JPH08505751A

JPH08505751A - 無線周波信号増幅器のための整合インピーダンスを備えた電力検出器

Info

Publication number: JPH08505751A
Application number: JP7513813A
Authority: JP
Inventors: ディーネイゴード・トーマス
Original assignee: モトローラ・インコーポレーテッド
Priority date: 1993-11-09
Filing date: 1994-10-03
Publication date: 1996-06-18
Anticipated expiration: 2016-07-16
Also published as: SG46658A1; DE4498742T1; KR0166659B1; JP3188710B2; CA2152811C; GB2289133A; CA2152811A1; WO1995013662A1; CN1116468A; AU8012694A; BR9406607A; CN1049082C; GB2289133B; US5530922A; GB9513641D0

Abstract

(57)【要約】ＲＦ信号増幅器（１０３）によって発生される送信機出力信号（１２３）のための伝送ラインカプラ（１１５）はスルーパス伝送ライン（２０１）および該スルーパス伝送ラインに複数の曲がりくねった部分（図６の部分６４１，６４２，６４３および６４４のような）によって電磁的に結合された結合経路伝送ライン（２０２）を含み、前記複数の曲がりくねった部分は前記スルーパス伝送ライン（２０１）の反対側に配置されて結合感度を増強しかつ伝送ラインめっきの位置合わせの変動による結合量の悪化を除去する。前記スルーパス伝送ライン（２０１）の１つの側のオフセット部分（６４１，６４３）は前記スルーパス伝送ライン（２０１）の他の側のオフセット部分（６４２，６４３）と実質的に同じ量の結合を提供する。前記伝送ラインカプラ（１１５）は最終段の増幅器（１０３）の出力整合部に組み込まれかつ前記結合経路伝送ライン（２０２）の各々のポートに複素インピーダンス（２１２および２１０，２２２）を含み実質的に無用の反射を除去する。前記結合経路伝送ライン（２０２）の結合された部分はインダクタ（２１１）によってホットキャリアダイオード（２０６）に結合されその検出感度を増強する。

Description

【発明の詳細な説明】無線周波信号増幅器のための整合インピーダンスを備えた電力検出器発明の背景本発明は一般的には無線周波（ＲＦ）信号結合器またはカプラに関し、かつより特定的にはセルラ電話のＲＦ信号増幅器のための整合インピーダンスを備えた電力検出器に関する。従来のセルラ電話においては、電力検出器は典型的にはダイオード検出器によって実現されてきた（米国特許第４，５２３，１５５号および第５，１９２，２２３号を参照）。しかしながら、そのような従来技術のダイオード検出器の感度は低レベルの信号を検出するために結合量を強要する。例えば、セルラ電話のＲＦ信号増幅器によって生成されるＲＦ信号のより低い電力レベルを検出するためには、１５ｄＢの結合が必要とされる。１５ｄＢのカプラは典型的には０．２５ｄＢまたはそれ以上の挿入損失を有し、これはバッテリ通話時間を低減する実質的な量の電流消費を意味する。前述の理由から、低い電力レベルで増強された検出感度を有する改善された電力検出器の必要性が存在する。図面の簡単な説明図１は、本発明を好適に利用することができる、ＲＦ送信機回路１００のブロック図である。図２は、ＲＦ送信機回路１００を含むセルラ電話２００のブロック図である。図３は、図１における増幅器１０３および電力検出回路１０９の詳細な回路図である。図４は、伝送ラインカプラ１１５を示す、図１における送信機回路の回路基板の断面図である。図５は、伝送ラインカプラ１１５の伝送ライン２０１および２０２の実施例を示す、図４における回路基板セクションの頭部層３２１の上面図である。図６は、図４における回路基板セクションの頭部層３２１の上面図であり、伝送ラインカプラ１１５の伝送ライン２０１および２０２の好ましい実施例を示す。図７は、図４における回路基板セクションの頭部層３２１の上面図であり、伝送ラインカプラ１１５の伝送ライン２０１および２０２の別の実施例を示す。好ましい実施例の説明簡単に言えば、本発明は信号源によって発生されたＲＦ信号を検出しかつ検出器信号を生成するＲＦ信号検出回路を含む。前記ＲＦ信号は複数の電力レベルのうちの予め選択された１つを有する。前記ＲＦ信号検出回路は前記ＲＦ信号に結合され前記ＲＦ信号の振幅に関連する振幅を有するＲＦ検出信号を発生するＲＦ信号検出器、および前記ＲＦ検出信号に整合インピーダンスによって結合され前記ＲＦ検出信号を整流して検出器信号を生成するためのダイオード検出器を具備し、前記整合インピーダンスは前記複数の電力レベルのうちの前記予め選択された１つが前記複数の電力レベルのうちの所定の１つより低い場合に実質的に前記ダイオード検出器のインピーダンスに整合する。図１を参照すると、本発明を好適に使用することができる、独特のＲＦ送信機回路１００のブロック図が示されている。ＲＦ送信機回路１００は図２のセルラ電話２００の一部であり、該セルラ電話２００は受信機回路１４１、マイクロホン１５２に結合されたユーザインタフェース回路１５１、スピーカ１５３、およびキーパッド１５４を含み、これらは全てマイクロコンピュータ１１１によって制御されかつ、例えば、アメリカ合衆国、イリノイ州６０１９６、シャンバーグ、イースト・アルゴンクイン・ロード１３１３のモトローラ・シーアンドイー・パーツ（ＭｏｔｏｒｏｌａＣ＆ＥＰａｒｔｓ）によって発行されかつそこから入手可能な「ＤＹＮＡＴＡＣセルラ移動電話８００ＭＨＺ送受信機（ＤＹＮＡＴＡＣＣｅｌｌｕｌａｒＭｏｂｉｌｅＴｅｌｅｐｈｏｎｅ８００ＭＨＺＴｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ）」と題する、モトローラのインストラクションマニュアル番号６８Ｐ８１０６６Ｅ４０に示されかつ説明されたセルラ電話のような、任意の伝統的なセルラ電話のエレメントとすることができる。そのような伝統的な電話の動作および特徴的機能はアメリカ合衆国、イリノイ州６０１９６、シャンバーグ、イースト・アルゴンクイン・ロード１３１３の、モトローラ・シーアンドイー・パーツによって発行されかつそこから入手可能な「ＤＹＮＡＴＡＣ６８００ＸＬセルラ移動電話ユーザズマニュアル（ＤＹＮＡＴＡＣ６８００ＸＬＣｅｌｌｕｌａｒＭｏｂｉｌｅＴｅｌｅｐｈｏｎｅＵＳＥＲ′ＳＭＡＮＵＡＬ）」と題する、モトローラのユーザーズマニュアル番号６８Ｐ８１１１６Ｅ５８に記載されている。図１におけるＲＦ送信機回路１００は方向性カプラ１１５およびフィルタ１０５によってアンテナ１０７に結合された、縦続接続された増幅器１０１，１０２および１０３を含む。図２のＲＦ送信機回路１００ならびにマイクロコンピュータ１１１および受信機１４１は全て多層プリント回路基板上に構成することができる。方向性カプラ１１５は好ましくは以下に説明する伝送ライン方向性カプラであり、かつ電力検出信号１３１を生成する電力検出回路１０９に結合されている。マイクロコンピュータ１１１は電力検出信号１３１に応答してゲイン制御信号１３２の大きさを調整し所望の電力レベルの送信機出力信号１２３を生成する。ゲイン制御信号１３２はドライバ回路１１３（これは本明細書に参照のため導入される、米国特許第４，５２３，１５５号に示されかつ説明されているように実施することができる）に結合され増幅器１０２への電圧／電流ドライブを調整してその増幅ゲインをそれに対応して調整する。アナログセルラ電話においては、送信機出力信号１２３はセルラベースステーション（米国特許第４，５２３，１５５号を参照）からの制御メッセージに応答して８つの可能な電力レベルのうちの１つにセットすることがでる。デジタルセルラ電話においては、送信機出力信号１２３はセルラベースステーション（本明細書に参照のため導入される米国特許第５，１９２，２２３号を参照）からの制御メッセージに応答して割当てられたタイムスロットの間に８つの可能な電力レベルのうちの１つにセットすることができる。アナログおよびデジタルセルラ電話の双方とも本発明を好適に利用することができる。図３を参照すると、図１の最終段の増幅器１０３および電力検出回路１０９の詳細な回路図が示されている。増幅器１０３は好ましくは電界効果トランジスタ（ＯＫＩ製のＫＧＦ１３２１Ｓ型ＦＥＴ）であり、これは容量および伝送ライン２０３によって増幅されたＴＸ信号１２２へと結合されかつ送信機出力信号１２３を発生する。増幅器１０３の出力整合部は２つのローパスセクションおよび第２および第３調波のための調波整合部（ｈａｒｍｏｎｉｃｍａｔｃｈｉｎｇ）からなる。この調波整合部は伝送ライン２０４および容量２４３によって達成される。伝送ライン２０５および容量２４５は１つのローパスフィルタセクションを提供し、かつ伝送ライン２０１および容量２４７は他のローパスフィルタセクションを提供する。伝送ライン２０１はまたフィルタ１０５に結合されており、該フィルタ１０５は次に２つの容量およびインダクタによってアンテナ１０７に結合されている。伝送ラインカプラ１１５の新規な特徴によれば、伝送ライン２０１および２０２は増幅器１０３の出力整合部に組み込まれている。カプラ１１５は増幅器１０３の出力整合部に組み込まれているから、結合経路の伝送ライン２０２の結合ポートおよびその隔離ポート（端部はインダクタ２１０に結合されている）における複素インピーダンスは注意深く選択され、それによって結合経路の伝送ライン２０２の結合ポート（端部はインダクタ２１２に接続されている）に現われる信号が順方向にのみ伝達する信号を含みかつ逆方向に進行する信号を含まないようにする必要がある。伝統的な方向性カプラでは、通過経路またはスルーパス（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｐａｔｈ）伝送ラインおよび結合経路（ｃｏｕｐｌｅｄ−ｐａｔｈ）伝送ラインは全てのポートにおいて５０オームのインピーダンスに対して設計される。５０オームのインピーダンスによって理想的に終端された場合、前記ＲＦ信号の一部は前記結合経路伝送ラインの結合ポート（ｃｏｕｐｌｅｄｐｏｒｔ）に現われ、かつ前記結合経路伝送ラインの隔離ポート（ｉｓｏｌａｔｅｄｐｏｒｔ）には信号は現われない。また、ＲＦ信号の反射も生じないが、それは前記スルーパス伝送ラインの両方のポートが理想的に５０オームのインピーダンスによって終端されるからである。しかしながら、組み込まれたカプラ１１５のスルーパス伝送ライン２０１は理想的に終端されず、容量２４５および２４７の間に結合されるから、送信機出力信号１２３のいくらかの反射が生じる。カプラ１１５においては、送信機出力信号１２３の所望の部分は結合経路伝送ライン２０２の結合ポートに結合される。送信機出力信号１２３は伝送ライン２０１を下って進行しかつ一部は容量２４７によって反射し戻される。第１の反射された送信機出力信号１２３は戻って進行しかつ一部は容量２４５によって反射し戻される。第２の反射された送信機出力信号１２３の不要部分は結合経路伝送ライン２０２の結合ポートに結合される。第１の反射された送信機出力信号１２３の一部もまた結合経路伝送ライン２０２の隔離ポートに結合されかつ結合経路伝送ライン２０２の結合ポートに戻るよう進行する。伝送ラインカブラ１１５の新規な特徴によれば、もし適切な隔離ポートの複素インピーダンスが結合経路伝送ライン２０２の隔離ポートを終端すれば、前記結合ポートに戻る第１の反射された送信機出力信号１２３の部分は第２の反射された送信機出力信号１２３の結合された部分を打ち消すことになる。この適切な隔離ポートの複素インピーダンスは実部（ｒｅａｌｐａｒｔ）および虚部（ｉｍａｇｉｎａｒｙｐａｒｔ）を含み、好ましい実施例では前記結合経路伝送ライン２０２の隔離ポートに直列に接続されたインダクタ２１０（１５ｎＨ）および抵抗２２２（３９オーム）によって実施される。反射信号の不要部分を打ち消すために適切な隔離ポートの複素インピーダンスを使用することにより、カプラ１１５は増幅器１０３の出力整合部に組み込むことができ、それによって回路基板スペースおよび部品の数の双方の実質的な節約を生じる結果となる。前記適切な結合ポートの複素インピーダンスはさらに所望の打ち消しを増強し、かつ好ましい実施例では、結合経路伝送ライン２０２の結合ポートにインダクタ２１１（２２ｎＨ）およびダイオード２０６の抵抗と直列に接続されたインダクタ２１２（５ｎＨ）によって実施される。伝送ライン２０１は送信機出力信号１２３のためのスルーパスを提供する。結合経路伝送ライン２０２は送信機出力信号１２３の振幅に関連する振幅を有するＲＦ検出信号を発生するために伝送ライン２０１に電磁的に結合されている。伝送ライン２０２からのＲＦ検出信号はインダクタ２１２および２１１によってダイオード２０６に結合され、該ダイオード２０１は容量２３１と共に該信号を半波整流してそれに比例するＤＣ電圧を発生し該ＤＣ電圧は容量２３１に蓄積される。容量２３１に蓄積されたＤＣ電圧は抵抗２３２〜２３５および容量２３６によって結合されて電力検出信号１３１を提供する。抵抗２２４およびダイオード２０７は電圧Ｖ２からバイアス電圧を発生し、該バイアス電圧は抵抗２２３および２２２ならびにインダクタ２１０によって伝送ライン２０２に結合されインダクタ２１２および２１１を介してダイオード２０６をバイアスする。ダイオード２０７および２０６は好ましくは、例えば、モトローラのＭＭＢＤ７７０Ｔ１型ダイオードのような、実質的に同じ電気的特性を有するホットキャリアダイオードである。ダイオード２０７はダイオード２０６を温度補償し、それによって電力検出信号１３１が温度の変化と共に変化しないようにする。本発明の新規な特徴によれば、インダクタ２１１（２２ｎＨ）として実施されるインピーダンスが固有のダイオード抵抗および容量（１．５ｐＦ）と整合するためにダイオード２０６に結合されており、それによって電力検出回路１０９の感度を２のファクタほどで増強する。インダクタ２１１によって実施されているが、前記整合インピーダンスはまた対応する容量回路によって実施することもできる。前記整合インピーダンスはダイオード２０６への電力伝達を最大にし、かつ感度が最も重要な場合、低い電力レベルにおける（例えば、前記８つの可能な電力レベルのうちの所定の１つより低い電力レベルでの）動作のために最適化される。電力検出回路１０９はより敏感になるから、検出のためにより少しの信号が必要とされるのみでありかつインダクタ２１１なしに検出回路において使用される１５ｄＢの結合に代えて２０ｄＢの結合を有するカプラ１１５を使用できる。２０ｄＢの結合を備えたカプラ１１５は挿入損失をほぼ０．１ｄＢ低減し、これはほぼ８ｍＡの電流消費の節約に代わり、それによって実質的にバッテリ通話時間を延長する。図４を参照すると、図１の送信機回路１００の回路基板の断面が示されており、伝送ラインカプラ１１５を示している。送信機回路１００は３つの基板層３２１，３２２および３２３を有する多層回路板または基板上に構成され、これら３つの基板層３２１，３２２および３２３は、好ましい実施例では、４．６６の誘電率を有するＦＲ−４ファイバーグラス材料から構成される。前記基板材料はまた、例えば、アルミナ、デュロイド（ｄｕｒｏｉｄ）、および石英のような、任意の他の適切な材料とすることができる。層３２１はその頭部面３０１上にめっきされた導電性材料からなる順方向経路（ｆｏｒｗａｒｄ−ｐａｔｈ）伝送ライン２０１、およびその底部面３０２上にめっきされた導電性材料からなる結合経路（ｃｏｕｐｌｅｄ−ｐａｔｈ）伝送ライン２０２を含む。他の回路のめっき（図示せず）も前記回路板の層３２１の頭部面および底部面３０１および３０２の他の部分に含めることができる。層３２２は回路めっきを持たない中間層である。層３２３は伝送ライン２０１および２０２のためのグランド面を提供するグランドめっきをその頭部面３０３上に有し、かつ他の回路めっき（図示せず）をその底部面３０４上に有する。層３２１，３２２および３２３は対応する回路によってめっきされかつラミネーション処理または回路板を形成するための他の適切な処理によって一緒に接合されている。図５を参照すると、図４における回路板セクションの頭部層３２１の頭部面が図示されており、伝送ラインカプラ１１５の伝送ライン２０１および２０２の実施例を示している。伝送ラインカプラ１１５の新規な特徴によれば、伝送ライン２０２は曲がりくねった形状で形成され、それによって部分３４１，３４２および部分３４３，３４４が、図５における、頭部から見たとき伝送ライン２０１の互いに反対側に位置する。伝送ラインカプラ１１５は好ましくは送信機出力信号１２３の低い信号レベルを検出するのに充分敏感であり、かつまた送信機出力信号１２３の無用の減衰およびバッテリからの対応する無用の電流の流出を避けるために比較的低損失であることが好ましい。伝送ラインカプラ１１５を使用することにより、２０ｄＢの電磁結合が０．１５ｄＢより小さな挿入損失と共に８２５ＭＨｚ〜９２５ＭＨｚにおいて達成できる。伝送ライン２０１と伝送ライン２０２との間の電磁結合の量は、伝送ライン２０２の幅、層３２１の厚さ、および伝送ライン２０１のエッジからオフセットしかつ平行な部分３４１，３４２，３４３および３４４の距離を含む、数多くの要因に依存する。図５の部分３４１，３４２，３４３および３４４は伝送ライン２０１の幅より小さな幅を有し、かつ伝送ライン２０１のエッジから実質的に同じ量だけオフセットしている。部分３４１および３４２の長さは一緒にして実質的に部分３４３および３４４の長さを一緒にしたものと同じである。部分３４１および３４２によって提供される結合は一緒にして実質的に部分３４３および３４４によって提供される結合を一緒にしたものと等しい。伝送ライン２０１および伝送ライン２０２の間の電磁結合は伝送ライン２０１と部分３４１，３４２，３４３および３４４との間で最大になり、かつ伝送ライン２０１と伝送ライン２０１の下を交差する垂直方向の部分との間で最小になる。その結果、層３２１の頭部面３０１上の回路めっきと底部面３０２上の回路めっきとの間の位置合わせ（ｒｅｇｉｓｔｒａｔｉｏｎ）の小さな変動は伝送ライン２０１と伝送ライン２０２との間の総合的な電磁結合を悪化させることはなく、それは部分３４３，３４４の結合が減少したときに部分３４１，３４２に対する結合が増大し、逆もまた同様であるためである。のこぎり歯、半円形、および長円形状、ならびに以下に説明する図６および図７の形状を含め伝送ライン２０２の数多くの他の配置および形状が可能である。図６を参照すると、図４における回路板セクションの頭部層３２１の頭部面が図示されており、伝送ラインカプラ１１５の伝送ライン２０１および２０２の好ましい実施例が示されている。伝送ライン２０１はＵ字形状であり、かつ伝送ライン２０２はＵ字形状の伝送ライン２０１の平行側部と電磁的に結合する部分６４１および６４２、そしてＵ字形状伝送ライン２０１の中間側部に結合する部分６４３および６４４を含む。部分６４１，６４２，６４３および６４４は伝送ライン２０１からほぼ０．００４インチ（約０．１ｍｍ）離れている。部分６４１および６４２は実質的に同じ長さでありかつ部分６４３および６４４は実質的に同じ長さである。部分６４１，６４２，６４３および６４４の一緒にした合計の長さはほぼ０．４インチ（約１０ｍｍ）である。部分６４１によって提供される結合は実質的に部分６４２によって提供される結合と等しく、かつ部分６４３によって提供される結合は実質的に部分６４４によって提供される結合と等しい。部分６４１および６４４は少なくとも２３ｄＢの結合を提供し、かつ部分６４２および６４３は少なくとも２３ｄＢの結合を提供し、０．１５ｄＢより小さな挿入損失と共に８２５Ｍｚ〜９２５ＭＨｚの周波数で少なくとも２０ｄＢの電磁結合を生成する。図６のこの実施例では、層３２１の頭部面３０１上の回路めっきと底部面３０２上の回路めっきとの間の位置合わせの小さな変動はＸおよびＹ両方向に生じても伝送ライン２０１と伝送ライン２０２との間の総合的な結合を悪化させることはない。図７を参照すると、図４における回路板セクションの頭部層３２１の頭部面が図示されており、伝送ラインカプラ１１５の別の実施例の伝送ライン２０１および２０２が示されている。伝送ライン２０２は伝送ライン２０１と平行でありかつ電磁的に伝送ライン２０１と結合された平行部分７４１および７４２を含む。部分７４１および７４２は実質的に同じ長さであり、かつ部分７４１および７４２によって提供される結合は実質的に等しい。以上要するに、電力検出回路１０９は検出器の感度を増強するために整合インピーダンス用インダクタ２１１と直列に結合されたホットキャリアダイオード２０６を含む。整合インピーダンス用インダクタ２１１はダイオード２０６への電力伝送を最大にし、それによって検出のために必要なＲＦ信号が少なくなる。その結果、２０ｄＢのカプラ１１５が使用でき、挿入損失をほぼ０．１ｄＢ低減しかつ電流消費をほぼ８ｍＡ低減し、それによってバッテリ通話時間を延長する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ)，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，ＮＬ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＺ，ＶＮ【要約の続き】よってホットキャリアダイオード（２０６）に結合されその検出感度を増強する。

Claims

【特許請求の範囲】１．信号源によって発生されたＲＦ信号を検出しかつ検出器信号を生成する無線周波（ＲＦ）信号検出回路であって、前記ＲＦ信号は複数の電力レベルのうちの予め選択された１つを有し、前記ＲＦ信号検出回路は、前記ＲＦ信号に結合され前記ＲＦ信号の振幅に関連する振幅を有するＲＦ検出信号を発生するためのＲＦ信号検出器、そしてあるインピーダンスを有しかつ整合インピーダンスによって前記ＲＦ検出信号に結合され前記ＲＦ検出信号を整流して検出器信号を生成するダイオード検出器であって、前記整合インピーダンスは実質的に前記複数の電力レベルのうちの前記予め選択された１つが前記複数の電力レベルのうちの所定の１つより低い場合に前記ダイオード検出器のインピーダンスを整合させるもの、を具備するＲＦ信号検出回路。２．前記整合インピーダンスは前記ダイオード検出器を前記ＲＦ検出信号に結合するためのインダクタを含む、請求項１に記載のＲＦ信号検出回路。３．無線周波（ＲＦ）信号を増幅しかつ複数の電力レベルのうちの予め選択された１つで送信機出力信号を生成する送信機回路であって、前記ＲＦ信号を発生するための信号源、前記情報信号および利得制御信号に結合され可変利得によって前記情報信号を増幅し送信機出力信号を生成するための増幅器であって、前記可変利得は前記利得制御信号の振幅に関連するもの、前記増幅器に結合され送信機出力信号の振幅に関連する振幅を有するＲＦ検出信号を発生するための伝送ライン結合器であって、該伝送ライン結合器はさらに、頭部面および底部面そして所定の誘電率を有する基板、所定の形状を有しかつ前記基板の頭部面上に配置されたスルーパス伝送ラインであって、該スルーパス伝送ラインは前記ＲＦ信号に結合されているもの、および前記基板の底部面上に配置されかつ前記スルーパス伝送ラインに電磁的に結合され前記ＲＦ信号の振幅に関連する振幅を有するＲＦ検出信号を発生するための結合経路伝送ライン、を具備する前記伝送ラインカプラ、あるインピーダンスを有しかつ整合インピーダンスによって前記ＲＦ検出信号に結合され前記ＲＦ検出信号を整流して検出器信号を生成するダイオード検出器であって、前記整合インピーダンスは実質的に前記複数の電力のレベルのうちの前記予め選択された１つが前記複数の電力レベルのうちの所定の１つより低い場合に前記ダイオード検出器のインピーダンスを整合させるもの、そして前記検出器信号に結合され前記送信機出力信号を前記複数の電力レベルのうちの予め選択された１つに維持するために前記利得制御信号の振幅を調整するための制御回路、を具備する送信回路。４．前記整合インピーダンスは前記ダイオード検出器を前記ＲＦ検出信号に結合するためのインダクタを含む、請求項３に記載の送信回路。５．セルラ電話における、無線周波（ＲＦ）信号を増幅しかつ複数の電力レベルのうちの予め選択された１つで送信機出力信号を生成するための送信回路であって、前記ＲＦ信号を発生するための信号源、前記情報信号および利得制御信号に結合され可変利得によって前記情報信号を増幅して送信機出力信号を生成する増幅器であって、前記可変利得は前記利得制御信号の振幅に関連しているもの、前記増幅器に結合され前記送信機出力信号の振幅に関連する振幅を有するＲＦ検出信号を発生するための伝送ラインカプラであって、該伝送ラインカプラはさらに、頭部面および底部面そして所定の誘電率を有する基板、所定の形状を有しかつ前記基板の頭部面上に配置されたスルーパス伝送ラインであって、該スルーパス伝送ラインは前記ＲＦ信号に結合されているもの、そして前記基板の底部面上に配置されかつ前記スルーパス伝送ラインに電磁的に結合され前記ＲＦ信号の振幅に関連する振幅を有するＲＦ検出信号を発生するための結合経路伝送ライン、を具備する前記伝送ラインカプラ、あるインピーダンスを有しかつ整合インピーダンスによって前記ＲＦ検出信号に結合されて前記ＲＦ検出信号を整流し検出器信号を生成するためのダイオード検出器であって、前記整合インピーダンスは前記複数の電力レベルのうちの前記予め選択された１つが前記複数の電力レベルのうちの所定の１つより小さい場合に前記ダイオード検出器のインピーダンスを実質的に整合させるもの、前記検出器信号に結合され前記送信機出力信号を前記複数の電力レベルのうちの予め選択された１つに維持するために前記利得制御信号の振幅を調整する制御回路、そして前記伝送ラインカプラに結合され前記送信機出力信号を放射するためのアンテナ、を具備するセルラ電話における送信回路。６．前記整合インピーダンスは前記ダイオード検出器を前記ＲＦ検出信号に結合するためのインダクタを含む、請求項５に記載のセルラ電話。