JPH0845657A

JPH0845657A - 電子レンジ

Info

Publication number: JPH0845657A
Application number: JP17256095A
Authority: JP
Inventors: Yeon-Hag Seong; 演學成; Jong-Chull Shon; 鍾哲孫; Gweon-Jib Kim; 權執金
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 1994-07-12
Filing date: 1995-07-07
Publication date: 1996-02-16
Also published as: GB2291322A; FR2722559A1; CN1124837A; BR9500279A; GB9417885D0; DE4433105A1; FR2722559B1; RU94033105A; KR0140461B1

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の電子レンジは、大きくかつ重いもので
あった。【解決手段】本発明の電子レンジは、電源の入力を受
けてマイクロ波を出力するクライストロンと、そのクラ
イストロンから出力されたマイクロ波の入力を受けて食
物を調理する調理室と、使用者の制御により前記クライ
ストロンを制御する制御手段とから構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子レンジに関
し、とくに電子レンジにクライストロンを採用すること
により、電子レンジの軽量化を図ることに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子レンジにはマグネトロンが使
用されている。前記マグネトロンは、高圧（４ｋＶ）を
必要としている。したがって、前記マグネトロンを使用
する電子レンジは、高圧トランスが必要となり、製品の
重量が増し、原価が高くなるようになった。

【０００３】図１は、マグネトロンが使用された従来の
電子レンジの一実施形態である。前記図１において、図
面符号１０は電源部であって、高圧トランスと高圧コン
デンサ等で構成され、通常、電子レンジの右側前面に配
置された制御部（図示なし）を使用者が操作すると、そ
れにより、所定電源をマグネトロン２０と冷却ファン
（図示なし）などに供給する。

【０００４】前記マグネトロン２０は、電源部１０から
高圧（４ｋＶ）が供給されると動作し、アンテナ２２を
とおして電磁波を生ずる。前記マグネトロン２０のアン
テナ２２から出力される電磁波は、導波管３０により調
理室５０に案内される。前記導波管３０により調理室５
０に案内される電磁波は、撹拌器４０により分散され、
調理室５０内の食物に入射され調理を行うようになる。

【０００５】一方、図示のない冷却ファンは、通常マグ
ネトロン２０の後側（図面上で）に配置され、前記冷却
ファンから生じた風はマグネトロン２０を冷却させて温
度が上がり、ダクト（図示なし）により穴７０に案内さ
れ、調理室５０内に流入される。このさい、穴７０は少
なくとも１つ以上で構成され、調理室５０内に入射され
る電磁波が漏れないように径ｌは、ｌ＜λ／４とする。
ただし、λは電磁波の波長である。未説明符号６０は、
前記電子レンジの全体外観を形成するハウジングであ
る。

【０００６】図２は前記図１におけるマグネトロン２０
の縦断面図である。前記図２に示す電子レンジ用マグネ
トロン２０は、円筒状の２極真空管であって、マグネト
ロン２０の中心には陰極２２が配置されている。前記陰
極２２は、端子２１に電源が入力されると、加熱されて
電子を放出する。前記陰極２２の周囲には陽極２３が配
設され、陰極２２から放出された電子は陽極２３に移動
するようになる。

【０００７】このさい、マグネトロン２０の上側と下側
にそれぞれ配置されている円形のマグネット２４ａ，２
４ｂにより生じる磁束は磁路片２５ａ，２５ｂにより、
陰極２２と陽極２３間に位置された真空からなるキャビ
ティー２６を通過する。

【０００８】したがって、陰極２２から放出された電子
は、キャビティー２６内に形成された磁界により偏向
し、陰極２２と陽極２３間で回転運動を行う。上記のご
とく、キャビティー２６内で多数の電子が群をなして回
転する場合、陽極２３では共振回路が構成され、この共
振回路により電磁波が生じる。

【０００９】このさい、電子衝突により温度の上昇され
た陽極２３は、冷却フィン２９により冷却され、前記電
磁波は陽極２３に一側が連結されているアンテナ２７を
とおして出力される。

【００１０】前記アンテナ２７は、マグネット２４ａの
中央に穿設された穴をとおして上部へ突出されており、
上部に突出された部位にはキャップ２８が覆われてい
る。つまり、キャップ２８がアンテナ２７の周囲を覆っ
て設けられている。前記アンテナ２７から出力される高
周波は通常の電子レンジに形成されている導波管と給電
口をとおして調理室内に到達し、食物を加熱することに
なる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のごと
く構成された電子レンジ用マグネトロンは、高圧をつく
るために大きく、かつ重いトランスフォーマーとコンデ
ンサを必要とした。

【００１２】したがって、電子レンジの大きさが大き
く、かつ重くなり、原価が高まる問題点があった。

【００１３】したがって、本発明は、上記の問題点の解
決のためなされたものであって、低電圧発振管を電子レ
ンジに適用させ、小さく、かつ軽い電子レンジの提供に
その目的がある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の電子レンジは、電源が入力されると動作し
て、所定のエネルギーを出力するクライストロンと、そ
のクライストロンから出力されたエネルギーが入力され
て食物を調理する調理室と、使用者の制御により前記ク
ライストロンを制御する制御手段とから構成される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
電子レンジを添付図面に沿って詳述する。

【００１６】図３は、本発明の一実施形態による電子レ
ンジ３００の概略構成図であり、図４は図３に示す電子
レンジ３００の側面構成図である。

【００１７】前記図３ないし４において符号３１０は電
源部である。前記電源部３１０は、通常、電子レンジの
右側前面に配置された制御部５００を使用者が操作する
と、それにより、所定電源をクライストロン４００と冷
却ファン３８０等に供給する。

【００１８】前記クライストロン４００は、電源部３１
０から電源が供給されると動作し、アンテナ３２２をと
おして電磁波を生ずる。前記クライストロン４００のア
ンテナ３２２から出力される電磁波は、導波管３３０に
より調理室３５０に案内される。前記導波管３３０によ
り調理室３５０に案内される電磁波は、撹拌器３４０に
より分散され、調理室３５０内の食物に入射され調理を
行うようになる。

【００１９】一方、冷却ファン３８０は、クライストロ
ン４００の後側（図面上で）に配置され、前記冷却ファ
ン３８０から生じた風はクライストロン４００を冷却さ
せて温度が上がり、ダクト３９０により穴３７０に案内
され、調理室３５０内に流入される。このさい、穴３７
０は少なくとも１つ以上で構成され、調理室３５０内に
入射される電磁波が漏れないように径ｌは、ｌ＜λ／４
とする。ただし、λは電磁波の波長である。未説明符号
３３２は、クライストロン４００を導波管３３０に設置
するための締結部材であり、３６０は電子レンジ３００
の全体外観を形成するハウジングである。

【００２０】図５は、前記図３ないし４に示す本発明に
よる電子レンジ３００に適用されたクライストロン４０
０の斜視図である。前記クライストロン４００は、電源
が入力される端子４２２と、その端子４２２をとおして
電源が入力されると、エネルギー（所定の周波数をもつ
電磁波）を生ずる本体４１０と、その本体４１０から生
ずるエネルギーを外部（本願では図３，４の導波管３３
０）に出力するアンテナ３２２と、本体４１０を冷却す
るための冷却装置４３０とから構成される。

【００２１】前記構成中、端子４２２は、絶縁体４２４
により本体４１０と電気的に絶縁されている。前記構成
中、本体４１０の外観はヨーク４０２からなり、内部に
はマグネット４５０ａ，４５０ｂが配置され、マグネッ
ト４５０ａ，４５０ｂ間にはチューブ４４０が配置され
ている。前記本体４１０上部には両方に延長された複数
個の締結片４１２が形成されており、その締結片４１２
には締結孔４１４が穿設されている。このさい、締結片
４１２は、クライストロン４００の重さが均等に作用で
きる所定位置に形成するのが望ましい。

【００２２】前記クライストロン４００の本体４１０上
部に形成されたアンテナ３２２は、同軸線路（後述す
る）と絶縁部材３２２ａとキャップ３２２ｂとから構成
される。前記絶縁部材３２２ａは、本体４１０のヨーク
４０２との絶縁のため、セラミックのごとき絶縁体とか
らなり、キャップ３２２ｂはステンレスのごとき材質か
らなる。

【００２３】前記冷却装置４３０は、本体４１０から生
じる熱を分散させるための冷却フィン４３２と、その冷
却フィン４３２を支持し前記本体４１０から生じた熱を
前記冷却フィン４３２に伝達するための冷却杆（後述す
る）と、前記冷却フィン４３２を覆いかぶせて冷却装置
４３０の外部を形成する冷却片４３４とから構成されて
いる。

【００２４】図６は、図５に示すごときクライストロン
４００の平面図であり、図７は底面図、図８，９はそれ
ぞれ右側面図と左側面図である。

【００２５】前記図６ないし９に示すごとく、クライス
トロン４００の右側には端子４２２が配置され、端子４
２２は、絶縁体４２４により本体４１０の外観をなすヨ
ーク４０２と電気的に絶縁されている。前記本体４１０
の上部には両方に延長された複数個の締結片４１２が形
成されており、その締結片４１２には締結孔４１４が穿
設されている。このさい、締結片４１２は、クライスト
ロン４００の重さが均等に作用できる所定位置に形成す
るのが望ましい。

【００２６】前記クライストロン４００の本体４１０上
部にはアンテナ３２２が形成されている。アンテナ３２
２は絶縁部材３２２ａとキャップ３２２ｂとから構成さ
れる。前記本体４１０の左側には冷却装置４３０が形成
されている。

【００２７】図１０は、本発明による電子レンジに適用
されたクライストロンの構造を示すための一実施形態の
断面図である。前記図１０に示すごとく、クライストロ
ン４００は、電源が入力される端子４２２と、その端子
４２２をとおして電源が入力されると、エネルギー（所
定の周波数をもつ電磁波）を生ずる本体４１０と、その
本体４１０から生ずるエネルギーを外部（本願では図
３，４の導波管３３０）に出力するアンテナ３２２と、
本体４１０を冷却するための冷却装置４３０とから構成
される。

【００２８】前記構成中、本体４１０は、端子４２２を
とおして外部から電源が入力されて電子を生ずる電子銃
と、複数個のキャビティー４４０ａ〜４４０ｄ（２つ以
上８つ以下にするのが望ましく、本願では４つ）と、複
数個のチャンネル（後述する）を具備されたチューブ４
４０と、そのチューブ４４０を通過した電子等が収集さ
れる陽極４９０と、電子銃４６０と陽極４９０の周囲に
位置され、前記電子等がコレクタ４９０に向かう指向を
保持し、前記電子等のなす電子ビームの移動中心を保持
させるマグネット４５０ａ，４５０ｂと、このマグネッ
ト４５０ａ，４５０ｂから生じた磁束がチューブ４４０
内の空間にゆくようにガイドし、同時にチューブ４４０
内に一定に分布するようにするポルピース４７０ａ，４
７０ｂと、マグネット４５０ａ，４５０ｂと、ポルピー
ス４７０ａ，４７０ｂとチューブ４４０と磁束が閉回路
を形成するべく、ガイドの役割をするヨーク４０２とか
ら構成される。

【００２９】ここで、前記マグネットは、着磁方向が対
向面を基準に垂直に配置されるか、一方のマグネットは
外部から中心に向かうよう中心着磁方向をもち、他の向
かい側のマグネットは外部から中心に向かう着磁方向を
もって配置する。

【００３０】前記アンテナ３２２は同軸線路４２４と絶
縁部材３２２ａとキャップ３２２ｂとから構成される。
前記同軸線路４２４は、チューブ４４０内のキャビティ
ー４４０ｄに電磁場とループカップリング４２４ａさせ
て電磁波エネルギーを出力させうるようにした。前記絶
縁部材３２２ａは、本体４１０のヨーク４０２との絶縁
のため、セラミックのごとき絶縁体からなり、キャップ
３２２ｂはステンレスのごとき材質からなる。

【００３１】前記冷却装置４３０は、本体のコレクタ４
９０から生じる熱を分散させるための冷却フィン４３２
と、その冷却フィン４３２を支持し前記コレクタ４９０
から生じた熱を前記冷却フィン４３２に伝達する冷却杆
４３６と、前記冷却フィン４３２を覆いかぶせて冷却装
置４３０の外部を形成する冷却片４３４とから構成され
る。このさい、前記冷却杆４３６はコレクタ４９０とブ
レージング（brazing）して１つの構造に形成する。

【００３２】一方、コレクタ４９０にはモリブデンのご
とく仕事関数の高い物質をコーティングをするか、中心
はチューブ４４０と遠ざかり、周縁はチューブ４４０に
隣接するように形成し、コレクタ４９０からの反射電子
を減らす。前記チューブ４４０は、銅で形成し化学的作
用を抑えるのが望ましい。また、チューブ４４０の磁束
密度を均一に保持するために、チューブ４４０の始端と
末端、つまり電子銃４６０とコレクタ４９０の隣接して
いる部分を磁性体にするのが望ましく、このさいには前
記磁性体を銅でコーティングし、腐食防止および真空特
性を保持するようにする。

【００３３】図１１は、本発明による電子レンジ３００
に適用されたクライストロン４００におけるポルピース
４７０の一実施形態の構造図である。前記ポルピース４
７０は、一側面が塞がっている円筒状であり、前記一側
面には多数の穴４７２が穿設されている。ここで、穴４
７２は、後述するが、電子ビームの通過するドリフトチ
ャンネルをなすことになる。

【００３４】図１２は、本発明による電子レンジ３００
に適用されたクライストロン４００におけるマグネット
４５０の一実施形態の構造図である。前記マグネット４
５０は、所定の厚さｔをもつ多角形であり、中央には円
形の穴４５２が穿設されている。前記穴４５２にはポル
ピース４７０が図１０のごとく挿入され、電子銃４６０
とコレクタ４９０周囲にそれぞれ配置される。

【００３５】図１３は、本発明による電子レンジ３００
に適用されたクライストロン４００におけるドリフトチ
ャンネル６００の一実施形態の構成図である。前記ビー
ムチャンネル５００は、電子銃４６０から生じた電子等
の形成する電子ビーム等の通過する穴であり、ポルピー
ス４７０ａ、チューブ４４０、ポルピース４７０ｂ等を
通過して形成されている。ここで、ドリフトチャンネル
６００の口径は０．３ｍｍ〜５ｍｍに形成するのが望ま
しい。

【００３６】図１４は、本発明による電子レンジ３００
に適用されたクライストロン４００の動作原理を示すた
めの一実施形態の断面図である。前記端子４２２に電源
が入力されると、電子銃４６０では熱電子等が生じて一
所に集まりながら電子ビーム４６２が生じる。前記電子
ビーム４６２は、電子銃４６０とコレクタ４９０の電位
差Ｖｏにより、ｖ＝（(２ｅＶｏ)／ｍ）^1/2＝５．９３
×１０⁵（Ｖｏ）^1/2 ｍ／ｓの速度になるまで加速され
る。

【００３７】相違する瞬間に一番目のギャップ４４２ａ
を通過してゆく電子等はチューブ４４０内のチャンネル
で相違する速度をもつということのため、高速で一番目
のギャップ４４２ａから離れた電子等は平均速度より遅
い速度で、その前にギャップ４４２ｂ，４４２ｃ，４４
２ｄから離れた電子等に追いつくことができる。ここ
で、電子ビーム４６２には、電子群が形成される。

【００３８】一方、キャップ４４２ａは直流電位で保持
されている。電子ビーム４６２の電子群の通過直前の時
点で一側は、段落形態となり、他の一側は連結された形
態として容量性の共振器となる。

【００３９】前記ギャップ４４２ａ〜４４２ｄ間の電界
を積分したのは電圧Ｖ₁ｅ^jwtであり、前記電圧によりビ
ームを形成する電子がギャップ４４２ａ〜４４２ｄの通
過中に加速・減速される。

【００４０】このような現象を速度変調といい、ギャッ
プ４４２ａ〜４４２ｄの周期的な電圧変化は、ビーム内
に位置する電子等の周期的な速度変動を意味する。速度
変調により電子ビーム４６２は、電子群を形成して群集
作用を生ぜしめる。

【００４１】前記一番目のキャビティー４４０ａで変調
され群集をなす電子等が電圧Ｖ₁ｅ^j ^wtの存在するつぎの
ギャップ４４２ｂに到達すると、電子ビームとギャップ
４４２ａ間の相互作用により電子ビームの集群はより深
化される。

【００４２】このさい、密度稠密に集められた電子群は
高エネルギーを持つようになり、密度が稀薄に集まった
電子群は低エネルギーをもつようになる。

【００４３】このさい、電子ビーム４６２をなす電子の
運動現象をみれば、つぎのごとしである。

【００４４】前記チューブ４４０内に入った電子は等速
運動をするが、多くの電子の共存のため、電子間の反発
力により電子ビーム４６２は拡散されようとする。前記
電子ビーム４６２が拡散されると、チューブ４４０の壁
に衝突し、電子の運動エネルギーが熱エネルギーとして
消耗されるようになる。このような現象の防止のため、
電子ビーム４６２の通過する空間内に電磁場を印加す
る。

【００４５】このさい、電子ビーム４６２の通過する空
間に電磁場を形成するために、クライストロン内にマグ
ネットシステムを構成した。前記マグネットシステム
は、つぎのごとく４部分に大別される。（１）マグネット４５０ａ，４５０ｂ−永久磁石として
磁束のソースである。（２）ポルピース４７０ａ，４７０ｂ−マグネット４５
０ａ，４５０ｂから生じた磁束が電子ビーム４６２の共
存する空間にゆくように、ガイドするとともに、チュー
ブ４４０のチャンネル内に一定に分布するようにしてい
る。（３）チューブチャンネル４４０−電子ビーム４６２の
存在する空間であり、ここでは、一定の磁束密度を保持
すべきである。（４）ヨーク４０２−磁束が閉回路を形成するように、
ガイドの役割をする。

【００４６】このように、４つの部分で磁気回路を形成
しつつ電子ビーム４６２の通過する空間に一定、かつ適
正な磁束密度をもつようにする。前記構造は、マグネッ
トシステムを単純な構造にするため、厚さの減少にきわ
めて有利な構造である。ここで、電磁場の決定要素は、
電界とパービアンス、さらにチューブ４４０を決定する
電子ビームの半径と個数である。

【００４７】マルチビームクライストロン内の磁束密度
はＢは、Ｂ＝｛（１／２ｒｂ）（ｐＶｏ／Ｎ）｝^1/2、
ただし、ｒｂは電子ビーム半径、ｐはマイクロパービア
ンス、Ｖｏは電子銃４６０とコレクタ４９０間の駆動電
圧、Ｎはビーム数である。

【００４８】シングルクライストロンの適用時、必要な
磁束密度は１４．０８２ガウス程度が要され、約１２倍
の差がある。

【００４９】前記マグネットシステムにより印加された
電磁場は、電子ビーム４６２の運動方向と一致するよう
に加えると、一定に進む電子はなんらの力をうけずに進
むが、外方へ拡散しようとする電子は、環形状の電子ビ
ーム４６２の接線方向に力をうけて螺旋運動をしつつ進
行するようになり、電子ビーム４６２の拡散を抑制する
ようになる。

【００５０】このようにして進行された電子ビーム４６
２は、一番目のキャビティー４４０ａに到達するように
なり、一番目のキャビティー４４０ａ内には小エネルギ
ー電磁波を外部（または他のキャビティー）から入力
（またはフィードバック）させると、この電磁波により
電子は速度変調が生じる。

【００５１】前記速度変調は、電子の一番目キャビティ
ー４４０ａへの通過時間と、キャビティー４４０ａのギ
ャップ４４２ａに存在する電磁波の電磁場強さにより決
定される。

【００５２】電磁場の強さは、正弦関数として変化し、
入射される電子数は一定比率となるため、電子の集群周
期も電磁波の周期と一致するようになる。その結果、一
番目キャビティー４４０ａを通過した電子ビームは電子
密度が一定でなく、ある程度の集群形態となるが、これ
により出力エネルギーを得るには不充分である。

【００５３】したがって、電子密度を高めるため、前記
動作の繰返しが必要となる。つまり、ある程度に集群さ
れた電子群が二番目キャビティー４４０ｂにいたる瞬
間、電子群中、前方位置の電子はエネルギーを失い、後
方に位置する電子は前方で失ったエネルギーをうけるよ
うになる。したがって、電子群はより密度が高まれる。

【００５４】かかる結果は、三番目キャビティー４４０
ｃでも繰返され、集群作用が十分なされるようになる。
集群作用を繰返した電子ビーム４６２が四番目キャビテ
ィー４４０ｄにいたると、誘導電流をおこすようにな
る。前記誘導電流は、上記の方法により集群作用による
電子群の通過によって繰返しに進行される。

【００５５】前記誘導電流によりキャビティー４４０ａ
〜４４０ｄ内の上下の広空間では主に電磁場が誘導され
分布し、中央のギャップ４４２ａ〜４４２ｄ方には電磁
場の交番する繰返し作用をもつ。

【００５６】外部で四番目キャビティー４４０ｄに同軸
線路４２４に電磁場とループカップリング４２４ａをさ
せ、電磁波エネルギー（本願では周波数ｆが約２，４５
０ＭＨｚの電磁波）を外部に出力できる。

【００５７】一方、高電力の電磁波エネルギーをうるた
めに、電子群の電荷密度が増加すべきであるが、電子群
の電荷密度が増加すると、電子間の反発力が幾何級数に
増加され、これに相応する磁束密度と電圧上昇が必要と
なる。

【００５８】ところが、所定の磁束密度をうるためには
巨大なるマグネットシステムが必要となり、電圧上昇を
させるのは、クライストロンのもつ低電圧発振がそれ以
上には行われないようになる。

【００５９】したがって、上記のごときマルチビームを
採用した。上記のごときマルチビームでは、それぞれの
電子のパービアンスは縮小されるが、全体システムパー
ビアンスは個別電子ビームパービアンスの合計として、
大きな値を持つようになり、効率が向上され、低電圧で
高出力を得ることができる。

【００６０】このように、マルチビームでは、全体シス
テムのパービアンスが大きな値を保持して高出力をもち
うるようにするとともに、個別ビームとしては低パービ
アンスを保持して、簡単なマグネットシステムと低駆動
電圧にでも駆動が可能となる。

【００６１】ここで、前記マルチビームクライストロン
の電子ビーム数は、シングルビームクライストロンの駆
動電圧を基礎とする。前記マルチビームクライストロン
で最小限の電子ビーム数はＮは、Ｎ^2/5 ＝Ｖｏｍ／Ｖｏ
ｓ（ただし、Ｖｏｍはマルチクライストロン駆動電圧、
Ｖｏｓはシングルクライストロン駆動電圧（＝４ｋ
Ｖ））となる。

【００６２】しかし、実際、前記マルチクライストロン
で電子ビーム数を決定するのは、チューブ４４０内のド
リフトチャンネル６００（図１３参照）の幾何学的配列
構造を同時に満足させる値で決定すべきである。

【００６３】したがって、前記マルチクライストロンの
チャンネル数は５００個未満にするのが望ましい。たと
えば、前記マルチビームクライストロンを６００Ｖで動
作させるためには、電子ビーム数を１２７個、４００Ｖ
で動作させるためには、３３７個にするのが望ましい。

【００６４】前記電子ビーム４６２の半径はドリフトチ
ャンネル６００で半径の一定比率を保持するようにし
た。前記電子ビーム４６２がこれより大きくなると、ド
リフトチャンネル５００で電子の損失によりエネルギー
を失うことになる。前記電子ビーム４６２は電子銃の表
面から生じた電子が一所に集まりながらなされ、ドリフ
トチャンネル６００をへてコレクタ４９０に衝突して消
滅させる。電子銃４６０から放出させた電子ビーム４６
２は、電界強さでポルピース４７０ｂまで加速させた
後、等速運動を行う。

【００６５】上述のように、マルチビームクライストロ
ンは、電子ビームを多数に分けて電子ビーム間にほとん
ど影響を及ぼさないようにして、それぞれの電子を独立
に作用するようにするのである。

【００６６】全体電子ビームを多数にしたのは、それぞ
れのビーム内に電荷量が相対的に小となり、これが集群
されるとしても、電子間の反発力はそれほどに大となら
ない。したがって、電磁場の強さとコレクタ４９０の電
圧も顕著に低下させうるのである。

【００６７】

【発明の効果】上述のごとく、マルチビームクライスト
ロンを電子レンジに使用する場合、高圧トランスを使用
する必要がなく、構造と部品の簡素化をとおして、重量
と厚さの減少が可能となる。また、高圧トランスの代わ
りに、簡単な倍数回路にて所望の大きさの電圧をうるこ
とができる。発明のより具体的な実施形態について述べ
たが、いろいろな変形が本発明の範囲から逸脱すること
なく、明らかに実施できる。とくに、上述では調理室内
に撹拌器を設けた場合についてのみ述べたが、ターンテ
ーブルを設けた場合についても、本発明の目的を達成で
きることはもちろんである。このように、本願の思想は
図示された構造についてのみ、限定されないのは明らか
である。また、上述ではマグネットが多角形のときにつ
いてのみ述べたが、環形状で形成するか、多面の格子形
態で形成しても、本願の目的を達成できる。また、上述
では言及を省いたが、電子ビームの通過する所は共振状
態を保持するようになり、これはマグネトロンでのごと
く、アンテナの形成時共振状態につくられるようになる
のである。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の電子レンジの一例である。

【図２】同上のマグネトロンの構成を示す縦断面図であ
る。

【図３】本発明の電子レンジの一実施形態の構成図であ
る。

【図４】同上の電子レンジの側面構成図である。

【図５】本発明による電子レンジに適用されたクライス
トロンの斜視図である。

【図６】同上の平面図である。

【図７】同上の底面図である。

【図８】同上の右側面図である。

【図９】同上の左側面図である。

【図１０】本発明による電子レンジに適用されたクライ
ストロンの構造を示すための一実施形態の断面図であ
る。

【図１１】同上におけるクライストロンでポルピースの
一実施形態の構造図である。

【図１２】同上におけるクライストロンでマグネットの
一実施形態の構造図である。

【図１３】同上におけるクライストロンでビームチャン
ネルの一実施形態の構造図である。

【図１４】同上におけるクライストロンの動作原理を示
すための一実施形態の断面図である。

【符号の説明】

３００電子レンジ３１０電源部３３０導波管３３２締結部材３４０撹拌器３５０調理室３６０ハウジング３７０穴３８０ファン３９０ガイド部材３９２穴４００クライストロン５００制御部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電源の入力を受けてマイクロ波を出力す
るクライストロンと、そのクライストロンから出力され
たマイクロ波の入力を受けて食物を調理する調理室と、
使用者の制御により前記クライストロンを制御する制御
手段とから構成されたことを特徴とする電子レンジ。
【請求項２】前記クライストロンから出力されるマイ
クロ波は、導波管により前記調理室に誘導される請求項
１記載の電子レンジ。
【請求項３】前記調理室内に流入されるマイクロ波
は、撹拌器により分散されるようにした請求項１または
２記載の電子レンジ。
【請求項４】前記クライストロンを冷却させるファン
が具備されている請求項１記載の電子レンジ。
【請求項５】前記ファンから生じた後、クライストロ
ンを冷却させた風は、少なくとも１つ以上の穴をとおし
て前記調理室内に流入されるようにした請求項４記載の
電子レンジ。
【請求項６】前記クライストロンを冷却させた風はダ
クトにより前記穴にガイドされるようにした請求項５記
載の電子レンジ。
【請求項７】前記クライストロンは、外部から電源が
入力される端子と、その端子をとおして電源が入力され
るとマイクロ波を生ずる本体と、その本体から生ずる出
力装置とから構成された請求項１記載の電子レンジ。
【請求項８】前記クライストロンは、本体から生じた
熱を外部へ放出するための冷却手段を具備された請求項
７記載の電子レンジ。
【請求項９】前記冷却手段は、前記クライストロンの
コレクタから生じる熱を分散させるための冷却フィン
と、その冷却フィンを支持し前記コレクタから生じた熱
を前記冷却フィンに伝達する冷却杆と、前記冷却フィン
を覆いかぶせて外部を形成する冷却片とから構成された
請求項８記載の電子レンジ。
【請求項１０】前記冷却杆は、コレクタと１つの構造
にてブレージングした請求項９記載の電子レンジ。
【請求項１１】前記端子は、絶縁体により前記本体と
電気的に絶縁されている請求項７または８記載の電子レ
ンジ。
【請求項１２】前記本体の外観は、ヨークにてなる請
求項７または８記載の電子レンジ。
【請求項１３】前記本体には、複数個の締結手段を具
備された請求項７または８記載の電子レンジ。
【請求項１４】前記クライストロンは、電子銃から生
じた電子がコレクタに向かう指向を保持し、移動中心を
もつために電子銃とコレクタの周囲にマグネットを設
け、磁気閉回路を構成される構造をもつ請求項７または
８記載の電子レンジ。
【請求項１５】前記クライストロンのコレクタには、
仕事関数の高い物質をコーティングした請求項１４記載
の電子レンジ。
【請求項１６】前記マグネットは、着磁方向が磁石の
対向面を基準に垂直に配置された請求項１４記載の電子
レンジ。
【請求項１７】前記マグネットは、着磁方向が外部か
ら磁石の中心を向かう中心着磁をもつ請求項１４記載の
電子レンジ。
【請求項１８】前記マグネットは、環形状構造をなす
請求項１４記載の電子レンジ。
【請求項１９】前記マグネットは、多面の格子形態を
もつ請求項１４記載の電子レンジ。
【請求項２０】前記調理室の底面には、調理される食
物を回転させるターンテーブルが配設された請求項１記
載の電子レンジ。
【請求項２１】前記クライストロンは、電子銃から生
じた電子がコレクタに向かうとき電子ビームを分離し、
移動させるために多数のチャンネルが形成されているチ
ューブを具備した請求項１記載の電子レンジ。
【請求項２２】前記クライストロンのチューブのチャ
ンネル数は、５００個未満である請求項２１記載の電子
レンジ。
【請求項２３】前記クライストロンのチューブ内にキ
ャビティーは、２つ以上８つ以下に構成された請求項２
１記載の電子レンジ。
【請求項２４】前記チューブに形成されたチャンネル
の口径は、０．３ｍｍ〜５ｍｍで形成された請求項２１
記載の電子レンジ。
【請求項２５】前記チューブは、始端と末端の材質を
磁性体にして磁束密度の均一性を図る構造をもつ請求項
２１記載の電子レンジ。
【請求項２６】前記磁性体は、銅でコーティングされ
た請求項２５記載の電子レンジ。
【請求項２７】前記チューブは、銅で形成された請求
項２１記載の電子レンジ。
【請求項２８】前記クライストロンは、コレクタに隣
接しているキャビティーに同軸線路を連結してキャビテ
ィーからマイクロ波エネルギーを外部へ出力する請求項
１記載の電子レンジ。