JPH0845728A - 超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセンブリ - Google Patents

超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセンブリ

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JPH0845728A
JPH0845728A JP7097334A JP9733495A JPH0845728A JP H0845728 A JPH0845728 A JP H0845728A JP 7097334 A JP7097334 A JP 7097334A JP 9733495 A JP9733495 A JP 9733495A JP H0845728 A JPH0845728 A JP H0845728A
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ヤニス・パヴロス・ツァヴァラス
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 主超伝導磁石コイルと勾配コイルとの間を有
効に遮蔽することのできる超伝導磁気共鳴イメージング
装置の磁石アセンブリを提供する。 【構成】 磁気共鳴イメージング磁石１０が、主磁石コ
イル１６、１７、１８の周りに低温容器１１に隣接して
配置された超伝導勾配遮蔽１４を含んでいる。勾配遮蔽
１４は、磁気共鳴イメージング磁石１０の内腔内１２に
配置されているイメージング勾配コイル３を励起するこ
とにより発生される磁界から磁石コイル１６、１７、１
８及び構造を遮蔽するために、選択的に超伝導動作状態
とされる。複数の熱伝導部材５０が低温容器１１と勾配
遮蔽１４との間で押し付けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【従来の技術】周知のように磁石コイルは、極めて低温
の環境に配置することにより、例えば低温保持装置、又
は液体ヘリウム等の冷凍剤が入っている圧力容器に封入
することにより超伝導性にすることができる。極度の低
温によって、磁石コイルの抵抗が無視できるレベルまで
小さくなる。最初、ある期間の間、コイルに電源を接続
してコイルに電流を入れると、電源を除いた後もコイル
の抵抗が無視できるため、コイルに電流が流れ続ける。
これにより、強い磁界が維持される。超伝導磁石は、例
えば磁気共鳴イメージング（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｓ
ｏｎａｎｃｅ ｉｍａｇｉｎｇ、以後ＭＲＩと略す。）
の分野で広範な用途がある。
【０００２】従来のＭＲＩ磁石では、超伝導主磁石コイ
ルは、排気された容器内に入れられており、中心にイメ
ージング内腔（ボア）を形成しているドーナツ形の容器
内に封入されている。主磁石コイルは、イメージング内
腔内に強い磁界を形成する。排気された容器内に、そし
てイメージング内腔内にスリーブとして配置されている
のは、勾配コイルである。勾配コイルは内腔内で時間と
共に変化する付加的な磁界のパルシング又は励起を行う
ことにより、それに沿って患者のイメージングが行われ
る内腔内の特定の軸方向の平面を活性化又は選択する。
軸に沿った連続画像により、イメージング（作像）を行
っている患者の選択された部位又は器官のコンピュータ
化された絵が得られる。しかしながら、勾配コイルによ
って発生される時間と共に変化する磁界によって、主磁
石アセンブリ及びそれに付随する低温保持装置の種々の
金属構造内に、並びに主磁石コイル内に渦電流が誘導さ
れることがあり得る。勾配磁石系の目標は、イメージン
グ内腔内の対象磁界の完全な忠実度である。主磁石構造
内及びコイル内の渦電流の存在は、ＭＲＩでは最も望ま
しくない。渦電流は駆動される磁界に磁界を重ねるから
である。渦電流磁界は時間的及び空間的な両方の依存性
を有している。時間的な依存性に対する理想的な場合
は、無限の時定数を有していることである。このような
場合には、対象磁界は単に、駆動された（被駆動）磁界
と渦電流による磁界との組み合わせである。しかしなが
ら、通常の金属の抵抗率のため、勾配パルスの間に又は
有限の時定数を有するパルス系列の間に渦電流磁界は減
衰する。時定数が有限であり、被駆動磁界と同じ空間的
な依存性を有している渦電流成分のプレエンファシス又
はデエンファシスによって補償を行うことができる。し
かしながら、被駆動磁界に対して線形関係にない渦電流
成分が存在することがしばしばある。この渦電流成分
は、時定数が有限の、高次の空間依存性を示し、この空
間依存性は補償することができず、画像品質が損なわれ
ることになる。
【０００３】更に、主磁石構造内及びコイル内の渦電流
が存在すると、電気抵抗が有限であるため、これらの構
造に熱が発生する。これは、渦電流のいわゆる交流加熱
効果である。ＭＲＩシステム内の勾配交流電力加熱は、
実際の構造パラメータ及び勾配パルス強度に応じて、数
ワットから５０ワット以上になり得る。このような勾配
交流電力加熱は、伝導冷却形ＭＲＩ装置内での適切な冷
却という重大な問題を引き起こし、ヘリウム冷却形ＭＲ
Ｉ装置の場合にはヘリウムが著しく蒸発することにな
る。
【０００４】許容できない不良品質の画像の可能性を含
むこのような問題のため、勾配コイルと主磁石構造との
間に勾配遮蔽を設けることにより、勾配コイルによって
発生される時間と共に変化する磁界から主磁石構造及び
コイルを遮蔽する必要がある。このような構成には、例
えば、勾配コイルと直列に挿入され、反対方向に巻かれ
た一対の遮蔽又は勾配バッキング・コイルが含まれてい
た。この一対の遮蔽又は勾配バッキング・コイルは反対
方向の電流を通すことにより、勾配コイル磁界が主磁石
構造及びコイルに影響を及ぼさないように勾配コイル磁
界を相殺すると共に遮蔽する磁界を形成する。しかしな
がら、このような構成は、複雑であり、決して満足でき
るものではなかったし、電子増幅器を必要とする。更に
この構成は、比較的故障の多い装置であることがわかっ
た。更に、主磁石内腔内にスリーブとしてバッキング・
コイルを設けなければならないので、所望の患者内腔の
大きさを得るために磁石全体の大きさが大きくなると共
に、超伝導磁石がより重く、より高価となる。
【０００５】他の構成としては例えば、主磁石ヘリウム
容器と勾配コイルとの間に銅の円筒を挿入するものがあ
った。しかしながら、銅遮蔽は望ましくない電力損失を
生じさせる。その原因の１つは、銅スリーブがさらされ
る磁界によって及び銅の磁界侵入によって銅内に誘導さ
れる寄生電流である。更に、銅遮蔽の時定数はあまり長
くなく、一般に２、３秒よりも短い。
【０００６】更に、超伝導磁石の設計ごとに、既存の勾
配遮蔽を合わせなければならない。その結果、超伝導Ｍ
ＲＩ磁石内の勾配コイルと主磁石構造及びコイルとの間
の遮蔽を行う改良された手段の開発にかなりの努力が向
けられてきた。
【０００７】
【発明の目的】本発明の１つの目的は、主超伝導磁石構
造及びコイルと勾配コイルとの間で改良された遮蔽を有
する磁気共鳴イメージング装置を提供することにある。
本発明のもう１つの目的は、時間と共に変化する磁界の
侵入を防止すると共に、交流加熱損失を最小限にする磁
気共鳴イメージング装置内の改良された勾配コイル遮蔽
を提供することにある。
【０００８】本発明のもう１つの目的は、非常に長く、
実質的に無限ですらある時定数を有していると共に、時
定数の長さの制御を可能とする磁気共鳴イメージング装
置内の勾配遮蔽を提供することにある。本発明の更にも
う１つの目的は、冷凍剤冷却形又は無冷凍剤伝導冷却形
の磁気共鳴イメージング磁石での使用にも適していると
共に、異なる構成の磁石にも容易に適用することのでき
る磁気共鳴イメージング（作像）装置の改良された勾配
遮蔽を提供することにある。
【０００９】
【発明の概要】本発明の一形式によれば、改良された超
伝導ＭＲＩ磁石アセンブリが、イメージング内腔内に磁
界を形成するために超伝導温度に冷却された容器内の超
伝導磁石コイルと、引き続くイメージング・パルスを発
生するために内腔内に配置されている勾配コイルとを含
んでいる。円筒形の超伝導勾配遮蔽が、超伝導温度に冷
却された磁石容器に隣接して配置されている。勾配遮蔽
は主磁石コイルを取り囲んでいると共に、主磁石コイル
と勾配コイルとの間に挿入されている。電力手段が、主
磁石コイルを通って流れる初期電流を供給しており、こ
れにより、初期電流が停止された後に、超伝導流が形成
される。
【００１０】超伝導勾配遮蔽を選択的にクエンチング
（急冷）し、その後、超伝導動作を選択的に再開するた
めの手段が設けられている。超伝導勾配遮蔽は、エポキ
シ樹脂を含浸していると共にステンレス鋼支持構造に挿
入されているＮｂＴｉ又はＮｂ 3 Ｓｎのシート又はコイ
ルの円筒である。Ｎｂ3 Ｓｎの円筒は、超伝導性のＮｂ
3 Ｓｎのテープの部分的に重なっている部分から作成す
ることができる。重なりの間には隙間があり、重なりは
所望の低感度及び時定数が得られるように選択されたは
んだではんだ付けされている。ヒータ用外部電源と回路
接続された一組のヒータによって、勾配遮蔽の超伝導動
作の選択的クエンチングで、主磁石コイルが超伝導動作
にとどまっている間、勾配遮蔽の温度をその超伝導温度
よりも高くすることができる。超伝導勾配遮蔽は、勾配
コイルを励起することにより形成される時間と共に変化
する磁界の磁界侵入を除去すると共に、勾配コイルから
の主磁石構造の磁気遮蔽を有効に行う。これにより、交
流加熱が最小（通常、２、３ミリワットよりも低い）
で、時定数が非常に長く（１０００秒よりも長く）て実
質的に無限ですらある勾配コイル遮蔽が得られる。従っ
て、この超伝導勾配遮蔽は、機械的冷却装置による冷却
のような無冷凍剤伝導冷却されたＭＲＩ磁石での使用を
含めて、一般的な用途に適している。
【００１１】
【実施例】図１及び図２を参照して説明する。超伝導磁
気共鳴イメージング（作像）磁石アセンブリ１０は、軸
５の周りに中心イメージング内腔（ボア）１２を形成し
ているドーナツ形の真空容器２１内の同心の圧力容器１
１を含んでいる。圧力容器１１内には、複合ドラム４が
配置されている。複合ドラム４は、軸５に垂直な平面６
に近付くにつれて軸方向の長さが短くなる三対の主磁石
コイル１６、１７及び１８を有している。主磁石コイル
１６、１７及び１８は、複合ドラム４上で軸方向に間隔
をおいて配設されており、ドラム上の軸方向スロットに
巻かれている。バッキング・コイルのような付加的なコ
イルが、外部磁界を小さくするのに寄与するように設け
られている。
【００１２】外部電力及び制御の接続は、リード線アセ
ンブリ２６によってアクセス・ポート２８を介して成さ
れている。リード線アセンブリ２６は、真空容器２１の
外側のコネクタ２５と、プレート２７を通過している導
管２０とを含んでおり、コネクタ２５と、導管２０と
は、圧力容器１１内の磁石コイル１６、１７、１８及び
１９を含んでいる構成要素に対する電気的接続を成して
いる。液体ヘリウム冷却形のＭＲＩ磁石アセンブリの場
合には、入口パイプ８を介して圧力容器１１に液体ヘリ
ウムが供給される。無冷凍剤冷却の場合には、液体ヘリ
ウムの代わりに、熱的に結合された機械的低温冷却器８
によって機械的伝導冷却が行われる。
【００１３】超伝導勾配遮蔽１４は、後で更に詳しく説
明する円筒形部材である。この円筒形部材は、内腔内に
配置されていると共に、主磁石コイル１６、１７及び１
８と中心イメージング内腔１２との中間の圧力容器１１
と熱的に接触している。中心イメージング内腔１２を取
り囲んでいる真空容器２１の中心内腔に向かい合って、
スリーブ１内に勾配コイル３が配置されている。勾配コ
イル３によって、イメージング（作像）内腔１２内の患
者の軸５に沿って一連のイメージング「スナップ撮影ス
ライス」のパルシング又は励起が行われる。
【００１４】時には、補正コイル（図示していない）の
付勢のために、及び勾配遮蔽内の残留電流を除去するた
めに、磁石コイル１６、１７、１８及び１９の付勢の
間、勾配遮蔽１４をその超伝導遷移温度よりも高い温度
に加熱しなければならないことがある。超伝導勾配遮蔽
１４の細部が図２に示されている。図２に示すように超
伝導勾配遮蔽１４は、ＮｂＴｉ又はＮｂ3 Ｓｎのような
超伝導ニオブ合金材料のシートを心棒を中心として曲げ
ることにより作成されている。端部４０と端部４１と
は、例えばはんだ付けにより接続されて、円筒１４を形
成している。これらの材料のいずれでも、液体ヘリウム
冷却で超伝導性とすることができる。しかしながら、Ｎ
ｂ3 Ｓｎは無冷凍剤伝導冷却で用いることができるの
で、液体ヘリウム冷却を必要としないＭＲＩ装置での使
用に適しており、望ましい。即ち、ＮｂＴｉは約４°Ｋ
の超伝導温度で動作させることができるが、Ｎｂ3 Ｓｎ
は約１０°Ｋの温度までの、より高温で超伝導性とする
ことができる。この高温は機械的低温冷却器８によって
得ることができるので、液体ヘリウムは不必要となる。
【００１５】水平方向、即ち円周方向に伸びている参照
番号３２のようなテープ部分に部分的に重なっている位
置に配置された垂直方向、即ち軸方向に伸びているテー
プ部分３１の格子パターンに、図２に示されるようなＮ
ｂ3 Ｓｎテープを部分的に重ねることにより、シート２
９が形成されている。参照番号３４のような接合個所、
即ち重なりの領域は、参照番号３３のようなはんだ接合
によりはんだ付けされている。次に、心棒を中心として
シート２９を巻いて、円筒１４とする。このとき、端部
４０及び４１を例えば、はんだ付け又は溶接により、適
当に一緒に接合する。円筒１４にエポキシ樹脂を含浸し
て、ステンレス鋼円筒４２に挿入する。
【００１６】電力がヒータ接続３５とヒータ接続３６と
の間の超伝導勾配遮蔽ヒータ又は抵抗ヒータ４３に接続
されている。ヒータ４３は、円筒１４の上のカプトン
（Ｋａｐｔｏｎ）層相互の間に挟まれている膜ヒータで
あってもよい。リード線２３及び２４は、リード線結合
アセンブリ２６を通過して外部電源３８及び３９に接続
されている。リード線２４は、スイッチ３７を介して電
源３８に接続されている。スイッチ３７は真空容器の外
側に配置されている。超伝導勾配遮蔽１４はＮｂＴｉ線
で作成することができる。ＮｂＴｉ線は、Ｎｂ3 Ｓｎテ
ープに比べてこわれ難いので、部分３１及び３２を用い
ることなく軸方向に伸びている１つ又は複数の円筒形の
コイルとして形成することができる。又は、ＮｂＴｉ線
は、ＮｂＴｉの単一の連続シート２９の端部４０と端部
４１とを接合することにより、円筒形にして作成するこ
とができる。しかしながら、上述のように、ＮｂＴｉを
用いる場合には、液体ヘリウム冷却を用いなければなら
ない。
【００１７】超伝導勾配遮蔽１４と圧力容器１１との間
の熱コンダクタンスをより正確に且つ有効に制御するた
めに、複数のベリリウム銅の可撓性フィンガ５０が超伝
導勾配遮蔽と圧力容器との間にこれらの超伝導勾配遮蔽
と圧力容器とに接触して配置されている。図３に示され
るようにフィンガ５０は、中心領域に開口５２を有して
いる実質的に平坦な部分５１と、反対に曲がっている端
部５４で終端している曲面延長部５３とを含んでいる。
曲面延長部５３の曲率半径５６は、超伝導勾配遮蔽１４
と圧力容器１１との隣接した表面相互の間の半径方向の
隙間よりも少し大きくなるように選定されている。これ
により、フィンガ５０の曲面延長部５３の中心部６０
が、その曲率中心５５に向かって押し付けられる。そし
てその結果として得られる弾力のあるばね作用により、
超伝導勾配遮蔽と圧力容器との間の良好な熱コンダクタ
ンスが得られる。リベット５８のような適当な締め具
が、平坦部５１の開口５２と超伝導勾配遮蔽１４の対応
する開口５９とを通過しており、熱コンダクタンスの付
加的な領域５７では、端部５４の下端が超伝導勾配遮蔽
に接触している。これにより、フィンガ５０の平坦部と
超伝導勾配遮蔽との間に良好な熱コンダクタンスが得ら
れる。
【００１８】超伝導勾配遮蔽１４と圧力容器１１との間
に、複数列のフィンガ５０が挿入されている。行当たり
約１７５フィンガの軸方向の各行に３７個の円周状フィ
ンガを用いている１つの構成では、超伝導磁石アセンブ
リに６０００個を超えるフィンガが用いられている。こ
の超伝導磁石アセンブリでは、圧力容器１１の内径、即
ち内腔直径は３６．１インチ、超伝導勾配遮蔽１４の外
径は３５．９インチ、そしてフィンガ５０の長さは約９
／１６インチ、幅は１／４インチ、半径５６は３／８イ
ンチである。
【００１９】フィンガの熱コンダクタンス及び接触抵抗
を制御することにより、超伝導勾配遮蔽１４と圧力容器
１１との間で所望の熱特性が得られるようにフィンガ５
０の大きさ、材料及び個数を変えることができる。超伝
導動作とクエンチングされた非超伝導動作とを交互に繰
り返すことができるようにするためには、熱コンダクタ
ンスは低過ぎても、高過ぎても良くない。超伝導勾配遮
蔽１４が圧力容器１１の内腔に挿入されると、フィンガ
５０が押し付けられることにより、フィンガの曲面領域
６０で圧力容器との良好な熱接触が得られると共に、曲
面延長部５３の中心領域５７で超伝導勾配遮蔽との付加
的な接触が得られる。
【００２０】超伝導ＭＲＩ磁石アセンブリ１０の動作の
間、主磁石コイル１６、１７及び１８、並びに主バッキ
ング・コイル１９のような関連コイルは、通常の方法で
超伝導状態とされる。この方法は、圧力容器１１内の温
度を使用される材料に適した超伝導温度に下げた後に、
それらのコイルに電流を通してから、外部電源からの電
流を停止することにより行われる。超伝導勾配遮蔽１４
によって、イメージングの間に勾配コイル３の励起又は
パルシングにより生じる時間と共に変化する磁界が侵入
することができないので、圧力容器１１内の主磁石コイ
ル１６、１７及び１８のような磁石コイルによって形成
される均一な磁界に対する悪影響が防止される。超伝導
体の表面上の遮蔽（スクリーニング）電流によって、勾
配コイル３の励起により生じる時間と共に変化するすべ
ての磁界が超伝導勾配遮蔽に侵入することが防止され
る。例えば、はんだ付けされたテープ交差点３３で、遮
蔽が比較的高い固有抵抗を有している場合には、誘導性
結合作用により磁界相殺電流が形成され、導体を通る磁
界の拡散により侵入が阻止される。
【００２１】圧力容器１１内の主磁石コイル１６、１７
及び１８のような磁石コイルの超伝導動作の間にスイッ
チ３７を閉じることによる勾配遮蔽１４に隣接する超伝
導勾配遮蔽ヒータ４３への電力接続、並びにそれに続く
勾配遮蔽の超伝導動作によって、例えば電流を誘導し得
る２、３の患者のイメージングの結果として勾配遮蔽上
に累積することがある電流を選択的に消去することがで
きる。従って、超伝導勾配遮蔽１４は周期的にクエンチ
ング（急冷）される。即ち、超伝導勾配遮蔽１４は超伝
導動作を停止する。続いて、主磁石コイル１６、１７及
び１８、又はバッキング・コイル１９のような関連する
他のコイルの超伝導動作のクエンチングを行うことな
く、超伝導勾配遮蔽１４は超伝導動作に戻される。又、
主磁石コイル１６、１７及び１８の超伝導動作への傾斜
（ランプ）上昇の間に、勾配遮蔽１４の超伝導動作は、
通常行われない。この独立制御は、スイッチ３７の動作
によって行われる。スイッチ３７の動作により、超伝導
勾配遮蔽ヒータ４３を通って外部電流が再び流れる。こ
れにより、超伝導勾配遮蔽１４の局所温度が上昇し、や
がて超伝導動作のクエンチングが行われる。
【００２２】重なり領域３４ではんだ付けされたＮｂ3
Ｓｎの場合には、超伝導勾配遮蔽１４の設計に当たっ
て、はんだ付けされた接合部３３で所望の電気抵抗が得
られるはんだを選択することにより、勾配遮蔽の時定数
を制御することができる。時定数は勾配遮蔽のインダク
タンスと抵抗との比に比例するからである。抵抗性のは
んだ接合部３３は残留電流を減衰することにより、磁束
の遮断を回避する役目も果たす。
【００２３】本発明の超伝導勾配遮蔽１４は、複雑でな
く、軽量であり、従来技術の活性勾配遮蔽で必要とされ
る増幅器又は均衡を取ることを必要とせず、そして前に
指摘したように、時間と共に変化する磁界から電力損失
及び熱を生じるような損失のある遮蔽ではない。超伝導
勾配遮蔽１４に生じる影像電流は、勾配遮蔽の渦電流、
及び勾配コイル３の励起によって生じる磁界を相殺す
る。この相殺は、勾配遮蔽の向かい合っている表面に反
対の電流を形成することによって行われる。これによ
り、主磁石コイル１６、１７及び１８内への磁界の侵入
が防止され、イメージング内腔１２内の対象磁界のイメ
ージングの忠実度が改善される。
【００２４】超伝導勾配遮蔽１４は、圧力容器１１内に
配置することもできる。しかしながら、超伝導勾配遮蔽
１４の超伝導動作のクエンチングにより、ヒータ４３の
動作による熱が圧力容器１１内に印加されることにな
る。その結果、冷凍剤冷却の場合にはヘリウムの蒸発が
増加し、無冷凍剤伝導冷却の場合には冷却の要求が増大
して課される。どちらも望ましくない。全能力に近い状
態で動作する無冷凍剤伝導冷却システムに対する要求を
強めることは、特に望ましくない。フィンガ５０の代わ
りに、アルミニウムを被せたマイラ（ｍｙｌａｒ）の圧
縮された層を用いることもできる。無冷凍剤伝導冷却形
の超伝導磁石アセンブリでは、超伝導勾配遮蔽１４を熱
遮蔽、例えば図１に示されるような温度が１０Ｋ以上の
熱遮蔽６１に熱的に接続してもよい。
【００２５】本発明をいくつかの実施例について説明し
てきたが、本発明の要旨及び範囲から逸脱することなく
構成の細部、部品の配置及び組み合わせ、並びに使用さ
れる材料の形式に多数の変更を加え得ることが理解され
るはずである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を含んでいる超伝導ＭＲＩ磁石の横断面
図である。
【図２】図１の勾配遮蔽の細部を示す図である。
【図３】図１の熱伝導フィンガの細部を示す図である。
【符号の説明】
３ 勾配コイル ８ 機械的低温冷却器 １０ 超伝導磁気共鳴イメージング磁石アセンブリ １１ 圧力容器 １２ 中心イメージング内腔 １４ 超伝導勾配遮蔽 １６、１７、１８ 主磁石コイル ３１ テープ部分 ３４ 重なり領域 ３７ スイッチ ３８、３９ 外部電源 ４２ ステンレス鋼円筒 ４３ ヒータ ５０ フィンガ ５１ 平坦部 ５３ 曲面延長部 ５４ 端部 ６１ 熱遮蔽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヤニス・パヴロス・ツァヴァラス アメリカ合衆国、サウス・カロライナ州、 フロレンス、ランスロット・ドライブ、 719番 (72)発明者 フィリップ・ウィリアム・エックルス アメリカ合衆国、サウス・カロライナ州、 フロレンス、エベネザー・チェイス・ドラ イブ、3322番

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 中心イメージング内腔を取り囲んでお
    り、超伝導温度に冷却された容器と、 該容器内に設けられており、前記イメージング内腔内に
    磁界を形成するように該イメージング内腔を取り囲んで
    いる少なくとも１つの超伝導主磁石コイルと、 前記イメージング内腔に隣接して配置されており、パル
    ス状のイメージング磁界を発生する勾配コイルと、 超伝導温度に冷却された前記容器に隣接していると共に
    前記少なくとも１つの主磁石コイルを取り囲んでおり、
    前記主磁石コイルと前記勾配コイルとの間に挿入されて
    いる超伝導勾配遮蔽とを備えており、 該超伝導勾配遮蔽は、前記勾配コイルにより発生された
    時間と共に変化する磁界の影響から前記超伝導主磁石コ
    イルを遮蔽している超伝導磁気共鳴イメージング装置の
    磁石アセンブリ。
  2. 【請求項２】 前記少なくとも１つの主磁石コイルの超
    伝導動作とは独立に前記勾配遮蔽の超伝導動作を選択的
    に停止させる手段を更に含んでいる請求項１に記載の超
    伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセンブリ。
  3. 【請求項３】 前記勾配遮蔽は、ニオブ合金の円筒であ
    る請求項２に記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置の
    磁石アセンブリ。
  4. 【請求項４】 前記円筒は、Ｎｂ3 Ｓｎ超伝導テープの
    重なっている部分から形成されている請求項３に記載の
    超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセンブリ。
  5. 【請求項５】 前記重なっている部分は、はんだ付けさ
    れている請求項４に記載の超伝導磁気共鳴イメージング
    装置の磁石アセンブリ。
  6. 【請求項６】 前記勾配遮蔽に誘導される電流を消去す
    るように、前記勾配遮蔽の超伝導動作を選択的にクエン
    チングすると共に続いて前記勾配遮蔽の超伝導動作を選
    択的に再開する手段を含んでいる請求項１に記載の超伝
    導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセンブリ。
  7. 【請求項７】 前記勾配遮蔽の超伝導動作を選択的に停
    止させる手段は、前記勾配遮蔽をその超伝導温度よりも
    高い温度に加熱する手段を含んでいる請求項６に記載の
    超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセンブリ。
  8. 【請求項８】 前記加熱する手段は、スイッチと、外部
    電源とを含んでいる請求項７に記載の超伝導磁気共鳴イ
    メージング装置の磁石アセンブリ。
  9. 【請求項９】 前記スイッチは、前記勾配遮蔽に隣接し
    た電気ヒータに前記電源を選択的に接続している請求項
    ８に記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセ
    ンブリ。
  10. 【請求項１０】 前記重なっている部分をはんだ付けす
    るために用いられるはんだは、前記勾配遮蔽内の電流に
    所望の抵抗率を与えるように選択されている請求項９に
    記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセンブ
    リ。
  11. 【請求項１１】 前記ヒータは、電気抵抗ヒータである
    請求項９に記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁
    石アセンブリ。
  12. 【請求項１２】 前記勾配遮蔽は、ＮｂＴｉの円筒であ
    る請求項３に記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置の
    磁石アセンブリ。
  13. 【請求項１３】 前記勾配遮蔽の超伝導動作は、前記勾
    配コイルに隣接した前記勾配遮蔽の側に誘導された時間
    と共に変化する電流と反対向きの影像電流を前記勾配コ
    イルと向かい合った前記勾配遮蔽上に形成している請求
    項１に記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石ア
    センブリ。
  14. 【請求項１４】 前記勾配遮蔽は、Ｎｂ3 Ｓｎの円筒で
    あり、超伝導温度への冷却は、機械的低温冷却器により
    行われている請求項１３に記載の超伝導磁気共鳴イメー
    ジング装置の磁石アセンブリ。
  15. 【請求項１５】 前記円筒は、Ｎｂ3 Ｓｎテープの重な
    っている部分から形成されている請求項１４に記載の超
    伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセンブリ。
  16. 【請求項１６】 前記重なっている部分は、前記勾配遮
    蔽に対して所望の時定数を与えるために所望の電気抵抗
    を与えるように選択されたはんだではんだ付けされてい
    る請求項１５に記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置
    の磁石アセンブリ。
  17. 【請求項１７】 前記重なっている部分は、磁界相殺電
    流を発生する際に誘導性結合をもたらしている請求項１
    ５又は請求項１６に記載の超伝導磁気共鳴イメージング
    装置の磁石アセンブリ。
  18. 【請求項１８】 前記超伝導勾配遮蔽は、時間と共に変
    化する磁界による該勾配遮蔽への侵入を防止している請
    求項３に記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石
    アセンブリ。
  19. 【請求項１９】 前記勾配遮蔽は、エポキシ樹脂で含浸
    されていると共に、ステンレス鋼の円筒内に配置されて
    いる請求項１８に記載の超伝導磁気共鳴イメージング装
    置の磁石アセンブリ。
  20. 【請求項２０】 前記超伝導勾配遮蔽は、該超伝導勾配
    遮蔽と前記容器との間に配置されていると共に該超伝導
    勾配遮蔽と該容器とに熱的に接触して配置されている複
    数の熱伝導性部材を介して熱的に接続されている請求項
    １に記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセ
    ンブリ。
  21. 【請求項２１】 前記熱伝導性部材は、可撓性フィンガ
    である請求項２０に記載の超伝導磁気共鳴イメージング
    装置の磁石アセンブリ。
  22. 【請求項２２】 前記可撓性フィンガは、一端で前記超
    伝導勾配遮蔽に固定された実質的に平坦な部分を含んで
    いると共に、前記容器の内腔に接触している曲面状の弾
    性のある部分を更に含んでいる請求項２１に記載の超伝
    導磁気共鳴イメージング装置の磁石アセンブリ。
  23. 【請求項２３】 前記可撓性フィンガは、前記超伝導勾
    配遮蔽が前記中心イメージング内腔内に配置されたとき
    に前記超伝導勾配遮蔽と接触するように押し付けられる
    前記平坦な部分から離れた端の反対に曲がった部分を更
    に含んでいる請求項２２に記載の超伝導磁気共鳴イメー
    ジング装置の磁石アセンブリ。
  24. 【請求項２４】 １０００個を超えるフィンガが設けら
    れている請求項２３に記載の超伝導磁気共鳴イメージン
    グ装置の磁石アセンブリ。
  25. 【請求項２５】 前記フィンガは、前記超伝導勾配遮蔽
    の外側表面の周りに軸方向に伸びている列として設けら
    れており、１６００個を超えるフィンガが設けられてい
    る請求項２４記載の超伝導磁気共鳴イメージング装置の
    磁石アセンブリ。
  26. 【請求項２６】 超伝導の前記磁石アセンブリは、前記
    容器を取り囲んでいる少なくとも１つの熱遮蔽を含んで
    おり、前記超伝導勾配遮蔽は、前記熱遮蔽に熱的に接続
    されている請求項２０に記載の超伝導磁気共鳴イメージ
    ング装置の磁石アセンブリ。
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