JP2003176114A - フラーレンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 機能デバイスや医薬品などへの各種の応用が
期待されているフラーレンを簡単な製造工程と安価な装
置で大量に製造することができるようにする。 【解決手段】 芳香族化合物を含有する原料を、３１℃
〜５００℃の範囲内の温度、３．８ＭＰａ〜６０ＭＰａ
の範囲内の圧力下で超臨界流体又は亜臨界流体と接触さ
せる工程を用いてフラーレンを得る。
期待されているフラーレンを簡単な製造工程と安価な装
置で大量に製造することができるようにする。 【解決手段】 芳香族化合物を含有する原料を、３１℃
〜５００℃の範囲内の温度、３．８ＭＰａ〜６０ＭＰａ
の範囲内の圧力下で超臨界流体又は亜臨界流体と接触さ
せる工程を用いてフラーレンを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラーレンの製造
方法に関する。より詳しくは、安価な原料からフラーレ
ンを量産可能な製造方法に関する。
方法に関する。より詳しくは、安価な原料からフラーレ
ンを量産可能な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１９８５年に炭素原子６０個から成るサ
ッカーボール状分子のフラーレンＣ60がＨ． Ｗ． Ｋ
ｒｏｔｏ，Ｒ． Ｅ． Ｓｍａｌｌｒｙ，Ｒ． Ｆ．
Ｃｕｒｌによって発見されてから、炭素原子７０個のＣ
70、炭素原子の７６個のＣ76、炭素原子７８個のＣ78、
炭素原子８２個のＣ82、炭素原子８４個のＣ84、炭素原
子８６個のＣ86、炭素原子８８個のＣ88、炭素原子９０
個のＣ90、炭素原子９４個のＣ94、炭素原子９６個のＣ
96などが相次いで発見され、さらに金属元素を内包した
フラーレンも発見されており、機能デバイスや医薬品な
どへの各種の応用研究が活発になされて来ている。
ッカーボール状分子のフラーレンＣ60がＨ． Ｗ． Ｋ
ｒｏｔｏ，Ｒ． Ｅ． Ｓｍａｌｌｒｙ，Ｒ． Ｆ．
Ｃｕｒｌによって発見されてから、炭素原子７０個のＣ
70、炭素原子の７６個のＣ76、炭素原子７８個のＣ78、
炭素原子８２個のＣ82、炭素原子８４個のＣ84、炭素原
子８６個のＣ86、炭素原子８８個のＣ88、炭素原子９０
個のＣ90、炭素原子９４個のＣ94、炭素原子９６個のＣ
96などが相次いで発見され、さらに金属元素を内包した
フラーレンも発見されており、機能デバイスや医薬品な
どへの各種の応用研究が活発になされて来ている。
【０００３】従来、フラーレンの製造方法としては、１
２００℃程度の高温に加熱したアルゴンガスあるいはヘ
リウムガス流の中で黒鉛にレーザーを照射して得られる
ススから抽出する加熱フローガス中レーザー蒸発法、ヘ
リウムガス中で黒鉛棒を通電加熱して得られるススから
抽出する抵抗加熱法、２本の黒鉛電極間でアーク放電を
起こし得られた炭素媒から抽出するアーク放電法、高周
波誘導により原料黒鉛に渦電流を流し加熱蒸発させて得
られるススから抽出する高周波誘導加熱法、ベンゼンと
酸素の混合ガスをアルゴンガスで希釈し得燃焼させて得
られるススから抽出する燃焼法、などが開発されてい
る。
２００℃程度の高温に加熱したアルゴンガスあるいはヘ
リウムガス流の中で黒鉛にレーザーを照射して得られる
ススから抽出する加熱フローガス中レーザー蒸発法、ヘ
リウムガス中で黒鉛棒を通電加熱して得られるススから
抽出する抵抗加熱法、２本の黒鉛電極間でアーク放電を
起こし得られた炭素媒から抽出するアーク放電法、高周
波誘導により原料黒鉛に渦電流を流し加熱蒸発させて得
られるススから抽出する高周波誘導加熱法、ベンゼンと
酸素の混合ガスをアルゴンガスで希釈し得燃焼させて得
られるススから抽出する燃焼法、などが開発されてい
る。
【０００４】特許文献１には、不活性ガスで充填された
容器の中に配置された炭素棒と金属棒からなる一対の電
極にアーク放電または抵抗加熱して炭素クラスターを製
造する方法が提案されている。特許文献２や特許文献３
には、発生した熱プラズマ中に芳香族化合物を供給して
得られる固形分からフラーレンを分離する製造方法が提
案されている。
容器の中に配置された炭素棒と金属棒からなる一対の電
極にアーク放電または抵抗加熱して炭素クラスターを製
造する方法が提案されている。特許文献２や特許文献３
には、発生した熱プラズマ中に芳香族化合物を供給して
得られる固形分からフラーレンを分離する製造方法が提
案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１８６８６５号公報
【特許文献２】特開平６−５６４１４号公報
【特許文献３】特開平６−３２６０６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のフラーレンの製造方法では、原料及び製造装置のコ
ストが高く、収量も低いため、安価に大量に合成するこ
とができないという問題点がある。
来のフラーレンの製造方法では、原料及び製造装置のコ
ストが高く、収量も低いため、安価に大量に合成するこ
とができないという問題点がある。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、機能デバイスや医薬品などへの各種の応用が期
待されているフラーレンを簡単な製造工程と安価な装置
で大量に製造することができるようにすることを目的と
する。
であり、機能デバイスや医薬品などへの各種の応用が期
待されているフラーレンを簡単な製造工程と安価な装置
で大量に製造することができるようにすることを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、芳
香族化合物を含有する原料を、３１℃〜５００℃の範囲
内の温度、３．８ＭＰａ〜６０ＭＰａの範囲内の圧力下
で超臨界流体又は亜臨界流体と接触させる工程（ａ）を
有することを特徴とするフラーレンの製造方法である。
香族化合物を含有する原料を、３１℃〜５００℃の範囲
内の温度、３．８ＭＰａ〜６０ＭＰａの範囲内の圧力下
で超臨界流体又は亜臨界流体と接触させる工程（ａ）を
有することを特徴とするフラーレンの製造方法である。
【０００９】ここで、前記超臨界流体又は亜臨界流体
を、原料の芳香族化合物、原料の芳香族化合物を溶解す
る溶媒、水、亜酸化窒素及びアンモニアの内から選択さ
れる少なくとも一種によって形成することが好ましい。
原料の芳香族化合物を溶解する溶媒は、二酸化炭素、ア
ルコール、炭化水素、から選択される一種以上からなる
ことが好ましい。
を、原料の芳香族化合物、原料の芳香族化合物を溶解す
る溶媒、水、亜酸化窒素及びアンモニアの内から選択さ
れる少なくとも一種によって形成することが好ましい。
原料の芳香族化合物を溶解する溶媒は、二酸化炭素、ア
ルコール、炭化水素、から選択される一種以上からなる
ことが好ましい。
【００１０】また、前記原料と超臨界流体又は亜臨界流
体との接触を、２５０℃〜５００℃の範囲内の温度で行
うことが好ましい。
体との接触を、２５０℃〜５００℃の範囲内の温度で行
うことが好ましい。
【００１１】また、前記芳香族化合物を含有する原料
が、ベンゼン、トルエン、キシレン、ピッチ、ピッチコ
ークス、石油コークス、コールタール、フルオランテ
ン、ピレン、クリセン、フェナントレン、アントラセ
ン、ナフタレン、メチルナフタレン、フルオレン、ビフ
ェニル及びアセナフテンから選ばれる少なくとも一種か
らなることが好ましい。
が、ベンゼン、トルエン、キシレン、ピッチ、ピッチコ
ークス、石油コークス、コールタール、フルオランテ
ン、ピレン、クリセン、フェナントレン、アントラセ
ン、ナフタレン、メチルナフタレン、フルオレン、ビフ
ェニル及びアセナフテンから選ばれる少なくとも一種か
らなることが好ましい。
【００１２】さらに、前記原料と超臨界流体又は亜臨界
流体との接触工程（ａ）で得られた反応生成物を３００
〜６００℃の温度で熱処理する工程（ｂ）を施すことが
好ましい。この工程（ｂ）の熱処理は、アルゴンガス、
ヘリウムガス及び窒素ガスから選択される少なくとも一
種以上のガス雰囲気下で行うことが好ましい。
流体との接触工程（ａ）で得られた反応生成物を３００
〜６００℃の温度で熱処理する工程（ｂ）を施すことが
好ましい。この工程（ｂ）の熱処理は、アルゴンガス、
ヘリウムガス及び窒素ガスから選択される少なくとも一
種以上のガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【００１３】さらに、前記熱処理工程（ｂ）を経た熱処
理済み生成物から、フラーレンを溶解する溶媒にて溶解
する成分を抽出する工程（ｃ）を行うことが好ましい。
その際用いるフラーレンを溶解する溶媒としては、トル
エン、キシレン、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン、１−メチ
ルナフタレン、１−クロロナフタレン、テトラリン、ア
ニソール、１，１，２，２−テトラクロロエタン、デカ
リン、２−メチルチオフェン、二硫化炭素及びシクロヘ
キセンから選択される一種類以上からなる無極性溶媒が
好適に用いられる。
理済み生成物から、フラーレンを溶解する溶媒にて溶解
する成分を抽出する工程（ｃ）を行うことが好ましい。
その際用いるフラーレンを溶解する溶媒としては、トル
エン、キシレン、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン、１−メチ
ルナフタレン、１−クロロナフタレン、テトラリン、ア
ニソール、１，１，２，２−テトラクロロエタン、デカ
リン、２−メチルチオフェン、二硫化炭素及びシクロヘ
キセンから選択される一種類以上からなる無極性溶媒が
好適に用いられる。
【００１４】また、前記原料と前記超臨界流体又は亜臨
界流体との接触時に、遷移金属及び遷移金属化合物から
選択される一種以上を存在させることが好ましい。その
際用いる遷移金属化合物としては、遷移金属ハロゲン化
物、遷移金属硫化物、遷移金属硫化物、遷移金属炭化
物、有機遷移金属化合物、遷移金属窒化物及び遷移金属
酸化物から選択される一種以上が挙げられる。また、前
記遷移金属もしくは遷移金属化合物を構成する遷移金属
元素としては、ニッケル、コバルト、鉄、銅、クロム、
タングステン、モリブデン、チタン及びロジウムから選
択される一種類以上の元素が好適である。また、前記有
機遷移金属化合物としては、フェロセン、ニッケロセ
ン、ニッケルフタロシアニン、コバルトフタロシアニ
ン、銅フタロシアニン、ニッケルアセチルアセトナー
ト、コバルトアセチルアセトナート、鉄アセチルアセト
ナート、銅アセチルアセトナート、ニッケルカルボニ
ル、コバルトカルボニル、鉄カルボニル、ビス（トリフ
ェニルホスフィン）ジカルボニルニッケル、ジブロモビ
ス（トリフェニルホスフィン）ニッケル及びクロロトリ
ス（トリフェニルホスフィン）ロジウムからなる有機遷
移金属化合物の群から選択されるものが好適である。
界流体との接触時に、遷移金属及び遷移金属化合物から
選択される一種以上を存在させることが好ましい。その
際用いる遷移金属化合物としては、遷移金属ハロゲン化
物、遷移金属硫化物、遷移金属硫化物、遷移金属炭化
物、有機遷移金属化合物、遷移金属窒化物及び遷移金属
酸化物から選択される一種以上が挙げられる。また、前
記遷移金属もしくは遷移金属化合物を構成する遷移金属
元素としては、ニッケル、コバルト、鉄、銅、クロム、
タングステン、モリブデン、チタン及びロジウムから選
択される一種類以上の元素が好適である。また、前記有
機遷移金属化合物としては、フェロセン、ニッケロセ
ン、ニッケルフタロシアニン、コバルトフタロシアニ
ン、銅フタロシアニン、ニッケルアセチルアセトナー
ト、コバルトアセチルアセトナート、鉄アセチルアセト
ナート、銅アセチルアセトナート、ニッケルカルボニ
ル、コバルトカルボニル、鉄カルボニル、ビス（トリフ
ェニルホスフィン）ジカルボニルニッケル、ジブロモビ
ス（トリフェニルホスフィン）ニッケル及びクロロトリ
ス（トリフェニルホスフィン）ロジウムからなる有機遷
移金属化合物の群から選択されるものが好適である。
【００１５】さらに、前記工程（ａ）で得られた反応生
成物中のフラーレンが磁性金属を内包していることが好
ましい。この場合、前記磁性金属を内包しているフラー
レンを磁力により捕集することにより純度を増す精製工
程を有することが好ましい。
成物中のフラーレンが磁性金属を内包していることが好
ましい。この場合、前記磁性金属を内包しているフラー
レンを磁力により捕集することにより純度を増す精製工
程を有することが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明は、フラーレンを製造する
際に、芳香族化合物を含有する原料を、超臨界流体又は
亜臨界流体と接触させる工程（ａ）を有する。
際に、芳香族化合物を含有する原料を、超臨界流体又は
亜臨界流体と接触させる工程（ａ）を有する。
【００１７】なお、本発明及び本明細書中において、特
に断りなく「フラーレン」という場合、広義のフラーレ
ンを意味する。具体的には、炭素数の異なる各種のフラ
ーレン（炭素のみからなる多面体形状の分子＝狭義のフ
ラーレン）のみならず、狭義のフラーレンの炭素の一部
が他の化学結合で修飾されたフラーレン誘導体、狭義の
フラーレンが金属元素を内包したもの、狭義のフラーレ
ンの炭素原子の一部が窒素原子、ホウ素原子、珪素原子
などで置換されたもの、をも含めた総称をいう。
に断りなく「フラーレン」という場合、広義のフラーレ
ンを意味する。具体的には、炭素数の異なる各種のフラ
ーレン（炭素のみからなる多面体形状の分子＝狭義のフ
ラーレン）のみならず、狭義のフラーレンの炭素の一部
が他の化学結合で修飾されたフラーレン誘導体、狭義の
フラーレンが金属元素を内包したもの、狭義のフラーレ
ンの炭素原子の一部が窒素原子、ホウ素原子、珪素原子
などで置換されたもの、をも含めた総称をいう。
【００１８】上記本発明において、芳香族化合物を含有
する原料としては、フラーレンを安価に製造できるよ
う、できるだけ安価で入手できるものが好ましく、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、ピッチ、ピッチコークス、
石油コークス、コールタール、フルオランテン、ピレ
ン、クリセン、フェナントレン、アントラセン、ナフタ
レン、メチルナフタレン、フルオレン、ビフェニル及び
アセナフテンから選ばれる一種又は二種以上の混合物で
あることが好ましい。これらの中でも、ピッチ、ピッチ
コークス、石油コークス、コールタールは安価である点
でより好ましい原料である。
する原料としては、フラーレンを安価に製造できるよ
う、できるだけ安価で入手できるものが好ましく、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、ピッチ、ピッチコークス、
石油コークス、コールタール、フルオランテン、ピレ
ン、クリセン、フェナントレン、アントラセン、ナフタ
レン、メチルナフタレン、フルオレン、ビフェニル及び
アセナフテンから選ばれる一種又は二種以上の混合物で
あることが好ましい。これらの中でも、ピッチ、ピッチ
コークス、石油コークス、コールタールは安価である点
でより好ましい原料である。
【００１９】また、本発明において、超臨界流体とは、
気体と液体が共存できる限界の温度・圧力（臨界点）を
超えた温度・圧力状態にある、液体の性質と気体の性質
とを併せ持った流体をいい、亜臨界流体とは、超臨界流
体に準ずる流体で、具体的には、上記臨界点における温
度（臨界温度）と圧力（臨界圧力）をＴ0（絶対温度）
とＰ0（ＭＰａ）としたときに、下記式を満たす温度Ｔ
（絶対温度）と圧力Ｐ（ＭＰａ）で臨界点を超えない状
態（超臨界状態ではない状態）にある流体をいう。
気体と液体が共存できる限界の温度・圧力（臨界点）を
超えた温度・圧力状態にある、液体の性質と気体の性質
とを併せ持った流体をいい、亜臨界流体とは、超臨界流
体に準ずる流体で、具体的には、上記臨界点における温
度（臨界温度）と圧力（臨界圧力）をＴ0（絶対温度）
とＰ0（ＭＰａ）としたときに、下記式を満たす温度Ｔ
（絶対温度）と圧力Ｐ（ＭＰａ）で臨界点を超えない状
態（超臨界状態ではない状態）にある流体をいう。
【００２０】Ｔ≧０．８Ｔ0
Ｐ≧０．８Ｐ0
【００２１】本発明における前記原料と超臨界流体又は
亜臨界流体との接触は、原料と、超臨界流体又は亜臨界
流体を形成する物質を密閉容器に入れ、加熱・加圧し、
原料と共に入れた物質を超臨界流体又は亜臨界流体と
し、密閉容器内で両者を混合状態におくことで行うこと
ができる。この加熱・加圧は、超臨界流体又は亜臨界流
体を形成する物質によっても相違するが、フラーレンの
生成条件、使用装置のコスト抑制と、運転エネルギーの
節減などの観点から、３１℃〜５００℃の温度で、３．
８ＭＰａ〜６０ＭＰａの圧力の範囲で行う。また、使用
装置のコスト抑制の点をさらに重視する場合、圧力を比
較的低く抑えるために、温度を２５０℃〜５００℃の範
囲内とすることが好ましい。
亜臨界流体との接触は、原料と、超臨界流体又は亜臨界
流体を形成する物質を密閉容器に入れ、加熱・加圧し、
原料と共に入れた物質を超臨界流体又は亜臨界流体と
し、密閉容器内で両者を混合状態におくことで行うこと
ができる。この加熱・加圧は、超臨界流体又は亜臨界流
体を形成する物質によっても相違するが、フラーレンの
生成条件、使用装置のコスト抑制と、運転エネルギーの
節減などの観点から、３１℃〜５００℃の温度で、３．
８ＭＰａ〜６０ＭＰａの圧力の範囲で行う。また、使用
装置のコスト抑制の点をさらに重視する場合、圧力を比
較的低く抑えるために、温度を２５０℃〜５００℃の範
囲内とすることが好ましい。
【００２２】超臨界流体又は亜臨界流体は、前記原料か
らフラーレンを形成する反応媒体として機能しているも
のと推測される。特に超臨界流体は、溶媒としての機能
にも優れ、フラーレンの形成が促進されることから、原
料は超臨界流体と接触させることが好ましく、上記加熱
・加圧は、臨界温度と臨界圧力を超えていることが好ま
しい。
らフラーレンを形成する反応媒体として機能しているも
のと推測される。特に超臨界流体は、溶媒としての機能
にも優れ、フラーレンの形成が促進されることから、原
料は超臨界流体と接触させることが好ましく、上記加熱
・加圧は、臨界温度と臨界圧力を超えていることが好ま
しい。
【００２３】超臨界流体又は亜臨界流体となって反応媒
体を形成する物質（以下「反応媒体形成物質」という場
合もある）は、３１℃〜５００℃の温度範囲かつ３．２
ＭＰａ〜６０ＭＰａの圧力範囲に含まれる少なくとも一
つの温度、圧力条件において超臨界流体となる物質であ
る。
体を形成する物質（以下「反応媒体形成物質」という場
合もある）は、３１℃〜５００℃の温度範囲かつ３．２
ＭＰａ〜６０ＭＰａの圧力範囲に含まれる少なくとも一
つの温度、圧力条件において超臨界流体となる物質であ
る。
【００２４】ここで、超臨界流体又は亜臨界流体を形成
する物質は前記芳香族化合物を含有する原料と異なる物
質であってもよい。
する物質は前記芳香族化合物を含有する原料と異なる物
質であってもよい。
【００２５】一方、前記芳香族化合物を含有する原料自
体により超臨界流体又は亜臨界流体を形成する際には、
別途超臨界流体又は亜臨界流体を形成する物質を添加し
ない場合もあり得る。この場合、「芳香族化合物を含有
する原料を、３１℃〜５００℃の範囲内の温度、３．８
ＭＰａ〜６０ＭＰａの範囲内の圧力下で超臨界流体又は
亜臨界流体と接触させる工程」は、「芳香族化合物を含
有する原料を、３１℃〜５００℃の範囲内の温度、３．
８ＭＰａ〜６０ＭＰａの範囲内の圧力下で超臨界流体又
は亜臨界流体とする工程」を意味する。
体により超臨界流体又は亜臨界流体を形成する際には、
別途超臨界流体又は亜臨界流体を形成する物質を添加し
ない場合もあり得る。この場合、「芳香族化合物を含有
する原料を、３１℃〜５００℃の範囲内の温度、３．８
ＭＰａ〜６０ＭＰａの範囲内の圧力下で超臨界流体又は
亜臨界流体と接触させる工程」は、「芳香族化合物を含
有する原料を、３１℃〜５００℃の範囲内の温度、３．
８ＭＰａ〜６０ＭＰａの範囲内の圧力下で超臨界流体又
は亜臨界流体とする工程」を意味する。
【００２６】かかる超臨界流体となる物質は、具体的に
は、原料の芳香族化合物、原料の芳香族化合物を溶解す
る溶媒、水、亜酸化窒素及びアンモニアの内から選択さ
れる一種又は二種以上の混合物を用いることができる。
また、上記芳香族化合物の溶媒は、好ましくは、２０
℃、１気圧（０．１０１３ＭＰａ）で溶質（芳香族化合
物）を２モル％以上溶解するものであり、具体的には、
二酸化炭素、アルコール、炭化水素、エーテルなどが挙
げられる。上記アルコールの具体例としては、メタノー
ル、エタノール、プロピルアルコールなどが挙げられ
る。上記炭化水素の具体例としては、メタン、エタン、
エチレン、プロパン、プロピレン、ブタン、ブテン、ペ
ンタン、ヘキサンなどが挙げられる。
は、原料の芳香族化合物、原料の芳香族化合物を溶解す
る溶媒、水、亜酸化窒素及びアンモニアの内から選択さ
れる一種又は二種以上の混合物を用いることができる。
また、上記芳香族化合物の溶媒は、好ましくは、２０
℃、１気圧（０．１０１３ＭＰａ）で溶質（芳香族化合
物）を２モル％以上溶解するものであり、具体的には、
二酸化炭素、アルコール、炭化水素、エーテルなどが挙
げられる。上記アルコールの具体例としては、メタノー
ル、エタノール、プロピルアルコールなどが挙げられ
る。上記炭化水素の具体例としては、メタン、エタン、
エチレン、プロパン、プロピレン、ブタン、ブテン、ペ
ンタン、ヘキサンなどが挙げられる。
【００２７】これらの中でも、特に二酸化炭素もしくは
水がさらに好ましい。なお、二酸化炭素が超臨界流体と
なる臨界温度と臨界圧力は、３１℃、７．３８ＭＰａ
で、水が超臨界流体となる臨界温度と臨界圧力は、３７
４℃、２２．０ＭＰａで、トルエンが超臨界流体となる
臨界温度と臨界圧力は、３１９℃、４．１１ＭＰａで、
ナフタレンが超臨界流体となる臨界温度と臨界圧力は、
４７５℃、４．１１ＭＰａで、ある。
水がさらに好ましい。なお、二酸化炭素が超臨界流体と
なる臨界温度と臨界圧力は、３１℃、７．３８ＭＰａ
で、水が超臨界流体となる臨界温度と臨界圧力は、３７
４℃、２２．０ＭＰａで、トルエンが超臨界流体となる
臨界温度と臨界圧力は、３１９℃、４．１１ＭＰａで、
ナフタレンが超臨界流体となる臨界温度と臨界圧力は、
４７５℃、４．１１ＭＰａで、ある。
【００２８】本発明は、熱処理する工程（ｂ）を有する
ことが好ましい。すなわち、超臨界流体又は亜臨界流体
と接触処理された原料に、この接触による処理後、熱処
理を施すことが好ましい。熱処理により、未反応原料な
どの不純物を除去することができる。この熱処理を施す
ことでフラーレンの純度を向上させることができる。
ことが好ましい。すなわち、超臨界流体又は亜臨界流体
と接触処理された原料に、この接触による処理後、熱処
理を施すことが好ましい。熱処理により、未反応原料な
どの不純物を除去することができる。この熱処理を施す
ことでフラーレンの純度を向上させることができる。
【００２９】上記工程（ｂ）の熱処理は、フラーレンの
消失温度未満の温度で行うことが好ましく、具体的には
３００〜６００℃の温度で行うことが好ましく、特に３
００〜４００℃の温度で行うことがより好ましい。ま
た、熱処理は不活性ガス雰囲気下で行うことが好まし
い。不活性ガスとしては、アルゴンガス、ヘリウムガス
及び窒素ガスから選択される一種又は二種以上の混合ガ
スが好ましい。この熱処理は、複数段に分けて行うこと
もできる。つまり、温度を変えて複数回施すこともでき
る。
消失温度未満の温度で行うことが好ましく、具体的には
３００〜６００℃の温度で行うことが好ましく、特に３
００〜４００℃の温度で行うことがより好ましい。ま
た、熱処理は不活性ガス雰囲気下で行うことが好まし
い。不活性ガスとしては、アルゴンガス、ヘリウムガス
及び窒素ガスから選択される一種又は二種以上の混合ガ
スが好ましい。この熱処理は、複数段に分けて行うこと
もできる。つまり、温度を変えて複数回施すこともでき
る。
【００３０】本発明においては、上記工程（ｂ）の熱処
理で得られた熱処理済み反応生成物をフラーレンを溶解
する溶媒に分散させ、溶解成分を抽出する工程（ｃ）を
有することが好ましい。この溶解成分にフラーレンが含
有されているので、溶解成分の抽出工程によって得られ
るフラーレンの純度を向上させることができる。溶媒へ
の分散に際しては、熱処理物の溶媒への分散時に超音波
を照射し、フラーレンの溶解を促進することもできる。
なお、工程（ｂ）の熱処理を行わない場合には、前記工
程（ａ）で得られた反応生成物を工程（ｃ）により抽出
することが好ましい。
理で得られた熱処理済み反応生成物をフラーレンを溶解
する溶媒に分散させ、溶解成分を抽出する工程（ｃ）を
有することが好ましい。この溶解成分にフラーレンが含
有されているので、溶解成分の抽出工程によって得られ
るフラーレンの純度を向上させることができる。溶媒へ
の分散に際しては、熱処理物の溶媒への分散時に超音波
を照射し、フラーレンの溶解を促進することもできる。
なお、工程（ｂ）の熱処理を行わない場合には、前記工
程（ａ）で得られた反応生成物を工程（ｃ）により抽出
することが好ましい。
【００３１】上記フラーレンの溶媒としては、２０℃、
１気圧（０．１０１３ＭＰａ）で溶質（フラーレン）を
２モル％以上溶解するものが好ましい。また、フラーレ
ンの溶媒として、具体的には、トルエン、キシレン、ベ
ンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、１，２，
４−トリクロロベンゼン、１−メチルナフタレン、１−
クロロナフタレン、テトラリン、アニソール、１，１，
２，２−テトラクロロエタン、デカリン、２−メチルチ
オフェン、二硫化炭素及びシクロヘキセンから選択され
る一種類以上の無極性溶媒を用いることが好ましい。
１気圧（０．１０１３ＭＰａ）で溶質（フラーレン）を
２モル％以上溶解するものが好ましい。また、フラーレ
ンの溶媒として、具体的には、トルエン、キシレン、ベ
ンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、１，２，
４−トリクロロベンゼン、１−メチルナフタレン、１−
クロロナフタレン、テトラリン、アニソール、１，１，
２，２−テトラクロロエタン、デカリン、２−メチルチ
オフェン、二硫化炭素及びシクロヘキセンから選択され
る一種類以上の無極性溶媒を用いることが好ましい。
【００３２】上記フラーレンの溶媒に本発明による反応
生成物あるいは熱処理済み反応生成物を分散させ、溶解
成分を抽出した後の固形分の分離は、濾過又は遠心分離
によって行うことができる。また、分離後のさらなる溶
媒の除去は、加熱又は減圧下で残留する溶媒を蒸発除去
することで行うことができる。この分離精製には、高速
液体クロマトグラフィーを用いることも有用である。
生成物あるいは熱処理済み反応生成物を分散させ、溶解
成分を抽出した後の固形分の分離は、濾過又は遠心分離
によって行うことができる。また、分離後のさらなる溶
媒の除去は、加熱又は減圧下で残留する溶媒を蒸発除去
することで行うことができる。この分離精製には、高速
液体クロマトグラフィーを用いることも有用である。
【００３３】原料と超臨界流体又は亜臨界流体の接触時
に、遷移金属及び遷移金属化合物から選択される一種又
は二種以上を存在させることで、フラーレンの形成を助
長することができる場合がある。これは、遷移金属や遷
移金属化合物が触媒的な作用をなすためと推測される。
に、遷移金属及び遷移金属化合物から選択される一種又
は二種以上を存在させることで、フラーレンの形成を助
長することができる場合がある。これは、遷移金属や遷
移金属化合物が触媒的な作用をなすためと推測される。
【００３４】遷移金属や遷移金属化合物は、前記原料と
超臨界流体又は亜臨界流体を形成する物質と共に密閉容
器に入れられ、前記原料と超臨界流体又は亜臨界流体が
接触する際に両者と接触状態におかれるが、この遷移金
属や遷移金属化合物は、脱水素反応に有用な触媒が好ま
しく、外添したものだけではなく、前記原料中に当初か
ら含まれているものや、原料と超臨界流体又は亜臨界流
体との接触によって生成されたものであっても良い。
超臨界流体又は亜臨界流体を形成する物質と共に密閉容
器に入れられ、前記原料と超臨界流体又は亜臨界流体が
接触する際に両者と接触状態におかれるが、この遷移金
属や遷移金属化合物は、脱水素反応に有用な触媒が好ま
しく、外添したものだけではなく、前記原料中に当初か
ら含まれているものや、原料と超臨界流体又は亜臨界流
体との接触によって生成されたものであっても良い。
【００３５】上記遷移金属、遷移金属化合物を構成する
遷移金属元素としては、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｐ
ｄ，Ａｇ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈが挙げられる。
中でも、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｒｈがより好ましい元素で、Ｎｉ，Ｃ
ｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｒｈが最も好
ましい元素である。
遷移金属元素としては、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｐ
ｄ，Ａｇ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈが挙げられる。
中でも、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｒｈがより好ましい元素で、Ｎｉ，Ｃ
ｏ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｒｈが最も好
ましい元素である。
【００３６】上記遷移金属化合物としては、遷移金属ハ
ロゲン化物、遷移金属硫化物、遷移金属炭化物、有機遷
移金属化合物、遷移金属窒化物、遷移金属酸化物である
ことが好ましい。
ロゲン化物、遷移金属硫化物、遷移金属炭化物、有機遷
移金属化合物、遷移金属窒化物、遷移金属酸化物である
ことが好ましい。
【００３７】上記遷移金属炭化物の好ましい例として
は、炭化タングステン、炭化モリブデン、炭化チタンが
挙げられる。また、上記有機遷移金属化合物の好ましい
例としては、フェロセン、ニッケロセン、ニッケルフタ
ロシアニン、コバルトフタロシアニン、銅フタロシアニ
ン、ニッケルアセチルアセトナート、コバルトアセチル
アセトナート、鉄アセチルアセトナート、銅アセチルア
セトナート、ニッケルカルボニル、コバルトカルボニ
ル、鉄カルボニル、ビス（トリフェニルホスフィン）ジ
カルボニルニッケル、ジブロモビス（トリフェニルホス
フィン）ニッケル、クロロトリス（トリフェニルホスフ
ィン）ロジウムが挙げられる。
は、炭化タングステン、炭化モリブデン、炭化チタンが
挙げられる。また、上記有機遷移金属化合物の好ましい
例としては、フェロセン、ニッケロセン、ニッケルフタ
ロシアニン、コバルトフタロシアニン、銅フタロシアニ
ン、ニッケルアセチルアセトナート、コバルトアセチル
アセトナート、鉄アセチルアセトナート、銅アセチルア
セトナート、ニッケルカルボニル、コバルトカルボニ
ル、鉄カルボニル、ビス（トリフェニルホスフィン）ジ
カルボニルニッケル、ジブロモビス（トリフェニルホス
フィン）ニッケル、クロロトリス（トリフェニルホスフ
ィン）ロジウムが挙げられる。
【００３８】本発明においては、合成反応で得られるフ
ラーレンに磁性金属元素を内包させた場合、磁石（永久
磁石、電磁石）を用いてこの磁性体元素を内包するフラ
ーレンを捕集し、純度を高めることができる。具体的に
は、アルコールや水などの分散媒に、上記磁性金属元素
を内包するフラーレンを含む生成物を超音波照射などで
分散させた後、磁石を用いて捕集することで、得られる
フラーレンの純度を高めることができる。この磁石によ
る精製は、前記超臨界流体又は亜臨界流体との接触処理
後の熱処理前又は熱処理後もしくはフラーレン溶剤によ
る精製後のいずれかの段階で行うことができる。
ラーレンに磁性金属元素を内包させた場合、磁石（永久
磁石、電磁石）を用いてこの磁性体元素を内包するフラ
ーレンを捕集し、純度を高めることができる。具体的に
は、アルコールや水などの分散媒に、上記磁性金属元素
を内包するフラーレンを含む生成物を超音波照射などで
分散させた後、磁石を用いて捕集することで、得られる
フラーレンの純度を高めることができる。この磁石によ
る精製は、前記超臨界流体又は亜臨界流体との接触処理
後の熱処理前又は熱処理後もしくはフラーレン溶剤によ
る精製後のいずれかの段階で行うことができる。
【００３９】以上説明した本発明の一例に係る製造方法
のフローチャートを図１に示す。図１におけるステップ
１は、原料、反応媒体形成物質、必要に応じて遷移金属
及び／又は遷移金属化合物、を耐圧容器に入れる準備工
程である。ステップ２は、耐圧容器内でこれらを加熱・
加圧し、好ましくは反応媒体形成物質を超臨界流体とし
て原料と接触させる接触処理工程、ステップ３は、この
接触処理工程を経た反応生成物を、必要に応じて、好ま
しくは不活性ガス雰囲気下で３００〜６００℃に加熱し
て熱処理する工程である。また、ステップ４は、熱処理
工程を経た反応生成物から、フラーレンの溶剤により溶
解成分を抽出する精製工程である。
のフローチャートを図１に示す。図１におけるステップ
１は、原料、反応媒体形成物質、必要に応じて遷移金属
及び／又は遷移金属化合物、を耐圧容器に入れる準備工
程である。ステップ２は、耐圧容器内でこれらを加熱・
加圧し、好ましくは反応媒体形成物質を超臨界流体とし
て原料と接触させる接触処理工程、ステップ３は、この
接触処理工程を経た反応生成物を、必要に応じて、好ま
しくは不活性ガス雰囲気下で３００〜６００℃に加熱し
て熱処理する工程である。また、ステップ４は、熱処理
工程を経た反応生成物から、フラーレンの溶剤により溶
解成分を抽出する精製工程である。
【００４０】反応装置としては、図２に示されるよう
に、圧力計２０３、加熱ヒーター２０４、安全弁２０５
を備えた耐圧反応容器２０２が用いられる。少なくとも
２０２の耐圧容器内壁の材質は、好ましくはステンレ
ス、より好ましくは、Ni-Mo合金からなっているのが耐
食性の点で望ましい。図２には不図示ではあるが、反応
を均一に進めるためには、装置に攪拌機構が設けられて
いる方がよい。また、原料からの収率を上げるために、
未反応原料を含む反応生成物から所望の反応生成物（フ
ラーレン）を分離し、再び、原料を反応容器に戻す循環
型の反応装置を用いるのがより好ましい。
に、圧力計２０３、加熱ヒーター２０４、安全弁２０５
を備えた耐圧反応容器２０２が用いられる。少なくとも
２０２の耐圧容器内壁の材質は、好ましくはステンレ
ス、より好ましくは、Ni-Mo合金からなっているのが耐
食性の点で望ましい。図２には不図示ではあるが、反応
を均一に進めるためには、装置に攪拌機構が設けられて
いる方がよい。また、原料からの収率を上げるために、
未反応原料を含む反応生成物から所望の反応生成物（フ
ラーレン）を分離し、再び、原料を反応容器に戻す循環
型の反応装置を用いるのがより好ましい。
【００４１】炭素元素のみから成るフラーレンは、炭素
原子の五員環と六員環から成る三次元の閉じた球形分子
である。フラーレンの、炭素原子から成る多面体の頂点
の数をＶ、辺の数をＥ、面の数をＦとすると、Ｅｕｌｅ
ｒの定理のＥ＋２＝Ｖ＋Ｆと、さらに２Ｅ＝３Ｖの関係
が成り立つ。上記フラーレンとしては、炭素原子６０個
のＣ60、炭素原子７０個のＣ70、炭素原子の７６個のＣ
76、炭素原子７８個のＣ78、炭素原子８２個のＣ82、炭
素原子８４個のＣ84、炭素原子８６個のＣ86、炭素原子
８８個のＣ88、炭素原子９０個のＣ90、炭素原子９４個
のＣ94、炭素原子９６個のＣ96などが挙げられる。
原子の五員環と六員環から成る三次元の閉じた球形分子
である。フラーレンの、炭素原子から成る多面体の頂点
の数をＶ、辺の数をＥ、面の数をＦとすると、Ｅｕｌｅ
ｒの定理のＥ＋２＝Ｖ＋Ｆと、さらに２Ｅ＝３Ｖの関係
が成り立つ。上記フラーレンとしては、炭素原子６０個
のＣ60、炭素原子７０個のＣ70、炭素原子の７６個のＣ
76、炭素原子７８個のＣ78、炭素原子８２個のＣ82、炭
素原子８４個のＣ84、炭素原子８６個のＣ86、炭素原子
８８個のＣ88、炭素原子９０個のＣ90、炭素原子９４個
のＣ94、炭素原子９６個のＣ96などが挙げられる。
【００４２】フラーレンは、レーザー蒸発クラスター分
子線・質量分析（Laser-vaporization cluster beam ma
ss spectrum）、赤外吸収スペクトル分析、ラマン散乱
スペクトル分析、13Ｃ−ＮＭＲスペクトル分析、電子線
回折分析、Ｘ線回折分析、中性子線回折分析などの分析
によって同定することができる。
子線・質量分析（Laser-vaporization cluster beam ma
ss spectrum）、赤外吸収スペクトル分析、ラマン散乱
スペクトル分析、13Ｃ−ＮＭＲスペクトル分析、電子線
回折分析、Ｘ線回折分析、中性子線回折分析などの分析
によって同定することができる。
【００４３】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明を詳細に説明す
る。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
る。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００４４】実施例１
図２に示されるように、圧力計２０３、加熱ヒーター２
０４、安全弁２０５を備えた耐圧反応容器２０２を用い
た。
０４、安全弁２０５を備えた耐圧反応容器２０２を用い
た。
【００４５】内容積９６ｍｌのＮｉ・Ｍｏ合金製の耐圧
反応容器２０２に、原料２００として２ｇのナフタレン
（臨界温度４７５℃、臨界圧力４．１１ＭＰａ）、触媒
として塩化第二鉄ＦｅＣｌ3０．２ｇ、塩化第二鉄の溶
媒としてエタノール（臨界温度２４３℃、臨界圧力６．
３８ＭＰａ）２ｇ、反応媒体形成物質２０１としてドラ
イアイスＣＯ2（臨界温度３１℃、臨界圧力７．３８Ｍ
Ｐａ）８０ｇを入れて密封し、温度３００℃、圧力１２
ＭＰａで６時間反応させて反応生成物を得た。得られた
反応生成物をトルエンで抽出した後、トルエン２００倍
に希釈したトルエン溶液を、溶離液にメタノール／トル
エン＝５１／４１を使用した高速液体クロマトグラフィ
ー（high performance liquid chromatography）で分析
したところ、未反応のナフタレンの他に、予めフラーレ
ンのトルエン溶液で計測した保持時間と一致したところ
にピークが観察された。さらに、得られた反応物をＯＤ
Ｓ（octadecyksilicas）のカラムの高速液体クロマトグ
ラフィーで分離精製したものをレーザー蒸発飛行時間型
質量分析法（laser desorption time-of-flight mass s
pectrum）で分析したところＣ60以上に相当するスペク
トルが観察された。また、得られた反応生成物の赤外吸
収スペクトル分析より、フラーレンに特有と思われる１
１８０ｃｍ-1に吸収ピークが観測された。
反応容器２０２に、原料２００として２ｇのナフタレン
（臨界温度４７５℃、臨界圧力４．１１ＭＰａ）、触媒
として塩化第二鉄ＦｅＣｌ3０．２ｇ、塩化第二鉄の溶
媒としてエタノール（臨界温度２４３℃、臨界圧力６．
３８ＭＰａ）２ｇ、反応媒体形成物質２０１としてドラ
イアイスＣＯ2（臨界温度３１℃、臨界圧力７．３８Ｍ
Ｐａ）８０ｇを入れて密封し、温度３００℃、圧力１２
ＭＰａで６時間反応させて反応生成物を得た。得られた
反応生成物をトルエンで抽出した後、トルエン２００倍
に希釈したトルエン溶液を、溶離液にメタノール／トル
エン＝５１／４１を使用した高速液体クロマトグラフィ
ー（high performance liquid chromatography）で分析
したところ、未反応のナフタレンの他に、予めフラーレ
ンのトルエン溶液で計測した保持時間と一致したところ
にピークが観察された。さらに、得られた反応物をＯＤ
Ｓ（octadecyksilicas）のカラムの高速液体クロマトグ
ラフィーで分離精製したものをレーザー蒸発飛行時間型
質量分析法（laser desorption time-of-flight mass s
pectrum）で分析したところＣ60以上に相当するスペク
トルが観察された。また、得られた反応生成物の赤外吸
収スペクトル分析より、フラーレンに特有と思われる１
１８０ｃｍ-1に吸収ピークが観測された。
【００４６】実施例２
実施例１において、塩化第二鉄にさらにフェロセン０．
２ｇを添加して、実施例１と同様の操作で反応性生物を
得た。ついで、得られた反応生成物をトルエンに溶解
し、実施例１同様にして高速液体クロマトグラフィー分
析した結果、未反応のナフタレンの他に、フラーレンに
相当するピーク位置の保持時間にピークを観察した。
２ｇを添加して、実施例１と同様の操作で反応性生物を
得た。ついで、得られた反応生成物をトルエンに溶解
し、実施例１同様にして高速液体クロマトグラフィー分
析した結果、未反応のナフタレンの他に、フラーレンに
相当するピーク位置の保持時間にピークを観察した。
【００４７】実施例３
実施例１において、塩化第二鉄触媒を添加しないで、反
応温度を４００℃に上げて、実施例１と同様の操作で反
応性生物を得た。ついで、得られた反応生成物をトルエ
ンに溶解し、実施例１同様にして高速液体クロマトグラ
フィー分析した結果、未反応のナフタレンの他に、フラ
ーレンに相当するピーク位置の保持時間にピークを観察
した。
応温度を４００℃に上げて、実施例１と同様の操作で反
応性生物を得た。ついで、得られた反応生成物をトルエ
ンに溶解し、実施例１同様にして高速液体クロマトグラ
フィー分析した結果、未反応のナフタレンの他に、フラ
ーレンに相当するピーク位置の保持時間にピークを観察
した。
【００４８】実施例４
実施例１において、塩化第二鉄触媒を添加しないで、ド
ライアイスに替えてイオン交換水２２ｇを添加し、反応
温度を４５０℃に上げて圧力２８ＭＰａで、実施例１と
同様の操作で反応性生物を得た。ついで、得られた反応
生成物をトルエンに溶解し、実施例１同様にして高速液
体クロマトグラフィー分析した結果、未反応のナフタレ
ンの他に、フラーレンに相当するピーク位置の保持時間
にピークを観察した。
ライアイスに替えてイオン交換水２２ｇを添加し、反応
温度を４５０℃に上げて圧力２８ＭＰａで、実施例１と
同様の操作で反応性生物を得た。ついで、得られた反応
生成物をトルエンに溶解し、実施例１同様にして高速液
体クロマトグラフィー分析した結果、未反応のナフタレ
ンの他に、フラーレンに相当するピーク位置の保持時間
にピークを観察した。
【００４９】実施例５
実施例３において、原料のナフタレンに替えてトルエン
を用い、実施例１と同様の操作で反応性生物を得た。つ
いで、得られた反応生成物をトルエンに溶解し、実施例
１同様にして高速液体クロマトグラフィー分析した結
果、未反応のトルエンの他に、フラーレンに相当するピ
ーク位置の保持時間にピークを観察した。
を用い、実施例１と同様の操作で反応性生物を得た。つ
いで、得られた反応生成物をトルエンに溶解し、実施例
１同様にして高速液体クロマトグラフィー分析した結
果、未反応のトルエンの他に、フラーレンに相当するピ
ーク位置の保持時間にピークを観察した。
【００５０】実施例６
実施例１において、ナフタレンに変えて２．５ｇのピッ
チ（軟化点１０８℃）を用い、反応生成物を得た。得ら
れた前駆体をアルゴン気流中にて、４００℃で３時間焼
成した。さらに、得られた焼成物を粉砕した後、トルエ
ンに溶解させ、実施例１同様にして高速液体クロマトグ
ラフィー分析した結果、ピッチに帰属されるピークの他
に、フラーレンに相当するピーク位置の保持時間に微小
ピークを観察した。
チ（軟化点１０８℃）を用い、反応生成物を得た。得ら
れた前駆体をアルゴン気流中にて、４００℃で３時間焼
成した。さらに、得られた焼成物を粉砕した後、トルエ
ンに溶解させ、実施例１同様にして高速液体クロマトグ
ラフィー分析した結果、ピッチに帰属されるピークの他
に、フラーレンに相当するピーク位置の保持時間に微小
ピークを観察した。
【００５１】実施例７
実施例３において、原料のナフタレンに替えて、５，８
−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノン２ｇを用い、塩
化第二鉄に替えて硫酸を用い、実施例３と同様の操作で
反応性生物を得た。ついで、得られた反応生成物をトル
エンに溶解し、実施例１同様にして高速液体クロマトグ
ラフィー分析した結果、未反応の５，８−ジヒドロキシ
−１，４−ナフトキノンの他に、フラーレンに相当する
ピーク位置の保持時間に微小ピークを観察した。
−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノン２ｇを用い、塩
化第二鉄に替えて硫酸を用い、実施例３と同様の操作で
反応性生物を得た。ついで、得られた反応生成物をトル
エンに溶解し、実施例１同様にして高速液体クロマトグ
ラフィー分析した結果、未反応の５，８−ジヒドロキシ
−１，４−ナフトキノンの他に、フラーレンに相当する
ピーク位置の保持時間に微小ピークを観察した。
【００５２】比較例１
実施例１において、原料のナフタレンを除いて、実施例
１と同様の操作で反応性生物を得た。ついで、得られた
反応生成物をトルエンに溶解し、実施例１同様にして高
速液体クロマトグラフィー分析した結果、フラーレンに
相当するピーク位置の保持時間にピークは観測されなか
った。エタノールは原料になり得ないことを示唆する結
果となった。
１と同様の操作で反応性生物を得た。ついで、得られた
反応生成物をトルエンに溶解し、実施例１同様にして高
速液体クロマトグラフィー分析した結果、フラーレンに
相当するピーク位置の保持時間にピークは観測されなか
った。エタノールは原料になり得ないことを示唆する結
果となった。
【００５３】比較例２
実施例１において、反応温度を６００℃に上げて、実施
例１同様にして高速液体クロマトグラフィー分析した結
果、フラーレンに相当するピーク位置の保持時間にピー
クは観測されなかった。
例１同様にして高速液体クロマトグラフィー分析した結
果、フラーレンに相当するピーク位置の保持時間にピー
クは観測されなかった。
【００５４】比較例３
実施例１において、反応温度を３０℃に下げて、実施例
１同様にして高速液体クロマトグラフィー分析した結
果、フラーレンに相当するピーク位置の保持時間にピー
クは観測されなかった。
１同様にして高速液体クロマトグラフィー分析した結
果、フラーレンに相当するピーク位置の保持時間にピー
クは観測されなかった。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高価な真空装置を用いることなく、簡単な製造装置で、
５００℃以下の低温下で安価な原料からフラーレンを製
造でき、しかも大量合成のスケールアップも容易となる
可能性がある。
高価な真空装置を用いることなく、簡単な製造装置で、
５００℃以下の低温下で安価な原料からフラーレンを製
造でき、しかも大量合成のスケールアップも容易となる
可能性がある。
【図１】本発明の一例に係るフラーレン製造方法を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図２】実施例で用いた耐圧反応容器の概略断面図であ
る。
る。
２００ 原料
２０１ 反応媒体形成物質
２０２ 耐圧反応容器
２０３ 圧力計
２０４ 加熱ヒーター
２０５ 安全弁
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 佐野 ひとみ
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Ｆターム(参考） 4G146 AA07 AA16 BA12 BA22 BC03
BC06 BC23 BC28 BC32A
BC32B BC33A BC33B BC38A
BC38B BC43 BC44 BC47
CA20 DA03 DA11 DA25
Claims (15)
- 【請求項１】 芳香族化合物を含有する原料を、３１℃
〜５００℃の範囲内の温度、３．８ＭＰａ〜６０ＭＰａ
の範囲内の圧力下で超臨界流体又は亜臨界流体と接触さ
せる工程（ａ）を有することを特徴とするフラーレンの
製造方法。 - 【請求項２】 前記超臨界流体又は亜臨界流体を、原料
中の芳香族化合物、原料中の芳香族化合物を溶解する溶
媒、水、亜酸化窒素及びアンモニアの内から選択される
少なくとも一種によって形成することを特徴とする請求
項１に記載のフラーレンの製造方法。 - 【請求項３】 前記溶媒が、二酸化炭素、アルコール、
炭化水素、エーテルから選択される一種以上からなるこ
とを特徴とする請求項２に記載のフラーレンの製造方
法。 - 【請求項４】 前記工程（ａ）で得られた反応生成物を
３００〜６００℃の温度で熱処理する工程（ｂ）を有す
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフ
ラーレンの製造方法。 - 【請求項５】 前記工程（ｂ）の熱処理を、アルゴンガ
ス、ヘリウムガス及び窒素ガスから選択される少なくと
も一種以上のガス雰囲気下で行うことを特徴とする請求
項４に記載のフラーレンの製造方法。 - 【請求項６】 前記工程（ｂ）を経た後、フラーレンを
溶解する溶媒にて溶解する成分を抽出する工程（ｃ）を
有することを特徴とする請求項４又は５に記載のフラー
レンの製造方法。 - 【請求項７】 前記フラーレンを溶解する溶媒が、トル
エン、キシレン、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロ
ベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン、１−メチ
ルナフタレン、１−クロロナフタレン、テトラリン、ア
ニソール、１，１，２，２−テトラクロロエタン、デカ
リン、２−メチルチオフェン、二硫化炭素及びシクロヘ
キセンから選択される一種類以上の無極性溶媒であるこ
とを特徴とする請求項６に記載のフラーレンの製造方
法。 - 【請求項８】 前記芳香族化合物を含有する原料が、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、ピッチ、ピッチコーク
ス、石油コークス、コールタール、フルオランテン、ピ
レン、クリセン、フェナントレン、アントラセン、ナフ
タレン、メチルナフタレン、フルオレン、ビフェニル及
びアセナフテンから選ばれる少なくとも一種からなるこ
とを特徴とする記載の請求項１〜７のいずれかに記載の
フラーレンの製造方法。 - 【請求項９】 前記原料と超臨界流体又は亜臨界流体と
の接触を、２５０℃〜５００℃の範囲内の温度で行うこ
とを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のフラー
レンの製造方法。 - 【請求項１０】 前記原料と前記超臨界流体又は亜臨界
流体との接触時に、遷移金属及び遷移金属化合物から選
択される一種以上を存在させることを特徴とする請求項
１〜９のいずれかに記載のフラーレンの製造方法。 - 【請求項１１】 前記遷移金属化合物が、遷移金属ハロ
ゲン化物、遷移金属硫化物、遷移金属炭化物、有機遷移
金属化合物、遷移金属窒化物及び遷移金属酸化物から選
択される一種以上であることを特徴とする請求項１０に
記載のフラーレンの製造方法。 - 【請求項１２】 前記遷移金属もしくは遷移金属化合物
を構成する遷移金属元素が、ニッケル、コバルト、鉄、
銅、クロム、タングステン、モリブデン、チタン及びロ
ジウムから選択される一種類以上の元素であることを特
徴とする請求項１０に記載のフラーレンの製造方法。 - 【請求項１３】 前記原料と前記超臨界流体又は亜臨界
流体との接触時に、フェロセン、ニッケロセン、ニッケ
ルフタロシアニン、コバルトフタロシアニン、銅フタロ
シアニン、ニッケルアセチルアセトナート、コバルトア
セチルアセトナート、鉄アセチルアセトナート、銅アセ
チルアセトナート、ニッケルカルボニル、コバルトカル
ボニル、鉄カルボニル、ビス（トリフェニルホスフィ
ン）ジカルボニルニッケル、ジブロモビス（トリフェニ
ルホスフィン）ニッケル及びクロロトリス（トリフェニ
ルホスフィン）ロジウムからなる有機遷移金属化合物の
群から選択される遷移金属化合物を一種以上存在させる
ことを特徴とする請求項１０に記載のフラーレンの製造
方法。 - 【請求項１４】 前記工程（ａ）で得られた反応生成物
中のフラーレンが磁性金属を内包していることを特徴と
する請求項１〜１３のいずれかに記載のフラーレンの製
造方法。 - 【請求項１５】 前記磁性金属を内包しているフラーレ
ンを磁力により捕集することにより純度を増す精製工程
を有することを特徴とする請求項１４記載のフラーレン
の製造方法。
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-
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