JPH08264127A - マルチビームクライストロン - Google Patents
マルチビームクライストロンInfo
- Publication number
- JPH08264127A JPH08264127A JP8013179A JP1317996A JPH08264127A JP H08264127 A JPH08264127 A JP H08264127A JP 8013179 A JP8013179 A JP 8013179A JP 1317996 A JP1317996 A JP 1317996A JP H08264127 A JPH08264127 A JP H08264127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- density
- electron beam
- cavity
- cathode
- permanent magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/08—Focusing arrangements, e.g. for concentrating stream of electrons, for preventing spreading of stream
- H01J23/087—Magnetic focusing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/08—Focusing arrangements, e.g. for concentrating stream of electrons, for preventing spreading of stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
- H01J25/10—Klystrons, i.e. tubes having two or more resonators, without reflection of the electron stream, and in which the stream is modulated mainly by velocity in the zone of the input resonator
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子ビームのドリフト通路の磁束密度を一様
ならしめることによって、製品の出力を安定せしめ、か
つ高めうるし、製品の出力エネルギー対入力エネルギー
の比率なる効率を高めうるマルチビームクライストロン
を提供することにある。 【解決手段】 多数の電子ビームを放出するカソード
と、該カソードから放出された電子ビームの密度を変調
させる密度変調手段と、前記カソードから放出された電
子ビームの拡散を防止するよう磁力を発生する磁力発生
手段と、前記密度変調手段により密度変調された電子ビ
ームのエネルギーをカップリングして高周波を発生させ
る高周波発生手段と、前記密度変調手段を通過し、マイ
クロ波を出力した電子ビームを収集するコレクタとから
なることを特徴とする。
ならしめることによって、製品の出力を安定せしめ、か
つ高めうるし、製品の出力エネルギー対入力エネルギー
の比率なる効率を高めうるマルチビームクライストロン
を提供することにある。 【解決手段】 多数の電子ビームを放出するカソード
と、該カソードから放出された電子ビームの密度を変調
させる密度変調手段と、前記カソードから放出された電
子ビームの拡散を防止するよう磁力を発生する磁力発生
手段と、前記密度変調手段により密度変調された電子ビ
ームのエネルギーをカップリングして高周波を発生させ
る高周波発生手段と、前記密度変調手段を通過し、マイ
クロ波を出力した電子ビームを収集するコレクタとから
なることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチビームクラ
イストロンに関し、とくに、カソードとコレクタの周囲
に第１の永久磁石グループと第２の永久磁石グループを
配列したマルチビームクライストロンに関するものであ
る。
イストロンに関し、とくに、カソードとコレクタの周囲
に第１の永久磁石グループと第２の永久磁石グループを
配列したマルチビームクライストロンに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波を利用する通信、電磁
波加熱、乾燥分野で高周波発振管として使われる従来の
クライストロンとしては、例えば、日特開平２−１６５
３３号がある。同公報に開示されたクライストロンは、
図９に示すごとく、電子ビームを発生する電子銃２０２
と、電子ビームを密度変調させる高周波回路部２０４
と、電子ビームを捕捉し、該電子ビームを熱エネルギー
に変換するコレクタ部２０６とからなる。
波加熱、乾燥分野で高周波発振管として使われる従来の
クライストロンとしては、例えば、日特開平２−１６５
３３号がある。同公報に開示されたクライストロンは、
図９に示すごとく、電子ビームを発生する電子銃２０２
と、電子ビームを密度変調させる高周波回路部２０４
と、電子ビームを捕捉し、該電子ビームを熱エネルギー
に変換するコレクタ部２０６とからなる。
【０００３】図９において、２０８は入力回路であり、
２１０は入力部磁極片、２１２は環形状の永久磁石、２
１４はヨーク、２１６は電子ビーム通路のドリフト管、
２１８は出力回路、２２０は出力部磁極片である。
２１０は入力部磁極片、２１２は環形状の永久磁石、２
１４はヨーク、２１６は電子ビーム通路のドリフト管、
２１８は出力回路、２２０は出力部磁極片である。
【０００４】上記のように構成されたクライストロンで
は、前記電子銃部２０２から電子ビームが発生すると、
前記高周波回路部２０４で前記電子ビームを密度変調さ
せた後、前記出力回路２１８では前記高周波回路部２０
４から出力される電子ビームを密度変調させ、その後、
前記出力回路２１８では前記高周波回路部２０４から出
力される電子ビームを、例えば、電子レンジの調理室に
出力するとともに、前記コレクタ部２０６では前記高周
波回路部２０４から出力された残りの電子ビームを捕捉
して前記電子ビームのエネルギーを熱エネルギーに変換
することによって、前記電子ビームを消滅させた。
は、前記電子銃部２０２から電子ビームが発生すると、
前記高周波回路部２０４で前記電子ビームを密度変調さ
せた後、前記出力回路２１８では前記高周波回路部２０
４から出力される電子ビームを密度変調させ、その後、
前記出力回路２１８では前記高周波回路部２０４から出
力される電子ビームを、例えば、電子レンジの調理室に
出力するとともに、前記コレクタ部２０６では前記高周
波回路部２０４から出力された残りの電子ビームを捕捉
して前記電子ビームのエネルギーを熱エネルギーに変換
することによって、前記電子ビームを消滅させた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな従来のクライストロンは、高出力を得るために高駆
動電圧と多くのキャビティを使用しなければならず、製
品の大きさが大型化してしまうという問題があった。さ
らに、製品の大きさに伴い、大きな永久磁石や、電磁石
が必要となることによって、電子ビームの存在する空間
内に一様な磁束密度を保持しにくく、エネルギーの出力
対エネルギーの入力の比率である効率が低いという問題
があった。さらに、上記のごとく大きな永久磁石２１１
や電磁石が必要となることにより、製品の原価が高くな
ってしまうという問題があった。
うな従来のクライストロンは、高出力を得るために高駆
動電圧と多くのキャビティを使用しなければならず、製
品の大きさが大型化してしまうという問題があった。さ
らに、製品の大きさに伴い、大きな永久磁石や、電磁石
が必要となることによって、電子ビームの存在する空間
内に一様な磁束密度を保持しにくく、エネルギーの出力
対エネルギーの入力の比率である効率が低いという問題
があった。さらに、上記のごとく大きな永久磁石２１１
や電磁石が必要となることにより、製品の原価が高くな
ってしまうという問題があった。
【０００６】したがって、本発明は、上記種々の問題点
を解決するためになされたものであって、本発明の目的
は、電子ビームのドリフト通路の磁束密度を一様ならし
めることによって、製品の出力を安定化させると同時に
出力を高めることができ、製品の出力エネルギー対入力
エネルギーの比率である効率を高めうるマルチビームク
ライストロンを提供することにある。
を解決するためになされたものであって、本発明の目的
は、電子ビームのドリフト通路の磁束密度を一様ならし
めることによって、製品の出力を安定化させると同時に
出力を高めることができ、製品の出力エネルギー対入力
エネルギーの比率である効率を高めうるマルチビームク
ライストロンを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるマルチビームクライストロンは、多数
の電子ビームを放出するカソードと、前記カソードから
放出された電子ビームの密度を変調させる密度変調手段
と、前記カソードから放出された電子ビームの拡散を防
止するよう磁力を発生する磁力発生手段と、前記密度変
調手段により密度変調された電子ビームのエネルギーを
カップリングして高周波を発生させる高周波発生手段
と、前記密度変調手段を通過し、マイクロ波を出力した
電子ビームを収集するコレクタとを具備することを特徴
とする
に、本発明によるマルチビームクライストロンは、多数
の電子ビームを放出するカソードと、前記カソードから
放出された電子ビームの密度を変調させる密度変調手段
と、前記カソードから放出された電子ビームの拡散を防
止するよう磁力を発生する磁力発生手段と、前記密度変
調手段により密度変調された電子ビームのエネルギーを
カップリングして高周波を発生させる高周波発生手段
と、前記密度変調手段を通過し、マイクロ波を出力した
電子ビームを収集するコレクタとを具備することを特徴
とする
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て添付図面に沿って詳述する。図１および図２に示すよ
うに、多数の電子ビームを放出するカソード２はヒータ
ーロード４と、エミッターロード６と、前記ヒーターロ
ード４およびエミッタロード６を通して交流１２０
［Ｖ］或いは交流２４０［Ｖ］の電圧をうけて発熱する
ヒーター８と、該ヒーター８から放出される熱により励
起されて電子を放出するエミッター１０とからなる。
て添付図面に沿って詳述する。図１および図２に示すよ
うに、多数の電子ビームを放出するカソード２はヒータ
ーロード４と、エミッターロード６と、前記ヒーターロ
ード４およびエミッタロード６を通して交流１２０
［Ｖ］或いは交流２４０［Ｖ］の電圧をうけて発熱する
ヒーター８と、該ヒーター８から放出される熱により励
起されて電子を放出するエミッター１０とからなる。
【０００９】前記エミッター１０の表面は、図３に示す
ように、多数の電子ビーム１８を放出するよう多数の放
出部１０ａが形成されており、前記エミッター１０の表
面中前記放出部１０ａ以外の所では電子ビームの放出を
抑えるために薄いモリブデン板１０ｂが付着されてい
る。前記放出部１０ａは、１列以上の環形状で複数個が
形成されており、本実施形態では図７に示すように、３
列の環状で２５個が形成されている。
ように、多数の電子ビーム１８を放出するよう多数の放
出部１０ａが形成されており、前記エミッター１０の表
面中前記放出部１０ａ以外の所では電子ビームの放出を
抑えるために薄いモリブデン板１０ｂが付着されてい
る。前記放出部１０ａは、１列以上の環形状で複数個が
形成されており、本実施形態では図７に示すように、３
列の環状で２５個が形成されている。
【００１０】前記放出部１０ａはまた、図３に示すよう
に、前記放出部１０ａから放出された電子を一所に集束
するよう前記エミッター１０の内側に凹むように形成さ
れている。前記ヒーター８と前記エミッター１０は、前
記ヒーターロード４と前記エミッターロード６を介して
交流１２０［Ｖ］、または２２０［Ｖ］を出力する図示
のない電源手段に相互に直列接続されている。前記ヒー
ターロード４とエミッターロード６は、ハウジング１３
により支持されている。
に、前記放出部１０ａから放出された電子を一所に集束
するよう前記エミッター１０の内側に凹むように形成さ
れている。前記ヒーター８と前記エミッター１０は、前
記ヒーターロード４と前記エミッターロード６を介して
交流１２０［Ｖ］、または２２０［Ｖ］を出力する図示
のない電源手段に相互に直列接続されている。前記ヒー
ターロード４とエミッターロード６は、ハウジング１３
により支持されている。
【００１１】前記カソード２から放出された多数の電子
ビーム１８の拡散を防止するよう磁力を発生する磁力発
生手段１２は、前記カソード２の周囲に環形状に配列さ
れた第１の永久磁石グループ１４と、後述するコレクタ
の周囲に環形状に配列された第２の永久磁石グループ１
６と、電子ビームの移動するドリフト通路に磁束を一様
な密度に分布させるよう前記第１の永久磁石グループ１
４から出た磁束を第２の永久磁石グループ１６へ案内す
る第１のポルピース２０、および第２のポルピース２２
と、前記第２の永久磁石グループ１６から出た磁束を第
１の永久磁石グループ１４へ案内するヨーク２４、２
６、２８、３０、３２、３４とからなる。
ビーム１８の拡散を防止するよう磁力を発生する磁力発
生手段１２は、前記カソード２の周囲に環形状に配列さ
れた第１の永久磁石グループ１４と、後述するコレクタ
の周囲に環形状に配列された第２の永久磁石グループ１
６と、電子ビームの移動するドリフト通路に磁束を一様
な密度に分布させるよう前記第１の永久磁石グループ１
４から出た磁束を第２の永久磁石グループ１６へ案内す
る第１のポルピース２０、および第２のポルピース２２
と、前記第２の永久磁石グループ１６から出た磁束を第
１の永久磁石グループ１４へ案内するヨーク２４、２
６、２８、３０、３２、３４とからなる。
【００１２】後述するドリフト通路に磁束を一様に印加
するよう前記第１の永久磁石グループ１４と前記第２の
永久磁石グループ１６は、ドリフト通路の両端にそれぞ
れ設けられている。前記第１の永久磁石グループ１４
は、図４に示すように、所定間隔で環形状に配列された
６個の永久磁石３６、３８、４０、４２、４４、４６と
からなる。前記永久磁石３６、３８、４０、４２、４
４、４６は１列に配列されている。
するよう前記第１の永久磁石グループ１４と前記第２の
永久磁石グループ１６は、ドリフト通路の両端にそれぞ
れ設けられている。前記第１の永久磁石グループ１４
は、図４に示すように、所定間隔で環形状に配列された
６個の永久磁石３６、３８、４０、４２、４４、４６と
からなる。前記永久磁石３６、３８、４０、４２、４
４、４６は１列に配列されている。
【００１３】第２の永久磁石グループ１６も図５に示す
ように、所定間隔で環形状に配列された６個の永久磁石
４８、５０、５２、５４、５６、５８とからなる。前記
永久磁石４８、５０、５２、５４、５６、５８は１列に
配列されている。前記第１の永久磁石グループ１４の永
久磁石３６、３８、４０、４２、４４、４６は中心軸が
Ｎ極を帯び、外側がＳ極を帯びる。これに反し、前記第
２の永久磁石グループ１６の永久磁石４８、５０、５
２、５４、５６、５８は中心軸がＳ極を帯び、外側がＮ
極を帯びる。
ように、所定間隔で環形状に配列された６個の永久磁石
４８、５０、５２、５４、５６、５８とからなる。前記
永久磁石４８、５０、５２、５４、５６、５８は１列に
配列されている。前記第１の永久磁石グループ１４の永
久磁石３６、３８、４０、４２、４４、４６は中心軸が
Ｎ極を帯び、外側がＳ極を帯びる。これに反し、前記第
２の永久磁石グループ１６の永久磁石４８、５０、５
２、５４、５６、５８は中心軸がＳ極を帯び、外側がＮ
極を帯びる。
【００１４】また、電子ビームの存在する所の磁束密度
が一様になるように前記第１の永久磁石グループ１４と
前記第２の永久磁石グループ１６に内接する円の半径は
後述するドリフト通路の外径より大に設計されている。
前記第１の永久磁石グループ１４と第２の永久磁石グル
ープ１６の１２個の永久磁石の全質量Ｍは下記式１、２
により決定される。
が一様になるように前記第１の永久磁石グループ１４と
前記第２の永久磁石グループ１６に内接する円の半径は
後述するドリフト通路の外径より大に設計されている。
前記第１の永久磁石グループ１４と第２の永久磁石グル
ープ１６の１２個の永久磁石の全質量Ｍは下記式１、２
により決定される。
【００１５】
【数１】
【００１６】ここで、ｒbは電子ビーム１８の半径、Ｐt
は全電子ビーム１８のパービアンス、Ｖはエミッター１
０と、後述するコレクタプレータ間に形成された電位
差、Ｂは前記ドリフト通路で必要な磁束密度、Ｌは電子
ビームの存在する放出部１０ａから第２のポルピース２
２までの距離である。前記第１の永久磁石グループ１４
と第２の永久磁石グループ１６、および前記ヨーク２
４、２６、２８、３０、３２、３４は、ホルダー２３に
固定されている。電子ビームが後述する第４のキャビテ
ィを通過して最後まで所定の半径を保持するよう前記第
２のポルピース２２は後述するドリフトチューブに接続
されている。
は全電子ビーム１８のパービアンス、Ｖはエミッター１
０と、後述するコレクタプレータ間に形成された電位
差、Ｂは前記ドリフト通路で必要な磁束密度、Ｌは電子
ビームの存在する放出部１０ａから第２のポルピース２
２までの距離である。前記第１の永久磁石グループ１４
と第２の永久磁石グループ１６、および前記ヨーク２
４、２６、２８、３０、３２、３４は、ホルダー２３に
固定されている。電子ビームが後述する第４のキャビテ
ィを通過して最後まで所定の半径を保持するよう前記第
２のポルピース２２は後述するドリフトチューブに接続
されている。
【００１７】一方で、前記ヨーク２４、２６、２８、３
０、３２、３４は、図６に示すように、長いファンネル
形状に形成されている。前記ヨーク２４、２６、２８、
３０、３２、３４の断面は長方形である。磁束が完全な
閉回路をなしながら有効に分布されるよう前記ヨーク２
４、２６、２８、３０、３２、３４は、前記永久磁石３
６、３８、４０、４２、４４、４６、４８、５０、５
２、５４、５６、５８のごとく環形状に配列されてい
る。
０、３２、３４は、図６に示すように、長いファンネル
形状に形成されている。前記ヨーク２４、２６、２８、
３０、３２、３４の断面は長方形である。磁束が完全な
閉回路をなしながら有効に分布されるよう前記ヨーク２
４、２６、２８、３０、３２、３４は、前記永久磁石３
６、３８、４０、４２、４４、４６、４８、５０、５
２、５４、５６、５８のごとく環形状に配列されてい
る。
【００１８】前記カソード２から放出部された電子ビー
ムの密度変調をさせる密度変調手段６０は、前記カソー
ド２から放出された電子ビームを１次密度変調して高周
波電力を増幅する第１のキャビティ６２と、前記カソー
ド２から放出された電子ビームを２次密度変調して高周
波電力を増幅する第２のキャビティ６４と、前記カソー
ド２から放出された電子ビームを３次密度変調して高周
波電力を増幅する第３のキャビティ６６および前記カソ
ード２から放出された電子ビームを４次密度変調して高
周波電力を増幅する第４のキャビティ６８とからなる。
ムの密度変調をさせる密度変調手段６０は、前記カソー
ド２から放出された電子ビームを１次密度変調して高周
波電力を増幅する第１のキャビティ６２と、前記カソー
ド２から放出された電子ビームを２次密度変調して高周
波電力を増幅する第２のキャビティ６４と、前記カソー
ド２から放出された電子ビームを３次密度変調して高周
波電力を増幅する第３のキャビティ６６および前記カソ
ード２から放出された電子ビームを４次密度変調して高
周波電力を増幅する第４のキャビティ６８とからなる。
【００１９】前記第２のキャビティ６４と第３のキャビ
ティ６６の共振周波数は、電子ビーム１８の密度変調を
有効に高めるために、前記第１のキャビティ６２と第４
のキャビティ６８の共振周波数よりやや大に設定されて
いる。前記第１のキャビティ６２ないし第４のキャビテ
ィ６８には、前記エミッター１０から放出された電子ビ
ーム１８を後述するコレクタ方向へ移動させる複数個の
ドリフト通路７０が形成されており、前記ドリフト通路
７０は前記第１のキャビティ６２ないし第４のキャビテ
ィ６８の中心軸と平行になるよう銅で作られたチューブ
７２により１列以上の管形状に形成されている。
ティ６６の共振周波数は、電子ビーム１８の密度変調を
有効に高めるために、前記第１のキャビティ６２と第４
のキャビティ６８の共振周波数よりやや大に設定されて
いる。前記第１のキャビティ６２ないし第４のキャビテ
ィ６８には、前記エミッター１０から放出された電子ビ
ーム１８を後述するコレクタ方向へ移動させる複数個の
ドリフト通路７０が形成されており、前記ドリフト通路
７０は前記第１のキャビティ６２ないし第４のキャビテ
ィ６８の中心軸と平行になるよう銅で作られたチューブ
７２により１列以上の管形状に形成されている。
【００２０】本実施形態では、図７に示すように、３列
の管形状で２５個のドリフト通路７０が形成されてい
る。高周波電力のエネルギーの一部が前記第２のキャビ
ティ６４ないし第４のキャビティ６８から前記第１のキ
ャビティ６２に戻るように前記第３キャビティ６６と前
記第１のキャビティ６２間にはフィードバックチャンネ
ル７４が形成されている。前記第４のキャビティ６８
は、出力効率を高めるために第１のキャビティ６２ない
し第３のキャビティ６６に比して小に形成されている。
の管形状で２５個のドリフト通路７０が形成されてい
る。高周波電力のエネルギーの一部が前記第２のキャビ
ティ６４ないし第４のキャビティ６８から前記第１のキ
ャビティ６２に戻るように前記第３キャビティ６６と前
記第１のキャビティ６２間にはフィードバックチャンネ
ル７４が形成されている。前記第４のキャビティ６８
は、出力効率を高めるために第１のキャビティ６２ない
し第３のキャビティ６６に比して小に形成されている。
【００２１】図３に示すように、前記第１のキャビティ
６２ないし第４のキャビティ６８のギャップ７６，７
８，８０，８２の間隔Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、前記第１の
キャビティ６２ないし第４のキャビティ６８間の相互に
作用する程度を増大させるために、段階的に異なるよう
設定されており、本実施形態では前記第１のキャビティ
６２ないし第４のキャビティ６８のギャップ７６，７
８，８０，８２間の間隔Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３が下記式３，
４，５で示すように段階的に減少されるよう設定されて
いる。
６２ないし第４のキャビティ６８のギャップ７６，７
８，８０，８２の間隔Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３は、前記第１の
キャビティ６２ないし第４のキャビティ６８間の相互に
作用する程度を増大させるために、段階的に異なるよう
設定されており、本実施形態では前記第１のキャビティ
６２ないし第４のキャビティ６８のギャップ７６，７
８，８０，８２間の間隔Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３が下記式３，
４，５で示すように段階的に減少されるよう設定されて
いる。
【００２２】
【数２】
【００２３】ここで、λPは電子ビームの理論式により
決定される電子ビーム１８内のプラズマ周波数である。
とりわけ、前記第３のキャビティ６６と第４のキャビテ
ィ６８のギャップ８０，８２の間隔Ｄ３は前記密度変調
手段６０の特性を高めるために、第１のキャビティ６２
ないし第３のキャビティ６６のギャップ６６の間隔Ｄ
１，Ｄ２より小に形成されている。また、前記密度変調
手段６０の特性を高めるために、前記第４のキャビティ
６８のギャップ８２の大きさは他のギャップ７６，７
８，８０の大きさより小に形成されている。
決定される電子ビーム１８内のプラズマ周波数である。
とりわけ、前記第３のキャビティ６６と第４のキャビテ
ィ６８のギャップ８０，８２の間隔Ｄ３は前記密度変調
手段６０の特性を高めるために、第１のキャビティ６２
ないし第３のキャビティ６６のギャップ６６の間隔Ｄ
１，Ｄ２より小に形成されている。また、前記密度変調
手段６０の特性を高めるために、前記第４のキャビティ
６８のギャップ８２の大きさは他のギャップ７６，７
８，８０の大きさより小に形成されている。
【００２４】前記密度変調手段６０により密度変調され
た電子ビームのエネルギーをカップリングして高周波を
発生させる高周波発生手段８４は、前記第４のキャビテ
ィ６８と磁気カップリングされて前記第４のキャビティ
６８を通過する電子ビームのエネルギーを吸収するカッ
プリングリング８６と、該カップリングリング８６の吸
収したエネルギーを高周波で出力するアンテナ８８とか
らなる。
た電子ビームのエネルギーをカップリングして高周波を
発生させる高周波発生手段８４は、前記第４のキャビテ
ィ６８と磁気カップリングされて前記第４のキャビティ
６８を通過する電子ビームのエネルギーを吸収するカッ
プリングリング８６と、該カップリングリング８６の吸
収したエネルギーを高周波で出力するアンテナ８８とか
らなる。
【００２５】前記密度変調手段６０を通して高周波を出
力した電子ビームを収集するコレクタ９０は、前記第２
のポルピース２２から電子を収集するコレクタプレート
９２と、該コレクタプレート９２に収集された電子の有
していたエネルギーを熱として外部へ放出する放熱杆９
４、および放熱プレート９６とからなる。前記第２のポ
ルピース２２から発生した熱が外部へ伝達されるよう前
記コレクタプレート９２は前記第２のポルピース２２に
接続されている。
力した電子ビームを収集するコレクタ９０は、前記第２
のポルピース２２から電子を収集するコレクタプレート
９２と、該コレクタプレート９２に収集された電子の有
していたエネルギーを熱として外部へ放出する放熱杆９
４、および放熱プレート９６とからなる。前記第２のポ
ルピース２２から発生した熱が外部へ伝達されるよう前
記コレクタプレート９２は前記第２のポルピース２２に
接続されている。
【００２６】前記放熱プレート９６は、前記放熱杆９４
に強嵌されており、前記放熱杆９４は前記コレクタプレ
ート９２にブレージング接合されている。前記コレクタ
プレート９２は、前記エミッター１０と前記コレクタプ
レート９２間に電子ビーム加速のための電位差が形成さ
れるよう直流６００［Ｖ］の電圧を出力する図示のない
第２の電源手段の出力端子に接続されている。
に強嵌されており、前記放熱杆９４は前記コレクタプレ
ート９２にブレージング接合されている。前記コレクタ
プレート９２は、前記エミッター１０と前記コレクタプ
レート９２間に電子ビーム加速のための電位差が形成さ
れるよう直流６００［Ｖ］の電圧を出力する図示のない
第２の電源手段の出力端子に接続されている。
【００２７】次に、本発明の一実施形態によるマルチビ
ームクライストロンの構造に対する理論的原理について
述べる。前記エミッター１０とコレクタプレート９２間
に形成された電位差をＶ、個別電子ビーム１８のパービ
アンスをＰe、全電子ビーム１８のパービアンスをＰt、
全電子ビーム１８により表わされる電流値をＩ、出力を
Ｐ、電子ビーム１８の数をｎとすれば、前記電流値Ｉと
前記電位差Ｖの間には２極管の一般的な原理により下記
の関係式６，７，８，９，１０，１１，１２が成り立
つ。
ームクライストロンの構造に対する理論的原理について
述べる。前記エミッター１０とコレクタプレート９２間
に形成された電位差をＶ、個別電子ビーム１８のパービ
アンスをＰe、全電子ビーム１８のパービアンスをＰt、
全電子ビーム１８により表わされる電流値をＩ、出力を
Ｐ、電子ビーム１８の数をｎとすれば、前記電流値Ｉと
前記電位差Ｖの間には２極管の一般的な原理により下記
の関係式６，７，８，９，１０，１１，１２が成り立
つ。
【００２８】
【数３】
【００２９】前記式９から電位差Ｖは、
【００３０】
【数４】
【００３１】上記式１２から電子ビーム１８の数ｎを大
きくすることによって、前記電位差Ｖが低下でき、さら
に式１１から電子ビーム１８の数ｎを大きくすることに
よって、出力Ｐを高めうることが分かる。つぎに、上記
のように構成された本発明の一実施形態によるマルチビ
ームクライストロンの作用および効果について述べる。
まず、前記ヒーターロード４と前記エミッターロード６
間に２２０［Ｖ］の交流電圧が印可され、前記コレクタ
プレート９２に６００［Ｖ］の直流電流が印加される
と、前記ヒーター８と前記エミッター１０に交流２２０
［Ｖ］の電圧が印可され、前記ヒーター８が発熱する。
きくすることによって、前記電位差Ｖが低下でき、さら
に式１１から電子ビーム１８の数ｎを大きくすることに
よって、出力Ｐを高めうることが分かる。つぎに、上記
のように構成された本発明の一実施形態によるマルチビ
ームクライストロンの作用および効果について述べる。
まず、前記ヒーターロード４と前記エミッターロード６
間に２２０［Ｖ］の交流電圧が印可され、前記コレクタ
プレート９２に６００［Ｖ］の直流電流が印加される
と、前記ヒーター８と前記エミッター１０に交流２２０
［Ｖ］の電圧が印可され、前記ヒーター８が発熱する。
【００３２】前記ヒーター８が発熱すると、前記エミッ
ター１０が１０００°Ｃ以上に加熱されて前記エミッタ
ー１０の放出部１０ａから多数の電子が連続して放出さ
れて電子ビーム１８を形成する。前記エミッター１０の
放出部１０ａから前記コレクタプレート９２の方向へ放
出された電子ビーム１８は、前記エミッター１０と前記
コレクタプレート９２間に形成された６００［Ｖ］の電
位差により前記コレクタプレート９２の方向へ加速され
る。
ター１０が１０００°Ｃ以上に加熱されて前記エミッタ
ー１０の放出部１０ａから多数の電子が連続して放出さ
れて電子ビーム１８を形成する。前記エミッター１０の
放出部１０ａから前記コレクタプレート９２の方向へ放
出された電子ビーム１８は、前記エミッター１０と前記
コレクタプレート９２間に形成された６００［Ｖ］の電
位差により前記コレクタプレート９２の方向へ加速され
る。
【００３３】前記コレクタプレート９２の方向へ加速さ
れた電子ビーム１８は、前記第１のキャビティ６２のギ
ャップ７６に到達する。前記第１のキャビティ６２のギ
ャップ７６には、外部の図示のない小信号高周波手段か
ら前記第１のキャビティ６２の空洞６２ａに入射された
小信号高周波により電界が形成されているが、該電界か
ら電子ビーム１８内の電子等が力を受けて速度変調が生
じる。
れた電子ビーム１８は、前記第１のキャビティ６２のギ
ャップ７６に到達する。前記第１のキャビティ６２のギ
ャップ７６には、外部の図示のない小信号高周波手段か
ら前記第１のキャビティ６２の空洞６２ａに入射された
小信号高周波により電界が形成されているが、該電界か
ら電子ビーム１８内の電子等が力を受けて速度変調が生
じる。
【００３４】電子ビーム１８内の電子等が速度変調を受
けると、電子ビーム１８の密度は前記ドリフト通路７０
内での位置により変調される。電子ビーム１８が継続し
て進行し、第２のキャビティ６４のギャップ７８に至る
と、第２のキャビティ６４と電子ビーム１８との相互作
用によって電子の速度変調が再び発生し、これにより電
子ビーム１８内で密度の高かった部分の電子密度はさら
に高くなる。
けると、電子ビーム１８の密度は前記ドリフト通路７０
内での位置により変調される。電子ビーム１８が継続し
て進行し、第２のキャビティ６４のギャップ７８に至る
と、第２のキャビティ６４と電子ビーム１８との相互作
用によって電子の速度変調が再び発生し、これにより電
子ビーム１８内で密度の高かった部分の電子密度はさら
に高くなる。
【００３５】電子ビームが継続して進行し前記第３のキ
ャビティ６６のギャップ８０に至った時も、第２のキャ
ビティ６４のギャップ７８で作用していたのと同様にな
り、電子密度の高かった部分がもう一度一段と高密度に
高まれる。したがって、高エネルギーのマイクロ波を発
生させるのに十分なるよう高密度の電子ビームが形成さ
れる。十分な電子密度を有する電子ビームが出力キャビ
ティの第４のキャビティ６８のギャップ８２に至ると、
前記第４のキャビティ６８に誘導電流が起り、これによ
り電界と磁界が第４のキャビティ６８内に誘起される
が、このうち電界は主に第４のキャビティ６８のギャッ
プ８２に存在し、磁界は第４のキャビティ６８の空洞６
８ａ内に存在する。
ャビティ６６のギャップ８０に至った時も、第２のキャ
ビティ６４のギャップ７８で作用していたのと同様にな
り、電子密度の高かった部分がもう一度一段と高密度に
高まれる。したがって、高エネルギーのマイクロ波を発
生させるのに十分なるよう高密度の電子ビームが形成さ
れる。十分な電子密度を有する電子ビームが出力キャビ
ティの第４のキャビティ６８のギャップ８２に至ると、
前記第４のキャビティ６８に誘導電流が起り、これによ
り電界と磁界が第４のキャビティ６８内に誘起される
が、このうち電界は主に第４のキャビティ６８のギャッ
プ８２に存在し、磁界は第４のキャビティ６８の空洞６
８ａ内に存在する。
【００３６】このように、電子ビーム１８は、前記第４
のキャビティ６８のギャップ８２を通過しつつ前記第４
のキャビティ６８の空洞６８ａ内に電子エネルギーを誘
導させた後、一部の運動エネルギーを有して継続進行し
て第２のポルピース２２の表面につきあたって吸収され
る。前記第２のポルピース２２に吸収された電子は、コ
レクタプレート９２に移動してコレクタプレート９２に
連結された図示のない電源線に流れる。
のキャビティ６８のギャップ８２を通過しつつ前記第４
のキャビティ６８の空洞６８ａ内に電子エネルギーを誘
導させた後、一部の運動エネルギーを有して継続進行し
て第２のポルピース２２の表面につきあたって吸収され
る。前記第２のポルピース２２に吸収された電子は、コ
レクタプレート９２に移動してコレクタプレート９２に
連結された図示のない電源線に流れる。
【００３７】この場合、前記第２のポルピース２２に吸
収された電子の有していた残りの運動エネルギーは前記
第２のポルピース２２から熱を発生し、前記第２のポル
ピース２２から生じた熱は、前記コレクタプレート９２
を通して放熱杆９４、および放熱プレート９６に熱伝導
されて外部へ放出される。
収された電子の有していた残りの運動エネルギーは前記
第２のポルピース２２から熱を発生し、前記第２のポル
ピース２２から生じた熱は、前記コレクタプレート９２
を通して放熱杆９４、および放熱プレート９６に熱伝導
されて外部へ放出される。
【００３８】次に、前記カップリングリング８６は、前
記第４のカソード６８の空洞６８ａ内の磁界エネルギー
をカップリングすることによって、高周波エネルギーを
外部へ引出すようになり、外部へ出た高周波はアンテナ
８８から必要な空間へ、たとえば、電子レンジの調理室
へ放射される。
記第４のカソード６８の空洞６８ａ内の磁界エネルギー
をカップリングすることによって、高周波エネルギーを
外部へ引出すようになり、外部へ出た高周波はアンテナ
８８から必要な空間へ、たとえば、電子レンジの調理室
へ放射される。
【００３９】一方、前記第１の永久磁石グループ１４の
永久磁石３６，３８，４０，４２，４４，４６のＮ極か
ら出た磁束は第１のポルピース２０を通してドリフト通
路７０とチューブ７２の左方までガイドされ、ここから
前記ドリフト通路７０とチューブ７２に向けて磁束が放
射される。前記第１のポルピース２０から放射された磁
束は電子ビーム１８と平行を保持しながら、前記ドリフ
ト通路７０とチューブ７２を通してすべてが前記第２の
ポルピース２２に入射される。
永久磁石３６，３８，４０，４２，４４，４６のＮ極か
ら出た磁束は第１のポルピース２０を通してドリフト通
路７０とチューブ７２の左方までガイドされ、ここから
前記ドリフト通路７０とチューブ７２に向けて磁束が放
射される。前記第１のポルピース２０から放射された磁
束は電子ビーム１８と平行を保持しながら、前記ドリフ
ト通路７０とチューブ７２を通してすべてが前記第２の
ポルピース２２に入射される。
【００４０】以降、磁束は前記第２のポルピース２２か
ら前記第２の永久磁石グループ１６の永久磁石４８，５
０，５２，５４，５６，５８のＳ極に入射される。次
に、前記永久磁石４８，５０，５２，５４，５６，５８
のＮ極から前記６個のヨーク２４，２６，２８，３０，
３２，３４を通して前記第１の永久磁石グループ１４の
永久磁石３６，３８，４０，４２，４４，４６のＳ極に
入射される。
ら前記第２の永久磁石グループ１６の永久磁石４８，５
０，５２，５４，５６，５８のＳ極に入射される。次
に、前記永久磁石４８，５０，５２，５４，５６，５８
のＮ極から前記６個のヨーク２４，２６，２８，３０，
３２，３４を通して前記第１の永久磁石グループ１４の
永久磁石３６，３８，４０，４２，４４，４６のＳ極に
入射される。
【００４１】このように、前記第１の永久磁石グループ
１４の永久磁石３６，３８，４０，４２，４４，４６、
第１のポルピース２０、ドリフト通路７０、第２のポル
ピース２２、第２の永久磁石グループ１６の永久磁石４
８，５０，５２，５４，５６，５８、およびヨーク２
６，２８，３０，３２，３４を通して完全閉回路が形成
され、電子ビーム１８の存在するドリフト通路７０に必
要な磁束密度が供給される。
１４の永久磁石３６，３８，４０，４２，４４，４６、
第１のポルピース２０、ドリフト通路７０、第２のポル
ピース２２、第２の永久磁石グループ１６の永久磁石４
８，５０，５２，５４，５６，５８、およびヨーク２
６，２８，３０，３２，３４を通して完全閉回路が形成
され、電子ビーム１８の存在するドリフト通路７０に必
要な磁束密度が供給される。
【００４２】この場合、図８に示すように、本発明の一
実施形態により所定間隔をおいて環形状に永久磁石を設
けた場合の磁束の密度分布Ｓが従来の環状で永久磁石を
設置した場合の磁束密度分布Ｔより一様性があるので、
改善されたことが分かる。図８において、Ｘ軸は図１に
示すマルチビームクライストロンの左側から右側へのド
リフト通路７０上での位置を示し、Ｙ軸は前記図１に示
すマルチビームクライストロンのドリフト通路７０内で
の磁束密度を示す。図８に示すごとく、前記ドリフト通
路７０内に一様な密度で磁束が分布されることによっ
て、電子ビーム１８の拡散が防止されるとともに、前記
電子ビーム１８が前記放出部１０ａから前記第２のポル
ピース２２まで所定大の半径を保持する。
実施形態により所定間隔をおいて環形状に永久磁石を設
けた場合の磁束の密度分布Ｓが従来の環状で永久磁石を
設置した場合の磁束密度分布Ｔより一様性があるので、
改善されたことが分かる。図８において、Ｘ軸は図１に
示すマルチビームクライストロンの左側から右側へのド
リフト通路７０上での位置を示し、Ｙ軸は前記図１に示
すマルチビームクライストロンのドリフト通路７０内で
の磁束密度を示す。図８に示すごとく、前記ドリフト通
路７０内に一様な密度で磁束が分布されることによっ
て、電子ビーム１８の拡散が防止されるとともに、前記
電子ビーム１８が前記放出部１０ａから前記第２のポル
ピース２２まで所定大の半径を保持する。
【００４３】
【発明の効果】上述したように、本発明によるマルチビ
ームクライストロンによれば、カソードとコレクタの周
囲に第１の永久磁石グループと第２の永久磁石グループ
を配列することによって、電子ビームのドリフト通路の
磁束密度を一様ならしめて製品の出力を安定させると同
時に、製品の出力を高めることができ、製品の出力エネ
ルギー対入力エネルギーの比率である効率を高めうる極
めて優れる効果を有する。また、製品の出力が高められ
ることによって、製品の小型化が可能であり、高出力を
得るための付加的な部品が不必要となるため、製品の原
価をダウンせしめうる極めて優れる効果を有する。
ームクライストロンによれば、カソードとコレクタの周
囲に第１の永久磁石グループと第２の永久磁石グループ
を配列することによって、電子ビームのドリフト通路の
磁束密度を一様ならしめて製品の出力を安定させると同
時に、製品の出力を高めることができ、製品の出力エネ
ルギー対入力エネルギーの比率である効率を高めうる極
めて優れる効果を有する。また、製品の出力が高められ
ることによって、製品の小型化が可能であり、高出力を
得るための付加的な部品が不必要となるため、製品の原
価をダウンせしめうる極めて優れる効果を有する。
【図１】本発明の一実施形態によるマルチビームクライ
ストロンの断面図である。
ストロンの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態によるマルチビームクライ
ストロンの正面図である。
ストロンの正面図である。
【図３】図１における要部拡大図である。
【図４】図１におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】図１におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】図１におけるヨークの外観斜視図である。
【図７】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図８】図１におけるドリフト通路の磁束密度の分布図
である。
である。
【図９】従来のクライストロンの断面図である。
２ カソード １２ 磁力発生手段 １８ 電子ビーム ２０ 第１のポルピース ２２ 第２のポルピース ２４ ヨーク ６０ 密度変調手段 ６２ 第１のキャビティ ６４ 第２のキャビティ ６６ 第３のキャビティ ６８ 第４のキャビティ ７０ ドリフト通路 ７２ チューブ ８４ 高周波発生手段 ９０ コレクタ
Claims (3)
- 【請求項１】 マルチビームクライストロンにおいて、 多数の電子ビームを放出するカソードと、 前記カソードから放出された電子ビームの密度を変調さ
せる密度変調手段と、 前記カソードから放出された電子ビームの拡散を防止す
るよう磁力を発生する磁力発生手段と、 前記密度変調手段により密度変調された電子ビームのエ
ネルギーをカップリングして高周波を発生させる高周波
発生手段と、 前記密度変調手段を通過し、マイクロ波を出力した電子
ビームを収集するコレクタとを具備することを特徴とす
るマルチビームクライストロン。 - 【請求項２】 前記密度変調手段は、前記カソードから
放出された電子ビームを１次密度変調して高周波電力を
増幅する第１のキャビティと、 前記カソードから放出された電子ビームを２次密度変調
して高周波電力を増幅する第２のキャビティと、 前記カソードから放出された電子ビームを３次密度変調
して高周波電力を増幅する第３のキャビティと、 前記カソードから放出された電子ビームを４次密度変調
して高周波電力を増幅する第４のキャビティとを具備す
ることを特徴とする請求項１記載のマルチビームクライ
ストロン。 - 【請求項３】 前記磁力発生手段は、前記カソードの周
囲に環形状に配列された第１の永久磁石グループと、 前記コレクタの周囲に環形状に配列された第２の永久磁
石グループと、 電子ビームの移動するドリフト通路に磁束を一様な密度
に分布させるよう前記第１の永久磁石グループから出た
磁束を第２の永久磁石グループへ案内する第１ のポルピースおよび第２のポルピースと、前記第２の永
久磁石グループから出た磁束を前記第１の永久磁石グル
ープへ案内するヨークとを具備することを特徴とする請
求項１記載のマルチビームクライストロン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19951735 | 1995-01-28 | ||
| KR1019950001735A KR100197677B1 (ko) | 1995-01-28 | 1995-01-28 | 멀티빔 클라이스트론 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264127A true JPH08264127A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=19407531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8013179A Pending JPH08264127A (ja) | 1995-01-28 | 1996-01-29 | マルチビームクライストロン |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0724281A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08264127A (ja) |
| KR (1) | KR100197677B1 (ja) |
| CN (1) | CN1135650A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932972A (en) * | 1997-02-24 | 1999-08-03 | Litton Systems, Inc. | Electron gun for a multiple beam klystron |
| CN105261541A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-01-20 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 高功率径向线相对论速调管放大器 |
| RU2822444C1 (ru) * | 2023-12-29 | 2024-07-05 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А. И. Шокина" | Многолучевая лампа бегущей волны миллиметрового диапазона длин волн |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2764730B1 (fr) * | 1997-06-13 | 1999-09-17 | Thomson Tubes Electroniques | Canon electronique pour tube electronique multifaisceau et tube electronique multifaisceau equipe de ce canon |
| US6856081B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-02-15 | Communications & Power Industries, Inc. | Method and apparatus for magnetic focusing of off-axis electron beam |
| CN100565766C (zh) * | 2006-04-20 | 2009-12-02 | 中国科学院电子学研究所 | 空间电荷波波长压缩升频为高频率电磁波源的方法及装置 |
| CN101604608B (zh) * | 2008-06-11 | 2011-10-05 | 中国科学院电子学研究所 | 一种毫米波回旋速调管放大器的谐振腔结构 |
| CN103346056B (zh) * | 2013-06-24 | 2015-11-04 | 合肥工业大学 | 两级串联的太赫兹慢波结构 |
| CN106486329B (zh) * | 2015-08-25 | 2018-07-10 | 清华大学 | 太赫兹反射速调管及微米太赫兹反射速调管阵列 |
| RU2637929C1 (ru) * | 2016-07-08 | 2017-12-08 | Акционерное общество "Плутон" | Магнетрон с плавной перестройкой магнитного поля |
| CN112578426B (zh) * | 2020-11-26 | 2022-09-20 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 | 一种可调节型阵列式法拉第筒 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1098625B (de) * | 1953-11-13 | 1961-02-02 | Siemens Ag | Magnetisches Buendelungssystem zur gebuendelten Fuehrung einer (mehrerer) Elektronenstroemung (en) mittels eines homogenen Magnetfeldes laengs einer groesseren Wegstrecke, insbesondere fuer Wanderfeldroehren |
| NL111910C (ja) * | 1954-09-21 | |||
| DE1491452B2 (de) * | 1965-03-24 | 1971-04-29 | Permanentmagnetsystem zur erzeugung eines im wesentlichen homogenen magnetfeldes fuer die gewoehnliche fuehrung des elektronenstrahls einer wanderfeldroehre | |
| US4387323A (en) * | 1980-12-15 | 1983-06-07 | Varian Associates, Inc. | Permanent magnet structure for linear-beam electron tubes |
| JPS5868846A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-23 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | 永久磁石で集束される線形ビ−ムマイクロ波管 |
| JPS59228342A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-21 | Nec Corp | 多空胴クライストロン |
| US4862128A (en) * | 1989-04-27 | 1989-08-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Field adjustable transverse flux sources |
-
1995
- 1995-01-28 KR KR1019950001735A patent/KR100197677B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-01-26 EP EP96300549A patent/EP0724281A3/en not_active Withdrawn
- 1996-01-28 CN CN96101219A patent/CN1135650A/zh active Pending
- 1996-01-29 JP JP8013179A patent/JPH08264127A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932972A (en) * | 1997-02-24 | 1999-08-03 | Litton Systems, Inc. | Electron gun for a multiple beam klystron |
| CN105261541A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-01-20 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 高功率径向线相对论速调管放大器 |
| RU2822444C1 (ru) * | 2023-12-29 | 2024-07-05 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А. И. Шокина" | Многолучевая лампа бегущей волны миллиметрового диапазона длин волн |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1135650A (zh) | 1996-11-13 |
| KR960030299A (ko) | 1996-08-17 |
| KR100197677B1 (ko) | 1999-06-15 |
| EP0724281A2 (en) | 1996-07-31 |
| EP0724281A3 (en) | 1998-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6847168B1 (en) | Electron gun for a multiple beam klystron using magnetic focusing with a magnetic field corrector | |
| US8258725B2 (en) | Hollow beam electron gun for use in a klystron | |
| US4096409A (en) | Multistage depressed collector | |
| US4395655A (en) | High power gyrotron (OSC) or gyrotron type amplifier using light weight focusing for millimeter wave tubes | |
| JPH08264127A (ja) | マルチビームクライストロン | |
| CN110797243B (zh) | 一种嵌套式同轴发射异步电子注的电子光学系统 | |
| US3646388A (en) | Crossed field microwave device | |
| US5541391A (en) | Microwave oven employing a klyston | |
| KR0140461B1 (ko) | 전자렌지 | |
| US5283534A (en) | High frequency amplifying apparatus with a collector which has a periodic amplitude variable longitudinal magnetic field therein | |
| Read et al. | Design of a 10 MW, $ L $-Band, Annular Beam Klystron | |
| US7638946B2 (en) | Apparatus and method for trajectory modulation of an electron beam | |
| US8018158B2 (en) | Method and apparatus for interaction with a modulated off-axis electron beam | |
| WO2016037075A1 (en) | Partially grounded depressed collector | |
| KR0139336Y1 (ko) | 멀티빔 진공관 | |
| WO1997038436A1 (en) | Single-beam and multiple-beam klystrons using periodic permanent magnets for electron beam focusing | |
| CA1222563A (en) | Emitron: microwave diode | |
| KR200146163Y1 (ko) | 멀티빔 클라이스트론 | |
| RU2278439C1 (ru) | Клистрон | |
| Zhang et al. | Development of a C-band klystron with a 360-MHz instantaneous bandwidth | |
| KR0175855B1 (ko) | 멀티빔 클라이스트론 | |
| KR0139337Y1 (ko) | 멀티빔 진공관 | |
| GB787271A (en) | Improvements in or relating to velocity modulation tubes | |
| Jiang et al. | Development of 100 kW Continuous Wave Radiofrequency Amplifier for Linear Accelerator | |
| US3324337A (en) | High frequency electron discharge device and focusing means therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990330 |