JP2020113577A - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】金属含有材料から溶出した金属成分の基板への付着量を抑制するのに有効な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、循環する処理液により基板に処理を施すための処理部であって、処理液の流路に金属含有材料を含む処理部と、基板を処理用のエリアに搬入して処理液に晒すように処理部を制御する処理制御部と、処理液中の金属成分を吸着する吸着部材を処理用のエリアに搬入して処理液に晒すように処理部を制御する吸着制御部と、を備える。【選択図】図２

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。

特許文献１には、平均Ａｌ濃度が１ｐｐｂ以下である合成石英材からなる洗浄槽内に、アンモニア及び過酸化水素水を含む洗浄液を満たし、半導体ウェーハを洗浄液に浸漬させ、洗浄液による合成石英の表面エッチング速度が０．３ｎｍ／ｍｉｎ以下となるようにして半導体ウェーハを洗浄する半導体ウェーハの洗浄方法が開示されている。

特開２０１３−２４３２１９号公報

本開示は、金属含有材料から溶出した金属成分の基板への付着量を抑制するのに有効な基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

本開示の一側面に係る基板処理装置は、循環する処理液により基板に処理を施すための処理部であって、処理液の流路に金属含有材料を含む処理部と、基板を処理用のエリアに搬入して処理液に晒すように処理部を制御する処理制御部と、処理液中の金属成分を吸着する吸着部材を処理用のエリアに搬入して処理液に晒すように処理部を制御する吸着制御部と、を備える。

本開示によれば、金属含有材料から溶出した金属成分の基板への付着量を抑制するのに有効な基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。

第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。 液処理装置の概略構成を例示する模式図である。 制御部の機能的な構成を例示するブロック図である。 基板処理手順を例示するフローチャートである。 吸着処理手順を例示するフローチャートである。 第２実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。 処理ユニットの概略構成を例示する模式図である。 制御部の機能的な構成を例示するブロック図である。 基板処理手順を例示するフローチャートである。 吸着処理手順を例示するフローチャートである。 処理液が含有する金属成分量の経時的な推移を例示するグラフである。

以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

１．第１実施形態
（１）基板処理装置
図１に示すように、基板処理装置１Ａは、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット処理部６と、制御部７とを有する。

このうちキャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、２５枚）のウェハＷを水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。

このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。

ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容されたウェハＷを組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、５０枚）のウェハＷからなるロットを形成する。

このロット形成部３には、複数枚のウェハＷを搬送する基板搬送機構１５が設けられている。なお、基板搬送機構１５は、ウェハＷの搬送途中でウェハＷの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。

そして、ロット形成部３は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９から基板搬送機構１５を用いてウェハＷをロット載置部４に搬送し、ロットを形成するウェハＷをロット載置部４に載置する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構１５でキャリア載置台１４に載置されたキャリア９へ搬送する。

ロット載置部４は、ロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台１６で一時的に載置（待機）する。

このロット載置部４には、処理前（ロット処理部６で処理される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台１７と、処理後（ロット処理部６で処理された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台１８とが設けられている。

ロット処理部６（処理部）は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚のウェハＷを１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。

このロット処理部６には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９と、ウェハＷの乾燥処理を行う乾燥処理装置２３と、基板保持体２２の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置２４と、ウェハＷの液処理を行う複数の液処理モジュール２６とが設けられている。

ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール２０と、複数枚のウェハＷを保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とで構成する。移動体２１には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚のウェハＷを保持する基板保持体２２が進退自在に設けられている。

そして、ロット搬送機構１９は、搬入側ロット載置台１７に載置されたロットを基板保持体２２で受取り、そのロットをロット処理部６に受け渡す。また、ロット搬送機構１９は、ロット処理部６で処理されたロットを基板保持体２２で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台１８に受け渡す。さらに、ロット搬送機構１９は、ロット処理部６の内部においてもロットの搬送を行う。

乾燥処理装置２３は、処理槽２７と、処理槽２７に昇降自在に設けられた基板昇降機構２８とを有する。処理槽２７には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構２８には、１ロット分の複数枚のウェハＷが垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置２３は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構２８で受取り、基板昇降機構２８でそのロットを昇降させることで、処理槽２７に供給した乾燥用の処理ガスでウェハＷの乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置２３は、基板昇降機構２８からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受け渡す。

基板保持体洗浄処理装置２４は、処理槽２９を有し、この処理槽２９に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。

液処理モジュール２６は、複数の液処理装置３０を有する。それぞれの液処理装置３０は、処理槽３１と、基板昇降機構３２とを有する（図２参照）。処理槽３１は、液処理用の処理液を含む。処理液の具体例としては、リン酸水溶液、ＳＣ−１（アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液）、ＳＣ−２（塩酸、過酸化水素及び純水の混合液）、ＳＰＭ（硫酸、過酸化水素及び純水の混合液）、ＤＨＦ（フッ酸と純水の混合液）、及びＤＩＷ（脱イオン水）等が挙げられる。

基板昇降機構３２は、基板保持体２２からロットを受取り、そのロットを昇降させることでロットを処理槽３１内の処理液に浸漬させてウェハＷの液処理を行う。その後、基板昇降機構３２は、ロットを上昇させてロット搬送機構１９の基板保持体２２に引き渡す。

液処理装置３０は、処理液の流路に金属含有材料を含んでいてもよい。金属含有材料の具体例としては、石英が挙げられる。石英は、アルミニウムを含有する場合がある。金属含有材料が含有する金属はアルミニウムに限られない。処理液の流路の材料が含み得る金属の他の例としては、鉄及び亜鉛等が挙げられる。

複数の液処理装置３０は、循環する第１処理液によりウェハＷに液処理を施す少なくとも一つの第１処理装置３０Ａ（第１処理部）を含んでもよい。第１処理液は、流路から溶出した金属成分をウェハＷに付着させ得る処理液である。また、複数の液処理装置３０は、ウェハＷに付着した金属成分を除去する第２処理液によりウェハＷに液処理を施す少なくとも一つの第２処理装置３０Ｂ（第２処理部）を更に含んでもよい。第１処理液の具体例としては、ＳＣ−１等のアルカリ性処理液、及びＤＩＷ等の中性処理液が挙げられる。第２処理液の具体例としては、ＳＣ−２、ＳＰＭ及びＤＨＦ等の酸性処理液が挙げられる。

制御部７は、基板処理装置１Ａの各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット処理部６）の動作を制御する。

この制御部７は、たとえばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体３８を備える。記憶媒体３８には、基板処理装置１Ａにおいて実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体３８に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１Ａの動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体３８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体３８にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体３８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

（２）液処理装置
図２に示すように、上述の液処理装置３０は、処理槽３１と、基板昇降機構３２と、循環部５０と、処理液補充部６０と、希釈液補充部７０と、金属濃度検出部８０とを有する。

処理槽３１は、内槽４１と、外槽４２と、蓋部４３を有する。内槽４１は、処理液中にウェハＷを浸漬するための槽であり、浸漬用の処理液を収容する。内槽４１の上部は開放されているので、内槽４１内の処理液にウェハＷを上方から浸漬することが可能である。内槽４１内には、複数のウェハＷが起立した状態で配置される。外槽４２は、内槽４１を包囲するように設けられており、内槽４１から溢れた処理液を収容する。蓋部４３（バスリッド）は、内槽４１の上部の少なくとも一部を塞いで内槽４１内の処理液の揮発を抑制する。

基板昇降機構３２は、基板保持体２２から受け取った複数のウェハＷを起立した状態で保持する。基板昇降機構３２は、保持している複数のウェハＷを、内槽４１内の浸漬高さと、内槽４１の上方の受渡高さとの間で昇降させる。

循環部５０は、処理槽３１から排出された処理液を処理槽３１に戻す。例えば循環部５０は、外槽４２から排出された処理液を内槽４１内の下部に戻す。循環部５０は、吐出部５１と、循環管路５２とを有する。

吐出部５１は、内槽４１内の下部に設けられており、処理液を内槽４１内に吐出する。循環管路５２は、外槽４２内から内槽４１内に処理液を導く。循環管路５２の一端部は外槽４２の底部に接続されており、循環管路５２の他端部は吐出部５１に接続されている。循環管路５２は、ポンプ５３と、ヒータ５４と、フィルタ５５と、流量計５６とを含む。例えばポンプ５３、ヒータ５４、フィルタ５５及び流量計５６は、外槽４２側から内槽４１側（吐出部５１側）に向かってこの順に並んでいる。ポンプ５３は、外槽４２側から内槽４１側に処理液を圧送する。ヒータ５４は、処理液を設定温度まで加熱する。フィルタ５５は、処理液中に混入したパーティクルを除去する。流量計５６は、循環管路５２における処理液の流量を検出する。この検出結果は、例えばポンプ５３の制御等に用いられる。

液処理装置３０においては、少なくとも循環部５０が金属含有材料を含んでいる。例えば、ヒータ５４及び流量計５６の少なくとも一部が金属含有材料（例えば石英）により構成されている。更に、内槽４１、外槽４２、蓋部４３及び基板昇降機構３２等が金属含有材料（例えば石英）を含んでいてもよい。

処理液補充部６０は、必要に応じ処理液を外槽４２に補充する。処理液補充部６０は、処理液の液源６１と、バルブ６２とを含む。バルブ６２は、処理液補充のタイミングに合わせて、液源６１から外槽４２への処理液の流路を開閉する。

希釈液補充部７０は、必要に応じ希釈液（例えばＤＩＷ）を外槽４２に補充する。希釈液補充部７０は、希釈液の液源７１と、バルブ７２とを含む。バルブ７２は、希釈液補充のタイミングに合わせて、液源７１から外槽４２への希釈液の流路を開閉する。

金属濃度検出部８０は、処理液中の金属成分の濃度を検出する。金属濃度検出部８０は、サンプリング管路８１と、金属濃度分析器８２と、バルブ８３とを含む。サンプリング管路８１は、例えばヒータ５４とフィルタ５５との間において循環管路５２から分岐し、循環管路５２を流れる処理液の一部を抜き出す。金属濃度分析器８２は、サンプリング管路８１により抜き出された処理液中の金属成分の濃度を分析する。金属濃度分析器８２の具体例としては、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）質量分析装置等が挙げられる。金属濃度分析器８２は、処理液の取り込みと金属成分の濃度分析とを所定の周期（例えば約５分）で繰り返す。バルブ８３は、金属濃度分析器８２が処理液を取り込むタイミングに合わせてサンプリング管路８１内の流路を開閉する。なお、ここに例示した金属濃度検出部８０によれば、循環部５０内の処理液における金属成分の濃度が検出されるが、濃度の検出対象箇所は循環部５０内に限られない。液処理装置３０内を循環する処理液の濃度を検出し得る限り、液処理装置３０のいかなる箇所を濃度の検出対象としてもよい。

（３）制御部
制御部７は、ウェハＷを処理用のエリアに搬入して処理液に晒すようにロット処理部６を制御することと、処理液中の金属成分を吸着する吸着部材ＷＤ（図１参照）を上記処理用のエリアに搬入して処理液に晒すようにロット処理部６を制御することと、を実行するように構成されている。処理用のエリアは、例えば乾燥処理装置２３及び液処理モジュール２６を含むロット処理部６内の処理エリアＡ１（図１参照）である。

図３に例示するように、制御部７は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、スケジュール記憶部９１と、処理制御部９２と、吸着制御部９３とを有する。スケジュール記憶部９１は、各液処理装置３０にウェハＷが搬入されるタイミングを含む処理スケジュールを記憶する。

処理制御部９２は、ウェハＷのロットを処理エリアＡ１に搬入して処理液に晒すようにロット処理部６を制御する。例えば処理制御部９２は、ウェハＷのロットをロット搬送機構１９により処理エリアＡ１に搬入するようにロット処理部６を制御する。更に処理制御部９２は、ウェハＷのロットをロット搬送機構１９によりいずれかの液処理装置３０に搬送し、当該ロットを液処理装置３０により処理液に浸漬させるようにロット処理部６を制御する。例えば処理制御部９２は、基板保持体２２から基板昇降機構３２に当該ロットを引き渡し、基板昇降機構３２により当該ロットを処理槽３１内の処理液に浸漬するようにロット処理部６を制御する。その後処理制御部９２は、基板昇降機構３２により当該ロットを処理槽３１内から上昇させ、基板昇降機構３２から基板保持体２２に当該ロットを戻すようにロット処理部６を制御する。更に処理制御部９２は、当該ロットを処理エリアＡ１から搬出してロット載置部４に戻すようにロット処理部６を制御する。

吸着制御部９３は、上記吸着部材ＷＤを処理エリアＡ１に搬入して処理液に晒すようにロット処理部６を制御する。吸着部材ＷＤは、ウェハＷが配置される位置にウェハＷと同様に配置することが可能な吸着基板である。より具体的に、吸着部材ＷＤは、ウェハＷと同じ外径で、基板保持体２２及び基板昇降機構３２によりウェハＷと同様に保持可能である。吸着部材ＷＤは、表面に被膜が形成されていないベアウェハであってもよいし、表面に酸化被膜が形成されたウェハであってもよい。吸着部材ＷＤは、基板処理装置１Ａ内に常設されていてもよい。換言すると、基板処理装置１Ａは吸着部材ＷＤの収容部（以下、「吸着部材キャリア」という。）を更に備えていてもよい。例えば、少なくとも一つのキャリアストック１２に吸着部材キャリア９Ａ（吸着部材収容部）が設置されていてもよい（図１参照）。

また、処理液への吸着部材ＷＤの浸漬が必要になる度に、基板処理装置１Ａ外の吸着部材キャリア９Ａをキャリアステージ１０に搬送してもよい。吸着部材ＷＤを処理液に浸漬させる前に、吸着制御部９３は、キャリアステージ１０又はキャリアストック１２から吸着部材キャリア９Ａをキャリア載置台１４に搬送するようにキャリア搬入出部２を制御する。その後吸着制御部９３は、吸着部材キャリア９Ａ内から吸着部材ＷＤを取り出し、ロット載置部４に吸着部材ＷＤのロットを形成するようにロット形成部３を制御する。

吸着部材ＷＤのロットを形成させた後、吸着制御部９３は、吸着部材ＷＤのロットをロット搬送機構１９により処理エリアＡ１に搬入するようにロット処理部６を制御する。更に吸着制御部９３は、吸着部材ＷＤのロットをロット搬送機構１９によりいずれかの上記第１処理装置３０Ａに搬送し、当該ロットを第１処理装置３０Ａにより第１処理液に浸漬するようにロット処理部６を制御する。例えば吸着制御部９３は、基板保持体２２から第１処理装置３０Ａの基板昇降機構３２に当該ロットを引き渡し、基板昇降機構３２により当該ロットを処理槽３１内の第１処理液に浸漬するようにロット処理部６を制御する。その後吸着制御部９３は、基板昇降機構３２により当該ロットを処理槽３１内から上昇させ、基板昇降機構３２から基板保持体２２に当該ロットを戻すようにロット処理部６を制御する。

吸着部材ＷＤのロットを基板保持体２２に戻させた後、吸着制御部９３は、ロット搬送機構１９により当該ロットをロット載置部４に搬送するようにロット処理部６を制御する。その後吸着制御部９３は、ロット載置部４のウェハＷを吸着部材キャリア９Ａ内に戻すようにロット形成部３を制御する。その後吸着制御部９３は、吸着部材キャリア９Ａをキャリアステージ１０又はキャリアストック１２に戻すようにキャリア搬入出部２を制御する。

吸着制御部９３は、上記第１処理装置３０Ａにより吸着部材ＷＤを第１処理液に晒すようにロット処理部６を制御する吸着制御と、上記第２処理装置３０Ｂにより吸着部材ＷＤを第２処理液に晒すようにロット処理部６を制御する洗浄制御とを繰り返すように構成されていてもよい。吸着制御部９３は、吸着制御から洗浄制御までの間、及び洗浄制御から吸着制御までの間の少なくとも一方において、乾燥処理装置２３により吸着部材ＷＤの乾燥処理を実行するようにロット処理部６を制御してもよい。

乾燥処理に際して、吸着制御部９３は、吸着部材ＷＤのロットをロット搬送機構１９により乾燥処理装置２３に搬送し、乾燥処理装置２３により吸着部材ＷＤを乾燥させるようにロット処理部６を制御する。例えば吸着制御部９３は、基板保持体２２から基板昇降機構２８に当該ロットを引き渡し、基板昇降機構２８により当該ロットを処理槽２７内に下降させるようにロット処理部６を制御する。その後吸着制御部９３は、基板昇降機構２８により当該ロットを処理槽２７内から上昇させ、基板昇降機構２８から基板保持体２２に当該ロットを戻すようにロット処理部６を制御する。

吸着制御部９３は、いずれかの第１処理装置３０Ａにおいて、ウェハＷが処理液に晒されていない状態にて所定時間が経過した場合に、吸着部材ＷＤを第１処理装置３０Ａに搬入するように構成されていてもよい。所定時間は、処理液中の金属成分の濃度が許容レベルを超えることが無いように予め設定される。許容レベルは、処理液中におけるウェハＷへの金属成分の付着を十分に抑えられるレベルである。吸着制御部９３は、処理液中の金属成分の濃度が所定レベルに達した場合に、吸着部材ＷＤを第１処理装置３０Ａに搬入するようにロット処理部６を制御してもよい。所定レベルは、上記許容レベル以下となるように予め設定されている。

制御部７は、搬入予定検知部９４を更に有してもよい。搬入予定検知部９４は、第１処理装置３０ＡへのウェハＷの搬入予定タイミングを、スケジュール記憶部９１が記憶する処理スケジュールに基づいて検知する。この場合、吸着制御部９３は、次の搬入予定タイミングに基づいて上記吸着制御と上記洗浄制御との繰り返しを停止してもよい。例えば吸着制御部９３は、吸着制御を実行中の第１処理装置３０Ａに対するウェハＷの搬入予定タイミングが近づくのに応じて吸着制御と洗浄制御との繰り返しを停止させる。より具体的に吸着制御部９３は、現在時刻から搬入予定タイミングまでの時間が所定のマージン以下となるのに応じて吸着制御と洗浄制御との繰り返しを停止させる。

（４）基板処理手順
続いて、基板処理方法の一例として、基板処理装置１Ａが実行する基板処理手順を例示する。この基板処理手順は、ウェハＷを処理エリアＡ１に搬入して処理液に晒すことと、吸着部材ＷＤを処理エリアＡ１に搬入して処理液に晒すことと、を含む。

図４は、いずれかの第１処理装置３０Ａにおいて基板処理装置１Ａが実行する基板処理手順を例示するフローチャートである。図４に示すように、制御部７は、まずステップＳ０１，Ｓ０２を実行する。ステップＳ０１では、処理制御部９２が、ウェハＷのロットをロット搬送機構１９により第１処理装置３０Ａに搬送し、当該ロットを第１処理装置３０Ａにより処理液に浸漬させるようにロット処理部６を制御する。ステップＳ０２では、現在時刻から次のウェハＷの搬入予定タイミングまでの時間が上記マージン以下となっているか否かを処理制御部９２が確認する。以下、現在時刻から次のウェハＷの搬入予定タイミングまでの時間が上記マージン以下となっていることを、「次の搬入予約がある」という。

ステップＳ０２において、次の搬入予約があると判定した場合、制御部７は処理をステップＳ０１に戻す。以後、次の搬入予約がないと判定されるまでは、ウェハＷのロットを第１処理装置３０Ａにより処理液に浸漬させることが繰り返される。ステップＳ０２において、次の搬入予約はないと判定した場合、制御部７はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、第１処理装置３０ＡにおいてウェハＷが処理液に晒されていない状態にて所定時間が経過したか否かを吸着制御部９３が確認する。換言すると、ウェハＷのロットが第１処理装置３０Ａの処理液から取り出された後の経過時間（以下、「アイドル時間」という。）が上記所定時間に達したか否かを吸着制御部９３が確認する。

ステップＳ０３において、アイドル時間が所定時間に達していないと判定した場合、制御部７は処理をステップＳ０２に戻す。ステップＳ０３において、アイドル時間が所定時間に達したと判定した場合、制御部７はステップＳ０４，Ｓ０５を実行する。ステップＳ０４では、吸着制御部９３が、キャリアステージ１０又はキャリアストック１２から吸着部材キャリア９Ａをキャリア載置台１４に搬送するようにキャリア搬入出部２を制御する。ステップＳ０５では、吸着制御部９３が、吸着部材キャリア９Ａ内から吸着部材ＷＤを取り出し、ロット載置部４に吸着部材ＷＤのロットを形成するようにロット形成部３を制御する。

次に、制御部７はステップＳ０６，Ｓ０７を実行する。ステップＳ０６は、吸着部材ＷＤのロットを第１処理装置３０Ａの処理液に浸漬させる処理（以下、「吸着処理」という。）を含む。ステップＳ０６は、吸着部材ＷＤのロットを第２処理装置３０Ｂの処理液に浸漬させる処理（以下、「洗浄処理」という。）を更に含んでもよい。ステップＳ０６において、制御部７は、上記吸着制御と上記洗浄制御とを繰り返してもよい。すなわち基板処理装置１Ａは、ステップＳ０６において上記吸着処理と上記洗浄処理とを繰り返してもよい。ステップＳ０６の具体的処理内容については後述する。ステップＳ０７では、次の搬入予約があるか否かを吸着制御部９３が確認する。

ステップＳ０７において、次の搬入予約はないと判定した場合、制御部７は処理をステップＳ０６に戻す。以後、次の搬入予約があると判定されるまでは、吸着制御及び洗浄制御が繰り返される。ステップＳ０７において、次の搬入予約があると判定した場合、制御部７はステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３を実行する。ステップＳ１１では、吸着制御部９３が、ロット搬送機構１９により吸着部材ＷＤのロットをロット載置部４に搬送するようにロット処理部６を制御する。ステップＳ１２では、吸着制御部９３が、ロット載置部４のウェハＷを吸着部材キャリア９Ａ内に戻すようにロット形成部３を制御する。ステップＳ１３では、吸着制御部９３が、吸着部材キャリア９Ａをキャリアステージ１０又はキャリアストック１２に戻すようにキャリア搬入出部２を制御する。その後、制御部７は処理をステップＳ０１に戻す。以後、必要に応じて上記吸着制御及び洗浄制御を実行しながら、ウェハＷのロットを第１処理装置３０Ａにより処理液に浸漬させることが繰り返される。

なお、以上においては、アイドル時間が所定時間に達したか否かに基づいて吸着処理の要否を判定する手順を例示したが、吸着処理の要否を判定する手法は必ずしもこれに限られない。例えばステップＳ０３において、吸着制御部９３は、処理液中の金属成分の濃度が所定レベルに達したか否かに基づいて吸着処理の要否を判定してもよい。

図５は、ステップＳ０６における吸着処理の手順を例示するフローチャートである。図５に示すように、制御部７は、ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３を順に実行する。ステップＳ２１では、吸着制御部９３が、吸着部材ＷＤのロットをロット搬送機構１９により処理エリアＡ１に搬入するようにロット処理部６を制御する。更に吸着制御部９３は、吸着部材ＷＤのロットをロット搬送機構１９により第１処理装置３０Ａに搬送し、当該ロットを第１処理装置３０Ａにより第１処理液に浸漬するようにロット処理部６を制御する。例えば吸着制御部９３は、基板保持体２２から第１処理装置３０Ａの基板昇降機構３２に当該ロットを引き渡し、基板昇降機構３２により当該ロットを処理槽３１内の第１処理液に浸漬するようにロット処理部６を制御する。その後吸着制御部９３は、基板昇降機構３２により当該ロットを処理槽３１内から上昇させ、基板昇降機構３２から基板保持体２２に当該ロットを戻すようにロット処理部６を制御する。

ステップＳ２２では、吸着制御部９３が、吸着部材ＷＤのロットをロット搬送機構１９により第２処理装置３０Ｂに搬送し、当該ロットを第２処理装置３０Ｂにより第２処理液に浸漬するようにロット処理部６を制御する。例えば吸着制御部９３は、基板保持体２２から第２処理装置３０Ｂの基板昇降機構３２に当該ロットを引き渡し、基板昇降機構３２により当該ロットを処理槽３１内の第２処理液に浸漬するようにロット処理部６を制御する。その後吸着制御部９３は、基板昇降機構３２により当該ロットを処理槽３１内から上昇させ、基板昇降機構３２から基板保持体２２に当該ロットを戻すようにロット処理部６を制御する。

ステップＳ２３では、吸着制御部９３が、吸着部材ＷＤのロットをロット搬送機構１９により乾燥処理装置２３に搬送し、乾燥処理装置２３により吸着部材ＷＤを乾燥させるようにロット処理部６を制御する。例えば吸着制御部９３は、基板保持体２２から基板昇降機構２８に当該ロットを引き渡し、基板昇降機構２８により当該ロットを処理槽２７内に下降させるようにロット処理部６を制御する。その後吸着制御部９３は、基板昇降機構２８により当該ロットを処理槽２７内から上昇させ、基板昇降機構２８から基板保持体２２に当該ロットを戻すようにロット処理部６を制御する。以上で１サイクルの吸着処理手順が完了する。ステップＳ２３の実行により、吸着部材ＷＤが乾燥した状態で次のサイクルに移行させることが可能となる。これにより、第１処理装置３０Ａの第１処理液の濃度（処理用成分の濃度）の変化を抑制することができる。

なお、ステップＳ２２の後に代えて、ステップＳ２１とステップＳ２２との間においてステップＳ２３を実行してもよい。また、ステップＳ２１とステップＳ２２との間と、ステップＳ２２の後との両方においてステップＳ２３を実行してもよい。更に、ステップＳ２３を省略することも可能である。特に、第１処理装置３０Ａ及び第２処理装置３０Ｂのいずれにおいても処理液の濃度（処理用成分の濃度）が自動調節される場合には、ステップＳ２３を省略することの影響が小さい。

２．第２実施形態
（１）基板処理装置
図６に示すように、基板処理装置１Ｂは、搬入出ステーション１０２と、処理ステーション１０３（処理部）とを備える。搬入出ステーション１０２と処理ステーション１０３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション１０２は、キャリア載置部１１１と、搬送部１１２とを備える。キャリア載置部１１１には、複数枚のウェハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１１２は、キャリア載置部１１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１１３と、受渡部１１４とを備える。基板搬送装置１１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション１０３は、搬送部１１２に隣接して設けられる。処理ステーション１０３は、搬送部１１５と、複数の処理ユニット１１６とを備える。複数の処理ユニット１１６は、搬送部１１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１１５は、内部に基板搬送装置１１７を備える。基板搬送装置１１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１１４と処理ユニット１１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１１６は、循環する処理液によってウェハＷに処理を施す。処理ユニット１１６は、処理液の流路に金属含有材料を含んでいてもよい。金属含有材料の具体例としては、石英が挙げられる。石英は、アルミニウムを含有する場合がある。金属含有材料が含有する金属はアルミニウムに限られない。処理液の流路の材料が含み得る金属の他の例としては、鉄及び亜鉛等が挙げられる。

複数の処理ユニット１１６は、循環する第１処理液によりウェハＷに液処理を施す少なくとも一つの第１処理ユニット１１６Ａ（図７参照）を含んでもよい。第１処理液は、流路から溶出した金属成分をウェハＷに付着させ得る処理液である。また、複数の処理ユニット１１６は、ウェハＷに付着した金属成分を除去する第２処理液によりウェハＷに液処理を施す少なくとも一つの第２処理ユニット１１６Ｂ（図７参照）を更に含んでもよい。第１処理液の具体例としては、ＳＣ−１等のアルカリ性処理液、及びＤＩＷ等の中性処理液が挙げられる。第２処理液の具体例としては、ＳＣ−２、ＳＰＭ及びＤＨＦ等の酸性処理液が挙げられる。

また、基板処理装置１Ｂは、制御装置１１８を備える。制御装置１１８は、たとえばコンピュータであり、記憶媒体１１９を備える。記憶媒体１１９は、基板処理装置１Ｂにおいて実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置１１８は、記憶媒体１１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１Ｂの動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置１１８の記憶媒体１１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理装置１Ｂでは、まず、搬入出ステーション１０２の基板搬送装置１１３が、キャリア載置部１１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１１４に載置する。受渡部１１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション１０３の基板搬送装置１１７によって受渡部１１４から取り出されて、処理ユニット１１６へ搬入される。

処理ユニット１１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１１６によって処理された後、制御装置１１８によって処理ユニット１１６から搬出されて、受渡部１１４に載置される。そして、受渡部１１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１１３によってキャリア載置部１１１のキャリアＣへ戻される。

（２）処理ユニット
図７に示すように、上述の処理ユニット１１６は、回転保持部１２１と、上側吐出部１３１と、下側吐出部１３２と、カップ１３３と、循環部１４０と、処理液補充部１６０と、希釈液補充部１７０と、金属濃度検出部１８０とを有する。回転保持部１２１は、処理対象のウェハＷを保持して回転させる。

例えば回転保持部１２１は、保持部１２４と、回転駆動部１２５とを有する。保持部１２４は、水平に配置されたウェハＷを保持する。回転駆動部１２５は、電動モータ等を動力とし、鉛直な軸線まわりに保持部１２４を回転させる。これにより、保持部１２４に保持されたウェハＷも回転する。

上側吐出部１３１は、保持部１２４に保持されたウェハＷに向けて上方から処理液を吐出する。下側吐出部１３２は、保持部１２４に保持されたウェハＷに向けて下方から処理液を吐出する。カップ１３３は、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２からウェハＷに供給された後、ウェハＷから振り切られた処理液を回収する容器である。

循環部１４０は、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２から吐出された処理液を上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２に戻す。例えば循環部１４０は、液貯留部１４１と、供給管路１４２と、循環管路１４８と、バイパス管路１５３とを有する。液貯留部１４１は、処理液を貯留する容器である。

供給管路１４２は、液貯留部１４１から上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２に処理液を導く。供給管路１４２は、液貯留部１４１から上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２側に向かう途中の分岐部１４２ｃにおいて、上側管路１４２ａ及び下側管路１４２ｂに分岐している。上側管路１４２ａは上側吐出部１３１に接続され、下側管路１４２ｂは下側吐出部１３２に接続されている。

供給管路１４２は、ポンプ１４３と、フィルタ１４４と、ヒータ１４５と、流量計１４６と、バルブ１４７ａ，１４７ｂとを含む。ポンプ１４３、フィルタ１４４、ヒータ１４５及び流量計１４６は、液貯留部１４１と分岐部１４２ｃとの間に設けられており、液貯留部１４１側から分岐部１４２ｃ側に向かってこの順に並んでいる。ポンプ１４３は、液貯留部１４１側から分岐部１４２ｃ側に処理液を圧送する。フィルタ１４４は、処理液中に混入したパーティクルを除去する。ヒータ１４５は、処理液を設定温度まで加熱する。流量計１４６は、供給管路１４２における処理液の流量を検出する。この検出結果は、例えばポンプ１４３の制御等に用いられる。バルブ１４７ａ，１４７ｂは、上側管路１４２ａ及び下側管路１４２ｂにそれぞれ設けられており、上側管路１４２ａ及び下側管路１４２ｂ内の流路をそれぞれ開閉する。

循環管路１４８は、カップ１３３から液貯留部１４１に処理液を導く。循環管路１４８は、ポンプ１５１とバルブ１５２とを含む。ポンプ１５１は、カップ１３３側から液貯留部１４１側に処理液を圧送する。バルブ１５２は、循環管路１４８内の流路を開閉する。バルブ１５２は、上記バルブ１４７ａ，１４７ｂの少なくとも一方が開かれる場合には開かれ、バルブ１４７ａ，１４７ｂの両方が閉じられる場合には閉じられる。これにより、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２の少なくとも一方から処理液が吐出される場合には、カップ１３３により回収された処理液が液貯留部１４１に戻される。

バイパス管路１５３は、上側管路１４２ａ、下側管路１４２ｂ及び循環管路１４８を経ることなく、供給管路１４２から液貯留部１４１に処理液を導く。例えばバイパス管路１５３は、分岐部１４２ｃと流量計１４６との間で供給管路１４２に接続されている。バイパス管路１５３はバルブ１５４を含む。バルブ１５４は、循環管路１４８内の流路を開閉する。バルブ１５４は、バルブ１４７ａ，１４７ｂの少なくとも一方が開かれる場合には閉じられ、バルブ１４７ａ，１４７ｂの両方が閉じられる場合には開かれる。これにより、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２のいずれからも処理液が吐出されない場合にも、循環部１４０による処理液の循環は継続される。

処理液補充部１６０は、必要に応じ処理液を液貯留部１４１に補充する。処理液補充部１６０は、処理液の液源１６１と、バルブ１６２とを含む。バルブ１６２は、処理液補充のタイミングに合わせて、液源１６１から液貯留部１４１への処理液の流路を開閉する。

希釈液補充部１７０は、必要に応じ希釈液（例えばＤＩＷ）を液貯留部１４１に補充する。希釈液補充部１７０は、希釈液の液源１７１と、バルブ１７２とを含む。バルブ１７２は、希釈液補充のタイミングに合わせて、液源１７１から液貯留部１４１への希釈液の流路を開閉する。

金属濃度検出部１８０は、処理液中の金属成分の濃度を検出する。金属濃度検出部１８０は、サンプリング管路１８１と、金属濃度分析器１８２と、バルブ１８３とを含む。サンプリング管路１８１は、例えばポンプ１４３とフィルタ１４４との間において供給管路１４２から分岐し、供給管路１４２を流れる処理液の一部を抜き出す。金属濃度分析器１８２は、サンプリング管路１８１により抜き出された処理液中の金属成分の濃度を分析する。金属濃度分析器１８２の具体例としては、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）質量分析装置等が挙げられる。金属濃度分析器１８２は、処理液の取り込みと金属成分の濃度分析とを所定の周期（例えば約５分）で繰り返す。バルブ１８３は、金属濃度分析器１８２が処理液を取り込むタイミングに合わせてサンプリング管路１８１内の流路を開閉する。

処理液補充部１６０においては、少なくとも循環部１４０が金属含有材料を含んでいる。例えば、ヒータ１４５及び流量計１４６の少なくとも一部が金属含有材料（例えば石英）により構成されている。

（３）制御部
制御装置１１８は、ウェハＷを処理用のエリアに搬入して処理液に晒すように処理ステーション１０３を制御することと、処理液中の金属成分を吸着する吸着部材ＷＤ（図６参照）を上記処理用のエリアに搬入して処理液に晒すように処理ステーション１０３を制御することと、を実行するように構成されている。処理用のエリアは、例えば複数の処理ユニット１１６を含む処理ステーション１０３内の処理エリアＡ２（図６参照）である。

図８に例示するように、制御装置１１８は、機能モジュールとして、スケジュール記憶部１９１と、処理制御部１９２と、吸着制御部１９３とを有する。スケジュール記憶部１９１は、各処理ユニット１１６にウェハＷが搬入されるタイミングを含む処理スケジュールを記憶する。

処理制御部１９２は、ウェハＷを処理エリアＡ２に搬入して処理液に晒すように処理ステーション１０３を制御する。例えば処理制御部１９２は、基板搬送装置１１７によりウェハＷを受渡部１１４から処理エリアＡ１内に搬入するように処理ステーション１０３を制御する。更に処理制御部１９２は、ウェハＷを基板搬送装置１１７によりいずれかの処理ユニット１１６に搬送し、処理ユニット１１６により当該ウェハＷに処理液を供給するように処理ステーション１０３を制御する。例えば処理制御部１９２は、基板搬送装置１１７から処理ユニット１１６の保持部１２４に当該ウェハＷを引き渡し、回転駆動部１２５により当該ウェハＷを回転させながら上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２から処理液を吐出するように処理ステーション１０３を制御する。その後処理制御部１９２は、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２からの処理液の吐出と、回転駆動部１２５によるウェハＷの回転とを停止させ、保持部１２４から基板搬送装置１１７に当該ウェハＷを戻すように処理ステーション１０３を制御する。更に処理制御部１９２は、基板搬送装置１１７により当該ウェハＷを処理エリアＡ２から搬出して受渡部１１４に戻すように処理ステーション１０３を制御する。

吸着制御部１９３は、上記吸着部材ＷＤを処理エリアＡ２に搬入して処理液に晒すように処理ステーション１０３を制御する。吸着部材ＷＤは、ウェハＷが配置される位置にウェハＷと同様に配置することが可能な吸着基板である。吸着部材ＷＤは、基板処理装置１Ｂ内に常設されていてもよい。換言すると、基板処理装置１Ｂは吸着部材ＷＤの収容部（以下、「吸着部材キャリア」という。）を更に備えていてもよい。例えば、吸着部材ＷＤは受渡部１１４に収容されていてもよい（図１参照）。すなわち、受渡部１１４が吸着部材キャリアとして用いられていてもよい。また、吸着部材ＷＤを処理液に晒すことが必要になる度に、基板処理装置１Ｂ外の吸着部材キャリアをキャリア載置部１１１に搬送してもよい。

吸着部材ＷＤを処理液に晒す前に、吸着制御部１９３は、吸着部材キャリアとしての受渡部１１４から基板搬送装置１１７により吸着部材ＷＤを取り出して処理エリアＡ２内に搬入するように処理ステーション１０３を制御する。吸着制御部１９３は、基板搬送装置１１３によりキャリア載置部１１１の吸着部材キャリアから吸着部材ＷＤを取り出して受渡部１１４に配置するように処理ステーション１０３を制御することを更に実行してもよい。

その後、吸着制御部１９３は、吸着部材ＷＤを基板搬送装置１１７によりいずれかの上記第１処理ユニット１１６Ａに搬送し、第１処理ユニット１１６Ａにより当該吸着部材ＷＤに第１処理液を供給するように処理ステーション１０３を制御する。例えば吸着制御部１９３は、基板搬送装置１１７から第１処理ユニット１１６Ａの保持部１２４に当該吸着部材ＷＤを引き渡し、回転駆動部１２５により当該吸着部材ＷＤを回転させながら上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２から処理液を吐出するように処理ステーション１０３を制御する。

その後吸着制御部１９３は、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２からの処理液の吐出と、回転駆動部１２５による吸着部材ＷＤの回転とを停止させ、保持部１２４から基板搬送装置１１７に当該吸着部材ＷＤを戻すように処理ステーション１０３を制御する。更に吸着制御部１９３は、基板搬送装置１１７により当該吸着部材ＷＤを処理エリアＡ２から搬出して受渡部１１４に戻すように処理ステーション１０３を制御する。

吸着制御部１９３は、上記第１処理ユニット１１６Ａにより吸着部材を第１処理液に晒すように処理ステーション１０３を制御する吸着制御と、上記第２処理ユニット１１６Ｂにより吸着部材を第２処理液に晒すように処理ステーション１０３を制御する洗浄制御とを繰り返すように構成されていてもよい。吸着制御部１９３は、吸着制御から洗浄制御までの間、及び洗浄制御から吸着制御までの間の少なくとも一方において、第１処理ユニット１１６Ａ又は第２処理ユニット１１６Ｂにより吸着部材ＷＤの乾燥処理を実行するように処理ステーション１０３を制御してもよい。乾燥処理に際して、吸着制御部１９３は、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２からの処理液の吐出が停止した状態で回転駆動部１２５によるウェハＷの回転を継続させるように処理ステーション１０３を制御する。

吸着制御部１９３は、いずれかの第１処理ユニット１１６Ａにおいて、ウェハＷが処理液に晒されていない状態にて所定時間が経過した場合に、吸着部材ＷＤを第１処理ユニット１１６Ａに搬入するように構成されていてもよい。所定時間は、処理液中の金属成分の濃度が許容レベルを超えることが無いように予め設定される。許容レベルは、処理液中におけるウェハＷへの金属成分の付着を十分に抑えられるレベルである。吸着制御部１９３は、処理液中の金属成分の濃度が所定レベルに達した場合に、吸着部材ＷＤを第１処理ユニット１１６Ａに搬入するように処理ステーション１０３を制御してもよい。所定レベルは、上記許容レベル以下となるように予め設定されている。

制御装置１１８は、搬入予定検知部１９４を更に有してもよい。搬入予定検知部１９４は、第１処理ユニット１１６ＡへのウェハＷの搬入予定タイミングを、スケジュール記憶部１９１が記憶する処理スケジュールに基づいて検知する。この場合、吸着制御部１９３は、次の搬入予定タイミングに基づいて上記吸着制御と洗浄制御との繰り返しを停止してもよい。例えば吸着制御部１９３は、吸着制御を実行中の第１処理ユニット１１６Ａに対する搬入予定タイミングが近づくのに応じて吸着制御と洗浄制御との繰り返しを停止させる。より具体的に吸着制御部１９３は、現在時刻から搬入予定タイミングまでの時間が所定のマージン以下となるのに応じて吸着制御と洗浄制御との繰り返しを停止させる。

なお、以上においては、ウェハＷに第１処理液を供給するための第１処理ユニット１１６Ａと、ウェハＷに第２処理液を供給するための第２処理ユニット１１６Ｂとが別に設けられている例を示したがこれに限られない。例えば一つの処理ユニット１１６が、第１処理液を供給する第１供給部（第１処理部）と、第２処理液を供給する第２供給部（第２処理部）とを有していてもよい。この場合、一つの処理ユニット１１６に対して上記吸着制御と洗浄制御とを繰り返すことが可能となる。

（４）基板処理手順
続いて、基板処理方法の一例として、基板処理装置１Ｂが実行する基板処理手順を例示する。この基板処理手順は、ウェハＷを処理エリアＡ２に搬入して処理液に晒すことと、吸着部材ＷＤを処理エリアＡ２に搬入して処理液に晒すことと、を含む。

図９は、いずれかの第１処理ユニット１１６Ａにおいて基板処理装置１Ｂが実行する基板処理手順を例示するフローチャートである。図９に示すように、制御装置１１８は、まずステップＳ３１，Ｓ３２を実行する。ステップＳ３１では、処理制御部１９２が、ウェハＷを基板搬送装置１１７により第１処理ユニット１１６Ａに搬送し、第１処理ユニット１１６Ａにより当該ウェハＷに処理液を供給するように処理ステーション１０３を制御する。ステップＳ３２では、現在時刻から次のウェハＷの搬入予定タイミングまでの時間が上記マージン以下となっているか否かを処理制御部１９２が確認する。以下、現在時刻から次のウェハＷの搬入予定タイミングまでの時間が上記マージン以下となっていることを、「次の搬入予約がある」という。

ステップＳ３２において、次の搬入予約があると判定した場合、制御装置１１８は処理をステップＳ３１に戻す。以後、次の搬入予約がないと判定されるまでは、第１処理ユニット１１６ＡによりウェハＷに処理液を供給させることが繰り返される。ステップＳ３２において、次の搬入予約はないと判定した場合、制御装置１１８はステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３では、第１処理ユニット１１６ＡにおいてウェハＷが処理液に晒されていない状態にて所定時間が経過したか否かを吸着制御部１９３が確認する。換言すると、第１処理ユニット１１６Ａにおいて処理液の供給が停止した後の経過時間（以下、「アイドル時間」という。）が上記所定時間に達したか否かを吸着制御部１９３が確認する。

ステップＳ３３において、アイドル時間が所定時間に達していないと判定した場合、制御装置１１８は処理をステップＳ３２に戻す。ステップＳ３３において、アイドル時間が所定時間に達したと判定した場合、制御装置１１８はステップＳ３４，Ｓ３５，Ｓ３６を実行する。ステップＳ３４では、吸着制御部１９３が、受渡部１１４から基板搬送装置１１７により吸着部材ＷＤを取り出して処理エリアＡ２内に搬入するように処理ステーション１０３を制御する。これに先立って、吸着制御部１９３は、基板搬送装置１１３によりキャリア載置部１１１の吸着部材キャリアから吸着部材ＷＤを取り出して受渡部１１４に配置するように処理ステーション１０３を制御することを更に実行してもよい。ステップＳ３５は、第１処理ユニット１１６Ａにより吸着部材ＷＤに処理液を供給させる処理（以下、「吸着処理」という。）を含む。ステップＳ３５は、第２処理ユニット１１６Ｂにより吸着部材ＷＤに処理液を供給させる処理（以下、「洗浄処理」という。）を更に含んでもよい。ステップＳ３５において、制御装置１１８は、上記吸着制御と上記洗浄制御とを繰り返してもよい。すなわち基板処理装置１Ｂは、ステップＳ３５において上記吸着処理と上記洗浄処理とを繰り返してもよい。ステップＳ３５の具体的処理内容については後述する。ステップＳ３６では、次の搬入予約があるか否かを吸着制御部１９３が確認する。

ステップＳ３６において、次の搬入予約はないと判定した場合、制御装置１１８は処理をステップＳ３５に戻す。以後、次の搬入予約があると判定されるまでは、吸着制御及び洗浄制御が繰り返される。ステップＳ３６において、次の搬入予約があると判定した場合、制御装置１１８はステップＳ３７を実行する。ステップＳ３７では、吸着制御部１９３が、基板搬送装置１１７により吸着部材ＷＤを処理エリアＡ２から搬出して受渡部１１４に戻すように処理ステーション１０３を制御する。吸着制御部１９３は、基板搬送装置１１３により受渡部１１４からキャリア載置部１１１の吸着部材キャリアに吸着部材ＷＤを戻すように処理ステーション１０３を制御することを更に実行してもよい。その後、制御装置１１８は処理をステップＳ３１に戻す。以後、必要に応じて上記吸着制御及び洗浄制御を実行しながら、第１処理ユニット１１６ＡによりウェハＷに処理液を供給させることが繰り返される。

なお、以上においては、アイドル時間が所定時間に達したか否かに基づいて吸着処理の要否を判定する手順を例示したが、吸着処理の要否を判定する手法は必ずしもこれに限られない。例えばステップＳ３３において、吸着制御部１９３は、処理液中の金属成分の濃度が所定レベルに達したか否かに基づいて吸着処理の要否を判定してもよい。

図１０は、ステップＳ３５における吸着処理の手順を例示するフローチャートである。図１０に示すように、制御装置１１８は、ステップＳ４１，Ｓ４２，Ｓ４３を順に実行する。ステップＳ４１では、吸着制御部１９３が、吸着部材ＷＤを基板搬送装置１１７により第１処理ユニット１１６Ａに搬送し、第１処理ユニット１１６Ａにより当該吸着部材ＷＤに第１処理液を供給するように処理ステーション１０３を制御する。例えば吸着制御部１９３は、基板搬送装置１１７から第１処理ユニット１１６Ａの保持部１２４に当該吸着部材ＷＤを引き渡し、回転駆動部１２５により当該吸着部材ＷＤを回転させながら上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２から処理液を吐出するように処理ステーション１０３を制御する。その後吸着制御部１９３は、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２からの処理液の吐出と、回転駆動部１２５による吸着部材ＷＤの回転とを停止させ、保持部１２４から基板搬送装置１１７に当該吸着部材ＷＤを戻すように処理ステーション１０３を制御する。

ステップＳ４２では、吸着制御部１９３が、吸着部材ＷＤを基板搬送装置１１７により第２処理ユニット１１６Ｂに搬送し、第２処理ユニット１１６Ｂにより当該吸着部材ＷＤに第２処理液を供給するように処理ステーション１０３を制御する。例えば吸着制御部１９３は、基板搬送装置１１７から第２処理ユニット１１６Ｂの保持部１２４に当該吸着部材ＷＤを引き渡し、回転駆動部１２５により当該吸着部材ＷＤを回転させながら上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２から処理液を吐出するように処理ステーション１０３を制御する。

ステップＳ４３では、第２処理ユニット１１６Ｂにより吸着部材ＷＤの乾燥処理を実行するように処理ステーション１０３を制御してもよい。乾燥処理に際して、吸着制御部１９３は、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２からの第２処理液の吐出が停止した状態で回転駆動部１２５によるウェハＷの回転を継続させるように処理ステーション１０３を制御する。その後吸着制御部１９３は、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２からの処理液の吐出と、回転駆動部１２５による吸着部材ＷＤの回転とを停止させ、保持部１２４から基板搬送装置１１７に当該吸着部材ＷＤを戻すように処理ステーション１０３を制御する。以上で１サイクルの吸着処理手順が完了する。ステップＳ４３の実行により、吸着部材ＷＤが乾燥させた状態で次のサイクルに移行させることが可能となる。これにより、第１処理ユニット１１６Ａの第１処理液の濃度（処理用成分の濃度）の変化を抑制することができる。

なお、ステップＳ４２の後に代えて、ステップＳ４１とステップＳ４２との間においてステップＳ４３を実行してもよい。この場合、乾燥処理は第１処理ユニット１１６Ａにおいて実行されることとなる。また、ステップＳ４１とステップＳ４２との間と、ステップＳ４２の後との両方においてステップＳ４３を実行してもよい。更に、ステップＳ４３を省略することも可能である。特に、第１処理ユニット１１６Ａ及び第２処理ユニット１１６Ｂのいずれにおいても処理液の濃度（処理用成分の濃度）が自動調節される場合には、ステップＳ４３を省略することの影響が小さい。

３．実施形態の効果
以上に説明したように、基板処理装置１Ａは、循環する処理液により基板に処理を施すためのロット処理部６であって、処理液の流路に金属含有材料を含むロット処理部６と、ウェハＷを処理エリアＡ１に搬入して処理液に晒すようにロット処理部６を制御する処理制御部９２と、処理液中の金属成分を吸着する吸着部材ＷＤを処理エリアＡ１に搬入して処理液に晒すようにロット処理部６を制御する吸着制御部９３と、を備える。

処理液の流路が金属含有材料を含んでいるため、循環時間の経過に応じて処理液中の金属成分（金属含有材料から溶出した金属成分）の濃度が上昇する場合がある。特に、ロット処理部６内にウェハＷがない状態においては、金属成分がロット処理部６中に留まり易いので、金属成分の濃度が上昇し易い。これに対し、この基板処理装置１Ａによれば、ロット処理部６内にウェハＷがないときに、ロット処理部６内に吸着部材ＷＤが搬入され、当該吸着部材ＷＤが処理液に晒された後にロット処理部６内から搬出される。これにより、処理液中の金属成分の一部が吸着部材ＷＤに付着してロット処理部６外に取り出される。このため、循環する処理液中における金属成分の濃度上昇が抑制される。従って、金属含有材料から溶出した金属成分のウェハＷへの付着量を抑制するのに有効である。

図１１は、第１処理装置３０Ａにおいて処理液が含有する金属成分量の経時的な推移を例示するグラフである。このグラフの横軸はアイドル時間を示し、縦軸は金属成分量を示している。三角印のプロットＰ１は、アイドル時間において上記吸着制御及び洗浄制御が行われない場合の金属成分量を示している。四角印のプロットＰ２は、アイドル時間において上記吸着制御及び洗浄制御が繰り返される場合の金属成分量を示している。プロットＰ１が示すように、上記吸着制御及び洗浄制御が行われない場合、金属成分量は時間の経過に応じて上昇する。これは、処理液の循環に伴って、処理液の流路から金属成分が溶出するためだと考えられる。これに対し、プロットＰ２が示すように、上記吸着制御及び洗浄制御を繰り返すことによって、金属成分量の上昇が抑制される。これは、処理液の流路から溶出した金属成分が吸着部材ＷＤによって吸着されて処理液から取り出されるためだと考えられる。この原理に基づけば、仮に吸着制御及び洗浄制御を繰り返さずに、吸着制御のみを行ったとしても、金属成分量の上昇を抑制する効果が得られることは明らかである。

吸着部材ＷＤは、ウェハＷが配置される位置にウェハＷと同様に配置することが可能な吸着基板であってもよい。この場合、吸着部材ＷＤをウェハＷと同様に搬送・配置することができる。処理液による処理対象である基板と同様に吸着部材ＷＤを配置することで、吸着部材ＷＤをしっかりと処理液に晒し、金属成分を効率よく吸着させることができる。従って、循環する処理液中における金属成分の濃度上昇がより確実に抑制される。

ロット処理部６は、循環する第１処理液により基板に処理を施すための第１処理装置３０Ａと、金属成分を除去する第２処理液により基板に処理を施すための第２処理装置３０Ｂとを有し、吸着制御部９３は、第１処理装置３０Ａにより吸着部材ＷＤを第１処理液に晒すようにロット処理部６を制御する吸着制御と、第２処理装置３０Ｂにより吸着部材ＷＤを第２処理液に晒すようにロット処理部６を制御する洗浄制御とを繰り返してもよい。吸着部材ＷＤに金属成分が蓄積すると、金属成分の吸着性能が低下する。これに対し、吸着制御と洗浄制御とを繰り返すことによって吸着部材ＷＤによる金属成分の吸着性能が高く維持される。従って、循環する処理液中における金属成分の濃度上昇がより確実に抑制される。

基板処理装置１Ａは、処理エリアＡ１へのウェハＷの搬入予定タイミングを、予め設定されたウェハＷの処理スケジュールに基づいて検知する搬入予定検知部９４を更に備え、吸着制御部９３は、次の搬入予定タイミングに基づいて吸着制御と洗浄制御との繰り返しを停止してもよい。この場合、次の搬入予定タイミングの近くまで吸着制御と洗浄制御とを繰り返すことができる。これにより、循環する処理液中における金属成分の濃度上昇がより確実に抑制される。

吸着制御部９３は、ウェハＷが処理液に晒されていない状態にて所定時間が経過した場合に、吸着部材ＷＤを処理用のエリアに搬入するようにロット処理部６を制御してもよい。この場合、所定時間が経過するまでは吸着部材ＷＤの搬入を行わないことで、金属成分の濃度上昇の抑制と、キャリア搬入出部２の負荷抑制との両立を図ることができる。また、経過時間に基づくことにより、簡素な構成で吸着部材ＷＤの搬入タイミングを決定することができる。

吸着制御部９３は、処理液中の金属成分の濃度が所定レベルに達した場合に、吸着部材ＷＤを処理エリアＡ１に搬入するようにロット処理部６を制御してもよい。この場合、金属成分の濃度が経過するまでは吸着部材ＷＤの搬入を行わないことで、金属成分の濃度上昇の抑制と、キャリア搬入出部２の負荷抑制との両立を図ることができる。また、金属成分の濃度に基づくことで、より適切なタイミングで吸着部材ＷＤの搬入を開始することができる。

ロット処理部６は、処理液中にウェハＷを浸すための処理槽３１と、処理槽３１から排出された処理液を処理槽３１に戻す循環部５０とを有していてもよい。処理ステーション１０３は、ウェハＷを保持する保持部１２４と、保持部１２４に保持されたウェハＷに向けて処理液を吐出する上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２と、上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２から吐出された処理液を上側吐出部１３１及び下側吐出部１３２に戻す循環部１４０とを有していてもよい。少なくとも循環部１４０が金属含有材料を含んでいてもよい。金属含有材料は石英であってもよい。

以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

１Ａ，１Ｂ…基板処理装置、６…ロット処理部（処理部）、３０Ａ…第１処理装置（第１処理部）、３０Ｂ…第２処理装置（第２処理部）、３１…処理槽、３８，１１９…記憶媒体、５０，１４０…循環部、５１…吐出部、９２，１９２…処理制御部、９３，１９３…吸着制御部、９４，１９４…搬入予定検知部、１０３…処理ステーション（処理部）、１２４…保持部、Ｗ…ウェハ（基板）、ＷＤ…吸着部材。

Claims (12)

1. 循環する処理液により基板に処理を施すための処理部であって、前記処理液の流路に金属含有材料を含む処理部と、
   前記基板を前記処理用のエリアに搬入して前記処理液に晒すように前記処理部を制御する処理制御部と、
   前記処理液中の金属成分を吸着する吸着部材を前記処理用のエリアに搬入して前記処理液に晒すように前記処理部を制御する吸着制御部と、を備える基板処理装置。
2. 前記吸着部材は、前記基板が配置される位置に前記基板と同様に配置することが可能な吸着基板である、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記処理部は、
   循環する第１処理液により前記基板に処理を施すための第１処理部と、
   前記金属成分を除去する第２処理液により前記基板に処理を施すための第２処理部とを有し、
   前記吸着制御部は、前記第１処理部により前記吸着部材を前記第１処理液に晒すように前記処理部を制御する吸着制御と、前記第２処理部により前記吸着部材を前記第２処理液に晒すように前記処理部を制御する洗浄制御とを繰り返す、請求項１又は２記載の基板処理装置。
4. 前記処理用のエリアへの前記基板の搬入予定タイミングを、予め設定された前記基板の処理スケジュールに基づいて検知する搬入予定検知部を更に備え、
   前記吸着制御部は、次の前記搬入予定タイミングに基づいて前記吸着制御と前記洗浄制御との繰り返しを停止する、請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記吸着制御部は、前記基板が前記処理液に晒されていない状態にて所定時間が経過した場合に、前記吸着部材を前記処理用のエリアに搬入するように前記処理部を制御する、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
6. 前記吸着制御部は、前記処理液中の金属成分の濃度が所定レベルに達した場合に、前記吸着部材を前記処理用のエリアに搬入するように前記処理部を制御する、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
7. 前記処理部は、前記処理液中に前記基板を浸すための処理槽と、前記処理槽から排出された前記処理液を前記処理槽に戻す循環部とを有する、請求項１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
8. 前記処理部は、前記基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記基板に向けて前記処理液を吐出する吐出部と、前記吐出部から吐出された前記処理液を前記吐出部に戻す循環部とを有し、少なくとも前記循環部が前記金属含有材料を含んでいる、請求項１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
9. 循環する処理液により基板に処理を施すための処理部であって、前記処理液の流路に金属含有材料を含む処理部において、
   前記基板を前記処理用のエリアに搬入して前記処理液に晒すことと、
   前記処理液中の金属成分を吸着する吸着部材を前記処理用のエリアに搬入して前記処理液に晒すことと、を含む基板処理方法。
10. 前記処理部は、循環する第１処理液により前記基板に処理を施すための第１処理部と、前記金属成分を除去する第２処理液により前記基板に処理を施すための第２処理部とを有し、
    前記処理液中の金属成分を吸着する吸着部材を前記処理液に晒すことは、前記第１処理部により前記吸着部材を前記第１処理液に晒す吸着処理と、前記第２処理部により前記吸着部材を前記第２処理液に晒す洗浄処理とを繰り返すことを含む、請求項９記載の基板処理方法。
11. 前記処理部への前記基板の搬入予定タイミングを、予め設定された前記基板の処理スケジュールに基づいて検知することと、
    次の前記搬入予定タイミングに基づいて、前記吸着処理と前記洗浄処理との繰り返しを停止することとを更に含む、請求項１０記載の基板処理方法。
12. 請求項９〜１１のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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