JPH0845885A - ウェーハの洗浄方法 - Google Patents
ウェーハの洗浄方法Info
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- JPH0845885A JPH0845885A JP17460794A JP17460794A JPH0845885A JP H0845885 A JPH0845885 A JP H0845885A JP 17460794 A JP17460794 A JP 17460794A JP 17460794 A JP17460794 A JP 17460794A JP H0845885 A JPH0845885 A JP H0845885A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薬液中に存在する金属不純物を有効に除去
し、洗浄中のウェーハへの金属不純物の付着を防止し、
しかも薬液の汚染も防止し、洗浄コストの低減を図るこ
とができるウェーハの洗浄方法を提供すること。 【構成】 薬液１０中にウェーハ１２を浸漬する際に、
薬液１０中に、ウェーハ１２に比べて金属不純物の吸着
力が大きいダミーウェーハ６を同時に存在させる。ダミ
ーウェーハ６は、活性化槽２内に貯留してある活性化溶
液４中に、洗浄処理すべきシリコンウェーハと同じ組成
のウェーハ（希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄済）を浸漬して形
成する。活性化液４は、溶液１リットル当り、０．１〜
０．３ｇの塩化パラジウムと、１〜３ｍｌの塩酸とを含
み、温度が３０〜４０°Ｃに設定してある。活性化溶液
４中への浸漬の結果、ダミーウェーハ６の表面には、パ
ラジウムで構成される活性核が形成される。
し、洗浄中のウェーハへの金属不純物の付着を防止し、
しかも薬液の汚染も防止し、洗浄コストの低減を図るこ
とができるウェーハの洗浄方法を提供すること。 【構成】 薬液１０中にウェーハ１２を浸漬する際に、
薬液１０中に、ウェーハ１２に比べて金属不純物の吸着
力が大きいダミーウェーハ６を同時に存在させる。ダミ
ーウェーハ６は、活性化槽２内に貯留してある活性化溶
液４中に、洗浄処理すべきシリコンウェーハと同じ組成
のウェーハ（希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄済）を浸漬して形
成する。活性化液４は、溶液１リットル当り、０．１〜
０．３ｇの塩化パラジウムと、１〜３ｍｌの塩酸とを含
み、温度が３０〜４０°Ｃに設定してある。活性化溶液
４中への浸漬の結果、ダミーウェーハ６の表面には、パ
ラジウムで構成される活性核が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの洗浄方法に
係り、さらに詳しくは、薬液中に存在する金属不純物を
有効に除去し、洗浄中のウェーハへの金属不純物の付着
を防止し、しかも薬液の汚染も防止し、洗浄コストの低
減を図ることができるウェーハの洗浄方法に関する。
係り、さらに詳しくは、薬液中に存在する金属不純物を
有効に除去し、洗浄中のウェーハへの金属不純物の付着
を防止し、しかも薬液の汚染も防止し、洗浄コストの低
減を図ることができるウェーハの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン半導体デバイスの微細化と高集
積化に伴い、製造プロセスで混入するパーティクルや金
属不純物が、デバイスの歩留りや特性に与える影響が増
大している。たとえば、金属不純物は、酸化膜耐圧不良
や接合リーク不良を引き起こす。しかしながら、ＬＳＩ
の製造プロセスは、そのほとんどが、パーティクルや金
属不純物の発生源であるため、デバイスの歩留りやその
特性を向上させるためには、前製造プロセスにわたり、
基板表面を清浄に保たなければならない。
積化に伴い、製造プロセスで混入するパーティクルや金
属不純物が、デバイスの歩留りや特性に与える影響が増
大している。たとえば、金属不純物は、酸化膜耐圧不良
や接合リーク不良を引き起こす。しかしながら、ＬＳＩ
の製造プロセスは、そのほとんどが、パーティクルや金
属不純物の発生源であるため、デバイスの歩留りやその
特性を向上させるためには、前製造プロセスにわたり、
基板表面を清浄に保たなければならない。
【０００３】シリコンウェーハの洗浄方法としては、ウ
ェット洗浄とドライ（蒸気／ガス相)洗浄があるが、ド
ライ洗浄技術は、学会レベルの技術であり、今のところ
パーティクルの除去が困難であり、特定の限られた汚染
についてのみ有効である。これに対して、ウェット洗浄
はバッチ処理が可能であるので、スループットが高く、
複数種の汚染を簡単かつ低コストで除去することがで
き、幅広く使用されている。
ェット洗浄とドライ（蒸気／ガス相)洗浄があるが、ド
ライ洗浄技術は、学会レベルの技術であり、今のところ
パーティクルの除去が困難であり、特定の限られた汚染
についてのみ有効である。これに対して、ウェット洗浄
はバッチ処理が可能であるので、スループットが高く、
複数種の汚染を簡単かつ低コストで除去することがで
き、幅広く使用されている。
【０００４】超ＬＳＩプロセスでは、複数の洗浄液によ
る処理を組み合わせて、多槽浸漬バッチ方式で洗浄シー
ケンスを組み立てている。その基本は、ＲＣＡ洗浄であ
る。ＲＣＡ洗浄に用いられる各薬液の組成を表１に示
す。
る処理を組み合わせて、多槽浸漬バッチ方式で洗浄シー
ケンスを組み立てている。その基本は、ＲＣＡ洗浄であ
る。ＲＣＡ洗浄に用いられる各薬液の組成を表１に示
す。
【０００５】
【表１】
【０００６】表１中、薬液ＳＣ−１は、アンモニア＋過
酸化水素＋水などで構成されるアルカリ性薬液であり、
パーティクル除去に効果がある。ＳＣ−２は、塩酸＋過
酸化水素＋水の酸性薬液であり、金属不純物の除去に効
果がある。また、希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄液は、ＳＣ−
１およびＳＣ−２でウェーハ表面に形成された自然酸化
膜の除去と金属不純物の除去に効果がある。
酸化水素＋水などで構成されるアルカリ性薬液であり、
パーティクル除去に効果がある。ＳＣ−２は、塩酸＋過
酸化水素＋水の酸性薬液であり、金属不純物の除去に効
果がある。また、希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄液は、ＳＣ−
１およびＳＣ−２でウェーハ表面に形成された自然酸化
膜の除去と金属不純物の除去に効果がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、デバイスの高
集積化に伴い、ゲート酸化膜が１０ｎｍ程度に薄膜化し
てきた現在、金属不純物を極限まで低減しなければなら
ないという要求が高まってきているにもかかわらず、現
状の洗浄方法では、金属不純物濃度１×１０11〜１×１
０12atoms/ cm2 程度残存してしまうという問題があ
る。
集積化に伴い、ゲート酸化膜が１０ｎｍ程度に薄膜化し
てきた現在、金属不純物を極限まで低減しなければなら
ないという要求が高まってきているにもかかわらず、現
状の洗浄方法では、金属不純物濃度１×１０11〜１×１
０12atoms/ cm2 程度残存してしまうという問題があ
る。
【０００８】また、その吸着挙動は、金属および薬液に
よって異なり、ＳＣ−１やＳＣ−２液中などの酸化が起
こる薬液中では、Ｆｅ，Ａｌ等がウェーハに吸着しやす
く、酸化膜が形成されない裸のＳｉ表面と成る薬液中で
は、Ｃｕがウェーハに吸着し易い。特に、Ｃｕの吸着
は、自然酸化膜を除去する希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄中に
おいて、イオン化傾向に支配されて起こる。
よって異なり、ＳＣ−１やＳＣ−２液中などの酸化が起
こる薬液中では、Ｆｅ，Ａｌ等がウェーハに吸着しやす
く、酸化膜が形成されない裸のＳｉ表面と成る薬液中で
は、Ｃｕがウェーハに吸着し易い。特に、Ｃｕの吸着
は、自然酸化膜を除去する希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄中に
おいて、イオン化傾向に支配されて起こる。
【０００９】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、薬液中に存在する金属不純物を有効に除去し、洗浄
中のウェーハへの金属不純物の付着を防止し、しかも薬
液の汚染も防止し、洗浄コストの低減を図ることができ
るウェーハの洗浄方法を提供することを目的とする。
れ、薬液中に存在する金属不純物を有効に除去し、洗浄
中のウェーハへの金属不純物の付着を防止し、しかも薬
液の汚染も防止し、洗浄コストの低減を図ることができ
るウェーハの洗浄方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るウェーハの洗浄方法は、薬液中にウェ
ーハを浸漬する際に、薬液中に、ウェーハに比べて金属
不純物の吸着力が大きい金属吸着部材を同時に存在させ
ることを特徴とする。
に、本発明に係るウェーハの洗浄方法は、薬液中にウェ
ーハを浸漬する際に、薬液中に、ウェーハに比べて金属
不純物の吸着力が大きい金属吸着部材を同時に存在させ
ることを特徴とする。
【００１１】上記金属吸着部材は、予め触媒活性核を吸
着させて表面を活性化させたダミーウェーハであること
が好ましい。このダミーウェーハは、パラジウムを含む
溶液中に予め浸漬させたウェーハであることが好まし
い。なお、上記金属吸着部材は、予め触媒活性核を吸着
させて表面を活性化させた部材であれば、ダミーウェー
ハ以外に、種々の態様が考えられる。たとえば、薬液を
貯蔵する槽の内面に、ポリシリコン膜を付け、その表面
に触媒活性核を吸着させて、槽自体を金属吸着部材とす
ることもできる。あるいは、ウェーハ以外の基板（汚染
源とならない基板が好ましい）の表面に、触媒活性核を
吸着させて表面を活性化させた部材を、金属吸着部材と
して用いることも可能である。
着させて表面を活性化させたダミーウェーハであること
が好ましい。このダミーウェーハは、パラジウムを含む
溶液中に予め浸漬させたウェーハであることが好まし
い。なお、上記金属吸着部材は、予め触媒活性核を吸着
させて表面を活性化させた部材であれば、ダミーウェー
ハ以外に、種々の態様が考えられる。たとえば、薬液を
貯蔵する槽の内面に、ポリシリコン膜を付け、その表面
に触媒活性核を吸着させて、槽自体を金属吸着部材とす
ることもできる。あるいは、ウェーハ以外の基板（汚染
源とならない基板が好ましい）の表面に、触媒活性核を
吸着させて表面を活性化させた部材を、金属吸着部材と
して用いることも可能である。
【００１２】上記薬液が、ウェーハの表面に酸化膜を付
けない条件の液体である場合に、本発明は特に有効であ
る。
けない条件の液体である場合に、本発明は特に有効であ
る。
【００１３】
【作用】シリコンウェーハなどのウェーハを、その表面
に酸化膜を付けない条件（酸化膜を除去する条件も含
む）の薬液中で洗浄する場合に、たとえば銅（Ｃｕ）な
どのイオン化傾向の小さい金属不純物は、裸のシリコン
表面に付着し易い。
に酸化膜を付けない条件（酸化膜を除去する条件も含
む）の薬液中で洗浄する場合に、たとえば銅（Ｃｕ）な
どのイオン化傾向の小さい金属不純物は、裸のシリコン
表面に付着し易い。
【００１４】しかしながら、本発明では、薬液中に、ウ
ェーハに比べて金属不純物の吸着力が大きい金属吸着部
材を同時に存在させているので、ウェーハに付着してい
たＣｕなどの金属不純物は、薬液中に溶解し、ウェーハ
に再付着することなく、速やかに、しかも、より安定的
に金属吸着部材に吸着される。また、もともと薬液中に
含まれていたＣｕなどの金属付着物も、ウェーハに付着
することなく、速やかに、しかも、より安定的に金属吸
着部材に吸着される。
ェーハに比べて金属不純物の吸着力が大きい金属吸着部
材を同時に存在させているので、ウェーハに付着してい
たＣｕなどの金属不純物は、薬液中に溶解し、ウェーハ
に再付着することなく、速やかに、しかも、より安定的
に金属吸着部材に吸着される。また、もともと薬液中に
含まれていたＣｕなどの金属付着物も、ウェーハに付着
することなく、速やかに、しかも、より安定的に金属吸
着部材に吸着される。
【００１５】したがって、本発明では、ウェーハに付着
していた金属不純物を効果的に除去することができ、し
かも薬液中に存在する金属不純物からのウェーハへの吸
着がない。さらに、薬液中に存在していた金属不純物は
全て金属吸着部材に吸着されるので、薬液を交換するこ
となく、半永久的に使用でき、大幅なコストダウンがで
きる。
していた金属不純物を効果的に除去することができ、し
かも薬液中に存在する金属不純物からのウェーハへの吸
着がない。さらに、薬液中に存在していた金属不純物は
全て金属吸着部材に吸着されるので、薬液を交換するこ
となく、半永久的に使用でき、大幅なコストダウンがで
きる。
【００１６】金属吸着部材が、予め触媒活性核を吸着さ
せて表面を活性化させたダミーウェーハである場合に
は、ダミーウェーハは、洗浄処理すべき処理ウェーハに
比較し、Ｃｕなどの金属不純物を吸着する触媒活性核を
表面に有する以外は、同一の構成である。したがって、
金属吸着部材（ダミーウェーハ）からの汚染を心配する
ことなく、処理ウェーハからの金属不純物の除去と、処
理ウェーハへの金属不純物の付着防止とを図ることがで
きる。
せて表面を活性化させたダミーウェーハである場合に
は、ダミーウェーハは、洗浄処理すべき処理ウェーハに
比較し、Ｃｕなどの金属不純物を吸着する触媒活性核を
表面に有する以外は、同一の構成である。したがって、
金属吸着部材（ダミーウェーハ）からの汚染を心配する
ことなく、処理ウェーハからの金属不純物の除去と、処
理ウェーハへの金属不純物の付着防止とを図ることがで
きる。
【００１７】ウェーハを、パラジウムを含む溶液中に予
め浸漬させれば、ダミーウェーハで構成される金属吸着
部材を容易に製造することができる。このダミーウェー
ハの金属吸着機能が低下した場合には、新たなダミーウ
ェーハを作成し、古いダミーウェーハと交換して、薬液
内に入れれば良い。すなわち、金属吸着部材の製造およ
びメンテナンスが容易である。
め浸漬させれば、ダミーウェーハで構成される金属吸着
部材を容易に製造することができる。このダミーウェー
ハの金属吸着機能が低下した場合には、新たなダミーウ
ェーハを作成し、古いダミーウェーハと交換して、薬液
内に入れれば良い。すなわち、金属吸着部材の製造およ
びメンテナンスが容易である。
【００１８】
【実施例】以下、本発明に係るウェーハの洗浄方法を、
図面に示す実施例に基づき、詳細に説明する。本発明の
一実施例に係るウェーハの洗浄方法では、希フッ酸（Ｄ
ＨＦ）薬液を用いてウェーハの洗浄を行う場合に付いて
説明する。
図面に示す実施例に基づき、詳細に説明する。本発明の
一実施例に係るウェーハの洗浄方法では、希フッ酸（Ｄ
ＨＦ）薬液を用いてウェーハの洗浄を行う場合に付いて
説明する。
【００１９】本実施例では、まず、金属吸着部材として
のダミーウェーハを準備する。ダミーウェーハを準備す
るために、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、活性化槽
２内に貯留してある活性化溶液４中に、洗浄処理すべき
シリコンウェーハと同じ組成のダミーウェーハ６（希フ
ッ酸（ＤＨＦ）洗浄済）を浸漬する。活性化液４の組成
を、表２に示す。
のダミーウェーハを準備する。ダミーウェーハを準備す
るために、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、活性化槽
２内に貯留してある活性化溶液４中に、洗浄処理すべき
シリコンウェーハと同じ組成のダミーウェーハ６（希フ
ッ酸（ＤＨＦ）洗浄済）を浸漬する。活性化液４の組成
を、表２に示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】表２に示すように、活性化液４は、溶液１
リットル当り、０．１〜０．３ｇの塩化パラジウムと、
１〜３ｍｌの塩酸とを含み、温度が３０〜４０°Ｃに設
定してある。浸漬時間は、特に限定されないが、たとえ
ば１〜５分である。活性化溶液４中への浸漬の結果、ダ
ミーウェーハ６の表面には、パラジウムで構成される活
性核が形成される。なお、ダミーウェーハ６の表面に、
パラジウムで構成される活性核を良好に形成するため
に、まず塩化第２スズを含む溶液中に希フッ酸洗浄後の
ダミーウェーハを浸漬し、スズで構成される核をウェー
ハの表面に付け、その後水洗した後、そのウェーハを前
記活性化溶液４中に浸漬しても良い。
リットル当り、０．１〜０．３ｇの塩化パラジウムと、
１〜３ｍｌの塩酸とを含み、温度が３０〜４０°Ｃに設
定してある。浸漬時間は、特に限定されないが、たとえ
ば１〜５分である。活性化溶液４中への浸漬の結果、ダ
ミーウェーハ６の表面には、パラジウムで構成される活
性核が形成される。なお、ダミーウェーハ６の表面に、
パラジウムで構成される活性核を良好に形成するため
に、まず塩化第２スズを含む溶液中に希フッ酸洗浄後の
ダミーウェーハを浸漬し、スズで構成される核をウェー
ハの表面に付け、その後水洗した後、そのウェーハを前
記活性化溶液４中に浸漬しても良い。
【００２２】以上のようにして準備されたダミーウェー
ハ６を、次に、図２に示すように、洗浄用薬液槽８内に
浸漬する。薬液槽８には、希フッ酸（ＤＨＦ）溶液１０
が貯留してある。ダミーウェーハ６を薬液槽８内に浸漬
すると、薬液槽８中に不純物イオンとして溶解していた
Ｃｕは、ダミーウェーハ表面で、Ｃｕに還元され、活性
核回りに析出する。
ハ６を、次に、図２に示すように、洗浄用薬液槽８内に
浸漬する。薬液槽８には、希フッ酸（ＤＨＦ）溶液１０
が貯留してある。ダミーウェーハ６を薬液槽８内に浸漬
すると、薬液槽８中に不純物イオンとして溶解していた
Ｃｕは、ダミーウェーハ表面で、Ｃｕに還元され、活性
核回りに析出する。
【００２３】次に、この状態を維持しながら、図３のよ
うに、希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄用薬液槽８内に、複数の
処理ウェーハ１２をウェーハキャリア１４と共に、所定
の時間浸漬する。この時、処理ウェーハ１２に付着して
いたＣｕを含む金属汚染物が希フッ酸（ＤＨＦ）溶液１
０中に溶解し、速やかに、より安定的に、活性化された
ダミーウェーハの表面に選択的に付着する。処理ウェー
ハ１２を薬液槽８内に浸漬する時間は、特に限定されな
いが、たとえば１〜２分である。
うに、希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄用薬液槽８内に、複数の
処理ウェーハ１２をウェーハキャリア１４と共に、所定
の時間浸漬する。この時、処理ウェーハ１２に付着して
いたＣｕを含む金属汚染物が希フッ酸（ＤＨＦ）溶液１
０中に溶解し、速やかに、より安定的に、活性化された
ダミーウェーハの表面に選択的に付着する。処理ウェー
ハ１２を薬液槽８内に浸漬する時間は、特に限定されな
いが、たとえば１〜２分である。
【００２４】本実施例の方法により洗浄した処理ウェー
ハの表面のＣｕ除去能力を、従来例の方法のそれと比較
した結果を表３に示す。
ハの表面のＣｕ除去能力を、従来例の方法のそれと比較
した結果を表３に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】表３に示す実験では、本実施例の方法によ
り洗浄した処理ウェーハの洗浄前および洗浄後のＣｕ付
着状態を、原子吸光分析法を用いて測定した。本実施例
の方法では、洗浄前の処理ウェーハに付着しているＣｕ
は、１．０×１０12atoms／ｃｍ2 であったのに対し、
洗浄後の処理ウェーハに付着しているＣｕは、原子吸光
分析法で検出できる限界以下であった。これに対し、従
来の方法により洗浄した処理ウェーハの洗浄前の処理ウ
ェーハに付着しているＣｕは、１．０×１０12atoms／
ｃｍ2 であったのに対し、洗浄後の処理ウェーハに付着
しているＣｕは、１．０×１０11atoms／ｃｍ2 であっ
た。
り洗浄した処理ウェーハの洗浄前および洗浄後のＣｕ付
着状態を、原子吸光分析法を用いて測定した。本実施例
の方法では、洗浄前の処理ウェーハに付着しているＣｕ
は、１．０×１０12atoms／ｃｍ2 であったのに対し、
洗浄後の処理ウェーハに付着しているＣｕは、原子吸光
分析法で検出できる限界以下であった。これに対し、従
来の方法により洗浄した処理ウェーハの洗浄前の処理ウ
ェーハに付着しているＣｕは、１．０×１０12atoms／
ｃｍ2 であったのに対し、洗浄後の処理ウェーハに付着
しているＣｕは、１．０×１０11atoms／ｃｍ2 であっ
た。
【００２７】表３に示す結果から、従来の方法に比較
し、本実施例の方法では、処理ウェーハの表面からＣｕ
を効果的に除去できることが確認された。以上のとお
り、本実施例の洗浄方法により処理ウェーハ１２への金
属汚染の付着を防ぐことができる。
し、本実施例の方法では、処理ウェーハの表面からＣｕ
を効果的に除去できることが確認された。以上のとお
り、本実施例の洗浄方法により処理ウェーハ１２への金
属汚染の付着を防ぐことができる。
【００２８】また、前記のような活性化されたダミーウ
ェーハの入った希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄用槽８を使用し
て、何度もウェーハ１２を洗浄処理できる。ダミーウェ
ーハの６の触媒活性がなくなってきたら、新たに希フッ
酸（ＤＨＦ）洗浄剤の別にダミーウェーハ６を準備し、
前記と同様の活性化処理を行う。また、この薬液（ＤＨ
Ｆ）１０は汚染されることがないため、半永久的に使用
できる。
ェーハの入った希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄用槽８を使用し
て、何度もウェーハ１２を洗浄処理できる。ダミーウェ
ーハの６の触媒活性がなくなってきたら、新たに希フッ
酸（ＤＨＦ）洗浄剤の別にダミーウェーハ６を準備し、
前記と同様の活性化処理を行う。また、この薬液（ＤＨ
Ｆ）１０は汚染されることがないため、半永久的に使用
できる。
【００２９】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。たとえば、金属吸着部材は、予め触媒活性
核を吸着させて表面を活性化させた部材であれば、上記
ダミーウェーハ６以外に、種々の態様が考えられる。た
とえば、薬液を貯蔵する槽８の内面に、ポリシリコン膜
を付け、その表面に触媒活性核を吸着させて、槽自体を
金属吸着部材とすることもできる。あるいは、ウェーハ
以外の基板（汚染源とならない基板が好ましい）の表面
に、触媒活性核を吸着させて表面を活性化させた部材
を、金属吸着部材として用いることも可能である。
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。たとえば、金属吸着部材は、予め触媒活性
核を吸着させて表面を活性化させた部材であれば、上記
ダミーウェーハ６以外に、種々の態様が考えられる。た
とえば、薬液を貯蔵する槽８の内面に、ポリシリコン膜
を付け、その表面に触媒活性核を吸着させて、槽自体を
金属吸着部材とすることもできる。あるいは、ウェーハ
以外の基板（汚染源とならない基板が好ましい）の表面
に、触媒活性核を吸着させて表面を活性化させた部材
を、金属吸着部材として用いることも可能である。
【００３０】また、洗浄用薬液槽８内に貯留される薬液
１０としては、ＤＨＦに限らず、処理ウェーハ１２に酸
化シリコン膜を付けない（除去できる場合も含む）条件
の薬液であれば、何でも良い。処理ウェーハ１２に酸化
シリコン膜を成長させない条件の薬液としては、アンモ
ニア溶液などの中性からアルカリ性の溶液を例示するこ
とができる。処理ウェーハ１２の表面の酸化シリコン膜
を除去できる溶液としては、ＤＨＦ以外に、フッ化アン
モニウム溶液などを例示することができる。
１０としては、ＤＨＦに限らず、処理ウェーハ１２に酸
化シリコン膜を付けない（除去できる場合も含む）条件
の薬液であれば、何でも良い。処理ウェーハ１２に酸化
シリコン膜を成長させない条件の薬液としては、アンモ
ニア溶液などの中性からアルカリ性の溶液を例示するこ
とができる。処理ウェーハ１２の表面の酸化シリコン膜
を除去できる溶液としては、ＤＨＦ以外に、フッ化アン
モニウム溶液などを例示することができる。
【００３１】さらに、ダミーウェーハなどの金属吸着部
材の表面に形成される触媒活性核としては、パラジウム
以外に、金、白金などを用いることができる。さらにま
た、薬液槽８内に入れられるダミーウェーハ６の個数
は、単一に限定されず、複数でも良い。ダミーウェーハ
６は、処理ウェーハ１２に近接して設けることが好まし
い。ダミーウェーハ６を、ウェーハキャリア１４内に収
容することも考えられる。ただし、ウェーハキャリア１
４の外部にダミーウェーハ６を設置する方が、ダミーウ
ェーハ６の管理が容易である。
材の表面に形成される触媒活性核としては、パラジウム
以外に、金、白金などを用いることができる。さらにま
た、薬液槽８内に入れられるダミーウェーハ６の個数
は、単一に限定されず、複数でも良い。ダミーウェーハ
６は、処理ウェーハ１２に近接して設けることが好まし
い。ダミーウェーハ６を、ウェーハキャリア１４内に収
容することも考えられる。ただし、ウェーハキャリア１
４の外部にダミーウェーハ６を設置する方が、ダミーウ
ェーハ６の管理が容易である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ウェーハに付着していたＣｕなどの金属不純物は、
薬液中に溶解し、ウェーハに再付着することなく、速や
かに、しかも、より安定的に金属吸着部材に吸着され
る。また、もともと薬液中に含まれていたＣｕなどの金
属付着物も、ウェーハに付着することなく、速やかに、
しかも、より安定的に金属吸着部材に吸着される。
ば、ウェーハに付着していたＣｕなどの金属不純物は、
薬液中に溶解し、ウェーハに再付着することなく、速や
かに、しかも、より安定的に金属吸着部材に吸着され
る。また、もともと薬液中に含まれていたＣｕなどの金
属付着物も、ウェーハに付着することなく、速やかに、
しかも、より安定的に金属吸着部材に吸着される。
【００３３】したがって、本発明では、ウェーハに付着
していた金属不純物を効果的に除去することができ、し
かも薬液中に存在する金属不純物からのウェーハへの吸
着がない。さらに、薬液中に存在していた金属不純物は
全て金属吸着部材に吸着されるので、薬液を交換するこ
となく、半永久的に使用でき、大幅なコストダウンがで
きる。
していた金属不純物を効果的に除去することができ、し
かも薬液中に存在する金属不純物からのウェーハへの吸
着がない。さらに、薬液中に存在していた金属不純物は
全て金属吸着部材に吸着されるので、薬液を交換するこ
となく、半永久的に使用でき、大幅なコストダウンがで
きる。
【００３４】金属吸着部材が、予め触媒活性核を吸着さ
せて表面を活性化させたダミーウェーハである場合に
は、ダミーウェーハからの汚染を心配することなく、処
理ウェーハからの金属不純物の除去と、処理ウェーハへ
の金属不純物の付着防止とを図ることができる。
せて表面を活性化させたダミーウェーハである場合に
は、ダミーウェーハからの汚染を心配することなく、処
理ウェーハからの金属不純物の除去と、処理ウェーハへ
の金属不純物の付着防止とを図ることができる。
【００３５】ウェーハを、パラジウムを含む溶液中に予
め浸漬させれば、ダミーウェーハで構成される金属吸着
部材を容易に製造することができる。このダミーウェー
ハの金属吸着機能が低下した場合には、新たなダミーウ
ェーハを作成し、古いダミーウェーハと交換して、薬液
内に入れれば良い。すなわち、金属吸着部材の製造およ
びメンテナンスが容易である。
め浸漬させれば、ダミーウェーハで構成される金属吸着
部材を容易に製造することができる。このダミーウェー
ハの金属吸着機能が低下した場合には、新たなダミーウ
ェーハを作成し、古いダミーウェーハと交換して、薬液
内に入れれば良い。すなわち、金属吸着部材の製造およ
びメンテナンスが容易である。
【図１】図１（Ａ）は本発明の一実施例に係るウェーハ
の洗浄方法で用いるダミーウェーハを活性化させるため
の槽の正面側断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）に示す槽
の側面側断面図である。
の洗浄方法で用いるダミーウェーハを活性化させるため
の槽の正面側断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）に示す槽
の側面側断面図である。
【図２】図２は同実施例で用いる洗浄用薬液槽にダミー
ウェーハのみを浸漬した側面側断面図である。
ウェーハのみを浸漬した側面側断面図である。
【図３】図３は同実施例で用いる洗浄用薬液槽に処理ウ
ェーハを浸漬した側面側断面図である。
ェーハを浸漬した側面側断面図である。
２… 活性化槽 ４… 活性化溶液 ６… ダミーウェーハ ８… 洗浄用薬液槽 １０… 薬液 １２… 処理ウェーハ １４… ウェーハキャリア
Claims (4)
- 【請求項１】 薬液中にウェーハを浸漬し、ウェーハを
洗浄する方法において、 薬液中にウェーハを浸漬する際に、薬液中に、ウェーハ
に比べて金属不純物の吸着力が大きい金属吸着部材を同
時に存在させることを特徴とするウェーハの洗浄方法。 - 【請求項２】 上記金属吸着部材は、予め触媒活性核を
吸着させて表面を活性化させたダミーウェーハである請
求項１に記載のウェーハの洗浄方法。 - 【請求項３】 上記ダミーウェーハは、パラジウムを含
む溶液中に予め浸漬させたウェーハである請求項２に記
載のウェーハの洗浄方法。 - 【請求項４】 上記薬液は、ウェーハの表面に酸化膜を
付けない条件の液体である請求項１〜３のいずれかに記
載のウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17460794A JPH0845885A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | ウェーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17460794A JPH0845885A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | ウェーハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845885A true JPH0845885A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=15981548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17460794A Pending JPH0845885A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | ウェーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020113577A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP17460794A patent/JPH0845885A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020113577A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
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