JPH08500079A - フラーレンを製造する方法および装置 - Google Patents

フラーレンを製造する方法および装置

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Abstract

(57)【要約】 微粒子形態の炭素、または連続的に供給することができる液体またはガス状炭化水素の炭素のような炭素源(84)を電子ビーム、アーク、誘導プラズマ、スパッタリングビーム、レーザ、抵抗加熱器、又は燃焼手段のような強烈な熱発生手段(82)にさらすことによってフラーレンを合成する。炭素微粒子又は炭化水素は炭素を凝縮する環境(85)中に気化させてフラーレンを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】フラーレンを製造する方法および装置 本発明はフラーレン(fullerene)、バックミンスターフラーレン(Buck-mini sterfullerene)およびバッキーボール(Buckydalls)と称する新しい形態の炭 素を合成する改良方法、及びかかる方法を行うのに適した新規な装置に関する。発明の背景 ハフマン、クラシュマ一等のネーチャー(Nature) (347巻、第6291版、354 〜358頁、1990年11月27日)は100 torrの好適な圧力のヘリウムの非酸 化性雰囲気において抵抗加熱またはアーク発生により小さい黒鉛ロッドを気化す ることよりなるC60およびC70を合成する方法を開示している。この方法はフラ ーレンを製造するのに優れている。黒鉛ロッドからの煤の収率は一般に約60% までであり、煤は約10%までのフラーレンを含有している。例えば直径0.635c m(1/4インチ)〜1.27cm(1/2インチ)より大きい大型の黒鉛ロッドを使用する ことによりこの方法をスケール・アップしようと試みた結果、煤およびフラーレ ンの収率が低くなった。黒鉛ロッドの高電力気化は収率を低下させる。黒鉛ロッ ドを気化させる最も有利な方法はロッド間に制御アークを形成することである。 多量のフラーレンを製造するために制御アークにおける黒鉛ロッドの供給の自動 操作はアーク発生のための小さいロッドの整合に因り困難であり、ロッドを100 〜200 torrのヘリウム環境で燃焼した後に新しい黒鉛ロッドを供給する自動操 作も困難である。また、黒鉛ロッドは高価な炭素源である。本発明の目的および利点 本発明の目的はハフマン/クラシュマーノ黒鉛ロッド気化方法のスケール・ア ップの難点を解消し、ならびにフラーレンを合成する改良方法を提供するととも に、かかる方法を実施するのに適した装置を提供することである。これらの目的 および他の目的は、本発明の一特徴によれば、粒子または粉末の流れ中の流体と して、あるいはフラーレンを生じるために気化され、凝縮される全体または一部 が炭素よりなる液体またはガスとして気化箇所へ注入または供給することができ る炭素形態を使用することにより達成される。本発明の好適な実施例は、気化さ れると不動の床状態であるか、或いは加熱して蒸発させる反応帯域へ微粒子の流 体流として連続的に供給される炭素微粒子を使用するものである。黒鉛ロッドと は対照的に、炭素微粒子は本発明により発見され、10-6〜760 torrの範囲を包 含する100〜200 torrまたは他の圧力の非酸化性雰囲気へ容易に連続的に供給す ることができる。 本発明のなお一層の目的はフラーレンの製造において炭素を気化させるための 改良方法および手段を提供することである。これらの技術は熱を加える反応帯域 へ連続的に供給しながら、炭素粉末または微粒子を気化させるのに特に有用であ る。有利には、固形微粒子炭素を気化させるためのアーク、プラズマ、電子ビー ム、イオンビーム、レーザビーム等を生じるための適切な手段により熱を供給す る。 炭素源がガス、液体または固体形態であるか、或いはガスまたは液体の形態で ある場合に急冷媒体をなす炭化水素よりなる、フラーレンを製造する改良方法お よび装置を提供することも本発明の目的のうちである。発明の概要 本発明によれば、炭素微粒子、液体またはガス状態の炭化水素の形態、または 微粒子としての流体形態を、気化炭素によりC60、C70およびフラーレンの構造構 成を有するもっと高分子量の炭素形態を含むフラーレン構造を形成する雰囲気お よび他の条件下で源から熱を供給された気化帯域または反応帯域へ連続的に供給 する。フラーレン構造は閉構造ならびに環状形状を形成する六角形および五角形 よりなる当業界で公知なものであってよい。 本発明の一実施例はフラーレンを形成する環境条件で微粒子形態の炭素を気化 させることによってフラーレンを製造する方法、ならびにこの方法を実施する装 置である。 本発明は多量の炭素を連続式に気化させるのに効果的である様々な熱またはパ ワー発生源を利用している。黒鉛ロッドの連続的な正確供給の制限および 直径 が1.27cm(1/2インチ)より大きいロッドのような大きいサイズへのスケール・ アップの制限を解消するために、本発明の好適な実施例は、誘導、マイクロ波、 スパッタリングおよびレーザのような無電極型源を含むアーク、電子ビーム、プ ラズマのような強烈な熱発生源へ微粒子炭素を微粒子の流体流として連続的に供 給する手段を利用している。熱発生装置は好ましくはフラーレンの形成を最大に する条件下で炭素微粒子を連続的に供給して気化するユニット領域において熱を 最大にするように構成されている。熱またはプラズマ系に利用されるガスはヘリ ウムおよびアルゴンを含む貴ガスのような非酸化性であるが、好ましくは低水素 体炭素比を持つ炭化水素のような反応性ガスでもよい。或る実施例では、液体ま たはガス状形態の炭化水素がフラーレン用の炭素源および急冷媒体の両方として 機能するのがよい。気化中に炭素微粒子を取り囲む処理条件は、ハフマン等によ り発行された引用論文で知られているような100〜200 torr、ならびに約10-6to rrから760 torrまでの本発明による広範囲の雰囲気のようなフラーレンの形成 を刺激すると知られている条件である。また、追加の加熱または冷却により生じ る温度制御凝縮表面のようなフラーレンの形成を刺激する制御急冷条件も用いら れ、上記温度制御凝縮表面としては、種々の分子量および構造のフラーレンの形 成を最大にするように利用されるバッフル、シュラウド等がある。 管状形状を含むフラーレン分子構造を形成するために、凝縮条件と併せて適切 なエネルギ源により、黒鉛、非晶質、ガラス状、カーボンブラック、煤、再生炭 素またはフラーレン形態を含む微粒子炭素のいずれの源も気化される。微粒子炭 素を気化するのに適した有利且つ経済的な熱源はプラズマまたはイオンビーム気 化として漠然と述べることができる電気アーク、プラズマ、マイクロ波、レーザ 、電子ビームおよびスパッタリングである。また、燃焼により炭素を気化するこ ともでき、燃焼気化炭素をフラーレンとして凝縮することができる。急冷または 凝縮される微粒子形態および他の形態の炭素を気化するための装置および技術の 好適な実施例を以下に説明する。 液体、ガス状または微粒子形態のいずれであろうとも、気化炭素が炭化水素か ら生じられる或る実施例によれば、フラーレン合成方法は、炭化水素を熱分解、 分解または燃焼して炭素原子を得、これらの炭素原子を気化させ、凝縮してフラ ーレンを形成することによって実施することができる。かくして、炭素原子は後 述のように適切な熱源を使用してガス状、液体または固体相で炭化水素の分解に より炭化水素から得ることができる。図面の説明 第1図は微粒子炭素をアーク系により加熱された反応帯域に連続的に供給する 本発明による装置の概略図である。 第2図はアーク系を反応帯域を加熱するプラズマ系と交換し、微粒子炭素を電 極の下流の反応帯域に供給する以外は、第1図に示す装置と同様な装置の概略図 である。 第3図は炭素微粒子を電極に直接通して供給して炭素を気化するのにより効率 的な加熱を行う、第2図に示すアーク系の他の形態の概略図である。 第4図は炭素を加熱する電極装置を、気化炭素を急冷し、フラーレンを可溶化 するのに適したベンゼンのような液体に浸漬した本発明の更に他の実施例の概略 図である。 第5図は加熱源がアーク型熱発生装置よりなる第1図の装置の他の形態の概略 図である。 第6図は加熱源が誘導プラズマ型装置よりなる第1図の装置の他の形態の概略 図である。 第7図は加熱源がスパッタリング装置よりなる第1図の装置の他の形態の概略 図である。 第8図は加熱源がレーザ装置よりなる第1図の装置の他の形態の概略図である 。 第9図は加熱源が電子ビーム装置よりなる第1図の装置の他の形態の概略図で ある。 第10図は加熱源がプラズマを誘発するマイクロ波源よりなる第1図の装置の 他の形態の概略図である。 第11a図および第11b図はフラーレンを生じるために炭素源として炭化水 素を使用し、加熱源が電気抵抗要素よりなる第1図の装置の他の形態の概略図で ある。 第12図は炭素源が炭素微粒子、炭化水素またはそれらの組み合わせであり、 平板バーナにより気化熱を付与する第1図の装置の他の形態の概略図である。 第13a図および第13b図は第1図および第3図の装置の後に作成され、炭 素源として炭化水素を使用するようにした装置の概略図である。 第14図は炭素源として炭化水素を使用し、第10図の後に作成された装置の 概略図である。 第15図は炭素源として炭化水素を使用し、第6図の後に作成された装置の概 略図である。 第16図は炭素微粒子床を電極管に発生されたアークに連続的に通すための手 段を設けた以外は、第1図の装置に似た装置の概略図である。 第17a図および第17b図は本発明の例に述べるようなフラーレンの存在を 示す収集煤の可視一紫外線吸収スペクトルを示している。 第18図は例21に述べるような主としてC60の存在を示す収集煤のマススペ クトログラフを示している。好適な実施例の説明 アーク気化 第1図はフラーレン(fullerenes)を合成するために炭素微粒子を利用する1 つのアーク型構成を示しており、この構成では、炭素微粒子を供給管5によって アークを生じる反応帯域へ連続的に供給する。一対の間隔を隔てた電極1、2が 適当な電力源6に接続されて反応器3内の反応帯域において炭素微粒子4を加熱 するためのアークを電極間に発生させて炭素の気化を行う。電極1、2は必要な 雰囲気で急冷ガスを収容するのに効果的な金属または他の材料で形成された容器 よりなる反応器3内に配置されている。ロッド形態である電極1と気化すべき微 粒子炭素4用の容器よりなる他方の電極2との間にアークが発生される。容器3 は電極ロッド1の先端近くで炭素微粒子4を保持して最も効率的な気化を行う黒 鉛るつぼよりなるのがよい。電極1を構成するロッドの組成は黒鉛または電流を 導く任意の耐火材、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル、および他の 合金の耐火金属または炭化物、硼化物、窒化物、酸化物などのセラミックであれ ばよい。電極1、2間に印加される電力は標準交流電流、直流電流、種々の波形 の高周波電流、直流電流に重畳された交流電流であればよく、いずれの電力の種 類も脈動するのがよい。直流電流の場合、電極2を構成する微粒子炭素が陽極で あるならば、炭素のより高い燃焼率が達成される。 本発明の好適な特徴によれば、フラーレンの製造に不可欠ではないが、ヘリウ ムまたは非酸化性急冷ガスを図示のように気化領域の中へ直接供給し、それによ り生成炭素煤を気化領域から搬送する有利且つ効果的な方法をもたらし、並びに 急冷を行ってフラーレンの形成効率を向上させる。 本発明の他の形態によれば、急冷ガスは、供給管4を介して一方の電極に設け られる通路(図示せず)を通して反応器3よりなる室に導入してもよいし、或い は一般に容器3に供給してもよい。このガスはヘリウム、アルゴンまたは任意の 貴ガスや、または炭素煤の形成およびフラーレンの生成を高めるのに熱分解する ことができる炭化水素であることができる。炭化水素を利用する場合、水素対炭 素の比が低ければ低いほど、フラーレンの形成におけるケージ閉鎖の水素干渉に ついて良好になる。低い水素/炭素比の化合物の例はアチレン、ベンゼン、ナフ タレン、アントラセン、ナフタセン等である。 容器3内の雰囲気条件は好適な実施例で使用される貴ガス、ヘリウムのような 不活性急冷ガスの10-6 - 760 torrのようなフラーレンの形成を高めるのに効果 的な条件である。更にの実施例では、急冷ガスは上記のように炭化水素である。 反応器における温度急勾配取付具は、水冷煙突、シュラウド、カバ一等のような フラーレンの形成を高める有利なものであるのがよく、気化炭素の凝縮によりフ ラーレンの収率を高めるのに室3でも利用し得る。黒鉛シュラウドのような水冷 ではないバッフルもフラーレンの収率を高めることができる。 有利には、気化された炭素の急冷およびその凝縮や、フラーレンの収集を高め るために室3における反応帯域を取り囲む領域を冷却する手段が設けられる。こ れは電極1、2を取り囲む水冷銅コイルのような適切な熱交換器の使用によりな される。 第2図は第1図の装置に概ね似ている装置を示しているが、この装置では、第 1の反応器3内の配置された熱発生装置は被覆材のパワースプレーに使用される 技術と同様な技術を利用したアークプラズマ装置よりなる。第2図に示す装置で は、アークで気化することができる選択サイズの炭素微粒子を第1図の電力源6 と同様な電力源16に接続された一対の間隔を隔てた電極間に発生されるアーク に供給する。第1電極11は取り囲み管17内にこれから間隔を隔てて配置され たテーパロッドとして示されており、それによりロッド電極11を取り囲む環状 空間18は、不活性急冷ガスが電極を通り越してロッド電極11と、この電極1 1の先端と対向した概ね円形の孔を有する板として示す第2電極12との間の反 応帯域のところのアークまで流れるための導管をなしている。電極11、12間 に発生されたアークに供給された炭素微粒子14は気化され、急冷されてフラー レンを形成する。第1の装置で生成されたフラーレンの場合、急冷フラーレンは 容器3の内壁部に凝縮される。気化されないか、或いは非フラーレンとして凝縮 するいずれの微粒子も再循環される。アークの実際の形状は、炭素微粒子を気化 させるように作用しなければならない以外は、重要ではない。管状形状、二重螺 旋流パターン、高エンタルピー形状を利用するアークは炭素微粒子を気化するの に優れている。 アーク法で利用されるガスはヘリウム、アルゴン、キセノンのような貴ガス、 または第1の説明で挙げたもののような炭化水素をも含む任意の非酸化性ガスで あればよい。炭化水素は不活性ガスを添加したものでも、不活性ガスを排除した ものでもよい。 アークプラズマを取り囲む室3は、酸化条件を防ぐために、且つフラーレンを 生成する圧力/急冷条件を発生し易くするために閉鎖すべきである。室3におけ る気化炭素の凝縮を高めてフラーレンの形成を高めるために、室3の内壁部に加 えて、収集器装置、冷却式板、バッフル、シュラウド等を使用してもよい。 第2図において、炭素微粒子14を第1および第2供給管15、16を通して 電極11、12の下流の気化帯域すなわち反応帯域へ供給する。これは代表的な アークプラズマパワースプレー装置で使用される手順と同様である。或る場合に は、炭素微粒子を気化するために追加の熱を付与するのに、微粒子を電極のアー クを通過するように供給するのが望ましい。第3図は炭素微粒子を第1図の室3 内の電極を通して供給して炭素微粒子を気化する最大の過熱を達成するこのよう な装置を示している。第3図の装置では、斜角で配置されたロッド21、22と して示す第1および第2の間隔を隔てた電極間にアークが生じる。電極21、2 2は黒鉛または第1図に示すロッド型電極1について挙げたのと同じ材料である のがよい。炭素微粒子は供給間25を通して供給され、重力により流れるか、或 いは電極21、22に接続された源26からの電力の付加により引起こされる 間隔を隔てた電極21、22間のアークによって生じられる反応帯域ヘリウム、 アルゴンまたは炭化水素のような供給ガスによって運ばれる。アークのための炭 化水素を含む急冷ガス、およびフラーレンの形成を刺激する条件を設定するため の煤および汚染物の収集は第1図における記載と同じである。電力源は第1図の 源6について説明した通りである。 本発明の他の実施例を第4図に示してある。アークがフラーレンを形成すると 知られている圧力、例えば、10-6 - 760 torr、好ましくは100 - 200 torr下の 急冷ガスよりなる第3図に示す装置と違って、第4図に示す実施例では、電極装 置は大気圧に開放されている炭化水素のような液体33により取り囲まれた第1 および第2の間隔を隔てた電極31、32よりなる。例としての液体はベンゼン 、トルエン、1,3,4,5−テトラメチルベンゼン、メチルナフタレン等のよ うな、フラーレンを可溶化すると知られているものである。第4図に示す実施例 では、液体33は図示のように大気に開放されているのがよい反応器よりなる容 器35に収容される。炭素微粒子34は、例えば、ガラスビーカのような容器の 底部のスクリーン37によって電極31、32間で液体33に静止状態に保持さ れる。電極31、32間および静止位置にある炭素微粒子34間に発生されるア ークは、反応帯域を構成するアークの箇所で微粒子34を気化するために微粒子 34間にスパークを発生させる電力源36からの脈動電力で最良に生じられる。 振動によるような微粒子34の運動が多数のアーク箇所を発生させ、且つ微粒子 34を消費する。気化微粒子は取り囲み液体33中で急冷され、フラーレンは炭 化水素液体33に直ぐ溶解可能である。液体はアーク発生工程により熱くなり、 液体の気化を防ぐために、冷却材が在来の設計のものである外部冷却装置39か ら連続的に循環される冷却コイル38によって液体を熱交換しなければならない 。液体工程下でのアーク発生は電極間の炭素微粒子で行われ、第1図の装置に関 しては炭素微粒子源から連続的に供給され、この場合、電極31、32は直接ア ーク発生される。 第4図の液体急冷装置では、炭素の気化およびその急冷は第1図、第2図およ び第3図の装置の作動について述べた圧力範囲ではなく大気圧で起こる。 第5図は移送アークと称するアーク型熱源を示している。この源は第1図に示 す装置と同様であるが、第1図のロッド型電極1は第5図では、アーク型熱発生 装置で置き換えられており、このアーク型熱発生装置では、テーパロッド41と して示される第1電極が第1および第2管状部材42、43により取り囲まれて おり、内側管状部材42はテーパロッド41から間隔を隔てられて第1アニュラ ス45を形成しており、アルゴンのような急冷ガスを源からこの第1アニュラス 45を通してロッド型電極41の先端の反応帯域へ供給する。第1すなわち内側 の管状部材42は内側および外側の間隔を隔てた管状部材42、43間の空間が なす第2アニュラス46により取り囲まれており、この第2アニュラス46を通 して炭素微粒子44をロッド電極41の先端と対向した反応帯域へ供給される。 反応帯域はロッド電極41の先端と、このロッド電極41の軸線と概ね直角な平 面に位置決めされた平板47として示される第2電極との間にアークによって構 成され、平板47はロッド電極41の先端からこれと直接対向して間隔を隔てら れた丸い高48を有している。炭素微粒子は外側アニュラス46を通して炭素が 気化されるアークへ供給される。有利には、内側および外側管状部材42、43 はまた、炭素微粒子44と炭化水素を含有してもよい急冷ガスとをアークの中心 により効果的に差し向けるためにテーパになっている。ロッド電極41および板 電極47は第1図および第2図の電極について説明したように固体炭素材料また は他の適当な電極材料で形成されるのがよい。 第5図の装置では、反応帯域で生じられた気化炭素はほとんどが板電極47の 高48を通り、急冷炭素生成物よりなるフラーレン煤は(第1図におけるように )の容器すなわち反応器3の壁部、または反応帯域を包囲する反応器内に含まれ るような他の凝縮/収集表面に凝縮して収集する。 アーク系、急冷/収集系におけるガス、および第5図の雰囲気制御装置におけ る条件は第1図、第2図および第3図の装置と同様である。同様に、電極41、 45の両方またはいずれか用の電極材料は第1図の電極1について述べたものと 同じであるのがよい。 アーク型熱源を利用した本発明のなお一層の実施例によれば、板電極(陽極) 47は、消費され、微粒子炭素源44の代わりにフラーレンを生成すべく気化さ れる炭素源をなす固体炭素ブロックである。 第6図は誘導プラズマ型熱源を示しており、炭素微粒子をこの誘導プラズマ型 熱源に供給し、誘導生成プラズマにより気化する。勿論、固体炭素ロッドを誘導 プラズマの中へ供給して気化してもよい。誘導プラズマはKHzまたはMHz周波数で 作動する適切な無線周波数発生器のような公知の手段により反応器に発生される 。第6図では、反応器51は、急冷ガスを無線周波数電力源56に連結された誘 導コイル52により生じられた無線周波数エネルギによって誘発された加熱反応 帯域に閉じ込めるための適切な閉鎖容器をなすように石英で作られているものと して示されている。プラズマガス、クロージャをなす容器51、フラーレンの雰 囲気および収集は上記のように第1図、第2図および第3図のものと本質的に同 じ機能である。プラズマガスは第1図、第2図および第3図の実施例について説 明した急冷ガスと同じであってもよく、第1図、第2図および第3図の装置につ いて説明し且つ挙げたように添加炭化水素を含んでもよい。 第6図に示すように炭素微粒子を気化する誘導発生プラズマの代わりに、マイ クロ波発生プラズマを利用して炭素微粒子を気化することができる。第10図は 石英反応器103に供給される炭素微粒子104を気化するためのマイクロ波装 置を示している。石英反応器103において、必要な急冷ガスは、これを導波管 に連結された適切な発生器からのマイクロ波エネルギにさらしてマイクロ波を石 英壁部を通して反応器の中へ差し向けることによってプラズマを反応室103内 の反応器に生じるときに、フラーレンの生成のための条件を与えるのに効果的な 圧力に保持される。マイクロ波プラズマは2450 MHzの特定の周波数におけるMHz プラズマの特殊の場合である。もっと低いおよび高い周波数を利用してプラズマ を発生させて炭素微粒子を気化するか、或いは付与マイクロ波源の周波数に対し て寸法決めされた炭素微粒子に直接出力結合してより効率的な出力結合、かくし て微粒子を加熱して気化するより大きい効率を生じることができる。誘導、マイ クロ波またはもっと高い周波数のパワー発生装置により固体炭素ロッドまたは板 等を気化することもできる。他の場合におけるように、プラズマまたは炭化水素 含有作用ガス、フラーレンを急冷/収集する装置およびフラーレンを発生させる 容器条件は第1図および第5図で説明したものと同じである。 第7図はフラーレンを生成するために炭素微粒子または固体炭素を気化するた めの更に他の装置を示している。この装置は、炭素微粒子または固体炭素がマグ ネトロン型スパッタリング装置における陰極61であるスパッタリング装置であ る。反応器3内の作用ガスは貴ガス、炭化水素またはイオン化が起こる非酸化性 ガスであり、この場合、マグネトロンにより発生される磁場が付与されてイオン 化ガスを促進して炭素表面と衝突させ、炭素原子を気化し、次いで炭素原子を急 冷してフラーレンを形成する。このスパッタリング装置には、第7図に示す標準 直流(DC)マグネトロン型、広い周波数範囲にわたって作用し得るrf型、電子 ビーム型、広い周波数範囲で作動することもできるイオンビームまたはレーザ型 により電力が付与される。反応帯域は、反応帯域を収容するための反応器と、急 冷ガスのための雰囲気条件と、フラーレンのための凝集/収集表面とよりなる適 当な容器内に包囲されている。 第7図の装置では、スパッタリングガスは貴ガスよりなってもよく、また第1 図について説明したように炭化水素を含んでもよい。同様に、収集装置および圧 力は第1図で述べたものと同じである。 第8図は第1図の装置と概ね似ている装置を示しており、この装置では、第1 図の一方の電極が炭素微粒子を気化するレーザ源72と交換されている。第8図 に示すレーザ源72はCO2、YAG、エキシミア(Exmier)等のような公知型である ことができる。第6図に示す装置のように、レーザを使用して反応器3よりなる 収容装置を通る微粒子を気化することができる。 第8図の装置では、第1図に示す装置について説明した雰囲気条件下で急冷ガ スを収容するための反応器よりなる容器73が示されており、この容器73は、 好ましくは、容器73においてミラー75によって窓76を通して差し向けられ て反応帯域における炭素源74に衝突するレーザビーム75を生じるように位置 決めされているレーザ72のようなレーザ装置について後述する圧力に保持され る。レーザビーム75は、ロッドまたは板の形態でもよいし、粒子の形態でもよ く、反応器の中へ供給される全炭化水素源により増大される炭素74を気化し、 それにより気化炭素を生じ、この気化炭素はフラーレンとして急冷され、反応器 の内壁部または他の凝縮表面に収集され、第1図の装置におけるように分離され る。 第9図は第1図または第8図と同様な他の実施例を示しており、この実施例で は、第1図の電極装置または第8図のレーザが炭素微粒子を気化し、第1図また は第9図の構成において炭素微粒子を気化することもできる電子ビーム源と取り 替えるられている。 第9図の装置では、反応器すなわち容器83が示されている。この反応器83 には、電子ビームを反応器83の中心に示される反応帯域85に差し向けるため の一対の電子ビーム発生器81、82が取付けられており、反応器83の上には 、炭素微粒子84を反応帯域85よりなる領域へ供給するためのディスペンサ8 6が示されている。反応帯域85において2つの源81、82からの電子ビーム は収束して反応帯域85に導入された炭素微粒子84に衝突し、それにより炭素 を気化し、次いでこの炭素は第1図および第7図の装置のように急冷され、凝縮 され、分離される。 勿論、第9図の装置における炭素微粒子84の代わりに、ロッド、板、ブロッ ク等の形態の固体炭素または炭化水素ガス、液体または固体を使用することがで きる。電子ビーム源は炭素を気化する1つの源またはいくつかの源でもよい。炭 素を気化するアーク発生装置に炭素ロッドを使用する場合、ハッフマン等により 報告されている100−200torrの圧力と反対に、炭素を気化するためにスパッタリ ング装置または電子ビーム装置を使用することにより、10-3〜10-6の範囲の非常 に低い圧力で作動することができ、利点が伴う。 フラーレン源としての黒鉛ロッドの費用およびスケールアップの難点を解消す るために、炭化水素がフラーレンを合成するための理想に近い炭素源である。炭 化水素からの水素はフラーレンを形成するのに対称の閉鎖を妨げるので、出来る だけ最小にすべきである。従って、できるだけ低い水素/炭素比の炭化水素をフ ラーレンを合成するための前駆体として使用すべきである。 フラーレンを凝縮し、形成するために炭素原子をガス相で熱分解し、分解し或 いは発生する方法はプラズマ、燃焼および熱分解を含む。炭化水素破壊領域の条 件は、100〜200torrで急冷ガスの気圧であると一般に知られているフラーレンの 形成を最大にするように設定されるが、本発明によれば、10-6〜1 torr以上の圧 力および幾つかの気圧がフラーレンを核状にすることもできることが確認され た。 本発明の好適な実施例によれば、連続操作の経済性をもたらし、従来の黒鉛ロ ッド方法と対照して、大規模な操作に設計するとができる炭素発生領域、すなわ ち、反応器の反応帯域へ炭化水素を連続的に供給する。 フラーレン煤を生じるために炭化水素を加熱源または反応帯域へ供給する操作 条件は、C60のみ、または他の大きい分子量のフラーレンまたは管状形状のよう な選択フラーレン分子強度および構造のみを生じるように変化させることができ る。 炭化水素をフラーレンへ転化するための本発明の実施例はフラーレンの形成を 有利にする条件下で炭化水素を強烈に加熱する技術を利用している。本発明は炭 素クラスタの気化および凝縮を引起こしてフラーレンを形成するために炭化水素 を加熱する様々な技術を提供する。これらの加熱技術としては、任意の形態のア ーク、特に、炭化水素をアークに通すことを含む高エンタルピーアーク、誘導型 およびマイクロ波を含む無電極プラズマ、炭化水素を加熱表面上に通すか、或い は電子ビームまたはレーザのような炭化水素を強烈に加熱するビームに通すこと を含む熱処理、および外管付き二重バーナまたはバーナ内のバーナであることが できる多構成バーナを含む燃焼がある。 炭化水素の熱分解条件は、好ましくは100〜200torrであるが、10-6〜数気圧ま でを含む、フラーレン形成を有利にすると知られている条件よりなる。熱分解炭 化水素をフラーレンへ凝縮する環境は、フラーレン構造の形成を有利にする加熱 または冷却表面を含む急冷プロフィルよりなるのがよい。 炭化水素前駆体は加熱装置への任意のガス、液体または固体供給物であること ができる。水素はフラーレン環閉鎖を妨げるので、低い水素/炭素比が好ましい 。低い水素/炭素比を有する炭化水素としては、フラーレン構造へ変態する優れ た源を構成するアセチレン、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ナフタセン 、多環芳香族化合物(例えば、コロネン)等がある。 フラーレンの形成のための条件下で炭化水素を熱分解する熱エネルギを付与す るのに使用することができる多くのアーク構成がある。アークの種類としては、 2つの電極間、lつの電極と管との間、平行な板間などの直接アークがある。任 意の電極構成、特に、高いエンタルピーを与える構成においては、ガスは貴ガス または全部炭化水素のような非酸化性である。第l3a図および第l3b図は適 切な反応器において電気アークにさらされる炭化水素から得られる炭素の使用に よりフラーレンを生成するのに特に適した電極装置を示している。 第l3a図の装置は適切な環境に炭化水素を収容して炭素の気化をもたらし、 気化炭素生成物を急冷してここに記載のようなフラーレンを生じるための反応器 103を示している。第3図の電極21、22と同様な第1および第2ロッド状 電極が互いに対して斜角で配置されており、これらの電極の先端間に空間が形成 され、この空間には、第1図の源6または第3図の源26と同様な源106aか らの電力の付与によりアークが生じられる。ここに述べたような適当な炭化水素 を炭化水素源105aから炭化水素供給管107aを通して電極101a、10 2aの先端間のアークにより構成される反応帯域へ供給し、そこでアークにより 炭化水素からの炭素を気化する。気化された炭素を、第1図および第3図の装置 のように、取囲み不活性ガス雰囲気により急冷し、凝縮し、そして反応器103 内に収集する。 第13b図は第13a図の装置に対して電極装置の他の形態を示しており、こ の場合、固体ロッド状電極101a、102aが中空のロッド電極101b、1 02bと交換されており、炭化水素源105bからの炭化水素を第13a図にお けるように別体の供給管を通してではなく、電極101b、102b各々の中心 を通る軸方向ボアを通して反応帯域へ供給する。 この変更例は、第13a図におけるように傾斜されるのではなく、互いに向か い合って軸方向に整合して示すように電極101b、102bを配置するように して、より優れた供給を行うことができる。 炭化水素に加えてガスを使用する場合、炭化水素を非酸化性ガスと混合し、ア ークまたは少なくともアークの近くを通して炭化水素を熱分解するのに十分な熱 を付与する。アーク系の作動条件は、炭化水素の熱分解から生じられる炭素がフ ラーレン構造の形成を最大にするような条件である。この代表例は100〜200torr の圧力であるが、約10-6〜数気圧の範囲に及んでもよい。 高エンタルピーアーク設計を含むプラズマアークとして代表的に知られている アーク系は一般にいずれのガスまたは固体(この場合、炭化水素)をも反応し得 る電極に通さない。電極が炭化物または耐炭素性である材料であっても、熱分解 された炭化水素は電極に付着し、アークの電気作用を変えることができる。これ らの理由で、炭化水素は代表的には電極の下流の流れに添加される。多くの場合 に、これは炭化水素をフラーレンヘ変態するのに満足すべきである。しかしなが ら、炭化水素がアークを通るのが望ましい場合、黒鉛電極が推薦され、これらの 電極が気化するなら、ハフマン/クラッシュマー法と同様なフラーレンを形成す ることができる。この電極アーク系の例が第13a図および第13b図に示され ている。電極用の電力源は任意の周波数の直流でも交流でもよく、これは炭化水 素を熱分解し、フラーレンへ変態するアーク系のいずれにおいてもそうである。 例えば、第6図、第8図、第9図、第10図および第14図に示すように、2 つの電極を必要としないプラズマを発生する様々な技術がある。高周波電力がガ スをイオン化してプラズマを発生するキャビティに放電する。炭化水素ガスを受 入れるのに特に適したこのような装置の例が第14図に示されている。第14図 の装置は、入力が第10図に示すように炭素微粒子および急冷ガスではなく適切 な炭化水素よりなる以外は、第10図のものに本質的に似ている。第10図およ び第14図の両方において、装置の反応帯域は、第1図におけるように気化炭素 を急冷し、フラーレンを収集するための気圧条件を維持するための閉鎖容器内に ある。電力の周波数はKHz〜MHzの範囲であるのがよい。プラズマを発生す るのに使用される周知の周波数は476KHz、3〜15MHzおよびマイクロ 波である2450MHzである。後者の場合、導波管は、一般に、誘導電カコイ ルと対照的に電力を伝送するのに利用される。しかしながら、どんな周波数であ ろうとも、貴ガス無し、或いは貴ガスでプラズマが発生され、炭化水素がフラー レンへ変態される。操作条件はフラーレン構造を形成する炭素の急冷を有利にす るように調整され、好ましくは100〜200torrであるが、10-6torr〜数気圧までの 範囲であることができる。 第8図に示す装置の場合、炭化水素を熱分解してフラーレンを生じるのに、レ ーザを使用することもできる。このような場合、第8図の装置はヘリウムまたは 非酸化性急冷ガスではなく炭化水素を入力するように変更され、黒鉛源を省略し 得る。いずれの場合にも、第1図の装置におけるように気化炭素の急冷およびフ ラーレンの収集を行うために、装置は第10図および第14図の装置のように閉 鎖されている。 第15図は第6図の装置に本質的に似ている装置を示しており、この場合、入 力は炭素微粒子供給物ではなく炭化水素供給物である。 炭化水素は、赤熱よりわずかに高いほどの低い温度で開始し、熱を炭化水素へ 伝達するように材料を加熱することができるほど高くてもよい在来の熱方法によ り熱分解し得る。炭化水素を熱分解する例は熱分解黒鉛または高配向の熱分解黒 鉛(HOPG)微粒子を生じることである。熱分解条件をフラーレン構造の凝縮 を有利にする条件に設定するなら、炭化水素の熱分解がフラーレンを生じる。適 当な反応器の例を第11a図および第11b図に示してあり、この場合、炭化水 素がフラーレン構造へ変態されるように調整された閉鎖反応器203内の環境条 件で加熱管150に或いは加熱表面151上に炭化水素を通す手段が設けられて いる。管150または加熱表面151の材料は、珪化物(MoSi2)、炭化物(SiC ,TaC等)のような容易に抵抗加熱されるもの、タングステンまたは黒鉛のような 耐火金属である。閉鎖装置203は第1図の装置のように気化炭素を急冷し、フ ラーレンを凝縮して収集するための適切な雰囲気を有している。 第11図に示す装置についての加熱技術は抵抗加熱表面のかわりに電子ビーム であることができる。このような加熱装置を第9図に示してある。炭素用の炭化 水素源の場合、炭素微粒子供給物は第13a図および第13b図に示すような炭 化水素源と交換されている。電子ビームを通る炭化水素は加熱し、熱分解された フラーレンヘ変態される。また、上記のように炭化水素を熱分解するのにレーザ ビームを利用することもできる。フラーレンを形成すべき所望の条件を与えるた めに、熱分解された炭化水素を(加熱または冷却された)制御温度表面上で制御 温度分布に急冷することができる。 燃焼によって炭化水素をフラーレンへ変態することができる。酸素で炭化水素 を燃焼することにより、煤炎として知られるもの、、すなわち、未燃焼炭素を生 じるものを生じることは周知である。酸素対炭素比は煤炎を生じるように調整さ れるのがよく、環境条件をフラーレンの形成を有利にすると知られている条件へ 調整するなら、フラーレンを生じるのに燃焼を使用することができる。フラーレ ンを形成する温度分布を有利にするためには、シースが非酸化性ガスまたはバー ナよりなる覆い付き即ちシース付きバーナを利用するのがよい。この種類のバー ナの例を第12図に示してある。シースバーナは、内側バーナまたは異なる炭化 水素と同じ燃料または炭化水素について作動することができ、或いは異なる酸素 対燃料比のものを供給することができる。また、シースは非酸化性ガスであるこ とができる。また、このようなガスを炎に注入してフラーレンの形成を有利する 急冷条件を生じることができる。第12図に示すバーナは平板バーナと称するが 、炭化水素を燃焼してフラーレンを生じるのに、多くの構成バーナを使用するこ とができる。例えば、バーナは第12図に示すようなものでもよく、平板バーナ 180には、燃料が燃料源181、酸化剤源182および希釈剤源183から平 板バーナ業界でバーナ180で適切な燃焼を生じると知られている種類の燃料供 給系を経て供給される。燃料はいずれの炭化水素でもよいが、好ましくは、1ま たはそれ以下の炭化水素対炭素比を有する炭化水素である。というのは、炭化水 素中の水素のパーセントがより高いと、水素がフラーレンのケージ閉鎖を妨げる 可能性を高めるからである。適当な炭化水素の例はアセチレン、ベンゼン、トル エン、ナフタレン等である。 有利には、2段階燃料調整装置を使用して炭化水素を反応帯域におけるバーナ へ通す前に脱水素するのがよい。例えば、天然ガスよりなる炭化水素燃料を第1 1図に示すもののような熱分解器上に通し、そこでこの燃料を加熱して第12図 のバーナ180へ供給する前に燃料上記から差し向けられた水素を剥離する。 酸化剤は空気または酸素である。希釈剤は、存在するなら、ヘリウム、アルゴン または任意の貴ガスであり、この貴ガスは急冷ガスよりなる不活性ガスであるの がよい。 炭素微粒子または炭化水素微粒子またはその燃焼生成物を圧力下で平板バーナ の前方の炎へ注入する。 第12図の装置のバーナおよび反応帯域を包囲する反応器よりなる容器は、第 1図の装置におけるように気化炭素を適切な表面での凝縮および収集のために急 冷する第1図の雰囲気のような雰囲気に急冷ガスを収容するのに適していなけれ ばならない。組み合わせ方法 一方法として燃焼を含む加熱方法の組み合わせを使用することによってフラー レンが優先的に形成し得る。炭化水素が少なくとも幾らかの水素を含有している ので、この組み合わせ方法はまず水素を剥離する第1工程と、炭化水素をフラー レンへ変態する第2工程とを使用するのがよい。この組み合わせ方法は、アーク 系と燃焼、アーク系と無電極装置、マイクロ波または誘導のような無電極装置と 燃焼等を含む。 第16図に示す装置は第1図に示す装置の変更例であり、比較的高い量でフラ ーレンを生じるように設計されている。第16図は第1図の装置のような雰囲気 で炭素微粒子を気化するのに電気アークを用いており、この場合、適当な急冷媒 体が反応器内に閉じ込められ、電気アークが炭素を気化してフラーレンを生じ、 これらのフラーレンは急冷炭素蒸気から収集される。第16図では、電極装置は 概ねディスク状黒鉛電極500を備えており、この電極はその外縁部の上方に立 ち上がった外リムを有していて、ディスク500の平らな表面の上方にこれに対 して概ね直角に位置決めされたロッド状黒鉛電極504の下方でディスクを回転 させるとき、炭素微粒子が遠心力により電極500の上面から投げ出されるのを 防ぐようになっている。ディスク500を適当な電気モータ等(図示せず)によ って回転させながら、炭素微粒子をディスク500の頂部へ供給する。第1図の 電力源6のような電力源505が電極500、504に接続されてロッド504 の先端とディスク電極500の表面上の炭素微粒子との間に電気アークを生じ、 それにより微粒子を反応器内で気化し、そこで第1図の装置のように、この微粒 子を急冷し、凝縮し、そしてフラーレン煤として収集する。ドクターブレード5 03として知られる平滑ブレードがディスク500の表面の上方に設けられて付 着した炭素微粒子501の表面を平滑にし、それにより、ディスクが回転し、微 粒子がディスク500とロッド504の先端との間のアークを通るとき、微粒子 の層において実質的に一様な厚さを維持するようになっている。 第16図の装置を以下の例15の説明において更に説明する。 例1 第1図に示すような装置を使用して、40〜6250ミクロンの大きさの範囲 内の焼成石油コークとしての炭素微粒子を直径5.08 cm(2インチ)の黒鉛るつ ぼである容器3に装入した。電極1は直径2.54 cm(1インチ)の黒鉛ロッドで あり、この電極1を陰極として直流電力源に接続した。室3を備えた装置を10-3 torrまでポンプ引きし、アルゴンで再充填し、10-3torrまで再ポンプ引きし、そ してヘリウムで再充填した。電極1をるつぼ2内に支持された炭素微粒子4に接 触すように降下させ、次いで上昇させることによってアークを生じ、そこでアー クを20ボルトおよび125アンペアの電流に維持した。炭素電極4を陽極とし 、て消費し、炭素煤を発生した。この煤は真空室3の壁部に凝縮した。操作30 分後、電極1を上昇させ、電力源を切ることによってアークを停止した。壁部上 の煤を収集し、この煤がフラーレンの特性であるトルエン中の溶解度10%を有 することが示された。 電極1すなわち陰極の検査の結果、電極の縁部のまわりに固形炭素付着物が形 成していた。この固形炭素付着物は電極の縁部から容易に破断され、かかる炭素 の幾つかの部片が電極から落ち、微粒子床4の超部に位置していたことがわかっ た。この固形炭素付着物は、透過電子顕微鏡を利用して検査して、環状形状のフ ラーレンを含有しているとわかった。 例2 例1の炭素微粒子は1000 〜10,000ミクロンの大きさの範囲であり、電力は6 0サイクルの交流であった。0.635 cm(l/4インチ)の銅管から作成された水冷 式熱交換器が容器2および電極1を取り囲んでいた。炭素微粒子4を微粒子供給 管5に装入した。30Vおよび175 ampの高い電力で実験を行った。炭素微粒 子が消費されると、追加の微粒子が供給管5から容器に落入した。2時間の操作 後、発生された煤が熱交換器表面および真空室壁部から収集された。トルエンに 溶解した煤部分は未溶解煤を濾別した後、コルドバから黒色に近い特性により8. 5%を示すフラーレンであった。 例3 ヘリウムの代わりに残留ガスとしてルゴンを使用した以外は、例2からの熱交 換で例1を繰り返した。煤中のフラーレンの収率は5%であった。 例4 残留ガスがアセチレンである以外は例3を繰り返し、フラーレンの収率は3.8 %であった。 例5 残留ヘリウム圧500 torrで例3を繰り返し、フラーレンの収率は7.6%であつ た。 例6 作用ガスとしてヘリウムを使用して、再生自動車タイヤのカーボンブラックで ある炭素微粒子を第2図に示すようなアークプラズマの中へ供給した。例1の室 3でジェットを排出して気化炭素微粒子のいずれの酸化をも防いだ。室3を150t orrの圧力に維持した。気化された炭素煤は、室3の壁部から収集され、8%の トルエン可溶フラーレンを含有しているとわかった。 例7 キャボット・ユーティリティ・グレード・ブラック・パールズ130の炭素微 粒子を利用し、これをヘリウム作用ガスを利用して第3図に示すアーク構成の中 へ供給し、室3はヘリウムとアルゴンの混合ガスの在留雰囲気中で760torrで 作動した。煤を室3に収集するのに、3種類の熱交換器を利用した。アーク放電 に最も近くに、例2の円形水冷式銅管を利用した。円形熱交換器の下流に水冷式 平板を利用し、この平板を電極から出るアークの垂線に対してほぼ45°の角度 に保持した。同様だが向かい合った平面に未冷却黒鉛板を利用して煤を収集した 。0.5時間アークを作用させた後、3つすべてのの熱交換器の表面および室3の 壁部から煤を収集した。円形の熱交換器の煤は3%のフラーレンを含有し、平板 の煤は5%のフラーレンを含有し、黒鉛板の煤は6%のフラーレンを含有し、室 の壁部の煤は4.5%のフラーレンを含有していた。 例8 黒鉛をグラフォイルと交換し、水冷式銅熱交換器をグラフォイルでライニング した以外は例7の熱交換器で例6を繰り返した。室3をアルゴン残留ガスで50 torrに維持した。炭素微粒子についての供給すなわち作用ガスはアセチレンであ った。炭素微粒子は他のフラーレン実験からの不溶煤であった。この実験で収集 された煤はトルエン溶解度で測定した場合に6%の平均フラーレン含有量を示し た。 例9 第4図に示した装置において4リットルのガラスビーカーをトルエンで満たし た。2.54 cm(2インチ)の2つの黒鉛電極を装入し、電極間に1.27 cm(l/2イ ンチ)の深さまで1000〜5000ミクロンの炭素微粒子を充填した。アーク溶接電力 源を35Vの電力で黒鉛電極に取付けた。電流は80アンペアであって、50〜 120アンペアの範囲の値であった。炭素微粒子間には、多数のアーク点を見る ことができた。数秒内で溶液が黄褐色に変わり初め、時間に経過につれて、溶液 は黒ずんでいった。数分後、トルエン溶液は沸騰し初め、実験が終了した。トル エンを濾過して炭素微粒子およびいずれの非フラーレン煤をも分離した。残りの 溶液は3%のフラーレンを含有していた。 例10 溶媒中にメチルナフタレンを使用し、溶媒を冷却熱交換器に通すためにポンプ を装着して実験9を繰り返した。ビーカを振動テーブルに設定し、脈動式電力源 を利用した。脈動率は400Vおよび30アンペアの電力で15Hzであった。 実験を1時間行い溶液を濾過して黒鉛微粒子および非フラーレン煤を除去した。 メチルナフタレンの蒸発後、フラーレン含有量は4.2%であった。 例11 ヘリウム50/アルゴン50の作用ガスを使用して40〜1000ミクロンの 大きさの範囲内の石油コーク炭素微粒子を第5図に示すように300 torrの室 圧でプラズマ領域へ供給した。石油コーク微粒子をプラズマ中で揮発させ、煤を 真空室の壁部に収集した。トルエン溶解度は、収集煤が5%のフラーレンを有し ていたことを示した。 例12 陽極が直径7.62 cm(3インチ)の固形黒鉛ブロックであるように第5図の装 置を変更した。炭素微粒子をプラズマに供給しなかった。真空室を50%アルゴ ン/ヘリウムで200 torrに保持した。プラズマが陽極ブロックを気化させ、 煤 を真空室の壁部に収集した。煤は7%のトルエン可溶フラーレンを含有していた 。 例13 476KHzおよび38MHzの40Kラペル(Lapel)誘導電力源をほぼ5 MGzで利用した。4回りのコイルを第6図に示すように5.08 cm(2インチ) の水冷式石英管のまわりに巻いた。ベンチャー電力供給装置を利用して再生自動 車タイヤからのカーボンブラックを供給した。圧力をヘリウムで1torrまで低減 、約5 KWでプラズマを発生させた。電力を約15KWまで増大し、カーボンブ ラックをプラズマの中へ供給し、気化して煤を発生させ、この煤を石英容器の水 冷壁部に収集した。煤をトルエンへのフラーレン溶解度について試験した結果、 6%のフラーレンを含有していることがわかった。 例14 例13の実験を繰り返し、作用ガスのヘリウムをプラズマ中へ通したベンゼン に通した。流れを調整してガス相におけるほぼ50:50のヘリウム/ベンゼン 混合物を達成した。圧力を10 torrであるように調整し、炭素の電力供給を始 めた。水冷石英壁部に収集された煤は7%のフラーレンを含有していた。 例15 図16に示す装置を利用してフラーレンの量産の例を実証した。回転している 平らな黒鉛板500に炭素微粒子501を供給管502を通して供給する。ドク ターブレード503として当業界で公知な平滑ブレードは、直流電力源を使用す る場合には陰極である電極504の下を通って炭素微粒子を滑らかにする。電極 504は第1図、第3図および第13図で説明したようにいずれの材料であって もよく、炭素微粒子を黒鉛板に置いた状態でアーク距離を制御するためにわずか なテーパを有している。直流電力源505を25Vの電圧および175アンペア の電流で利用した。黒鉛板500を10回転/時間で回転させ、炭素微粒子を供 給して略100g/時間で消費した。もっと大きい電極504および黒鉛板50 0ならびに多数の陰極の電極504により、単位時間内でもっと多くの炭素微粒 子を気化させることもできる。第2図、第3図および第4図で説明した熱交換器 を使用して炭素蒸気を凝縮した。熱交換器から収集された煤は12%のトルエン 可溶フラーレンを含有していた。 例16 第10図に示す装置に石英管を利用した。5KWのマイクロ波装置を利用して 石英管内に1torrでヘリウムプラズマを発生させた。例13で述べたようなベン チュリ供給装置でカーボンブラックを供給した。石英管をプラズマの末端で空気 冷却した。プラズマがカーボンブラック微粒子を揮発させ、煤が冷却石英管に凝 縮した。トルエン可溶のフラーレンの含有量は5.5%であった。 例17 l,000 〜10,000の大きさの範囲内の炭素微粒子を第7図に示すようにアルミ ニウム容器に装入した。磁石は永久磁石でも、電磁石でもよく、この場合、55 Vおよび4アンペアで略10ガウスの定格を有していた。直流スパッタリング電 力源を0.01 torrの残留ヘリウムの圧力で直流500Vおよび20アンペアで運 転した。例7で述べたようなグラフォイル表面を持つ水冷式銅板を陽極/陰極間 隔に隣接して利用した。実験の実施を1時間行い、煤がグラフォイル表面ならび にスパッタリング装置の真空室壁部に収集した。煤はトルエン溶解度試験により 3%のフラーレンを示した。 例18 固形黒鉛ブロックを使用して例16を繰り返し、スパッタリングガスは0.03to rrの圧力でヘリウム50/アルゴン50であった。スパッタリング電力源は2K Wマイクロ波であった。グラフォイル熱交換器の表面および真空室の壁部に収集 した煤は3.3%のフラーレンを示した。 例19 第9図の示すような2つの電子ビームガンを真空室83内に10-6 torrの真空 に利用した。1〜40ミクロンの一般範囲内の粒子の大きさを持つ炭素微粒子を 管86を通して14KVAで作用する電子ビームに供給した。例7で述べたよう な円形の銅製平板および黒鉛スラブ熱交換器を電子ビームのまわり及びその下方 に利用した。真空室はアルミニウムフォイルでライニングしたものであった。実 験をほぼ7KWの電子ビーム電力で1時間続けた。熱交換器および真空室のアル ミニウムフォイルライナに収集した煤は4%のフラーレンを含有していた。抽出 されたフラーレンを中性のアルミナ上で乾燥し、直径2.54 cm(1インチ)の 中性アルミナ充填クロマトグラフカラムの頂部に装填した。C60およびC70の精製 および分離の技術は当業界で知られており、例えば、ハフマン等の1992年3 月19日に発行された国際出願第W092/04279号のPCT出願に述べられている。 特に13、14頁を参照されたい。ヘキサンを使用して公知の標準クロマトグラ フ技術によりカラムをフラッシュしてC60、C70およびもっと高分子量のフラーレ ンを分離した。また、サイエンス第252巻、548ページのF.ディーデリッ ク等の「高分子量フラーレン:C76、C84、C90、C94、およびC70O、D5h〜 C70の酸化物の単離および特性」を参照されたい。C60、C70およびもっと高分 子量のフラーレンの比が、ハフマン/クラッシュマーの黒鉛ロッド方法により合 成されたフラーレンから得られたものと実質的に異なることがわかった。ハフマ ン/クラッシュマー技術におけるフラーレンの代表的な比は92C60−4対6C70 および2対4高分子量フラーレンである。電子ビームにより生じられたフラー レンはほぼ20C60−50C70−30高分子量フラーレンを示した。 例20 第2図の装置において、微粒子炭素の代わりに低水素/炭素比の炭化水素を反 応帯域へ供給した。アルゴンのような不活性ガスでプラズマを開始し、炭素微粒 子の代わりにアセチレンを添加した。アセチレンは分解されて炭素煤を生じ、こ の炭素煤を先に述べたように収集した。煤をトルエンに溶解し、2%のフラーレ ンを含有していることがわかった。 例21 例19の装置を使用して例20を繰り返し、この場合、プラズマガスはヘリウ ムであった。収集された煤は第18図のマススペクトログラフに示すようにC60 のみを含有していた。 例22 例20を繰り返し、ナフタレンを炭素微粒子と同様に固体として供給した。分 解ナフタレン煤は前記のように収集し、2.5%の可溶フラーレンを含有している とわかった。 例23 第3図に示す装置を利用し、炭素微粒子の代わりにベンゼン蒸気を供給した。 分解されたベンゼン煤を上記のように収集し、3.3%の可溶フラーレンを含有し ているとわかった。 例24 例3の電極は黒鉛管で作られており、この黒鉛管を通してアセチレンとベンゼ ンとの混合物を供給し、分解して煤とし、この煤は4.5%の可溶フラーレンを含 有していた。 例25 第6図の装置を利用し、炭素微粒子の代わりにアントラセンを固形微粒子状で 供給し、分解煤を前記のように収集した。分解煤は4.1%の可溶フラーレンを含 有していた。 例26 第8図に示す装置を利用し、CO2レーザを使用してナフタレン粒状物を黒鉛 バッキング板の前方の管の中へ供給し、それにより1%の可溶フラーレンを含有 する煤を生じた。 例27 第9図の装置を利用し、ナフタレンを電子ビームの中へ供給し、分解して5% のトルエン可溶フラーレンを含有する煤を生じた。 例28 アセチレンとベンゼンとの混合物を第14図に示すヘリウムのマイクロ波プラ ズマの中へ供給し、分解して3.8%の可溶フラーレンを含有する煤を生じた。 例29 タングステンフィラメントを収容した第11図の示すような装置を利用した。 この装置内の圧力を150 torrヘリウムに調整し、フィラメントを2800℃まで 加熱した。アセチレンをフィラメントの上方に通し、分解して煤とした。この煤 は2.7%のフラーレンを含有していた。 例30 天然ガスおよび炭素フィラメントを使用して第11b図に示すような装置で実 験28を繰り返した。煤に含有されているフラーレンは1%であった。 例31 第12図に示すようなバーナ装置を利用した。ナフタレンを気化により炎の中 へ供給した。外側遮蔽はわずかに低減した比で燃焼された天然ガスおよび酸素で あった。ナフタレン−酸素炎を燃焼して煤または煤化炎と称するものを生じた。 この煤を第2図、第3図および第4図で述べたように熱交換器に収集し、この煤 が7%の可溶フラーレンを含有するとわかった。 例32 例30を繰り返し、炭素微粒子を内側バーナに供給される燃料として使用し、 炎を煤化炎となるように設定した。煤を収集し、このが7.5%の可溶フラーレ ンを含有するとわかった。 例33 天然ガスと炭素微粒子との混合物を燃料として例30を繰り返し、ヘリウムガ スの遮蔽を用いて遮蔽炎を省略した。煤化条件をバーナに設定し、煤を収集した 。この煤は4.3%のフラーレンを含有していた。 例34 例31を繰り返し、この場合、第14図のマイクロ波発生器を煤化炎を横切る ように向け、燃料源はメチルナフタレンであり、遮蔽炎を使用した。多量の煤を 生じ、可溶フラーレンが水冷式熱交換器上に10%であることがわかった。 例35 第3図の電極装置を第6図の無電極誘導プラズマと組み合わせ、炭素微粒子を 電極21、22を通して供給した。作用ガスはヘリウムであり、装置3内の圧力 は10 torrであった。組み合わせプラズマが炭素微粒子を気化させ、この炭素 微粒子を第1図、第3図および第4図で述べたように熱交換器上に収集した。熱 交換器からの煤は12%の可溶フラーレンを含有していた。 例36 ベンゼンを炭素供給源として例35の実験を繰り返した。ヘリウム作用ガスを 液体ベンゼンおよび電極21、22に通した。収集された煤は9%の可溶フラー レンを含有していた。 上記実施例および例は本発明の範囲および精神を例示するものである。これら の実施例および例は本発明の考えている範囲に入る。従って、本発明を添付の請 求項によってのみ限定すべきである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.蒸発炭素を凝縮するための急冷媒体を収容している環境における反応帯域で 流体形態の炭素を熱にさらすことによってこの炭素を蒸発し、急冷された炭素生 成物を収集し、炭素生成物に含有された少なくとも1つのフラーレンを得ること を特徴とするフラーレンを製造する方法。 2.流体形態の炭素が微粒子形態であることを特徴とする請求項1に記載のフラ ーレンを製造する方法。 3.炭素微粒子形態が固定された不動床であることを特徴とする請求項2に記載 の方法。 4.炭素微粒子形態が流動床であることを特徴とする請求項2に記載の方法。 5.流体形態の炭素が流体炭化水素よりなることを特徴とする請求項1に記載の 方法。 6.流体形態の炭素がガス状炭化水素よりなることを特徴とする請求項5に記載 の方法。 7.ガス状炭化水素が急冷媒体としても機能することを特徴とする請求項6に記 載の方法。 8.流体形態の炭化水素が液状炭化水素よりなることを特徴とする請求項5に記 載の方法。 9.液状炭化水素が急冷媒体としても機能することを特徴とする請求項8に記載 の方法。 10.少なくとも1つのフラーレンを昇華により急冷炭素生成物から分離すること を特徴とする請求項1に記載の方法。 11.炭化水素の流体形態が微粒子形態よりなることを特徴とする請求項5に記載 の方法。 12.急冷媒体が真空排気された反応器内に有効圧力で収容された不活性急冷ガス の雰囲気よりなることを特徴とする請求項2に記載の方法。 13.急冷炭素生成物を上記反応器内の収集表面に凝縮物として収集することを特 徴とする請求項12に記載の方法。 14.フラーレンを分離するのに効果的な条件下で凝縮炭素生成物を抽出用非極性 有機溶媒と接触させることによって少なくとも1種のフラーレンを凝縮炭素生成 物から分離することを特徴とする請求項12に記載の方法。 15.急冷媒体がフラーレンを可溶化するのに効果的な液状炭化水素よりなること を特徴とする請求項1に記載の方法。 16.流体形態の炭素をこれに熱を加えながら反応帯域へ連続的に供給して炭素を 気化することを特徴とする請求項1に記載の方法。 17.微粒子炭素をこれに熱を加えながら反応帯域へ連続的に供給して炭素を気化 することを特徴とする請求項2に記載の方法。 18.微粒子炭素をこれに熱を加えながら反応帯域へ連続的に供給して炭素を気化 することを特徴とする請求項4に記載の方法。 19.反応帯域における上記炭素粒子と隣接電極との間にアークを生じるのに効果 的な電力の付与により発生される熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項2 に記載の方法。 20.反応帯域における上記炭素粒子と隣接電極との間にアークを生じるのに効果 的な電力の付与により発生される熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項1 5に記載の方法。 21.反応帯域における上記炭素粒子と隣接電極との間にアークを生じるのに効果 的な電力の付与により発生される熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項1 6に記載の方法。 22.反応帯域における上記炭素粒子と隣接電極との間にアークを生じるのに効果 的な電力の付与により発生される熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項1 7に記載の方法。 23.微粒子炭素を隣接電極の下流で反応帯域へ供給することを特徴とする請求項 19に記載の方法。 24.微粒子炭素を隣接電極の下流で反応帯域へ供給することを特徴とする請求項 20に記載の方法。 25.微粒子炭素を隣接電極の開口部を通して反応帯域へ供給することを特徴とす る請求項19に記載の方法。 26.交流電流により誘発されるプラズマに発生される熱を反応帯域に施すことを 特徴とする請求項1に記載の方法。 27.直流電流により誘発されるプラズマに発生さえる熱を反応帯域に施すことを 特徴とする請求項1に記載の方法。 28.反応器の少なくとも一部を取り囲む誘導コイルに生じられる交流電流の付与 によって誘発されるプラズマに発生される熱を反応帯域に施すことを特徴とする 請求項2に記載の方法。 29.反応器の少なくとも一部を取り囲む誘導コイルに生じられる交流電流の付与 によって誘発されるプラズマに発生される熱を反応帯域に施すことを特徴とする 請求項17に記載の方法。 30.プラズマを誘発するために付与された交流電流はマイクロ波周波数の範囲で あることを特徴とする請求項26に記載の方法。 31.プラズマを誘発するために付与された交流電流はメガヘルツ周波数の範囲で あることを特徴とする請求項26に記載の方法。 32.スパッタリング装置により発生された熱を反応帯域に施し、反応帯域で不活 性ガスをイオン化し、促進、炭素原子に衝突するように差し向け、それにより炭 素原子を移動させるか或いは気化させることを特徴とする請求項1に記載の方法 。 33.スパッタリング装置により発生された熱を反応帯域に施し、反応帯域で不活 性ガスをイオン化し、促進、炭素原子に衝突するように差し向けることを特徴と する請求項2に記載の方法。 34.スパッタリング装置により発生された熱を反応帯域における原子に施し、反 応帯域で不活性ガスをイオン化し、促進、炭素原子に衝突するように差し向ける ことを特徴とする請求項17に記載の方法。 35.反応帯域内の炭素原子に衝突するように差し向けられたレーザビームにより 発生された熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項1に記載の方法。 36.反応帯域内の炭素原子に衝突するように差し向けられたレーザビームにより 発生された熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項2に記載の方法。 37.反応帯域で炭素原子に衝突するように差し向けられたレーザビームにより発 生された熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項17に記載の方法。 38.反応帯域で炭素原子に衝突するように差し向けられ電子ビームにより発生さ れた熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項1に記載の方法。 39.反応帯域で炭素原子に衝突するように差し向けられ電子ビームにより発生さ れた熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項2に記載の方法。 40.反応帯域で炭素原子に衝突するように差し向けられ電子ビームにより発生さ れた熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項17に記載の方法。 41.急冷媒体は10-3〜10-6 torrの範囲の圧力にある不活性急冷ガスの雰囲気よ りなることを特徴とする請求項35に記載の方法。 42.急冷媒体は10-3〜10-6 torrの範囲の圧力にある不活性急冷ガスの雰囲気よ りなることを特徴とする請求項38に記載の方法。 43.スパッタリング装置により発生された熱を炭素に施すことによって炭素を蒸 発させ、蒸発炭素を凝縮させるための急冷媒体を収容した環境における反応帯域 で不活性ガスをイオン化し、促進し、そして炭素原子に衝突するように差し向け 、急冷炭素生成物を収集し、炭素生成物中に含有される少なくとも一つのフラー レンをいずれもの他の成分から分離することを特徴とするフラーレンを製造する 方法。 44.蒸発された炭素生成物を凝縮するための急冷媒体を10-3〜10-6 torrの範囲 の圧力下で収容する環境における反応帯域で炭素原子に衝突するように差し向け られたレーザビームにより発生された熱を施すことによって炭素を蒸発させ、炭 素生成物中に含有される少なくとも一つのフラーレンをいずれもの他の成分から 分離することを特徴とすることを特徴とするフラーレンを製造する方法。 45.蒸発された炭素生成物を凝縮するための急冷媒体を収容する環境における反 応帯域に差し向けられた電子ビームにより発生された熱を施すことによって炭素 を蒸発させ、炭素生成物中に含有される少なくとも一つのフラーレンをいずれも の他の成分から分離することを特徴とすることを特徴とするフラーレンを製造す る方法。 46.反応帯域において或る量の微粒子炭素を収容し、上記反応帯域のまわりに急 冷媒体を収容するのに適した閉鎖反応器を構成する手段と、微粒子炭素を気化 するのに効果的な熱を上記反応帯域内の微粒子炭素に施すための手段と、上記反 応器において気化炭素を急冷するのに効果的な圧力で急冷媒体を導入するための 手段と、上記反応器における凝縮炭素を収集するための手段と、炭素微粒子を上 記反応帯域へ実質的に連続的に供給して気化熱を炭素微粒子に施すための手段と を備えたことを特徴とするフラーレンを製造する装置。 47.反応帯域に熱を施すための上記手段はアークを生じるための第1および第2 の間隔を隔てた電極に付与される電力源よりなることを特徴とする請求項46に 記載の装置。 48.上記電極のうちの一方は気化すべき上記微粒子炭素の床よりなることを特徴 49.上記電極のうちの他方は孔を有しており、炭素微粒子を供給する手段が上記 微粒子を上記孔を通して反応帯域へ供給することを特徴とする請求項48に記載 の装置。 50.反応帯域に熱を施すための上記手段は、反応帯域を効果的に取り囲む誘導コ イルに接続されて上記反応帯域における不活性ガス中にプラズマを誘発するため の電力源よりなることを特徴とする請求項46に記載の装置。 51.誘導コイルは上記反応器の壁部の外側に位置決めされており、誘導コイル内 の反応器の壁部は非導電性材料で形成されていることを特徴とする請求項50に 記載の装置。 52.反応帯域における炭素に熱を施すための手段は上記反応帯域に差し向けられ るマイクロ波エネルギの源よりなることを特徴とする請求項46に記載の装置。 53.反応帯域における炭素に熱を施すための手段は、上記反応器において不活性 ガスをイオン化してイオンを生じるための手段と、上記イオンを促進して反応帯 域における炭素原子に衝突するように差し向けるための手段とを備えたスパッタ リング装置よりなることを特徴とする請求項46に記載の装置。 54.反応帯域における炭素に熱を施すための手段は、反応帯域における炭素原子 を気化するのに効果的なレーザビームを発生させて上記反応帯域の中へ差し向け るための手段を備えたレーザ装置よりなることを特徴とする請求項46に記載の 装置。 55.反応帯域における炭素に熱を施すための手段は、反応帯域における炭素原子 を気化するのに効果的なレーザビームを発生させて上記反応帯域の中へ差し向け るための手段を備えた電子ビーム装置よりなることを特徴とする請求項46に記 載の装置。 56.急冷媒体は10-3〜10-6 torrの範囲の圧力の不活性ガスよりなることを特徴 とする請求項54に記載の装置。 57.急冷媒体は10-3〜10-6 torrの範囲の圧力の不活性ガスよりなることを特徴 とする請求項55に記載の装置。 58.フラーレンを上記炭化水素急冷媒体に溶解された急冷炭素生成物として生じ 、上記フラーレンを上記急冷媒体から回収することを特徴とする請求項15に記 載の方法。 59.反応帯域における液状急冷媒体は本質的に大気圧に保持されることを特徴と する請求項15に記載の方法。 60.電力を脈動方法で付与することを特徴とする請求項20に記載の方法。 61.反応帯域に液状炭化水素急冷媒体を収容するのに適した反応器容器を構成す る手段と、或る量の炭素を上記反応帯域に保持する手段と、上記反応帯域内の炭 素にこれを気化するのに効果的な熱を施すための手段と、反応帯域を浸漬させ且 つフラーレンを可溶化するのに効果的である上記反応器容器内の液状炭化水素急 冷媒体とを備えたことを特徴とするフラーレンを製造する装置。 62.反応帯域内の炭素に熱を施すための手段は、電力源に接続されて上記反応帯 域に電気アークを生じるための一対の間隔を隔てた電極よりなることを特徴とす る請求項61に記載の装置。 63.上記電極のうちの少なくとも一方は上記液状媒体に浸漬された或る量の微粒 子炭素よりなることを特徴とする請求項62に記載の装置。 64.上記反応器容器内の液状急冷媒体から熱を導くための熱交換装置を更に備え たことを特徴とする請求項61に記載のフラーレンを製造する装置。 65.不活性ガスで開始されたプラズマに発生された熱を反応帯域に施すことを特 徴とする請求項5に記載の方法。 66.不活性ガスがアルゴンであることを特徴とする請求項65に記載の方法。 67.不活性ガスがヘリウムであることを特徴とする請求項65に記載の方法。 68.炭化水素が1またはそれ以下の水素対炭素比を有することを特徴とする請求 項65に記載の方法。 69.不活性ガスがヘリウムであり、それにより炭素生成物がC60の形態の実質的 に純粋な炭素よりなることを特徴とする請求項68に記載の方法。 70.炭化水素がアセチレンであることを特徴とする請求項65に記載の方法。 71.蒸発炭素を凝縮させるための急冷媒体よりなる環境を有する反応器内の反応 帯域に発生された熱を施すことによって炭素を蒸発させ、急冷炭素生成物を収集 し、炭素生成物中に含有された少なくとも一種のフラーレンを得、炭素を炭化水 素の成分として反応帯域へ供給し、反応帯域を、炭化水素を分解するのに効果的 な温度まで加熱することを特徴とするフラーレンを製造する方法。 72.炭化水素がアセチレンであることを特徴とする請求項71に記載の方法。 73.炭化水素が1またはそれ以下の水素対炭素比を有することを特徴とする請求 項71に記載の方法。 74.急冷媒体が10-6〜760 torrの雰囲気中のヘリウムよりなることを特徴とする 請求項71に記載の方法。 75.炭化水素が天然ガスであることを特徴とする請求項71に記載の方法。 76.急冷媒体が10-6〜760 torrの雰囲気中のヘリウムよりなることを特徴とする 請求項75に記載の方法。 77.反応帯域に位置決めされた抵抗要素に電力源を付与することによって熱を生 じることを特徴とする請求項71に記載の方法。 78.抵抗要素がタングステンフィラメントであることを特徴とする請求項77に 記載の方法。 79.抵抗要素が炭素フィラメントであることを特徴とする請求項77に記載の方 法。 80.蒸発炭素を凝縮させるための急冷媒体よりなる環境を有する反応器内の反応 帯域に燃焼により発生された熱を施すことによって炭素を蒸発させ、急冷炭素生 成物を収集し、炭素生成物中に含有された少なくとも一つのフラーレンを得るこ とを特徴とするフラーレンを製造する方法。 81.炭素を炭化水素の成分として反応帯域へ供給し、反応帯域を、炭化水素を分 解するのに効果的な温度まで加熱することを特徴とする請求項80に記載の方法 。 82.炭素を炭化水素と微粒子炭素との組み合わせとして反応帯域へ供給すること を特徴とする請求項71に記載の方法。 83.炭素を炭化水素と微粒子炭素との組み合わせとして反応帯域へ供給すること を特徴とする請求項80に記載の方法。 84.炭化水素が1またはそれ以下の水素対炭素比を有することを特徴とする請求 項81に記載の方法。 85.炭化水素がアセチレンであることを特徴とする請求項81に記載の方法。 86.炭化水素がトルエンであることを特徴とする請求項81に記載の方法。 87.炭化水素がナフタレンであることを特徴とする請求項81に記載の方法。 88.反応器内の急冷媒体が10-6〜760 torrの範囲の圧力にあることを特徴とする 請求項80に記載の方法。 89.反応器内の急冷媒体が10-6〜760 torrの範囲の圧力にあることを特徴とする 請求項81に記載の方法。 90.反応帯域内の炭素に熱を施す手段が反応帯域内の炭素原子を気化するように 作用する電子ビームを発生させて上記反応帯域の中へ差し向けるための手段を更 に備えていることを特徴とする請求項53に記載の装置。 91.誘導コイルは上記反応器の壁部内に位置決めされていることを特徴とする請 求項50に記載の装置。 92.無電極源からの熱を反応帯域に施すことを特徴とする請求項80に記載の方 法。 93.無電極源を使用して燃焼が起こる反応帯域にプラズマを発生させることを特 徴とする請求項92に記載の方法。 94.流体形態の炭素と陰極である隣接電極との間に直流電流を付与することによ り生じられる電気アークにより熱を反応帯域へ供給し、陰極に付着した急冷炭素 生成物を選択的に収集することを特徴とする請求項1に記載の方法。 95.流体形態の炭素が微粒子形態であることを特徴とする請求項94に記載の方 法。 96.急冷媒体が貴ガスであることを特徴とする請求項94に記載の方法。 97.貴ガスが200 torrのヘリウムであることを特徴とする請求項96に記載の 方法。 98.反応帯域は10-3torrまでポンプ引きし、アルゴンを再充填し、10-3torrまで 再ポンプ引きし、そしてへリウムを200 torrまで再充填することによって形成さ れた反応帯域であることを特徴とする請求項97に記載の方法。 99.急冷媒体が貴ガスであることを特徴とする請求項95に記載の方法。 100.上記電極のうちの一方が気化すべき微粒子炭素の床を移送する供給手段から 炭素微粒子を受けるように配置された平板であり、上記電極のうちの他方が板電 極の上方に設けられており、それにより上記平板上の微粒子が上記電極間に配置 され、電極間にアークを生じるための電力源が上記電極に接続されており、上記 板電極を回転させるための手段が設けられており、それにより上記板上の炭素微 粒子の床が上記電極間に生じられたアークに連続的に通されることを特徴とする 請求項47に記載の装置。 101.電極のうちの一方が供給手段から受ける微粒子炭素床を移送するための手段 よりなり、電極のうちの一方を他方に対して移動させるための手段が設けられて おり、それにより上記電極間に生じられたアークが上記一方の電極により移送さ れた炭素微粒子床を横切って延びることをことを特徴とする請求項47に記載の 装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005533745A (ja) * 2002-07-22 2005-11-10 ライプニッツ−インスティトゥート フュア フェストケルパー− ウント ヴェルクシュトフフォルシュング ドレスデン エー ファオ 内包フラーレンの製造方法
JP2006199564A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Nachi Fujikoshi Corp カーボンオニオンの製造方法
JP2007169159A (ja) * 2001-09-06 2007-07-05 Rosseter Holdings Ltd ナノ粒子及びナノチューブの生成装置及び生成方法、並びにガス貯蔵のためのこれらの使用
JP2018067391A (ja) * 2016-10-17 2018-04-26 福伸工業株式会社 プラズマ発生装置及び方法並びにこれらを用いた微粒子製造装置及び方法

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5698174A (en) * 1992-09-16 1997-12-16 Hoechst Aktiengesellschaft Process for separating fullerenes
US6063243A (en) * 1995-02-14 2000-05-16 The Regents Of The Univeristy Of California Method for making nanotubes and nanoparticles
JP3047062B2 (ja) * 1996-09-20 2000-05-29 大阪府 ガスセンサ
AU1739297A (en) * 1996-11-13 1998-06-03 Viktor Ivanovich Petrik Method and device for producing fullerenes
FR2764280B1 (fr) 1997-06-06 1999-07-16 Yvan Alfred Schwob Procede pour la fabrication de carbone 60
US6083469A (en) * 1998-04-10 2000-07-04 Leftin; Harry Paul Pyrolysis process for making fullerenes
US6884405B2 (en) * 1999-03-23 2005-04-26 Rosseter Holdings Limited Method and device for producing higher fullerenes and nanotubes
US6620465B2 (en) * 1999-04-23 2003-09-16 General Electric Company Physical properties of thermal barrier coatings using electron beam-physical vapor deposition
WO2001010546A1 (en) * 1999-08-11 2001-02-15 Hadronic Press, Inc. Magnegas, a novel, highly efficient, nonpollutant, oxygen rich and cost competitive combustible gas and associated method
US6216631B1 (en) * 1999-08-12 2001-04-17 The Mitre Corporation Robotic manipulation system utilizing patterned granular motion
US20020093121A1 (en) * 1999-08-25 2002-07-18 Graftech Inc. Cover glass adhering device
US6806397B1 (en) 1999-09-17 2004-10-19 Ut-Battelle, Llc Synthesis of condensed phases containing polycyclic aromatic hydrocarbons fullerenes and nanotubes
US6495116B1 (en) * 2000-04-10 2002-12-17 Lockheed Martin Corporation Net shape manufacturing using carbon nanotubes
US6605195B2 (en) 2000-04-14 2003-08-12 Seagate Technology Llc Multi-layer deposition process using four ring sputter sources
US6855231B2 (en) 2000-04-18 2005-02-15 Sony Corporation Method and system for production fullerene
US6645438B1 (en) * 2000-05-05 2003-11-11 New Jersey Institute Of Technology Methods and apparatus for producing fullerenes in large quantities from liquid hydrocarbons
JP2001348215A (ja) * 2000-05-31 2001-12-18 Fuji Xerox Co Ltd カーボンナノチューブおよび/またはフラーレンの製造方法、並びにその製造装置
JP4604342B2 (ja) * 2000-12-08 2011-01-05 ソニー株式会社 カーボンナノ構造体の合成用のアーク電極
US6790242B2 (en) * 2000-12-29 2004-09-14 Lam Research Corporation Fullerene coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
KR100385574B1 (ko) * 2001-02-10 2003-05-27 최만수 쉘 형상의 탄소 미세입자 제조방법
JP4724930B2 (ja) 2001-03-01 2011-07-13 ソニー株式会社 炭素質材料の製造方法及び製造装置
US20050034668A1 (en) * 2001-03-22 2005-02-17 Garvey James F. Multi-component substances and apparatus for preparation thereof
JP2003041305A (ja) * 2001-07-27 2003-02-13 Fuji Photo Film Co Ltd 超微粒子、並びに、その製造方法及び製造装置
US6887291B2 (en) * 2001-08-30 2005-05-03 Tda Research, Inc. Filter devices and methods for carbon nanomaterial collection
US7150863B2 (en) * 2001-08-30 2006-12-19 Tda Research, Inc. Polynuclear aromatic hydrocarbons for fullerene synthesis in flames
JP3984957B2 (ja) * 2001-08-30 2007-10-03 ティーディーエイ リサーチ インコーポレイテッド 燃焼フラーレンから不純物を除去する方法
US7279137B2 (en) * 2001-08-30 2007-10-09 Tda Research, Inc. Burners and combustion apparatus for carbon nanomaterial production
JP2003176114A (ja) * 2001-10-04 2003-06-24 Canon Inc フラーレンの製造方法
US7157066B2 (en) * 2001-12-05 2007-01-02 Tda Research, Inc. Combustion process for synthesis of carbon nanomaterials from liquid hydrocarbon
US20070122622A1 (en) * 2002-04-23 2007-05-31 Freedman Philip D Electronic module with thermal dissipating surface
US7208191B2 (en) * 2002-04-23 2007-04-24 Freedman Philip D Structure with heat dissipating device and method
CA2584508A1 (en) * 2002-05-09 2003-11-09 Institut National De La Recherche Scientifique Method for producing single-wall carbon nanotubes
ITPD20020316A1 (it) * 2002-12-11 2004-06-12 Mauro Schiavon Dispositivo e metodo per la creazione di fullereni e/o nanotubi
CN1747896A (zh) * 2003-02-10 2006-03-15 日本电气株式会社 纳米碳的制造装置和纳米碳的制造方法
DE10312494A1 (de) * 2003-03-20 2004-10-07 Association pour la Recherche et le Développement des Méthodes et Processus Industriels (Armines) Kohlenstoff-Nanostrukturen und Verfahren zur Herstellung von Nanoröhren, Nanofasern und Nanostrukturen auf Kohlenstoff-Basis
JP2004292231A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Canon Inc ナノカーボン材料の製造方法
WO2005007565A2 (en) * 2003-06-10 2005-01-27 Nuvotec, Inc. Continuous production of carbon nanomaterials using a high temperature inductively coupled plasma
US20070122529A1 (en) * 2003-08-21 2007-05-31 Advanced Nutri-Tech Systems Inc. Fruit sponge
CH696828A5 (de) * 2003-11-18 2007-12-14 Oerlikon Trading Ag Zündvorrichtung.
US20050230240A1 (en) * 2004-03-09 2005-10-20 Roman Dubrovsky Method and apparatus for carbon allotropes synthesis
JP4708337B2 (ja) * 2004-05-25 2011-06-22 学校法人 東洋大学 二酸化炭素の分解方法と炭素粒子構造体の形成方法
US7563426B2 (en) * 2004-07-09 2009-07-21 Clean Technologies International Corporation Method and apparatus for preparing a collection surface for use in producing carbon nanostructures
US7922993B2 (en) * 2004-07-09 2011-04-12 Clean Technology International Corporation Spherical carbon nanostructure and method for producing spherical carbon nanostructures
US20060008403A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Clean Technologies International Corporation Reactant liquid system for facilitating the production of carbon nanostructures
US7587985B2 (en) * 2004-08-16 2009-09-15 Clean Technology International Corporation Method and apparatus for producing fine carbon particles
US20060127285A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Von Drasek William A Method and apparatus for flameless carbon black deposition
CA2500766A1 (en) * 2005-03-14 2006-09-14 National Research Council Of Canada Method and apparatus for the continuous production and functionalization of single-walled carbon nanotubes using a high frequency induction plasma torch
BG65887B1 (bg) * 2005-07-20 2010-04-30 Димо ГЪРЛАНОВ Плазмен метод и устройство за получаване на наноматериали
US20070116889A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Federal Mogul World Wide, Inc. Laser treatment of metal
CN100406376C (zh) * 2005-11-25 2008-07-30 中国科学院金属研究所 一种热解碳球的制备方法
WO2007081493A2 (en) * 2005-12-14 2007-07-19 Mobilestream Oil, Inc. Microwave-based recovery of hydrocarbons and fossil fuels
US9681529B1 (en) * 2006-01-06 2017-06-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Microwave adapting plasma torch module
US7927465B2 (en) * 2006-02-02 2011-04-19 Novak John F Method and apparatus for microwave reduction of organic compounds
US8882970B2 (en) * 2006-04-24 2014-11-11 Nec Corporation Apparatus and method for manufacturing carbon nanohorns
WO2007130613A2 (en) * 2006-05-04 2007-11-15 Sri International Multiarc discharge moving bed reactor system
US7816619B2 (en) * 2007-03-21 2010-10-19 Nebojsa Jaksic Methods and apparatus for manufacturing carbon nanotubes
EP2232142A2 (de) * 2008-01-18 2010-09-29 Innovent e.V. Technologieentwicklung Vorrichtung und verfahren zum aufrechterhalten und betrieb einer flamme
US8623470B2 (en) * 2008-06-20 2014-01-07 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Process to make core-shell structured nanoparticles
US7998449B2 (en) * 2009-05-16 2011-08-16 Heiko Ackermann Carbon nanotubes production process
RU2549850C2 (ru) * 2013-02-19 2015-04-27 Общество с ограниченной ответственностью "ФАКТОРИЯ ЛС" Устройство для получения неорганических материалов
RU2554512C1 (ru) * 2014-03-27 2015-06-27 Общество с ограниченной ответственностью "Нью Инфлоу" Способ получения тепловой и электрической энергии и устройство для его реализации
WO2018069837A1 (en) * 2016-10-10 2018-04-19 King Abdullah University Of Science And Technology Burners for conversion of methane to olefins, aromatics, and nanoparticles
US9862606B1 (en) * 2017-03-27 2018-01-09 Lyten, Inc. Carbon allotropes
US11208329B2 (en) * 2017-08-10 2021-12-28 Nec Corporation Production member and production apparatus for carbon nanohorn aggregate
CN110342499B (zh) * 2019-07-26 2022-05-27 广西科学院 一种生物质高温碳化末端微氧烧蚀制备类富勒烯碳球的方法
US11508498B2 (en) 2019-11-26 2022-11-22 Trimtabs Ltd Cables and methods thereof
RU2738744C1 (ru) * 2019-12-31 2020-12-16 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королёва" Способ получения тепловой и электрической энергии и устройство для его реализации
US12042861B2 (en) 2021-03-31 2024-07-23 6K Inc. Systems and methods for additive manufacturing of metal nitride ceramics
CN113247881B (zh) * 2021-05-17 2023-06-20 常州大学 一种甲烷等离子体裂解制备纳米碳的装置及方法
US12040162B2 (en) 2022-06-09 2024-07-16 6K Inc. Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing an upstream swirl module and composite gas flows
WO2024044498A1 (en) * 2022-08-25 2024-02-29 6K Inc. Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing a powder ingress preventor (pip)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US961912A (en) * 1907-02-04 1910-06-21 Frank J Tone Method of heating carbon.
US2165820A (en) * 1934-12-29 1939-07-11 Standard Oil Dev Co Manufacture of acetylene
US3904501A (en) * 1973-10-04 1975-09-09 Massachusetts Inst Technology Fluorine plasma synthesis for carbon monofluorides
JPS63107898A (ja) * 1986-10-23 1988-05-12 Natl Inst For Res In Inorg Mater プラズマを用いるダイヤモンドの合成法
US4767931A (en) * 1986-12-17 1988-08-30 Hitachi, Ltd. Ion beam apparatus
FR2663969A1 (fr) * 1990-06-29 1992-01-03 Komatsu Europ Sa Procede et dispositif de securite pour engins de chantier.
ATE136853T1 (de) * 1990-10-09 1996-05-15 Transmission Systems Advanced Rückrollsperre
JP3088784B2 (ja) * 1991-06-24 2000-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 C60作製方法
JPH05124807A (ja) * 1991-08-07 1993-05-21 Mitsubishi Kasei Corp フラーレン類の製造方法
US5227038A (en) * 1991-10-04 1993-07-13 William Marsh Rice University Electric arc process for making fullerenes
US5316636A (en) * 1992-08-12 1994-05-31 The Regents Of The University Of California Production of fullerenes by electron beam evaporation

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007169159A (ja) * 2001-09-06 2007-07-05 Rosseter Holdings Ltd ナノ粒子及びナノチューブの生成装置及び生成方法、並びにガス貯蔵のためのこれらの使用
JP2005533745A (ja) * 2002-07-22 2005-11-10 ライプニッツ−インスティトゥート フュア フェストケルパー− ウント ヴェルクシュトフフォルシュング ドレスデン エー ファオ 内包フラーレンの製造方法
JP2006199564A (ja) * 2005-01-24 2006-08-03 Nachi Fujikoshi Corp カーボンオニオンの製造方法
JP4680612B2 (ja) * 2005-01-24 2011-05-11 株式会社不二越 カーボンオニオンの製造方法
JP2018067391A (ja) * 2016-10-17 2018-04-26 福伸工業株式会社 プラズマ発生装置及び方法並びにこれらを用いた微粒子製造装置及び方法

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