CN111415883A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部，其控制处理部以将基片送入处理用的区域而使其暴露于处理液；和吸附控制部，其控制处理部以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件送入处理用的区域而使其暴露于处理液。本发明对抑制从含金属材料析出的金属成分附着到基片的附着量是有效的。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质

技术领域

本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。

背景技术

在专利文献1中公开有如下的半导体晶片的清洗方法：在由平均Al浓度为1ppb以下的合成石英材料构成的清洗槽内盛满氨和过氧化氢水溶液的清洗液，将半导体晶片浸渍在清洗液中，利用清洗液使合成石英的表面蚀刻速度成为0.3nm/min以下来清洗半导体晶片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-243219号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的在于提供对抑制从含金属材料析出的金属成分附着在基片的附着量有效的基片处理装置和基片处理方法。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方面的基片处理装置包括：处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部，其控制处理部以将基片送入处理用的区域而使其暴露于处理液；和吸附控制部，其控制处理部以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件送入处理用的区域而使其暴露于处理液。

发明效果

依照本发明，能够提供对抑制从含金属材料析出的金属成分附着在基片的附着量有效的基片处理装置和基片处理方法。

附图说明

图1是表示第1实施方式的基片处理装置的结构的示意图。

图2是例示液处理装置的概略结构的示意图。

图3是例示控制部的功能性的结构的框图。

图4是例示基片处理顺序的流程图。

图5是例示吸附处理顺序的流程图。

图6是表示第2实施方式的基片处理装置的结构的示意图。

图7是例示处理单元的概略结构的示意图。

图8是例示控制部的功能性的结构的框图。

图9是例示基片处理顺序的流程图。

图10是例示吸附处理顺序的流程图。

图11是例示处理液含有的金属成分量的随时间的变化的曲线图。

附图标记说明

1A、1B 基片处理装置

6 批次处理部(处理部)

30A 第1处理装置(第1处理部)

30B 第2处理装置(第2处理部)

31 处理槽

38、119 存储介质

50、140 循环部

51 释放部

92、192 处理控制部

93、193 吸附控制部

94、194 送入预定检测部

103 处理站(处理部)

124 保持部

W 晶片(基片)

WD 吸附部件。

具体实施方式

以下，参照附图，对实施方式进行详细说明。在说明中，对具有相同要素或相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。

1.第1实施方式

(1)基片处理装置

如图1所示，基片处理装置1A具有承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次处理部6和控制部7。

其中，承载器送入送出部2进行将多个(例如25个)晶片W以水平姿态上下并排地收纳的承载器9的送入和送出。

在该承载器送入送出部2，设置有载置多个承载器9的承载器台10、进行承载器9的输送的承载器输送装置11、临时保管承载器9的承载器栈12、13和载置承载器9的承载器载置台14。

批次形成部3形成由将收纳于1个或多个承载器9的晶片W组合而同时被处理的多个(例如50个)晶片W构成的批次。

在该批次形成部3设置有输送多个晶片W的基片输送装置15。此外，基片输送装置15能够在输送晶片W的中途将晶片W的姿态从水平姿态改变为垂直姿态以及从垂直姿态改变为水平姿态。

而且，批次形成部3使用基片输送装置15将晶片W从载置于承载器载置台14的承载器9输送至批次载置部4，将形成批次的晶片W载置到批次载置部4。此外，批次形成部3利用基片输送装置15将载置于批次载置部4的批次输送至载置于承载器载置台14的承载器9。

批次载置部4将在批次形成部3与批次处理部6之间被输送的批次临时载置(待机)于批次载置台16。

在该批次载置部4设置有载置处理前(由批次处理部6处理之前)的批次的送入侧批次载置台17和载置处理后(由批次处理部6处理之后)的批次的送出侧批次载置台18。

批次处理部6(处理部)将以垂直姿态前后并排的多个晶片W作为1个批次进行蚀刻、清洗和干燥等处理。

在该批次处理部6设置有进行批次的输送的批次输送装置19、进行晶片W的干燥处理的干燥处理装置23、进行基片保持体22的清洗处理的基片保持体清洗处理装置24和进行晶片W的液处理的多个液处理单元26。

批次输送装置19包括：沿批次载置部4和批次处理部6配置的轨道20；以及一边保持多个晶片W一边沿轨道20移动的移动体21。在移动体21可进退地设置有基片保持体22，该基片保持体22用于保持以垂直姿态前后并排的多个晶片W。

而且，批次输送装置19用基片保持体22接收载置于送入侧批次载置台17的批次，将该批次交接到批次处理部6。此外，批次输送装置19用基片保持体22接收由批次处理部6处理后的批次，将该批次交接到送出侧批次载置台18。而且，批次输送装置19在批次处理部6的内部也进行批次的输送。

干燥处理装置23具有处理槽27和可升降地设置于处理槽27的基片升降机构28。干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)被供给到处理槽27。1个批次的量的多个晶片W以垂直姿态前后并排地保持在基片升降机构28。干燥处理装置23用基片升降机构28从批次输送装置19的基片保持体22接收批次，通过用基片升降机构28使该批次升降，用供给至处理槽27的干燥用的处理气体进行晶片W的干燥处理。此外，干燥处理装置23将批次从基片升降机构28交接到批次输送装置19的基片保持体22。

基片保持体清洗处理装置24具有处理槽29，能够对该处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在对批次输送装置19的基片保持体22供给了清洗用的处理液后，通过供给干燥气体进行基片保持体22的清洗处理。

液处理单元26具有多个液处理装置30。各液处理装置30具有处理槽31和基片升降机构32(参照图2)。处理槽31含有液处理用的处理液。作为处理液的具体例，能够举出磷酸水溶液、SC-1(氨、过氧化氢和纯水的混合液)、SC-2(盐酸、过氧化氢和纯水的混合液)、SPM(硫酸、过氧化氢和纯水的混合液)、DHF(氢氟酸和纯水的混合液)和DIW(去离子水)等。

基片升降机构32从基片保持体22接收批次，通过使该批次升降而使批次浸渍于处理槽31内的处理液，进行晶片W的液处理。之后，基片升降机构32使批次上升以将其交接到批次输送装置19的基片保持体22。

液处理装置30还可以在处理液的流路中包含含金属材料。作为含金属材料的具体例，能够举出石英。石英有时含有铝。含金属材料所含的金属并不限定于铝。作为处理液的流路的材料可含有的金属的其它例子，能够举出铁和锌等。

多个液处理装置30也可以包括利用循环的第1处理液对晶片W实施液处理的至少一个第1处理装置30A(第1处理部)。第1处理液是能够使从流路析出的金属成分附着于晶片W的处理液。此外，多个液处理装置30还可以包括用除去附着于晶片W的金属成分的第2处理液对晶片W实施液处理的至少一个第2处理装置30B(第2处理部)。作为第1处理液的具体例，能够举出SC-1等碱性处理液和DIW等中性处理液。作为第2处理液的具体例，能够举出SC-2、SPM和DHF等酸性处理液。

控制部7控制基片处理装置1A的各部(承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次处理部6)的动作。

该控制部7由例如计算机构成，具有计算机可读取的存储介质38。在存储介质38保存有控制在基片处理装置1A中执行的各种处理的程序。控制部7通过读取并执行存储于存储介质38中的程序来控制基片处理装置1A的动作。另外，程序存储在计算机可读取的存储介质38中，也可以从其它存储介质安装到控制部7的存储介质38。作为计算机可读取的存储介质38，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

(2)液处理装置

如图2所示，上述的液处理装置30具有处理槽31、基片升降机构32、循环部50、处理液补充部60、稀释液补充部70和金属浓度检测部80。

处理槽31具有内槽41、外槽42和盖部43。内槽41是用于将晶片W浸渍在处理液中的槽，收纳浸渍用的处理液。内槽41的上部开放，因此能够将晶片W从上方浸渍到内槽41内的处理液中。在内槽41内，多个晶片W以立起的状态配置。外槽42以包围内槽41的方式设置，收纳从内槽41溢出的处理液。盖部43(缸盖)遮蔽内槽41的上部的至少一部分以抑制内槽41内的处理液的挥发。

基片升降机构32将从基片保持体22接收的多个晶片W以立起的状态保持。基片升降机构32使所保持的多个晶片W在内槽41内的浸渍高度与内槽41的上方的交接高度之间升降。

循环部50使从处理槽31排出的处理液返回处理槽31。例如，循环部50使从外槽42排出的处理液返回内槽41内的下部。循环部50具有释放部51和循环管路52。

释放部51设置于内槽41内的下部，将处理液释放到内槽41内。循环管路52将处理液从外槽42内导入到内槽41内。循环管路52的一个端部与外槽42的底部连接，循环管路52的另一个端部与释放部51连接。循环管路52包括泵53、加热器54、过滤器55和流量计56。例如，泵53、加热器54、过滤器55和流量计56从外槽42侧向内槽41侧(释放部51侧)按如上顺序排列。泵53将处理液从外槽42侧加压输送到内槽41侧。加热器54将处理液加热至设定温度。过滤器55除去混入处理液中的颗粒。流量计56检测循环管路52中的处理液的流量。该检测结果用于例如泵53的控制等。

在液处理装置30中，至少循环部50包含含金属材料。例如，加热器54和流量计56的至少一部分由含金属材料(例如石英)构成。而且，内槽41、外槽42、盖部43和基片升降机构32等也可以包含含金属材料(例如石英)。

处理液补充部60根据需要对外槽42补充处理液。处理液补充部60包括处理液的液源61和阀62。阀62与补充处理液的时刻(timing)一致地开闭从液源61至外槽42的处理液的流路。

稀释液补充部70根据需要将稀释液(例如DIW)补充到外槽42。稀释液补充部70包括稀释液的液源71和阀72。阀72与补充稀释液的时刻一致地开闭从液源71至外槽42的稀释液的流路。

金属浓度检测部80检测处理液中的金属成分的浓度。金属浓度检测部80包括取样管路81、金属浓度分析器82和阀83。取样管路81例如在加热器54与过滤器55之间从循环管路52分支，将在循环管路52中流动的处理液的一部分取出。金属浓度分析器82对通过取样管路81取出的处理液中的金属成分的浓度进行分析。作为金属浓度分析器82的具体例，能够举出ICP(电感耦合等离子体)质量分析装置等。金属浓度分析器82按规定的周期(例如约5分钟)反复进行处理液的取入和金属成分的浓度分析。阀83与金属浓度分析器82取入处理液的时刻一致地开闭取样管路81内的流路。此外，依照此处例示的金属浓度检测部80，虽然检测循环部50内的处理液的金属成分的浓度，不过浓度的检测对象之处并不限定于循环部50内。只要能够检测在液处理装置30内循环的处理液的浓度，就可以将液处理装置30的任意部位作为浓度的检测对象。

(3)控制部

控制部7执行以下步骤：控制批次处理部6以将晶片W送入处理用的区域而使其暴露于处理液的步骤；和控制批次处理部6以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件WD(参照图1)送入上述处理用的区域而使其暴露于处理液的步骤。处理用的区域例如为包括干燥处理装置23和液处理单元26的批次处理部6内的处理区域A1(参照图1)。

如图3所例示的那样，控制部7作为功能上的结构(以下，称为“功能模块”。)具有流程存储部91、处理控制部92和吸附控制部93。流程存储部91存储包含向各液处理装置30送入晶片W的时刻在内的处理流程。

处理控制部92控制批次处理部6以将晶片W的批次送入处理区域A1而使其暴露于处理液。例如，处理控制部92控制批次处理部6以用批次输送装置19将晶片W的批次送入处理区域A1。而且，处理控制部92控制批次处理部6以用批次输送装置19将晶片W的批次输送至任意液处理装置30，并用液处理装置30将该批次浸渍于处理液。例如，处理控制部92控制批次处理部6以将该批次从基片保持体22交接到基片升降机构32，用基片升降机构32将该批次浸渍于处理槽31内的处理液。之后，处理控制部92控制批次处理部6以用基片升降机构32使该批次从处理槽31内上升，使该批次从基片升降机构32送回基片保持体22。而且，处理控制部92控制批次处理部6以将该批次从处理区域A1送出而使其返回批次载置部4。

吸附控制部93控制批次处理部6以将上述吸附部件WD送入处理区域A1而使其暴露于处理液。吸附部件WD是能够以与晶片W同样的方式配置在配置晶片W的位置的吸附基片。更具体而言，吸附部件WD具有与晶片W相同的外径且能够以与晶片W同样的方式由基片保持体22和基片升降机构32保持。吸附部件WD可以是在表面没有形成覆膜的裸晶片(barewafer)，也可以是在表面形成有氧化覆膜的晶片。吸附部件WD可以常设在基片处理装置1A内。换言之，基片处理装置1A还可以包括吸附部件WD的收纳部(以下，称为“吸附部件承载器”。)。例如，也可以在至少一个承载器栈12设置吸附部件承载器9A(吸附部件收纳部)(参照图1)。

此外，也可以为每当需要将吸附部件WD浸渍于处理液时，将基片处理装置1A外的吸附部件承载器9A输送至承载器台10。在将吸附部件WD浸渍于处理液之前，吸附控制部93控制承载器送入送出部2以将吸附部件承载器9A从承载器台10或承载器栈12输送至承载器载置台14。之后，吸附控制部93控制批次形成部3以从吸附部件承载器9A内取出吸附部件WD，在批次载置部4形成批次的吸附部件WD。

在形成了吸附部件WD的批次后，吸附控制部93控制批次处理部6以用批次输送装置19将吸附部件WD的批次送入处理区域A1。而且，吸附控制部93控制批次处理部6以用批次输送装置19将吸附部件WD的批次输送至任意上述第1处理装置30A，用第1处理装置30A将该批次浸渍于第1处理液。例如，吸附控制部93控制批次处理部6以将该批次从基片保持体22交接到第1处理装置30A的基片升降机构32，用基片升降机构32将该批次浸渍于处理槽31内的第1处理液。之后，吸附控制部93控制批次处理部6以用基片升降机构32使该批次从处理槽31内上升，使该批次从基片升降机构32返回基片保持体22。

使吸附部件WD的批次返回基片保持体22后，吸附控制部93控制批次处理部6以用批次输送装置19将该批次输送至批次载置部4。之后，吸附控制部93控制批次形成部3以使批次载置部4的晶片W返回吸附部件承载器9A内。之后，吸附控制部93控制承载器送入送出部2以使吸附部件承载器9A返回承载器台10或承载器栈12。

吸附控制部93也可以构成为能够反复进行吸附控制和清洗控制，该吸附控制控制批次处理部6以用上述第1处理装置30A将吸附部件WD暴露于第1处理液，该清洗控制控制批次处理部6以用上述第2处理装置30B将吸附部件WD暴露于第2处理液。吸附控制部93也可以在从吸附控制至清洗控制为止的期间和从清洗控制至吸附控制为止的期间的至少一个期间，控制批次处理部6以用干燥处理装置23执行吸附部件WD的干燥处理。

在进行干燥处理时，吸附控制部93控制批次处理部6以用批次输送装置19将吸附部件WD的批次输送至干燥处理装置23，用干燥处理装置23使吸附部件WD干燥。例如，吸附控制部93控制批次处理部6以将该批次从基片保持体22交接到基片升降机构28，用基片升降机构28使该批次下降至处理槽27内。之后，吸附控制部93控制批次处理部6以用基片升降机构28使该批次从处理槽27内上升，使该批次从基片升降机构28返回基片保持体22。

吸附控制部93也可以构成为在任意第1处理装置30A中，在晶片W没有暴露于处理液的状态经过了规定时间时，将吸附部件WD送入第1处理装置30A。规定时间被预先设定为使处理液中的金属成分的浓度不超过容许水平。容许水平是能够充分抑制处理液中的金属成分附着到晶片W的水平。吸附控制部93也可以控制批次处理部6以在处理液中的金属成分的浓度达到规定水平时将吸附部件WD送入第1处理装置30A。规定水平被预先设定为上述容许水平以下。

控制部7还可以具有送入预定检测部94。送入预定检测部94基于流程存储部91存储的处理流程来检测出将晶片W送入第1处理装置30A的送入预定时刻。在这种情况下，吸附控制部93也可以基于下一个送入预定时刻而停止反复进行上述吸附控制和上述清洗控制。例如，吸附控制部93根据对正在执行吸附控制的第1处理装置30A送入晶片W的送入预定时刻临近的情况，而停止反复进行吸附控制和清洗控制。更具体而言，吸附控制部93根据从当前时刻至送入预定时刻为止的时间成为规定的空余时间以下的情况，而停止反复进行吸附控制和清洗控制。

(4)基片处理顺序

接下来，作为基片处理方法的一个例子，例示基片处理装置1A执行的基片处理顺序。该基片处理顺序包括：将晶片W送入处理区域A1而使其暴露于处理液的步骤；和将吸附部件WD送入处理区域A1而使其暴露于处理液的步骤。

图4是例示在任意第1处理装置30A中基片处理装置1A执行的基片处理顺序的流程图。如图4所示，控制部7首先执行步骤S01、S02。在步骤S01，处理控制部92控制批次处理部6以用批次输送装置19将晶片W的批次输送至第1处理装置30A，用第1处理装置30A将该批次浸渍于处理液。在步骤S02中，处理控制部92确认从当前时刻至下一个晶片W的送入预定时刻为止的时间是否为上述空余时间以下。下面，将从当前时刻至下一个晶片W的送入预定时刻为止的时间成为上述空余时间以下的情况称为“有下一个送入预约”。

在步骤S02中，在判断为有下一个送入预约的情况下，控制部7使处理返回步骤S01。之后，反复进行用第1处理装置30A将晶片W的批次浸渍于处理液的动作，直至判断为没有下一个送入预约为止。在步骤S02中，在判断为没有下一个送入预约的情况下，控制部7执行步骤S03。在步骤S03中，吸附控制部93确认在第1处理装置30A中晶片W没有暴露于处理液的状态是否经过了规定时间。换言之，吸附控制部93确认晶片W的批次从第1处理装置30A的处理液被取出后的经过时间(以下，称为“待机时间”。)是否达到了上述规定时间。

在步骤S03中，在判断为待机时间未达到规定时间的情况下，控制部7使处理返回步骤S02。在步骤S03中，在判断为待机时间达到了规定时间的情况下，控制部7执行步骤S04、S05。在步骤S04中，吸附控制部93控制承载器送入送出部2以将吸附部件承载器9A从承载器台10或承载器栈12输送至承载器载置台14。在步骤S05中，吸附控制部93控制批次形成部3以将吸附部件WD从吸附部件承载器9A内取出，在批次载置部4形成吸附部件WD的批次。

接着，控制部7执行步骤S06、S07。步骤S06包括使吸附部件WD的批次浸渍于第1处理装置30A的处理液的处理(以下，称为“吸附处理”。)。步骤S06还可以包括使吸附部件WD的批次浸渍于第2处理装置30B的处理液的处理(以下，称为“清洗处理”。)。在步骤S06中，控制部7也可以反复进行上述吸附控制和上述清洗控制。即，基片处理装置1A也可以在步骤S06中反复进行上述吸附处理和上述清洗处理。步骤S06的具体的处理内容在后面说明。在步骤S07中，吸附控制部93确认是否有下一个送入预约。

在步骤S07中，在判断为没有下一个送入预约的情况下，控制部7使处理返回至步骤S06。之后，反复进行吸附控制和清洗控制，直至判断为有下一个送入预约为止。在步骤S07中，在判断为有下一个送入预约的情况下，控制部7执行步骤S11、S12、S13。在步骤S11中，吸附控制部93控制批次处理部6以用批次输送装置19将吸附部件WD的批次输送至批次载置部4。在步骤S12中，吸附控制部93控制批次形成部3以使批次载置部4的晶片W返回吸附部件承载器9A内。在步骤S13中，吸附控制部93控制承载器送入送出部2以使吸附部件承载器9A返回承载器台10或承载器栈12。之后，控制部7使处理返回步骤S01。之后，根据需要反复进行一边执行上述吸附控制和清洗控制，一边用第1处理装置30A使晶片W的批次浸渍于处理液的动作。

另外，在以上的说明中，例示了基于待机时间是否达到规定时间来判断是否需要进行吸附处理的处理顺序，不过判断是否需要进行吸附处理的方法并不限定于此。例如，也可以在步骤S03中，吸附控制部93基于处理液中的金属成分的浓度是否达到规定水平来判断是否需要进行吸附处理。

图5是例示步骤S06中的吸附处理的处理顺序的流程图。如图5所示，控制部7依次执行步骤S21、S22、S23。在步骤S21中，吸附控制部93控制批次处理部6以用批次输送装置19将吸附部件WD的批次送入处理区域A1。而且，吸附控制部93控制批次处理部6以用批次输送装置19将吸附部件WD的批次输送至第1处理装置30A，用第1处理装置30A将该批次浸渍于第1处理液。例如，吸附控制部93控制批次处理部6以将该批次从基片保持体22交接到第1处理装置30A的基片升降机构32，用基片升降机构32将该批次浸渍于处理槽31内的第1处理液。之后，吸附控制部93控制批次处理部6以用基片升降机构32使该批次从处理槽31内上升，使该批次从基片升降机构32返回基片保持体22。

在步骤S22中，吸附控制部93控制批次处理部6以用批次输送装置19将吸附部件WD的批次输送至第2处理装置30B，用第2处理装置30B将该批次浸渍于第2处理液。例如，吸附控制部93控制批次处理部6以将该批次从基片保持体22交接到第2处理装置30B的基片升降机构32，用基片升降机构32将该批次浸渍于处理槽31内的第2处理液。之后，吸附控制部93控制批次处理部6以用基片升降机构32使该批次从处理槽31内上升，使该批次从基片升降机构32返回基片保持体22。

在步骤S23中，吸附控制部93控制批次处理部6以用批次输送装置19将吸附部件WD的批次输送至干燥处理装置23，用干燥处理装置23使吸附部件WD干燥。例如，吸附控制部93控制批次处理部6以将该批次从基片保持体22交接到基片升降机构28，用基片升降机构28使该批次下降至处理槽27内。之后，吸附控制部93控制批次处理部6以用基片升降机构28使该批次从处理槽27内上升，使该批次从基片升降机构28返回基片保持体22。通过以上方式完成1个周期的吸附处理顺序。通过执行步骤S23，能够在吸附部件WD干燥后的状态下转移至下一个周期。由此，能够抑制第1处理装置30A的第1处理液的浓度(处理用成分的浓度)的变化。

另外，也可以不在步骤S22之后，而在步骤S21与步骤S22之间执行步骤S23。此外，也可以在步骤S21与步骤S22之间以及步骤S22之后都执行步骤S23。而且，也能够省略步骤S23。特别是在第1处理装置30A和第2处理装置30B中均能够自动调节处理液的浓度(处理用成分的浓度)的情况下，省略步骤S23的影响小。

2.第2实施方式

(1)基片处理装置

如图6所示，基片处理装置1B包括送入送出站102和处理站103(处理部)。送入送出站102与处理站103相邻设置。

送入送出站102包括承载器载置部111和输送部112。在承载器载置部111载置将多个晶片W以水平状态收纳的多个承载器C。

输送部112与承载器载置部111相邻地设置，在内部设有基片输送装置113和交接部114。基片输送装置113包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置113能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，且使用晶片保持机构在承载器C与交接部114之间进行晶片W的输送。

处理站103与输送部112相邻地设置。处理站103包括输送部115和多个处理单元116。多个处理单元116并排地设置于输送部115的两侧。

输送部115在内部设有基片输送装置117。基片输送装置117包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置117能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，且使用晶片保持机构在交接部114与处理单元116之间进行晶片W的输送。

处理单元116利用循环的处理液对晶片W实施处理。处理单元116可以在处理液的流路中包含含金属材料。作为含金属材料的具体例，能够举出石英。石英有时含有铝。含金属材料所含的金属并不限定于铝。作为处理液的流路的材料可含有的金属的其它例子，能够举出铁和锌等。

多个处理单元116也可以包括利用循环的第1处理液对晶片W实施液处理的至少一个第1处理单元116A(参照图7)。第1处理液是能够使从流路析出的金属成分附着于晶片W的处理液。此外，多个处理单元116还可以包括用除去附着于晶片W的金属成分除去的第2处理液对晶片W实施液处理的至少一个第2处理单元116B(参照图7)。作为第1处理液的具体例，能够举出SC-1等碱性处理液和DIW等中性处理液。作为第2处理液的具体例，能够举出SC-2、SPM和DHF等酸性处理液。

另外，基片处理装置1B具有控制装置118。控制装置118例如为计算机，包括存储介质119。存储介质119保存控制在基片处理装置1B中执行的各种处理的程序。控制装置118通过读取并执行存储于存储介质119的程序来控制基片处理装置1B的动作。此外，程序存储于计算机可读取的存储介质中，也可以从该存储介质安装到控制装置118的存储介质119。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

在如上述那样构成的基片处理装置1B中，首先，送入送出站102的基片输送装置113从载置于承载器载置部111的承载器C取出晶片W，将取出的晶片W载置到交接部114。载置于交接部114的晶片W由处理站103的基片输送装置117从交接部114取出，送入处理单元116。

送入处理单元116的晶片W在用处理单元116处理后由控制装置118从处理单元116送出，载置到交接部114。然后，载置于交接部114的已处理的晶片W被基片输送装置113送回承载器载置部111的承载器C。

(2)处理单元

如图7所示，上述的处理单元116具有旋转保持部121、上侧释放部131、下侧释放部132、杯部133、循环部140、处理液补充部160、稀释液补充部170和金属浓度检测部180。旋转保持部121保持处理对象的晶片W并使该晶片W旋转。

例如，旋转保持部121具有保持部124和旋转驱动部125。保持部124保持被配置成水平的晶片W。旋转驱动部125以电动机等为动力，绕铅垂的轴线使保持部124旋转。由此，保持于保持部124的晶片W也旋转。

上侧释放部131从上方向保持于保持部124的晶片W释放处理液。下侧释放部132从下方向保持于保持部124的晶片W释放处理液。杯部133是回收在从上侧释放部131和下侧释放部132被供给至晶片W后从晶片W甩出的处理液的容器。

循环部140使从上侧释放部131和下侧释放部132释放出的处理液返回上侧释放部131和下侧释放部132。例如，循环部140具有液贮存部141、供给管路142、循环管路148和旁通管路153。液贮存部141是贮存处理液的容器。

供给管路142将处理液从液贮存部141引导到上侧释放部131和下侧释放部132。供给管路142在从液贮存部141去往上侧释放部131和下侧释放部132侧的中途的分支部142c分支为上侧管路142a和下侧管路142b。上侧管路142a与上侧释放部131连接，下侧管路142b与下侧释放部132连接。

供给管路142包括泵143、过滤器144、加热器145、流量计146和阀147a、147b。泵143、过滤器144、加热器145和流量计146设置在液贮存部141与分支部142c之间，从液贮存部141侧向分支部142c侧按如上顺序排列。泵143将处理液从液贮存部141侧加压输送到分支部142c侧。过滤器144除去混入处理液中的颗粒。加热器145将处理液加热至设定温度。流量计146检测供给管路142中的处理液的流量。该检测结果例如用于泵143的控制等。阀147a、147b分别设置在上侧管路142a和下侧管路142b，分别开闭上侧管路142a和下侧管路142b内的流路。

循环管路148将处理液从杯部133引导到液贮存部141。循环管路148包括泵151和阀152。泵151将处理液从杯部133侧加压输送到液贮存部141侧。阀152开闭循环管路148内的流路。阀152在上述阀147a、147b的至少一者打开时打开，在阀147a、147b双方关闭时关闭。由此，在从上侧释放部131和下侧释放部132的至少一者释放处理液的情况下，由杯部133回收的处理液返回液贮存部141。

旁通管路153不经过上侧管路142a、下侧管路142b和循环管路148，从供给管路142将处理液引导到液贮存部141。例如，旁通管路153在分支部142c与流量计146之间与供给管路142连接。旁通管路153包括阀154。阀154开闭循环管路148内的流路。阀154在阀147a、147b的至少一者打开时关闭，在阀147a、147b双方关闭时打开。由此，在上侧释放部131和下侧释放部132均没有释放处理液的情况下，也能够持续进行基于循环部140的处理液的循环。

处理液补充部160根据需要对液贮存部141补充处理液。处理液补充部160包括处理液的液源161和阀162。阀162与补充处理液的时刻一致地开闭从液源161至液贮存部141的处理液的流路。

稀释液补充部170根据需要对液贮存部141补充稀释液(例如DIW)。稀释液补充部170包括稀释液的液源171和阀172。阀172与补充稀释液的时刻一致地开闭从液源171至液贮存部141的稀释液的流路。

金属浓度检测部180检测处理液中的金属成分的浓度。金属浓度检测部180包括取样管路181、金属浓度分析器182和阀183。取样管路181例如在泵143与过滤器144之间从供给管路142分支，将在供给管路142中流动的处理液的一部分取出。金属浓度分析器182对通过取样管路181取出的处理液中的金属成分的浓度进行分析。作为金属浓度分析器182的具体例，能够举出ICP(电感耦合等离子体)质量分析装置等。金属浓度分析器182按规定的周期(例如约5分钟)反复进行处理液的取入和金属成分的浓度分析。阀183与金属浓度分析器182取入处理液的时刻一致地开闭取样管路181内的流路。

在处理液补充部160中，至少循环部140包含含金属材料。例如，加热器145和流量计146的至少一部分由含金属材料(例如石英)构成。

(3)控制部

控制装置118构成为能够执行以下步骤：控制处理站103以将晶片W送入处理用的区域而使其暴露于处理液的步骤；和控制处理站103以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件WD(参照图6)送入上述处理用的区域而使其暴露于处理液的步骤。处理用的区域例如为包含多个处理单元116在内的处理站103内的处理区域A2(参照图6)。

如图8所例示的那样，控制装置118作为功能模块具有流程存储部191、处理控制部192和吸附控制部193。流程存储部191存储包含对各处理单元116送入晶片W的时刻在内的处理流程。

处理控制部192控制处理站103以将晶片W送入处理区域A2而使其暴露于处理液。例如，处理控制部192控制处理站103以用基片输送装置117将晶片W从交接部114送入处理区域A1内。而且，处理控制部192控制处理站103以用基片输送装置117将晶片W输送至任意处理单元116，用处理单元116对该晶片W供给处理液。例如，处理控制部192控制处理站103以将该晶片W从基片输送装置117交接到处理单元116的保持部124，一边用旋转驱动部125使该晶片W旋转一边从上侧释放部131和下侧释放部132释放处理液。之后，处理控制部192控制处理站103以停止从上侧释放部131和下侧释放部132释放处理液并停止由旋转驱动部125使晶片W旋转，使该晶片W从保持部124返回基片输送装置117。而且，处理控制部192控制处理站103以用基片输送装置117将该晶片W从处理区域A2送出而使其返回交接部114。

吸附控制部193控制处理站103以将上述吸附部件WD送入处理区域A2而使其暴露于处理液。吸附部件WD是能够以与晶片W同样的方式配置在配置晶片W的位置的吸附基片。吸附部件WD也可以常设于基片处理装置1B内。换言之，基片处理装置1B还可以包括吸附部件WD的收纳部(以下，称为“吸附部件承载器”。)。例如，也可以在交接部114收纳吸附部件WD(参照图1)。即，交接部114也可以作为吸附部件承载器使用。此外，也可以为每当需要将吸附部件WD暴露于处理液时，将基片处理装置1B外的吸附部件承载器输送至承载器载置部111。

在将吸附部件WD暴露于处理液之前，吸附控制部193控制处理站103以用基片输送装置117从作为吸附部件承载器的交接部114取出吸附部件WD送入处理区域A2内。吸附控制部193还可以执行控制处理站103以用基片输送装置113从承载器载置部111的吸附部件承载器取出吸附部件WD配置在交接部114的动作。

之后，吸附控制部193控制处理站103以用基片输送装置117将吸附部件WD输送至任意上述第1处理单元116A，用第1处理单元116A对该吸附部件WD供给第1处理液。例如，吸附控制部193控制处理站103以将该吸附部件WD从基片输送装置117交接到第1处理单元116A的保持部124，一边用旋转驱动部125使该吸附部件WD旋转一边从上侧释放部131和下侧释放部132排出处理液。

之后，吸附控制部193控制处理站103以停止从上侧释放部131和下侧释放部132释放处理液并且停止用旋转驱动部125使吸附部件WD旋转，使该吸附部件WD从保持部124返回基片输送装置117。而且，吸附控制部193控制处理站103以用基片输送装置117将该吸附部件WD从处理区域A2送出而使其返回交接部114。

吸附控制部193也可以构成为能够反复进行吸附控制和清洗控制，该吸附控制控制处理站103以用上述第1处理单元116A将吸附部件暴露于第1处理液，该清洗控制控制处理站103以用上述第2处理单元116B将吸附部件暴露于第2处理液。吸附控制部193也可以在从吸附控制至清洗控制为止的期间以及从清洗控制至吸附控制为止的期间的至少一个期间中，控制处理站103以用第1处理单元116A或者第2处理单元116B执行吸附部件WD的干燥处理。在进行干燥处理时，吸附控制部193控制处理站103以在停止从上侧释放部131和下侧释放部132释放处理液的状态持续进行基于旋转驱动部125的晶片W的旋转。

吸附控制部193也可以构成为在任意第1处理单元116A中晶片W没有暴露于处理液的状态经过了规定时间时，将吸附部件WD送入第1处理单元116A。规定时间被预先设定以使处理液中的金属成分的浓度不超过容许水平。容许水平是能够充分抑制处理液中的金属成分附着到晶片W的水平。吸附控制部193也可以在处理液中的金属成分的浓度达到规定水平时，控制处理站103以将吸附部件WD送入第1处理单元116A。规定水平被预先设定成上述容许水平以下。

控制装置118还可以具有送入预定检测部194。送入预定检测部194基于流程存储部191存储的处理流程来检测出将晶片W送入第1处理单元116A的送入预定时刻。在这种情况下，吸附控制部193也可以基于下一个送入预定时刻而停止反复进行上述吸附控制和上述清洗控制。例如，吸附控制部193根据对正在执行吸附控制的第1处理单元116A送入晶片W的送入预定时刻临近的情况，而停止反复进行吸附控制和清洗控制。更具体而言，吸附控制部193根据从当前时刻至送入预定时刻为止的时间成为规定的空余时间以下的情况，而停止反复进行吸附控制和清洗控制。

另外，在以上的说明中，例示了将用于对晶片W供给第1处理液的第1处理单元116A和用于对晶片W供给第2处理液的第2处理单元116B分体设置的例子，不过并不限定于此。例如，也可以为一个处理单元116具有供给第1处理液的第1供给部(第1处理部)和供给第2处理液的第2供给部(第2处理部)。在这种情况下，能够对一个处理单元116反复进行上述吸附控制和清洗控制。

(4)基片处理顺序

接下来，作为基片处理方法的一个例子，例示基片处理装置1B执行的基片处理顺序。该基片处理顺序包括：将晶片W送入处理区域A2而使其暴露于处理液的步骤；和将吸附部件WD送入处理区域A2而使其暴露于处理液的步骤。

图9是例示在任意第1处理单元116A中基片处理装置1B执行的基片处理顺序的流程图。如图9所示，控制装置118首先执行步骤S31、S32。在步骤S31中，处理控制部192控制处理站103以用基片输送装置117将晶片W输送至第1处理单元116A，用第1处理单元116A对该晶片W供给处理液。在步骤S32中，处理控制部192确认从当前时刻至下一个晶片W的送入预定时刻为止的时间是否为上述空余时间以下。下面，将从当前时刻至下一个晶片W的送入预定时刻为止的时间成为上述空余时间以下的情况称为“有下一个送入预约”。

在步骤S32中，在判断为有下一个送入预约的情况下，控制装置118使处理返回步骤S31。之后，反复进行用第1处理单元116A对晶片W供给处理液的动作，直至判断为没有下一个送入预约为止。在步骤S32中，在判断为没有下一个送入预约的情况下，控制装置118执行步骤S33。在步骤S33中，吸附控制部193确认是否在第1处理单元116A中晶片W在没有暴露于处理液的状态经过了规定时间。换言之，吸附控制部193确认在第1处理单元116A中停止供给处理液后的经过时间(以下，称为“待机时间”。)是否达到了上述规定时间。

在步骤S33中，在判断为待机时间没有达到规定时间的情况下，控制装置118使处理返回步骤S32。在步骤S33中，在判断为待机时间达到规定时间的情况下，控制装置118执行步骤S34、S35、S36。在步骤S34中，吸附控制部193控制处理站103以用基片输送装置117从交接部114取出吸附部件WD送入处理区域A2内。在此之前，吸附控制部193还可以执行控制处理站103以用基片输送装置113从承载器载置部111的吸附部件承载器取出吸附部件WD而将其配置在交接部114的步骤。步骤S35包括用第1处理单元116A向吸附部件WD供给处理液的处理(以下，称为“吸附处理”。)。步骤S35还可以包括用第2处理单元116B对吸附部件WD供给处理液的处理(以下，称为“清洗处理”。)。在步骤S35中，控制装置118也可以反复进行上述吸附控制和上述清洗控制。即，基片处理装置1B也可以在步骤S35中反复进行上述吸附处理和上述清洗处理。步骤S35的具体的处理内容在后文说明。在步骤S36中，吸附控制部193确认是否有下一个送入预约。

在步骤S36中，在判断为没有下一个送入预约的情况下，控制装置118使处理返回步骤S35。之后，反复进行吸附控制和清洗控制，直至判断为有下一个送入预约为止。在步骤S36中，在判断为有下一个送入预约的情况下，控制装置118执行步骤S37。在步骤S37中，吸附控制部193控制处理站103以用基片输送装置117将吸附部件WD从处理区域A2送出而使其返回交接部114。吸附控制部193还可以执行控制处理站103以用基片输送装置113使吸附部件WD从交接部114返回承载器载置部111的吸附部件承载器的步骤。之后，控制装置118使处理返回步骤S31。之后，一边根据需要反复执行上述吸附控制和清洗控制，一边用第1处理单元116A对晶片W供给处理液。

另外，在以上的说明中，例示了基于待机时间是否达到规定时间来判断是否需要进行吸附处理的处理顺序，不过判断是否需要进行吸附处理的方法并不限定于此。例如，也可以在步骤S33中，吸附控制部193基于处理液中的金属成分的浓度是否达到规定水平来判断是否需要进行吸附处理。

图10是例示步骤S35的吸附处理的处理顺序的流程图。如图10所示，控制装置118依次执行步骤S41、S42、S43。在步骤S41中，吸附控制部193控制处理站103以用基片输送装置117将吸附部件WD输送至第1处理单元116A，用第1处理单元116A对该吸附部件WD供给第1处理液。例如，吸附控制部193控制处理站103以将该吸附部件WD从基片输送装置117交接到第1处理单元116A的保持部124，一边用旋转驱动部125使该吸附部件WD旋转一边从上侧释放部131和下侧释放部132释放处理液。之后，吸附控制部193控制处理站103以停止从上侧释放部131和下侧释放部132释放处理液并停止由旋转驱动部125使吸附部件WD旋转，使该吸附部件WD从保持部124返回基片输送装置117。

在步骤S42中，吸附控制部193控制处理站103以用基片输送装置117将吸附部件WD输送至第2处理单元116B，用第2处理单元116B对该吸附部件WD供给第2处理液。例如，吸附控制部193控制处理站103以将该吸附部件WD从基片输送装置117交接到第2处理单元116B的保持部124，一边用旋转驱动部125使该吸附部件WD旋转一边从上侧释放部131和下侧释放部132释放处理液。

在步骤S43中，也可以控制处理站103以用第2处理单元116B执行吸附部件WD的干燥处理。在进行干燥处理时，吸附控制部193控制处理站103以在停止从上侧释放部131和下侧释放部132释放第2处理液的状态持续进行基于旋转驱动部125的晶片W的旋转。之后，吸附控制部193控制处理站103以停止从上侧释放部131和下侧释放部132释放处理液并停止由旋转驱动部125使吸附部件WD旋转，使该吸附部件WD从保持部124返回基片输送装置117。通过以上方式完成1个周期的吸附处理顺序。通过执行步骤S43，能够在吸附部件WD干燥后的状态下转移至下一个周期。由此，能够抑制第1处理单元116A的第1处理液的浓度(处理用成分的浓度)的变化。

另外，也可以不在步骤S42之后，而在步骤S41与步骤S42之间执行步骤S43。在这种情况下，在第1处理单元116A中执行干燥处理。此外，也可以在步骤S41与步骤S42之间以及步骤S42之后都执行步骤S43。而且，也能够省略步骤S43。特别是在第1处理单元116A和第2处理单元116B均能够自动调节处理液的浓度(处理用成分的浓度)的情况下，省略步骤S43的影响小。

3.实施方式的效果

如以上说明的那样，基片处理装置1A包括：批次处理部6，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部92，其控制批次处理部6以将晶片W送入处理区域A1而使其暴露于处理液；和吸附控制部93，其控制批次处理部6以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件WD送入处理区域A1而使其暴露于处理液。

由于处理液的流路包含含金属材料，所以存在随着循环时间的经过而处理液中的金属成分(从含金属材料析出的金属成分)的浓度上升的情况。特别是在批次处理部6内没有晶片W的状态下，金属成分容易滞留在批次处理部6中，因此金属成分的浓度容易上升。对此，依照该基片处理装置1A，在批次处理部6内没有晶片W时，将吸附部件WD送入批次处理部6内，在该吸附部件WD暴露于处理液后将其从批次处理部6内送出。由此，处理液中的金属成分的一部分附着在吸附部件WD而被取出至批次处理部6外。因此，能够抑制循环的处理液中的金属成分的浓度上升。因此，对抑制从含金属材料析出的金属成分附着到晶片W的附着量是有效的。

图11是例示第1处理装置30A中处理液所含的金属成分量的随时间的变化的曲线图。该曲线图的横轴表示待机时间，纵轴表示金属成分量。三角标记的曲线P1表示在待机时间中没有进行上述吸附控制和清洗控制的情况下的金属成分量。方形标记的曲线P2表示在待机时间中反复进行上述吸附控制和清洗控制的情况下的金属成分量。如曲线P1所示，在没有进行上述吸附控制和清洗控制的情况下，金属成分量随着时间的经过而上升。这被认为是金属成分随着处理液的循环而从处理液的流路析出的缘故。对此，如曲线P2所示那样，通过反复进行上述吸附控制和清洗控制，能够抑制金属成分量的上升。这被认为是从处理液的流路析出的金属成分被吸附部件WD吸附而从处理液被取出的缘故。显然，根据该原理，即使不反复进行吸附控制和清洗控制，而仅进行吸附控制，也能够获得抑制金属成分量的上升的效果。

吸附部件WD也可以为能够以与晶片W同样的方式配置在配置晶片W的位置的吸附基片。在这种情况下，能够以与晶片W同样的方式输送、配置吸附部件WD。通过以与用处理液处理的处理对象即基片同样的方式配置吸附部件WD，能够将吸附部件WD充分地暴露于处理液，有效地吸附金属成分。因此，能够更可靠地抑制循环的处理液中的金属成分的浓度上升。

也可以为批次处理部6包括用于利用循环的第1处理液对基片实施处理的第1处理装置30A和用于利用除去金属成分的第2处理液对基片实施处理的第2处理装置30B，吸附控制部93反复进行吸附控制和清洗控制，其中该吸附控制控制批次处理部6以用第1处理装置30A将吸附部件WD暴露于第1处理液，该清洗控制控制批次处理部6以用第2处理装置30B将吸附部件WD暴露于第2处理液。当在吸附部件WD积存了金属成分时，金属成分的吸附性能会降低。对此，通过反复进行吸附控制和清洗控制来将吸附部件WD的金属成分的吸附性能维持得较高。因此，能够更可靠地抑制循环的处理液中的金属成分的浓度上升。

也可以为基片处理装置1A还包括送入预定检测部94，该送入预定检测部94基于预先设定的晶片W的处理流程来检测出将晶片W送入处理区域A1的送入预定时刻，吸附控制部93基于下一个送入预定时刻而停止反复进行吸附控制和清洗控制。在这种情况下，能够反复进行吸附控制和清洗控制直至临近下一个送入预定时刻。由此，能够更可靠地抑制循环的处理液中的金属成分的浓度上升。

也可以为吸附控制部93控制批次处理部6在晶片W没有暴露于处理液的状态经过了规定时间时，将吸附部件WD送入处理用的区域。在这种情况下，通过在规定时间经过之前不进行吸附部件WD的送入，能够一同实现抑制金属成分的浓度上升以及承载器送入送出部2的负载抑制。此外，基于经过时间，由此能够用简单的构成来决定吸附部件WD的送入时刻。

也可以为吸附控制部93控制批次处理部6以在处理液中的金属成分的浓度达到规定水平时将吸附部件WD送入处理区域A1。在这种情况下，在经历到金属成分的浓度之前不进行吸附部件WD的送入，由此能够一同实现抑制金属成分的浓度上升以及承载器送入送出部2的负载抑制。此外，基于金属成分的浓度，由此能够在更恰当的时刻开始吸附部件WD的送入。

还可以为批次处理处理部6具有用于将晶片W浸于处理液中的处理槽31和使从处理槽31排出的处理液返回处理槽31的循环部50。也可以为处理站103具有：保持晶片W的保持部124；向保持于保持部124的晶片W释放处理液的上侧释放部131和下侧释放部132；以及使从上侧释放部131和下侧释放部132释放的处理液返回上侧释放部131和下侧释放部132的循环部140。也可以为至少循环部140包含含金属材料。也可以为含金属材料是石英。

以上，对实施方式进行了说明，不过本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种各样的改变。

Claims (12)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，所述处理液的流路中包含含金属材料；

处理控制部，其控制所述处理部以将所述基片送入所述处理用的区域而使其暴露于所述处理液；和

吸附控制部，其控制所述处理部以将吸附所述处理液中的金属成分的吸附部件送入所述处理用的区域而使其暴露于所述处理液。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述吸附部件是能够以与所述基片同样的方式配置在配置所述基片的位置的吸附基片。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理部包括：

用于利用循环的第1处理液对所述基片实施处理的第1处理部；和

用于利用除去所述金属成分的第2处理液对所述基片实施处理的第2处理部，

所述吸附控制部反复进行吸附控制和清洗控制，其中所述吸附控制控制所述处理部以用所述第1处理部将所述吸附部件暴露于所述第1处理液，所述清洗控制控制所述处理部以用所述第2处理部将所述吸附部件暴露于所述第2处理液。

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括送入预定检测部，其基于预先设定的所述基片的处理流程来检测出将所述基片送入所述处理用的区域的送入预定时刻，

所述吸附控制部基于下一个所述送入预定时刻而停止反复进行所述吸附控制和所述清洗控制。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述吸附控制部控制所述处理部在所述基片没有暴露于所述处理液的状态经过了规定时间时，将所述吸附部件送入所述处理用的区域。

6.如权利要求1～4中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述吸附控制部控制所述处理部以在所述处理液中的金属成分的浓度达到规定水平时将所述吸附部件送入所述处理用的区域。

7.如权利要求1～6中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理部具有：用于将所述基片浸渍于所述处理液中的处理槽；和使从所述处理槽排出的所述处理液返回所述处理槽的循环部。

8.如权利要求1～6中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理部具有：保持所述基片的保持部；向保持于所述保持部的所述基片释放所述处理液的释放部；和使从所述释放部释放的所述处理液返回所述释放部的循环部，至少所述循环部包含所述含金属材料。

9.一种基片处理方法，其特征在于：

在用于利用循环的处理液对基片实施处理的处理部中执行下述步骤，所述处理部在所述处理液的流路中包含含金属材料，

所述基片处理方法在所述处理部中执行的步骤包括：

将所述基片送入所述处理用的区域而使其暴露于所述处理液的步骤；和

将吸附所述处理液中的金属成分的吸附部件送入所述处理用的区域而使其暴露于所述处理液的步骤。

10.如权利要求9所述的基片处理方法，其特征在于：

所述处理部具有：用于利用循环的第1处理液对所述基片实施处理的第1处理部；和用于利用除去所述金属成分的第2处理液对所述基片实施处理的第2处理部，

将吸附所述处理液中的金属成分的吸附部件暴露于所述处理液的步骤包括反复进行吸附处理和清洗处理的步骤，其中所述吸附处理用所述第1处理部将所述吸附部件暴露于所述第1处理液，所述清洗处理用所述第2处理部将所述吸附部件暴露于所述第2处理液。

11.如权利要求10所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：

基于预先设定的所述基片的处理流程来检测出将所述基片送入所述处理部的送入预定时刻的步骤；和

基于下一个所述送入预定时刻，而停止反复进行所述吸附处理和所述清洗处理的步骤。

12.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：

存储有用于使装置执行权利要求9～11中的任一项所述的基片处理方法的程序。

Images