。

【００２１】この場合、ゲート電極２は、半導体活性層
４に対するレーザ光２０の遮光膜となり、ゲート電極２
上の半導体活性層４は、アニールされず、それ以外の部
分の半導体活性層４がアニールされ、図１（ｅ）に示す
ように、そのアニールされた部分が結晶化するととも
に、Ｐ含有シリコン酸化膜５から不純物として含有する
Ｐが熱拡散して、ｎ型半導体からなるオーミックコンタ
クト部７が形成される。

【００２２】つぎに弗酸により上記Ｐ含有シリコン酸化
膜５を除去し、その後、このＰ含有シリコン酸化膜の除
去により露出した半導体活性層４およびオーミックコン
タクト部７上にスパッターリング法によりクロム（Ｃ
ｒ）膜を成膜し、フォトリソグラフィ法により加工し
て、同（ｆ）図に示すように、オーミックコンタクト部
７上にソース電極９およびドレイン電極１０を形成す
る。

【００２３】ところで、上記製造方法のようにガラス基
板１上に半導体活性層４、Ｐ含有シリコン酸化膜５を積
層形成し、その半導体活性層４にレーザ光２０を照射し
てアニールする前に、その半導体活性層４、Ｐ含有シリ
コン酸化膜５の積層形成されたガラス基板１を真空中あ
るいは乾燥窒素や乾燥不活性ガス雰囲気中で加熱し、そ
の後、大気にさらすことなく真空中あるいは乾燥窒素や
乾燥不活性ガス雰囲気中でレーザ光２０を照射すると、
Ｐ含有シリコン酸化膜の水分の吸着を防止し、吸着水分
によるレーザ光のエネルギ密度の損失をなくすことがで
き、低いエネルギ密度のレーザ光で効果的に不純物とし
てシリコン酸化膜５中に含まれるＰを半導体活性層４に
熱拡散させて、所望のオーミックコンタクト部７を形成
することができる。またＰ含有シリコン酸化膜にたとえ
ば水分が水滴状に吸着されと、その水滴付着部と付着し
ない部分とでＰの拡散の程度が異なり、そのためにオー
ミックコンタクト部の導電率が変化するが、このような
吸着水分によるオーミックコンタクト部の導電率の変化
をなくし、良好な特性をもつＴＦＴを安定に製造するこ
とができる。

【００２４】図３にその一例として、半導体活性層、Ｐ
含有シリコン酸化膜の積層形成された５インチガラス基
板１を約１０^-4Ｐa 度の真空中、窒素雰囲気およびヘリ
ウム雰囲気中で約１００℃で１０分間加熱したのち、同
じ雰囲気中でエネルギ密度３００ mＪ／cm²のレーザ光
２０を１５回照射した場合のオーミックコンタクト部の
導電率を示す。（Ａ）が真空中で加熱したのちレーザ光
を照射した場合、（Ｂ）が窒素雰囲気中で加熱したのち
レーザ光を照射した場合、（Ｃ）がヘリウム雰囲気中で
加熱したのちレーザ光を照射した場合である。なお、
（Ｄ）ないし（Ｇ）は比較データであり、（Ｄ）は大気
中で加熱することなくレーザ光を照射した場合、（Ｅ）
は真空中で加熱することなくレーザ光を照射した場合、
（Ｆ）は窒素雰囲気中で加熱することなくレーザ光を照
射した場合、（Ｇ）はヘリウム雰囲気中で加熱すること
なくレーザ光を照射した場合である。なお、導電率は、
図４に×印３０で示した９か所で測定した値である。

【００２５】この図３から、（Ｅ）ないし（Ｇ）のよう
に真空中あるいは窒素やヘリウム雰囲気中でレーザ光を
照射すると、同じく加熱することなく大気中でレーザ光
を照射する（Ｄ）の場合にくらべて、導電率を高くする
ことができ、真空中あるいは窒素やヘリウム雰囲気中で
レーザ光を照射することが有効であることが示されてい
る。また真空中あるいは窒素やヘリウム雰囲気中でレー
ザ光を照射する場合でも、（Ａ）ないし（Ｃ）のように
加熱したのちレーザ光を照射すると、（Ｅ）ないし
（Ｇ）のように加熱することなくレーザ光を照射する場
合にくらべて、さらに導電率を高くすることができ、か
つそのばらつきを小さくすることができ、良好な特性を
もつＴＦＴを安定に製造することができることが示され
ている。

【００２６】また、上記製造方法のようにレーザ光をＸ
ｅＣｌエキシマレーザ発振器から放出される波長３０８
nmのレーザ光２０とし、ガラス基板をこのレーザ光２０
に対する透過率が約７０％のガラス基板１とすると、高
出力で安定なレーザ発振が可能となり、かつＸｅＦエキ
シマレーザ光と同等のエネルギ密度でほぼ同一回数照射
することにより、所望のオーミックコンタクト部を形成
することができる。

【００２７】図５にその一例として、ＸｅＣｌエキシマ
レーザ光のエネルギ密度を変えて１０回照射した場合お
よび２０回照射した場合のオーミックコンタクト部の導
電率をそれぞれ折線３２a ，３２b で示す。

【００２８】この図からわかるように、ＸｅＣｌエキシ
マレーザ光のエネルギ密度を２６０〜３８０ mＪ／cm²
とすると、１０回ないし２０回の照射で１０〜８０Ω^-1
cm^-1と、オーミックコンタクト部の導電率を良好にする
ことができる。

【００２９】このことは、波長３０８nmのＸｅＣｌエキ
シマレーザ光に対する透過率がさらに高い７０％以上の
ガラス基板を用いれば、より低いエネルギ密度のＸｅＣ
ｌエキシマレーザ光でも、所望の導電率をもつオーミッ
クコンタクト部を形成し得ることを意味している。

【００３０】なお、参考のため、波長３０８nmのＸｅＣ
ｌエキシマレーザ光に対する透過率が３５％のガラス
（たとえばコーニング社７０５９ガラス）基板を用い
て、同様の試験をおこなったところ、このガラス基板で
は、レーザ光のエネルギ密度を３９０ mＪ／cm²未満で
は、半導体活性層が結晶化せず、またエネルギ密度を２
００〜４５０ mＪ／cm²、照射回数を１０回、２０回と
変化させても、導電率は、１Ω^-1cm^-1以下であり、所望
のオーミックコンタクト部を形成することができなかっ
た。また導電率を高めるために、エネルギ密度を５００
Ｊ／cm²以上に高くすると、半導体活性層の部分的な蒸
発が発生した。

【００３１】なお、上記実施例では、半導体活性層にＸ
ｅＣｌエキシマレーザ光を照射してアニールする前に、
ガラス基板を約１００℃に加熱したが、このガラス基板
の加熱温度は、Ｐ含有シリコン酸化膜の吸着水分の除去
という目的から、１００℃以上としてもよい。しかしア
モルファスシリコンからなる半導体活性層については、
その成膜温度以上に加熱すると、アモルファスシリコン
の膜質が変化するおそれがあるので、その成膜温度以下
にすることが望まれる。

【００３２】また、上記実施例では、半導体活性層、Ｐ
含有シリコン酸化膜の積層形成されたガラス基板を加熱
したのち、その加熱を停止してＸｅＣｌエキシマレーザ
光を照射したが、このレーザ光照射中も加熱を継続して
もよい。

【００３３】なおまた、上記実施例では、半導体活性層
がアモルファスシリコンからなる場合について説明した
が、この発明は、半導体活性層が多結晶シリコンからな
る場合にも適用できる。

【００３４】

【発明の効果】半導体活性層上に不純物としてＰを含有
するシリコン酸化膜を積層形成し、半導体活性層をアニ
ールする前に、そのＰ含有シリコン酸化膜の積層形成さ
れた基板を真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガス
の雰囲気中にて加熱し、その後この基板を大気にさらす
ことなく真空中または乾燥窒素または乾燥不活性ガスの
雰囲気中にてエキシマレーザ光を照射するようにする
と、シリコン酸化膜の水分の吸着の影響をなくすことが
でき、低いエネルギ密度のレーザ光で効果的にシリコン
酸化膜中に不純物として含有するＰを半導体活性層に拡
散させて、所望の導電特性をもつオーミックコンタクト
部を形成することができる。またオーミックコンタクト
部の導電率の分布を均一にすることができる。

【００３５】また、基板側から半導体活性層に照射する
レーザ光をＸｅＣｌエキシマレーザ光とし、基板をこの
ＸｅＣｌエキシマレーザ光に対して７０％以上の透過率
を有するガラス基板とすると、高出力の安定なレーザ発
振が可能となり、かつＸｅＦエキシマレーザ光とほぼ同
等のエネルギ密度で半導体活性層にレーザ光を照射し
て、所望の導電特性をもつオーミックコンタクト部を形
成することができる。したがってレーザ光をＸｅＣｌエ
キシマレーザ光とし、このレーザ光に対して７０％以上
の透過率をもつガラス基板を用いることにより、大面積
にわたりＴＦＴを量産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）ないし（ｆ）はそれぞれこの発明の
一実施例である薄膜トランジスタの製造方法を説明する
ための図である。

【図２】そのレーザアニール装置の構成を示す図であ
る。

【図３】レーザ光を照射して半導体活性層をアニールす
る際のガラス基板の加熱および雰囲気と形成されるオー
ミックコンタクト部の導電率との関係を説明するための
図である。

【図４】その導電率の測定か所を示す図である。

【図５】ＸｅＣｌエキシマレーザ光のエネルギ密度と形
成されるオーミックコンタクト部の導電率との関係を示
す図である。

【図６】図６（ａ）ないし（ｃ）はそれぞれＸｅＦエキ
シマレーザ光を照射して半導体活性層をアニールする従
来の薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図で
ある。

【符号の説明】

１…ガラス基板２…ゲート電極４…半導体活性層５…Ｐ含有シリコン酸化膜７…オーミックコンタクト部２０…ＸｅＣｌエキシマレーザ光２１…レーザアニール槽２４…排気管２５…ガス導入管２６…ランプヒータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/225 Ｑ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にアモルファスシリコンまたは多
結晶シリコンからなる半導体活性層を形成し、この半導
体活性層上に不純物として燐を含有するシリコン酸化膜
を積層形成したのち、上記基板側から上記半導体活性層
の一部にエキシマレーザ光を照射してアニールすること
により上記半導体活性層のレーザ光照射部を結晶化させ
るとともに、このレーザ光照射部に上記シリコン酸化膜
から不純物を熱拡散させてオーミックコンタクト部を形
成する薄膜トランジスタの製造方法において、上記半導体活性層をアニールする前に上記シリコン酸化
膜の積層形成された基板を真空中または乾燥窒素または
乾燥不活性ガスの雰囲気中にて加熱し、その後この基板
を大気にさらすことなく真空中または乾燥窒素または乾
燥不活性ガスの雰囲気中にて上記エキシマレーザ光を照
射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】基板上にアモルファスシリコンまたは多
結晶シリコンからなる半導体活性層を形成し、この半導
体活性層上に不純物を含有するシリコン酸化膜を積層形
成したのち、上記基板側から上記半導体活性層の一部に
エキシマレーザ光を照射してアニールすることにより上
記半導体活性層のレーザ光照射部を結晶化させるととも
に、このレーザ光照射部に上記シリコン酸化膜から不純
物を熱拡散させてオーミックコンタクト部を形成する薄
膜トランジスタの製造方法において、上記エキシマレーザ光をＸｅＣｌエキシマレーザ光と
し、上記基板をこのＸｅＣｌエキシマレーザ光に対して
７０％以上の透過率を有するガラス基板としたことを特
徴とする薄膜トランジスタの製造方法。